TW202028154A - 富鋁紅柱石質燒結體及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種富鋁紅柱石質燒結體，其包含以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之釔元素，構成前述燒結體的富鋁紅柱石結晶粒1之平均粒徑為1.00~3.00μm，前述富鋁紅柱石結晶粒1之平均長寬比為1.65以下。

Description

富鋁紅柱石質燒結體及其製造方法

本發明有關以富鋁紅柱石為主成分之富鋁紅柱石質燒結體及其製造方法。

富鋁紅柱石係氧化鋁與氧化矽之化合物，通常以3Al₂ O₃ ･2SiO₂ 之組成式表示。富鋁紅柱石質燒結體(陶瓷)之耐熱性或高至1300℃左右之高溫的機械強度等優異，熱膨脹係數小於氧化鋁燒結體。又，由於富鋁紅柱石為氧化物，故耐氧化性亦比耐熱性或高溫下之機械強度優異之氮化矽或碳化矽等之氮化物及碳化物更優異。 因此，富鋁紅柱石質燒結體被利用於耐火材或高溫構造材料等。

近幾年來，陶瓷材料之用途多樣化，於前述富鋁紅柱石質燒結體中，亦應對應於更高溫環境下之用途而要求對於急熱急冷之抵抗性，亦即耐熱衝擊性亦優異。

相對於此，例如於專利文獻1中，作為輥底式爐(roller hearth kiln)用輥，記載包含具有特定密閉氣孔之富鋁紅柱石質燒結體之輥係耐熱衝擊抵抗性等優異，於高溫之變形較少。

又，專利文獻2中記載，為了獲得高韌性及高強度之富鋁紅柱石質燒結體，而於無定形富鋁紅柱石及結晶質富鋁紅柱石中以0.25~1.5重量%之含量添加氧化釔溶膠，而以特定量含有長寬比為3以上之柱狀結晶之富鋁紅柱石粒子。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2002-316869號公報 [專利文獻2] 日本特開平3-16958號公報

[發明欲解決之課題]

然而，上述專利文獻1中記載之富鋁紅柱石質燒結體之相對密度較高為95%，不能說是具有近幾年來所要求程度之耐熱衝擊性者。

又，上述專利文獻2中記載之富鋁紅柱石質燒結體，由於富鋁紅柱石組成以外之雜質的氧化釔含量較多，且亦含較多之長寬比非常大之柱狀結晶粒，因此容易含有氣孔，未充分緻密化，該燒結體亦不能說是具有充份耐熱衝擊性。

因此，對於富鋁紅柱石質燒結體，期望不僅具有優異機械強度，亦期望富鋁紅柱石構成成分的氧化鋁及氧化矽以外之成分含量比以往少且具備優異耐熱衝擊性者。

本發明係為解決此等技術課題而完成者，其目的在於提供富鋁紅柱石組成成分的氧化鋁及氧化矽以外之成分含量較少，耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體及其製造方法。 [用以解決課題之手段]

本發明係基於發現藉由含有特定微量之釔化合物而可提高富鋁紅柱石質燒結體之耐熱衝擊性者。

亦即，本發明係提供以下之[1]~[14]者。 [1] 一種富鋁紅柱石質燒結體，其包含以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之釔元素，構成前述燒結體的富鋁紅柱石結晶粒之平均粒徑為1.00~3.00μm，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均長寬比為1.65以下。 [2] 如上述[1]之富鋁紅柱石質燒結體，其相對密度為98.5%以上。 [3] 如上述[1]或[2]之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之粒徑的標準偏差為未滿1.00μm。 [4] 如上述[1]~[3]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之長寬比的標準偏差為未滿0.70。 [5] 如上述[1]~[4]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均長徑為1.50~4.00 μm。 [6] 如上述[1]~[5]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均短徑為1.00~2.00 μm。 [7] 如上述[1]~[6]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒中，柱狀結晶粒數相對於球狀結晶粒數之比率為1.00以下。 [8] 如上述[1]~[7]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，富鋁紅柱石的含量為99.00~99.99質量%。 [9] 如上述[1]~[8]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述釔元素係在前述富鋁紅柱石結晶粒之表面的至少一部分，沿著該表面層狀地分布。 [10] 如上述[1]~[9]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，依據JIS R 1648:2002所規定的藉由相對法之熱衝擊試驗方法而測定之耐熱衝擊溫度差為300℃以上。 [11] 如上述[10]之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述耐熱衝擊溫度差為320℃以上。

[12] 一種富鋁紅柱石質燒結體之製造方法，其係製造如上述[1]~[11]中任一項之富鋁紅柱石質燒結體的方法，其包含：調製包含富鋁紅柱石原料粉及釔化合物的混合原料之混合步驟，將前述混合原料進行成形而製作成形體之成形步驟，以及將前述成形體以1500~1800℃進行燒成而得到前述富鋁紅柱石質燒結體之燒成步驟；將前述釔化合物之添加量設為前述富鋁紅柱石質燒結體中所含有之釔元素的含量成為以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之量。 [13] 如上述[12]之富鋁紅柱石質燒結體之製造方法，其中，前述混合步驟中，藉由濕式混合調製前述混合原料。 [14] 如上述[12]或[13]之富鋁紅柱石質燒結體之製造方法，其包含將於前述燒成步驟所得之富鋁紅柱石質燒結體以1300~1600℃進行加熱處理之步驟。 [發明效果]

依據本發明，可提供富鋁紅柱石組成成分的氧化鋁及氧化矽以外之成分含量較少，耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。 又，依據本發明之製造方法，可較佳地獲得耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。

以下詳細說明本發明之富鋁紅柱石質燒結體及其製造方法。

[富鋁紅柱石質燒結體] 本發明之富鋁紅柱石質燒結體係包含以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之釔元素者。而且，構成前述燒結體的富鋁紅柱石結晶粒之平均粒徑為1.00~3.00μm，該富鋁紅柱石結晶粒之平均長寬比為1.65以下。 如此，含有特定量釔元素，且富鋁紅柱石結晶粒具有特定平均粒徑及特定長寬比之富鋁紅柱石質燒結體係耐熱衝擊性及機械強度優異。 因此，本發明之富鋁紅柱石質燒結體可較佳地使用於例如燒成用托架、爐材、耐火材、構造構件、電子裝置之支撐基板、陶瓷封裝等，且可較佳地使用其他要求耐熱性及機械強度之各種陶瓷構件。

本發明所稱之富鋁紅柱石質燒結體意指燒結體中含最多之成分為富鋁紅柱石，以富鋁紅柱石為主成分之燒結體。 所謂富鋁紅柱石係氧化鋁與氧化矽之化合物，鋁原子對於矽原子之組成比(Al/Si)可為3~4之間。通常以3Al₂ O₃ ･2SiO₂ 之組成式表示，Al/Si為3，本發明中，亦將其稱為富鋁紅柱石加以說明，但並非必定為3，並非解釋為排除其以外之組成比者。

前述富鋁紅柱石質燒結體中，除了富鋁紅柱石以外，較佳不含有前述釔元素以外之雜質元素。但，源自前述富鋁紅柱石質燒結體之製造所用之富鋁紅柱石原料中不可避免含有之雜質的雜質元素則不在此限。 前述富鋁紅柱石質燒結體中之富鋁紅柱石之含量較佳為99.00~99.99質量%，更佳為99.20~99.98質量%，又更佳為99.50~99.98質量%。 藉由此等富鋁紅柱石之純度較高之富鋁紅柱石質燒結體，容易獲得優異之耐熱衝擊性及機械強度。又，在加熱環境下使用時，基於對與該富鋁紅柱石質燒結體之接觸物抑制起因於雜質之污染之觀點，較佳為高純度。

前述富鋁紅柱石質燒結體中包含釔元素。釔元素通常以氧化物的氧化釔(Y₂ O₃ )含有。前述富鋁紅柱石質燒結體中亦可包含不構成氧化釔之釔原子，但亦包含此等釔原子在內，前述富鋁紅柱石質燒結體中之釔元素含量，以氧化釔換算為0.01~0.25質量%，較佳為0.01~0.20質量%，又更佳為0.01~0.15質量%，再更佳為0.02質量%以上且未達0.10質量%，又更佳為0.02~0.05質量%，最佳為0.02~0.04質量%。 藉由以氧化釔換算之前述釔元素含量為0.01質量%以上，可成為耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。又前述含量超過0.25質量%時，難以獲得具有充分耐熱衝擊性及機械強度之富鋁紅柱石質燒結體。

前述釔元素較佳於前述富鋁紅柱石結晶粒之表面的至少一部分，沿著該表面層狀地分布。 圖1顯示前述富鋁紅柱石質燒結體之微細構造之概略。如圖1所示，前述富鋁紅柱石質燒結體係富鋁紅柱石結晶粒1彼此以密實狀態相接，該等富鋁紅柱石結晶粒1之間的一部分存在結晶粒界玻璃相2。認為富鋁紅柱石結晶粒1與結晶粒界玻璃相2之界面A及富鋁紅柱石結晶粒1彼此之界面B之任一者中，藉由使釔元素如上述般偏析，該富鋁紅柱石質燒結體之粒界強度提升，即使該富鋁紅柱石質燒結體中之釔元素為如上述之特定微量含量，亦可成為耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。

如上述富鋁紅柱石結晶粒之表面中之釔元素分佈狀態可藉由能量分散型X射線分光法(EDS)之元素分析確認。藉由將檢測出之特性X射線作為2次元圖像予以映射，可知前述富鋁紅柱石質燒結體於前述界面A及B之任一者中，釔元素均沿富鋁紅柱石結晶粒1之表面層狀分佈。又，結晶粒界玻璃相2主要為非晶質之氧化矽(SiO₂ )。 前述富鋁紅柱石質燒結體係釔元素為特定微量含量，而可發揮如上述優異特性者，基於此等觀點，前述分佈中之層狀之層厚較佳為5nm以下，更佳為1~4nm，又更佳為1~3nm。

(富鋁紅柱石結晶粒) 本發明之構成富鋁紅柱石質燒結體之富鋁紅柱石結晶粒係平均粒徑為1.00~3.00μm，較佳為1.00~2.19μm，更佳為1.00~2.15μm。 前述平均粒徑若為1.00μm以上，則可成為具有充分耐熱衝擊性及機械強度之富鋁紅柱石質燒結體。且藉由前述平均粒徑為3.00μm以下，可成為燒結性良好，且耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。

本發明中所稱之粒徑係將前述富鋁紅柱石質燒結體進行鏡面研磨後，以SEM觀察經熱蝕刻處理之面，針對該觀察像中之任意約200個(200個以上)之富鋁紅柱石結晶粒，藉由圖像解析求出之面積圓相當直徑。前述平均粒徑係前述圖像解析之對象約200個之富鋁紅柱石結晶粒之粒徑的算術平均值。具體而言，由後述實施例中記載之方法求出。 又，前述富鋁紅柱石質燒結體之結晶相為富鋁紅柱石之鑑定係針對將該燒結體以球磨機等粉碎後之粉末的粉末X射線繞射(粉末XRD)分析而確認。又，燒結體中之釔元素於結晶粒界玻璃相中係以非晶形狀態存在，可藉由使用放射光之X射線吸收微細構造(XAFS)分析而確認。

又，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均長寬比微1.65以下，較佳1.55以下，更佳1.50以下。 前述平均長寬比若為1.65以下，則該燒結體之緻密性良好，可成為耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。

本發明之長寬比係將上述之前述富鋁紅柱石質燒結體之SEM觀察像之圖像解析中，以長方形包圍結晶粒外形時之最小長方形，亦即將外切長方形之長邊設為長徑，將短邊視為短徑時之前述長徑相對於前述短徑之比(長徑/短徑)。但，亦包含長徑與短徑相同長度之情況，此時之長寬比為1。前述平均長寬比係前述圖像解析之對象約200個之富鋁紅柱石結晶粒之長寬比之算術平均值。

前述富鋁紅柱石結晶粒之粒徑及長寬比之標準偏差較小較佳。亦即，基於獲得良好耐熱衝擊性及機械強度之觀點，前述富鋁紅柱石結晶粒之大小及形狀之偏差較小較佳。 前述粒徑之標準偏差較佳未達1.00μm，更佳未達0.90 μm，又更佳未達0.85μm。又前述長寬比之標準偏差較佳未達0.70，更佳未達0.50，又更佳未達0.45。

前述富鋁紅柱石結晶粒，基於該富鋁紅柱石質燒結體之良好緻密性之觀點，長的柱狀結晶粒較少較佳。因此，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均長徑較佳為1.50~4.00μm，更佳為1.70~3.00μm，又更佳為2.00~2.70 μm。又前述富鋁紅柱石結晶粒之平均短徑較佳為1.00~ 2.00μm，更佳為1.20~1.85μm，又更佳為1.50~1.80μm。

前述平均長徑係求出上述長寬比之際的圖像解析對象約200個之富鋁紅柱石結晶粒之長徑的算術平均值。同樣地，前述平均短徑係求出上述長寬比之際的圖像解析對象約200個之富鋁紅柱石結晶粒之短徑的算術平均值。

再者，前述富鋁紅柱石結晶粒，基於獲得緻密性高的富鋁紅柱石質燒結體之觀點，柱狀結晶粒較少較佳。因此，柱狀結晶粒數相對於球狀結晶粒數之比率(柱狀結晶粒數/球狀結晶粒數；以下亦稱為柱狀/球狀比率)較佳為1.00以下，更佳為0.80以下，又更佳為0.70以下。 又，本發明所稱之柱狀結晶粒係指前述長寬比為1.5以上之富鋁紅柱石結晶粒者，又球狀結晶粒係指前述長寬比未達1.5之富鋁紅柱石結晶粒者。

(相對密度) 前述富鋁紅柱石質燒結體之相對密度較佳為98.5%以上，更佳為99.0%以上，又更佳為99.2%以上。前述相對密度係表觀密度相對於真密度之比例，越接近100%，該富鋁紅柱石質燒結體之緻密性越高，基於獲得良好耐熱衝擊性及機械強度之觀點係較佳。 本說明書中之真密度係針對將前述富鋁紅柱石質燒結體粉碎之粉末試料，以氣體置換法測定之值。又，本說明書中之表觀密度係依據JIS R 1634:1988規定之方法求出之值。具體而言，藉由後述實施例中記載之方法求出。

(耐熱衝擊性) 前述富鋁紅柱石質燒結體係耐熱衝擊性優異者，具體而言，依據JIS R 1648:2002規定之相對法之熱衝擊試驗方法所測定之耐熱衝擊溫度差較佳為300℃以上，更佳為310℃以上，又更佳為320℃以上。 藉由具有如上述之耐熱衝擊溫度差而使該富鋁紅柱石質燒結體可較佳地使用作為耐熱性陶瓷構件。 前述耐熱衝擊溫度差具體而言可藉由後述實施例中記載之方法測定。

(機械強度) 前述富鋁紅柱石質燒結體係機械強度優異者，具體而言可藉由室溫(25℃)之4點彎曲強度而顯示。亦即本發明中，前述4點彎曲強度使用作為用以表示該富鋁紅柱石質燒結體之機械強度之一指標。 前述4點彎曲強度數值越大越佳，為了說是具有充分機械強度，較佳為200MPa以上，更佳為210MPa以上，又更佳為215MPa以上，又更佳為300MPa以上。 前述4點彎曲強度係依據JIS R 1601:2008規定之試驗方法測定之值。具體而言，可藉由後述實施例中記載之方法測定。

[富鋁紅柱石質燒結體之製造方法] 作為製造前述富鋁紅柱石質燒結體之方法，較佳為例如由本發明之製造方法製造。具體而言，係包含下述步驟之製造方法：調製包含富鋁紅柱石原料粉及釔化合物的混合原料之混合步驟，將前述混合原料進行成形而製作成形體之成形步驟，以及將前述成形體以1500~1800℃進行燒成而得到前述富鋁紅柱石質燒結體之燒成步驟。而且，將前述釔化合物之添加量設為前述富鋁紅柱石質燒結體中所含有之釔元素的含量成為以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之量。 藉由經過此等步驟，可較佳地獲得前述富鋁紅柱石質燒結體。 以下依序說明上述製造方法之各步驟。

(混合步驟) 混合步驟係首先調製包含富鋁紅柱石原料粉及釔化合物的混合原料。 前述富鋁紅柱石原料粉可為富鋁紅柱石粉末，且亦可為氧化鋁(alumina)粉末及氧化矽(silica)粉末之混合粉。又，前述混合粉亦可使用預先在大氣下於1000~1500℃左右暫時燒成所得之富鋁紅柱石暫時燒成粉末。

使用富鋁紅柱石粉末作為前述富鋁紅柱石原料粉時，基於容易獲得具有前述富鋁紅柱石結晶粒之富鋁紅柱石質燒結體之觀點，該富鋁紅柱石粉末之體積分佈50%累積值之粒徑(以下稱為D50粒徑)較佳為0.01~2.50 μm，更佳為0.01~2.00μm，又更佳為0.01~1.00μm。 又，使用氧化鋁粉末及氧化矽粉末之混合粉時，各粉末之D50粒徑較佳為0.01~2.50μm，更佳為0.01~1.00μm，又更佳為0.01~0.50μm。該情況下，氧化鋁粉末及氧化矽粉末之混合比，以富鋁紅柱石之組成式3Al₂ O₃ ･2SiO₂ 中之理論莫耳組成比較佳成為Al₂ O₃ /SiO₂ =3/2。 又，前述粒徑D50可藉由雷射繞射散射法測定。

又，如前述，前述富鋁紅柱石質燒結體中，較佳不含有前述釔元素及源自前述富鋁紅柱石原料粉之製造中不可避免含有之雜質的雜質元素以外之雜質元素。因此，前述富鋁紅柱石原料粉較佳使用高純度者。具體而言，前述富鋁紅柱石原料粉之各純度為99.00質量%以上，更佳為99.20質量%以上，又更佳為99.50質量%以上。

作為前述釔化合物，較佳係氧化釔，或於燒成步驟中可生成氧化釔且於前述富鋁紅柱石質燒結體中不產生其他殘留雜質元素般之化合物。作為此等化合物舉例為例如碳酸釔、硝酸釔、硫酸釔、草酸釔、乙酸釔及該等之水合物，且舉例為硬脂酸釔、異丙氧化釔、2-乙基己酸釔、乙醯丙酮酸釔等之釔有機化合物。該等中，可單獨使用1種，亦可併用2種以上。前述化合物中之釔元素以外之構成元素由於於後述燒成步驟中，可作為例如二氧化碳或水蒸氣、其他氣體成分等揮發，故不被視為前述富鋁紅柱石質燒結體中之雜質元素。

前述釔化合物之添加量係設為所製造之富鋁紅柱石質燒結體中所含有之釔元素的含量成為以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之量，較佳為0.01~0.15質量%，更佳為0.02質量%以上且未達0.10質量%，又更佳為0.02~ 0.05質量%。 藉由將前述釔化合物以上述特定範圍之量添加，由於可抑制富鋁紅柱石結晶粒之粒徑及長寬比之偏差，難以產生於遭受熱衝擊之際可能成為破壞起點之粗大粒子，因此可對富鋁紅柱石質燒結體賦予充分之耐熱衝擊性。又，前述釔化合物過量添加時，富鋁紅柱石之柱狀結晶粒容易成長，但若以上述特定範圍內之微量添加，則該柱狀結晶粒之成長受抑制，可抑制伴隨該富鋁紅柱石質燒結體中氣孔增加之密度降低，亦可賦予優異之機械強度。 尤其，於如後述施以退火處理之富鋁紅柱石質燒結體中，藉由添加如上述之微量釔化合物，可獲得耐熱衝擊性及機械強度特性更提高之燒結體。

前述混合原料中，基於提高各調配成分之分散性為目的之分散劑或基於提高隨後成形步驟之成形性為目的之成形助劑等之添加成分，亦可在不妨礙前述富鋁紅柱石質燒結體之本發明效果的範圍內添加。前述添加成分係使用於富鋁紅柱石質燒結體中不產生殘留雜質元素者。 作為前述分散劑舉例為例如丙烯酸、丙烯酸銨寡聚物、羧甲基纖維素銨、聚羧酸銨、單乙胺等。又，亦可使用蠟乳液、脂肪酸、陰離子系界面活性劑、合成界面活性劑等作為前述分散劑。 作為前述成形助劑舉例為例如聚乙烯醇、甲基纖維素、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、澱粉、聚環氧乙烷、聚丙烯酸鈉、聚丙烯醯胺、聚乙烯縮丁醛、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、甘油、聚乙二醇、鄰苯二甲酸二丁酯、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂等。

作為調製前述混合原料之混合手段可使用例如容器旋轉式、機械攪拌式、流動攪拌式、高速剪切/衝擊式等之習知混合方式。 前述混合原料可為僅將前述富鋁紅柱石原料粉及前述釔化合物以乾式混合，但基於更均一混合性等之觀點，較佳藉由使用液體之分散介質之濕式混合而調製。 前述濕式混合之情況，較佳邊抑制前述混合原料之凝集邊混合。例如於容器旋轉式時，較佳藉由以球磨機等同時進行濕式粉碎及混合，調製前述混合原料。

作為前述分散介質，較佳為可獲得前述富鋁紅柱石原料粉及前述釔化合物經均一混合之混合原料，且容易揮發、於所製造之富鋁紅柱石質燒結體中難以殘留者，舉例為例如水、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、丁醇、甲酸、乙酸、N,N-二甲基甲醯胺、乙腈、丙酮、乙酸乙酯、二乙醚、甲苯、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、苯、己烷等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等中，基於取得及處理容易性、以及成本等之觀點，較佳使用水。

前述濕式混合之際的分散介質使用量，可對應於前述富鋁紅柱石原料粉、前述釔化合物及其他成分之調配量，考慮均一混合性等而適當調整，但基於隨後步驟之去除效率之觀點，較佳不多於必要以上。 前述分散介質之使用量係隨該分散介質種類而異，但例如使用水時，相對於前述富鋁紅柱石原料粉及前述釔化合物之合計100質量份，較佳為40~200質量份，更佳為40~150質量份，又更佳為40~100質量份。

(成形步驟) 成形步驟中，使前述混合步驟中調製之混合原料進行成形製作成形體。 前述混合原料係以濕式混合調製者時，藉由薄片成形法(刮板法)可獲得薄片狀成形體。 又，將前述混合原料作成乾燥粉後，亦可成形。自前述混合原料獲得前述乾燥粉之方法舉例為例如噴霧乾燥，或將該混合原料以恆溫乾燥器等乾燥獲得之乾固物以球磨機等解碎之方法等。前述濕式混合中之分散介質例如為水之情況下，乾燥溫度較佳為80~300℃。 成形所用之前述乾燥粉之粒徑並未特別限定，但基於處理性或成形加工性等之觀點，一般較佳於粒徑0.1~50μm之範圍內以篩等分級者。

用以使用乾式混合調製之粉末狀之前述混合原料，又或者使用前述乾燥粉獲得成形體之成形方法可使用例如利用模具之單軸加壓成形、冷靜水壓加壓(CIP)成形、擠出成形等之習知成形方法。亦可組合該等中之2種以上之成形方法，例如亦可以單軸加壓成形進行預備成形後，實施CIP處理製作成形體。 前述成形體亦可對應於所製造之富鋁紅柱石質燒結體之使用用途或目的等，加工為適當、期望形狀或大小等。

(燒成步驟) 燒成步驟中，於前述成形步驟中製作之成形體於1500 ~1800℃進行燒成，獲得前述富鋁紅柱石質燒結體。 作為用以獲得前述富鋁紅柱石質燒結體之燒成方法，可使用例如常壓燒成法、熱加壓法、氣體加壓燒成法、微波加熱燒成法、放電電漿燒結法等之習知燒成(燒結)方法。該等中，常壓燒成法係就成本或形態制約等方面較有利之燒成方法。本發明中，藉由使用前述混合原料，藉由於大氣下之常壓燒成法，可簡便地獲得耐熱衝擊性及機械強度優異之富鋁紅柱石質燒結體。 前述常壓燒成法中，藉由例如於大氣下、電爐內，於1400~1800℃將前述成形體燒成0.5~5小時，可獲得前述富鋁紅柱石質燒結體。 前述燒結體亦可對應於其使用用途或目的等，加工為適當、期望形狀或大小等。

如上述所得之富鋁紅柱石質燒結體亦可進而於1300~1600℃實施加熱處理。 如此，前述燒成步驟後之再加熱處理係所謂之退火處理。藉由經過此等加熱處理步驟，而使前述燒結體中之包含釔元素之粒界玻璃相中之變形緩和，提高耐熱衝擊性及機械強度。因此，前述燒成步驟後，較佳經過如上述之加熱處理步驟。 前述加熱處理步驟可藉由例如於大氣下、電爐內，於1300~1600℃之範圍內之比該富鋁紅柱石質燒結體之燒成溫度低之溫度加熱該燒結體0.5~5小時而進行。 [實施例]

以下藉由實施例具體說明本發明，但本發明並非限定於下述實施例者。

[富鋁紅柱石質燒結體之製造] 下述實施例及比較例所用之各種調配原料成分之細節如以下。 ･氧化鋁粉末：氧化鋁純度99.99質量%，粒徑D50：0.3μm ･氧化矽粉末：氧化矽純度99.99質量%，粒徑D50：0.3μm ･釔化合物(1)：乙酸釔四水合物(純度99.9質量%) ･釔化合物(2)：氧化釔(信越化學工業股份有限公司製「RUP」，純度99.9質量%以上，粒徑D50：1.1μm)

(實施例1) 於球磨機中，投入作為富鋁紅柱石原料粉之氧化鋁粉末71.76質量份及氧化矽粉末28.18質量份(相當於富鋁紅柱石之組成式3Al₂ O₃ ･2SiO₂ 中之理論莫耳組成比Al₂ O₃ /SiO₂ =3/2)。進而，添加作為釔化合物之乙酸釔四水合物0.06質量份及水64質量份，使用氧化鋁球(直徑5mm)進行濕式混合，獲得混合原料。 又，前述釔化合物之添加量，係將所製造之富鋁紅柱石質燒結體之構成成分視為僅氧化鋁、氧化矽及氧化釔，而為該等構成成分之合計100質量%中之氧化釔含量成為0.02質量%之量。亦即，所謂0.02質量%意指富鋁紅柱石質燒結體100質量%中之釔元素(Y)含量以氧化釔換算表示之量。 其次，將前述混合原料以噴霧乾燥機(噴霧乾燥裝置)予以乾燥，以篩予以分級，獲得粒徑10~50μm之乾燥粉。前述乾燥粉藉單軸加壓成形而預備成形後，以CIP處理製作直徑50mm、厚7mm之圓盤狀成形體。 前述成形體於電爐內，於大氣下、1700℃燒成3小時，獲得富鋁紅柱石質燒結體。

(實施例2~5及比較例1~4) 實施例1中，將所製造之富鋁紅柱石質燒結體100質量%中釔元素(Y)成為下述表1所示含量之方式，添加前述釔化合物，其此外與實施例1同樣，製作各富鋁紅柱石質燒結體。

(實施例6~7) 實施例1中，使用氧化釔作為釔化合物，將所製造之富鋁紅柱石質燒結體100質量%中釔元素(Y)成為下述表1所示含量之方式，添加前述釔化合物，其此外與實施例1同樣，製作各富鋁紅柱石質燒結體。

(實施例8~14及比較例5及6) 實施例1~7及比較例2及4所得之各富鋁紅柱石質燒結體於電爐內，大氣下、1500℃再加熱處理3小時。

[富鋁紅柱石質燒結體之評價測定] 針對上述實施例及比較例所得之各富鋁紅柱石質燒結體，進行下述各項目之評價測定。該等評價測定結果如下述表1所示。

(相對密度) 依據JIS R 1634:1988規定之方法求出表觀密度。 又，富鋁紅柱石質燒結體以球磨機使用氧化鋁球(直徑5mm)予以粉碎，針對所得粉末，以氣體置換法(使用氣體：氦)求出真密度。 相對密度係算出表觀密度相對於真密度之比例而求出。

(X射線分析) 將與前述真密度之測定所用者相同的粉末作為試料，以X射線繞射測定裝置(「X’Pert PRO」，Panalytical公司製，靶材：銅，Cu-Kα1線)，以繞射角2θ為10~80°之測定範圍進行粉末XRD分析。所得測定光譜峰與參考碼比較後，確認結晶相僅為富鋁紅柱石(3Al₂ O₃ ･2SiO₂ )。 又，藉由XAFS分析，確認富鋁紅柱石質燒結體中之釔元素於結晶粒界玻璃相中以非晶形狀態存在。

(富鋁紅柱石結晶粒之SEM觀察) 所得富鋁紅柱石質燒結體使用鑽石研磨石切斷，其剖面以鑽石漿料(D50粒徑3μm及1μm)進行鏡面研磨，再者，於電爐內，於1575℃加熱10分鐘，進行熱蝕刻處理。實施前述熱蝕刻處理之富鋁紅柱石質燒結體之試料表面以SEM(「JSM-6510V」，日本電子股份有限公司製)進行觀察。 圖2~5中，顯示作為代表例之實施例2、比較例4、實施例9及比較例6之SEM之觀察像(倍率2500倍)。 針對各試料之SEM觀察相中任意約200個(200個以上)之富鋁紅柱石結晶粒，以圖像解析軟體「Mac-View ver.4」(MOUNTEK股份有限公司製)，測定粒徑、長徑、短徑及長寬比。

前述圖像解析中，結晶粒之面積圓相當直徑視為粒徑。又，以長方形包圍結晶粒外形時之最小長方形，亦即將外切長方形之長邊設為長徑，將短邊視為短徑(亦包含長徑與短徑相同長度之情況)。且前述長徑相對於前述短徑之比(長徑/短徑)為長寬比。 由該等測定值，求出平均粒徑、粒徑之標準偏差、平均長寬比、長寬比之標準偏差、平均長徑、平均短徑及柱狀結晶粒數相對於球狀結晶粒數之比率(柱狀/球狀比率)。又，前述柱狀/球狀比率係將前述長寬比為1.5以上之結晶粒視為柱狀結晶粒，將未達1.5之結晶粒視為球狀結晶粒，將柱狀結晶粒數除以球狀結晶粒數而算出。

(EDS元素映射) 針對作為代表例之實施例2所得之富鋁紅柱石質燒結體，使用原子分解能分析電子顯微鏡(「JEM-ARM200F」，日本電子股份有限公司製，加速電壓200kV，STEM(掃描透過)模式)及作為EDS檢測器之Dual SDD(矽漂移檢測器「JED-2300T」，日本電子股份有限公司製，檢測面積100mm² )，針對富鋁紅柱石結晶粒1與結晶粒界玻璃相2之界面A及富鋁紅柱石結晶粒1彼此之界面B，藉由EDS進行元素映射，調查釔元素之分佈狀態(參照圖1)。 又，針對鋁元素及矽元素亦進行EDS映射，結果於結晶粒界玻璃相2中確認到矽元素分佈，但未確認到鋁元素分佈。

(耐熱衝擊性) 依據JIS R 1648:2002規定之相對法之耐熱衝擊試驗方法，測定耐熱衝擊溫度差。自所得富鋁紅柱石質燒結體切出相當於JIS R 1601:2008中規定之標準試驗片I的試驗片(40mm×4.0mm×3.0mm)，以箱型電爐加熱至試驗溫度後，自由落下至水中賦予熱衝擊。針對該試驗片，依據 JIS R 1601:2008之4點彎曲試驗方法，測定熱衝擊試驗後之殘存彎曲強度。其他測定條件及順序係依據 JIS R 1648:2002記載之方法，求出耐熱衝擊溫度差。 耐熱衝擊溫度差越大，表示耐熱衝擊性越優異。本評價中，前述耐熱衝擊溫度差若為300℃以上，則可說耐熱衝擊性優異。進而若為320℃以上，則可說耐熱衝擊性更優異故而較佳。

(4點彎曲強度) 作為用以表示富鋁紅柱石質燒結體之機械強度之一指標，測定富鋁紅柱石質燒結體之4點彎曲強度。前述4點彎曲強度測定係依據JIS R 1601:2008規定之4點彎曲強度試驗方法，使用自所得富鋁紅柱石質燒結體切出之標準試驗片I(40mm×4.0mm×3.0mm)，於室溫(25℃)進行。 前述4點彎曲強度於本評價中若為200MPa以上，則可說機械強度優異。進而若為210MPa以上，可說機械強度更優異故而較佳。又更佳為300MPa以上。

如由表1所示之評價結果所了解，包含特定量之釔元素，且富鋁紅柱石結晶粒具有特定平均粒徑及特定長寬比之富鋁紅柱石質燒結體(實施例1~14)確認耐熱衝擊性及機械強度優異。 尤其，釔元素以氧化釔換算為0.02~0.05質量%且經過加熱處理步驟(再加熱處理)之富鋁紅柱石質燒結體(實施例8~14)確認係具有更優異耐熱衝擊性及機械強度者。

又，由圖2~5之SEM觀察像確認相對密度較大而為99.7質量%之實施例2及9之富鋁紅柱石質燒結體(圖2及4)，與釔元素含量較多，相對密度較99.7質量%以下更小之比較例4及6之富鋁紅柱石質燒結體(圖3及5)相比，空隙較少，緻密性優異，柱狀結晶粒之比率較低。

又，實施例2之富鋁紅柱石質燒結體之EMS元素映射中，前述界面A及B均確認到釔元素沿著富鋁紅柱石結晶粒1表面以厚約2nm之層狀分佈。

1:富鋁紅柱石結晶粒 2:結晶粒界玻璃相 A:富鋁紅柱石結晶粒與結晶粒界玻璃相之界面 B:富鋁紅柱石結晶粒彼此之界面

[圖1] 係本發明之富鋁紅柱石質燒結體之微細構造之概略剖面圖。 [圖2] 係實施例2之富鋁紅柱石質燒結體之剖面掃描型電子顯微鏡(以下簡稱為「SEM」)之觀察像(倍率2500倍)。 [圖3] 係比較例4之富鋁紅柱石質燒結體之剖面SEM觀察像(倍率2500倍)。 [圖4] 係實施例9之富鋁紅柱石質燒結體之剖面SEM觀察像(倍率2500倍)。 [圖5] 係比較例6之富鋁紅柱石質燒結體之剖面SEM觀察像(倍率2500倍)。

1:富鋁紅柱石結晶粒

2:結晶粒界玻璃相

A:富鋁紅柱石結晶粒與結晶粒界玻璃相之界面

B:富鋁紅柱石結晶粒彼此之界面

Claims (14)

1. 一種富鋁紅柱石質燒結體，其包含以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之釔元素， 構成前述燒結體的富鋁紅柱石結晶粒之平均粒徑為1.00~3.00μm，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均長寬比為1.65以下。
2. 如請求項1之富鋁紅柱石質燒結體，其相對密度為98.5%以上。
3. 如請求項1或2之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之粒徑的標準偏差為未滿1.00μm。
4. 如請求項1~3中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之長寬比的標準偏差為未滿0.70。
5. 如請求項1~4中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均長徑為1.50~4.00μm。
6. 如請求項1~5中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒之平均短徑為1.00~2.00μm。
7. 如請求項1~6中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述富鋁紅柱石結晶粒中，柱狀結晶粒數相對於球狀結晶粒數之比率為1.00以下。
8. 如請求項1~7中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，富鋁紅柱石的含量為99.00~99.99質量%。
9. 如請求項1~8中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述釔元素係在前述富鋁紅柱石結晶粒之表面的至少一部分，沿著該表面層狀地分布。
10. 如請求項1~9中任一項之富鋁紅柱石質燒結體，其中，依據JIS R 1648:2002所規定的藉由相對法之熱衝擊試驗方法而測定之耐熱衝擊溫度差為300℃以上。
11. 如請求項10之富鋁紅柱石質燒結體，其中，前述耐熱衝擊溫度差為320℃以上。
12. 一種富鋁紅柱石質燒結體之製造方法，其係製造如請求項1~11中任一項之富鋁紅柱石質燒結體的方法，其包含： 調製包含富鋁紅柱石原料粉及釔化合物的混合原料之混合步驟， 將前述混合原料進行成形而製作成形體之成形步驟，以及 將前述成形體以1500~1800℃進行燒成而得到前述富鋁紅柱石質燒結體之燒成步驟； 將前述釔化合物之添加量設為前述富鋁紅柱石質燒結體中所含有之釔元素的含量成為以氧化釔換算計為0.01~0.25質量%之量。
13. 如請求項12之富鋁紅柱石質燒結體之製造方法，其中，前述混合步驟中，藉由濕式混合調製前述混合原料。
14. 如請求項12或13之富鋁紅柱石質燒結體之製造方法，其包含將於前述燒成步驟所得之富鋁紅柱石質燒結體以1300~1600℃進行加熱處理之步驟。

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