WO2017143660A1 - 阵列基板、显示面板以及液晶显示装置 - Google Patents

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Definitions

  • the flat layer 8 may be an insulating layer formed of an inorganic material or an insulating layer formed of an organic material.
  • it may be made of an organic resin material, which may be benzocyclobutene (BCB) or other organic photosensitive materials, which is not limited in the embodiment of the present invention. Since the organic resin has a smaller hardness than the inorganic material, it is more advantageous to play a flat role on the surface of the array substrate, facilitate formation of the second common electrode 22 and the pixel electrode 23, and color filter. An ideal arrangement of liquid crystal molecules between the substrate and the array substrate.
  • the embodiment of the present invention further provides a display panel including an array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer disposed between the array substrate and the color filter substrate, wherein the array substrate adopts the above embodiment.
  • Array substrate as described.
  • the display mode of the display panel is Fringe Field Switching (FFS), and the FFS is for solving large-size, high-definition liquid crystal display.
  • FFS Fringe Field Switching
  • the wide viewing angle technology developed by the application of the device is also called "hard screen technology”.
  • the embodiment of the invention further provides a liquid crystal display device comprising the array substrate as described in the above embodiments.
  • the total storage capacitor Cst of the liquid crystal display device is large, which avoids problems such as crosstalk and image sticking caused by the total storage capacitor Cst being too small, and the quality is high.

Abstract

一种阵列基板，包括第一存储电容（Cst1）和第二存储电容（Cst2），所述第一存储电容（Cst1）和所述第二存储电容（Cst2）并联形成所述阵列基板的总存储电容，从而增加了所述阵列基板的总存储电容，使所述阵列基板避免了因总存储电容过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题，提高了所述阵列基板的品质。还公开了一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。

Description

阵列基板、显示面板以及液晶显示装置
本发明要求2016年2月23日递交的发明名称为“阵列基板、显示面板以及液晶显示装置”的申请号201610098282.2的在先申请优先权，上述在先申请的内容以引入的方式并入本文本中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。
背景技术
随着TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示技术的不断发展，具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)技术的TFT显示装置逐渐成为主流，已被广泛应用于各种电子设备，如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数码相机等数字电子设备中。
但是，在基于移动显示技术向更高画质、更高精细程度、更轻薄和更低功耗发展，随着解析程度越来越高，产品的开口率会变得更小，同时像素的存储电容Cst(由像素电极、公共电极以及夹在其中的钝化层构成)在逐渐变小、每个像素的充电时间在也逐渐减小。在现有工艺条件下，为满足光学品味以及穿透率的需求，存储电容Cst的厚度以及像素电极的面积很难做出变化。在这种情况下，传统存储电容Cst的大小难以得到提升，每个存储电容的电量将不能维持该像素的正常工作电压，进而造成一些诸如交叉串扰(crosstalk)，影像残留(Image Sticking)等问题，极大地降低了阵列基板或显示面板的品质。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板，用以解决现有技术中存在的因存储电容较小所导致的阵列基板品质较低的技术问题。
另外，还提供一种应用所述阵列基板的显示面板。
此外，还提供一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。
为了实现上述目的，本发明实施方式采用如下技术方案：
一方面，提供一种阵列基板，包括：
基板；
形成在所述基板上的第一公共电极；
覆盖所述第一公共电极的缓冲层；
形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层，所述有源层包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分，所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容；
覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层，所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔，所述第一孔用于显露部分所述第一部分；
形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区，所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分；
覆盖所述漏区的平坦层，所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔；以及
依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极，所述第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容，所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。
其中，所述有源层还包括与所述第一部分相连的第二部分，所述阵列基板包括栅区，所述栅区形成在所述栅极绝缘层与所述介质层之间，且所述栅区正对所述第二部分设置。
其中，所述阵列基板还包括形成在所述基板上的遮光层，所述遮光层与所述第一公共电极同层且间隔设置，所述遮光层与所述栅区相对设置。
其中，所述阵列基板还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述第一部分与所述漏区之间，用于降低所述第一部分与所述漏区之间的接触电阻。
其中，所述欧姆接触层包括一轻掺杂区及一重掺杂区，所述轻掺杂区与所 述第一部分接触，所述重掺杂区连接在所述轻掺杂区与所述漏区，所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述重掺杂区的掺杂浓度。
其中，所述钝化层覆盖所述第二公共电极且通过所述第二孔连接至所述漏区，所述钝化层开设用于暴露部分所述漏区的第三孔。
其中，所述介质层包括层叠设置的第一子介质层和第二子介质层，所述第一子介质层设置在所述栅极绝缘层与所述第二子介质层之间。
其中，所述第一公共电极的材质为透明导电薄膜层。
另一方面，还提供一种显示面板，包括如上任一项所述的阵列基板。
再一方面，还提供一种液晶显示装置，包括如上任一项所述的阵列基板。
相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明所述阵列基板，由于其所述像素电极通过所述漏区与所述有源层的所述第一部分电连接，因此所述第一存储电容Cst1和所述第二存储电容Cst2并联形成所述阵列基板的总存储电容Cst，Cst＝Cst1+Cst2，从而增加了所述阵列基板的总存储电容Cst，使所述阵列基板避免了因总存储电容Cst过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题，提高了所述阵列基板的品质。
同时，由于所述第一公共电极与所述有源层的所述第一部分相对设置，所述有源层通常设置在所述阵列基板的所述黑色矩阵内，因此所述第一公共电极同样位于所述阵列基板的黑色矩阵区内，所述第一公共电极的设置并不会影响到应用所述阵列基板的产品的开口率。
再者，所述第一公共电极电连接所述第二公共电极，所述像素电极电连接所述有源层的所述第一部分，因此所述第一存储电容Cst1和所述第二存储电容Cst2等电位，同时由于所述第二存储电容Cst2的充放电动作可控，使得所述第一存储电容Cst1的充放电动作同样可控。故，本发明所述阵列基板在增大所述总存储电容Cst的前提下，所述阵列基板所增加的所述第一存储电容Cst1的充放电动作可控且稳定。并且，由于所述第一存储电容Cst1与所述第二存储电容Cst2的组成部分各自独立设置，也有助于使所述第一存储电容Cst1以及所述第二存储电容Cst2在工作中更加稳定与可靠。
本发明所述显示面板及液晶显示装置，由于采用所述阵列基板，因此可在不减小开口率的情况下，增加所述阵列基板的总存储电容Cst，从而避免了因 总存储电容Cst过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题，提高了所述显示面板的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
图2是图1中A-A处结构的部分结构示意图。
图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的部分电路关系的示意图。
图4是图2中B处结构的放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1至图3，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：
基板1；
形成在所述基板1上的第一公共电极21；
覆盖所述第一公共电极21的缓冲层3；
形成在所述缓冲层3背离所述第一公共电极21的表面上的有源层4，所述有源层4包括与所述第一公共电极21相对设置的第一部分41，所述第一公共电极21、所述第一部分41以及夹在所述第一公共电极21及所述第一部分41之间的所述缓冲层3构成第一存储电容Cst1；
覆盖所述有源层4的栅极绝缘层5；
形成在所述栅极绝缘层5背离所述有源层4的表面上的介质层6，所述栅极绝缘层5与所述介质层6上共同开设第一孔10，所述第一孔10用于显露部 分所述第一部分41；
形成在所述介质层6背离所述栅极绝缘层5的表面上的漏区7，所述漏区7通过所述第一孔10连接至所述第一部分41；
覆盖所述漏区7的平坦层8，所述平坦层8开设用于暴露部分所述漏区7的第二孔20；以及
依次层叠形成在所述平坦层8上的第二公共电极22、钝化层9和像素电极23，所述第二公共电极22、所述像素电极23以及夹在所述像素电极23与所述第二公共电极22之间的所述钝化层9构成第二存储电容Cst2，所述像素电极23通过所述第二孔20连接至所述漏区7。
在本实施例中，由于所述像素电极23通过所述漏区7与所述有源层4的所述第一部分41电连接，因此所述第一存储电容Cst1和所述第二存储电容Cst2并联形成所述阵列基板的总存储电容Cst，Cst＝Cst1+Cst2(如图3所示)，从而增加了所述阵列基板的总存储电容Cst，使所述阵列基板避免了因总存储电容Cst过小而导致的交叉串扰(crosstalk)、影像残留(Image Sticking)等问题，提高了所述阵列基板的品质。
同时，由于所述第一公共电极21与所述有源层4的所述第一部分41相对设置，所述有源层4通常设置在所述阵列基板的所述黑色矩阵内，因此所述第一公共电极21同样位于所述阵列基板的黑色矩阵区内，所述第一公共电极21的设置并不会影响到应用所述阵列基板的产品的开口率。
应当理解的是，在本实施中，所述第一公共电极21电连接所述第二公共电极22(均为所述阵列基板中公共电极的一部分)，所述像素电极23电连接所述有源层4的所述第一部分41，因此所述第一存储电容Cst1和所述第二存储电容Cst2等电位，同时由于所述第二存储电容Cst2的充放电动作可控，使得所述第一存储电容Cst1的充放电动作同样可控。故，本实施例所述阵列基板在增大所述总存储电容Cst的前提下，所述阵列基板所增加的所述第一存储电容Cst1的充放电动作可控且稳定。并且，由于所述第一存储电容Cst1与所述第二存储电容Cst2的组成部分各自独立设置，也有助于使所述第一存储电容Cst1以及所述第二存储电容Cst2在工作中更加稳定与可靠。
进一步地，请参阅图2，所述有源层4还包括第二部分42和第三部分43， 所述第二部分42的一端连接所述第一部分41，所述第二部分42的另一端连接所述第三部分43。所述阵列基板包括栅区40，所述栅区40形成在所述栅极绝缘层5与所述介质层6之间，且所述栅区40正对所述第二部分42设置。
进一步地，请参阅图2，所述阵列基板还包括形成在所述基板1上的遮光层400，所述遮光层400与所述第一公共电极21同层且间隔设置，所述遮光层400与所述栅区40相对设置。所述遮光层400主要对形成在所述阵列基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)进行遮挡，以减小背光源对薄膜晶体管的影响。所述遮光层400的材质通常选用金属材质，例如铝层、钨层、铬层或其他金属及金属化合物导电层等。应当理解的，所述遮光层400也可以采用绝缘材质，从而避免与所述栅区40以及夹在所述栅区40与所述遮光层400之间的所述栅极绝缘层5构成寄生电容，进而避免产生漏电流。
需要说明的是，本发明实施例以半导体层(也即所述有源层4)为多晶硅层的顶栅型TFT为例进行说明，对于半导体层(也即所述有源层4)为非晶硅层等的TFT，本发明实施例同样适用。
进一步地，请一并参阅图2和图4，所述阵列基板还包括欧姆接触层70，所述欧姆接触层70设置在所述第一部分41与所述漏区7之间，用于降低所述第一部分41与所述漏区7之间的接触电阻。作为一种优选实施例，所述欧姆接触层70可以形成在所述第一孔10内。
进一步地，请一并参阅图2和图4，所述欧姆接触层70包括一轻掺杂区701及一重掺杂区702，所述轻掺杂区701与所述第一部分41接触，所述重掺杂区702连接在所述轻掺杂区701与所述漏区7之间，所述轻掺杂区701的掺杂浓度小于所述重掺杂区702的掺杂浓度。所述轻掺杂区701及所述重掺杂区702掺杂的离子类型相同，比如，可以均掺杂N型离子。在本实施方式中，所述轻掺杂区701及所述重掺杂区702的设置既能够降低所述漏区7与所述有源层4之间的接触电阻，又能够降低电流泄露风险。
进一步地，请参阅图2，所述钝化层9覆盖所述第二公共电极22且通过所述第二孔20连接至所述漏区7，所述钝化层9开设用于暴露部分所述漏区7的第三孔30，所述第三孔30形成在所述第二孔20的区域内，使得所述像素电极23能够顺利通过所述第三孔30连接至所述漏区7。
进一步地，请参阅图2，所述介质层6包括层叠设置的第一子介质层61和第二子介质层62，所述第一子介质层61设置在所述栅极绝缘层5与所述第二子介质层62之间。所述第一子介质层61的材料为氧化硅(SiOx)材料，可以改善所述第一子介质层61的应力，防止所述第一子介质层61脱落；所述第二子介质层62的材料为氮化硅(SiNx)材料，在制备氮化硅材料的时候能够产生氢(H)元素用于修补所述有源层4，提高所述有源层4的电性能。
进一步地，本实施例所述缓冲层3包括第一子缓冲层及第二子缓冲层。所述第一子缓冲层相较于所述第二子缓冲层邻近所述基板1，所述第一子缓冲层为氮化硅(SiNx)材料，所述第二子缓冲层为氧化硅(SiOx)材料。所述第一子缓冲层及所述第二子缓冲层的设置能够更好地缓冲所述阵列基板在制备过程中对所述基板1的损伤。且，所述第一子缓冲层采用氮化硅材料，在制备氮化硅材料的时候能够产生氢(H)元素用于修补所述有源层4，提高所述有源层4的电性能。所述第二子缓冲层采用氧化硅材料，用于改善所述第二子缓冲层的应力，防止所述第二子缓冲层脱落。
进一步地，所述第一公共电极21的材质为透明导电薄膜层，优选的，所述第一公共电极21采用氧化铟锡材质(Indium tin oxide，ITO)。此时，即使所述第一公共电极21位于所述阵列基板的黑色矩阵区域外，也不会影响到应用所述阵列基板的产品的开口率。在本实施例中，所述第二公共电极22以及所述像素电极23的材质亦为透明导电薄膜层，优选氧化铟锡材质。
进一步地，所述平坦层8可以是无机材料形成的绝缘层或有机材料形成的绝缘层。优选的，通常可由有机树脂材料制作而成，所述有机树脂可以是苯并环丁烯(BCB)，也可以是其他有机感光材料，本发明实施例对此不作任何限定。由于有机树脂相比较无机材料硬度较小，因而更有利于对所述阵列基板表面起到平坦作用，有利于后续所述第二公共电极22和所述像素电极23等的形成，以及彩色滤光片基板和阵列基板之间的液晶分子的理想排列。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板、彩色滤光片基板以及设置在所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶层，所述阵列基板采用如上实施例所述的阵列基板。通常的，所述显示面板的显示模式为边缘场开关技术(Fringe Field Switching，FFS)，FFS为解决大尺寸、高清晰度液晶显示 装置应用而开发的广视角技术，也称“硬屏技术”。
本实施例所述显示面板，由于采用上述实施例所述阵列基板，因此可在不减小所述显示面板的开口率的情况下，增加所述阵列基板的总存储电容Cst，使所述显示面板避免了因总存储电容Cst过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题，提高了所述显示面板的品质。
本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括如上实施例所述的阵列基板。所述液晶显示装置的总存储电容Cst较大，避免了因总存储电容Cst过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题，品质较高。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (20)

  1. 一种阵列基板，其中，包括：
    基板；
    形成在所述基板上的第一公共电极；
    覆盖所述第一公共电极的缓冲层；
    形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层，所述有源层包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分，所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容；
    覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
    形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层，所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔，所述第一孔用于显露部分所述第一部分；
    形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区，所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分；
    覆盖所述漏区的平坦层，所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔；以及
    依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极，所述第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容，所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。
  2. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有源层还包括与所述第一部分相连的第二部分，所述阵列基板包括栅区，所述栅区形成在所述栅极绝缘层与所述介质层之间，且所述栅区正对所述第二部分设置。
  3. 如权利要求2所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括形成在所述基板上的遮光层，所述遮光层与所述第一公共电极同层且间隔设置，所述遮光层与所述栅区相对设置。
  4. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述第一部分与所述漏区之间，用于降低所述第一部分 与所述漏区之间的接触电阻。
  5. 如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述欧姆接触层包括一轻掺杂区及一重掺杂区，所述轻掺杂区与所述第一部分接触，所述重掺杂区连接在所述轻掺杂区与所述漏区，所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述重掺杂区的掺杂浓度。
  6. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述钝化层覆盖所述第二公共电极且通过所述第二孔连接至所述漏区，所述钝化层开设用于暴露部分所述漏区的第三孔。
  7. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述介质层包括层叠设置的第一子介质层和第二子介质层，所述第一子介质层设置在所述栅极绝缘层与所述第二子介质层之间。
  8. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极的材质为透明导电薄膜层。
  9. 一种显示面板，其中，包括阵列基板，所述阵列基板包括：
    基板；
    形成在所述基板上的第一公共电极；
    覆盖所述第一公共电极的缓冲层；
    形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层，所述有源层包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分，所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容；
    覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
    形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层，所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔，所述第一孔用于显露部分所述第一部分；
    形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区，所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分；
    覆盖所述漏区的平坦层，所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔；以及
    依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极，所述 第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容，所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。
  10. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述有源层还包括与所述第一部分相连的第二部分，所述阵列基板包括栅区，所述栅区形成在所述栅极绝缘层与所述介质层之间，且所述栅区正对所述第二部分设置。
  11. 如权利要求10所述的显示面板，其中，所述阵列基板还包括形成在所述基板上的遮光层，所述遮光层与所述第一公共电极同层且间隔设置，所述遮光层与所述栅区相对设置。
  12. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述阵列基板还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述第一部分与所述漏区之间，用于降低所述第一部分与所述漏区之间的接触电阻。
  13. 如权利要求12所述的显示面板，其中，所述欧姆接触层包括一轻掺杂区及一重掺杂区，所述轻掺杂区与所述第一部分接触，所述重掺杂区连接在所述轻掺杂区与所述漏区，所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述重掺杂区的掺杂浓度。
  14. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述钝化层覆盖所述第二公共电极且通过所述第二孔连接至所述漏区，所述钝化层开设用于暴露部分所述漏区的第三孔。
  15. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述介质层包括层叠设置的第一子介质层和第二子介质层，所述第一子介质层设置在所述栅极绝缘层与所述第二子介质层之间。
  16. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一公共电极的材质为透明导电薄膜层。
  17. 一种液晶显示装置，其中，包括阵列基板，所述阵列基板包括：
    基板；
    形成在所述基板上的第一公共电极；
    覆盖所述第一公共电极的缓冲层；
    形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层，所述有源层 包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分，所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容；
    覆盖所述有源层的栅极绝缘层；
    形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层，所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔，所述第一孔用于显露部分所述第一部分；
    形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区，所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分；
    覆盖所述漏区的平坦层，所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔；以及
    依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极，所述第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容，所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。
  18. 如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述有源层还包括与所述第一部分相连的第二部分，所述阵列基板包括栅区，所述栅区形成在所述栅极绝缘层与所述介质层之间，且所述栅区正对所述第二部分设置。
  19. 如权利要求18所述的液晶显示装置，其中，所述阵列基板还包括形成在所述基板上的遮光层，所述遮光层与所述第一公共电极同层且间隔设置，所述遮光层与所述栅区相对设置。
  20. 如权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述钝化层覆盖所述第二公共电极且通过所述第二孔连接至所述漏区，所述钝化层开设用于暴露部分所述漏区的第三孔。
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