TW202039735A - 端子保護用雙面帶以及附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明係一種端子保護用雙面帶，係用於在附有端子的半導體裝置形成電磁波遮蔽膜之步驟，並且具有黏彈性層(12)、基材(11)、及第2黏著劑層(15)，前述黏彈性層(12)、前述基材(11)、前述第2黏著劑層(15)之中至少1層為導熱層。

Description

端子保護用雙面帶以及附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法

本發明係關於一種端子保護用雙面帶以及使用該端子保護用雙面帶之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法。 本申請案基於2018年12月20日在日本提出申請之日本特願2018-238855號主張優先權，且將該申請案的內容引用至本文中。

先前，於將MPU(Micro Processor Uint；微處理器單元)及閘陣列等所使用之多接腳之LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)封裝體安裝於印刷配線基板之情形時，作為具備多個電子零件之半導體裝置，使用於連接焊墊部形成有由共晶焊料、高溫焊料、金等所構成之凸狀電極(以下，於本說明書中稱為「端子」)之半導體裝置。然後，採用使這些端子與晶片搭載用基板上的相對應的端子部對向、接觸，從而熔融／擴散接合之安裝方法。

隨著個人電腦之普及，網際網路之普遍化，在目前，智慧型手機及平板終端亦連接於網際網路，將經數位化之影像、音樂、照片、文字資訊等藉由無線通訊技術經由網際網路傳輸之情景日益增多。進而，IoT(Internet of Things；物聯網)普及，給用以於家電、汽車等各種應用領域中更智慧地使用感測器、RFID(Radio frequency identifier；無線射頻識別符)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems；微機電系統)、無線電元件(wireless component)等半導體器件之封裝技術帶來了全新的變革。

在如此電子機器之進化不斷發展之過程中，對半導體器件之要求水準逐年增高。尤其是，若欲滿足對高性能化、小型化、高積體化、低耗電化、低成本化之需求，則熱對策、雜訊對策這兩點至關重要。

與此種熱對策、雜訊對策相對應，例如如專利文獻1中所揭示，採用有利用導電材料來被覆電子零件模組而形成電磁波遮蔽膜之方法。專利文獻1中，將經單片化之電子零件模組的頂面及側面所塗佈之導電性樹脂進行加熱而使之硬化，從而形成電磁波遮蔽膜。

作為利用導電性金屬、導電性樹脂(以下，亦將這些統稱為「導電材料」)來被覆附有端子的半導體裝置而形成電磁波遮蔽膜之方法，廣為大眾所知的有濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2011-151372號公報。

[發明所欲解決之課題]

專利文獻1中所揭示之電子零件的製造方法中，設置於集合基板的內面之外部端子電極係以埋入至黏著性片之狀態被塗佈導電性樹脂。由於在黏著性片的預定位置設置有掩蔽部，故而能夠防止外部端子電極與電磁波遮蔽膜發生電氣短路。

然而，於黏著性片的預定位置設置掩蔽部的情況於步驟上繁雜。因此，要求亦能夠將即便是焊料球等具有凹凸而容易產生隆起之外部端子電極埋入之端子保護用帶。

另一方面，於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，有時黏著性片的表面溫度上升，隨之於黏著性片的表面產生面粗糙。若於黏著性片的表面產生面粗糙，則有所埋入之外部端子電極一部分露出，與電磁波遮蔽膜發生電氣短路之問題。另外，亦有如下問題：因黏著片的表面的面粗糙，而導致前述經單片化之電子零件模組的側面的一部分被埋入至黏著片，於前述部分未形成電磁波遮蔽膜。

因此，本發明的課題在於提供一種端子保護用雙面帶以及使用該端子保護用雙面帶之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，該端子保護用雙面帶係用於在附有端子的半導體裝置形成電磁波遮蔽膜之步驟，並且於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，亦能夠抑制前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。 [用以解決課題之手段]

亦即，本發明提供以下之端子保護用雙面帶以及使用該端子保護用雙面帶之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法。

[1]一種端子保護用雙面帶，係用於在附有端子的半導體裝置形成電磁波遮蔽膜之步驟，並且具有黏彈性層、基材、及第2黏著劑層，前述黏彈性層、前述基材、前述第2黏著劑層之中至少1層為導熱層。 [2]如[1]所記載之端子保護用雙面帶，其中前述黏彈性層、前述基材、及前述第2黏著劑層之中2層以上為導熱層。 [3]如[1]或[2]所記載之端子保護用雙面帶，其中前述導熱層的導熱率為1.0W/(m・K)以上。 [4]如[1]至[3]中任一項所記載之端子保護用雙面帶，其中前述導熱層的總厚度相對於前述端子保護用雙面帶的總厚度為0.01以上。 [5]如[1]至[4]中任一項所記載之端子保護用雙面帶，其中前述黏彈性層具有埋入層及第1黏著劑層。 [6]如[5]所記載之端子保護用雙面帶，依序具有前述第1黏著劑層、前述埋入層、前述基材、及前述第2黏著劑層。

[7]一種附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，包括：使附有端子的半導體裝置的端子埋設於如[1]至[6]中任一項所記載之端子保護用雙面帶的黏彈性層之步驟；以及於未埋設於前述端子保護用雙面帶的黏彈性層之前述附有端子的半導體裝置的露出面形成電磁波遮蔽膜之步驟。 [8]一種附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，包括：使附有端子的半導體裝置集合體的端子埋設於如[1]至[6]中任一項所記載之端子保護用雙面帶的黏彈性層之步驟；切割前述附有端子的半導體裝置集合體，將前述附有端子的半導體裝置集合體製成為於前述端子保護用雙面帶的黏彈性層埋設有端子之附有端子的半導體裝置之步驟；以及於未埋設於前述端子保護用雙面帶的黏彈性層之前述附有端子的半導體裝置的露出面形成電磁波遮蔽膜之步驟。 [發明功效]

根據本發明，提供一種端子保護用雙面帶以及使用該端子保護用雙面帶之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，該端子保護用雙面帶係用於在附有端子的半導體裝置形成電磁波遮蔽膜之步驟，並且於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，亦能夠抑制前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

圖1係以示意方式表示本發明的端子保護用雙面帶的一實施形態之剖視圖。此外，以下的說明中所使用之圖中，為了易於理解本發明的特徵，方便起見，有時將成為主要部分之部分放大表示，而各構成要素的尺寸比率等未必與實際相同。

圖1所示之端子保護用雙面帶1係用於在附有端子的半導體裝置形成電磁波遮蔽膜之步驟，並且依序具有由第1黏著劑層14及埋入層13所構成之黏彈性層12、基材11及第2黏著劑層15。前述黏彈性層12、前述基材11、前述第2黏著劑層15之至少1層為導熱層。

如圖1所示，本實施形態的端子保護用雙面帶亦可於黏彈性層12的第1黏著劑層14側的最表層具備剝離膜20。另外，亦可於第2黏著劑層15側的最表層具備剝離膜22。 本實施形態的端子保護用雙面帶並不限定於圖1所示之端子保護用雙面帶，亦可在無損本發明的效果之範圍內，於圖1所示之端子保護用雙面帶中，變更、刪除或追加一部分構成。

圖1所示之端子保護用雙面帶1可用於以下之步驟：將剝離膜22剝離，如圖2所示，固定於支撐體30，進而將剝離膜20剝離，將附有端子的半導體裝置以端子一側為下方而壓抵於黏彈性層12，從而於黏彈性層12埋設端子，進而自該黏彈性層12的上方藉由濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等塗佈導電材料，藉此形成電磁波遮蔽膜。本實施形態的端子保護用雙面帶藉由黏彈性層、基材、第2黏著劑層之中至少1層為導熱層，於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，亦能夠抑制前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

本說明書中，所謂「導熱層」，意指導熱率為0.5(W/(m・K))以上之層。導熱率可藉由下述式(1)而算出。 導熱率(W/(m・K))＝熱擴散率×密度×比熱   式(1) 前述式(1)中，熱擴散率可使用熱擴散率-導熱率測定裝置(例如ai-Phase(股份有限公司)製造，ai-Phase Mobile lu)藉由溫度波法(TWA(Temperature Wave Analysis)法)進行測定。前述式(1)中，比熱可藉由DSC(Differential Scanning Calorimetry；差示掃描量熱)法算出，密度可藉由阿基米德法算出。

作為導熱層的導熱率，較佳為1.0(W/(m・K))以上，更佳為5.0(W/(m・K))以上。若導熱層的導熱率為前述下限值以上，則於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，端子保護用雙面帶的散熱的效果提高，結果能夠抑制端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。 導熱層的導熱率只要具有本發明的效果，則並無特別限定，例如可為30.0(W/(m・K))以下，亦可為25.0(W/(m・K))以下。 上述上限值與下限值可任意組合。 作為組合的示例，較佳為1.0(W/(m・K))至30.0(W/(m・K))，更佳為5.0(W/(m・K))至25.0(W/(m・K))。

具有黏彈性層、基材、及第2黏著劑層之本實施形態的端子保護用雙面帶中，較佳為前述黏彈性層、前述基材、前述第2黏著劑層之至少1層為導熱層，更佳為2層以上為導熱層。本實施形態的端子保護用雙面帶藉由前述黏彈性層、前述基材、前述第2黏著劑層之至少1層為導熱層，於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，端子保護用雙面帶的散熱的效果提高，結果能夠抑制端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。前述黏彈性層、前述基材、前述第2黏著劑層之任一層為導熱層皆可，尤佳為前述基材為導熱層。

導熱層的總厚度相對於端子保護用雙面帶的總厚度較佳為0.01以上，更佳為0.05以上，進而較佳為0.1以上。 導熱層的總厚度相對於端子保護用雙面帶的總厚度只要具有本發明的效果，則並無特別限定，例如可為1.0以下，亦可為0.8以下，亦可為0.6以下。 上述上限值與下限值可任意組合。 作為組合的示例，較佳為0.01至1.0，較佳為0.05至0.8，進而較佳為0.1至0.6。 本說明書中，所謂「端子保護用雙面帶的總厚度」，意指端子保護用雙面帶整體的厚度，意指構成端子保護用雙面帶之全部層的合計厚度。另外，本說明書中，所謂「導熱層的總厚度」，意指端子保護用雙面帶中所包含之導熱層的合計厚度。若導熱層的總厚度相對於端子保護用雙面帶的總厚度為前述下限值以上，則於藉由塗佈導電材料之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，端子保護用雙面帶的散熱的效果提高，結果能夠抑制端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。 本說明書中，各層的厚度例如可依據JIS K6783、JIS Z1702、JIS Z1709，藉由股份有限公司Teclock製造的定壓厚度測定器(型號：「PG-02J」)進行測定。

其次，對構成本實施形態的端子保護用雙面帶之各層進行說明。

◎基材 基材為片狀或膜狀，作為該基材的構成材料，例如可列舉各種樹脂及金屬材料等。本說明書中，所謂「片狀或膜狀」，意指為薄的膜狀、面內的厚度不均小、具有可撓性之形狀。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(亦稱為LDPE(Low Density Polyethylene))、直鏈低密度聚乙烯(亦稱為LLDPE(Linear Low Density Polyethylene))、高密度聚乙烯(亦稱為HDPE(High Density Polyethylene))等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等聚乙烯以外的聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(亦稱為EVA(Ethylene Vinyl Acetate copolymer))、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(亦即，使用乙烯作為單體而獲得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(亦即，使用氯乙烯作為單體而獲得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯(亦稱為PET(Polyethylene Terephthalate))、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚-2,6-萘二甲酸乙二酯、全部結構單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；2種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與前述聚酯以外的樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外的樹脂的量為相對較少量。 另外，作為前述樹脂，例如亦可列舉：至此所例示之前述樹脂的1種或2種以上交聯而成之交聯樹脂；使用至此所例示之前述樹脂的1種或2種以上之離子聚合物等改質樹脂。

此外，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」的概念包括「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如「(甲基)丙烯酸酯」的概念包括「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者，「(甲基)丙烯醯基」的概念包括「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者。

作為前述金屬材料，較佳為導熱率為1.0(W/(m・K))以上之金屬材料，更佳為導熱率為5.0(W/(m・K))以上之金屬材料。導熱率可藉由既已說明之前述式(1)算出。 作為此種金屬材料，可列舉銅、金、銀、鋁等作為示例，其中較佳為銅。於基材含有前述金屬材料之情形時，作為該基材的形狀，較佳為金屬箔狀，較佳為於前述樹脂經由黏著劑層積層金屬箔作為金屬層。用以將樹脂與金屬層貼合之黏著劑可為本領域中公知的黏著劑，可自後述之第1黏著劑層所說明之黏著劑中根據樹脂及金屬層的種類適宜選擇。用以形成前述黏著劑層之黏著劑組成物可使用與第1黏著劑層所說明之黏著劑組成物相同的黏著劑組成物。另外，前述黏著劑組成物可利用與後述之第1黏著劑層所說明之黏著劑組成物的製造方法相同的方法製造。

構成基材之樹脂及金屬材料可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些樹脂及金屬材料的組合及比率可任意選擇。

如上所述，基材可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層可相互相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。 此外，本說明書中，並不限於基材之情形，所謂「多層可相互相同亦可不同」，意指「可全部層相同，亦可全部層皆不同，還可僅一部分層相同」，進而，所謂「多層相互不同」，意指「各層的構成材料及厚度的至少一者相互不同」。

基材的厚度較佳為5μm至1000μm，更佳為10μm至500μm，進而較佳為15μm至300μm，尤佳為20μm至150μm。 此處，所謂「基材的厚度」，意指基材整體的厚度，例如所謂由多層所構成之基材的厚度，意指構成基材之全部層的合計厚度。例如，於將前述之樹脂與金屬層經由黏著劑層進行積層而獲得之基材之情形時，該基材的厚度意指前述樹脂、前述金屬層、及前述黏著劑層的合計厚度。

於基材由多層所構成且具有1層以上之金屬層之情形時，金屬層的總厚度相對於基材的厚度較佳為0.05以上，更佳為0.10以上，進而較佳為0.15以上。 金屬層的總厚度相對於基材的厚度只要具有本發明的效果，則並無特別限定，例如可為1.0以下，亦可為0.8以下，亦可為0.6以下。 上述上限值與下限值可任意組合。 作為組合的示例，較佳為0.05至1.0，更佳為0.10至0.8，進而較佳為0.15至0.6。 本說明書中，所謂「金屬層的總厚度」，意指基材所包含之金屬層的合計厚度。若金屬層的總厚度相對於基材的厚度為前述範圍的下限值以上，則基材的導熱率提升，能夠抑制使用前述基材之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

於使用樹脂作為基材之情形時，較佳為厚度精度高、亦即無論部位如何厚度不均皆得到抑制之基材。作為上述構成材料中可用於構成此種厚度精度高之基材之材料，例如可列舉：聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。

基材中，除前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。

上述添加劑中，基材較佳為含有填料，其中較佳為含有導熱性填料。 本說明書中，所謂「導熱性填料」，意指導熱率為1.0(W/(m・K))以上之填料。導熱率可藉由既已說明之前述式(1)算出。

導熱性填料的導熱率較佳為1.0(W/(m・K))以上，更佳為4.0(W/(m・K))以上。若基材所包含之導熱性填料的導熱率為前述下限值以上，則基材的導熱率提升，能夠抑制使用前述基材之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。 導熱性填料的導熱率只要具有本發明的效果，則並無特別限定，例如可為30.0(W/(m・K))以下，亦可為25.0(W/(m・K))以下。 上述上限值與下限值可任意組合。 作為組合的示例，較佳為1.0(W/(m・K))至30.0(W/(m・K))，更佳為4.0(W/(m・K))至25.0(W/(m・K))。

導熱性填料只要為上述導熱率的下限值以上，則並無特別限定，可為有機填料，亦可為無機填料，較佳為無機填料。作為無機填料，可列舉無機氧化物、無機碳化物、無機氮化物等作為示例，就作為無機填料之導熱率高而言，較佳為無機碳化物、無機氮化物，更佳為無機氮化物。 作為無機碳化物，可列舉碳化矽作為示例，作為無機氮化物，可列舉氮化矽、氮化鋁、氮化硼作為示例，其中，就導熱率高之方面而言，較佳為氮化硼。 另外，導熱性填料可單獨使用1種，亦可併用2種以上，於併用2種以上之情形時，這些導熱性填料的組合及比率可任意選擇。

導熱性填料的形狀只要具有本發明的效果，則並無特別限定，例如可列舉球狀、板狀、纖維狀等作為示例。另外，導熱性填料較佳為均勻地分散於樹脂中。

導熱性填料的平均粒徑只要具有本發明的效果，則並無特別限定，例如為0.01μm至20μm，更佳為0.05μm至10μm。若導熱性填料的平均粒徑為前述範圍的下限值以上，則能夠高效率地確保導熱性。若導熱性填料的平均粒徑為前述範圍的上限值以下，則能夠確保基材表面的平滑性。 本說明書中，「導熱性填料的平均粒徑」可使用堀場製作所公司製造的「雷射繞射式粒度分佈測定裝置」進行測定。

導熱性填料相對於基材的總質量之含量較佳為35質量%至95質量%，更佳為40質量%至90質量%。若導熱性填料相對於基材的總質量之含量為前述範圍的下限值以上，則基材的導熱率提升，能夠抑制使用前述基材之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。若導熱性填料相對於基材的總質量之含量為前述範圍的上限值以下，則能夠確保作為基材之性能。

基材可為透明，亦可為不透明，還可根據目的而著色，還可蒸鍍其他層。 於前述黏彈性層為能量線硬化性之情形時，基材較佳為使能量線透過。

基材可利用公知的方法製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物進行成形而製造。

於基材為包含導熱性填料之樹脂之情形時，前述基材可藉由粉末混練法及清漆法而製造。

・粉末混練法 將導熱性填料添加至樹脂，使樹脂與導熱性填料於混合機中分散，嵌入至預定的模具並一邊進行加熱一邊進行加壓成型，藉此能夠獲得由包含導熱性填料之樹脂所構成之基材。另外，於前述混合機中分散時，可使用適宜溶劑。

・清漆法 將導熱性填料進行表面處理之後，與清漆混合並使之均勻分散，於該狀態流入至片上，藉此能夠獲得由包含導熱性填料之樹脂所構成之基材。作為前述表面處理，可列舉對水性、對濕性、對化學品性處理、對樹脂之偶合處理、表面圓滑化處理等公知的表面處理作為示例。另外，與前述清漆混合時，可使用適宜溶劑。

◎黏彈性層 本實施形態的端子保護用雙面帶中，黏彈性層係用以保護附有端子的半導體裝置的端子形成面(換言之，電路面)、及設置於該端子形成面上之端子。 前述黏彈性層較佳為具有埋入層及第1黏著劑層。

黏彈性層的厚度較佳為1μm至1000μm，更佳為5μm至800μm，進而較佳為10μm至600μm。 藉由黏彈性層的厚度為前述下限值以上，亦能夠將焊料球等容易產生隆起之端子電極埋設。另外，藉由黏彈性層的厚度為前述上限值以下，能抑制端子保護用雙面帶的厚度過厚。 此處，所謂「黏彈性層的厚度」，意指黏彈性層整體的厚度，由埋入層及第1黏著劑層之多層所構成之黏彈性層的厚度意指埋入層及第1黏著劑層的合計厚度。

使附有端子的半導體裝置的端子形成面密接於黏彈性層12時，較佳為使附有端子的半導體裝置的端子形成面直接密接於黏彈性層12中的第1黏著劑層14。此時，為了防止附著殘留於端子形成面及端子，第1黏著劑層14較佳為設定為較埋入層13來得硬。

〇埋入層 本實施形態的端子保護用雙面帶中，埋入層係黏彈性層中將附有端子的半導體裝置的端子埋設而進行保護之層。 埋入層為片狀或膜狀，只要滿足前述條件的關係，則該埋入層的構成材料並無特別限定。

例如，基於抑制因半導體表面所存在之端子的形狀反映至黏彈性層(用以覆蓋成為保護對象之附有端子的半導體裝置的端子形成面)而導致黏彈性層變形的目的，作為前述埋入層的較佳的構成材料，就埋入層的貼附性進一步提高之方面而言，可列舉丙烯酸系樹脂等。

埋入層中，除前述丙烯酸系樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。

上述添加劑中，埋入層較佳為含有填料，其中較佳為含有上述之導熱性填料。藉由埋入層含有上述之導熱性填料，埋入層的導熱率提升，能夠抑制使用前述埋入層之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

導熱性填料相對於埋入層的總質量之含量較佳為20質量%至80質量%，更佳為30質量%至70質量%。若導熱性填料相對於埋入層的總質量之含量為前述範圍的下限值以上，則埋入層的導熱率提升，能夠抑制使用前述埋入層之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。若導熱性填料相對於埋入層的總質量之含量為前述範圍的上限值以下，則能夠確保作為埋入層之性能。

埋入層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層可相互相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。

埋入層的厚度可在黏彈性層的厚度成為1μm至1000μm之範圍內，根據成為保護對象之附有端子的半導體裝置的端子形成面的端子的高度適宜調節，但就亦能夠容易地吸收高度相對較高之端子的影響之方面而言，較佳為10μm至500μm，更佳為20μm至450μm，尤佳為30μm至400μm。藉由埋入層的厚度為前述下限值以上，能夠形成端子的保護性能更高之黏彈性層。另外，藉由埋入層的厚度為前述上限值以下，生產性及在捲筒形狀的捲取適性提高。 此處，所謂「埋入層的厚度」，意指埋入層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之埋入層的厚度，意指構成埋入層之全部層的合計厚度。

埋入層較佳為具有適合埋設端子之柔軟的性質，且較佳為較第1黏著劑層柔軟。

(埋入層形成用組成物) 埋入層可使用含有該埋入層的構成材料之埋入層形成用組成物而形成。 例如，於埋入層之形成對象面塗敷埋入層形成用組成物，根據需要使之乾燥，藉由照射能量線使之硬化，藉此能夠於目標部位形成埋入層。另外，於剝離膜塗敷埋入層形成用組成物，根據需要使之乾燥，藉由照射能量線使之硬化，藉此能夠形成目標厚度的埋入層，亦能夠將埋入層轉印至目標部位。埋入層的更具體的形成方法將與其他層的形成方法一起於後文詳細地進行說明。埋入層形成用組成物中的在常溫不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與埋入層中的前述成分彼此的含量之比率相同。此處，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱的溫度、亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至30℃之溫度。

利用公知的方法塗敷埋入層形成用組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等。

埋入層形成用組成物的乾燥條件並無特別限定，於埋入層形成用組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥，該情形時，例如較佳為於70℃至130℃且以10秒鐘至5分鐘之條件進行乾燥。 於埋入層形成用組成物具有能量線硬化性之情形時，較佳為藉由照射能量線而硬化。另外，作為本發明的一態樣，於埋入層形成用組成物具有能量線硬化性之情形時，較佳為不藉由照射能量線來使之硬化。

作為埋入層形成用組成物，例如可列舉含有丙烯酸系樹脂之埋入層形成用組成物(I)。

(埋入層形成用組成物(I)) 埋入層形成用組成物(I)含有丙烯酸系樹脂。 作為埋入層形成用組成物(I)，可將含有後述之第1黏著劑組成物(I-1)中作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之組成物、含有第1黏著劑組成物(I-2)中於作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)之組成物用作埋入層形成用組成物(I)。

埋入層形成用組成物(I)中所使用之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物與後述之第1黏著劑組成物(I-1)中所使用之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之說明相同。 埋入層形成用組成物(I)中所使用之黏著性樹脂(I-2a)與後述之第1黏著劑組成物(I-2)中所使用之黏著性樹脂(I-2a)之說明相同。 埋入層形成用組成物(I)較佳為進而含有交聯劑。埋入層形成用組成物(I)中所使用之交聯劑與後述之第1黏著劑組成物(I-1)、第1黏著劑組成物(I-2)中所使用之交聯劑之說明相同。 埋入層形成用組成物(I)亦可進而含有光聚合起始劑、其他添加劑。埋入層形成用組成物(I)中所使用之光聚合起始劑、其他添加劑與後述之第1黏著劑組成物(I-1)、第1黏著劑組成物(I-2)中所使用之光聚合起始劑、其他添加劑之說明相同。另外，於製造含有上述導熱性填料之埋入層之情形時，埋入層形成用組成物(I)含有導熱性填料作為添加劑。 埋入層形成用組成物(I)亦可含有溶劑。埋入層形成用組成物(I)中所使用之溶劑與後述之第1黏著劑組成物(I-1)、第1黏著劑組成物(I-2)中所使用之溶劑之說明相同。

藉由調整埋入層形成用組成物(I)中黏著性樹脂(I-1a)的分子量及能量線硬化性化合物的分子量中的任一者或兩者，能夠將埋入層設計為具有適合埋設端子之柔軟的性質。 另外，藉由調整埋入層形成用組成物(I)中交聯劑的含量，能夠將埋入層設計為具有適合埋設端子之柔軟的性質。

[埋入層形成用組成物的製造方法] 埋入層形成用組成物(I)係藉由調配用以構成該埋入層形成用組成物(I)之各成分而獲得。 調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。 於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用：可將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋來使用；亦可不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合來使用。 調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下之公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。

(埋入層的組成) 本實施形態中的埋入層的組成係自上述之埋入層形成用組成物(I)去除了溶劑。 於埋入層形成用組成物(I)為後述之第1黏著劑組成物(I-1)中之含有作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物之組成物之情形時的埋入層(1)中，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(1)的總質量之含有比例較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，進而較佳為60質量%至90質量%。作為本發明的另一態樣，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(1)的總質量之含有比例可為45質量%至90質量%，亦可為50質量%至85質量%。另外，能量線硬化性化合物相對於埋入層(1)的總質量之含有比例較佳為0.5質量%至50質量%，進而較佳為5質量%至45質量%。於埋入層(1)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於埋入層(1)的總質量之含有比例較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而較佳為0.3質量%至8質量%。

於埋入層形成用組成物(I)為含有於作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)之組成物之情形時的埋入層(2)中，於側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)相對於埋入層的總質量之含有比例較佳為10質量%至70質量%，更佳為15質量%至65質量%，進而較佳為20質量%至60質量%。於埋入層(2)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於埋入層(2)的總質量之含有比例較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而較佳為0.3質量%至8質量%。本實施形態的埋入層(2)亦可進而含有前述作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)。該情形時，作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)相對於埋入層(2)的總質量之含有比例較佳為20質量%至70質量%，更佳為25質量%至65質量%，進而較佳為30質量%至60質量%。另外，於本實施形態的埋入層(2)進而含有前述作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)之情形時，前述黏著性樹脂(I-1a)的含量相對於前述黏著性樹脂(I-2a)100質量份，較佳為70質量份至100質量份，更佳為75質量份至100質量份，進而較佳為80質量份至100質量份。

埋入層(1)中所含之作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、埋入層(2)中所含之於黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)的組成等亦可與後述之第1黏著劑組成物(I-1)中所使用之作為丙烯酸系樹脂之黏著性樹脂(I-1a)、能量線硬化性化合物、於黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)的說明相同。

本實施形態中，較佳為包含黏著性樹脂(I-2a)、黏著性樹脂(I-1a)、及交聯劑之埋入層(2)。該情形時，黏著性樹脂(I-1a)較佳為具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羧基單體之單元之丙烯酸系聚合物。另外，黏著性樹脂(I-2a)較佳為使具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、源自含羥基單體之單元之丙烯酸系聚合物來與具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物反應而獲得之丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用後述之第1黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳為使用甲苯-2,6-二異氰酸酯。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(I-1a)的總質量之含有比例較佳為75質量%至99質量%，更佳為80質量%至98質量%，進而較佳為85質量%至97質量%。含羧基單體之結構單元相對於黏著性樹脂(I-1a)的總質量之含有比例較佳為1.0質量%至30質量%，更佳為2.0質量%至25質量%，進而較佳為3.0質量%至20質量%，尤佳為5.0質量%至15質量%。黏著性樹脂(I-1a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，黏著性樹脂(I-1a)中，較佳為丙烯酸烷基酯。其中，前述(甲基)丙烯酸烷基酯尤佳為丙烯酸正丁酯。另外，作為黏著性樹脂(I-1a)中的含羧基單體，可列舉乙烯性不飽和單羧酸、乙烯性不飽和二羧酸、乙烯性不飽和二羧酸之酐等，其中較佳為乙烯性不飽和單羧酸，更佳為(甲基)丙烯酸，尤佳為丙烯酸。 本實施形態的黏著性樹脂(I-1a)的重量平均分子量較佳為100,000至800,000，更佳為150,000至700,000，進而較佳為200,000至600,000。 此外，本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則係指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatography)法所測定之聚苯乙烯換算值。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(I-2a)的總質量之含有比例較佳為1.0質量%至95質量%，更佳為2.0質量%至90質量%，進而較佳為3.0質量%至85質量%。源自含羥基單體之單元相對於黏著性樹脂(I-2a)的總質量之含有比例較佳為1.0質量%至50質量%，更佳為2.0質量%至45質量%，進而較佳為3.0質量%至40質量%。黏著性樹脂(I-2a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳數較佳為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(I-2a)較佳為具有源自2種以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，更佳為具有源自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯之結構單元，進而較佳為具有源自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯之結構單元。作為黏著性樹脂(I-2a)中的含羥基單體，可使用後述之第1黏著劑組成物(I-1)中所例示之含羥基單體，尤佳為使用丙烯酸2-羥基乙酯。作為具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物，可使用後述之第1黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳為使用異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。將源自前述含羥基單體之全部羥基設為100mol時的前述具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物的使用量較佳為50mol至150mol，更佳為55mol至140mol，進而較佳為60mol至135mol。 本實施形態的黏著性樹脂(I-2a)的重量平均分子量較佳為10,000至500,000，更佳為20,000至400,000，進而較佳為30,000至300,000。

〇黏著劑層 以下，有時將構成黏彈性層之黏著劑層與後述之用以貼合於支撐體之第2黏著劑層區別而稱為「第1黏著劑層」。 第1黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸系樹脂(由具有(甲基)丙烯醯基之樹脂所構成之黏著劑)、胺基甲酸酯系樹脂(由具有胺基甲酸酯鍵之樹脂所構成之黏著劑)、橡膠系樹脂(由具有橡膠結構之樹脂所構成之黏著劑)、聚矽氧系樹脂(由具有矽氧烷鍵之樹脂所構成之黏著劑)、環氧系樹脂(由具有環氧基之樹脂所構成之黏著劑)、聚乙烯醚、聚碳酸酯等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。

此外，本發明中，「黏著性樹脂」的概念包括具有黏著性之樹脂及具有接著性之樹脂兩者，例如不僅包括樹脂本身具有黏著性之樹脂，亦包括藉由與添加劑等其他成分併用而顯示黏著性之樹脂、及藉由存在熱或水等觸發(trigger)而顯示接著性之樹脂等。

第1黏著劑層中，除前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填料、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知的各種添加劑。

上述添加劑中，第1黏著劑層較佳為含有填料，其中較佳為含有上述之導熱性填料。藉由第1黏著劑層含有上述之導熱性填料，第1黏著劑層的導熱率提升，能夠抑制使用前述第1黏著劑層之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

導熱性填料相對於第1黏著劑層的總質量之含量較佳為20質量%至80質量%，更佳為30質量%至70質量%。若導熱性填料相對於第1黏著劑層的總質量之含量為前述範圍的下限值以上，則第1黏著劑層的導熱率提升，能夠抑制使用前述第1黏著劑層之前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。若導熱性填料相對於第1黏著劑層的總質量之含量為前述範圍的上限值以下，則能夠確保作為第1黏著劑層之性能。

第1黏著劑層可僅為1層(單層)，亦可為2層以上之多層，於為多層之情形時，這些多層可相互相同亦可不同，這些多層的組合並無特別限定。

第1黏著劑層的厚度較佳為1μm至1000μm，更佳為2μm至100μm，尤佳為5μm至20μm。 此處，所謂「第1黏著劑層的厚度」，意指第1黏著劑層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之第1黏著劑層的厚度，意指構成第1黏著劑層之全部層的合計厚度。

第1黏著劑層可使用能量線硬化性黏著劑而形成，亦可使用非能量線硬化性黏著劑而形成。使用能量線硬化性黏著劑而形成之第1黏著劑層能夠容易地調節硬化前及硬化後的物性。 本發明中，所謂「能量線」，意指具有能量量子之電磁波或帶電粒子束，作為該能量線的示例，可列舉紫外線、電子束等。 紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合H燈或氙氣燈等作為紫外線源而進行照射。電子束可照射藉由電子束加速器等產生之電子束。 本發明中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。

(第1黏著劑組成物) 第1黏著劑層可使用含有黏著劑之第1黏著劑組成物而形成。例如，於第1黏著劑層之形成對象面塗敷第1黏著劑組成物，根據需要使之乾燥，藉此能夠於目標部位形成第1黏著劑層。另外，於剝離膜塗敷第1黏著劑組成物，根據需要使之乾燥，藉此能夠形成目標厚度的第1黏著劑層，亦能夠將第1黏著劑層轉印至目標部位。第1黏著劑層的更具體的形成方法將與其他層的形成方法一起於後文詳細地進行說明。第1黏著劑組成物中的在常溫不會氣化的成分彼此的含量之比率通常與第1黏著劑層的前述成分彼此的含量之比率相同。此外，本實施形態中，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱的溫度，亦即平常的溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度。

利用公知的方法塗敷第1黏著劑組成物即可，例如可列舉使用以下各種塗佈機之方法：氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模具塗佈機、刀式塗佈機、絲網塗佈機、Meyer棒式塗佈機、輕觸式塗佈機等。

第1黏著劑組成物的乾燥條件並無特別限定，於第1黏著劑組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為進行加熱乾燥，該情形時，例如較佳為於70℃至130℃且以10秒鐘至5分鐘之條件進行乾燥。

於第1黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之第1黏著劑組成物、亦即能量線硬化性的第1黏著劑組成物，例如可列舉以下之黏著劑組成物等：第1黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物；第1黏著劑組成物(I-2)，含有於非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；第1黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性低分子化合物。

(第1黏著劑組成物(I-1)) 如上所述，第1黏著劑組成物(I-1)含有非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)及能量線硬化性化合物。

(黏著性樹脂(I-1a)) 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。 作為前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。 前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些結構單元的組合及比率可任意選擇。

作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯之烷基的碳數為1至20之(甲基)丙烯酸烷基酯，前述烷基較佳為直鏈狀或支鏈狀。 作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(亦稱為(甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。

就第1黏著劑層的黏著力提高之方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有源自前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。並且，就第1黏著劑層的黏著力進一步提高之方面而言，前述烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，前述烷基的碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。

前述丙烯酸系聚合物較佳為除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有源自含官能基單體之結構單元。 作為前述含官能基單體，例如可列舉以下之單體：藉由前述官能基與後述交聯劑反應而成為交聯的起點，或者藉由前述官能基與含不飽和基化合物中的不飽和基反應，而能夠於丙烯酸系聚合物的側鏈導入不飽和基。

作為含官能基單體中的前述官能基，例如可列舉：羥基、羧基、胺基、環氧基等。 亦即，作為含官能基單體，例如可列舉：含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含環氧基單體等。

作為前述含羥基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(亦即，不具有(甲基)丙烯醯基骨架之不飽和醇)等。

作為前述含羧基單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、衣康酸、馬來酸、檸康酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。

含官能基單體較佳為含羥基單體、含羧基單體，更佳為含羥基單體。

構成前述丙烯酸系聚合物之含官能基單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些含官能基單體的組合及比率可任意選擇。

前述丙烯酸系聚合物中，源自含官能基單體之結構單元的含量相對於結構單元的總量，較佳為1質量%至35質量%，更佳為3質量%至32質量%，尤佳為5質量%至30質量%。

前述丙烯酸系聚合物亦可除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含官能基單體之結構單元以外，進而具有源自其他單體之結構單元。 前述其他單體只要能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚，則並無特別限定。 作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。

構成前述丙烯酸系聚合物之前述其他單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他單體的組合及比率可任意選擇。

前述丙烯酸系聚合物可用作上述之非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)。 另一方面，使前述丙烯酸系聚合物中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含不飽和基化合物反應而成之化合物可用作上述之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)。 此外，本發明中，所謂「能量線聚合性」，意指藉由照射能量線而進行聚合之性質。

第1黏著劑組成物(I-1)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-1a)的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)的含量相對於第1黏著劑組成物(I-1)的總質量，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。

(能量線硬化性化合物) 作為第1黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基，且能夠藉由照射能量線而硬化之單體或低聚物。 能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為低聚物，例如可列舉上述例示之單體聚合而成之低聚物等。 就分子量相對較大，不易使第1黏著劑層的儲存彈性模數降低之方面而言，能量線硬化性化合物較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。 本說明書中，所謂「低聚物」，意指重量平均分子量或式量為5,000以下之物質。

第1黏著劑組成物(I-1)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物的含量相對於第1黏著劑組成物(I-1)的總質量，較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。

(交聯劑) 於使用除源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有源自含官能基單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，第1黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。

前述交聯劑例如與前述官能基反應而使黏著性樹脂(I-1a)彼此交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：甲苯-2,6-二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚、N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(縮水甘油胺)等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷醯基三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。 就提高黏著劑的凝聚力而提高第1黏著劑層的黏著力之方面、及獲取容易等方面而言，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。

第1黏著劑組成物(I-1)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些交聯劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-1)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-1a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。

(光聚合起始劑) 第1黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第1黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等相對較低能量的能量線，硬化反應亦充分地進行。

作為前述光聚合起始劑，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯、二苯偶醯、二苯甲酮、2,4-二乙基噻噸酮、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2-氯蒽醌等。 另外，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光增感劑等。

第1黏著劑組成物(I-1)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些光聚合起始劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-1)中，光聚合起始劑的含量相對於前述能量線硬化性化合物的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

(其他添加劑) 第1黏著劑組成物(I-1)亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不符合上述任一種成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充劑(填料)、防銹劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知的添加劑。另外，於製造含有上述之導熱性填料之第1黏著劑層之情形時，第1黏著劑組成物(I-1)含有導熱性填料作為添加劑。 此外，所謂反應延遲劑，例如係指抑制因混入至第1黏著劑組成物(I-1)中的觸媒的作用，而導致保存中的第1黏著劑組成物(I-1)中進行目標外的交聯反應。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由針對觸媒之螯合物而形成螯合物錯合物之化合物，更具體而言，可列舉於1分子中具有2個以上之羰基(-C(=O)-)之化合物。

第1黏著劑組成物(I-1)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他添加劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-1)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。

(溶劑) 第1黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。第1黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶劑，對塗敷對象面之塗敷適性提高。

前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。

作為前述溶劑，例如可將黏著性樹脂(I-1a)之製造時所使用之溶劑不自黏著性樹脂(I-1a)去除而直接於第1黏著劑組成物(I-1)中使用，亦可於第1黏著劑組成物(I-1)之製造時另行添加與黏著性樹脂(I-1a)之製造時所使用之溶劑相同或不同種類的溶劑。

第1黏著劑組成物(I-1)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-1)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。

(第1黏著劑組成物(I-2)) 如上所述，第1黏著劑組成物(I-2)含有於非能量線硬化性的黏著性樹脂(I-1a)的側鏈導入有不飽和基之能量線硬化性的黏著性樹脂(I-2a)。

(黏著性樹脂(I-2a)) 前述黏著性樹脂(I-2a)例如藉由使黏著性樹脂(I-1a)中的官能基與具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物反應而獲得。

前述含不飽和基化合物除了具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有可藉由與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基反應來與黏著性樹脂(I-1a)鍵結的基。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基(亦稱為次乙基)、烯丙基(亦稱為2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為能夠與黏著性樹脂(I-1a)中的官能基鍵結之基，例如可列舉：能夠與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及能夠與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。

作為前述含不飽和基化合物，例如可列舉異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等，較佳為異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯，其中尤佳為異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。 前述異氰酸酯化合物能夠與黏著性樹脂(I-1a)中的羥基鍵結，將黏著性樹脂(I-1a)中的全部羥基設為100mol時的前述異氰酸酯化合物的使用量較佳為10mol至150mol，更佳為20mol至140mol，進而較佳為30mol至130mol。

第1黏著劑組成物(I-2)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-2a)的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量相對於第1黏著劑組成物(I-2)的總質量，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。

(交聯劑) 例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中相同的具有源自含官能基單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，第1黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。

作為第1黏著劑組成物(I-2)中的前述交聯劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的交聯劑相同的化合物。 第1黏著劑組成物(I-2)所含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些交聯劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-2)中，交聯劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為1質量份至10質量份。

(光聚合起始劑) 第1黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第1黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等相對較低能量的能量線，硬化反應亦充分地進行。

作為第1黏著劑組成物(I-2)中的前述光聚合起始劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同的化合物。 第1黏著劑組成物(I-2)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些光聚合起始劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-2)中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

(其他添加劑) 第1黏著劑組成物(I-2)亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不符合上述任一種成分之其他添加劑。 作為第1黏著劑組成物(I-2)中的前述其他添加劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。 第1黏著劑組成物(I-2)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他添加劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-2)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。

(溶劑) 第1黏著劑組成物(I-2)亦可以與第1黏著劑組成物(I-1)之情形相同的目的而含有溶劑。 作為第1黏著劑組成物(I-2)中的前述溶劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。 第1黏著劑組成物(I-2)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶劑的組合及比率可任意選擇。 第1黏著劑組成物(I-2)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。

(第1黏著劑組成物(I-3)) 如上所述，第1黏著劑組成物(I-3)含有前述黏著性樹脂(I-2a)、及能量線硬化性低分子化合物。

第1黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)的含量相對於第1黏著劑組成物(I-3)的總質量，較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。

(能量線硬化性低分子化合物) 作為第1黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基，且能夠藉由照射能量線而硬化之單體及低聚物，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)所含有之能量線硬化性化合物相同的化合物。 第1黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性低分子化合物可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些能量線硬化性低分子化合物的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-3)中，前述能量線硬化性低分子化合物的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)的含量100質量份，較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。

(光聚合起始劑) 第1黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之第1黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等相對較低能量的能量線，硬化反應亦充分地進行。

作為第1黏著劑組成物(I-3)中的前述光聚合起始劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的光聚合起始劑相同的化合物。 第1黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些光聚合起始劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-3)中，光聚合起始劑的含量相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性低分子化合物的總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。

(其他添加劑) 第1黏著劑組成物(I-3)亦可在無損本發明的效果之範圍內，含有不符合上述任一種成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的其他添加劑相同的化合物。 第1黏著劑組成物(I-3)所含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些其他添加劑的組合及比率可任意選擇。

第1黏著劑組成物(I-3)中，其他添加劑的含量並無特別限定，根據該其他添加劑的種類適宜選擇即可。

(溶劑) 第1黏著劑組成物(I-3)亦可以與第1黏著劑組成物(I-1)之情形相同的目的而含有溶劑。 作為第1黏著劑組成物(I-3)中的前述溶劑，可列舉與第1黏著劑組成物(I-1)中的溶劑相同的溶劑。 第1黏著劑組成物(I-3)所含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，這些溶劑的組合及比率可任意選擇。 第1黏著劑組成物(I-3)中，溶劑的含量並無特別限定，適宜調節即可。

(第1黏著劑組成物(I-1)至第1黏著劑組成物(I-3)以外的第1黏著劑組成物) 至此主要對第1黏著劑組成物(I-1)、第1黏著劑組成物(I-2)及第1黏著劑組成物(I-3)進行了說明，但作為這些第1黏著劑組成物的含有成分所說明之成分亦可同樣地用於這3種第1黏著劑組成物以外的所有第1黏著劑組成物(本實施形態中，稱為「第1黏著劑組成物(I-1)至第1黏著劑組成物(I-3)以外的第1黏著劑組成物」)。

作為第1黏著劑組成物(I-1)至第1黏著劑組成物(I-3)以外的第1黏著劑組成物，除能量線硬化性的第1黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性的第1黏著劑組成物。 作為非能量線硬化性的第1黏著劑組成物，例如可列舉：含有丙烯酸系樹脂(具有(甲基)丙烯醯基之樹脂)、胺基甲酸酯系樹脂(具有胺基甲酸酯鍵之樹脂)、橡膠系樹脂(具有橡膠結構之樹脂)、聚矽氧系樹脂(具有矽氧烷鍵之樹脂)、環氧系樹脂(具有環氧基之樹脂)、聚乙烯醚、或聚碳酸酯等黏著性樹脂之組成物，較佳為含有丙烯酸系樹脂之組成物。

第1黏著劑組成物(I-1)至第1黏著劑組成物(I-3)以外的第1黏著劑組成物較佳為含有1種或2種以上之交聯劑，該交聯劑的含量可設為與上述之第1黏著劑組成物(I-1)等之情形相同。

[第1黏著劑組成物的製造方法] 第1黏著劑組成物(I-1)至第1黏著劑組成物(I-3)等前述第1黏著劑組成物係藉由將前述黏著劑及根據需要之前述黏著劑以外的成分等用以構成第1黏著劑組成物之各成分進行調配而獲得。 調配各成分時的添加順序並無特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。 於使用溶劑之情形時，可藉由下述方式使用：將溶劑與溶劑以外的任一種調配成分混合而將該調配成分預先稀釋；或是，不將溶劑以外的任一種調配成分預先稀釋而將溶劑與這些調配成分混合。 調配時混合各成分之方法並無特別限定，自以下之公知的方法中適宜選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。 關於添加及混合各成分時的溫度及時間，只要不使各調配成分劣化，則並無特別限定，適宜調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。

(第1黏著劑層的組成) 本實施形態中的第1黏著劑層的組成係自上述之第1黏著劑層組成物去除了溶劑。 第1黏著劑層組成物為前述第1黏著劑組成物(I-1)之情形時的第1黏著劑層(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)相對於第1黏著劑層(I-1)的總質量之含有比例較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，進而較佳為60質量%至90質量%。另外，作為本發明的另一態樣，黏著性樹脂(I-1a)相對於第1黏著劑層(I-1)的總質量之含有比例可為25質量%至80質量%，亦可為30質量%至75質量%，亦可為35質量%至70質量%。另外，能量線硬化性化合物相對於第1黏著劑層(I-1)的總質量之含有比例較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，進而較佳為5質量%至45質量%。於第1黏著劑層(I-1)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於第1黏著劑層(I-1)的總質量之含有比例較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而較佳為0.3質量%至8質量%。

第1黏著劑層組成物為前述第1黏著劑組成物(I-2)之情形時的第1黏著劑層(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)相對於第1黏著劑層(I-2)的總質量之含有比例較佳為70質量%至100質量%，更佳為75質量%至100質量%，進而較佳為80質量%至100質量%，尤佳為80質量%至99.6質量%。於第1黏著劑層(I-2)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於第1黏著劑層(I-2)的總質量之含有比例較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而較佳為0.3質量%至8質量%。

第1黏著劑層組成物為前述第1黏著劑組成物(I-3)之情形時的第1黏著劑層(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)相對於第1黏著劑層(I-3)的總質量之含有比例較佳為50質量%至99質量%，更佳為55質量%至95質量%，進而較佳為60質量%至90質量%。另外，能量線硬化性低分子化合物相對於第1黏著劑層(I-3)的總質量之含有比例較佳為1質量%至50質量%，更佳為2質量%至48質量%，進而較佳為5質量%至45質量%。於第1黏著劑層(I-3)含有交聯劑之情形時，交聯劑相對於第1黏著劑層(I-3)的總質量之含有比例較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.2質量%至9質量%，進而較佳為0.3質量%至8質量%。

本實施形態中，較佳為包含黏著性樹脂(I-2a)及交聯劑之第1黏著劑層(I-2)。該情形時，黏著性樹脂(I-2a)較佳為使具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、源自含羥基單體之單元之丙烯酸系聚合物來與具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物反應而獲得之丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用第1黏著劑組成物(I-1)中所例示之化合物，尤佳為使用甲苯-2.6-二異氰酸酯。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(I-2a)的總質量之含有比例較佳為50質量%至99質量%，更佳為60質量%至98質量%，進而較佳為70質量%至97質量%。源自含羥基單體之單元相對於黏著性樹脂(I-2a)的總質量之含有比例較佳為0.5質量%至15質量%，更佳為1.0質量%至10質量%，進而較佳為2.0質量%至10質量%。黏著性樹脂(I-2a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳數較佳為1至12，更佳為1至4。黏著性樹脂(I-2a)較佳為具有源自2種以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元，更佳為具有源自(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸正丁酯之結構單元，進而較佳為具有源自甲基丙烯酸甲酯及丙烯酸正丁酯之結構單元。作為黏著性樹脂(I-2a)中的含羥基單體，可使用上述之黏著性樹脂(I-1a)中所例示之含羥基單體，尤佳為使用丙烯酸2-羥基乙酯。作為具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物，可使用第1黏著劑組成物(I-2)中所例示之化合物，尤佳為使用異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。將源自前述含羥基單體之全部羥基設為100mol時的前述具有異氰酸酯基及能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物的使用量較佳為20mol至80mol，更佳為25mol至75mol，進而較佳為30mol至70mol。

◎剝離膜 前述剝離膜可為本領域中公知的剝離膜。 作為較佳的前述剝離膜，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂製膜的至少一表面藉由聚矽氧處理等進行了剝離處理之膜；膜的至少一表面成為由聚烯烴所構成之剝離面之膜等。 剝離膜的厚度較佳為與基材的厚度相同。

◎第2黏著劑層 第2黏著劑層(亦即，貼合黏著劑層)係用以將本實施形態的端子保護用雙面帶貼合於支撐體之黏著劑層。 前述第2黏著劑層可為本領域中公知的黏著劑層，可根據支撐體自上述之第1黏著劑層所說明之黏著劑層適宜選擇。

第2黏著劑層的厚度較佳為5μm至50μm，更佳為10μm至45μm，尤佳為15μm至40μm。 此處，所謂「第2黏著劑層的厚度」，意指第2黏著劑層整體的厚度，例如所謂由多層所構成之第2黏著劑層的厚度，意指構成第2黏著劑層之全部層的合計厚度。

用以形成第2黏著劑層之第2黏著劑組成物與前述第1黏著劑組成物相同，第2黏著劑組成物的製造方法亦與前述第1黏著劑組成物的製造方法相同。

作為第2黏著劑層，較佳為包含上述之黏著性樹脂(I-1a)。 該情形時，黏著性樹脂(I-1a)相對於第2黏著劑層的總質量之含有比例較佳為70質量%至100質量%，更佳為75質量%至100質量%，進而較佳為80質量%至100質量%，尤佳為80質量%至99.98質量%。另外，第2黏著劑層亦可進而包含交聯劑。交聯劑相對於第2黏著劑層的總質量之含有比例較佳為0.005質量%至0.1質量%，更佳為0.01質量%至0.09質量%，進而較佳為0.015質量%至0.08質量%。另外，黏著劑樹脂(I-1a)較佳為具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元、及源自含羧基單體之單元之丙烯酸系聚合物。交聯劑可使用上述之交聯劑，尤佳為使用異氰酸酯系交聯劑。

源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元相對於黏著性樹脂(I-1a)的總質量之含有比例較佳為70質量%至100質量%，更佳為75質量%至100質量%，進而較佳為80質量%至100質量%。含羧基單體之結構單元相對於黏著性樹脂(I-1a)的總質量之含有比例較佳為0質量%至20質量%，更佳為0.5質量%至19質量%，進而較佳為0.7質量%至18質量%，尤佳為1.0質量%至17質量%。黏著性樹脂(I-1a)中的(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基的碳數較佳為4至12，更佳為4至8。另外，黏著性樹脂(I-1a)中，較佳為丙烯酸烷基酯。其中，前述(甲基)丙烯酸烷基酯尤佳為丙烯酸正丁酯。另外，作為黏著性樹脂(I-1a)中的含羧基單體，可列舉乙烯性不飽和單羧酸、乙烯性不飽和二羧酸、乙烯性不飽和二羧酸之酐等，其中較佳為乙烯性不飽和單羧酸，更佳為(甲基)丙烯酸，尤佳為丙烯酸。 本實施形態的黏著性樹脂(I-1a)的重量平均分子量較佳為100,000至800,000，更佳為150,000至700,000，進而較佳為200,000至600,000。

◇端子保護用雙面帶的製造方法 前述端子保護用雙面帶可藉由將上述各層以成為對應的位置關係之方式依序積層而製造。各層的形成方法如上文所說明。

例如，於剝離膜的剝離處理面上，塗敷上述之埋入層形成用組成物，根據需要使之乾燥，藉此積層埋入層。於另一剝離膜的剝離處理面上，塗敷上述之第1黏著劑組成物，根據需要使之乾燥，藉此積層第1黏著劑層。將剝離膜上的埋入層與另一剝離膜上的第1黏著劑層貼合，藉此獲得依序積層有剝離膜、埋入層、第1黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶。剝離膜於使用端子保護用帶時移除即可。

繼而，將上述之依序積層有剝離膜、埋入層、第1黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶之埋入層側的剝離膜剝離，將剝離膜剝離後的端子保護用帶與基材貼合，藉此能夠獲得於基材上依序積層有埋入層、第1黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶。

另外，例如針對基材，將埋入層形成用組成物進行擠出成形，藉此於基材上積層埋入層。於剝離膜的剝離處理面上，塗敷上述之第1黏著劑組成物，根據需要使之乾燥，藉此積層第1黏著劑層。然後，將該剝離膜上的第1黏著劑層與基材上的埋入層貼合，藉此亦能夠獲得於基材上依序積層有埋入層、第1黏著劑層及剝離膜之端子保護用帶。

準備於基材上依序積層有埋入層、第1黏著劑層及剝離膜之上述之端子保護用帶。於另一剝離膜的剝離處理面上，塗敷上述之第2黏著劑組成物，根據需要使之乾燥，藉此積層第2黏著劑層。然後，將該剝離膜上的第2黏著劑層與前述端子保護用帶的基材貼合，藉此能夠獲得依序積層有剝離膜、第2黏著劑層、基材、埋入層、第1黏著劑層及剝離膜之本實施形態的端子保護用雙面帶。剝離膜於使用端子保護用雙面帶時移除即可。

具備上述各層以外的其他層之端子保護用雙面帶可藉由下述方式製造：於上述之製造方法中，以前述其他層的積層位置成為適當的位置之方式，適宜追加前述其他層的形成步驟及積層步驟的任一步驟或兩步驟。

◇附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法 本實施形態的端子保護用雙面帶例如可用於以下之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法。 圖3係本實施形態的附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，係以示意方式表示將依序具有第1黏著劑層14、埋入層13、基材11、及第2黏著劑層15之端子保護用雙面帶1固定於支撐體30，而進行附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置之製造之情形時的一實施形態之剖視圖。

首先，如圖3中的(a)、(b)所示，將附有端子的半導體裝置65以端子91一側、亦即電路基板63的端子形成面63a為下方而壓抵於端子保護用雙面帶的黏彈性層12，從而使端子91埋設於黏彈性層12。 此時，使附有端子的半導體裝置65的端子91與黏彈性層12接觸，將附有端子的半導體裝置65壓抵於端子保護用雙面帶。藉此，使黏彈性層12之第1黏著劑層14側的最表面依序壓接於端子91的表面及電路基板63的端子形成面63a。此時，藉由將黏彈性層12進行加熱，使黏彈性層12軟化，以覆蓋端子91之方式向端子91間擴展，密接於端子形成面63a，並且覆蓋端子91的表面、尤其是端子形成面63a的附近部位的表面，從而埋設端子91。

作為使附有端子的半導體裝置65壓接於端子保護用雙面帶之方法，可應用使各種片壓接於對象物而進行貼附之公知的方法，例如可列舉使用層壓輥或真空層壓機之方法等。

使附有端子的半導體裝置65壓接於端子保護用雙面帶時的壓力並無特別限定，較佳為0.1MPa至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。另外，較佳為使黏彈性層12的第1黏著劑層14貼合於端子形成面63a。

於未埋設於端子保護用雙面帶的黏彈性層12之附有端子的半導體裝置65的露出面塗佈導電性樹脂101(圖3中的(c))，進而使之熱硬化，藉此形成由導電材料所構成之電磁波遮蔽膜10(圖3中的(d))。作為利用導電材料進行被覆而形成電磁波遮蔽膜10之方法，可使用濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法。

作為濺鍍的方法，可採用DC(Direct Current；直流)濺鍍、RF(Radio Frequency；射頻)濺鍍、DC磁控濺鍍、離子束濺鍍等本領域中公知的濺鍍方法。

藉由前述端子保護用雙面帶具有黏彈性層、基材、第2黏著劑層，且前述黏彈性層、前述基材、前述第2黏著劑層之中至少1層為導熱層，即使於藉由塗佈導電性樹脂之濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，亦能夠抑制前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

藉由自本實施形態的端子保護用雙面帶1拾取附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置66，能夠取出由電磁波遮蔽膜10被覆之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置66(圖3中的(e))。

在圖3所示之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，成為電磁波遮蔽之對象之附有端子的半導體裝置65可為個別地製造之附有端子的半導體裝置65，亦可為藉由切割法而單片化之附有端子的半導體裝置65。

在圖3所示之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，表示了使用端子保護用雙面帶1來將經單片化且各個電子零件61、62由密封樹脂64密封著之附有端子的半導體裝置65進行電磁波遮蔽之方法，但亦可如下述般，自單片化前的附有端子的半導體裝置集合體6，使用端子保護用雙面帶1，將附有端子的半導體裝置65進行電磁波遮蔽。

圖4及圖5係本實施形態的附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，係以示意方式表示使用依序具有第1黏著劑層14、埋入層13、基材11、及第2黏著劑層15之端子保護用雙面帶1，將附有端子的半導體裝置65進行電磁波遮蔽之方法的另一實施形態之剖視圖。

首先，如圖4中的(a)、(b)所示，將藉由電路基板63連結之附有端子的半導體裝置集合體6以端子91一側、亦即電路基板63的端子形成面63a為下方而壓抵於端子保護用雙面帶的黏彈性層12，與前述圖3中的(a)、(b)時同樣地，使端子91埋設於黏彈性層12。

此時，一邊對附有端子的半導體裝置集合體6自上側施加壓力，一邊與前述圖3中的(a)、(b)時同樣地，使端子91埋設於端子保護用雙面帶的黏彈性層12。

另外，一邊將黏彈性層12進行加熱一邊貼合，藉此能夠使黏彈性層12軟化，使黏彈性層12密接於電路基板63的端子形成面63a。使附有端子的半導體裝置集合體6壓接於端子保護用雙面帶時的壓力並無特別限定，較佳為0.1MPa至1.5MPa，更佳為0.3MPa至1.3MPa。加熱溫度較佳為30℃至70℃，更佳為35℃至65℃，尤佳為40℃至60℃。另外，較佳為使黏彈性層12的第1黏著劑層14貼合於端子形成面63a。

繼而，切割附有端子的半導體裝置集合體6，製成附有端子的半導體裝置65(圖4中的(c))。形成電磁波遮蔽膜之步驟所使用之本實施形態的端子保護用雙面帶成為兼作附有端子的半導體裝置集合體6的切割帶。並且，圖3所示之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法中，成為電磁波遮蔽之對象之附有端子的半導體裝置65為藉由切割法而單片化之附有端子的半導體裝置65時，變得需要拾取切割帶上的附有端子的半導體裝置，重新貼附於端子保護用雙面帶之作業(圖3中的(a))。另一方面，在圖4所示之附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，可省略將切割帶上的附有端子的半導體裝置65重新貼附於端子保護用雙面帶之作業。

繼而，將剝離帶22剝離，經由第2黏著劑層15將端子保護用雙面帶固定於支撐體30上。然後，於未埋設於端子保護用雙面帶的黏彈性層12之附有端子的半導體裝置65的露出面塗佈導電性樹脂101(圖4中的(d))。此時，於附有端子的半導體裝置集合體6的各附有端子的半導體裝置65的交界部分中導電性樹脂101之分離不充分之情形時，亦可使用擴展裝置等將端子保護用雙面帶進行延伸。能夠以於經單片化之附有端子的半導體裝置65的各個側面塗佈有導電性樹脂101之狀態，將各個附有端子的半導體裝置65進行單片化。進而，將經單片化之附有端子的半導體裝置65的頂面及側面所塗佈之導電性樹脂101進行加熱使之硬化，於未埋設於端子保護用雙面帶的黏彈性層12之附有端子的半導體裝置65的露出面，形成由導電材料所構成之電磁波遮蔽膜10(圖4中的(e))。亦可對附有端子的半導體裝置65(圖4中的(c))，藉由濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法，直接將導電材料形成電磁波遮蔽膜10(圖4中的(e))。藉由濺鍍、離子鍍覆、噴霧塗佈等方法塗佈導電材料時的導電材料的溫度為常溫至250℃。

藉由前述端子保護用雙面帶具有黏彈性層12、基材11、及第2黏著劑層15，且前述黏彈性層12、前述基材11、前述第2黏著劑層15之中至少1層為導熱層，即使於藉由塗佈導電性樹脂之濺鍍離子鍍覆、噴霧塗佈等方法之電磁波遮蔽膜形成步驟中，亦能夠抑制前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。

藉由自本實施形態的端子保護用雙面帶，拾取附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置66，能夠取出由電磁波遮蔽膜10被覆之附有端子的半導體裝置65(圖4中的(f))。

此外，如圖5中的(a)至圖5中的(c)所示，使端子91埋設於上述之端子保護用雙面帶的黏彈性層12之步驟、切割附有端子的半導體裝置集合體6而製成附有端子的半導體裝置65之步驟亦可於經由第2黏著劑層15固定於支撐體30上之端子保護用雙面帶上進行。

本實施形態的端子保護用雙面帶中，端子91的高度h0較佳為較黏彈性層12的厚度d1低，且較佳為1.2≦d1/h0≦5.0。具體而言，端子91的高度較佳為20μm至300μm，更佳為30μm至270μm，尤佳為40μm至240μm。藉由端子91的高度為前述下限值以上，能夠進一步提高端子91的功能。另外，藉由端子91的高度為前述上限值以下，抑制黏彈性層12於端子91上部之殘存之效果變得更高。 此外，本說明書中，所謂「端子的高度」，意指端子中存在於距離端子形成面最高之位置之部位處的高度。於附有端子的半導體裝置集合體及附有端子的半導體裝置65具有多個端子91之情形時，端子91的高度h0可設為這些端子的平均。端子的高度例如可藉由非接觸型三維光干涉式表面粗糙度計(日本Veeco公司製造，商品名：Wyko NT1100)進行測定。

端子91的寬度並無特別限定，較佳為170μm至350μm，更佳為200μm至320μm，尤佳為230μm至290μm。藉由端子91的寬度為前述下限值以上，能夠進一步提高端子91的功能。另外，藉由端子91的寬度為前述上限值以下，抑制黏彈性層12於端子91上部之殘存之效果變得更高。 此外，本說明書中，所謂「端子的寬度」，意指於自相對於端子形成面垂直的方向往下俯視端子時，將端子表面上的不同的2點間用直線連結而獲得之線段的最大值。端子為球形或半球形時，所謂「端子的寬度」，係指往下俯視端子時的該端子的最大直徑(端子直徑)。

相鄰的端子91間的距離(亦即，端子間間距)並無特別限定，較佳為250μm至800μm，更佳為300μm至600μm，尤佳為350μm至500μm。藉由前述距離為前述下限值以上，能夠進一步提高端子91的埋入性。另外，藉由前述距離為前述上限值以下，抑制黏彈性層12於端子91上部之殘存之效果變得更高。 此外，本說明書中，所謂「相鄰的端子間的距離」，意指相鄰的端子彼此的表面間的距離的最小值。 [實施例]

以下，藉由具體的實施例對本發明更詳細地進行說明。但，本發明並不受以下所示之實施例的任何限定。

[單體] 以下表示採用簡稱的單體的正式名稱。 HEA：丙烯酸2-羥基乙酯 BA：丙烯酸正丁酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 AAc：丙烯酸

(第2黏著劑層形成用組成物A之製造) 相對於由BA 91質量份、AAc 9質量份所構成之丙烯酸系共聚物的溶液(重量平均分子量(Mw)500,000，黏著劑主劑，固形物成分濃度33.6%，Nippon Carbide Industries股份有限公司製造，製品名「Nissetsu PE-121」)100質量份，添加作為交聯劑之N,N'-(環己烷-1,3-二基雙亞甲基)雙(縮水甘油胺)(濃度5%，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造，製品名「TETRAD-C」)0.2質量份，進行30分鐘攪拌而製備第2黏著劑層形成用組成物A。

(第2黏著劑層A之製造) 於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面，塗敷前述第2黏著劑層形成用組成物A，於100℃進行1分鐘加熱乾燥，藉此製造厚度20μm之第2黏著劑層A。

(第1黏著劑層形成用組成物B之製造) 相對於對由BA 74質量份、MMA 20質量份及HEA 6質量份所構成之丙烯酸系共聚物，加成異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(相對於HEA為約50莫耳%)而成之樹脂的溶液(重量平均分子量(Mw)500,000，黏著劑主劑，固形物成分35質量%，日本合成化學工業股份有限公司製造，製品名「COPONYL UN-4730-D」)100質量份，添加作為交聯劑之甲苯-2,6-二異氰酸酯(Toyochem股份有限公司製造，製品名「BHS-8515」，固形物成分濃度：37.5%)0.5質量份，進行30分鐘攪拌而製備第1黏著劑層形成用組成物B。

(第1黏著劑層B之製造) 於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面，塗敷前述第1黏著劑層形成用組成物B，於100℃進行1分鐘加熱乾燥，藉此製造厚度10μm之第1黏著劑層B。

(埋入層形成用組成物A之製造) 添加由BA 91質量份、AAc 9質量份所構成之丙烯酸系共聚物的溶液(重量平均分子量(Mw)500,000，黏著劑主劑，固形物成分濃度33.6%，Nippon Carbide Industries股份有限公司製造，製品名「Nissetsu PE-121」)100質量份、對由BA 62質量份、MMA 10質量份及HEA 28質量份所構成之丙烯酸系共聚物以相對於HEA 100mol%加成率成為80mol%之方式加成異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯而成之樹脂的溶液(重量平均分子量(Mw)370,000，黏著劑主劑，固形物成分濃度45%，日本合成化學工業股份有限公司製造，製品名「COPONYL UN-2528LM1」)75質量份、及作為交聯劑之甲苯-2,6-二異氰酸酯(Toyochem股份有限公司製造，製品名「BHS-8515」，固形物成分濃度：37.5%)15質量份，進行30分鐘攪拌而製備埋入層形成用組成物A。

(基材A) 於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度25μm)，以黏著劑層的厚度成為22μm之方式塗佈黏著劑，貼合厚度9μm之銅箔，獲得基材A。此外，形成黏著劑層時，使用以下述方式製備之黏著劑組成物：相對於由BA 46質量份、丙烯酸2-乙基己酯37質量份、乙酸乙烯酯9質量份、AAc 6質量份、及馬來酸酐2質量份所構成之丙烯酸系共聚物(黏著劑主劑，固形物成分濃度30%)100質量份，添加作為交聯劑之甲苯-2,6-二異氰酸酯(Toyochem股份有限公司製造，製品名「BHS-8515」，固形物成分濃度：37.5%)2.18質量份，進行30分鐘攪拌。 (基材B) 以成為厚度25μm之方式製造在聚醯亞胺樹脂分散有氮化硼填料之膜而設為基材B。氮化硼填料相對於基材的總質量之含有率係設為50質量%。 (基材C) 使用於高耐熱特殊聚酯(製品名「Torcena」，厚度50μm，Toray股份有限公司製造)的一表面蒸鍍有銅之膜作為基材C。所蒸鍍之銅的厚度係設為0.1μm。 (基材D) 使用PET膜(厚度50μm)作為基材D。

(附有端子的半導體裝置之準備) 評價實施例及比較例的端子保護用雙面帶的埋入性時，準備以下之附有端子的半導體裝置。 ・附有端子的半導體裝置 半導體裝置的大小：6mm×6mm 端子的高度：50μm 端子直徑：250μm 端子間間距：400μm 端子的數量：13×13＝169個

[導熱率之測定] 使用熱擴散率-導熱率測定裝置(ai-Phase(股)製造，製品名「ai-Phase Mobile 1u」)，測定基材、黏彈性層、第2黏著劑層的熱擴散率。 然後，根據下述計算式(2)，算出基材、黏彈性層、第2黏著劑層的導熱率。 此外，基材、黏彈性層、第2黏著劑層的比熱係藉由DSC法算出，密度係藉由阿基米德法算出。 導熱率(W/(m・K))＝熱擴散率×密度×比熱   式(2)

[濺鍍時的端子保護用雙面帶的表面溫度之測定] 藉由後述之方法於實施例及比較例的端子保護用雙面帶載置附有端子的半導體裝置。於該端子保護用雙面帶中之未載置附有端子的半導體裝置之黏彈性層表面(第1黏著劑層表面)的部位，貼附溫度測定用標籤(日油技研工業公司製造，真空用熱標籤)，利用耐熱帶保護該標籤的表面。於後述之條件對該端子保護用雙面帶進行濺鍍。然後，將耐熱帶剝離，藉此確認濺鍍時的端子保護用雙面帶的表面溫度。

[濺鍍處理] 將圖1的形態的端子保護用雙面帶1之第2黏著劑層15側的剝離膜22剝離，於無鹼玻璃(Corning公司製造，EagleXG，100mm見方，0.7mm厚)上，經由第2黏著劑層貼附實施例、比較例的端子保護用雙面帶，設為測定用之樣品。對該樣品，以如下方式載置附有端子的半導體裝置。 如圖3中的(a)所示，使前述附有端子的半導體裝置的端子一側為下方，以加壓壓力(荷重1.1MPa)、加壓時間40s、加熱溫度50℃壓抵於該黏彈性層12，從而將附有端子的半導體裝置載置於端子保護用雙面帶。 然後，於下述條件下藉由濺鍍來成膜出銅層。 ・靶：銅 ・方法：DC磁控濺鍍 ・施加方法：DC500W ・基材加熱：150℃ ・載氣：氬 ・成膜壓力：3.4Pa 藉由目視觀察濺鍍後的端子保護用雙面帶的表面(第1黏著劑層表面)。將表面無裂紋以及／或者褶皺、剝離等表面的粗糙之樣品設為合格(A)，將表面有裂紋以及／或者褶皺、剝離等表面的粗糙之樣品設為不合格(B)。

[實施例1] 將埋入層形成用組成物A塗敷於聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面，於100℃進行1分鐘加熱乾燥後，於埋入層形成用組成物A上，層壓聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之剝離膜(琳得科公司製造的「SP-PET382150」，厚度38μm)的剝離處理面，製造厚度50μm之埋入層。其次，於厚度10μm之第1黏著劑層B貼合厚度50μm之埋入層A。繼而，將埋入層A側的剝離膜剝離，與基材A貼合。最後，於基材之與埋入層A相反的一側，積層前述第2黏著劑層A，製造圖1所示之形態的實施例1的端子保護用雙面帶1。 使用端子保護用雙面帶1，進行濺鍍處理，測定濺鍍時的端子保護用雙面帶1的表面溫度，藉由目視觀察濺鍍後的端子保護用雙面帶1的表面。黏彈性層、基材A、第2黏著劑層的導熱率、濺鍍時的端子保護用雙面帶1的表面溫度、以及濺鍍後的端子保護用雙面帶1的表面的觀察結果示於表1。另外，濺鍍後的端子保護用雙面帶1的表面(第1黏著劑層表面)的照片示於圖6。

[實施例2] 使用基材B代替基材A，除此以外，以與實施例1相同的方式，製造端子保護用雙面帶2。 使用端子保護用雙面帶2，進行濺鍍處理，測定濺鍍時的端子保護用雙面帶2的表面溫度，藉由目視觀察濺鍍後的端子保護用雙面帶2的表面。黏彈性層、基材B、第2黏著劑層的導熱率、濺鍍時的端子保護用雙面帶2的表面溫度、以及濺鍍後的端子保護用雙面帶2的表面的觀察結果示於表1。另外，濺鍍後的端子保護用雙面帶2的表面(第1黏著劑層表面)的照片示於圖7。

[比較例1] 使用基材C代替基材A，除此以外，以與實施例1相同的方式，製造端子保護用雙面帶3。 使用端子保護用雙面帶3，進行濺鍍處理，測定濺鍍時的端子保護用雙面帶3的表面溫度，藉由目視觀察濺鍍後的端子保護用雙面帶3的表面。黏彈性層、基材C、第2黏著劑層的導熱率、濺鍍時的端子保護用雙面帶3的表面溫度、以及濺鍍後的端子保護用雙面帶3的表面的觀察結果示於表1。另外，濺鍍後的端子保護用雙面帶3的表面(第1黏著劑層表面)的照片示於圖8。

[比較例2] 使用基材D代替基材A，除此以外，以與實施例1相同的方式，製造端子保護用雙面帶4。 使用端子保護用雙面帶4，進行濺鍍處理，測定濺鍍時的端子保護用雙面帶4的表面溫度，藉由目視觀察濺鍍後的端子保護用雙面帶4的表面。黏彈性層、基材D、第2黏著劑層的導熱率、濺鍍時的端子保護用雙面帶4的表面溫度、以及濺鍍後的端子保護用雙面帶4的表面的觀察結果示於表1。另外，濺鍍後的端子保護用雙面帶4的表面(第1黏著劑層表面)的照片示於圖9。

[比較例3] 將埋入層A的厚度設為160μm，除此以外，以與比較例2相同的方式，製造端子保護用雙面帶5。 使用端子保護用雙面帶5，進行濺鍍處理，測定濺鍍時的端子保護用雙面帶5的表面溫度，藉由目視觀察濺鍍後的端子保護用雙面帶5的表面。黏彈性層、基材D、第2黏著劑層的導熱率、濺鍍時的端子保護用雙面帶5的表面溫度、以及濺鍍後的端子保護用雙面帶5的表面的觀察結果示於表1。另外，濺鍍後的端子保護用雙面帶5的表面(第1黏著劑層表面)的照片示於圖10。

[表1]

	各層的厚度 (μm)	導熱率 W/(m・K)	表面溫度 (℃)	表面的狀態
	第2黏著劑層	基材	黏彈性層	第2黏著劑層	基材	黏彈性層
實施例1	20	56.0	60	0.21	10	0.18	150＜T≦160	A
實施例2	20	25.0	60	0.21	5.0	0.18	150＜T≦160	A
比較例1	20	50.1	60	0.21	0.03	0.18	160＜T≦170	B
比較例2	20	50.0	60	0.21	0.03	0.18	160＜T≦170	B
比較例3	20	50.0	170	0.21	0.03	0.18	170＜T≦180	B

根據表1所示之結果，確認到於使用本發明的實施例的端子保護用雙面帶，將附有端子的半導體裝置進行電磁波遮蔽時，藉由黏彈性層、基材、第2黏著劑層之中至少1層為導熱層，即使於塗佈導電材料之濺鍍步驟中，亦能夠抑制前述端子保護用雙面帶的表面溫度的上升以及面粗糙。 [產業可利用性]

本發明的端子保護用雙面帶能夠用於在將附有端子的半導體裝置進行電磁波遮蔽時，保護附有端子的半導體裝置的端子之用途。使用本發明的端子保護用雙面帶，能夠將附有端子的半導體裝置進行電磁波遮蔽，從而能夠製造附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置。

1:端子保護用雙面帶 6:附有端子的半導體裝置集合體 10:電磁波遮蔽膜 11:基材 12:黏彈性層 13:埋入層 14:第1黏著劑層 15:第2黏著劑層(貼合黏著劑層) 20,22:剝離膜 30:支撐體 60:半導體裝置集合體 61,62:電子零件 63:電路基板 63a:端子形成面 64:密封樹脂層 65:附有端子的半導體裝置 66:附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置 91:端子 101:導電性樹脂

[圖1]係以示意方式表示本發明的端子保護用雙面帶的一實施形態之剖視圖。 [圖2]係以示意方式表示本發明的端子保護用雙面帶的另一實施形態之剖視圖。 [圖3]係以示意方式表示本發明的附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法的一實施形態之剖視圖。 [圖4]係以示意方式表示本發明的附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法的另一實施形態之剖視圖。 [圖5]係以示意方式表示本發明的附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法的另一實施形態之剖視圖。 [圖6]係濺鍍後的實施例1的端子保護用雙面帶的表面(第1黏著劑層表面)的照片。 [圖7]係濺鍍後的實施例2的端子保護用雙面帶的表面(第1黏著劑層表面)的照片。 [圖8]係濺鍍後的比較例1的端子保護用雙面帶的表面(第1黏著劑層表面)的照片。 [圖9]係濺鍍後的比較例2的端子保護用雙面帶的表面(第1黏著劑層表面)的照片。 [圖10]係濺鍍後的比較例3的端子保護用雙面帶的表面(第1黏著劑層表面)的照片。

1:端子保護用雙面帶

11:基材

12:黏彈性層

13:埋入層

14:第1黏著劑層

15:第2黏著劑層(貼合黏著劑層)

20,22:剝離膜

Claims (8)

1. 一種端子保護用雙面帶，係用於在附有端子的半導體裝置形成電磁波遮蔽膜之步驟； 具有黏彈性層、基材、及第2黏著劑層； 前述黏彈性層、前述基材、前述第2黏著劑層之中至少1層為導熱層。
2. 如請求項1所記載之端子保護用雙面帶，其中前述黏彈性層、前述基材、及前述第2黏著劑層之中2層以上為導熱層。
3. 如請求項1或2所記載之端子保護用雙面帶，其中前述導熱層的導熱率為1.0W/(m・K)以上。
4. 如請求項1或2所記載之端子保護用雙面帶，其中前述導熱層的總厚度相對於前述端子保護用雙面帶的總厚度為0.01以上。
5. 如請求項1或2所記載之端子保護用雙面帶，其中前述黏彈性層具有埋入層及第1黏著劑層。
6. 如請求項5所記載之端子保護用雙面帶，依序具有前述第1黏著劑層、前述埋入層、前述基材、及前述第2黏著劑層。
7. 一種附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，包括： 使附有端子的半導體裝置的端子埋設於如請求項1至6中任一項所記載之端子保護用雙面帶的黏彈性層之步驟；以及 於未埋設於前述端子保護用雙面帶的黏彈性層之前述附有端子的半導體裝置的露出面形成電磁波遮蔽膜之步驟。
8. 一種附有電磁波遮蔽膜的半導體裝置的製造方法，包括： 使附有端子的半導體裝置集合體的端子埋設於如請求項1至6中任一項所記載之端子保護用雙面帶的黏彈性層之步驟； 切割前述附有端子的半導體裝置集合體，將前述附有端子的半導體裝置集合體製成為於前述端子保護用雙面帶的黏彈性層埋設有端子之附有端子的半導體裝置之步驟；以及 於未埋設於前述端子保護用雙面帶的黏彈性層之前述附有端子的半導體裝置的露出面形成電磁波遮蔽膜之步驟。

Images