TW202041927A - 顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板，包括第一基底、主動元件、第一絕緣層、畫素電極、共用電極、第二絕緣層、第二基底、間隙物及顯示介質。主動元件設置於第一基底上。第一絕緣層設置於主動元件上。畫素電極、共用電極及第二絕緣層設置於第一絕緣層上。第二絕緣層設置於畫素電極與共用電極之間。第二絕緣層具有第一表面和側面。第一表面與側面相連接以定義第二絕緣層的凹陷。第二基底設置於第一基底的對向。間隙物設置於第二基底上。間隙物於第一基底上的垂直投影與第二絕緣層之凹陷於第一基底上之垂直投影重疊。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種包括間隙物的顯示面板。
隨著顯示科技的發展，顯示面板已大量被運用在各式電子裝置中，例如：手機、平板電腦、筆記型電腦、電視等。為使電子裝置具有薄型化的外觀，顯示面板的厚度也須減薄。一般而言，將主動元件基板與對向基板組立後，會進行薄化工序，以減薄主動元件基板的基底與對向基板的基底。然而，基底被薄化後，基底的剛性降低，顯示面板易受重力的影響而彎曲，造成主動元件基板與對向基板的偏移。當主動元件基板與對向基板偏移時，對向基板的間隙物偏離原位置而刮傷主動元件基板之顯示區上的配向膜，因而產生亮點缺陷。
本發明提供一種顯示面板，性能佳。
本發明一實施例的顯示面板，包括第一基底、主動元件、第一絕緣層、畫素電極、共用電極、第二絕緣層、第二基底、間隙物以及顯示介質。主動元件設置於第一基底上。第一絕緣層設置於主動元件上。畫素電極、共用電極及第二絕緣層設置於第一絕緣層上。畫素電極電性連接至主動元件。第二絕緣層設置於畫素電極與共用電極之間。第二絕緣層具有第一表面和側面。第一表面與側面相連接以定義第二絕緣層的凹陷。第二基底設置於第一基底的對向。間隙物設置於第二基底上。間隙物於第一基底上的垂直投影與第二絕緣層之凹陷於第一基底上之垂直投影重疊。顯示介質設置於第一基底與第二基底之間。
本發明一實施例的顯示面板，包括第一基底、主動元件、畫素電極、絕緣層、凸起物、第二基底、間隙物以及顯示介質。主動元件設置於第一基底上。畫素電極設置於第一基底上，且電性連接至主動元件。絕緣層設置於第一基底上。絕緣層具有第一表面和側面，且第一表面與側面相連接以定義絕緣層的凹陷。凸起物設置於絕緣層的凹陷中。第二基底設置於第一基底的對向。間隙物設置於第二基底上，其中間隙物與凸起物互相抵頂。顯示介質設置於第一基底與第二基底之間。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”係可為二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1為本發明第一實施例之顯示面板的剖面示意圖。請參照圖1，顯示面板10包括主動元件基板100、相對於主動元件基板100的對向基板200以及設置於主動元件基板100與對向基板200之間的顯示介質300。顯示介質300設置於主動元件基板100的第一基底110與對向基板200的第二基底210之間。舉例而言，在本實施例中，顯示介質300是液晶，但本發明不以此為限。
主動元件基板100包括第一基底110。第一基底110主要是用來承載主動元件基板100之元件之用，其材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料）、或是其它可適用的材料。
主動元件基板100包括主動元件T，設置於第一基底110上。主動元件T包括薄膜電晶體。薄膜電晶體具有閘極120、半導體圖案130、設置於閘極120與半導體圖案130之間的閘絕緣層GI以及分別與半導體圖案130之不同兩區電性連接的源極141與汲極142。
在本實施例中，閘極120位於半導體圖案130的下方，而薄膜電晶體可以是底部閘極型電晶體。然而，本發明不以此為限，根據其它實施例，薄膜電晶體也可以是頂部閘極型或其它適當型式的電晶體。
主動元件基板100包括絕緣層150，設置於主動元件T上。主動元件基板100還包括絕緣層160，設置於絕緣層150上。在本實施例中，絕緣層150、160的材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述之組合。
主動元件基板100包括畫素電極190、共用電極170及絕緣層180，設置於絕緣層160上。絕緣層180設置於畫素電極190與共用電極170之間。畫素電極190電性連接至主動元件T。在本實施例中，絕緣層180的材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述之組合。
舉例而言，在本實施例中，共用電極170設置在絕緣層160上，絕緣層180設置於共用電極170上，而畫素電極190設置於絕緣層180上且具有多個狹縫192。也就是說，在本實施例中，畫素電極190可設置於共用電極170的上方。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，畫素電極190也可設置於共用電極170的下方。
對向基板200包括第二基底210及間隙物240。第二基底210設置於第一基底110的對向。間隙物240設置於第二基底210上。在本實施例中，間隙物240例如是感光性間隙物（photo spacer），但本發明不以此為限。
在本實施例中，對向基板200可選擇性地包括遮光圖案220，設置於第二基底210上。遮光圖案220可遮蔽間隙物240及主動元件T。在本實施例中，對向基板200還可選擇性地包括彩色濾光層230，設置於第二基底210上，且重疊於畫素電極190。然而，本發明不限於此，根據其它實施例，遮光圖案220及/或彩色濾光層230也可選擇性地設置於第一基底110上。
值得注意的是，主動元件基板100的絕緣層180具有第一表面182a和側面182b；第一表面182a與側面182b相連接，以定義絕緣層180的凹陷182。對向基板200之間隙物240於第一基底110上的垂直投影與絕緣層180之凹陷182於第一基底110上之垂直投影重疊。
基於開口率的考量，在本實施例中，絕緣層180之凹陷182可設置於主動元件T的上方；也就是說，絕緣層180之凹陷182於第一基底110上的垂直投影與主動元件T於第一基底110上之垂直投影可重疊，但本發明不以此為限。
值得一提的是，在本實施例中，對向基板200之間隙物240可伸入主動元件基板100之絕緣層180的凹陷182中，而間隙物240可抵頂凹陷182的第一表面182a。藉此，主動元件基板100與對向基板200不易發生過度偏移，間隙物240不易偏離原位置而損傷畫素電極190上的配向膜（未繪示）。如此一來，便能改善先前技術所述之亮點缺陷。
再者，於本實施例中，係利用間隙物240與絕緣層180之凹陷182的搭配來降低間隙物240偏離原位置的機率；而非利用間隙物240與絕緣層180的貫孔的搭配來降低間隙物240偏離原位置的機率。也就是說，在有效降低間隙物240偏離原位置之機率的前提下，絕緣層180覆蓋易吸溼的絕緣層160，使顯示面板10不易因絕緣層160吸濕後膨脹而產生剝開（peeling）的問題。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2為本發明第二實施例之顯示面板的剖面示意圖。圖2的顯示面板10A與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異在於：在圖2的實施例中，間隙物240下方可設有導電圖案172。
請參照圖2，具體而言，導電圖案172設置於絕緣層180與絕緣層160之間。導電圖案172於第一基底110上的垂直投影與絕緣層180之凹陷182於第一基底110上之垂直投影重疊。
在本實施例中，導電圖案172與共用電極170可形成於同一第一透明導電層，且導電圖案172可以是共用電極170的一部分，但本發明不以此為限。
圖3為本發明第三實施例之顯示面板的剖面示意圖。圖3的顯示面板10B與圖1的顯示面板10類似，兩者的差異如下。
請參照圖3，在本實施例中，主動元件基板100還包括凸起物194，設置於絕緣層180的凹陷182中。凸起物194具有高度H，絕緣層180的凹陷182具有深度D，且H＞D。也就是說，凸起物194的頂點高於設置於絕緣層180上的畫素電極190。
對向基板200的間隙物240與主動元件基板100的凸起物194互相抵頂，以維持間隙（cell gap）。舉例而言，在本實施例中，凸起物194具有高度H，絕緣層180之凹陷182具有深度D，顯示介質300具有厚度G，且
Figure 02_image001
。
在本實施例中，凸起物194可直接設置於絕緣層180之凹陷182的第一表面182a上，而凸起物194與凹陷182的第一表面182a接觸。在本實施例中，凸起物194與絕緣層180可皆包括有機材料，而凸起物194可良好地附著在絕緣層180的第一表面182a。
值得一提的是，利用互相抵頂之對向基板200的間隙物240與主動元件基板100的凸起物194，主動元件基板100與對向基板200不易發生過度偏移，間隙物240不易偏離原位置而損傷畫素電極190上的配向膜（未繪示）。如此一來，便能改善先前技術所述之亮點缺陷的問題。
此外，受限於製程能力及材料特性，凸起物194需具有一定的高度H，例如：
Figure 02_image003
1.3µm，將具有一定高度H的凸起物194設置於絕緣層180的凹陷182中，能使凸起物194不會過凸起，進而使配向膜（未繪示）能良好地形成在主動元件基板100上。舉例而言，在本實施例中，設置於凹陷182之凸起物194的高度H可大於或等於1.5µm，凸起物194的高度H足夠而不易損壞。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10、10A、10B:顯示面板 100:主動元件基板 110:第一基底 120:閘極 130:半導體圖案 141:源極 142:汲極 150、160、180:絕緣層 182:凹陷 182a:第一表面 182b:側面 170:共用電極 172:導電圖案 190:畫素電極 192:狹縫 194:凸起物 200:對向基板 210:第二基底 220:遮光圖案 230:彩色濾光層 240:間隙物 300:顯示介質 D:深度 GI:閘絕緣層 H:高度 T:主動元件
圖1為本發明第一實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖2為本發明第二實施例之顯示面板的剖面示意圖。 圖3為本發明第三實施例之顯示面板的剖面示意圖。
10:顯示面板
100:主動元件基板
110:第一基底
120:閘極
130:半導體圖案
141:源極
142:汲極
150、160、180:絕緣層
182:凹陷
182a:第一表面
182b:側面
170:共用電極
190:畫素電極
192:狹縫
200:對向基板
210:第二基底
220:遮光圖案
230:彩色濾光層
240:間隙物
300:顯示介質
GI:閘絕緣層
T:主動元件

Claims (9)

  1. 一種顯示面板，包括： 一第一基底； 一主動元件，設置於該第一基底上； 一第一絕緣層，設置於該主動元件上； 一畫素電極、一共用電極及一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層上，其中該畫素電極電性連接至該主動元件，該第二絕緣層設置於該畫素電極與該共用電極之間，該第二絕緣層具有一第一表面和一側面，且該第一表面與該側面相連接以定義該第二絕緣層的一凹陷； 一第二基底，設置於該第一基底的對向； 一間隙物，設置於該第二基底上，其中該間隙物於該第一基底上的垂直投影與該第二絕緣層之該凹陷於該第一基底上之垂直投影重疊；以及 一顯示介質，設置於該第一基底與該第二基底之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該間隙物伸入該第二絕緣層的該凹陷中。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一導電圖案，設置於該第一絕緣層與該第二絕緣層之間； 其中該導電圖案於該第一基底上的垂直投影與第二絕緣層之該凹陷於該第一基底上之垂直投影重疊。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一凸起物，設置於該第二絕緣層的該凹陷中，其中該間隙物與該凸起物互相抵頂。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該凸起物具有一高度H，該第二絕緣層之該凹陷具有一深度D，且H＞D。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該凸起物具有一高度H，該第二絕緣層之該凹陷具有一深度D，該顯示介質具有一厚度G，且
    Figure 03_image001
    。
  7. 一種顯示面板，包括： 一第一基底； 一主動元件，設置於該第一基底上； 一畫素電極，設置於該第一基底上，且電性連接至該主動元件； 一絕緣層，設置於該第一基底上，其中該絕緣層具有一第一表面和一側面，且該第一表面與該側面相連接以定義該絕緣層的一凹陷； 一凸起物，設置於該絕緣層的該凹陷中； 一第二基底，設置於該第一基底的對向； 一間隙物，設置於該第二基底上，其中該間隙物與該凸起物互相抵頂；以及 一顯示介質，設置於該第一基底與該第二基底之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中該凸起物具有一高度H，該絕緣層之該凹陷具有一深度D，且H＞D。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，其中該凸起物具有一高度H，該絕緣層之該凹陷具有一深度D，該顯示介質具有一厚度G，且
    Figure 03_image001
    。
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