TW202100266A - 金屬糊、接合方法及接合體之製造方法 - Google Patents

金屬糊、接合方法及接合體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202100266A
TW202100266A TW109109288A TW109109288A TW202100266A TW 202100266 A TW202100266 A TW 202100266A TW 109109288 A TW109109288 A TW 109109288A TW 109109288 A TW109109288 A TW 109109288A TW 202100266 A TW202100266 A TW 202100266A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
particles
metal paste
paste
average particle
Prior art date
Application number
TW109109288A
Other languages
English (en)
Inventor
中城治之
吉本瑞樹
Original Assignee
日商播磨化成股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商播磨化成股份有限公司 filed Critical 日商播磨化成股份有限公司
Publication of TW202100266A publication Critical patent/TW202100266A/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/09—Mixtures of metallic powders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/07—Metallic powder characterised by particles having a nanoscale microstructure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
    • B22F1/107—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/16—Metallic particles coated with a non-metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
    • B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B22F7/064—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts using an intermediate powder layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/10—Alloys containing non-metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
    • B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
    • B22F2007/042—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal characterised by the layer forming method
    • B22F2007/047—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal characterised by the layer forming method non-pressurised baking of the paste or slurry containing metal powder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/10—Copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2301/00—Metallic composition of the powder or its coating
    • B22F2301/25—Noble metals, i.e. Ag Au, Ir, Os, Pd, Pt, Rh, Ru
    • B22F2301/255—Silver or gold
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00—Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05—Submicron size particles
    • B22F2304/054—Particle size between 1 and 100 nm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00—Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05—Submicron size particles
    • B22F2304/056—Particle size above 100 nm up to 300 nm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2304/00—Physical aspects of the powder
    • B22F2304/05—Submicron size particles
    • B22F2304/058—Particle size above 300 nm up to 1 micrometer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

本發明係一種金屬糊，其用於600℃以下之低溫接合，其包含平均粒徑為1～100 μm之金屬粒子、平均粒徑為1～500 nm之金屬奈米粒子、應力緩和材料、及使上述金屬粒子、上述金屬奈米粒子及上述應力緩和材料分散之分散介質。

Description

金屬糊、接合方法及接合體之製造方法
本發明係關於一種金屬糊、接合方法及接合體之製造方法。
先前，於金屬或半導體等之接合中已廣泛使用鉛焊料，但就環境限制等觀點而言，要求不含鉛且廉價之接合材料。又，隨著近年來功率半導體領域之技術進步，期待實現節能效果高之功率裝置，其可於更高溫度下使用可靠性高之半導體裝置等。
作為半導體裝置之接合方法中之廉價之接合材料，已研究了數種使用銅粒子之研究。例如，於專利文獻1中揭示有以具有微米級之粒徑之銅粒子為接合材料，藉由原位(in situ)合成使銅粒子之表面氧化而形成奈米結構粒子之後，於還原性氛圍下進行加熱之接合方法。於專利文獻2中揭示有使用包含藉由以有機分子被覆表面而提高分散性之奈米粒子及微米粒子或次微米粒子之銅糊進行未加壓接合之方法。於專利文獻3中揭示有使用金屬奈米粒子及金屬次微米粒子於半導體元件與基板之各者之接合面形成第1金屬粒子糊及第2金屬粒子糊之燒結層，使第3金屬粒子糊之燒結層介存於所形成之燒結層之間，從而提昇接合之可靠性之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2017-074598號公報 專利文獻2：日本專利特開2014-167145號公報 專利文獻3：日本專利特開2012-009703號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，專利文獻1及專利文獻2所記載之使用金屬奈米粒子之接合層較與金屬奈米粒子相同之金屬之塊材硬，延展性亦低。因此，於兩種被接合材料間產生熱應力，接合強度不足。
又，專利文獻3所記載之方法存在如下之問題點：步驟數多，且需要複雜之步驟，從而造成操作繁雜。
本發明係鑒於上述問題點而提出者，其目的在於：於一態樣中提供一種可藉由操作簡易之低溫接合而實現高接合強度及高溫環境下之高連接可靠性之金屬糊、使用該金屬糊之接合方法及使用該金屬糊之接合體之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明係一種金屬糊，其用於600℃以下之低溫接合，其包含： 平均粒徑為1～100 μm之金屬粒子、 平均粒徑為1～500 nm之金屬奈米粒子、 應力緩和材料、及 使上述金屬粒子、上述金屬奈米粒子及上述應力緩和材料分散之分散介質。 [發明之效果]
根據本發明之實施形態，於一態樣中，可提供一種可藉由操作簡易之低溫接合而實現高接合強度及高溫環境下之高連接可靠性之金屬糊、使用該金屬糊之接合方法及使用該金屬糊之接合體之製造方法。
以下，對本實施形態之金屬糊及使用該金屬糊之接合方法加以詳細說明。
(金屬糊) 首先，對本實施形態之金屬糊加以詳細說明。
本實施形態之金屬糊係用於600℃以下之低溫接合者，其包含： 平均粒徑為1～100 μm之金屬粒子、 平均粒徑為1～500 nm之金屬奈米粒子、 應力緩和材料、及 使上述金屬粒子、上述金屬奈米粒子及上述應力緩和材料分散之分散介質。
再者，於本實施形態中，所謂平均粒徑係指根據藉由雷射繞射散射法而測定之粒徑分佈而求出之體積基準之累積中位直徑(D50)。
對於各成分，於下述加以詳細說明。
＜金屬粒子＞ 本實施形態之金屬粒子為作為金屬糊之基底粒子之粒子，只要平均粒徑為1～100 μm，則金屬種並無特別限制。
一般而言，作為基底粒子，使用銅粒子或銀粒子，但於使用銅粒子之情形時，與使用銀粒子之情形相比不易發生遷移，因此可防止與基板上之配線之間之短路。另一方面，於使用銀粒子之情形時，與使用銅粒子之情形相比不易被氧化，有即便在大氣氛圍等並非還原性氛圍下，亦容易燒結之優點。再者，銅粒子或銀粒子等金屬粒子可直接使用市售之金屬粉。
又，本實施形態之金屬粒子亦可於表面具有奈米結構。藉由使用於表面具有奈米結構之金屬粒子，亦存在因表面奈米結構之量子尺寸效應，於使用本實施形態之金屬糊進行接合時，使接合強度提高之情況。
作為於金屬粒子之表面形成奈米結構之方法，例如可列舉於表面形成(次)氧化物層之方法等。例如，於表面具有氧化銅之銅粒子可藉由將平均粒徑為1至100 μm之銅粒子於氧化氛圍下加熱而獲得。
所謂製造於表面具有(次)氧化銅層之銅粒子時之氧化氛圍下，係指可使銅氧化之氧濃度氛圍，例如可為大氣下。加熱溫度例如可設為200～500℃。加熱時間可根據加熱溫度等而適當決定，例如為5～300分鐘左右。
上述平均粒徑之範圍中，就提高粒子之分散性並且容易形成後述之奈米結構之觀點而言，金屬粒子之粒徑較佳為2 μm以上，更佳為3 μm以上，進而較佳為3.5 μm以上，特佳為4 μm以上。又，就於接合時提高粒子間之融合性並且減少空隙之觀點而言，金屬粒子之粒徑較佳為60 μm以下，更佳為50 μm以下，進而較佳為40 μm以下，特佳為30 μm以下。
本實施形態之金屬粒子之形狀並無特別限制，例如可為球狀、塊狀、針狀、片狀等。其等之中，就容易於表面形成奈米結構，且可減小粒子彼此融合時之粒子間之空隙(void)之體積之觀點而言，較佳為使用球狀或片狀之金屬粒子。再者，於本說明書中，所謂「球狀」，不僅指完全之真球狀，亦可為縱橫比為3以下之大致球狀之狀態。又，於本說明書中，所謂「片狀」，包含板狀、鱗片狀等平板狀之形狀。
金屬粒子之含量係相對於金屬糊100質量份而言較佳為20～95質量份，更佳為30～90質量份，進而較佳為35～85質量份，特佳為40～80質量份。只要金屬粒子之含量處於上述範圍內，則可於燒結本實施形態之金屬糊時，實現由於金屬粒子彼此融合而帶來的較高之接合強度及連接可靠性。
＜金屬奈米粒子＞ 本實施形態之金屬糊包含平均粒徑為1 nm～500 nm之金屬奈米粒子。由於包含平均粒徑為1 nm～500 nm之金屬奈米粒子，可藉由由於增大接合時之接觸面積而帶來的金屬擴散促進效果，而提高接合強度。再者，於本實施形態中，所謂金屬奈米粒子，不僅包含上述平均粒徑之金屬單質之粒子，亦包含藉由加熱處理或還原處理使金屬氧化物、金屬錯合物及金屬鹽處於上述平均粒徑之範圍內之粒子。再者，於本說明書中，只要未特別提及，則「金屬粒子」係指上述所說明之平均粒徑為1～100 μm之金屬之粒子，「金屬奈米粒子」係指平均粒徑為1 nm～500 nm之金屬之微粒子。
又，本實施形態之金屬奈米粒子只要平均粒徑為1 nm～500 nm則並無問題，平均粒徑較佳為100 nm以下。於平均粒徑為100 nm以下之情形時，可更顯著地表現出上述之金屬擴散促進效果。
作為金屬奈米粒子之金屬種，並無特別限制，例如可列舉金奈米粒子、銀奈米粒子、銅奈米粒子等貴金屬奈米粒子，或其他過渡金屬奈米粒子、半金屬奈米粒子等，其等之中，較佳為包含選自金奈米粒子、銀奈米粒子及銅奈米粒子之群的任意一種以上之粒子，更佳為包含金奈米粒子及銀奈米粒子之任意一種以上之粒子。再者，上述金屬奈米粒子可直接使用市售之金屬奈米粒子。
進而，本實施形態之金屬奈米粒子有時較佳為與上述說明之金屬粒子不同之金屬種。於金屬粒子與被接合構件之相容性欠佳之情形時，可藉由使用與被接合構件之相容性較佳之金屬種之金屬奈米粒子，而更顯著地表現出接合時之金屬擴散效果。
金屬奈米粒子之形狀並無特別限制，例如可為球狀、塊狀、針狀、片狀等。其等之中，就可減小粒子彼此融合時之粒子間之空隙之體積之觀點而言，金屬奈米粒子之形狀較佳為球狀或片狀。
金屬奈米粒子之含量較佳為相對於金屬糊100質量份而言為0.01～60質量份，更佳為0.1～30質量份，進而較佳為0.1～10質量份，特佳為0.1～1質量份。只要金屬奈米粒子之含量處於上述範圍內，則於對本實施形態之金屬糊進行乾燥及燒結時，容易有效地使金屬奈米粒子向接合部之接合構造中的熱膨脹率差較大之界面偏析，並且將金屬奈米粒子有效率地填充至融合後之金屬粒子間之空隙。又，由因包含金屬奈米粒子之微小粒子之偏析而產生之次微米至奈米尺度之粒子之密集層所形成之燒結層包含較多之適於原子擴散之晶界，因此於接合過程中，燒結層與被接合材料之間之原子擴散得到促進而形成緻密之接合層。其結果，可實現由於接合面積之增大而帶來的被接合材料間之牢固之接合，並且經由緻密之接合層而使來自熱膨脹率差之應力之緩和變容易，從而可確保長期之連接穩定性。
＜應力緩和材料＞ 本實施形態之金屬糊包含應力緩和材料以緩和隨著龜裂之擴展而於接合部產生之剝離(止裂效果)。於本實施形態中，所謂應力緩和材料係指於600℃以下之溫度、較佳為400℃以下之溫度下並不熔融或軟化，於上述溫度下不會經由金屬擴散而與金屬粒子及/或金屬奈米粒子融合之材料。此種應力緩和材料可發揮阻止龜裂擴展之效果，因此可緩和隨著龜裂之擴展而於接合部產生之剝離。
作為應力緩和材料之具體例，可列舉難以燒結之無機物，例如可列舉鎢、氧化鋁、氮化鋁及玻璃等，其等之中，可列舉鎢、氧化鋁及氮化鋁作為較佳之應力緩和材料。於使用玻璃作為應力緩和劑之情形時，理想的是使用軟化點為400℃以上之玻璃，更佳為軟化點為500℃以上，進而較佳為軟化點為600℃以上。考慮到上述應力緩和材料於600℃以下之溫度不易產生熔融及擴散等變化，進而於500℃以下，特別是於400℃以下時，緩和接合部之剝離的效果變得更確實。應力緩和材料可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
應力緩和材料之平均粒徑較佳為0.01～100 μm，更佳為0.1～50 μm，進而較佳為1～10 μm。藉由使應力緩和材料之平均粒徑處於上述範圍內，變得容易表現出龜裂擴展抑制效果，因而較佳。
應力緩和材料之含量係相對於金屬糊100質量份而言較佳為0.01～10質量份，更佳為0.05～5質量份，進而較佳為0.1～4質量份，特佳為0.1～2質量份。只要應力緩和材料之含量處於上述範圍內，則容易表現出對龜裂擴展之抑制效果。
＜分散介質＞ 本實施形態之金屬糊包含用於使上述所說明之金屬粒子及金屬奈米粒子等固體粒子分散之分散介質(溶劑)。分散介質只要能使固體粒子分散則並無特別限制，分散介質之沸點較佳為150～400℃左右。再者，分散介質亦可將兩種以上之溶劑混合而使用。
作為分散介質之具體例，可列舉鏈狀烴、芳香族烴、脂環式烴、鏈狀醇、芳香族醇、脂環式醇、二醇或三醇等多元醇、醚、二醇醚、胺、醯胺、醛、酮等。
其等之中，就固體粒子之分散性優異之觀點而言，可較佳地使用二醇或二醇醚。作為二醇，可列舉乙二醇、丙二醇等伸烷基二醇，及聚乙二醇、聚丙二醇等聚伸烷基二醇(主要為分子量1000以下者)。作為二醇醚，可列舉二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丁醚等聚伸烷基二醇烷基醚類及其酯衍生物(例如二乙二醇單丁醚乙酸酯)。
作為分散介質之含量，相對於固體粒子100質量份而言通常為5～100質量份左右，較佳為7～70質量份左右。只要分散介質之含量處於上述範圍內，則可使金屬粒子及金屬奈米粒子適當地分散，且可將金屬糊之黏度調整至適當之範圍。
＜其他成分＞ 本實施形態之金屬糊亦可包含抗氧化劑、界面活性劑、消泡劑、離子捕捉劑等添加劑。
進而，如下所述，於使用本實施形態之金屬糊之接合方法中，包含進行加熱而燒結金屬糊之步驟。以該燒結步驟中之金屬粒子融合之促進等為目的，本實施形態之金屬糊亦可包含還原劑。作為還原劑，可列舉硫化物、硫代硫酸鹽、草酸、甲酸、抗壞血酸、醛、肼及其衍生物、羥胺及其衍生物、二硫蘇糖醇、亞磷酸鹽、亞磷酸氫鹽、亞磷酸及其衍生物、氫化鋁鋰、二異丁基氫化鋁、硼氫化鈉等。
又進而，本實施形態之金屬糊亦可包含聚酯系樹脂、封端異氰酸酯等聚胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚丙烯醯胺系樹脂、聚醚系樹脂、三聚氰胺系樹脂、萜烯系樹脂等樹脂成分。該等樹脂成分可作為固體粒子之黏合劑發揮作用。再者，本實施形態之金屬糊於金屬粒子之表面及被接合構件間之界面配置能夠低溫融合之金屬粒子，因此即便於不含樹脂成分之情形時，亦能夠實現高接合性。然而，於接合部要求特別高之導電性之情形時，較佳為金屬糊實質上不含樹脂成分。於本實施形態之金屬糊含有樹脂成分之情形時，樹脂之含量係相對於固體粒子100質量份而言較佳為10質量份以下，更佳為5質量份以下，進而較佳為3質量份以下，特佳為1質量份以下。
＜金屬糊之製備方法＞ 本實施形態之金屬糊可藉由將上述所說明之固體粒子、分散介質及其他成分加以混合而製備。固體粒子可將所有量一次性分散至分散介質中，亦可於使一部分固體粒子分散之後添加剩餘部分而使之分散。又，關於金屬粒子及金屬奈米粒子，例如可於使金屬奈米粒子分散之後，添加金屬粒子，亦可將金屬粒子之分散液與金屬奈米粒子之分散液加以混合。
再者，於將各成分加以混合後，亦可進行攪拌處理。又，於各成分之混合前後，亦可藉由分級操作而去除凝聚物。
於攪拌處理中，可使用石川式攪拌機、西爾弗森式攪拌機、空穴作用攪拌機、自轉公轉式(行星式)攪拌機、超薄膜高速旋轉式分散機、超音波分散機、石磨機、二軸混練機、珠磨機、球磨機、三輥磨機、均質機、行星式混合機、超高壓型分散機、薄層剪切分散機、濕式超微粒化裝置、超音速式噴射磨機等攪拌/混練裝置。
又，分級操作可使用過濾、自然沈澱、離心分離而進行。作為過濾用之過濾器，可列舉水梳、金屬網、金屬過濾器、尼龍網。
(接合方法) 以下對使用上述所說明之金屬糊之本實施形態之接合方法加以詳細說明。
於使用本實施形態之金屬糊進行接合之情形時，準備於第一構件與第二構件之間設置有本實施形態之金屬糊之積層體，藉由對此積層體進行加熱以燒結金屬糊，從而將第一構件與第二構件接合。
再者，於本實施形態中，作為被接合材料之第一構件及第二構件之材料並無特別限制，可使用各種金屬材料、半導體材料、陶瓷材料或樹脂材料。作為第一構件之具體例，可列舉：矽基板等半導體基板；銅基板等金屬基板、引線框架、貼附有金屬板之陶瓷基板(例如DBC)、LED封裝體等半導體元件搭載用基板、銅帶、金屬塊、端子等饋電用構件、散熱板、水冷板等。作為第二構件之具體例，可列舉包括二極體、整流器、閘流體、MOS閘極驅動器、功率開關、功率MOSFET、IGBT、肖特基二極體、快速恢復二極體等之功率模組，發射機、放大器、感測器、類比積體電路、半導體雷射、LED模組等。
又，第一構件及第二構件亦可於與本實施形態之金屬糊相接之面包含金屬。作為金屬，可列舉銅、鎳、銀、金、鈀、鉑、鉛、錫、鈷、錳、鋁、鈹、鈦、鉻、鐵、鉬及其等之合金等。
作為於第一構件與第二構件之間設置本實施形態之金屬糊之方法，例如可列舉於第一構件上，藉由網版印刷、轉印印刷、膠版印刷、凸版印刷、凹版印刷、照相凹印、模板印刷、軟微影、噴射印刷、分注器法、刮刀式塗佈、狹縫式塗佈、模嘴塗佈、凹版塗佈、棒式塗佈、噴塗、旋轉塗佈、電沈積塗佈等各種塗佈方法塗佈本實施形態之金屬糊，其後，利用使用了貼片機或倒裝晶片接合器等之方法、或各種治具，藉由手工作業配置第二構件之方法等。
再者，本實施形態之金屬糊之厚度通常為1～1000 μm左右。
本實施形態之接合方法係藉由對以上述方法製作之積層體進行加熱而燒結金屬糊，從而將第一構件與第二構件接合。
於加熱過程中，金屬糊中之金屬奈米粒子被分散介質之蒸發速度較快之界面(氣液界面)捕捉，即，向第二構件與金屬糊之間之界面偏析，形成金屬奈米粒子之密集層。換而言之，金屬粒子與金屬奈米粒子發生層分離及自積層。又，由於蒸發時之加熱，金屬奈米粒子之密集層形成包含較多之適於原子擴散之晶界之燒結層。再者，已知原子擴散於晶界中對接合性之貢獻較大。
又，藉由金屬奈米粒子之密集層，包含較多之適於原子擴散之晶界的燒結層於接合過程中促進燒結層與被接合材料之間之原子擴散而形成緻密之接合層。因此，可實現由於接合面積之增大而帶來的被接合材料間之牢固之接合。進而，藉由存在於金屬糊之燒結層之空隙部，作為使連接可靠性降低之龜裂之擴展因素之一的熱應力應變得到緩和，因此可抑制隨著龜裂之擴展而帶來的接合部之剝離，能夠確保連接可靠性。
又，於使用銅粒子作為金屬粒子，於銅粒子之表面形成奈米結構之情形時，所形成之奈米尺度之純銅微粒子有時亦顯示出由於量子尺寸效應所導致之熔點下降。因此，雖然通常情況下銅之熔點為1085℃，但藉由利用本實施形態之接合方法，有時亦能夠以低於銅之熔點之溫度(例如300℃左右)進行融合而形成金屬接合。又，奈米尺度之純銅微粒子固定於銅粒子之表面，因此認為不易發生於使用通常之金屬奈米粒子時之接合中所觀察到的凝聚或偏集存在之問題。
進而，本實施形態之金屬糊包含金屬奈米粒子，因此由於金屬奈米粒子之量子尺寸效應所帶來的熔點下降作用，其係具有微米級金屬粒子作為基底粒子，且能夠於600℃以下、較佳為400℃以下之溫度下進行低溫接合之金屬糊。
進行加熱而燒結金屬糊之步驟於氧化氛圍下、氧化抑制氛圍下、還原性氛圍下之任一氛圍下實施均無問題，但就去除第一構件、第二構件、金屬糊中之金屬之各者之氧化膜之觀點而言，較佳為於還原性氛圍下實施。作為此種情形時之還原性氛圍，可列舉存在有氫氣或甲酸等還原性氣體之氛圍。還原性氛圍氣體亦可為氫氣或甲酸等還原性氣體與氮氣或稀有氣體等惰性氣體之混合氣體。於金屬糊自身包含還原劑之情形時，亦可於氧化抑制氛圍下進行加熱而代替使用還原性氣體。於此種情形時，還原劑因加熱而活化成為還原性氛圍。所謂氧化抑制氛圍，可列舉氮氣或稀有氣體等惰性氣體氛圍或真空下等。
關於燒結時之加熱中所到達之最高溫度，就抑制對第一構件及第二構件之熱損傷，促進殘存之分散介質之揮發及金屬粒子之融合之觀點而言，通常為600℃以下，較佳為150～500℃，更佳為180～450℃，進而較佳為200～400℃。
又，關於上述溫度之保持時間，就使分散介質之揮發及金屬粒子之融合充分進行之觀點而言，較佳為1分鐘以上，更佳為5分鐘以上。加熱之保持時間之上限並無特別限制，就良率及步驟效率等觀點而言較佳為60分鐘以下。
又，於燒結時，亦可視需要一面施加壓力一面加熱。關於加熱時之壓力，就抑制對第一構件及第二構件之壓力損傷，促進金屬粒子之融合之觀點而言，通常為80 MPa以下，較佳為70 MPa以下，更佳為60 MPa以下。
又，燒結金屬糊後之接合層之剖面之空隙具有如下之功能：緩和成為隨著龜裂之擴展而於接合部發生之剝離之因素的熱應力應變。本實施形態之金屬糊含有應力緩和材料，因此亦兼具應力緩和劑之止裂效果，可更顯著地表現出抑制接合部剝離之效果。另一方面，空隙之存在亦會成為使粒子彼此之接合面積減小、接合強度降低之因素。因此，接合層剖面之空隙率較佳為25%以下，更佳為20%以下，進而較佳為15%以下。
又，使用本實施形態之金屬糊之接合方法除可將空隙率抑制得較低之外，由於基底粒子為微米尺寸之金屬粒子，因此燒結時之體積收縮較小，亦可抑制接合層內之應變，且接合層內之晶界之比率亦較小。認為其等亦有助於接合強度之提昇。
(實施例) 以下藉由參照實施例而具體地說明本發明，但本發明並不限定於下述實施例。
(實施例1) 金屬粒子之準備 一面於大氣下攪拌銅粒子1400YP(三井金屬礦業股份有限公司製造，平均粒徑6.3 μm，片狀)，一面以100℃加熱10分鐘，以150℃加熱10分鐘，以200℃加熱10分鐘，以250℃加熱10分鐘，以300℃加熱60分鐘，藉此獲得於表面形成有奈米結構之氧化銅粒子。
分取金奈米粒子之甲苯分散液Au1T/CD(ULVAC股份有限公司製造，平均粒徑7 nm)0.76質量份(以金奈米粒子計為0.23質量份)作為金屬奈米粒子，減壓去除甲苯，混合α-松油醇(Yasuhara Chemical股份有限公司製造，沸點213℃)21.23質量份作為分散介質。
於減壓下使用攪拌機(倉敷紡織股份有限公司製造：MAZERUSTAR KK-V300)以公轉轉速1340 rpm、自轉轉速737 rpm對所得之混合物進行2分鐘之行星攪拌。其後，添加鎢粉W-2KD(日本新金屬股份有限公司製造，平均粒徑1.49 μm)0.77質量份，以同樣之方式進行行星攪拌。
於混合物中添加上述銅粒子77.77質量份，對所得之混合物進行行星攪拌，獲得實施例1之接合用銅糊。
(比較例1～3) 除了將金屬粒子、金屬奈米粒子、應力緩和材料、分散介質之調配量變更為表1所示之量以外，藉由與實施例1同樣之方法，獲得比較例1至3之接合用銅糊。
關於實施例1及比較例1～3之銅糊之調配條件等，示於表1中。
[表1]
   實施例1 比較例1 比較例2 比較例3
金屬粒子 氧化銅粒子(質量份) 77.77 77.77 77.77 77.77
金屬奈米粒子 金奈米粒子：Au1T/CD(不含甲苯)(質量份) 0.23 0 0 0.23
應力緩和材料 鎢粉：W-2KD(質量份) 0.77 0 0.77 0
分散介質 α-松油醇(質量份) 21.23 22.23 21.46 22.00
接合強度 (MPa) 0循環 40.0 40.0 40.0 40.0
300循環 27.4 11.8 13.6 20.8
(實施例2) 使用銀粉Ag-2-1C(DOWA Electronics股份有限公司製造，平均粒徑0.8 μm，球狀)作為金屬粒子。
分取銀奈米粒子之甲苯分散液Ag1TH1(ULVAC股份有限公司製造，平均粒徑8 nm)28.6質量份(以銀奈米粒子計為10質量份)作為金屬奈米粒子，減壓去除甲苯，混合α-松油醇(Yasuhara Chemical股份有限公司製造，沸點213℃)9.12質量份作為分散介質。
於減壓下使用攪拌機(倉敷紡織股份有限公司製造：MAZERUSTAR KK-V300)以公轉轉速1340 rpm、自轉轉速737 rpm對所得之混合物進行2分鐘之行星攪拌。其後，添加鎢粉W-2KD(日本新金屬股份有限公司製造，平均粒徑1.49 μm)0.88質量份，以同樣之方式進行行星攪拌。
於混合物中添加上述銀粒子80.0質量份，對所得之混合物進行行星攪拌，獲得實施例2之接合用銀糊。
(實施例3～9，比較例4～8) 除了將金屬粒子、金屬奈米粒子、應力緩和劑、分散介質之種類及調配量變更為表2所示之種類及調配量以外，以與實施例2同樣之方式，獲得實施例3～9及比較例4～8之接合用銀糊。
(實施例10) 使用銅粉1400Y(三井金屬礦山股份有限公司製造，平均粒徑5.2 μm，球狀)作為金屬粒子。
分取金奈米粒子之甲苯分散液Au1T/CD(ULVAC股份有限公司製造，平均粒徑7 nm)2.91質量份(以金奈米粒子計為0.88質量份)作為金屬奈米粒子，減壓去除甲苯，混合α-松油醇(Yasuhara Chemical股份有限公司製造，沸點213℃)10.24質量份作為分散介質。
於減壓下使用攪拌機(倉敷紡織股份有限公司製造：MAZERUSTAR KK-V300)以公轉轉速1340 rpm、自轉轉速737 rpm對所得之混合物進行2分鐘之行星攪拌。其後，添加鎢粉W-2KD(日本新金屬股份有限公司製造，平均粒徑1.49 μm)0.88質量份，以同樣之方式進行行星攪拌。
於混合物中添加上述銅粒子88.00質量份，對所得之混合物進行行星攪拌，獲得實施例10之接合用銅糊。
(實施例11～17，比較例9～13) 除了將金屬粒子、金屬奈米粒子、應力緩和劑、分散介質之種類及調配量變更為表3所示之種類及調配量以外，以與實施例10同樣之方式，獲得實施例11～17及比較例9～13之接合用銅糊。
關於實施例2～17及比較例4～13之銅糊之調配條件等，示於表2及表3中。
[表2]
實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5 實施例 6 實施例 7 實施例 8 實施例 9 比較例 4 比較例 5 比較例 6 比較例 7 比較例 8
構成成分 ( 質量 %) 金屬粒子 銀粉 80 80 80 80 80 80 80 80 90 80 88 88 88
金屬奈米粒子 銀奈米粒子 10 10 10 10 10 10 10 10 10
應力緩和劑 鎢粉 0.88 2.64 0.88
氮化鋁粉 0.88 2.64 0.88
氧化鋁粉 0.88 2.64
玻璃粉 0.88 2.64 0.88
分散介質 溶劑 9.12 7.36 9.12 7.36 9.12 7.36 9.12 7.36 10 10 11.12 11.12 11.12
評估結果 0 循環 接合強度 (Mpa) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
150 循環 接合強度 (Mpa) 40 38 40 36 39 38 38 34 22 30 27 25 23
強度殘存率 (%) 100.0% 95.0% 100.0% 90.0% 97.5% 95.0% 95.0% 85.0% 55.0% 75.0% 67.5% 62.5% 57.5%
300 循環 接合強度 (Mpa) 38 33 36 32 35 32 33 30 18 24 20 21 19
強度殘存率 (%) 95.0% 82.5% 90.0% 80.0% 87.5% 80.0% 82.5% 75.0% 45.0% 60.0% 50.0% 52.5% 47.5%
[表3]
實施例 10 實施例 11 實施例 12 實施例 13 實施例 14 實施例 15 實施例 16 實施例 17 比較例 9 比較例 10 比較例 11 比較例 12 比較例 13
構成成分 ( 質量 %) 金屬粒子 純銅粉 88 88 88 88 88 88 88 88 90 88 88 88 88
金屬奈米粒子 金奈米粒子 0.88 0.88 0.88 0.88 0.88 0.88 0.88 0.88 0.88
應力緩和劑 鎢粉 0.88 2.64 0.88
氮化鋁粉 0.88 2.64 0.88
氧化鋁粉 0.88 2.64
玻璃粉 0.88 2.64 0.88
分散介質 溶劑 10.24 8.48 10.24 8.48 10.24 8.48 10.24 8.48 10 11.12 11.12 11.12 11.12
評估結果 0 循環 接合強度 (Mpa) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
150 循環 接合強度 (Mpa) 40 40 40 40 40 40 40 37 25 35 32 33 29
強度殘存率 (%) 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 92.5% 62.5% 87.5% 80.0% 82.5% 72.5%
300 循環 接合強度 (Mpa) 37 34 36 32 37 32 32 28 15 26 21 20 18
強度殘存率 (%) 92.5% 85.0% 90.0% 80.0% 92.5% 80.0% 80.0% 70.0% 37.5% 65.0% 52.5% 50.0% 45.0%
再者，表2及表3中之材料係使用下述者。
使用如下者。 銀粉：Ag-2-1C，DOWA Electronics股份有限公司製造，平均粒徑0.8 μm，球狀 銀奈米粒子：Ag1TH1，ULVAC股份有限公司製造，平均粒徑8 nm 純銅粉：1400Y，三井金屬礦山股份有限公司製造，平均粒徑5.2 μm，球狀 金奈米粒子：金奈米粒子之甲苯分散液Au1T/CD，ULVAC股份有限公司製造，平均粒徑7 nm 鎢粉：W-2KD，日本新金屬股份有限公司製造，平均粒徑1.49 μm 氮化鋁粉：TFZ-N01P，東洋鋁業股份有限公司製造，平均粒徑1.4 μm 氧化鋁粉：TM-5D，大明化學工業股份有限公司製造，平均粒徑0.27 μm 玻璃粉：ASF-102X，AGC股份有限公司製造，成分：SiO2・B2O3，平均粒徑1.1 μm 溶劑：α-松油醇，Yasuhara Chemical股份有限公司製造，沸點213℃
(評估) 將表1之各實施例及各比較例之接合用銅糊0.009 g塗佈於20 mm×20 mm之銅板(厚度1 mm)上之中央，於其上接觸厚度0.35 mm、尺寸5×5 mm之鍍銀SiC晶片。其後，以10 g之荷重輕輕按壓SiC晶片而形成積層體。
將所得之積層體設置於還原接合裝置(Ayumi INDUSTRY股份有限公司製造：RB-100)之爐內，於大氣下以4分鐘自室溫升溫至100℃之後，於100℃下保持15分鐘而進行預乾燥。其後，向爐內導入甲酸蒸氣而於甲酸氛圍下以10分鐘自100℃升溫至300℃。其後，於未加壓狀態下以300℃加熱60分鐘，進而於60 MPa之加壓狀態下以300℃加熱30分鐘。其後，對爐內進行氮氣置換冷卻至35℃以下之後，取出試樣。
使用金屬遮罩(5.5×5.5 mm，厚度110 μm)將表2之各實施例及各比較例之接合用銀糊塗佈於20 mm×20 mm之銅板(厚度1 mm)上之中央。將所得之糊塗佈膜設置於還原接合裝置(Ayumi INDUSTRY股份有限公司製造：RB-100)之爐內，於大氣下以4分鐘自室溫升溫至100℃後，於100℃下保持10分鐘而進行預乾燥。其後，於預乾燥膜上接觸厚度0.35 mm、尺寸5×5 mm之鍍銀SiC晶片。向爐內導入氮氣，於氮氣氛圍下以4分鐘自300℃升溫至250℃。其後，於10 MPa之加壓狀態下以250℃加熱30分鐘。其後，將爐內冷卻至35℃以下之後，取出試樣。
將表3之各實施例及各比較例之接合用銅糊0.009 g塗佈於20 mm×20 mm之銅板(厚度1 mm)上之中央，於其上接觸厚度0.35 mm、尺寸5×5 mm之鍍銀SiC晶片。其後，以10 g之荷重輕輕按壓SiC晶片而形成積層體。將所得之積層體設置於還原接合裝置(Ayumi INDUSTRY股份有限公司製造：RB-100)之爐內，於大氣下以4分鐘自室溫升溫至100℃後，於100℃下保持15分鐘而進行預乾燥。其後，向爐內導入甲酸蒸氣而於甲酸氛圍下以10分鐘自100℃升溫至300℃。其後，於未加壓狀態下以300℃加熱30分鐘，進而於10 MPa之加壓狀態下以300℃加熱30分鐘。其後，對爐內進行氮氣置換冷卻至35℃以下之後，取出試樣。
(冷熱循環試驗) 將所得之試樣投入至溫度循環試驗機TS-100(楠本化成股份有限公司製造)中，重複300次之以-40℃30分鐘、125℃30分鐘為1次循環之冷熱循環。
(晶片剪切強度(接合強度)之測定) 使用安裝有DS-100荷重元之萬能型黏結強度試驗機(Nordson Advanced Technology公司製造之4000系列)，於大氣下，以測定速度1 mm/分鐘、測定高度100 μm之條件，測定上述試樣之晶片剪切強度。
關於晶片剪切強度之結果，亦示於表1至表3中。由表1至表3可知：本實施形態之金屬糊因包含金屬粒子、金屬奈米粒子、應力緩和材料及分散介質，故冷熱循環後之晶片剪切強度亦較高，具有高接合強度及高溫環境下之高連接可靠性。

Claims (11)

  1. 一種金屬糊，其用於600℃以下之低溫接合，其包含： 平均粒徑為1～100 μm之金屬粒子、 平均粒徑為1～500 nm之金屬奈米粒子、 應力緩和材料、及 使上述金屬粒子、上述金屬奈米粒子及上述應力緩和材料分散之分散介質。
  2. 如請求項1之金屬糊，其中上述金屬粒子與上述金屬奈米粒子為互不相同之金屬種。
  3. 如請求項1之金屬糊，其中上述金屬粒子為銅粒子。
  4. 如請求項3之金屬糊，其中上述銅粒子於表面具有奈米結構。
  5. 如請求項1之金屬糊，其中上述金屬奈米粒子包含選自金奈米粒子、銀奈米粒子及銅奈米粒子之群之一種以上之粒子。
  6. 如請求項1之金屬糊，其中上述金屬奈米粒子之平均粒徑為1～100 nm。
  7. 如請求項1之金屬糊，其中於上述金屬糊100質量份中含有上述金屬奈米粒子0.01～60質量份。
  8. 如請求項1之金屬糊，其中上述應力緩和材料之平均粒徑為0.01～100 μm。
  9. 如請求項1之金屬糊，其中上述應力緩和材料為選自鎢、氧化鋁、氮化鋁及玻璃之群之一種以上之無機物。
  10. 一種接合方法，其係準備於第一構件與第二構件之間設置有如請求項1之金屬糊之積層體， 對上述積層體進行加熱而燒結上述金屬糊，且 燒結上述金屬糊之溫度為600℃以下。
  11. 一種接合體之製造方法，其係準備於第一構件與第二構件之間設置有如請求項1之金屬糊之積層體， 藉由對上述積層體進行加熱而燒結上述金屬糊，從而將上述第一構件與上述第二構件接合，且 燒結上述金屬糊之溫度為600℃以下。
TW109109288A 2019-03-22 2020-03-19 金屬糊、接合方法及接合體之製造方法 TW202100266A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019055538 2019-03-22
JP2019-055538 2019-03-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202100266A true TW202100266A (zh) 2021-01-01

Family

ID=72609395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109109288A TW202100266A (zh) 2019-03-22 2020-03-19 金屬糊、接合方法及接合體之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220143692A1 (zh)
EP (1) EP3943215A4 (zh)
JP (1) JPWO2020196299A1 (zh)
CN (1) CN113613811A (zh)
TW (1) TW202100266A (zh)
WO (1) WO2020196299A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114472881A (zh) * 2021-12-30 2022-05-13 深圳市中金岭南有色金属股份有限公司丹霞冶炼厂 锌粉活化浆及制备方法、除杂方法及除杂装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070033329A (ko) * 2004-02-18 2007-03-26 버지니아 테크 인터렉추얼 프라퍼티스, 인크. 인터커넥트를 위한 나노 크기의 금속 페이스트 및 이의사용 방법
JP2006196245A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた配線回路基板
JP5705467B2 (ja) 2010-06-25 2015-04-22 新電元工業株式会社 半導体装置の接合方法、および、半導体装置
WO2013002407A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 日立金属株式会社 ろう材、ろう材ペースト、セラミックス回路基板、セラミックスマスター回路基板及びパワー半導体モジュール
WO2013077328A1 (ja) * 2011-11-21 2013-05-30 株式会社神戸製鋼所 疲労き裂進展抑制用ペースト
JP6199048B2 (ja) 2013-02-28 2017-09-20 国立大学法人大阪大学 接合材
US20140287158A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 Intrinsiq Materials, Inc. Performance of conductive copper paste using copper flake
JP6099472B2 (ja) * 2013-04-26 2017-03-22 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 金属ナノ粒子分散体、金属ナノ粒子分散体の製造方法および接合方法
JP6606514B2 (ja) * 2015-01-26 2019-11-13 日本製鉄株式会社 金属粒子及び導電性材料の粒子を用いた導電性接合材料並びに導電性接合構造
JP6659026B2 (ja) 2015-10-14 2020-03-04 国立大学法人大阪大学 銅粒子を用いた低温接合方法
JP7005121B2 (ja) * 2015-12-04 2022-01-21 昭和電工マテリアルズ株式会社 無加圧接合用銅ペースト、接合体、及び半導体装置
CN107025950A (zh) * 2016-02-02 2017-08-08 李文熙 可在空气中烧结高导电率纳米银包铜厚膜膏的制备方法
JP6694301B2 (ja) * 2016-03-23 2020-05-13 日本碍子株式会社 接合体及び接合体の製造方法
KR102293573B1 (ko) * 2017-09-15 2021-08-25 린텍 가부시키가이샤 필름상 소성 재료, 및 지지 시트를 가지는 필름상 소성 재료

Also Published As

Publication number Publication date
CN113613811A (zh) 2021-11-05
US20220143692A1 (en) 2022-05-12
JPWO2020196299A1 (zh) 2020-10-01
WO2020196299A1 (ja) 2020-10-01
EP3943215A1 (en) 2022-01-26
EP3943215A4 (en) 2022-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI733693B (zh) 接合用銅糊、接合體的製造方法及半導體裝置的製造方法
TWI743112B (zh) 接合用銅糊、接合體、半導體裝置及其製造方法
JP7220310B2 (ja) 無加圧接合用銅ペースト、無加圧接合方法および接合体の製造方法
JP6848549B2 (ja) 接合用銅ペースト及び半導体装置
TW201718442A (zh) 接合用銅糊、接合體的製造方法及半導體裝置的製造方法
EP3217424A1 (en) Electroconductive assembly for electronic component, semiconductor device in which said assembly is used, and method for manufacturing electroconductive assembly
CN110430951B (zh) 接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法
CN110461504B (zh) 接合用金属糊料、接合体及其制造方法以及半导体装置及其制造方法
JP6032110B2 (ja) 金属ナノ粒子材料、それを含有する接合材料、およびそれを用いた半導体装置
JP2020020015A (ja) 接合用金属ペースト、接合体及び接合体の製造方法
CN109075081B (zh) 半导体装置
WO2019021637A1 (ja) 金属接合積層体の製造方法
JP7210842B2 (ja) 接合体の製造方法、焼結銅ピラー形成用銅ペースト、及び接合用ピラー付部材
WO2021066026A1 (ja) 接合用銅ペースト、接合体の製造方法及び接合体
TW202100266A (zh) 金屬糊、接合方法及接合體之製造方法
JP5733638B2 (ja) 接合材料およびそれを用いた半導体装置、ならびに配線材料およびそれを用いた電子素子用配線
EP3203514A1 (en) SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH Ag UNDERLAYER AND POWER MODULE
TW202121627A (zh) 燒結銅柱形成用銅膏及接合體的製造方法
JP2021063262A (ja) 接合用金属ペースト、接合体の製造方法、及び接合体
JP6870436B2 (ja) 金属粒子凝集体とその製造方法、ペースト状金属粒子組成物および接合体の製造方法
JP2016056288A (ja) 接着剤組成物及びそれを用いた半導体装置
JP7463681B2 (ja) 接合体の製造方法及び接合体
JP2021063260A (ja) 接合用金属ペースト、接合体の製造方法、及び接合体
JP7487011B2 (ja) 接合材、接合材の製造方法及び接合方法
WO2022196653A1 (ja) 焼結銅ピラー形成用銅ペースト及び接合体の製造方法