TW202037761A - 於製造一半導體裝置時用於選擇性移除矽氮化物的蝕刻溶液及方法 - Google Patents

於製造一半導體裝置時用於選擇性移除矽氮化物的蝕刻溶液及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202037761A
TW202037761A TW109107955A TW109107955A TW202037761A TW 202037761 A TW202037761 A TW 202037761A TW 109107955 A TW109107955 A TW 109107955A TW 109107955 A TW109107955 A TW 109107955A TW 202037761 A TW202037761 A TW 202037761A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
etching solution
etching
ether
silicon nitride
Prior art date
Application number
TW109107955A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI738244B (zh
Inventor
葛智逵
李翊嘉
劉文達
Original Assignee
美商慧盛材料美國責任有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商慧盛材料美國責任有限公司 filed Critical 美商慧盛材料美國責任有限公司
Publication of TW202037761A publication Critical patent/TW202037761A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI738244B publication Critical patent/TWI738244B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

在本文中敘述一種蝕刻溶液以及使用該蝕刻溶液的方法，該蝕刻溶液包含水、磷酸溶液(水溶液)、如在本文中所揭露的一有機矽化合物以及一含羥基的水可互溶性溶劑。這些組成物對在製造具有矽氮化物和二氧化矽於其上的一微電子裝置的過程中，相對於二氧化矽能有效地選擇性將矽氮化物從該微電子裝置上移除。

Description

於製造一半導體裝置時用於選擇性移除矽氮化物的蝕刻溶液及方法
本專利申請案是一美國臨時專利申請案號 62/816,806 的非臨時案，其在 2019年 3月 11日申請，被併入在本文中作為整體的參考。
本發明的例示性實施態樣係有關一種蝕刻組成物，尤其是有關在最小化一氧化物膜的蝕刻速率時，能選擇性移除一氮化物膜的一種高選擇性蝕刻組成物，以及有關一種包含一使用該蝕刻組成物的蝕刻製程的製造一半導體的方法。
選擇性 Si3 N4 犧牲物去除是用於 3D NAND記憶體裝置製造的關鍵性步驟之一。在該蝕刻製程之後，去除Si3 N4 ，留下具有SiO2 鰭狀物的該 SiO2 核芯未改變。傳統上，Si3 N4 蝕刻可以藉由在 160 °C下的熱磷酸完成，然而該 Si3 N4 蝕刻相對於矽或二氧化矽材料的選擇性通常是低的。
由於半導體裝置越來越高度集成化，該等半導體裝置的可靠度和電性特性，就更容易受到構成該半導體裝置的該等層材的破壞或變形的影響。因此，當使用一蝕刻劑進行一選擇性地去除一特定材料层的蝕刻製程時，最好是該蝕刻劑應具備對於其他材料層有較高的蝕刻選擇性以及該蝕刻製程產生較低的附產物以便降低製程缺陷。
因此，在具有如此高集成化的情況下，在 3D NAND製造中對選擇性 Si3 N4 犧牲物去除的材料選擇性要求變得更關鍵性，直截了當地說就是需要在蝕刻該 Si3 N4 層時有效地保留該 SiO2 層未改變。所以，在此技藝中有需要進一步抑制該 SiO2 蝕刻速率，以得到一更高的 Si3 N4 相對 SiO2 的選擇性。
在一方面，本發明提供一種相對於二氧化矽選擇性將矽氮化物從一微電子裝置上移除的蝕刻溶液，其包含水、磷酸溶液(水溶液)、具有一化學結構由式A表示之一有機矽化合物： (R4 O)3-m SiR2 R3 m A 其中R2 與R3 各自獨立地選自一氫原子、一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一C5 至 C12 芳基、一C2 至C10 直鏈或支鏈烯基、一C2 至 C10 直鏈或支鏈炔基和一含有官能基團的部分，其中該官能基團係至少一選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、醯脲、異氰酸酯、異氰脲酸酯和氫硫基所組成的群組，R4 選自一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一 C3 至 C10 直鏈或支鏈烯基和一 C3 至C10 直鏈或支鏈炔基、一C5 -C12 芳基以及其中 m =0、1或 2；以及一含羥基的水可互溶性溶劑。
在另一方面，本發明提供一種選擇性地增進在包含矽氮化物和二氧化矽的一複合物半導體裝置(或微電子裝置)上的矽氮化物相對於二氧化矽的蝕刻速率的方法，該方法包括以下的步驟： 使包含矽氮化物和二氧化矽的該複合物半導體裝置(或微電子裝置)與一組成物接觸，該組成物包含水、磷酸溶液(水溶液)、具有一化學結構由式A表示之一有機矽化合物： (R4 O)3-m SiR2 R3 m A R2 與R3 各自獨立地選自一氫原子、一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一C5 至 C12 芳基、一C2 至C10 直鏈或支鏈烯基、一C2 至 C10 直鏈或支鏈炔基和一含有官能基團的部分，其中該官能基團係至少一選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、醯脲、異氰酸酯、異氰脲酸酯和氫硫基所組成的群組，R4 選自一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一 C3 至 C10 直鏈或支鏈烯基和一 C3 至C10 直鏈或支鏈炔基、一C5 -C12 芳基以及其中 m =0、1或 2；以及一含羥基的水可互溶性溶劑； 以及在該矽氮化物至少部分被移除後，漂洗該複合物半導體裝置(或微電子裝置)，其中相對於二氧化矽蝕刻矽氮化物的選擇性是超過約 1000。
本發明的實施態樣可被單獨或彼此結合運用。
本發明提供相對於二氧化矽的矽氮化物高選擇性，這在當製造記憶體裝置中的矽氮化物和二氧化矽的交替層數增加至 30以上或 40以上或 48以上或更多時，是特別地重要。
在本文中引述的所有的參考資料，包括公開文獻、專利申請案和專利案，在本文被併入作同等程度的參考，如同每一個文獻被各別明確表示併入在本文作參考並闡明完整。
在敘述本發明(特別是以下的申請專利範圍)所使用的「一」和「該」以及類似指稱概念的詞語是要用來說明包含單數與複數，除非在本文中另有所指或上下文有明確反說。「包括」、「具有」、「包含」和「含有」的這些詞語是要用來說明開放性詞語(亦即表示「包含，但不限定」，除非另有所說明。在本文中數值的範圍的敘述僅要用來作為各別指稱落入在範圍內的每個單獨數值一種簡便方式，除非本文中另有所指，且每個單獨數值係被併入至本說明書內，如同在本文中各別提到的。在本文中提到的所有方法可以任何適當的順序來進行，除非在本文中另有所指或上下文有明確反說。在本文中提及使用的任何和所有實施例或例示性文字(舉例而言，「例如」)係僅要用來較佳說明本發明，並不構成限制本發明的範圍，除非有不同的訴求。本說明書中的文字沒有應被解釋為指稱任何非請求元件對實施本發明是必要的。
本發明的較佳實施態樣係在本文中敘述，包含本案發明人所知的實施本發明的最佳實施態樣。那些較佳實施態樣的各種變化態樣在一般熟於此技術人士在一閱讀前述描述時就可以明白易知。本案發明人預期熟於此技術人士能適當地運用這些變化態樣，且本案發明人計畫本發明被實施，除了在本文中有明確敘述之外。因此，本發明包含在本文中所附隨的且為適用法所允許的申請專利範圍中所提及的標的之所有變化和等同態樣。再者，在本發明的所有可能的變化態樣中的上述元件的任何組合係為本發明所包含，除非在本文中另有所指或上下文有明確反說。
本發明係整體而言有關於在製造具有矽氮化物和二氧化矽於其上的一微電子裝置的過程中，用於相對於二氧化矽將矽氮化物從一微電子裝置上選擇性移除的組成物。
為便於參考， 「微電子裝置」係相當於半導體基材(晶圓)、平板顯示器、相變化記憶體裝置、太陽能板和包含太陽基板、光伏和微機電系統(MEMS)的其他產品，其係被製造用來使用在微電子、積體電路或電腦晶片應用上。太陽基板包含，但不限於矽、非晶矽、多晶矽、單晶矽、CdTe、銅銦硒、銅銦硫化物和在鎵上的砷化鎵。該等太陽基板可以是摻雜或未摻雜。應該要理解的是該「微電子裝置」詞語不代表限制在任一方面且包含最終成為一微電子裝置微電子組裝的任何基材。「半導體裝置」詞語可與微電子裝置交換地使用。「複合物」詞語可用來敘述半導體裝置或微電子裝置，以表示至少有超過一種材料存在於該半導體裝置之上或之內的一或多層、薄膜、圖案和導通孔等，一層可以是該基材，該基材可以是一矽晶圓。
如在本文中的界定，「低k介電材料」係相當於用來作為一分層的微電子裝置中的一介電材料的任何材料，其中該材料具有一低於約3.5介電常數。較佳地，該低k介電材料包含低極性材料，例如含矽有機聚合物、含矽混雜有機/無機材料、有機矽酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化矽酸鹽玻璃(FSG)、二氧化矽和碳摻雜氧化物(CDO)玻璃。應當要理解的是該低k介電材料可具有變化的密度和變化的孔隙率。
如在本文中的界定，該「阻隔材料」詞語係相當於在此技術中用來密封該等金屬線例如銅內連線，以減低該金屬例如銅擴散至該介電材料。較佳的阻隔層材料包含鉭、鈦、釕、鉿和其它耐火金屬以及它們的氮化物和矽化物。
「實質上不含」在本文中的界定是低於1 wt. % (重量百分比)，較佳是低於0.5wt. %，更佳是低於0.1wt. %以及更佳是低於0.01wt. %。「實質上不含」亦包含0.000wt. %。該「不含」詞語係表示0.000wt. %或更低。
在本文中所使用的「約」係指相當於所述數值的 ±5% 。
在所有的這些組成物中，其中該組成物的特定組成份是以包括零下限的重量百分比範圍來參照討論，可以理解的是這些組成份可以存在或不存在於該組成物的各種特定實施態樣中，且在這些組成份存在的某些情況下，它們可以以與0.001重量百分比一樣低的濃度存在，係根據在該組成物的總重量中，這些組成份的用量。
在這方面的廣泛的實務中，本發明的該蝕刻溶液包括、主要組成含有或組成含有水、磷酸、一如在本文中所揭露的有機矽化合物和含羥基水可互溶性溶劑。
在某些態樣中，在本文中所揭露的該蝕刻溶液組成物可以配方成實質上不含以下化合物的至少一種：過氧化氫和其他過氧化物、銨離子、銨鹽，例如檸檬酸銨、醋酸銨和硫酸銨，氟化物離子、氫氟酸、氟化銨、含氟化合物、含硫化合物和研磨材料。
在其它態樣中，在本文中所揭露的該蝕刻溶液組成物可以配方成實質上不含以下化合物的至少一種：過氧化氫和其他過氧化物、銨離子、氟化物離子和研磨材料。 水
本發明的該蝕刻組成物包括水。在本發明中，水有各種方面的作用，例如溶解該組成物的一或多種組成份，作為該等組成份的一載體，作為去除殘餘物的一酸，作為該組成物的一黏度調節劑和作為一稀釋劑。較佳地，該蝕刻組成物中使用的水係去離子(DI)水。在一些態樣中，只有在放入其它組成份，例如磷酸(在以下敘述)，至通常或僅商業上是以水溶液型式取得的該組成物時，該水會加入該組成物。
普遍上認為對大部分的應用而言，該蝕刻組成物會包括例如約1.0%至約 20%重量計的水。本發明的其它較佳態樣可以包括例如約5.0%至約 15%重量計的水。本發明的另外其它較佳態樣可以包含的水的用量是使得到其他成份所欲的重量百分比。本發明的組成物中的水含量可以是以一個具有選自由以下重量百分比： 1、2、3、4、 5、6、7、8、9、 10、11、12、13、14、15、16、 17、 18、19、 20所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量。在其他的實例中，該蝕刻組成物將包括約 8.0%至約 18%重量計或約 10%至約 18%重量計的水。 磷酸
本發明的該蝕刻組成物包括磷酸。該磷酸主要作用是蝕刻矽氮化物。可以使用商業級的磷酸。一般而言，該商業上可取得的磷酸是 80%至 85%的水溶液。在一較佳態樣中，使用電子級的磷酸溶液，其中這樣的電子級溶液通常具有一微粒數低於100顆粒/毫升，且其中該些顆粒的尺寸少於或等於 0.5微米以及金屬離子存在於該酸內是每公升百萬分之一至十億分之一的低濃度。在某些態樣中，沒有其它的酸類例如氫氟酸、硝酸或其等的混合物加入至本發明的溶液。
普遍上認為對大部分的應用而言，該組成物可包括從約70%至約99.99%或從約70%至約95%重量計的磷酸量(水溶液)。純的磷酸量，也就是把加入至本發明的組成物的磷酸溶液中的水排除，可以是從約55%至約85%或從約55%至約85%重量計的該組成物。或者，加入至本發明的組成物的純的磷酸量，可以是以一個具有選自由以下重量百分比：55、58、 60、62、65、 67、70、71、72、 73、 74、 75、 76、77、 78、79、 80、 81、82、83、84和 84.96所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量，例如從約55%至約84.86%、或從約60%至約84%、或從約70%至約84%或從約75%至約83%重量計的該組成物。為清楚起見，如果10公克的一 85%磷酸水溶液被加入至該組成物，則 8.5公克的磷酸和 1.5公克的水會被加入至該組成物，所以，按純量來計算，8.5公克的磷酸被加入至該組成物以及1.5公克的水是被加入至該組成物的全部水量。 含羥基水可互溶性溶劑
本發明的該蝕刻組成物包括含羥基水可互溶性溶劑。該含羥基水可互溶性溶劑主要作用是保護該二氧化矽以致於是該矽氮化物優先並選擇性地被蝕刻，且亦可增進加入至該組成物的該磷酸和任何其它組成份之間的可混性。
含羥基水可互溶性溶劑的種類包括，但不限於，烷烴二醇和多元醇(包括，但不限於，烷二醇)、二醇類、烷氧基醇(包括但不限於二醇單醚)、飽和脂族一元醇、未飽和非芳香烴一元醇和具有一環結構的低分子量醇類。
水溶性烷烴二醇和多元醇的實例，例如(C2 -C20 ) 烷二醇類和 (C3 -C20 ) 烷三醇類，包含，但不限於，2-甲基-1,3-丙二醇、1,3-丙二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、 1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、 2,3-丁二醇和片呐醇(pinacol)。
水溶性烷二醇的實例包含，但不限於，乙二醇、丙二醇、二甘醇、二丙烯甘醇、三甘醇和四甘醇。
水溶性烷氧基醇的實例包含，但不限於，3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇、1-甲氧基-2-丁醇和水溶性二醇單醚類。
水溶性二醇單醚類的實例包含，但不限於，乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單正丙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單正丁基醚、二甘醇單乙基醚、二甘醇單丁基醚、三甘醇單乙基醚、三甘醇單丁基醚、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲氧基-1-丙醇、 1-乙氧基-2-丙醇、 2-乙氧基-1-丙醇、丙二醇單正丙基醚、二丙烯甘醇單甲基醚、二丙烯甘醇單乙基醚、二丙烯甘醇單正丙基醚、三甘醇單乙基醚、三甘醇單甲基醚和乙二醇單苯基醚、二甘醇單苯基醚和其等的混合物。
水溶性飽和脂族一元醇的實例包含，但不限於，甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、2-戊醇、三級戊醇、1-己醇和其等的混合物。
水溶性未飽和非芳香烴一元醇的實例包含，但不限於，烯丙醇、炔丙醇、2-丁烯醇、3-丁烯醇、4-戊烯--2-醇和其等的混合物。
水溶性具有一環結構的低分子量醇類的實例包含，但不限於，α-松油醇、四氫糠醇、糠醇、1,3-環戊二醇和其等的混合物。
普遍上認為對大部分的應用而言，該組成物可包括從約1.0%至約30%或從約3%至約25%重量計的該含羥基水可互溶性溶劑。當使用時，該組成物可包括從約3%至約15%或從約5%至約15%重量計的該含羥基水可互溶性溶劑。另外，本發明的該組成物中的該含羥基水可互溶性溶劑的量，可以是以一個具有選自由以下重量百分比：0.5、 1、 2、 3、 4、5、 6、 7、 8、 9、10、 11、 12、 13、 14、 15、16、17、18、19、 20、 22、25、 27和30所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量。額外的態樣可包括該含羥基水可互溶性溶劑的量佔該組成物從約1%至約10%或從約1%至約8%重量計。 有機矽化合物
本發明的該蝕刻組成物包括有機矽化合物。該有機矽化合物主要作用是保護該二氧化矽以致於大體上只有該矽氮化物被選擇性地蝕刻。
在一些態樣中，該有機矽化合物係至少一具有一化學結構由式A表示之一有機矽化合物： (R4 O)3-m SiR2 R3 m A
其中 R2 與R3 各自獨立地選自一氫原子、一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一C5 至 C12 芳基、一C2 至C10 直鏈或支鏈烯基、一C2 至 C10 直鏈或支鏈炔基和一含有官能基團的部分，其中該官能基團係至少一選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、醯脲、異氰酸酯、異氰脲酸酯和氫硫基所組成的群組，R4 選自一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一 C3 至 C10 直鏈或支鏈烯基和一 C3 至C10 直鏈或支鏈炔基、一C5 -C12 芳基以及其中 m =0、1或 2。式A的例示性化合物包含，但不限於甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、三甲氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基二乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷和二乙氧基二乙烯基矽烷。
當R2 例如是各自一含有官能基團的部分，其中該官能基團係至少一選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、醯脲、異氰酸酯、異氰脲酸酯和氫硫基所組成的群組時，式A化合物的實例包含乙烯基三甲氧基矽烷和乙烯基三乙氧基矽烷(是式A具有乙烯基官能基團的實例)；2-(3,4環氧環己基) 乙基三甲氧基矽烷、3-(2,3-環氧丙氧)丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(2,3-環氧丙氧)丙基三甲氧基矽烷、3-(2,3-環氧丙氧)丙基甲基二乙氧基矽烷和3-(2,3-環氧丙氧)丙基三乙氧基矽烷(是式A具有環氧基官能基團的實例)；對-苯乙烯基三甲氧基矽烷(是式A具有苯乙烯基官能基團的實例)；3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、 3-甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧丙基甲基二乙氧基矽烷和3-甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷(是式A具有甲基丙烯醯氧基官能基團的實例)；3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷(是式A具有丙烯醯氧基官能基團的實例)；N-2-(胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3 二甲基-亞丁基)丙胺、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷和N-(乙烯基苄基)-2-胺乙基-3-胺丙基三甲氧基矽烷 鹽酸鹽(是式A具有胺基官能基團的實例)；以及3-脲丙基三烷氧基矽烷(是式A具有醯脲官能基團的實例)；3-異氰酸丙酯三乙氧基矽烷(是式A具有異氰酸酯官能基團的實例)；三-(三甲氧基矽基丙基)異氰脲酸酯(是式A具有異氰脲酸酯官能基團的實例)；以及3-氫硫基丙基甲基二甲氧基矽烷和3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷(是式A具有氫硫基官能基團的實例)。
在並非要被一特定理論限定下，普遍上認為一旦加入該有機矽化合物，該有機矽化合物會與該水反應並只要有水存在就會形成一水解產物。 在矽上蝕刻基團的水解速率通常視該溶液的 pH和水濃度而定。舉例而言，甲基三甲氧基矽烷的水解可以在酸性和鹼性的兩種條件下進行。普遍上認為在該水解的有機矽化合物中的該等羥基不是與在該矽基板表面上的該等羥基反應，就是與在該矽基板表面上的該等羥基以某種方式聯合，以便產生一保護層因而讓對矽氮化物的選擇性大大提升。
普遍上認為對大部分的應用而言，該組成物可包括從約0.001%至約15%重量計的該有機矽化合物的量。較佳地，當使用時，該組成物可包括從約0.1%至約10%重量計的該有機矽化合物。另外，本發明的該組成物中的該有機矽化合物的量，可以是以一個具有選自由以下重量百分比：0.001、 0.01、 0.1、 1、 2、 3、 4、5、 6、 7、 8、 9、10、 11、 12、 13、 14和 15所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量，例如該有機矽化合物佔該組成物從約0.1%至約12%或從約0.1%至約8%重量計。 矽酸(可選擇的)
在本文中所揭露的該蝕刻溶液組成物可選擇地包含矽酸。若使用該矽酸，有助於保護該氧化矽和增加該矽氮化物蝕刻的選擇性。
若使用該矽酸，該組成物會是通常包括從約0.001%至約5.0%重量計的該矽酸的量，且較佳地是從約0.01%至約2.0%重量計。在其它態樣中，當使用時，該組成物可包括從約0.02%至約0.08%重量計的該矽酸。另外，本發明的該組成物中的矽酸的量，可以是以一個具有選自由以下重量百分比：0、0.001、 0.003、 0.004、0.005、 0.007、0.01、 0.03、0.05、 0.07、0.09、 0.1、0.3、 0.5、0.7、 0.9、 1、 2、 3、 4、5、 6、 7和  8所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量，例如該矽酸佔該組成物從約0.001%至約3%或從約0.01%至約3%重量計。 磷酸三乙酯(可選擇的)
在本文中所揭露的該蝕刻溶液組成物可選擇地包含一磷酸酯化合物，例如磷酸三乙酯(TEPO)和/或磷酸三甲酯(TMPO)。若使用該磷酸酯化合物，係作為一補充溶劑的功用。
若使用該磷酸酯化合物，例如磷酸三乙酯，該組成物會是通常包括從約0.05%至約15%重量計和較佳地，從約0.1%至約5%重量計的該磷酸三乙酯的量。在其它態樣中，當使用時，該組成物包括約2%重量計的該磷酸三乙酯。本發明的該組成物中的磷酸酯化合物的量，可以是以一個具有選自由以下重量百分比：0、0.005、 0.1、0.5、1、 2、 3、 4、5、 6、 7、8、9、10、 11、 12、 13、 14和 15所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量，例如該磷酸酯化合物佔該組成物從約0.5%至約8%或從約1%至約6%重量計。 在另外的其它態樣中，該組成物可實質上不含或不含除了該磷酸以外的含磷的添加組成份。 界面活性劑(可選擇的)
本發明的該等組成物可選擇地包含至少一水溶性非離子界面活性劑。界面活性劑用作為有助於去除殘餘物。
該水溶性非離子分散劑的實例包含月桂醇聚氧乙烯醚、鯨蠟醇聚氧乙烯醚、硬脂醇聚氧乙烯醚、油醇聚氧乙烯醚、高級醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇辛基苯基醚、聚乙二醇壬基苯基醚、聚氧乙烯衍生物、聚氧乙烯山梨醇酐月桂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐三硬脂酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐單油酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐三油酸酯、聚氧乙烯山梨醇酐四油酸酯、聚乙二醇單月桂酸酯、聚乙二醇單硬脂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯、聚乙二醇單油酸酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯硬化蓖麻油、烷基烷醇酰胺和其等的混合物。
普遍上認為對大部分的應用而言，若該界面活性劑存在，該組成物會包括從約0.001%至約5%重量計的該界面活性劑的量。較佳地，該組成物是包括從約0.01%至約2.5%重量計和最佳地，從約0.1%至約1.0%重量計的該界面活性劑。本發明的該組成物中的該界面活性劑的量，可以是以一個具有選自由以下重量百分比：0、0.001、 0.003、 0.004、 0.005、0.007、0.01、0.03、0.05、0.07、0.09、 0.1、0.3、0.5、0.7、0.9、 1、1.5、 2、2.5、 3、3.5、 4和 5所組成的邊界點的任何組合的範圍所界定的任何量，例如該界面活性劑佔該組成物從約0.005%至約4%或從約0.01%至約3%重量計。
在一些態樣中，本發明的該等組成物可不含或實質上不含任何或所有以上所列的添加至該組成物的該等界面活性劑。 其它可選擇的成份
本發明的該蝕刻組成物亦可包含一或多種金屬螯合劑。金屬螯合劑可作為增加該組成物保留溶液中的金屬的能力以及促進金屬殘餘物的溶解。對此目的有效用的典型的螯合劑的實例是以下的有機酸類和它們的異構物類和鹽類：乙二胺四乙酸 (EDTA)、丁二胺四乙酸、(1,2-環己二胺)四乙酸(CyDTA)、 二乙烯三胺五乙酸(DETPA) 、乙二胺四丙酸、 (羥乙基) 乙二胺三乙酸(HEDTA) 、 N, N,N', N'-乙二胺四(甲叉膦酸) (EDTMP)、三乙四胺六乙酸(TTHA)、1,3-二胺基-2-羥基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸 (DHPTA)、甲基亞胺二乙酸、丙二胺四乙酸、氮基三乙酸(NTA)、檸檬酸、酒石酸、葡萄糖酸、葡萄糖二酸、甘油酸、草酸、 p鄰苯二甲酸、馬來酸、杏仁酸、丙二酸、乳酸、水楊酸、五倍子酸丙酯、五倍子酚、 8-羥基喹啉和半胱胺酸。較佳的螯合劑是氨基羧酸類，例如 EDTA、 CyDTA 以及氨基膦酸類，例如 EDTMP。
普遍上認為對大部分的應用而言，該螯合劑會佔該組成物的量從約0.1%至約10%重量計，較佳地，佔該組成物從約0.5%至約5%重量計。
在一些態樣中，本發明的該等組成物會不含或實質上不含任何或所有以上所列的添加至該組成物的該螯合劑。
本發明的該蝕刻溶液組成物通常是藉由在一室溫下將該等組成份一起混合在一容器內，直到所有的固體已經溶解在該水性媒介中。 方法
在另一方面，在本文中提供一種選擇性地增進在包含矽氮化物和二氧化矽的一複合物半導體裝置(或微電子裝置)上的矽氮化物相對於二氧化矽的蝕刻速率的方法，該方法包括以下的步驟： 使包含矽氮化物和二氧化矽的該複合物半導體裝置(或微電子裝置)與一組成物接觸，該組成物包含、主要由以下所組成或由以下所組成：水、磷酸溶液(水溶液)、具有一化學結構由式A表示之一有機矽化合物： (R4 O)3-m SiR2 R3 m A 其中 R2 與R3 各自獨立地選自一氫原子、一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一C5 至 C12 芳基、一C2 至C10 直鏈或支鏈烯基、一C2 至 C10 直鏈或支鏈炔基和一含有官能基團的部分，其中該官能基團係至少一選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、醯脲、異氰酸酯、異氰脲酸酯和氫硫基所組成的群組，R4 選自一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一 C3 至 C10 直鏈或支鏈烯基和一 C3 至C10 直鏈或支鏈炔基、一C5 -C12 芳基以及其中 m =0、1或 2；以及一含羥基的水可互溶性溶劑； 以及在該矽氮化物至少部分被移除後，漂洗該複合物半導體裝置(或微電子裝置)，其中相對於二氧化矽蝕刻矽氮化物的選擇性是超過約1000。一額外的乾燥步驟亦可包含在該方法中。「至少部分移除」係表示移除該物質的至少90%，較佳是至少95%的移除。最佳是使用本發明的該等組成物有至少99%的移除。
該接觸步驟可藉由任何合適的方法來進行，例如浸潤、噴灑或經由一單晶程序。 在該接觸步驟時的該組成物的溫度較佳從約 100 至 200 °C 以及更佳從約140至180 °C。甚至更佳地，在該接觸步驟時的該組成物的溫度是約160 °C 。
在較佳的態樣中，從本發明的該組成物所觀測到的相對於二氧化矽蝕刻矽氮化物的選擇性一般是超過約1500，較佳是超過約2000以及最佳是超過約2500。
該漂洗步驟可藉由任何合適的方法來進行，例如用去離子水藉由浸潤或噴灑技術來漂洗該基板。在較佳的態樣中，該漂洗步驟是使用去離子水和一水溶性有機溶劑，例如異丙醇的一混合物來進行。
該乾燥步驟是藉由任何合適的方法來進行，例如異丙醇(IPA)蒸氣乾燥、加熱或藉由向心力。
在一些態樣中， 該等晶圓可藉由將它們與一稀釋的氫氟酸(DHF)接觸達10秒至10分鐘來進行預先處理，該稀釋的氫氟酸(DHF)可以是H2O:HF = 100:1的一組成物。在一些態樣中，該預先處理可進行3分鐘。
在以下所討論的該等說明性實例，更完全地實證該等特徵與優點。 實例 製備該等蝕刻組成物的一般程序
為本發明實例的主題的所有組成物係藉由在一250毫升的燒杯內，用1英吋塗覆鐵氟龍的攪拌棒混合該等組成份來製備。通常被加至該燒杯的第一物質是去離子(DI)水，通常下一個加入的是磷酸，接著是該含羥基的水可互溶性溶劑以及隨後的該等其餘的組成份。 該基板的組成物
在本發明實例中所使用的每一個 20毫米 x 20毫米的試樣包含一在一矽基板上的一層矽氮化物Si3 N4 。另外的實例包含一在一矽基板上的一層SiO2 ，以便測定該二氧化矽的該蝕刻速率。 進行的反應條件 使用100公克的該等蝕刻組成物在一250毫升的燒杯內，用1/2英吋圓型鐵氟龍攪拌棒，設定在300 rpm的轉速，進行蝕刻測試。該等蝕刻組成物在一熱板上被加熱至一約160 °C的溫度。當攪拌時，該等試樣被浸潤在該等組成物內達約 8(SiNx) 至 60 (SiOx)分鐘。該等SiN試樣在一燒杯內，在室溫下，以1:100 DHF預先處理達3分鐘，經過漂洗和乾燥以及之後，以該蝕刻組成物在160 °C下，接觸該等試樣達 8分鐘。
然後將該等部分在一DI水浴或噴灑中漂洗達3分鐘，並且接著使用過濾氮乾燥。該矽氮化物和二氧化矽蝕刻速率在蝕刻之前和之後被估算其厚度的變化，並用全光譜橢圓偏光測厚儀(MG-1000, Nano-View Co., Ltd., 南韓)來測量。一般來說，Si3 N4 的起始層厚度是 4395 埃以及SiO2 的起始層厚度是 229 埃。
以下一系列的表列顯示被評估的該等蝕刻組成物的許多方面的評鑑。 表 1：溶劑添加
組成份 85% H3 PO4 實例 106-4 實例106-5 實例106-6 實例106-7 實例106-8 實例106-9
85% H3 PO4 100.0 70.0 70.0 70.0 70.0 90.0 90.0
DMSO   30.0          
環丁碸     30.0        
丙二醇(PG)       30.0   10.0  
二丙二醇甲醚(DPGME)         30.0   10.0
總計 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0
SiN蝕刻速率(埃/分鐘) 111 54 98 115 97 116 112
SiOx蝕刻速率 (埃/分鐘) 3.3 1.7 1.9 1.1 0.7 2.1 3.1
SiN對 SiOx 選擇性 33.6 31.8 51.6 104.5 138.6 55.2 36.1
表1的試樣的該等反應條件是在160 °C下達 20分鐘。
在表1的結果顯示，SiO2 的蝕刻被添加的各種溶劑抑制。DMSO的添加降低Si3 N4 和SiO2 兩者的蝕刻速率而不改變選擇性。環丁碸的添加更降低SiO2 的蝕刻速率並讓選擇性增加至54。具有–OH基團的PG和DPGME的添加大大抑制SiO2 的蝕刻速率並讓選擇性各別增加至104和137。然而，當添加PG和DPGME時，該蝕刻劑在加熱後變得黏稠。PG和DPGME的添加量被減低至10%重量計，以減低蝕刻劑黏度。添加量在10%重量計的 SiO2 的蝕刻降低度比在30%重量計的SiO2 的蝕刻降低度要較小。由於Si3 N4 的蝕刻並未被明顯地影響，添加量10%重量計的PG和DPGME的蝕刻選擇性比只有85%H3 PO4 仍是較高，但遠低於添加量在30%重量計的PG和DPGME。雖然添加量降低至10%重量計，該等蝕刻溶液仍然黏稠。 表 2：含羥基溶劑的評估
組成份 85% H3 PO4 實例 106-6 實例 106-7 實例 113-1 實例 113-2 實例 113-2
85% H3 PO4 100.0 70.0 70.0 70.0 70.0 70.0
丙二醇(PG)   30.0        
二丙二醇甲醚 (DPGME)     30.0      
乙二醇(EG)       30.0    
甘油         30.0  
α-松油醇           30.0
總計 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0
SiN蝕刻速率(埃/分鐘) 111 115 97 88 93 119
SiOx 蝕刻速率 (埃/分鐘) 3.3 1.1 0.7 2.4 1.6 3.4
SiN 對 SiOx選擇性 33.6 104.5 138.6 36.7 58.1 35.0
表2的試樣的該等反應條件是在160 °C下達 20分鐘。
EG和甘油的添加降低Si3 N4 和SiO2 的蝕刻速率。然而SiO2 蝕刻的抑制沒有像在PG和DPGME中所觀測到的那樣巨大。α-松油醇的添加並未明顯地改變Si3 N4 和SiO2 兩者的蝕刻速率。最後，蝕刻選擇性的獲得沒有像在PG和DPGME中所觀測到的那樣巨大。EG的添加使得起泡在該蝕刻溶液中產生。甘油的添加使得在溫度上升時該溶液變得黏性，但比添加PG和DPGME的黏性要低。 表 3：有機矽化合物的評估
組成物 85% H3 PO4 85% H3 PO4 + 0.1M 氟矽酸銨((NH4 )2 SiF6 85% H3 PO4 + 0.1M矽酸 85% H3 PO4 + 0.1M四乙氧基矽烷(TEOS) 85% H3 PO4 + 0.1M HF 85% H3 PO4 + 0.1M 矽酸 + 0.03M HF 85% H3 PO4 + 0.1M TEOS + 0.03M HF
SiN蝕刻速率(埃/分鐘) 111 1592 110 104 316 245 259
SiOx 蝕刻速率(埃/分鐘) 3.3 ＞112 0.4 0.3 20.5 0.8 0.7
SiN 對SiOx 選擇性 33.6 ＜14.2 275.0 346.7 15.4 306.3 370.0
將每一個組成物與該等試樣接觸的該等反應條件是在160 °C下達 20分鐘，該等試驗結果記錄在表3中。SiN晶圓用DHF預先處理達3分鐘，且之後漂洗和乾燥。
(NH4 )2 SiF6 含有帶大量F的Si，因此該蝕刻速率非常快速。該SiO2 膜用0.1 M的添加可在兩分鐘內完全移除。矽酸和TEOS的添加使得SiO2 的蝕刻速率大大降低為選擇性各別是268 和 312。這是因為它們的化學結構類似於SiO2 。在並非要被一特定理論限定下，矽酸和TEOS可有助於SiO2 的形成並降低SiO2 的蝕刻。 Si(OH)4 → SiO2 + 2H2 O (在水中平衡). Si(OC2 H5 )4 + 4H2 O → Si(OH)4 + 4C2 H5 OH (水解) Si(OH)4 → SiO2 + 2H2 O (縮合)
由於矽酸和TEOS的添加得到高蝕刻選擇性，在矽酸和TEOS的存在中，添加HF (0.03M)以增加Si3 N4 的蝕刻速率。添加HF在矽酸和TEOS中增加SiO2 的蝕刻速率兩倍。然而，由於Si3 N4 的蝕刻速率增加許多，該選擇性增加至312和370。添加HF和矽基的添加物兩者會成功地增加Si3 N4 的蝕刻速率並具有一Si3 N4 對SiO2 的高蝕刻選擇性。迄今而言，Si3 N4 的蝕刻速率在~260埃/分鐘且370的蝕刻選擇性是最佳的。 表 4：添加矽酸的評估
化學物 85% H3 PO4 實例 28-1 實例 28-2 實例 28-3
85% H3 PO4 100.000 99.950 99.980 99.995
矽酸   0.050 0.020 0.005
總計 100.000 100.000 100.000 100.000
SiN蝕刻速率 (埃/分鐘) 192 182 185 191
SiOx蝕刻速率 (埃/分鐘) 2.94 0.09 0.52 3.00
SiN 對 SiOx選擇性 65.3 2022.2 355.8 63.7
對記錄在表4中的該等結果而言，處理該等SiN試樣的程序是去在室溫下於一燒杯內，以1:100DHF預先處理達3分鐘且之後漂洗和乾燥，以便將該等試樣與該蝕刻組成物在160 °C下接觸達 8分鐘。處理該等SiOx試樣的程序是去將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 60分鐘。
在矽酸濃度降低從0.05至 0.005 %重量計時， Si3 N4 增加，但 SiO2 蝕刻速率增加更多，如此，Si3 N4 / SiO2 選擇性降低。與H3 PO4 +矽酸作比較， H3 PO4 + 0.005 % 重量計矽酸會增加 SiO2 蝕刻速率至20倍和 Si3 N4 蝕刻速率至 ~9 %。得到的結論是矽酸濃度應該在約0.05 % 重量計以便具有2000:1蝕刻選擇性。然而，該等含矽酸化學物顯示氧化物再生長在該二氧化矽上，造成一阻塞問題，這是表示該矽氮化物層被該再生長阻塞，使該蝕刻組成物無法到達在該圖案化結構上的該等矽氮化物層。 表 5：添加甲基三甲氧基矽烷(TMMS)
化學物 85% H3 PO4 實例 505-1 實例 505-2 實例 505-3
85% H3 PO4 100.00 97.64 98.00 98.41
甲基三甲氧基矽烷 (TMMS)   2.36 2.00 1.59
總計 100.00 100.00 100.00 100.00
SiN蝕刻速率(埃/分鐘), @室溫/3分鐘 192 140 142 147
SiOx蝕刻速率(埃/分鐘), 2.94 0.05 0.03 0.12
SiN對SiOx 選擇性 65.3 2800.0 4733.3 1225.0
對記錄在表5中的該等結果而言，處理該等SiN試樣的程序是去在室溫下於一燒杯內，以1:100DHF預先處理達3分鐘且之後漂洗和乾燥，以便將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 8分鐘。處理該等SiOx試樣的程序是去將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 60分鐘。
在矽酸濃度2 %重量計時，TMMS的蝕刻選擇性較該目標選擇性2000:1高。H3 PO4 + 1.59 % 重量計TMMS並沒有達到選擇性2000:1，因為SiO2 的該蝕刻速率增加較多。在用含TMMS化學物處理時，沒有看到氧化物再生長和阻塞問題在圖案化結構上。 表 6：
化學物 實例 505-2 實例YL-001 實例YL-002 實例119A 實例119B
85% H3 PO4 98.00 93.00 95.00 95.40 95.80
甲基三甲氧基矽烷(TMMS) 2.00 2.00 2.00 1.60 1.20
TEPO   5.00 3.00 3.00 3.00
總計 100.00 100.00 100.00 100.00 100.00
可混性@室溫 (如所配製) 混濁 透明 透明 透明 透明
可混性@室溫 (24小時老化) 混濁 略不透明 略不透明 略不透明 透明
可混性@160C 透明 透明 透明 透明 透明
可混性@室溫 (測試後，冷卻) 透明 透明 透明 透明 透明
SiN蝕刻速率(埃/分鐘) 142 133 138 143 147
SiOx蝕刻速率(埃/分鐘) 0.03 0.17 0.05 0.1 0.16
SiN 對 SiOx選擇性 4733.3 782.4 2760.0 1430.0 918.8
對記錄在表6中的該等結果而言，處理該等SiN試樣的程序是去在室溫下於一燒杯內，以1:100DHF預先處理達3分鐘，且漂洗和乾燥該等試樣，然後以便將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 8分鐘。處理該等SiOx試樣的程序是去將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 60分鐘而沒有一預先處理步驟。
如所配製的實例 YL-001 和YL-002沒有A1，是透明的，但在24小時攪拌後，變成略不透明。 兩者在160 °C下沸騰後成透明。YL-002 顯示選擇性是 2,760，較該目標選擇性 2000:1 為高。YL-001 顯示選擇性是782，較該目標選擇性為低，因為SiO2 蝕刻速率比 YL-002 要高 3倍。如所配製的實例 119A是透明的，但在24小時攪拌後，變成略不透明。它在160 °C下沸騰後成透明且在冷卻至室溫後仍是透明。實例 119B 含有1.2 % 重量計的TMMS,它在所有的四個時點是透明的。實例 119A 和 B顯示選擇性各別是1,430和 919，較該目標選擇性2000:1為低。當加至H3 PO4 + 3 %重量計TEPO 的TMMS的濃度減低時，Si3 N4 和 SiO2 兩者的蝕刻速率增加。因為該SiO2 蝕刻速率的加增比Si3 N4 蝕刻速率的加增要來得大, 在較低的TMMS濃度下，蝕刻選擇性降低。 表 7：
化學物 實例 YL-002 實例  119G 實例 119E 實例 119N
85% H3 PO4 95.00 93.00 93.00 95.00
甲基三甲氧基矽烷(TMMS) 2.00 2.00 2.00 2.00
TEPO 3.00      
乙酸   5.00    
乙醇     5.00  
乙酸乙酯       3.00
總計 100.00 100.00 100.00 100.00
可混性@室溫 (如所配製) 透明 不透明 透明 透明
可混性@室溫 (24小時老化) 略不透明 混濁 混濁 不透明
可混性@160C 透明 透明 透明 透明
可混性@室溫 (測試後，冷卻) 透明 透明 透明 透明
SiN蝕刻速率(埃/分鐘) 138 148 146 145
SiOx蝕刻速率(埃/分鐘) 0.05 0.1 0.05 0.07
SiN對SiOx 選擇性 2760.0 1480.0 2920.0 2071.4
對記錄在表 7中的該等結果而言，處理該等SiN試樣的程序是去在室溫下於一燒杯內，以1:100DHF預先處理達3分鐘，且之後漂洗和乾燥該等試樣，以便將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 8分鐘。處理該等SiOx試樣的程序是去將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 60分鐘而沒有一預先處理步驟。
實例119G是不透明的，但在24小時攪拌後，變成混濁。它在160 °C下沸騰後變成透明且在冷卻至室溫後仍是透明。實例119E是透明的，但在24小時攪拌後，變成混濁。它在160 °C下沸騰後變成透明且在冷卻至室溫後仍是透明。實例119N是透明的，但在24小時攪拌後，變成不透明的。它在160 °C下沸騰後變成透明且在冷卻至室溫後仍是透明。實例119G顯示選擇性是 1480，較該目標選擇性為低。實例119E顯示選擇性是2920，較該目標選擇性2000:1為高。  實例119N 顯示選擇性是 2071，較該目標選擇性2000:1為高。 帶有較低極性的添加溶劑顯示較佳的可混性(乙酸乙酯＞乙醇＞乙酸) ，但實例119E顯示較佳的選擇性， 所以我們專注在研究醇類在以下測試的效果。在一些態樣中，具有一低於 0.8、或低於 0.7 或低於 0.6 或低於 0.5或低於 0.4 或低於 0.3 的極性的溶劑是較佳的，其中水具有極性1。另外或是或者，在一些態樣中，具有一低於10個碳或低於8個碳或低於個碳的溶劑是較佳的。 表 8：
化學物 實例119E 實例119M 實例119P 實例119Q
85% H3 PO4 93.00 93.00 95.00 95.00
甲基三甲氧基矽烷(TMMS) 2.00 2.00 2.00 2.00
乙醇 5.00      
異丙醇   5.00    
2-丁醇     3.00  
2-甲基-2-丙醇       3.00
總計 100.00 100.00 100.00 100.00
可混性@室溫 (如所配製) 透明 略不透明 透明 透明
可混性@室溫 (24小時老化) 混濁 不透明 不透明 透明
可混性@160C 透明 略不透明，略淡黃色 透明 透明，略淡黃色
可混性@室溫 (測試後，冷卻) 透明 略不透明，略淡黃色 透明 透明，略淡黃色
SiN蝕刻速率(埃/分鐘) 146 148 158 153
SiOx蝕刻速率(埃/分鐘) 0.05 0.07 0.14 0.06
SiN 對SiOx選擇性 2920.0 2114.3 1128.6 2550.0
對記錄在表 8中的該等結果而言，處理該等SiN試樣的程序是去在室溫下於一燒杯內，以1:100DHF預先處理達3分鐘，且之後漂洗和乾燥該等試樣，以便將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 8分鐘。處理該等SiOx試樣的程序是去將該等試樣與每一個蝕刻組成物在160 °C下接觸達 60分鐘而沒有一預先處理步驟。
實例119M是略不透明的，但在24小時攪拌後，變成更不透明。它在160 °C下沸騰後且甚至在冷卻至室溫後，仍是不透明和淡黃色。實例119P是透明的，但在24小時攪拌後，變成不透明。它在160 °C下沸騰後變成透明且在冷卻至室溫後仍是透明。實例119Q是透明的，但在24小時攪拌後，仍是透明的。它在160 °C下沸騰後和在冷卻至室溫後亦是透明的，但變成略淡黃色。實例119M顯示選擇性是2114，較該目標選擇性2000:1為高。實例119P顯示選擇性是1129埃/分鐘，較目標選擇性為低。 實例119Q顯示選擇性是 2550埃/分鐘，較該目標選擇性2000:1為高。實例119Q達到該目標選擇性並顯示好的可混性。另外，實例119Q在一圖案化結構上的性能顯示沒有薄化SiOx層，且沒有氧化物再生長，而SiN層是完全除去。 表 9：選擇配方的性能 表 9A：圖案化晶圓
蝕刻劑 製程時間(分鐘) Si3 N4 蝕刻速率 Si3 N4 蝕刻速率 對 H3PO4 Si3 N4 蝕刻速率 底部/頂部 (%) 氧化物再生長/ 黏度
H3 PO4         2.5 ＞116 1 107  
5 ＞102 1 85  
10 ＞107 1 78  
20 ＞99 1 108 再生長
30 ＞95 1 107 再生長
H3 PO4 + 0.05 % 重量計矽酸 2.5 120 1 174  
5 112 1.1 104  
10 110 1 126 再生長 和阻塞
20 96 1 117 再生長 和阻塞
30 100 1.1 114 再生長 和阻塞
H3 PO4 + 2 %重量計 TMMS 2.5 88 0.8 83  
5 94 0.9 121  
10 79 0.7 131  
20 91 0.9 97  
30 77 0.8 109  
表 9B：無圖案晶圓(Si3 N4 達 8 分鐘， SiO2達 1 小時)
Si3 N4 蝕刻速率 Si3 N4 蝕刻速率對H3 PO4 SiO2 蝕刻速率 選擇性 (Si3 N4 /SiO2 )
192 1 294 65.3
182 0.95 0.09 2,022.2
142 0.74 0.03 4,733.3
前面敘述係主要用來作為例示性說明。雖然本發明以一實例性態樣來顯示和描述，但熟於此技術領域的人士明白前述和各種其他變化、省略和增加，在其形式和細節上可在本文中在沒有背離本發明的精神和範圍的情形下被製作。
無
無
無

Claims (19)

  1. 一種相對於二氧化矽選擇性將矽氮化物從一微電子裝置上移除的蝕刻溶液，其包含： 水； 磷酸溶液(水溶液)； 具有一化學結構由式A表示之一有機矽化合物： (R4 O)3-m SiR2 R3 m A 其中R2 與R3 各自獨立地選自一氫原子、一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一C5 至 C12 芳基、一C2 至C10 直鏈或支鏈烯基、一C2 至 C10 直鏈或支鏈炔基和一含有官能基團的部分，其中該官能基團係至少一選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、胺基、醯脲、異氰酸酯、異氰脲酸酯和氫硫基所組成群組的基團；R4 選自一C1 至C10 直鏈烷基、一C3 至 C10 支鏈烷基、一C3 至 C10 環狀烷基、一 C3 至 C10 直鏈或支鏈烯基和一 C3 至C10 直鏈或支鏈炔基、一C5 -C12 芳基以及其中 m =0、1或 2；以及 一含羥基的水可互溶性溶劑。
  2. 如請求項1的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係選自由一烷烴二醇或多元醇、一二醇、一烷氧基醇、一飽和脂族一元醇、一未飽和非芳香烴一元醇和一具有一環結構的醇所組成的群組。
  3. 如請求項2的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該烷烴二醇或多元醇並選自由 2-甲基-1,3-丙二醇、1,3-丙二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、 1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、 2,3-丁二醇和片呐醇(pinacol) 所組成的群組。
  4. 如請求項2的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該二醇並選自由乙二醇、丙二醇、二甘醇、二丙烯甘醇、三甘醇和四甘醇所組成的群組。
  5. 如請求項2的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該烷氧基醇並選自由3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、3-甲氧基-1-丁醇、1-甲氧基-2-丁醇和一二醇單醚所組成的群組。
  6. 如請求項2的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該飽和脂族一元醇並選自由甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、三級丁醇、2-戊醇、三級戊醇和1-己醇所組成的群組。
  7. 如請求項2的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該未飽和非芳香烴一元醇並選自由烯丙醇、炔丙醇、2-丁烯醇、3-丁烯醇和4-戊烯-2-醇所組成的群組。
  8. 如請求項5的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該二醇單醚並選自由乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單正丙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單正丁基醚、二甘醇單乙基醚、二甘醇單丁基醚、三甘醇單乙基醚、三甘醇單丁基醚、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲氧基-1-丙醇、 1-乙氧基-2-丙醇、 2-乙氧基-1-丙醇、丙二醇單正丙基醚、二丙烯甘醇單甲基醚、二丙烯甘醇單乙基醚、二丙烯甘醇單正丙基醚、三甘醇單乙基醚、三甘醇單甲基醚和乙二醇單苯基醚、二甘醇單苯基醚所組成的群組。
  9. 如請求項2的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係該具有一環結構的醇並選自由α-松油醇、四氫糠醇、糠醇和1,3-環戊二醇所組成的群組。
  10. 如請求項1的蝕刻溶液，其中該含羥基水可互溶性溶劑係為二丙烯甘醇單乙基醚 (DPGME)。
  11. 如請求項10的蝕刻溶液，其中該二丙烯甘醇單乙基醚(DPGME)係以從約5%至約15%重量計的含量存在。
  12. 如請求項1-11中任一項的蝕刻溶液，其中該有機矽化合物係至少一選自由甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、三甲氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基二乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷和二乙氧基二乙烯基矽烷所組成的群組。
  13. 如請求項12的蝕刻溶液，其中該有機矽化合物係為甲基三甲氧基矽烷。
  14. 如請求項1-13中任一項的蝕刻溶液，其進一步包含矽酸。
  15. 一種在包含矽氮化物和二氧化矽的一微電子裝置上相對於二氧化矽選擇性地增進矽氮化物蝕刻速率的方法，該方法包括以下的步驟： 使包含矽氮化物和二氧化矽的該微電子裝置與如請求項1-14中任一項的該組成物接觸；以及 在該矽氮化物被至少部分移除後，漂洗該微電子裝置，其中相對於二氧化矽蝕刻矽氮化物的選擇性是超過約100。
  16. 如請求項15的方法，其進一步包含乾燥該微電子裝置的步驟。
  17. 如請求項15的方法，其中相對於二氧化矽蝕刻矽氮化物的選擇性是從約100至約5000。
  18. 如請求項15的方法，其中相對於二氧化矽蝕刻矽氮化物的選擇性是從約125至約5000。
  19. 如請求項15的方法，其中該接觸的步驟係在約160 °C的溫度下進行。
TW109107955A 2019-03-11 2020-03-11 於製造一半導體裝置時用於選擇性移除矽氮化物的蝕刻溶液及方法 TWI738244B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962816806P 2019-03-11 2019-03-11
US62/816,806 2019-03-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202037761A true TW202037761A (zh) 2020-10-16
TWI738244B TWI738244B (zh) 2021-09-01

Family

ID=72427705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109107955A TWI738244B (zh) 2019-03-11 2020-03-11 於製造一半導體裝置時用於選擇性移除矽氮化物的蝕刻溶液及方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11955341B2 (zh)
EP (1) EP3938465A4 (zh)
JP (1) JP2022524543A (zh)
KR (1) KR20210126782A (zh)
CN (1) CN113557287B (zh)
SG (1) SG11202109515QA (zh)
TW (1) TWI738244B (zh)
WO (1) WO2020185762A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210026307A (ko) * 2019-08-29 2021-03-10 에스케이이노베이션 주식회사 식각 조성물, 이를 이용한 절연막의 식각방법 및 반도체 소자의 제조방법
WO2022241126A1 (en) * 2021-05-12 2022-11-17 Entegris, Inc. Selective etchant compositions and methods
JP2023168669A (ja) * 2022-05-16 2023-11-29 関東化学株式会社 窒化ケイ素エッチング液組成物
CN115873599B (zh) * 2022-10-10 2024-05-17 湖北兴福电子材料股份有限公司 氮化硅/氧化硅的3d nand结构片的选择性蚀刻液

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050159011A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-21 Thirumala Vani K. Selective etching silicon nitride
SG177201A1 (en) 2006-12-21 2012-01-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride
JP5332197B2 (ja) * 2007-01-12 2013-11-06 東ソー株式会社 エッチング用組成物及びエッチング方法
KR20080079999A (ko) 2007-02-28 2008-09-02 토소가부시키가이샤 에칭 방법 및 그것에 이용되는 에칭용 조성물
WO2012174518A2 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching silicon nitride
TWI561615B (en) * 2012-07-24 2016-12-11 Ltc Co Ltd Composition for removal and prevention of formation of oxide on surface of metal wiring
JP2014103179A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Fujifilm Corp 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法
US10920141B2 (en) 2013-06-06 2021-02-16 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
EP3039098B1 (en) * 2013-08-30 2020-09-30 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
KR20170009240A (ko) * 2015-07-16 2017-01-25 동우 화인켐 주식회사 비불소계 실리콘 질화막 식각 조성물
KR102443370B1 (ko) 2015-11-20 2022-09-15 동우 화인켐 주식회사 실리콘 질화막 식각액 조성물
KR20180087450A (ko) * 2015-12-21 2018-08-01 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 규소-함유 막의 증착을 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
US11186771B2 (en) * 2017-06-05 2021-11-30 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US11955341B2 (en) 2024-04-09
JP2022524543A (ja) 2022-05-06
US20220157613A1 (en) 2022-05-19
KR20210126782A (ko) 2021-10-20
CN113557287A (zh) 2021-10-26
WO2020185762A8 (en) 2024-05-02
EP3938465A4 (en) 2022-10-26
CN113557287B (zh) 2023-03-24
SG11202109515QA (en) 2021-09-29
WO2020185762A1 (en) 2020-09-17
EP3938465A1 (en) 2022-01-19
TWI738244B (zh) 2021-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7282938B2 (ja) 窒化ケイ素含有基板をエッチングするための組成物および方法
TWI738244B (zh) 於製造一半導體裝置時用於選擇性移除矽氮化物的蝕刻溶液及方法
JP7015214B2 (ja) 半導体デバイスの製造中に窒化ケイ素を選択的に除去するためのエッチング溶液
US7479474B2 (en) Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing
TWI797396B (zh) 氮化矽蝕刻組合物及方法
KR20100091974A (ko) 손상 없이 반도체를 습식 세척하기 위한 높은 네거티브 제타 전위 다면체 실세스퀴옥산 조성물과 방법
CN113544822A (zh) 氮化硅蚀刻液组合物
CN109423290A (zh) 用于在制造半导体器件过程中相对于氮化钛选择性地去除氮化钽的蚀刻溶液
CN114269884A (zh) 用于高选择性氮化硅蚀刻的改良调配物
TW202128722A (zh) 用於製造半導體裝置期間之選擇性移除氮化矽之蝕刻組合物及方法
JP7096801B2 (ja) エッチング液
TW202113039A (zh) 蝕刻組成物
US20220228062A1 (en) Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device
TWI822057B (zh) 用於選擇性蝕刻氮化矽膜之組合物及方法
WO2023230394A1 (en) Formulated alkaline chemistry for polysilicon exhume