CN1996594A - 像素结构与显示装置的像素结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种像素结构。该像素结构包括两金属板与一晶体管。该两金属板彼此电性连接。该晶体管的栅极接收一扫描信号。晶体管的漏极接收一数据信号。晶体管的源极具有两延伸部分。该两延伸部分与该两金属板之间形成一存储电容，其中，该两延伸部分为平面结构。

Description

像素结构与显示装置的像素结构
技术领域
本发明涉及一种显示装置的像素结构，且特别是涉及一种将第一金属板与第二金属板耦接以形成存储电容的像素结构。
背景技术
图1A示出了传统显示面板中像素结构的部分示意图。其中，像素100由扫描线SC1控制，并接收由数据线DT1传送来的数据信号。图1B示出了像素100的剖面结构图，其中，该剖面结构图为图1A中的A1、B1至C1方向的剖面。
如图1B所示，像素100的像素结构由氧化铟锡层(ITO)、保护层(passivation)、两金属板、层间介电层(interlayer dielectric，ILD)、氧化层、多晶硅层所形成。像素100包括晶体管110与存储电容Cp1与Cp2。晶体管110的栅极由多晶硅区160构成，接收扫描线SC1的信号。晶体管110的漏极连接至金属板130b。金属板130b接收数据线DT1的数据信号。晶体管110的源极由掺杂多晶硅层150构成，并连接至金属板130a。金属板130a连接至氧化铟锡层120。金属板140位于金属板130a与掺杂多晶硅层150之间，用以接收共同电压Vcom1。
其中，金属板130a与掺杂多晶硅层150的电位相等。金属板130a与金属板140间形成存储电容Cp1；金属板140与掺杂多晶硅层150间形成存储电容Cp2。当扫描线SC1致能时，与数据线DT1的数据信号相关的像素电压存储在存储电容Cp1与Cp2中。
然而，由于工艺上的问题，常导致在金属板130a与140之间残留金属微粒(particle)，而意外地将金属板130a与140短路。因此将使得位于金属板130a与140间的存储电容Cp1消失，从而导致像素100产生亮点。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种像素结构，通过将用以产生存储电容的两金属板电性连接，在两金属板上方或下方形成存储电容。即使因工艺问题在两金属板间产生金属微粒，也不会影响该像素结构形成的存储电容，进一步提高制造上的良品率。
根据本发明的目的，提出一种像素结构，用于一显示装置中。该像素结构包括一第一金属板、一第二金属板与一晶体管。第二金属板与第一金属板电性连接。晶体管的栅极接收一扫描信号。晶体管的第一电极接收一数据信号。晶体管的第二电极具有两个延伸部分，该两个延伸部分为平面结构。该两个延伸部分与第一金属板以及第二金属板之间形成一存储电容。
为了使本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，以下特举一较佳实施例，并结合附图进行详细说明。
附图说明
为了使本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，对附图进行如下详细说明：
图1A示出了传统显示面板的部分示意图；
图1B示出了传统像素的剖面结构图；
图2A示出了由具有本发明实施例的像素结构的像素形成的显示面板的部分示意图；
图2B示出了本发明实施例的像素结构剖面图。其中，附图标记：
100、200：像素
110、210：晶体管
120、220：氧化铟锡层
130a、130b、140、240a、240b、240c、260：金属板
150、280a：掺杂多晶硅层
160、280b：多晶硅区
241、261、281、282：通孔
250：层间介电层
270：氧化层
具体实施方式
以下将以图示及详细说明使本发明的精神清楚可见。熟知本领域的技术人员在了解本发明的实施例后，可根据本发明的实施例，在不脱离本发明的精神和范围内，对本发明进行改进和变形。
本发明的像素结构，包括两金属板与一晶体管。该两金属板彼此电性连接。晶体管的栅极接收一扫描信号。晶体管的漏极接收一数据信号。晶体管的源极具有两延伸部分。该两延伸部分与该两金属板之间形成一存储电容，其中，该两延伸部分为平面结构。
图2A示出了由具有本发明实施例的像素结构的像素形成的显示面板的部分示意图。其中，像素200具有本发明实施例的像素结构。像素200由扫描线SC2控制，并接收由数据线DT2传送来的数据信号。图2B示出了本发明实施例的像素结构剖面图。其中，该像素结构剖面图以像素200为例作说明，该剖面结构图为图2A中沿着A2、B2至C2方向的剖面。
如图2B所示，本发明实施例的像素结构由上而下为氧化铟锡层(ITO)220、保护层(passivation)230、一第一金属层、一第二金属层、层间介电层(interlayer dielectric，ILD)250、氧化层270与多晶硅层形成。上述的氧化铟锡层230例如为透明电极。
像素200包括晶体管210与存储电容Cst1与Cst2。晶体管210的栅极由多晶硅区280b构成，接收扫描线SC2的信号。晶体管210的漏极经通孔(Via)281连接至金属板240c。金属板240c接收由数据线DT2传送来的数据信号。晶体管210的源极由掺杂多晶硅层280a构成，并经通孔282连接至金属板240b。掺杂多晶硅层280a视为晶体管210的源极的一延伸部分。其中，多晶硅区280a与掺杂多晶硅层280b由上述多晶硅层所构成。金属板240b与240c由上述第一金属层所构成。
金属板240b经通孔241连接至氧化铟锡层220，使得氧化铟锡层220为晶体管210的源极的另一延伸部分。上述第一金属层还另外形成金属板240a，且金属板240a与金属板240b电性隔离。金属板260位于金属板240a与掺杂多晶硅层280a之间，并经通孔261电性连接至金属板240a，用以接收共同电压Vcom2。金属板260由上述第二金属层构成。另外，氧化铟锡层220与该第一金属层间具有保护层230。第一金属层与第二金属层间具有层间介电层250。第二金属层与多晶硅层间具有氧化层270。
由于氧化铟锡层220与金属板240a之间具有保护层230，氧化铟锡层220与金属板240a之间形成存储电容Cst1。同样地，由于金属板260与掺杂多晶硅280a间具有氧化层270，金属板260与掺杂多晶硅280a间形成存储电容Cst2。氧化铟锡层220与掺杂多晶硅层280a均与晶体管211的源极耦接，且金属板240a与260均接收共同电压Vcom2。因此，当数据线DT2的数据信号传送至金属板240c时，与数据信号相关的像素电压会存储在存储电容Cst1与Cst2中。
在图2B的像素200中，由于本发明实施例的像素结构，将金属板240a与260电性连接，因此无论该两金属板之间是否由于工艺问题产生金属微粒，而将该两金属板导通，均不影响存储电容Cst1与Cst2。当数据线DT2传送数据信号至像素200时，与数据信号相关的像素电压，得以正确地存储在存储电容Cst1与Cst2中。因此，本发明实施例的像素结构，通过将用于产生存储电容的两金属板电性连接，分别在氧化铟锡层、两金属板与掺杂多晶硅层之间形成存储电容，从而克服两金属板间的金属微粒的影响。
此外，与传统像素结构的保护层相比，本发明实施例的像素结构中的保护层230较薄，形成在氧化铟锡层220与金属板240a之间的存储电容Cst1较大，因此可缩小电容面积，扩大开口率。
本发明实施例的像素结构中，金属板240a、240b与240c以由上述构成的第一金属层为例。实际应用上，金属板240a可以与晶体管的漏极和源极耦接的金属板位于不同金属层。
本发明实施例的像素结构，其晶体管的源极的两延伸部分以氧化铟锡层与掺杂多晶硅层为例，分别与两电性连接的金属板形成存储电容。实际应用上，本发明的像素结构中的晶体管的源极的两延伸部分并不限于此。任何像素结构，具有一晶体管与两电性连接的金属板，并且该晶体管的源极的两延伸部分与该两金属板形成存储电容，均在本发明的范围内。
本发明的像素结构，将用于形成存储电容的两金属板电性连接，并与晶体管的源极的两延伸部分间形成存储电容。即使因工艺问题使两金属板间产生金属微粒，该像素结构所形成的存储电容也不受影响，进一步提高制造的良品率。
本发明描述的优选实施例不能认为是对本发明的限定。显然在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域的普通技术人员可以对本发明做出各种改进和变化。因此，本发明意图覆盖所有落入所附权利要求及其等效物的范围之内的改进和变化。

Claims (10)

1.一种像素结构，用于一显示装置中，其特征在于，该像素结构包括：
一第一金属层；
一第二金属层，与该第一金属层电性连接；以及
一晶体管，该晶体管的栅极接收一扫描信号，该晶体管的第一电极接收一数据信号，该晶体管的第二电极具有两延伸部分，该两延伸部分为平面结构，该两延伸部分与该第一金属层以及与该第二金属层之间形成一存储电容。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二电极的第一端电性连接该两延伸部分的一第一延伸部分，该第二电极的第二端电性连接该两延伸部分的一第二延伸部分，该存储电容包括一第一存储电容与一第二存储电容，该第一金属层与该第一延伸部分之间形成该第一存储电容，该第二金属层与该第二延伸部分之间形成该第二存储电容。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二电极的第一延伸部分为一氧化铟锡层。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第二电极的第二延伸部分为一掺杂多晶硅层。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层接收一共同电压。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一金属层与该第二金属层之间还具有一绝缘层，该第一金属层通过一通孔与该第二金属层电性连接。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该绝缘层为一层间介电层。
8.一种液晶显示器的像素结构，其特征在于，包括：
一第一金属层；
一第二金属层，与该第一金属板电性连接；以及
一晶体管，包括：
一栅极，用以接收一扫描信号；
一第一电极，用以接收一数据信号；以及
一第二电极，具有一第一延伸部分及一第二延伸部分，该第一延伸部分及该第二延伸部分与该第一金属层及该第二金属层之间形成一存储电容。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第一延伸部分为一氧化铟锡层，该第二延伸部分为一掺杂多晶硅层，并且该第一延伸部分以及该第二延伸部分用一通孔电性连接。
10.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，该第一延伸部分为一透明电极。
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