TW202034541A - Light-emitting device, light-emitting module, and method of manufacturing light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本發明係關於一種使用發光元件之發光裝置、發光模組及發光裝置之製造方法。The present invention relates to a light-emitting device, a light-emitting module, and a manufacturing method of the light-emitting device using light-emitting elements.
使用發光二極體(LED)等發光元件之發光裝置廣泛用於液晶顯示器之背光或顯示器等之光源。Light-emitting devices that use light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs) are widely used in backlights of liquid crystal displays or light sources for displays.
例如,專利文獻1揭示之光源裝置具備安裝於安裝基板之複數個發光元件、及複數個發光元件各者上之螢光體層,且於螢光體層之表面配置有反射層。For example, the light source device disclosed in
此種發光裝置因近年來之小型輕量化之趨勢,一方面講求更小型、薄型化,一方面要求更高亮度化,尤其謀求改善發光元件發出之光之提取效率。 [先前技術文獻] [專利文獻]Due to the recent trend of miniaturization and weight reduction of such light-emitting devices, on the one hand, it is required to be smaller and thinner, on the other hand, higher brightness is required, and in particular, it is sought to improve the extraction efficiency of light emitted by the light-emitting element. [Prior Technical Literature] [Patent Literature]
[專利文獻1]日本專利特開2012-204614號公報[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2012-204614
[發明所欲解決之問題][The problem to be solved by the invention]
本發明之目的之一在於提供一種進而提高光提取效率之發光裝置、發光模組及發光裝置、發光模組之製造方法。 [解決問題之技術手段]One of the objectives of the present invention is to provide a light-emitting device, a light-emitting module, and a manufacturing method of the light-emitting device and the light-emitting module that further improve the light extraction efficiency. [Technical means to solve the problem]
根據本發明之一形態之發光裝置,可提供一種發光裝置,其具備:發光元件,其具有:第一主表面,其設置有電極;該第一主表面之相反側之第二主表面;及與上述第一主表面及上述第二主表面連續之第一側面;波長轉換構件,其具有:第三主表面,其為具有較上述第二主表面更大之面積之矩形狀,且與上述第二主表面接合;與上述第三主表面相反之第四主表面;及與上述第三主表面及第四主表面連續之第二側面;且轉換上述發光元件發出之光之波長而發出不同波長之光;透光性接著構件,其連續覆蓋上述第一側面之上述第二主表面側與上述第三主表面之一部分;及第一光反射性構件,其覆蓋設置有上述透光性接著構件之上述第一側面,並於周圍具有第三側面;且上述第一光反射性構件含有具有光反射性之第一填料;垂直於上述第二主表面之方向之剖面中之上述第三側面彼此之距離,小於上述第二側面中上述第四主表面側之上述第二側面彼此之距離;上述波長轉換構件具有於上述第二側面中與上述第三主表面接近之區域傾斜的第一傾斜面;上述波長轉換構件於上述第一傾斜面之表面具有光反射性粒子。According to one aspect of the light-emitting device of the present invention, there can be provided a light-emitting device including: a light-emitting element having: a first main surface on which an electrode is provided; a second main surface opposite to the first main surface; and A first side surface continuous with the first main surface and the second main surface; a wavelength conversion member having: a third main surface having a rectangular shape with a larger area than the second main surface, and The second main surface is joined; the fourth main surface opposite to the third main surface; and the second side surface continuous with the third main surface and the fourth main surface; and the wavelength of the light emitted by the light emitting element is converted to emit different Wavelength of light; a light-transmitting adhesive member that continuously covers a portion of the second main surface side of the first side surface and the third main surface; and a first light-reflective member that is covered with the light-transmitting adhesive The first side surface of the member has a third side surface around it; and the first light-reflective member contains a first filler having light reflectivity; the third side surface in a cross section perpendicular to the direction of the second main surface The distance between each other is smaller than the distance between the second side surfaces on the fourth main surface side in the second side surface; the wavelength conversion member has a first inclination that is inclined in an area of the second side surface close to the third main surface Surface; The wavelength conversion member has light reflective particles on the surface of the first inclined surface.
又,根據本發明之另一形態之具備發光元件、波長轉換構件、透光性接著構件、第一光反射性構件之發光裝置之製造方法,可包含:準備:作為上述波長轉換構件之、於第一樹脂中混入螢光體之第一樹脂層;於上述第一樹脂層之上表面相互隔開而配置之複數個上述發光元件;及配置於鄰接之上述發光元件彼此間、作為上述第一光反射性構件之含有具有光反射性之第一填料之第二樹脂層的步驟;將上述第二樹脂層以特定間隔由具有第一厚度之第一刃切削而形成第一切削區域的步驟;及對上述第一切削區域插入具有較上述第一厚度更薄之第二厚度之第二刃,並切削處於上述第一切削區域正下方之上述第一樹脂層而形成第二切削區域,分割成各個發光裝置,並於各發光裝置之側面,於上述波長轉換構件之側面即第二側面中與上述第一光反射性構件接合之區域附近,形成自上述第二側面之平面傾斜之第一傾斜面,且使光反射性粒子附著於上述第一傾斜面的步驟。In addition, according to another aspect of the present invention, a method of manufacturing a light emitting device including a light emitting element, a wavelength conversion member, a light-transmitting adhesive member, and a first light-reflective member may include: preparing: A first resin layer in which a phosphor is mixed in a first resin; a plurality of the light-emitting elements arranged at intervals on the upper surface of the first resin layer; and a plurality of the light-emitting elements arranged between adjacent light-emitting elements as the first A step of a second resin layer of a light reflective member containing a first filler having light reflectivity; a step of cutting the second resin layer with a first blade having a first thickness at specific intervals to form a first cutting area; And inserting a second edge having a second thickness thinner than the first thickness into the first cutting area, and cutting the first resin layer directly below the first cutting area to form a second cutting area, which is divided into Each light-emitting device is formed on the side surface of each light-emitting device near the area where the first light-reflective member is joined to the side surface of the wavelength conversion member, that is, the second side surface, to form a first slope inclined from the plane of the second side surface The step of attaching light-reflective particles to the first inclined surface.
再者,本發明之又一形態之具備發光元件、波長轉換構件、透光性接著構件、第一光反射性構件之發光裝置之製造方法,可包含:準備:作為上述波長轉換構件之、於第一樹脂中混入螢光體之第一樹脂層;於上述第一樹脂層之上表面相互隔開而配置之複數個上述發光元件;及配置於鄰接之上述發光元件彼此間、作為上述第一光反射性構件之含有具有光反射性之第一填料之第二樹脂層的步驟;將上述第二樹脂層以特定間隔由具有第一厚度之第一刃切削而形成第一切削區域的步驟;及對上述第一切削區域插入具有較上述第一厚度更薄之第二厚度之第二刃,切削處於上述第一切削區域正下方之上述第一樹脂層而形成第二切削區域,分割成各個發光裝置,並於各發光裝置之側面,於上述第一光反射性構件之側面即第三側面中與上述波長轉換構件接合之區域附近,形成自上述第三側面之平面傾斜之第二傾斜面的步驟。 [發明之效果]Furthermore, a method of manufacturing a light-emitting device including a light-emitting element, a wavelength conversion member, a light-transmitting adhesive member, and a first light-reflective member according to another aspect of the present invention may include preparing: as the above-mentioned wavelength conversion member, A first resin layer in which a phosphor is mixed in a first resin; a plurality of the light-emitting elements arranged at intervals on the upper surface of the first resin layer; and a plurality of the light-emitting elements arranged between adjacent light-emitting elements as the first A step of a second resin layer of a light reflective member containing a first filler having light reflectivity; a step of cutting the second resin layer with a first blade having a first thickness at specific intervals to form a first cutting area; And inserting a second edge having a second thickness thinner than the first thickness into the first cutting area, cutting the first resin layer directly below the first cutting area to form a second cutting area, and dividing it into each The light-emitting device is formed on the side surface of each light-emitting device, and a second inclined surface inclined from the plane of the third side surface is formed in the vicinity of the area where the wavelength conversion member is joined to the side surface of the first light reflective member, that is, the third side surface A step of. [Effects of Invention]
根據本發明之一形態之發光裝置,於使發光裝置之發光元件發光時,使通過波長轉換構件之光根據第一傾斜面之傾斜方向而朝提取至外部之方向反射,且進而藉由配置於第一傾斜面之光反射性粒子使來自發光元件之光散射,而可增加提取至外部之成分,可提高發光裝置整體之光提取效率。According to the light-emitting device according to one aspect of the present invention, when the light-emitting element of the light-emitting device emits light, the light passing through the wavelength conversion member is reflected in the direction of extraction to the outside according to the inclination direction of the first inclined surface, and is further arranged in The light-reflective particles on the first inclined surface scatter the light from the light-emitting element, and can increase the components extracted to the outside, which can improve the light extraction efficiency of the entire light-emitting device.
以下,基於圖式詳細說明本發明。另,於以下說明中,根據需要使用表示特定方向或位置之用語(例如,「上」、「下」、及包含該等用語之其他用語),該等用語之使用乃是為了易於理解參照圖式之發明,而非由該等用語之意義來限制本發明之技術性範圍。又,複數圖式所示之相同符號之部分表示相同或同等之部分或構件。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the drawings. In addition, in the following description, terms that indicate a specific direction or location (for example, "up", "down", and other terms that include these terms) are used as needed. These terms are used for easy understanding of the reference map The invention does not limit the technical scope of the present invention by the meaning of these terms. In addition, the parts with the same symbols shown in the plural drawings represent the same or equivalent parts or components.
再者,以下所示之實施形態乃例示用以將本發明之技術性思想具體化之發光裝置、發光模組及發光裝置之製造方法者,並非將本發明限定於以下者。又,以下記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、及其相對性之配置等,若無特定記載,則為意欲例示者,而非意將本發明之範圍加以限定。又,一實施形態、實施例中說明之內容亦可應用於其他實施形態、實施例。又,為明示說明,而有誇大圖式所示之構件的大小或位置關係等情形。 [實施形態1] (液晶顯示裝置1000)Furthermore, the embodiments shown below are examples of light-emitting devices, light-emitting modules, and manufacturing methods of light-emitting devices for embodying the technical idea of the present invention, and do not limit the present invention to the following. In addition, the dimensions, materials, shapes, and relative arrangements of the components described below are intended to be illustrative, and not intended to limit the scope of the present invention, unless there is a specific description. In addition, the content described in one embodiment or embodiment can also be applied to other embodiments and embodiments. In addition, for clarification, the size or positional relationship of the components shown in the drawings may be exaggerated. [Embodiment 1] (Liquid crystal display device 1000)
圖1係顯示實施形態1之具備發光模組之液晶顯示裝置1000之各構成之構成圖。該液晶顯示裝置1000自上側起依序具備液晶面板120、2片透鏡片110a、110b、擴散片110c、及發光模組100。圖1所示之液晶顯示裝置1000係於液晶面板120之下方積層發光模組100之所謂之正下方型液晶顯示裝置。液晶顯示裝置1000將自發光模組100照射之光照射於液晶面板120。另,除上述構成組件以外,亦可進而具備偏光膜或彩色濾光片等構件。
(發光模組100)FIG. 1 is a structural diagram showing each structure of a liquid
於圖2及圖3中顯示實施形態1之發光模組100之構成。實施形態1之發光模組100為白色之面發光。圖2係本實施形態之發光模組之模式俯視圖。圖3係顯示實施形態1之發光模組之部分放大模式剖視圖。該等圖示之發光模組100具備光源即發光裝置3、及配置發光裝置3之導光板1。
(導光板1)The structure of the light-
導光板1具有作為朝外部放射光之發光面之導光板第一主表面1c(圖3中下表面)、及導光板第一主表面1c之相反側之導光板第二主表面1d(圖3中上表面)。於導光板1之導光板第二主表面1d,隔開而形成有複數個供配置發光裝置3之凹部1b。又,於凹部1b彼此之間形成槽1e。另一方面,可於導光板1之導光板第一主表面1c側,設置具有將來自發光裝置3之光反射或擴散之功能的光學功能部1a。The
再者,發光模組100具備被覆導光板1之導光板第二主表面1d側之第二光反射性構件16。又,發光模組100具備與凹部1b之內側面、及發光裝置3之外側面相接之透光性之接合構件14。Furthermore, the light-
圖2與圖3所示之發光模組100於1片導光板1上設置複數個凹部1b,且於各凹部1b配置有發光裝置3。惟發光模組亦可如圖4之模式底視圖所示,可將於導光板1'設置一個凹部1b且於凹部1b中配置發光裝置3者排列複數個而作為發光模組100'。
(發光裝置3)In the
圖5顯示發光裝置3之模式剖視圖。該圖所示之發光裝置3具備發光元件11、覆蓋發光元件11之第二主表面11c之波長轉換構件12、透光性接著構件19、及覆蓋發光元件11之第一側面11e之第一光反射性構件15。FIG. 5 shows a schematic cross-sectional view of the light-emitting
又,圖5之發光裝置3以波長轉換構件12被覆發光元件11之第二主表面11c。再者,波長轉換構件12具有與發光元件11之第二主表面11c接合之第三主表面12c、第四主表面12d、及連接該等第三主表面12c與第四主表面12d之第二側面12e。第三主表面12c為具有較第二主表面11c更大之面積之矩形狀,且與第二主表面11c接合。該波長轉換構件12將發光元件11發出之光之波長予以轉換而發出不同波長之光。In addition, the light-
另一方面,以透光性接著構件19連續覆蓋發光元件11之第一側面11e中之第二主表面11c側、與第三主表面12c之一部分。再者,以第一光反射性構件15覆蓋設置有透光性接著構件19之發光元件11之第一側面11e。又,第一光反射性構件15於周圍具有第三側面15e。
(發光元件11)On the other hand, the light-transmitting
發光元件11具有第二主表面11c、該第二主表面11c之相反側之第一主表面11d、及第二主表面11c與第一主表面11d之間之第一側面11e。於第一主表面11d具有正負一對電極11b。該發光元件11主要自第二主表面11c放射光,對覆蓋第二主表面11c之波長轉換構件12照射光。The
發光元件11例如具有藍寶石等透光性基板、及積層於透光性基板之上之半導體積層構造。半導體積層構造包含發光層、及夾著發光層之n型半導體層及p型半導體層,且於n型半導體層及p型半導體層,分別電性連接電極11b即n側電極及p側電極。發光元件11之例如具備透光性基板之第二主表面11c與導光板1對向配置,且於第二主表面11c之相反側之第一主表面11d具有一對電極11b。The light-emitting
作為發光元件11,縱、橫及高度尺寸無特別限制,但較佳使用俯視時縱及橫之尺寸為1 mm以下之半導體發光元件,更佳為縱及橫之尺寸為0.5 mm以下,進而較佳使用縱及橫之尺寸為0.25 mm以下之發光元件。若使用此種發光元件,則可於進行液晶顯示裝置之區域調光時,實現高精細影像。又,若使用縱及橫之尺寸為0.5 mm以下之發光元件,則發光元件之成本效率變佳,可使發光模組100低成本化。另,縱及橫之尺寸兩者皆為0.25 mm以下之發光元件,因發光元件之上表面之面積變小,故相對地來自第一側面11e之光之出射量變多。即,此種發光元件易形成為蝠翼形狀,因而較佳用於發光元件與導光板接合、且發光元件與導光板之距離極短之本實施形態之發光模組。As the light-emitting
又,發光元件11之高度較佳設為0.10 mm~0.25 mm。發光元件11之高度較佳為,於將發光裝置3安裝於導光板1之凹部1b之狀態下,發光元件11之第一主表面11d自凹部1b突出。In addition, the height of the
發光元件11於俯視時可為任何形狀,例如正方形或長方形。高精細之液晶顯示裝置中使用之發光元件如為長方形,則於發光元件之安裝步驟中,即便複數個發光元件之一部分之發光元件發生旋轉偏移,但藉由使用俯視時為長方形之發光元件,容易以目視確認。又,因可將p型電極與n型電極之距離分開而形成,故可容易地進行後述之配線之形成。另一方面,若使用俯視時為正方形之發光元件,可量產性佳地製造較小之發光元件。發光元件11之密度(排列間距)、即發光元件11間之距離係由導光板1上設置凹部1b之間隔而決定,例如,可為0.06 mm~20 mm左右,較佳為1 mm~10 mm左右。另,發光元件11之排列間距為鄰接之2個發光元件11之中心間之距離。發光元件11設計為配置於發光裝置3之大致中心,因而,發光裝置3之排列間距亦同樣為0.06 mm~20 mm左右,較佳為1 mm~10 mm左右。The
又,圖4之例中,配置為發光裝置3之各外側面與凹部1b之各內側面大致平行,但本發明未限定於該配置,亦可設為以例如發光裝置之中心為軸,相對於四邊形之凹部1b旋轉45°之配置。In addition, in the example of FIG. 4, the outer side surfaces of the light-emitting
發光元件11可使用周知之半導體發光元件。於本實施形態中,作為發光元件11,例示發光二極體。As the
作為發光元件11,可選擇出射任意波長之光的元件。例如,作為出射藍色、綠色之光之元件,可使用採用了氮化物系半導體(Inx
Aly
Ga1-x-y
N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)或GaP之發光元件加以使用。又,作為出射紅色之光之元件,可使用包含GaAlAs、AlInGaP等之半導體之發光元件。再者,亦可使用包含該等以外之材料之半導體發光元件。藉由變更半導體層之材料及其混晶度,可使發光波長變化。所使用之發光元件之組成、發光色、大小、個數等,只要根據目的適宜選擇即可。
(波長轉換構件12)As the light-emitting
波長轉換構件12以覆蓋發光元件11之第二主表面11c之方式配置。該波長轉換構件12以第三主表面12c接收由第二主表面11c出射之光,將該光之波長予以轉換而自第四主表面12d出射。例如,波長轉換構件12包含由來自發光元件11之光激發而發出不同波長之光的螢光體。如此將發光元件11發出之光中透過波長轉換構件12之成分、與經波長轉換構件12波長予以轉換後之成分相混,而出射混色光。The
波長轉換構件12可為使波長轉換物質分散於作為母材之第一樹脂者。又,亦可以複數層構成波長轉換構件12。例如,可由複數層波長轉換部層構成波長轉換構件。或者,可將波長轉換構件設為於母材添加有波長轉換物質之第一層、及將於母材添加有擴散材之光擴散部作為第二層的二層構造。The
作為母材之第一樹脂之材料,可使用例如環氧樹脂、聚矽氧樹脂、混合了該等之樹脂、或玻璃等透光性材料。基於波長轉換構件12之耐光性及易成形性之觀點,選擇聚矽氧樹脂作為第一樹脂較為有利。又,作為波長轉換構件12之母材,較佳為具有較導光板1之材料更高之折射率的材料。As the material of the first resin of the base material, a translucent material such as epoxy resin, silicone resin, resin mixed with these, or glass can be used. From the viewpoints of light resistance and easy moldability of the
對於波長轉換構件12所含有之波長轉換物質,可適當地使用螢光體。例如,列舉YAG螢光體、β塞隆螢光體、KSF系螢光體或MGF系螢光體等氟化物系螢光體、氮化物螢光體等。作為組成式之具體例,可列舉以下通式(I)、(II)、(III)。For the wavelength conversion substance contained in the
(其中,上述通式(I)中,A為選自由K+
、Li+
、Na+
、Rb+
、Cs+
及NH4+
組成之群中之至少1種,M為選自由第4族元素及第14族元素組成之群中之至少1種元素,a滿足0<a<0.2。) (In the above general formula (I), A is at least one selected from the group consisting of K + , Li + , Na + , Rb + , Cs + and NH 4+ , and M is selected from the group 4 elements And at least one element in the group consisting of
(其中,上述通式(II)中,Ma為選自Ca、Sr、Ba、Zn之至少1種,Mb為選自Sc、La、Lu之至少1種,Mc為選自Ca、Sr、Ba、Zn之至少1種,X為選自F、Cl之至少1種,Md為選自Ti、Sn、Zr之至少1種,Me為選自B、Al、Ga、In之至少1種。此外,關於x、y、a、b、c、d、e,為2≦x≦4、0<y≦2、0≦a≦1.5、0≦b<1、0≦c≦2、0≦d≦0.5、0≦e<1) (Wherein, in the above general formula (II), Ma is at least one selected from Ca, Sr, Ba, and Zn, Mb is at least one selected from Sc, La, and Lu, and Mc is selected from Ca, Sr, Ba , Zn at least one kind, X is at least one kind selected from F, Cl, Md is at least one kind selected from Ti, Sn, Zr, Me is at least one kind selected from B, Al, Ga, In. , For x, y, a, b, c, d, e, 2≦x≦4, 0<y≦2, 0≦a≦1.5, 0≦b<1, 0≦c≦2, 0≦d ≦0.5, 0≦e<1)
(其中,上述通式(III)中,Ma為選自由Ca、Sr及Ba組成之群中至少1種之元素,Mb為選自由Li、Na及K組成之群中至少1種之元素,x、y及z分別滿足0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.2、及3.5≦z≦4.5。 (Among them, in the above general formula (III), Ma is at least one element selected from the group consisting of Ca, Sr and Ba, Mb is at least one element selected from the group consisting of Li, Na and K, x , Y and z satisfy 0.5≦x≦1.5, 0.5≦y≦1.2, and 3.5≦z≦4.5, respectively.
通式(I)所示之KSF螢光體之半值寬可為10 nm以下。又,通式(II)所示之MGF螢光體之半值寬可為15 nm以上35 nm以下。如上述通式(I)所示,可將構成KSF螢光體之組成K2 SiF6 :Mn4+ 之Si之一部分,以其他4價元素即Ti或Ge加以置換(組成式中表示為K2 (Si、Ti、Ge)F6 :Mn),或者將構成KSF螢光體之組成K2 SiF6 :Mn4+ 之K之一部分置換為其他鹼金屬,或以3價元素之Al等置換Si之一部分,抑或可組合複數種元素之置換。The half-value width of the KSF phosphor represented by the general formula (I) can be 10 nm or less. In addition, the half-value width of the MGF phosphor represented by the general formula (II) may be 15 nm or more and 35 nm or less. As shown in the above general formula (I), a part of Si of the composition K 2 SiF 6 : Mn 4+ of the KSF phosphor can be replaced with other tetravalent elements, namely Ti or Ge (the composition formula is expressed as K 2 (Si, Ti, Ge) F 6 : Mn), or replace a part of K of the composition K 2 SiF 6 : Mn 4+ with other alkali metals, or replace with Al as a trivalent element A part of Si, or the replacement of multiple elements can be combined.
波長轉換構件12可含有一種波長轉換物質,亦可含有複數種波長轉換物質。如為含有複數種波長轉換物質,例如,波長轉換構件可包含進行綠色系之發光之β塞隆螢光體與進行紅色系之發光之KSF系螢光體等氟化物系螢光體。藉此,可擴增發光模組100之色再現範圍。此時,發光元件11較佳具備能夠出射可有效率地激發波長轉換構件12之短波長之光的氮化物系半導體(Inx
Aly
Ga1-x-y
N、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)。又,例如,於使用出射藍色系之光之發光元件11時,若作為發光模組而欲獲得紅色系之光,亦可使波長轉換構件12含有60%重量以上之KSF系螢光體(紅色螢光體),較佳含有90%重量以上。即,可使波長轉換構件12含有出射特定色之光之波長轉換物質,而出射特定色之光。又,波長轉換物質亦可為量子點。於波長轉換構件12中,波長轉換物質可為任意配置。例如,可大致均一地分佈,亦可局部地分佈不均。又,亦可積層設置各自含有波長轉換構件之複數層。The
又,波長轉換構件12亦可附加使光擴散、反射之構件。例如,亦可使光擴散構件混入波長轉換構件12之內部、或將光擴散板貼附於波長轉換構件12之表面、或與波長轉換構件12隔開且於導光板之表面或內部設置混入有光擴散構件之光擴散層。藉由設置此種光擴散層或光擴散區域等之光擴散部,可使自導光板1放射之光更為均一。再者,光擴散部亦可設置複數個。例如,積層複數個光擴散層而構成光擴散區域。In addition, the
光擴散部可於母材添加擴散材而構成。例如,可使用將樹脂材料作為母材且使其中含有SiO2 或TiO2 等白色無機微粒子者,作為光擴散部。又,亦可對擴散材使用將光反射性構件即白色系樹脂或金屬加工成微粒子狀者。使母材之內部不規則地含有該等擴散材,藉此使通過光擴散部之內部之光不規則且重複反射,使透過光朝多個方向擴散,而抑制照射光局部集中,防止產生亮度不均。The light diffusing part can be formed by adding a diffusing material to the base material. For example, a resin material as a base material and white inorganic fine particles such as SiO 2 or TiO 2 can be used as the light diffusion portion. In addition, it is also possible to use a light-reflective member that is a white-based resin or metal processed into fine particles for the diffusion material. The base material contains these diffusers irregularly, so that the light passing through the light diffuser is irregularly and repeatedly reflected, so that the transmitted light is diffused in multiple directions, and the localized concentration of the irradiated light is suppressed to prevent brightness Uneven.
波長轉換構件12之厚度較佳設為0.02 mm~0.30 mm。為發揮發光模組之薄型化及各種波長轉換效果,較佳設於上述範圍內。The thickness of the
圖5之發光裝置3於俯視時,波長轉換構件12之外形大於發光元件11之外形。該發光裝置3可使自發光元件11之第二主表面11c出射之更多的光透過波長轉換構件12而入射至導光板1,而減少顏色不均或亮度不均。
(透光性接著構件19)In the light-emitting
如圖5所示,透光性接著構件19連續被覆發光元件11之第一側面11e之一部分即第一側面11e之第二主表面側、及波長轉換構件12之第三主表面之一部分。另,透光性接著構件19之外側面較佳設為自第一側面11e朝波長轉換構件12擴展之傾斜面。又,更佳於發光元件11側為凸狀之曲面。藉此,可進而將自第一側面11e射出之光引導至波長轉換構件12側,可提高光提取效率。As shown in FIG. 5, the light-transmitting
又,亦可於發光元件11之第二主表面11c與波長轉換構件12之間具有透光性接著構件19。藉此,例如,因於透光性接著構件19含有擴散劑等,從而自發光元件11之第二主表面11c射出之光於透光性接著構件19擴散並進入波長轉換構件12,藉此可減少亮度不均。該透光性接著構件19可使用與後述之接合構件14相同之構件。
(第一光反射性構件15)In addition, a
再者,發光裝置3以於發光元件11設置有波長轉換構件12之狀態下,由第一光反射性構件15被覆第一側面11e。詳細而言,由第一光反射性構件15被覆未由透光性接著構件19覆蓋之第一側面11e及透光性接著構件19之外側面。
(第一填料41)Furthermore, in the
第一光反射性構件15為光反射性優異之材質。該第一光反射性構件15如圖5之部分放大圖所示,含有具有光反射性之第一填料41。第一填料41可由源自金屬之無機物構成。較佳而言,第一填料41為白色之無機微粒子,例如TiO2
。將此種第一填料41添加至作為母材之第二樹脂42、例如透明樹脂作為白色樹脂,獲得第一光反射性構件15。The first light
發光裝置3藉由以該第一光反射性構件15被覆發光元件11之除第二主表面11c外之其他面,而抑制光朝第二主表面11c以外之方向洩漏。即,第一光反射性構件15反射自第一側面11e或第一主表面11d出射之光,使發光元件11之發光有效地自導光板1之導光板第一主表面1c放射至外部,而可提高發光模組100之光提取效率。The
第一光反射性構件15適用相對於自發光元件11出射之光具有60%以上之反射率、較佳為具有90%以上反射率之白色樹脂。該第一光反射性構件15較佳為含有白色粉末等白色顏料之樹脂。尤佳為含有TiO2
等無機白色粉末之聚矽氧樹脂。The first light-
第一光反射性構件15與第一側面11e之至少一部分相接,且於發光元件11之周圍埋設發光元件11,並使發光元件11之電極11b露出於表面。於圖5之例中,第一光反射性構件15與波長轉換構件12相接。惟亦可使如上述之透光性之接著構件介置於第一光反射性構件15與波長轉換構件12之間。
(第一傾斜面12f)The first light-
如圖5所示,與第二主表面11c垂直之方向之剖面中之第三側面15e彼此之距離,於將透光性接著構件19設置於第一側面11e之上端之位置,小於第二側面12e彼此之距離。換言之,第一光反射性構件15之寬度構成為較第四主表面側之波長轉換構件12之寬度更窄。具體而言,寬度較第一光反射性構件15更寬之波長轉換構件12於第二側面中與第三主表面12c接近之區域,形成第一傾斜面12f。第一傾斜面12f自第二側面12e之上端即第三主表面12c起傾斜。換言之,波長轉換構件12成為將第三主表面12c之角部倒角般之形狀。藉此,可使自發光元件11入射至波長轉換構件12之光藉由第一傾斜面12f之傾斜而朝提取至外部之方向反射,增加提取至外部之成分,從而可提高發光裝置整體之光提取效率。As shown in FIG. 5, the distance between the
第一傾斜面12f自第三側面15e朝第二側面12e連續傾斜。該第一傾斜面12f較佳為至少部分形成為曲面狀。藉由將第一傾斜面12f相對於平面狀而設為曲面狀,可增大第一傾斜面12f之面積,從而可更為增加提取至外部之成分,進而可提高發光裝置整體之光提取效率。
(光反射性粒子44)The first
再者,波長轉換構件12於第一傾斜面12f附著有使反射發光元件11發出之光的光反射之光反射性粒子44。藉此,除上述之第一傾斜面12f之傾斜外,進而藉由配置於第一傾斜面12f之光反射性粒子44使來自發光元件11之光散射,而可進而增加提取至外部之成分。另,由於圖5為發光裝置之剖視圖,故可看見第一傾斜面12f之一部分。若為俯視時矩形之發光裝置,則在對應於俯視下矩形之4邊之4個面各者存在第一傾斜面12f。Furthermore, the
光反射性粒子44較佳包含與第一填料41相同之材質。於該例中,於聚矽氧樹脂等之母材中含有TiO2
等白色無機微粒子作為第一填料41。更佳為使第一填料41混存於與構成第一光反射性構件15之第二樹脂42相同之母材。藉此,可使第一光反射性構件15與光反射性粒子44共通化,而亦易於製造。The light
又,波長轉換構件12較佳不使光反射性粒子44附著於第二側面12e。惟,亦可於第二側面12e某種程度地附著光反射性粒子44,此情形時,例如較佳如圖6所示,較第一傾斜面12f更為減少第二側面12e之附著量。圖6係自側面觀察發光裝置之圖,第一傾斜面12f為圖中虛線包圍之區域,於該虛線包圍之區域內附著有光反射性粒子44。
(發光裝置之製造方法)In addition, it is preferable that the
其次,基於圖7~圖12之模式剖視圖,說明實施形態1之發光裝置之製造方法。首先如圖7所示,準備第一樹脂層50、發光元件11、第二樹脂層40。此處,將第一樹脂層50塗佈於基片30上。基片30可使用例如具有黏著層之膠帶材。藉此,可容易剝離貼附於基片30之波長轉換構件12。第一樹脂層50於作為母材之第一樹脂中混入有螢光體,於硬化後成為波長轉換構件12。第一樹脂可使用上述之聚矽氧樹脂等。又,螢光體可使用YAG系螢光體等。Next, based on the schematic cross-sectional views of FIGS. 7 to 12, a method of manufacturing the light-emitting device of
以第一樹脂層50硬化之狀態,於其上表面相互隔開而配置複數個發光元件11。發光元件11以第一主表面11d為上表面,將第二主表面11c側接著並固定於第一樹脂層50。再者,於鄰接之發光元件11彼此之間塗佈第二樹脂42。第二樹脂42於作為母材之第二樹脂42中混入具有光反射性之第一填料41,於硬化後成為第一光反射性構件15。另,於第一主表面11d,為使電極11b自第二樹脂層40露出,而根據需要於以覆蓋電極11b之方式配置遮罩之狀態下塗佈第二樹脂42。或者,亦可以覆蓋電極11b之方式形成第二樹脂層,其後藉由研磨等以露出電極11b之方式形成。如此當第二樹脂42硬化後,則如圖7所示獲得於第一樹脂層50上設置有發光元件11與第二樹脂層40的中間體。In the state where the
接著如圖8及圖9所示,於中間體形成第一切削區域46。此處,由具有第一厚度(第一刃厚)之第一刃61,以特定間隔切削第二樹脂層40之鄰接之發光元件11彼此之間。接著,以第一樹脂層50露出於第一切削區域46之底面之狀態停止切削。此時,不僅切削第二樹脂層40,較佳切削至第一樹脂層50之一部分。藉此,可確實貫通第二樹脂層40而使第一樹脂層50露出。第一刃61以超硬金屬鋸、電鑄刀片、金屬結合刀片等材質構成。此處,由第一刃61進行乾式切削。因此,切削過程中會產生第一樹脂層50之切削屑45。切削屑45藉由吸引等去除,且刻意於第一切削區域46殘留特定量。該切削屑45即為後述之光反射性粒子44。Next, as shown in FIGS. 8 and 9, a
再者如圖10及圖11所示,分割成各個發光裝置3。此處,如圖10所示,進而切削第一切削區域46而形成第二切削區域48。具體而言,藉由對第一切削區域46插入具有較第一厚度(第一刃厚)更薄之第二厚度(第二刃厚)之第二刃62,切削處於第一切削區域46之正下方之第一樹脂層50,而形成第二切削區域48。此時,如圖11所示,以吸引器60吸引第一樹脂層50之切削屑55。其結果,如圖11所示,分割成各個發光裝置3。同時,於各發光裝置3之側面,形成第一傾斜面12f。第一傾斜面12f形成於第二側面12e中與第一光反射性構件15接合之區域之附近。第一傾斜面12f為自第二側面12e之主平面傾斜之狀態。此種第一傾斜面12f於藉由第一刃61或第二刃62之切削過程中形成於第一切削區域46之端緣。第一傾斜面12f之加工可使用與第一刃61或第二刃62不同之其他工具進行,亦可於使用第二刃之第二切削區域48之加工時進行。藉此,可獲得使發光裝置之發光元件發光時,使入射至波長轉換構件之光根據第一傾斜面之傾斜方向而朝提取至外部之方向反射的傾斜面。Furthermore, as shown in FIG. 10 and FIG. 11, it is divided into individual
再者,使光反射性粒子44附著於該第一傾斜面12f。光反射性粒子44於第一傾斜面12f形成後,以接著材等將另行準備之光反射性粒子固定於表面。或者,於形成第一傾斜面12f之同時,使因第一切削區域46之切削而產生之切削屑附著於第一傾斜面12f。因第一切削區域46之切削而產生之切削屑即為光反射性粒子,故可作為光反射性粒子44而使其附著於第一傾斜面12f。再者,於插入第二刃62而切削處於第一切削區域46之正下方之第一樹脂層50時,因第二厚度(第二刃厚)薄於第一厚度(第一刃厚),故第二刃62不會觸及第二樹脂層40,因而不會產生光反射性粒子之切削屑。即,以第二刃62切削第一樹脂層50時,可防止或抑制光反射性粒子之切削屑附著於第一樹脂層50之側面。對第一傾斜面12f之附著量可藉由刀片之旋轉數及吸引之調整而適當調整。Furthermore, the light
將光反射性粒子44以所需量固定於第一傾斜面12f。例如,以噴劑塗佈接著材,使光反射性粒子44固定於第一傾斜面12f。The light
如此,如圖12所示製得排列於基片30上之發光裝置3。另,圖7~圖12為顯示沿垂直於紙面之方向進行切削之步驟之圖,但亦有與該步驟同樣,沿平行於紙面之方向進行切削之步驟。其後,自基片30剝離各發光裝置3,獲得單片化之發光裝置3。In this way, as shown in FIG. 12, the light-emitting
如此,使通過波長轉換構件12之光根據第一傾斜面12f之傾斜方向沿提取至外部之方向反射,且進而藉由配置於第一傾斜面12f之光反射性粒子44使光散射,可增加提取至外部之成分,可提高發光裝置整體之光提取效率。
[實施形態2]In this way, the light passing through the
以上之例中,說明了將傾斜面設置於波長轉換構件12側之例,但本發明並非限定於該構成者。例如,亦可將傾斜面設置於第一光反射性構件15側而非波長轉換構件側。圖13之模式剖視圖顯示以此例作為實施形態2之發光裝置3B。該圖所示之發光裝置3B具備發光元件11、波長轉換構件12、透光性接著構件19、第一光反射性構件15、及光反射性粒子44。另,對具有與上述之構件相同功能之構件,標註相同符號而省略詳細說明。In the above example, an example in which the inclined surface is provided on the
圖13所示之發光裝置3B於第一光反射性構件15設置第二傾斜面15f作為傾斜面。第二傾斜面15f設置於第三側面15e中接近第三主表面12c之區域。該第二傾斜面15f自第三側面15e沿向下漸寬之方向傾斜。藉此,根據該構成,因可增加第一光反射性構件15與第三主表面12c接合之面積,故可獲得提高第一光反射性構件15與波長轉換構件12之密著力的效果。再者,提高使入射至波長轉換構件之光沿提取至外部之方向反射的效果。此外,藉由於波長轉換構件12之第三主表面12c側(15f附近)配置光反射性粒子44,可調整配光之範圍。The
實施形態2之發光裝置3B之製造方法與上述實施形態1之發光裝置3之製造方法大致相同。主要的不同點在於,於第二樹脂層40形成第一切削區域46B時,於藉由第一刃61切削第二樹脂層40之中途,使切削在第一刃61之前端到達第一樹脂層50前停止。藉此,如圖14所示,僅於第二樹脂層40形成第一切削區域46B,且未於第一切削區域46B之底面露出第一樹脂層50。再者,如圖15所示,將第二刃62插入至第一切削區域46B,如圖16所示般形成第二切削區域48B,且單片化為發光裝置3B。如此獲得實施形態2之發光裝置3B。
[實施形態3]The method of manufacturing the light-emitting
於以上說明之構成中,說明了將傾斜面設置於波長轉換構件12或第一光反射性構件15之任一者之例。惟本發明不限於該構成,亦可將傾斜面設置於波長轉換構件及第一光反射性構件。圖17之模式剖視圖顯示以此種例作為實施形態3之發光裝置3C。該圖所示之發光裝置3C具有自第一光反射性構件15跨波長轉換構件12而連續之傾斜面49。傾斜面49由第一光反射性構件15之第二傾斜面15f與波長轉換構件12之第一傾斜面12f形成。藉由此種構成,亦可獲得與上述實施形態1及2同樣之效果。即,藉由第一傾斜面12f,可獲得:使自發光元件11導入之光於波長轉換構件12之內部側反射而增加經波長轉換之光之成分,可整體改善發光之利用效率之實施形態1之效果、及增加第一光反射性構件15與第三主表面12c接合之面積而提高密著力之實施形態2之效果。於本實施例中,亦可藉由與其他實施例同樣地使光反射性粒子44附著於傾斜面49之第一傾斜面12f,而增加提取至外部之成分。In the configuration described above, an example in which the inclined surface is provided on either the
可使用以此種實施形態1~3為例之發光裝置構成發光模組。以下,繼續說明使用實施形態1之發光裝置3構成之圖3等所示之發光模組。
(導光板1)The light-emitting devices of this
導光板1為將自光源入射之光設為面狀而放射至外部之透光性構件。導光板1如圖3所示,具備作為發光面之導光板第一主表面1c、及導光板第一主表面1c之相反側之導光板第二主表面1d。該導光板1於導光板第二主表面1d設置有複數個凹部1b。又,本實施形態中,於鄰接之凹部1b之間設置有槽1e。The
又,於凹部1b中配置有發光裝置3之一部分。詳細而言,波長轉換構件12以與凹部1b之底面對向之方式,將發光裝置3之一部分配置於導光板1之凹部1b。藉此,發光模組整體可薄型化。導光板1如圖2及圖3所示,設置複數個凹部1b,且於各凹部1b配置發光裝置3之一部分,而可作為發光模組100。In addition, a part of the
或者,如圖4所示,可於一個凹部1b之某導光板1'配置一個發光裝置3之一部分,且將複數個導光板1'配置為平面形狀而作為發光模組100'。設置有複數個凹部1b之導光板1如圖3所示,於凹部1b之間設置有點陣狀之槽1e。設置有一個凹部1b之導光板1'如圖4所示,於導光板第二主表面1d之外周部,朝外周緣設置有傾斜面1f。Or, as shown in FIG. 4, a part of a light-emitting
設置於槽1e或導光板第二主表面1d之外周部之傾斜面1f於其表面設置第二光反射性構件16。配置於槽1e之第二光反射性構件16之詳細如後述,但較佳以反射來自發光裝置3之光之白色樹脂防止發光元件11之發光入射至由槽1e區劃之相鄰之導光板1,防止各個發光元件11之光朝鄰近洩漏。接合於設置在一個導光板1'之導光板第二主表面1d之外周部之傾斜面1f的第二光反射性構件16係防止光洩漏至導光板1之周圍,而防止來自導光板1之導光板第一主表面1c之發光強度降低。The
導光板1之大小根據液晶顯示裝置1000之大小而適當設定,但例如於具有複數個凹部1b之導光板1中,可設為一邊為1 cm~200 cm左右,較佳為3 cm~30 cm左右,厚度可設為0.1 mm~5 mm左右,較佳為0.1 mm~3 mm。導光板1之平面形狀例如可設為大致矩形或大致圓形等。The size of the
作為導光板1之材料,可使用丙烯酸、聚碳酸酯、環狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯等熱塑性樹脂、環氧樹脂、聚矽氧等熱硬化性樹脂等樹脂材料或玻璃等光學性透明材料。尤其,熱塑性樹脂材料因可藉由射出成型高效製造,故較佳。其中又以透明性高且價廉之聚碳酸酯為佳。於製造步驟中,無需暴露於焊料回焊般之高溫環境下而製造之發光模組,亦可使用如聚碳酸酯般具熱塑性且耐熱性低之材料。As the material of the
又,導光板1可由單層形成,亦可積層複數個透光性層而形成。於積層複數層透光性層之情形時,較佳於任意之層間設置折射率不同之層,例如空氣層等。藉此,可製成使光更容易擴散而降低亮度不均的發光模組。此種構成例如可藉由於任意複數層透光性層之間設置隔片而予以隔開而設置空氣層來實現。又,亦可於導光板1之導光板第一主表面1c上設置透光性層,於導光板1之導光板第一主表面1c與該透光性層之間設置折射率不同之層,例如空氣層等。藉此,可製成使光更容易擴散而降低亮度不均的液晶顯示裝置。此種構成例如可藉由於任意之導光板1與透光性層之間設置隔片而予以隔開而設置空氣層來實現。
(凹部1b)In addition, the
導光板1於導光板第二主表面1d側設置有凹部1b。將發光裝置3之一部分以波長轉換構件12與凹部1b之底面對向之方式配置於凹部1b內。凹部1b之內側面於俯視時大於發光裝置3之外側面。詳細而言,如圖3所示,凹部1b之內側面位於較發光裝置3之外側面更靠外側。The
圖2~圖4之導光板1、1'於俯視時,將凹部1b之內形設為四邊形,將此處配置之發光裝置3之外形亦設為四邊形。配置於四邊形之凹部1b之四邊形之發光裝置3亦可配置為,發光裝置3之各外側面與對向之凹部1b之內側面平行。又,亦可配置為發光裝置3之各外側面相對於凹部1b之各內側面轉45°。又,較佳配置為俯視時凹部1b之底面之中心與發光裝置3之中心大致一致。藉此,可將發光裝置3之側面至凹部1b之內側面之距離設為特定,可改善發光模組之顏色不均。惟將外形設為四邊形之發光裝置亦可以使各邊相對於四邊形之凹部交叉、換言之為相對於四邊形之凹部旋轉之姿勢配置。When the
此處,凹部1b之俯視時之大小雖因發光裝置3之外形而變更,但圓形時之直徑、橢圓形時之長徑、四邊形時之對角線長度例如可設為0.05 mm~10 mm,較佳為0.1 mm~2 mm。深度可設為0.05 mm~4 mm,較佳為0.1 mm~1 mm。凹部1b之俯視時形狀例如可設為大致矩形、大致圓形,且可根據凹部1b之排列間距等選擇。於凹部1b之排列間距(最接近之2個凹部1b之中心間之距離)大致均等之情形時,較佳為大致圓形或大致正方形。其中又以設為大致圓形,具有將來自發光裝置3之光良好地擴散之效果。Here, although the size of the
自凹部1b之底面至導光板第二主表面1d之凹部1b之高度,於剖視時,如圖3所示,更佳為發光元件11之第二主表面11c與導光板第二主表面1d為大致齊平面之凹部1b的高度。又,亦可將凹部1b之高度設為,於發光裝置3安裝於凹部1b之狀態下,第三主表面12c之位置高於導光板第二主表面1d。藉此,發光裝置3自凹部1b突出,可容易地進行對電極11b之配線作業等。如此,較佳根據發光裝置3之高度,調整凹部1b之高度。
(接合構件14)The height from the bottom surface of the
透光性之接合構件14與凹部1b之內側面及發光裝置3之外側面相接。即,透光性接合構件14自凹部1b之內側面延伸至位於凹部1b之外之發光裝置3之第三側面。又,接合構件14亦可與位於凹部1b之外側之第一光反射性構件15之一部分相接。換言之,亦可配置為連續被覆第四主表面12d、第二側面12e及第三側面15e。再者,接合構件14具有相對於第三側面15e傾斜之外側面、及傾斜面14a。該傾斜面14a以與第三側面15e之間所成之傾斜角α為銳角之方式設置。又,接合構件14亦可配置於波長轉換構件12與凹部1b之底面之間。The light-transmitting joining
如圖3所示,以接合構件14將實施形態1之發光裝置3固定於凹部1b內時,因於發光裝置3之第三主表面12c附近形成有傾斜面,藉此發揮定錨效應而提高密著力。As shown in FIG. 3, when the light-emitting
再者,如圖3所示,接合構件14與導光板1之導光板第二主表面1d相接。藉此,擴大形成傾斜面14a之區域,可反射更多之光,而可降低亮度不均。此處,接合構件14之傾斜面14a與第三側面15e所成之傾斜角α可為5°~85°,較佳為5°~50°,更佳為10°~45°。發光裝置3之外側面與凹部1b之內側面之間之寬度d1會因凹部1b之內徑、發光裝置3之外徑、或該等形狀、或者發光裝置3安裝於凹部1b時之姿勢、發光裝置3之安裝位置之公差等而改變。此外,傾斜角α亦因接合構件14之高度、即發光裝置3之高度(發光元件11之高度或波長轉換構件12之厚度)、凹部1b之深度(高度)而改變。藉此,亦根據該等各條件,設定朝向第2主表面1d且向下漸寬之接合構件14之傾斜面14a與第一光反射性構件15之外側面所成之傾斜角α。Furthermore, as shown in FIG. 3, the joining
又,如圖3所示,接合構件14於剖視時具有傾斜面14a。該形狀可將透過接合構件14而入射至傾斜面14a之光以一樣之狀態反射至發光面側。In addition, as shown in FIG. 3, the joining
作為接合構件14,可使用環氧樹脂、聚矽氧樹脂等透光性之熱硬化性樹脂材料等。又,接合構件之光透過率設為60%以上,較佳為90%以上。再者,接合構件14可包含擴散材等,或包含反射光之添加物即白色粉末等,亦可僅以不含擴散材或白色粉末等之透光性之樹脂材料構成。As the
再者,透光性之接合構件14可將傾斜面14a設為於剖視時為曲面。例如,可將傾斜面14a設為朝向凹部1b側呈凸狀之曲面。該傾斜面14a可將反射光於傾斜面14a中之行進方向設為較廣之範圍,可降低亮度不均。Furthermore, the light-transmitting joining
又,傾斜面14a亦可覆蓋第三側面15e之整面。於圖3等之例中,保留第三側面15e之上部而部分地由傾斜面14a被覆,但亦可使傾斜面14a之上端延長至第一光反射性構件15之上端。
(光學功能部1a)In addition, the
導光板1可於導光板第一主表面1c側,設置具有將來自發光裝置3之光之反射或擴散之功能的光學功能部1a。該導光板1可使來自發光裝置3之光朝側方擴散,而使導光板1之面內之發光強度平均化。光學功能部1a例如可具有將光於導光板1之面內擴散之功能。光學功能部1a為例如設置於導光板第一主表面1c側之圓錐或四角錐、六角錐等多角錐形等凹陷、或圓錐台或多角錐台等凹陷。藉此,可使用將照射在導光板1、位於光學功能部1a中之折射率不同之材料(例如空氣)、及凹陷之傾斜面之界面之光朝發光裝置3之側方方向反射者。又,例如,亦可為於具有傾斜面之凹陷設置有光反射性材料(例如金屬等反射膜或白色樹脂)等者。光學功能部1a之傾斜面可於剖視時為平面,亦可為曲面。
(第二光反射性構件16)The
第二光反射性構件16如圖3所示,被覆導光板1之導光板第二主表面1d側。詳細而言,第二光反射性構件16以導光板1之導光板第二主表面1d、透光性之接合構件14之傾斜面14a及第三側面15e,被覆未由接合構件14被覆之區域。As shown in FIG. 3, the second light
第二光反射性構件16藉由反射自發光元件11出射之光且入射至導光板1內之光,並將光引導至對外部放射光之作為發光面之導光板第一主表面1c側,而可提高光提取效率。又,藉由積層於導光板1,而補強導光板1。The second light-
第二光反射性構件16可較好地使用與上述之第一光反射性構件15相同之材料,即,將反射光之添加物即白色粉末等添加至透明樹脂之白色樹脂。第二光反射性構件16使發光元件11之發光有效地自導光板1之導光板第一主表面1c放射至外部。The second light-
又,第二光反射性構件16與第一光反射性構件15同樣地,適用相對於自發光元件11出射之光具有60%以上之反射率、較佳為具有90%以上反射率之白色樹脂。該白色樹脂較佳為含有白色粉末等白色顏料之樹脂。尤其,較佳為含有TiO2
等無機白色粉末之聚矽氧樹脂。藉此,藉由多量使用如TiO2
般低價之原材料作為用於被覆導光板1之一面所大量使用之材料,可使發光模組100低價化。In addition, the second light
以上之發光模組100因於導光板1設置凹部1b,且於該凹部1b配置發光裝置3,故可將整體薄型化。又,因於導光板1設置凹部1b,且於凹部1b配置發光裝置3,故提高發光裝置3與導光板1之安裝精度。尤其,因採用將於發光元件11接合波長轉換構件12而使發光元件11與波長轉換構件12為一體構造之發光裝置3配置於導光板1之凹部1b的構造,故可提高波長轉換構件12與發光元件11對導光板1之安裝精度,實現優異之發光特性。又,於使發光元件11之光透過波長轉換構件12而向導光板1導光、並放射至外部之發光模組100中,因可高精度配置發光元件11、波長轉換構件12及導光板1,故改善自導光板1放射至外部之光之顏色不均或亮度不均等發光特性,實現尤為優異之發光特性。The above light-emitting
接合構件14與第二側面12e、導光板1之內側面相接,進而與位於凹部1b之外之第一光反射性構件15相接,藉此,可將來自波長轉換構件12之出射光且朝第二光反射性構件16側出射之光進而向發光裝置3之側方引導,改善亮度不均。又,可自波長轉換構件12進而將出射光入射至導光板1,可提高光提取效率。The joining
於正下方型液晶顯示裝置中,因液晶面板與發光模組之距離較近,故有發光模組之顏色不均或亮度不均對液晶顯示裝置之顏色不均或亮度不均造成影響的可能性。因此,作為正下方型液晶顯示裝置之發光模組,期望為顏色不均或亮度不均較少之發光模組。若採用本實施形態之發光模組100之構成,不但可使發光模組100之厚度薄至5 mm以下、3 mm以下、1 mm以下等,並可減少亮度不均或顏色不均。In the direct bottom type liquid crystal display device, due to the close distance between the liquid crystal panel and the light emitting module, the uneven color or brightness of the light emitting module may affect the uneven color or brightness of the liquid crystal display device Sex. Therefore, as the light-emitting module of the direct type liquid crystal display device, a light-emitting module with less color unevenness or brightness unevenness is desired. If the configuration of the light-emitting
另,亦可於導光板1上進而積層具有擴散等功能之透光性構件。該情形時,於光學功能部1a為凹陷之情形,會將凹陷之開口(即,接近導光板1之導光板第一主表面1c之部分)封閉,但較佳以不嵌入凹陷之方式設置透光性之構件。藉此,可於光學功能部1a之凹陷內設置空氣層,可良好地擴散來自發光元件11之光。
[產業上之可利用性]In addition, a translucent member having functions such as diffusion may be further laminated on the
本揭示之發光裝置、發光模組及發光裝置之製造方法,可作為電視、平板、液晶顯示裝置之背光燈而較佳地運用於電視、平板、智慧型手機、智慧型手錶、平視顯示器、數位看板、揭示板等。又,亦可作為照明用光源而運用,可用於緊急照明燈或線照明、或各種照明、車載用儀錶板等。The light-emitting device, the light-emitting module and the manufacturing method of the light-emitting device of the present disclosure can be used as the backlight of TV, flat panel, and liquid crystal display devices, and are preferably applied to TVs, tablets, smart phones, smart watches, head-up displays, Digital signage, bulletin board, etc. It can also be used as a light source for lighting, and can be used for emergency lighting, line lighting, various lighting, vehicle dashboards, and the like.
1:導光板 1':導光板 1a:光學功能部 1b:凹部 1c:導光板第一主表面 1d:導光板第二主表面 1e:槽 1f:傾斜面 3:發光裝置 3B:發光裝置 3C:發光裝置 11:發光元件 11b:電極 11c:第二主表面 11d:第一主表面 11e:第一側面 12:波長轉換構件 12c:第三主表面 12d:第四主表面 12e:第二側面 12f:第一傾斜面 14:接合構件 14a:傾斜面 15:第一光反射性構件 15e:第三側面 15f:第二傾斜面 16:第二光反射性構件 19:透光性接著構件 24:導電膜 30:基片 40:第二樹脂層 41:第一填料 42:第二樹脂 44:光反射性粒子 45:切削屑 46:第一切削區域 46B:第一切削區域 48:第二切削區域 48B:第二切削區域 49:傾斜面 50:第一樹脂層 55:切削屑 60:吸引器 61:第一刃 62:第二刃 100:發光模組 100':發光模組 110a:透鏡片 110b:透鏡片 110c:擴散片 120:液晶面板 1000:液晶顯示裝置 d1:寬度 α:傾斜角1: Light guide plate 1': light guide plate 1a: Optical Function Department 1b: recess 1c: The first main surface of the light guide plate 1d: The second main surface of the light guide plate 1e: slot 1f: Inclined surface 3: Light-emitting device 3B: Light-emitting device 3C: Light-emitting device 11: Light-emitting element 11b: Electrode 11c: Second major surface 11d: first major surface 11e: first side 12: Wavelength conversion component 12c: Third major surface 12d: The fourth major surface 12e: second side 12f: The first inclined plane 14: Joint member 14a: Inclined surface 15: The first light reflective member 15e: third side 15f: second inclined surface 16: second light reflective member 19: Light-transmitting adhesive member 24: conductive film 30: Substrate 40: second resin layer 41: The first filler 42: second resin 44: light reflective particles 45: Chips 46: first cutting area 46B: first cutting area 48: second cutting area 48B: second cutting area 49: Inclined surface 50: The first resin layer 55: Chips 60: Attractor 61: First Blade 62: Second Blade 100: Light-emitting module 100': Light-emitting module 110a: lens sheet 110b: lens sheet 110c: diffuser 120: LCD panel 1000: Liquid crystal display device d1: width α: tilt angle
圖1係顯示實施形態1之液晶顯示裝置之各構成之構成圖。
圖2係實施形態1之發光模組之模式俯視圖。
圖3係實施形態1之發光模組之一部分放大模式剖視圖,且為導光板在下並使其上下翻轉之圖。
圖4係變化例之發光模組之模式底視圖。
圖5係顯示實施形態1之發光裝置之模式剖視圖。
圖6係顯示變化例之發光裝置之照片。
圖7係顯示實施形態1之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖8係顯示實施形態1之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖9係顯示實施形態1之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖10係顯示實施形態1之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖11係顯示實施形態1之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖12係顯示實施形態1之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖13係顯示實施形態2之發光裝置之模式剖視圖。
圖14係顯示實施形態2之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖15係顯示實施形態2之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖16係顯示實施形態2之發光裝置之製造步驟之模式剖視圖。
圖17係顯示實施形態3之發光裝置之模式剖視圖。Fig. 1 is a structural diagram showing the various structures of the liquid crystal display device of the first embodiment.
FIG. 2 is a schematic top view of the light-emitting module of
3:發光裝置 3: Light-emitting device
11:發光元件 11: Light-emitting element
11b:電極 11b: Electrode
11c:第二主表面 11c: Second major surface
11d:第一主表面 11d: first major surface
11e:第一側面 11e: first side
12:波長轉換構件 12: Wavelength conversion component
12c:第三主表面 12c: Third major surface
12d:第四主表面 12d: The fourth major surface
12e:第二側面 12e: second side
12f:第一傾斜面 12f: The first inclined plane
15:第一光反射性構件 15: The first light reflective member
15e:第三側面 15e: third side
19:透光性接著構件 19: Light-transmitting adhesive member
41:第一填料 41: The first filler
42:第二樹脂 42: second resin
44:光反射性粒子 44: light reflective particles
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