CN101770126B - 主动元件阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种主动元件阵列基板及其制造方法，所述的主动元件阵列基板包括一基板、扫描线、数据线、显示单元、扫描信号传递线、一介电层、一共通线以及一电容介电层。显示单元分别与其中二条扫描线以及其中一条数据线电性连接。显示单元包括一第一子像素以及一第二子像素。在同一行的显示单元中，二相邻的显示单元分别与不同数据线电性连接。扫描信号传递线分别与其中一条扫描线电性连接。介电层覆盖扫描线、数据线、第一及第二子像素的一第一及一第二主动元件。共通线配置于介电层与第一及第二子像素的一第一及一第二像素电极之间。电容介电层配置于共通线与第一及第二像素电极之间。

Description

主动元件阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种阵列基板及其制造方法，且特别是有关于一种主动元件阵列基板及其制造方法。

背景技术

一般而言，液晶显示面板主要是由一主动元件阵列基板、一对向基板以及一夹于主动元件阵列基板与对向基板之间的液晶层所构成，其中主动元件阵列基板可分为显示区(display region)与非显示区(non-display region)，其中在显示区上配置有以阵列排列的多个像素单元，而每一像素单元包括薄膜晶体管(TFT)以及与薄膜晶体管连接的像素电极(pixel electrode)。此外，在显示区内配置有多条扫描线(scan line)与数据线(data line)，每一个像素单元的薄膜晶体管是与对应的扫描线与数据线电性连接。在非显示区内则配置有信号线、源极驱动器(source driver)以与栅极驱动器(gate driver)。

当液晶显示面板欲显示影像画面时，其必须透过栅极驱动器来依序开启显示面板内的每一行像素，且每一行像素在开启的时间内会对应的接收源极驱动器所提供的数据电压。如此一来，每一行像素中的液晶分子就会依据其所接收的数据电压而作适当的排列。

然而，随着液晶显示面板的分辨率提升，液晶显示器就必须通过增加栅极驱动器与源极驱动器的使用数目来配合分辨率的提升，且因栅极驱动器与源极驱动器的使用数目增加会让非显示区(或称为边框)的面积变大。基于上述理由，液晶显示器的生产成本便随着栅极驱动器、源极驱动器的始用数量而增加，同时边框也越来越大。若能将栅极驱动器及/或源极驱动器的使用数目减少，便可轻易地解决成本无法降低的问题以及做出窄边框，即非显示区面积较小的产品。

发明内容

本发明提供一种主动元件阵列基板，其透过介电层的设计可大幅降低数据线与共通线之间的寄生电容(Parasitic Capacitance)。

本发明还提供一种主动元件阵列基板的制造方法，其共通线亦可作为反射层，可有效减少制造工艺步骤。

本发明提出一种主动元件阵列基板，其包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多个显示单元、多条扫描信号传递线、一介电层、一共通线以及一电容介电层。扫描线配置于基板上。数据线配置于基板上，并与扫描线交错以定义出多个显示区域。显示单元配置于显示区域中，每一显示单元分别与其中二条扫描线以及其中一条数据线电性连接。每一显示单元包括一第一子像素以及一第二子像素。第一子像素包括一第一主动元件以及一与第一主动元件电性连接的第一像素电极。第二子像素包括一第二主动元件以及一与第二主动元件电性连接的第二像素电极。第一主动元件以及第二主动元件分别与不同扫描线电性连接，而第二主动元件透过第一主动元件与对应的数据线电性连接。在同一行的显示单元中，二相邻的显示单元分别与不同数据线电性连接。每一扫描信号传递线分别与其中一条扫描线电性连接。介电层覆盖扫描线、数据线、第一主动元件以及第二主动元件，且第一像素电极与第二像素电极配置于介电层上。共通线配置于第一像素电极与介电层之间以及第二像素电极与介电层之间。电容介电层配置于第一像素电极与共通线之间以及第二像素电极与共通线之间。

在本发明的一实施例中，上述的扫描线的延伸方向实质上垂直于数据线的延伸方向。

在本发明的一实施例中，上述的扫描信号传递线的数量少于或等于数据线的数量。

在本发明的一实施例中，上述的每一扫描信号传递线分别位于相邻二数据线之间。

在本发明的一实施例中，上述的扫描信号传递线的延伸方向与数据线的延伸方向实质上平行。

在本发明的一实施例中，上述的每一扫描信号传递线包括一第一导电图案以及一第二导电图案。第二导电图案与第一导电图案电性连接，其中第二导电图案与扫描线交错。

在本发明的一实施例中，上述的介电层的厚度介于1.5微米(μm)至4微米(μm)之间。

在本发明的一实施例中，上述的介电层具有多个凸块(bumps)，而共通线覆盖于凸块上。

在本发明的一实施例中，上述的共通线的材料包括反射材料。

在本发明的一实施例中，上述的共通线位于扫描信号传递线上方。

在本发明的一实施例中，上述的第一像素电极以及第二像素电极分别与共通线部分重叠。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件阵列基板更包括一保护层，其中保护层覆盖扫描线、数据线、第一主动元件以及第二主动元件，且保护层与介电层的一底表面接触。

本发明还提出一种主动元件阵列基板的制造方法，其包括下述的步骤。首先，于一基板上形成多条扫描线、多条数据线、多个主动元件以及多条扫描信号传递线。接着，形成一介电层，以覆盖扫描线、数据线、主动元件以及扫描信号传递线。于介电层上形成一共通线。然后，于共通线以及介电层上形成一电容介电层。最后，于介电层以及电容介电层上形成多个像素电极，其中每一像素电极分别与其中一个主动元件电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的扫描线、数据线、主动元件以及扫描信号传递线的制造方法包括：首先，于基板上形成多条扫描线、多个与扫描线电性连接的栅极以及第一导电图案。接着，于基板上形成一栅绝缘层，以覆盖扫描线、栅极以及第一导电图案。然后，栅绝缘层上形成多个半导体图案。最后，于栅绝缘层上形成多条数据线、多个与数据线电性连接的源极、多个漏极以及一与第一导电图案电性连接的第二导电图案，其中栅极、半导体图案、源极以及漏极构成主动元件，而第一导电图案与第二导电图案构成扫描信号传递线。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件阵列基板的制造方法，更包括在形成介电层之前先形成一保护层，以覆盖数据线、主动元件以及扫描信号传递线。

在本发明的一实施例中，上述的介电层的厚度介于1.5微米(μm)至4微米(μm)之间。

在本发明的一实施例中，上述的主动元件阵列基板的制造方法，更包括于介电层的一顶表面上形成多个凸块(bumps)。

基于上述，本发明的主动元件阵列基板的设计是采用反射材质的共通线，因此共通线亦可视为一反射层，可减少制造工艺步骤以及降低生产成本。另外，本实施例的介电层的设计可增加共通线与数据线之间的距离，以达到减少寄生电容的电容值。再者，由于本发明的主动元件阵列基板具有能够与像素电极耦合成储存电容器的共通线，因此有助于提高储存电容的电容值。

附图说明

图1A为本发明的一实施例的一种主动元件阵列基板的俯视示意图。

图1B为沿图1A的线I-I的剖面示意图。

图1C为沿图1A的线II-II的剖面示意图。

图1D为沿图1A的线HI-III的剖面示意图。

图2A至图2F为本发明的一实施例的一种主动元件阵列基板的制造方法的流程示意图。

附图标号：

100：主动元件阵列基板

110：基板

120：扫描线

130：数据线

140：显示单元

140a.第一子像素

140b：第二子像素

142：主动元件

142a：第一主动元件

142b：第二主动元件

143：半导体图案

144：像素电极

144a.第一像素电极

144b：第二像素电极

145：欧姆接触层

150：扫描信号传递线

152：第一导电图案

154：第二导电图案

160：介电层

162：凸块

164：接触窗

170：共通线

180：电容介电层

190：保护层

Cst：储存电容器

D：漏极

G：栅极

GI：栅绝缘层

R：显示区域

S：源极

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

图1A为本发明的一实施例的一种主动元件阵列基板的俯视示意图。图1B为沿图1A的线I-I的剖面示意图。图1C为沿图1A的线II-II的剖面示意图。图1D为沿图1A的线III-III的剖面示意图。请先参考图1A与图1B，本实施例的主动元件阵列基板100包括一基板110、多条扫描线120、多条数据线130、多个显示单元140、多条扫描信号传递线150、一介电层160、一共通线170以及一电容介电层180。

详细来说，扫描线120以及数据线130皆配置于基板110上，其中扫描线120的延伸方向实质上垂直于数据线130的延伸方向。在本实施例中，数据线130与扫描线120交错以定义出多个显示区域R，而显示单元140配置于显示区域R中。特别是，在本实施例中，每一显示单元140分别与其中二条扫描线120以及其中一条数据线130电性连接。每一显示单元140包括一第一子像素140a以及一第二子像素140b。第一子像素140a包括一第一主动元件142a以及一与第一主动元件142a电性连接的第一像素电极144a。第二子像素140b包括一第二主动元件142b以及一与第二主动元件142b电性连接的第二像素电极144b。其中，请同时参考图1A与图1C，本实施例的主动元件142(包括第一主动元件142a以及第二主动元件142b)例如是由栅极G、栅绝缘层GI、半导体图案143、欧姆接触层145、源极S以及漏极D所组成的薄膜晶体管(TFT)。

进一步而言，本实施例的第一主动元件142a以及第二主动元件142b分别与不同扫描线120电性连接，而第二主动元件142b透过第一主动元件142a与对应的数据线130电性连接。于其它实施例中，第一主动元件142a透过第二主动元件142a与对应的数据线130电性连接。换言之，在本实施例的主动元件阵列基板100中，并非所有的主动元件142都会与数据线130电性连接。当然，在其它可行的实施例中，各主动元件142亦可分别与对应的数据线130电性连接。此外，在同一行的显示单元140中，二相邻的显示单元140分别与不同数据线130电性连接。

简言之，本实施例的主动元件阵列基板100的设计是使两相邻的第一子像素140a与第二子像素140b与同一条数据线130电性连接，因而得以使所需的数据线130的数目减半，进而减少源极驱动器(未绘示)的使用数量。此处，所述的像素结构的设计即为所谓的半源极驱动(Half Source Driving，HSD)架构。

请再同时参考图1A与图1B，在本实施例中，每一扫描信号传递线150分别与其中一条扫描线120电性连接。详细而言，本实施例的每一扫描信号传递线150分别位于相邻二数据线130之间，且扫描信号传递线150的延伸方向与数据线130的延伸方向实质上平行。换言之，本实施例的扫描信号传递线150的设计可有效减少扫描线120末端的扇出线路(fan-out trace)的数量。此处所述的扫描信号传递线150的设计即为一种于像素上沿栅极线(Tracking Gate-line in Pixel，TGP)的布线架构。

更进一步来说，本实施例的每一扫描信号传递线150包括一第一导电图案152以及一第二导电图案154，而第一导电图案152是于制作扫描线120时同时形成，第二导电图案154是于制作数据线130时同时形成。第二导电图案154与第一导电图案152电性连接，其中第二导电图案154与扫描线120交错，意即第二导电图案154横跨扫描线120。换言之，本实施例的每一扫描信号传递线150分别与其中一条扫描线120电性连接，而与其它条扫描线120电性绝缘。值得一提的是，扫描信号传递线150的数量可少于或等于数据线130的数量，在此并不加以限制。

请再同时参考图1A与图1C，本实施例的介电层160覆盖扫描线120、数据线130、主动元件142(包括第一主动元件142a以及第二主动元件142b)，且像素电极144(包括第一像素电极144a与第二像素电极144b)配置于介电层160上。特别是，在本实施例中，介电层160的厚度例如是介于约1.5微米(μm)至约4微米(μm)之间。此外，介电层160具有多个凸块162，而这些凸块162例如是形成于介电层160上的表面微结构。

请同时参考图1A、图1B与图1D，共通线170配置于第一像素电极144a与介电层160之间以及第二像素电极144b与介电层160之间。其中，本实施例的共通线170例如为一环形共通线(Common-ring)，且与扫描线120以及数据线130分属于不同膜层。特别是，本实施例的共通线170位于扫描信号传递线150上方，且共通线170覆盖于凸块162上。第一像素电极144a以及第二像素电极144b分别与共通线170部分重叠，且共通线170的材料例如是反射材料。

在本实施例中，由于主动元件阵列基板100的设计是采用反射材质的共通线170，因此此共通线170亦可视为一反射层。值得一提的是，在本实施例中，设置有共通线170的位置可视为一反射区，例如是共通线170与像素电极144所重叠的区域，而未设置有共通线170的位置可视为一穿透区，例如是像素电极144未与共通线170重叠的区域。换言之，每一子像素(例如是第一子像素140a或第二子像素140b)可同时具有穿透区与反射区。因此，当本实施例的主动元件阵列基板100搭配一对向基板(未绘示)与一液晶层(未绘示)而构成一显示面板(未绘示)时，此显示面板可同时具有反射光线与使光源穿透的功能，此即为一种半穿透半反射式显示面板(TransflectiveLCD，TR-LCD)。再者，由于本实施例的介电层160的厚度例如是介于约1.5微米(μm)至约4微米(μm)之间，因此可增加共通线170与数据线130之间的距离，可达到减少共通线170与数据线130之间的电容所造成的电源消耗(power consumption)。

值得一提的是，本发明并不限定共通线170的形态，虽然此处所提及的共通线170具体化为环形共通线，且部份共通线170位于数据线130的上方，但于其它未绘示的实施例中，共通线170亦可为条状、L型、U型、H型或其它适当的形状，可降低共通线170与信号线(数据线及扫描线)之间的电容所造成的电源消耗；或者，共通线170亦可不配置于数据线130的上方，以减少共通线170与数据线130之间的电容所造成的电源消耗；或者，共通线170延伸至部分第一像素电极144a与部分第二像素电极144b的正下方，以增加半穿透半反射式显示面板的反射区的面积，同时亦可提高像素电极144与共通线170之间的储存电容的电容值，且亦不会造成开口率的损失。简言之，共通线170的形态可以依据不同的使用需求而有多种变化，而图1A所绘示的共通线170的结构设计仅是用以举例说明，以让此领域具有通常知识者能够据以实施本发明，然其并非用以限定本发明所欲涵盖的范畴。

请同时参考图1A与图1D，在本实施例中，电容介电层180配置于第一像素电极144a与共通线170之间以及第二像素电极144b与共通线170之间。其中，像素电极144(包括第一像素电极144a以及第二像素电极144b)可与共通线170耦合成一储存电容器Cst，有助于提高储存电容的电容值。

此外，请再参考图1A与图1C，本实施例的主动元件阵列基板100更包括一保护层190，其中保护层190覆盖扫描线120、数据线130、主动元件142(包括第一主动元件142a以及第二主动元件142b)，且保护层190与介电层160的一底表面接触。值得一提的是，在本实施例中，介电层160具有至少一贯穿保护层190的接触窗164，其中接触窗164暴露出主动元件142的漏极D，而像素电极144透过接触窗164直接与主动元件142的漏极D电性连接。

简言之，由于本实施例是采用半源极驱动(HSD)的像素架构搭配扫描信号传递线150的设计(即TGP的布线架构)，因此，可有效减少数据线130的使用数量以及有效减少扫描线120末端的扇出线路(fan-out trace)的数量，故可以轻易地达成窄边界以及无边界的设计需求。此外，本实施例的介电层160的设计可增加共通线170与数据线130之间的距离，可达到减少共通线170与数据线130之间的电容所造成的电源消耗。再者，由于本实施例的主动元件阵列基板100具有能够与像素电极144耦合成储存电容器的共通线170，因此有助于提高储存电容的电容值。

以上仅介绍本发明的主动元件阵列基板100的结构，并未介绍本发明的主动元件阵列基板100的制造方法。对此，以下将以图1A中的主动元件阵列基板100作为举例说明，并配合图2A至图2F对本发明的主动元件阵列基板的制造方法进行详细的说明。

图2A至图2F为本发明的一实施例的一种主动元件阵列基板的制造方法的流程示意图。依照本实施例的主动元件阵列基板的制造方法，请同时参考图1A与图2A，先于一基板110上形成多条扫描线120、多条数据线130、多个主动元件142以及多条扫描信号传递线150。其中，扫描线120、数据线130、主动元件142以及扫描信号传递线150的制造方法包括下述步骤：首先，于基板110上形成多条扫描线120、多个与扫描线120电性连接的栅极G以及第一导电图案152。也就是说，第一导电图案152是于制作扫描线120时同时形成。接着，于基板110上形成一栅绝缘层GI，以覆盖扫描线120、栅极G以及第一导电图案152。

然后，栅绝缘层GI上形成多个半导体图案143以及位于半导体图案143上方的欧姆接触层145。最后，于栅绝缘层GI上形成多条数据线130、多个与数据线130电性连接的源极S、多个漏极D以及一与第一导电图案152电性连接的第二导电图案154。也就是说，第二导电图案154是于制作数据线130时同时形成。特别是，在本实施例中，栅极G、半导体图案143、源极S以及漏极D构成主动元件142，而第一导电图案152与第二导电图案154构成扫描信号传递线150。

接着，请参考图2B，形成一保护层190，以覆盖数据线130(请参考图1A)、主动元件142以及扫描信号传递线150。

接着，请参考图2C，形成一介电层160，以覆盖扫描线120、数据线130、主动元件142以及扫描信号传递线150。在本实施例中，介电层160的厚度例如是介于约1.5微米(μm)至约4微米(μm)之间，且介电层160的一顶表面上形成有多个凸块162，其中这些凸块162例如是形成于介电层160上的表面微结构。再者，本实施例的介电层160具有至少一贯穿保护层190的接触窗164，其中接触窗164暴露出主动元件142的漏极D。其中介电层160可为单层或多层结构，而其材料包含有机材料(例如：光阻、苯并环丁烯(enzocyclobutane，BCB)、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或其它合适材料、或上述的组合)、无机材料(例如：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述的组合)、其它合适的材料、或上述的组合。

接着，请同时参考图1A与图2D，于介电层160上形成一共通线170，其中共通线170例如为一环形共通线(Common-ring)。特别是，本实施例的共通线170是位于扫描信号传递线150上方，且共通线170覆盖于凸块162上。此外，共通线170可为单层或多层结构，其材料例如是反射材料，举例而言，金、银、铜、铝、钛、钽、钨、钼、、上述的合金、上述的氧化物、上述的氮化物、其它合适的化合物、其它合适的材料、或上述的组合。

由于本实施例是采用反射材质的共通线170，因此此共通线170亦可视为一反射层。故，本实施例可省略习知制作反射层的制造工艺步骤，可有效降低生产成本。

值得一提的是，在本实施例中，设置有共通线170的位置可视为一反射区，而未设置有共通线170的位置可视为一穿透区。再者，由于本实施例的介电层160的厚度例如是介于约1.5微米(μm)至约4微米(μm)之间，因此可增加共通线170与数据线130之间的距离，可达到减少电容值与电源消耗的效果。

然后，请参考图2E，于共通线170以及介电层160上形成一电容介电层180。

最后，请参2F，于介电层160以及电容介电层180上形成多个像素电极144，其中每一像素电极144分别透过接触窗164直接与其中一个主动元件142的漏极D电性连接。特别是，在本实施例中，像素电极144可与共通线170耦合成一储存电容器Cst，有助于提高储存电容的电容值。至此，已完成主动元件阵列基板100的制作。

综上所述，由于本发明是采用半源极驱动(HSD)的像素架构搭配扫描信号传递线的设计(即TGP的布线架构)，因此，可有效减少数据线的使用数量以及有效减少扫描线末端的扇出线路(fan-out trace)的数量，故可以轻易地达成窄边界以及无边界的设计需求。此外，本发明的主动元件阵列基板的设计是采用反射材质的共通线，因此共通线亦可视为一反射层，可减少制造工艺步骤以及降低生产成本。再者，本发明的介电层的设计可增加共通线与数据线之间的距离，可达到减少共通线与数据线之间的电容所造成的电源消耗。另外，由于本发明的主动元件阵列基板具有能够与像素电极耦合成储存电容器的共通线，因此有助于提高储存电容的电容值。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (17)

1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，所述的主动元件阵列基板包括：

一基板；

多条扫描线，配置于所述的基板上；

多条数据线，配置于所述的基板上，并与所述的多条扫描线交错以定义出多个显示区域；

多个显示单元，配置于所述的多个显示区域中，各所述的显示单元分别与其中二条扫描线以及其中一条数据线电性连接，各所述的显示单元包括：

一第一子像素，包括一第一主动元件以及一与所述的第一主动元件电性连接的第一像素电极；

一第二子像素，包括一第二主动元件以及一与所述的第二主动元件电性连接的第二像素电极，所述的第一主动元件以及所述的第二主动元件分别与不同扫描线电性连接，而所述的第二主动元件透过所述的第一主动元件与对应的数据线电性连接，且在同一行的显示单元中，二相邻的显示单元分别与不同数据线电性连接；

多条扫描信号传递线，各所述的扫描信号传递线分别与其中一条扫描线电性连接；

一介电层，覆盖所述的多条扫描线、所述的多条数据线、所述的第一主动元件以及所述的第二主动元件，且所述的第一像素电极与所述的第二像素电极配置于所述的介电层上；

一共通线，配置于所述的第一像素电极与所述的介电层之间以及所述的第二像素电极与所述的介电层之间；以及

一电容介电层，配置于所述的第一像素电极与所述的共通线之间以及所述的第二像素电极与所述的共通线之间。

2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的多条扫描线的延伸方向实质上垂直于所述的多条数据线的延伸方向。

3.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的多条扫描信号传递线的数量少于或等于所述的多条数据线的数量。

4.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中各所述的扫描信号传递线分别位于相邻二数据线之间。

5.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的多条扫描信号传递线的延伸方向与所述的多条数据线的延伸方向实质上平行。

6.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中各所述的扫描信号传递线包括：

一第一导电图案；以及

一第二导电图案，与所述的第一导电图案电性连接，其中所述的第二导电图案与所述的多条扫描线交错。

7.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的介电层的厚度介于1.5微米至4微米之间。

8.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的介电层具有多个凸块，而所述的共通线覆盖于所述的多个凸块上。

9.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的共通线的材料包括反射材料。

10.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的共通线位于所述的多条扫描信号传递线上方。

11.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，其中所述的第一像素电极以及所述的第二像素电极分别与所述的共通线部分重叠。

12.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述的主动元件阵列基板更包括一保护层，其中所述的保护层覆盖所述的多条扫描线、所述的多条数据线、所述的第一主动元件以及所述的第二主动元件，且所述的保护层与所述的介电层的一底表面接触。

13.一种如权利要求1所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的方法包括：

于一基板上形成多条扫描线、多条数据线、多个主动元件以及多条扫描信号传递线；

形成一介电层，以覆盖所述的多条扫描线、所述的多条数据线、所述的多个主动元件以及所述的多条扫描信号传递线；

于所述的介电层上形成一共通线；

于所述的共通线以及所述的介电层上形成一电容介电层；以及

于所述的介电层以及所述的电容介电层上形成多个像素电极，其中各所述的像素电极分别与其中一个主动元件电性连接。

14.如权利要求13所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述的多条扫描线、多条数据线、多个主动元件以及多条扫描信号传递线的制造方法包括：

于所述的基板上形成多条扫描线、多个与所述的多条扫描线电性连接的栅极以及第一导电图案；

于所述的基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述的多条扫描线、所述的多个栅极以及所述的第一导电图案；

所述的栅绝缘层上形成多个半导体图案；以及

于所述的栅绝缘层上形成多条数据线、多个与所述的多条数据线电性连接的源极、多个漏极以及一与所述的第一导电图案电性连接的第二导电图案，其中所述的多个栅极、所述的多个半导体图案、所述的多个源极以及所述的多个漏极构成所述的多个主动元件，而所述的第一导电图案与所述的第二导电图案构成所述的多条扫描信号传递线。

15.如权利要求13所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的方法更包括在形成所述的介电层之前先形成一保护层，以覆盖所述的多条数据线、所述的多个主动元件以及所述的多条扫描信号传递线。

16.如权利要求13所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，其中所述的介电层的厚度介于1.5微米至4微米之间。

17.如权利要求13所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的方法更包括于所述的介电层的一顶表面上形成多个凸块。