TW202026654A - 半導體裝置、半導體試驗裝置及半導體裝置之試驗方法 - Google Patents

半導體裝置、半導體試驗裝置及半導體裝置之試驗方法 Download PDF

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Abstract

本發明於包含多層半導體基板之半導體裝置中，簡易地檢測出複數個基板間之連接引起之異常。 半導體裝置具備複數個半導體基板、連接構件、電源端子及觀測端子。連接構件於複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及複數個半導體基板之至少1根連接線。電源端子連接於連接線之一端，觀測端子連接於連接線之另一端。向電源端子供給電源。觀測端子用於觀測連接線之電阻狀態。

Description

半導體裝置、半導體試驗裝置及半導體裝置之試驗方法
本技術係關於一種半導體裝置之試驗方法。詳細而言，係關於一種半導體裝置、半導體試驗裝置及該等中之試驗方法。
對於半導體裝置要求之功能涉及多個方面，正在不斷推進多功能化及高積體化。因此，利用包含將複數個半導體基板貼合並積層而成之多層半導體基板的半導體裝置。例如，提出了將像素基板與邏輯基板電性連接之固體攝像元件(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-117828號公報
[發明所欲解決之問題]
上述先前技術可將積層之複數個基板間電性連接。然而，伴隨基板間之連接增多，特定出異常變得困難，其解析需要較長之時間。
本技術係鑒於此種狀況產生者，其目的在於可簡易地檢測出複數個基板間之連接引起之異常。 [解決問題之技術手段]
本技術係為了消除上述問題點而成者，其第1態樣係一種半導體裝置，其具備：複數個半導體基板；連接構件，其於上述複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及上述複數個半導體基板之至少1根連接線；電源端子，其連接於上述連接線之一端；及觀測端子，其連接於上述連接線之另一端。藉此，產生觀測跨及複數個半導體基板之連接線之狀態之作用。
又，上述第1態樣中，上述連接構件亦可具備形成於上述複數個半導體基板之接合面之雙方，相互接觸並電性連接的金屬電極。藉此，產生藉由金屬電極將複數個半導體基板電性連接之作用。
又，上述第1態樣中，上述連接構件亦可具備於上述複數個半導體基板之至少1者貫通該半導體基板之貫通孔。藉此，產生藉由貫通孔將複數個半導體基板電性連接之作用。
又，上述第1態樣中，上述連接線亦可形成於上述複數個半導體基板中之觀測對象之區域附近。藉此，產生檢測於特定區域產生之不良之作用。
又，上述第1態樣中，上述連接構件亦可具備一端連接於上述電源端子且形成於上述複數個半導體基板中之不同區域的複數根上述連接線。藉此，產生對半導體基板中之不同之複數個區域進行觀測之作用。於該情形時，亦可進而具備選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者而使其連接於上述觀測端子的選擇器。藉此，產生切換複數個區域進行觀測之作用。
又，本技術之第2態樣係一種半導體試驗裝置，其具備：半導體裝置，該半導體裝置具備：於上述複數個半導體基板之接合面電性連接而形成跨及上述複數個半導體基板之至少1根連接線的連接構件、連接於上述連接線之一端之電源端子、及連接於上述連接線之另一端之觀測端子；電源，其向上述電源端子供給電源；及觀測計，其連接於上述觀測端子，觀測通電狀態。藉此，產生利用觀測計對跨及複數個半導體基板之連接線之狀態進行觀測之作用。
又，上述第2態樣中，亦可上述電源為直流電源，上述觀測計為計測自上述電源端子流向上述觀測端子之電流之電流計。藉此，產生計測跨及複數個半導體基板之連接線之電阻狀態之作用。
又，上述第2態樣中，上述連接構件亦可進而具備一端連接於上述電源端子且形成於上述複數個半導體基板中之不同區域的複數根上述連接線。藉此，產生針對半導體基板中之不同之複數個區域，計測連接線之電阻狀態之作用。於該情形時，亦可進而具備選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者，使其連接於上述觀測端子的選擇器。藉此，產生切換複數根連接線計測電阻狀態之作用。
又，本技術之第3態樣係一種半導體裝置之試驗方法，該半導體裝置具備：連接構件，其於複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及上述複數個半導體基板之複數根連接線；電源端子，其連接於上述複數根連接線之一端；選擇器，其選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者；及觀測端子，其連接於上述選擇器之輸出；且上述半導體裝置之試驗方法具備以下程序：向上述電源端子供給電源；藉由上述選擇器依次選擇上述複數根連接線；及經由上述觀測端子觀測上述複數根連接線之通電狀態，檢測顯示高於規定閾值之電阻狀態之連接線作為不良部位。藉此，產生觀測跨及複數個半導體基板之連接線之通電狀態，檢測出不良部位之作用。
以下，對用於實施本技術之形態(以下稱為實施形態)進行說明。依據以下之順序進行說明。 1.實施形態 2.變化例
＜1.實施形態＞ [半導體裝置之構成] 圖1係表示作為本技術之實施形態中之半導體裝置之一例的固體攝像裝置之構成例之圖。該固體攝像裝置構成為CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補性氧化金屬半導體)影像感測器。該固體攝像裝置於(未圖示之)半導體基板(例如矽基板)具有攝像元件10及周邊電路部。周邊電路部具備：垂直驅動電路20、水平驅動電路30、控制電路40、行信號處理電路50、及輸出電路60。
攝像元件10係將包含光電轉換部之複數個像素11以二維陣列狀地排列而成之像素陣列。該像素11包含作為光電轉換部之例如光電二極體、及複數個像素電晶體。此處，複數個像素電晶體例如可包含傳送電晶體、重設電晶體及放大電晶體之3個電晶體。又，複數個像素電晶體亦可追加選擇電晶體而包含4個電晶體。再者，由於單位像素之等效電路與一般等效電路相同，故省略詳細之說明。
又，像素11亦可構成為1個單位像素，又，亦可為像素共有構造。該像素共有構造係複數個光電二極體共有除浮動擴散及傳送電晶體以外之其他電晶體之構造。
垂直驅動電路20係以列單位驅動像素11者。該垂直驅動電路20例如包含移位暫存器。該垂直驅動電路20選擇像素驅動配線，向該選擇之像素驅動配線供給用於驅動像素11之脈衝。藉此，垂直驅動電路20以列單位依次於垂直方向上對攝像元件10之各像素11進行選擇掃描，將基於各像素11之光電轉換部中根據受光量產生之信號電荷的像素信號，經由垂直信號線(VSL)19供給至行信號處理電路50。
水平驅動電路30係以行單位驅動行信號處理電路50者。該水平驅動電路30例如包含移位暫存器。該水平驅動電路30藉由依次輸出水平掃描脈衝，從而依序選擇行信號處理電路50之各者，自行信號處理電路50之各者向水平信號線59輸出像素信號。
控制電路40係控制整個固體攝像裝置者。該控制電路40接收輸入時脈、與對運作模式等進行指示之資料，輸出固體攝像裝置之內部資訊等資料。即，該控制電路40基於垂直同步信號、水平同步信號及主時鐘，產生作為垂直驅動電路20、行信號處理電路50及水平驅動電路30等之動作基準之時脈信號及控制信號。並且，將該等信號輸入至垂直驅動電路20、行信號處理電路50及水平驅動電路30等。
行信號處理電路50配置於像素11之例如每行，針對自1列像素11輸出之信號，對每一像素行進行雜訊去除等信號處理。即，該行信號處理電路50進行用於去除像素11固有之固定圖像雜訊之CDS(Correlated Double Sampling，相關雙重取樣)、及信號放大、AD(Analog/Digital，類比/數位)轉換等信號處理。於行信號處理電路50之輸出段，(未圖示之)水平選擇開關連接於與水平信號線59之間。
輸出電路60對於自行信號處理電路50之各者通過水平信號線59依次供給之信號，進行信號處理並將其輸出。此時，該輸出電路60對來自行信號處理電路50之信號進行緩存。又，該輸出電路60亦可對來自行信號處理電路50之信號進行黑位準調整、行偏差修正、各種數位信號處理等。
[基板分割] 圖2係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之基板之分割例之圖。
該圖中之a表示第1例。該第1例包含第1半導體基板100與第2半導體基板200。於第1半導體基板100搭載有像素區域93及控制電路94。於第2半導體基板200搭載有包含信號處理電路之邏輯電路95。並且，藉由將第1半導體基板100與第2半導體基板200相互電性連接，構成作為1個半導體晶片之固體攝像裝置。
該圖中之b表示第2例。該第2例包含第1半導體基板100與第2半導體基板200。於第1半導體基板100搭載有像素區域93。於第2半導體基板200搭載有控制電路94、及包含信號處理電路之邏輯電路95。並且，藉由將第1半導體基板100與第2半導體基板200相互電性連接，構成作為1個半導體晶片之固體攝像裝置。
該圖中之c表示第3例。該第3例包含第1半導體基板100與第2半導體基板200。於第1半導體基板100搭載有像素區域93、及控制該像素區域93之控制電路94。於第2半導體基板200搭載有包含信號處理電路之邏輯電路95、及控制該邏輯電路95之控制電路94。並且，藉由將第1半導體基板100與第2半導體基板200相互電性連接，構成作為1個半導體晶片之固體攝像裝置。
[基板剖面] 圖3係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之基板剖面之例的圖。
該半導體攝像裝置中，如上所述，於接合面199，第1半導體基板100與第2半導體基板200貼合。該例中，作為形成於接合面附近之連接構件之一例，設想銅(Cu)配線，於連接構件於第1半導體基板100之銅配線101至103與第2半導體基板200之銅配線201至203之間直接接合。
銅配線101及201具有用於進行第1半導體基板100及第2半導體基板200之電性連接之用途。即，銅配線101及201之兩者形成為具有連接孔，且連接於各基板內部。
銅配線102及202具有用作第2半導體基板200中之配線之用途。即，銅配線102用作第1半導體基板100之配線。同樣地，銅配線202用作第2半導體基板200之配線。
銅配線103及203進行第1半導體基板100及第2半導體基板200之電性連接，但不與內部之配線連接。成為所謂虛設之配線。其用於確保平坦性。再者，銅配線103及203亦可藉由與內部之配線連接，從而用作遮罩。
圖4係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之銅配線與金屬配線層之關係例的圖。
此處，如上所述，表示於接合面199將第1半導體基板100與第2半導體基板200貼合之例。第1半導體基板100及第2半導體基板200之各者中，設想6層金屬配線層作為一例，自矽(Si)層依序表示為M1至M6。
又，使第1半導體基板100及第2半導體基板200之銅配線相互接觸，電性連接。將第1半導體基板100之銅配線表示為CC1，將第2半導體基板200之銅配線表示為CC2。並且，將第1半導體基板100中之銅配線CC1與金屬配線層M6之垂直方向之連接表示為VC1，將第2半導體基板200中之銅配線CC2與金屬配線層M6之垂直方向之連接表示為VC2。
該圖中之a係將銅配線CC1及CC2用於第1半導體基板100與第2半導體基板200之間之通常連接之例。該例中，不同銅配線CC1及CC2分別獨立地將第1半導體基板100與第2半導體基板200之間連接。
該圖中之b係藉由將連接第1半導體基板100與第2半導體基板200之間之銅配線CC1及CC2、與金屬配線層M6組合而形成鏈構造者。將此種連成一串之連接稱為菊鏈(daisy chain)。該實施形態中，利用該菊鏈對第1半導體基板100與第2半導體基板200之間之連接之電阻狀態進行觀測。
該圖中之c中表示將第1半導體基板100與第2半導體基板200之間連接之銅配線CC1及CC2，但該情形時之銅配線CC1及CC2不與金屬配線層連接，不具有傳輸電路信號之功能。銅配線CC1及CC2相當於上述虛設之配線，主要用於確保平坦性。
[基板平面] 圖5係表示本技術之實施形態中之第1半導體基板100之平面之例的圖。
此處，設想上述攝像元件10搭載於第1半導體基板100，上述行信號處理電路50搭載於第2半導體基板200。該圖中所示之第1半導體基板100之中央部具有包含攝像元件10之像素區域150。並且，使跨及兩者間之垂直信號線(VSL)19藉由銅配線121及122連接。
又，設想上述垂直驅動電路20搭載於第2半導體基板200，藉由銅配線123連接來自第2半導體基板200之垂直驅動之控制信號線，供給至第1半導體基板100之像素區域150。再者，此處，對藉由銅配線123連接垂直驅動之控制信號線之例進行了說明，但視電路之分割之態樣之不同，亦可考慮藉由銅配線連接水平驅動之控制信號線。
又，第1半導體基板100於左右具備輸入輸出墊190，於與外部之間傳接信號，又，接受電源之供給。於輸入輸出墊190附近配置有銅配線126，用於在第1半導體基板100與第2半導體基板200之間供給電源。
此種第1半導體基板100中，配置有用於觀測之銅配線111至114。銅配線111及112配置於垂直信號線之銅配線121附近，銅配線113及114配置於垂直信號線之銅配線122附近。藉此，對垂直信號線之銅配線121及122周邊之電阻狀態進行觀測。通常，發生不良之部位多集中於特定區域。因此，認為即便不觀測實際進行信號之傳接之銅配線本身之電阻狀態，若觀測其周邊之銅配線之電阻狀態，亦可推測出該區域之狀態。依據此種前提，該實施形態中，於觀測對象之銅配線附近配置用於觀測之銅配線。
再者，銅配線111及112係申請專利範圍中所記載之連接構件之金屬電極之一例。此處，表示有銅配線111及112作為連接構件之一例，作為連接構件之其他例，亦可為於第1半導體基板100及第2半導體基板200之至少一者貫通該基板之貫通孔。具體而言，亦可為TCV(Through Chip Via，穿晶片孔)或TSV(Through Silicon Via，矽穿孔)等。
又，視需要於上述第1半導體基板100配置有虛設之銅配線131及132。如上所述，該虛設之銅配線131及132係用於確保平坦性，不與配線層連接。該例中，區別表示像素區域150內之虛設之銅配線131、與像素區域150外之虛設之銅配線132。關於銅配線131與132，亦可將其等各自之尺寸設定為不同尺寸。例如，可藉由將像素區域150內之虛設之銅配線131設為與像素尺寸相等之尺寸，抑制對於圖像所產生之影響。
[觀測用銅配線] 圖6係表示本技術之實施形態中之用於觀測之銅配線之剖視圖之例的圖。
此處，如上所述，表示於接合面199將第1半導體基板100與第2半導體基板200貼合之例。第1半導體基板100之銅配線110與第2半導體基板200之銅配線210於接合面199接觸，電性連接。並且，通過第1半導體基板100及第2半導體基板200之金屬配線層，使得銅配線110及210連接，形成1根連接線120。
於連接線120之一端經由電阻290連接有電源端子361，向該電源端子361供給直流電源VSS。於連接線120之另一端連接有測試端子371，自該測試端子371輸出觀測信號。可基於該觀測信號之電流值及直流電源VSS之電壓值，對連接線120之電阻狀態進行觀測。再者，測試端子371係申請專利範圍中所記載之觀測端子之一例。
再者，該例中，設想自第2半導體基板200向第1半導體基板100供給電源，該電源可自任何電源供給。即，亦可自第1半導體基板100向第2半導體基板200供給電源。同樣地，關於測試端子371，亦可設置於第1半導體基板100或第2半導體基板200之任一者。
圖7係表示本技術之實施形態中之用於觀測之銅配線之組之例的圖。
此處，作為一例，設想以下情形：將水平方向上排列之垂直信號線(VSL)19之9000個像素分成8組，每組1125個像素，將每4組分配至銅配線121及122之二者。因此，該圖中，作為銅配線121(或銅配線122)，表示有總計4500個像素之4根連接線120。
各組之連接線係由銅配線及金屬配線層M6之配線形成。連接線之一端連接於共通之電源端子361，向該電源端子361供給直流電源VDD。連接線120之另一端輸入至多工器350。該例中，每4組之輸出為1根，總計4根之信號輸入至多工器350。再者，多工器350係申請專利範圍中所記載之選擇器之一例。
多工器350依次選擇各組之輸出，輸出至測試端子371。藉此，各組之觀測信號自測試端子371輸出至監視器，可判別於哪組發生不良。再者，亦可對於特定出不良之組，藉由剝離解析等進行詳細之試驗。
[試驗裝置] 圖8係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之試驗裝置之例之圖。
該例中，除上述跨及第1半導體基板100及第2半導體基板200之連接線120以外，多工器350亦搭載於第1半導體基板100及第2半導體基板200之任一者。
於電源端子361連接有直流電壓源360，自直流電壓源360供給電源。於測試端子371連接有電流計370，獲取於連接線120中流動之電流之電流值。
已知自直流電壓源360施加之電壓值，若利用電流計370獲取電流值，則可根據歐姆定律求得連接線120之電阻值。若發生不良則顯示高電阻狀態，因此可藉由掌握電阻值檢測出不良。
再者，直流電壓源360係申請專利範圍中所記載之電源之一例。又，電流計370係申請專利範圍中所記載之觀測計之一例。
[試驗方法] 圖9係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之試驗方法之程序例的流程圖。
首先，向電源端子361供給直流電源(步驟S911)。然後，多工器350選擇作為觀測對象之組(步驟S912)。藉此，電流自電源端子361流向該組之連接線120，輸出至測試端子371。電流計370計測於連接線120中流動之電流之電流值(步驟S913)。
基於利用電流計370所測得之電流值及自直流電壓源360施加之電壓值，判定該組之連接線120之電阻狀態。於電阻狀態顯示高於規定閾值之電阻狀態之情形時(步驟S914：是)，檢測出該組為不良部位(步驟S916)。另一方面，於顯示未高於規定閾值之電阻值之情形時(步驟S914：否)，不將該組檢測為不良部位，而是識別出該組為正常部位(步驟S915)。
對電阻狀態進行觀測後，在還存有尚未進行觀測之組之期間(步驟S917：否)，反覆進行步驟S912以後之處理。
如此，根據本技術之實施形態，藉由利用形成跨及第1半導體基板100及第2半導體基板200之接合面之連接線的銅配線，對電阻狀態進行觀測，從而可檢測出附近區域中之不良。
＜2.變化例＞ [第1變化例] 圖10係表示本技術之實施形態之第1變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。圖11係表示本技術之實施形態之第1變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。
該第1變化例與上述實施形態中所說明者基本相同。即，於第1半導體基板100之中央部具有像素區域150，於其正下方具有垂直信號線(VSL)之銅配線121及122。
第2半導體基板200中，於與第1半導體基板100之銅配線121及122對應之位置具有銅配線221及222。又，第2半導體基板200具有行部251及252、以及邏輯部261及262。
行部251及252相當於上述行信號處理電路50，包含將來自像素區域150之類比像素信號轉換為數位像素信號之AD轉換器。銅配線121及122分成2個配置，與此對應地，上述行部251及252亦分成2個配置。
邏輯部261及262相當於上述輸出電路60，包含對來自行部251及252之輸出信號實施規定信號處理之電路。銅配線121及122分成2個配置，與此對應地，上述邏輯部261及262亦分成2個配置。
上述第1變化例中，於第1半導體基板100之銅配線121及122附近配置有用於觀測之銅配線111至114。同樣地，於第2半導體基板200之銅配線221及222附近配置有用於觀測之銅配線211至214。銅配線111至114與銅配線211至214分別配置於對應之位置，其等於接合面接觸，電性連接。並且，通過第1半導體基板100及第2半導體基板200之金屬配線層，使得銅配線間連接，形成連接線。
[第2變化例] 圖12係表示本技術之實施形態之第2變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。圖13係表示本技術之實施形態之第2變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。
上述第1變化例中，於像素區域150之正下方配置有垂直信號線(VSL)，但該第2變化例中，設想於像素區域150周邊之區域配置垂直信號線(VSL)。即，垂直信號線(VSL)之銅配線121、122、221及222配置於像素區域150之旁側(圖中之上下之區域)。因此，用於觀測之銅配線111至114及211至214亦配置於像素區域150之旁側。
再者，上述第2變化例中，邏輯部260集中配置於第2半導體基板200之中央部之一個部位。
[第3變化例] 圖14係表示本技術之實施形態之第3變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。圖15係表示本技術之實施形態之第3變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。
該第3變化例中，設想將相當於上述垂直驅動電路20之垂直驅動電路240搭載於第2半導體基板200，將該垂直驅動之控制信號線自第2半導體基板200之銅配線223向第1半導體基板100之銅配線123供給。並且，將該銅配線123及223作為觀測對象，於第1半導體基板100及第2半導體基板200配置有用於觀測之銅配線115及215。
再者，該例中，對僅將垂直驅動電路240配置於左側之單側驅動之情形進行了說明，亦可同樣應用於將垂直驅動電路240配置於左右兩側之兩側驅動之情形。
[第4變化例] 圖16係表示本技術之實施形態之第4變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。圖17係表示本技術之實施形態之第4變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。
該第4變化例中，於第1半導體基板100及第2半導體基板200之輸入輸出墊190及290附近配置銅配線126及226，於第1半導體基板100與第2半導體基板200之間進行電源供給。並且，將該銅配線126及226作為觀測對象，於第1半導體基板100及第2半導體基板200配置用於觀測之銅配線116及216。
再者，該例中，對將輸入輸出墊190及290配置於左右之情形進行了說明，亦可同樣應用於將輸入輸出墊190及290配置於南北(圖中之上下)之情形。
＜3.應用於移動體之實施例＞ 本發明之技術(本技術)可應用於各種各樣之製品。例如，本發明之技術可作為搭載於汽車、電動汽車、油電混合車、機車、腳踏車、個人行動工具、飛機、無人靶機、船舶、機器人等任一種類之移動體之裝置實現。
圖18係表示作為可應用本發明之技術之移動體控制系統之一例的車輛控制系統之概略性構成例之方塊圖。
車輛控制系統12000具備經由通信網路12001連接之複數個電子控制單元。圖18中所示之例中，車輛控制系統12000具備：驅動系統控制單元12010、車體系統控制單元12020、車外資訊檢測單元12030、車內資訊檢測單元12040、及統合控制單元12050。又，作為統合控制單元12050之功能構成，圖示有微電腦12051、聲音圖像輸出部12052、及車載網路I/F(Interface，接口)12053。
驅動系統控制單元12010依據各種程式控制與車輛之驅動系統相關之裝置之動作。例如，驅動系統控制單元12010作為內燃機或驅動用馬達等用於產生車輛之驅動力之驅動力產生裝置、用於使驅動力傳輸至車輪之驅動力傳輸機構、調節車輛之舵角之轉向機構、及產生車輛之制動力之制動裝置等控制裝置發揮功能。
車體系統控制單元12020依據各種程式控制安裝於車體之各種裝置之動作。例如，車體系統控制單元12020作為無鑰進入系統、智能鑰匙系統、電動窗裝置、或者車頭燈、倒車燈、刹車燈、轉向燈或霧燈等各種燈之控制裝置發揮功能。於該情形時，可向車體系統控制單元12020輸入發送自代替鑰匙之行動機的電波或各種開關之信號。車體系統控制單元12020受理該等電波或信號之輸入，控制車輛之門鎖裝置、電動窗裝置、燈等。
車外資訊檢測單元12030檢測搭載有車輛控制系統12000之車輛之外部之資訊。例如，於車外資訊檢測單元12030連接有攝像部12031。車外資訊檢測單元12030使攝像部12031拍攝車外之圖像，並且接收所拍攝到之圖像。車外資訊檢測單元12030亦可基於接收到之圖像，進行人、車、障礙物、標識或路面上之文字等物體之檢測處理或距離檢測處理。
攝像部12031係接收光，並輸出與該光之受光量對應之電信號之光感測器。攝像部12031可將電信號以圖像之形式輸出，亦可將其以測距之資訊之形式輸出。又，攝像部12031所接收之光可為可見光，亦可為紅外線等非可見光。
車內資訊檢測單元12040檢測車內之資訊。於車內資訊檢測單元12040例如連接有檢測駕駛者之狀態之駕駛者狀態檢測部12041。駕駛者狀態檢測部12041例如包含拍攝駕駛者之相機，車內資訊檢測單元12040可基於自駕駛者狀態檢測部12041輸入之檢測資訊，算出駕駛者之疲勞程度或集中程度，亦可判別駕駛者是否在打瞌睡。
微電腦12051可基於車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040中所獲取之車內外之資訊，運算出驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置之控制目標值，對驅動系統控制單元12010輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行以實現包含車輛之碰撞避免或者衝擊緩和、基於車間距離之跟車行駛、車速維持行駛、車輛之碰撞警告、或車輛偏離車道警告等在內之ADAS(Advanced Driver Assistance System，先進駕駛輔助系統)之功能為目的之協調控制。
又，微電腦12051可藉由基於車外資訊檢測單元12030或車內資訊檢測單元12040中所獲取之車輛之周圍之資訊，控制驅動力產生裝置、轉向機構或制動裝置等，從而進行以不依賴駕駛者之操作而自律地行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。
又，微電腦12051可基於車外資訊檢測單元12030中所獲取之車外之資訊，對車體系統控制單元12030輸出控制指令。例如，微電腦12051可進行目的在於實現防眩之協調控制，如：根據車外資訊檢測單元12030中所檢測出之前行車或對向車之位置控制車頭燈，將遠光切換為近光等。
聲音圖像輸出部12052向能夠以視覺或聽覺之形式對車輛之搭乘者或車外通知資訊之輸出裝置發送聲音及圖像之中至少一者之輸出信號。圖18之例中，作為輸出裝置，例示有音頻揚聲器12061、顯示部12062及儀表板12063。顯示部12062例如亦可包含車上顯示器及抬頭顯示器之至少1種。
圖19係表示攝像部12031之設置位置之例之圖。
圖19中，作為攝像部12031，具有攝像部12101、12102、12103、12104、12105。
攝像部12101、12102、12103、12104、12105例如設置於車輛12100之前保險桿、側鏡、後保險桿、後門及車內之前窗玻璃之上部等位置。設置於前保險桿之攝像部12101及設置於車內之前窗玻璃之上部之攝像部12105主要獲取車輛12100之前方之圖像。設置於側鏡之攝像部12102、12103主要獲取車輛12100之側方之圖像。設置於後保險桿或後門之攝像部12104主要獲取車輛12100之後方之圖像。位於車內之前窗玻璃之上部之攝像部12105主要用於檢測前行車、或行人、障礙物、交通信號燈、交通標識或車線等。
再者，圖19中表示有攝像部12101至12104之攝影範圍之一例。拍攝範圍12111表示設置於前保險桿之攝像部12101之拍攝範圍，拍攝範圍12112、12113表示分別設置於側鏡之攝像部12102、12103之拍攝範圍，拍攝範圍12114表示設置於後保險桿或後門之攝像部12104之拍攝範圍。例如，藉由將攝像部12101至12104所拍攝之圖像資料重合，獲得自上方觀測車輛12100之俯瞰圖像。
攝像部12101至12104之至少1個亦可具有獲取距離資訊之功能。例如，攝像部12101至12104之至少1個可為包含複數個攝像元件之立體相機，亦可為具有相位差檢測用像素之攝像元件。
例如，微電腦12051藉由根據攝像部12101至12104所獲得之距離資訊，求出拍攝範圍12111至12114內距各立體物之距離、及該距離之時間性變化(相對於車輛12100之相對速度)，從而提取出尤其是車輛12100之行進路上最近之立體物、且朝向與車輛12100大致相同之方向以規定速度(例如0 km/h以上)行駛之立體物作為前行車。進而，微電腦12051可設定於前行車之近前應預先確保之車間距離，進行自動刹車控制(亦包括跟車停止控制)及自動加速控制(亦包括跟車發動控制)等。如此，可進行以不依賴駕駛者之操作而能自律地行駛之自動駕駛等為目的之協調控制。
例如，微電腦12051可根據攝像部12101至12104所獲得之距離資訊，將與立體物有關之立體物資料分類為二輪車、普通車輛、大型車輛、行人、電線桿等其他立體物並加以取出，用於障礙物之自動避讓。例如，微電腦12051將車輛12100周邊之障礙物識別為車輛12100之駕駛人員可視認之障礙物與難以視認之障礙物。並且，微電腦12051對表示與各障礙物之碰撞之危險程度之碰撞風險進行判斷，當碰撞風險為設定值以上有碰撞可能性時，經由音頻揚聲器12061或顯示部12062向駕駛人員輸出警報，或經由驅動系統控制單元12010進行強制減速或避讓轉向，藉此可進行用於避免碰撞之駕駛支援。
攝像部12101至12104之至少1個亦可為檢測紅外線之紅外線相機。例如，微電腦12051可藉由判斷攝像部12101至12104之拍攝圖像中是否存在行人而識別出行人。上述行人之識別係藉由以下程序進行：例如提取作為紅外線相機之攝像部12101至12104之拍攝圖像中之特徵點；對表示物體之輪廓之一連串之特徵點進行圖案匹配處理，判別其是否為行人。當微電腦12051判定攝像部12101至12104之拍攝圖像中存在行人，並識別出行人時，聲音圖像輸出部12052控制顯示部12062，使其重疊顯示用以強調該識別出之行人之方形輪郭線。又，聲音圖像輸出部12052亦可控制顯示部12062使其將表示行人之圖符等顯示於期望之位置。
以上，對可應用本發明之技術之車輛控制系統之一例進行了說明。本發明之技術可應用於以上所說明之構成中之攝像部12031。具體而言，可進行攝像部12031中之不良檢測。
＜4.應用於內視鏡手術系統之實施例＞ 本發明之技術(本技術)可應用於各種各樣之製品。例如，本發明之技術亦可應用於內視鏡手術系統。
圖20係表示可應用本發明之技術(本技術)之內視鏡手術系統之概略性之構成之一例的圖。
圖20中，圖示有手術人員(醫師)11131使用內視鏡手術系統11000，對病床11133上之患者11132進行手術時之情況。如圖所示，內視鏡手術系統11000包括內視鏡11100、氣腹管11111及能量處置工具11112等其他手術工具11110、支持內視鏡11100之支持臂裝置11120、及搭載有用於內視鏡下手術之各種裝置之手推車11200。
內視鏡11100包括前端以規定長度之區域插入患者11132之體腔內之鏡筒11101、及連接於鏡筒11101之基端之攝像頭11102。圖示之例中，圖示有構成為具有硬性之鏡筒11101、即所謂硬性鏡之內視鏡11100，但內視鏡11100亦可構成為具有軟性之鏡筒、即所謂軟性鏡。
於鏡筒11101之前端設置有嵌入有物鏡之開口部。於內視鏡11100連接有光源裝置11203，利用該光源裝置11203產生之光藉由延設於鏡筒11101之內部之導光件被導引至上述鏡筒之前端，經由物鏡照射至患者11132之體腔內之觀測對象。再者，內視鏡11100可為直視鏡，亦可為斜視鏡或側視鏡。
於攝像頭11102之內部設置有光學系統及攝像元件，來自觀測對象之反射光(觀測光)藉由該光學系統被集光於該攝像元件。藉由該攝像元件對觀測光進行光電轉換，產生與觀測光對應之電信號、即與觀測像對應之圖像信號。該圖像信號以RAW資料(原始資料)之形式發送至相機控制單元(CCU：Camera Control Unit)11201。
CCU 11201包括CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或GPU(Graphics Processing Unit，圖形處理單元)等，總括地控制內視鏡11100及顯示裝置11202之動作。進而，CCU 11201自攝像頭11102接收圖像信號，對所接收到之圖像信號例如實施顯影處理(解馬賽克處理)等用於顯示基於該圖像信號之圖像之各種圖像處理。
顯示裝置11202藉由來自CCU 11201之控制，顯示基於被該CCU 11201實施過圖像處理之圖像信號之圖像。
光源裝置11203例如包括LED(light emitting diode，發光二極體)等光源，將對手術部位等進行攝影時之照射光供給至內視鏡11100。
輸入裝置11204係針對內視鏡手術系統11000之輸入介面。使用者可經由輸入裝置11204對內視鏡手術系統11000進行各種資訊之輸入或指示輸入。例如，使用者輸入以變更利用內視鏡11100之拍攝條件(照射光之種類、倍率及焦點距離等)為主旨之指示等。
處置工具控制裝置11205控制用於組織之灼燒、切開或血管之封堵等之能量處置工具11112之驅動。氣腹裝置11206以確保內視鏡11100之視野及確保手術人員之作業空間為目的，為了使患者11132之體腔膨脹，經由氣腹管11111向該體腔內送入氣體。記錄器11207係可記錄與手術有關之各種資訊之裝置。印表機11208係能夠以文本、圖像或圖表等各種形式印刷與手術有關之各種資訊之裝置。
再者，向內視鏡11100供給對手術部位進行攝影時之照射光之光源裝置11203例如可包含白色光源，該白色光源包含LED、雷射光源或其等之組合。於白色光源包含RGB(Red Green Blue，紅綠藍)雷射光源之組合之情形時，可高精度地控制各色(各波長)之輸出強度及輸出時序，因此可於光源裝置11203中進行拍攝圖像之白平衡之調整。又，於該情形時，使來自各RGB雷射光源之雷射光分時地照射至觀測對象，與其照射時序同步地控制攝像頭11102之攝像元件之驅動，藉此亦可分時地拍攝分別與RGB對應之圖像。根據該方法，即便於該攝像元件未設置有彩色濾光片，亦可獲得彩色圖像。
又，關於光源裝置11203，亦能夠以每隔規定時間變更輸出之光之強度之方式控制其驅動。與該光強度之變更之時序同步地控制攝像頭11102之攝像元件之驅動，分時地獲取圖像，合成該圖像，藉此可產生不存在所謂暗部缺失或高光溢出之高動態範圍之圖像。
又，光源裝置11203亦可構成為可供給與特殊光觀測對應之規定波長頻帶之光。特殊光觀測中，例如，利用體組織中之光之吸收之波長依賴性，照射相較於通常觀測時之照射光(即白色光)而言窄頻帶之光，藉此以高對比度拍攝黏膜表層之血管等規定組織，即進行所謂窄頻帶光觀測(Narrow Band Imaging，窄帶成像)。或者，特殊光觀測中，亦可進行利用藉由照射激發光產生之螢光而獲得圖像之螢光觀測。螢光觀測中，可向體組織照射激發光，觀測來自該體組織之螢光(自體螢光觀測)，或將靛青綠(ICG)等試劑局部注射至體組織，並且向該體組織照射與該試劑之螢光波長對應之激發光，獲得螢光像等。光源裝置11203可構成為可供給與此種特殊光觀測對應之狹頻帶光及/或激發光。
圖21係表示圖20中所示之攝像頭11102及CCU 11201之功能構成之一例之方塊圖。
攝像頭11102具有透鏡單元11401、攝像部11402、驅動部11403、通信部11404、及攝像頭控制部11405。CCU 11201具有通信部11411、圖像處理部11412、及控制部11413。攝像頭11102與CCU 11201藉由傳輸纜線11400可相互通信地連接。
透鏡單元11401係設置於與鏡筒11101之連接部之光學系統。自鏡筒11101之前端擷取入之觀測光被引導至攝像頭11102，入射至該透鏡單元11401。透鏡單元11401由包含變焦透鏡及聚焦透鏡在內之複數個透鏡組合構成。
構成攝像部11402之攝像元件可為1個(即單板式)，亦可為複數個(即多板式)。於攝像部11402由多板式所構成之情形時，例如亦可藉由各攝像元件產生與RGB分別對應之圖像信號，藉由合成該等圖像信號而獲得彩色圖像。或者，攝像部11402亦可以具有用於分別獲取與3D(3 dimensional，三維)顯示對應之右眼用及左眼用圖像信號之1對攝像元件之方式構成。藉由進行3D顯示，從而使得手術人員11131可更加正確地掌握手術部位中活體組織之縱深。再者，於攝像部11402由多板式所構成之情形時，透鏡單元11401亦可與各攝像元件對應地設置複數個系統。
又，攝像部11402並非必須設置於攝像頭11102。例如，攝像部11402亦可於鏡筒11101之內部設置於物鏡之正後方。
驅動部11403包含致動器，藉由來自攝像頭控制部11405之控制，使透鏡單元11401之變焦透鏡及聚焦透鏡沿著光軸移動規定距離。藉此，可適當調整攝像部11402之拍攝圖像之倍率及焦點。
通信部11404包含用以於與CCU 11201之間收發各種資訊之通信裝置。通信部11404將自攝像部11402獲得之圖像信號以RAW資料之形式經由傳輸纜線11400發送至CCU 11201。
又，通信部11404自CCU 11201接收用於控制攝像頭11102之驅動之控制信號，將信號供給至攝像頭控制部11405。該控制信號包括與拍攝條件有關之資訊，例如旨在指定拍攝圖像之幀率之資訊、旨在指定拍攝時之曝光值之資訊、及/或旨在指定拍攝圖像之倍率及焦點之資訊等。
再者，上述幀率及曝光值、倍率、焦點等拍攝條件可由使用者適當指定，亦可基於所獲取之圖像信號，由CCU 11201之控制部11413自動設定。後者之情形時，即於內視鏡11100搭載所謂AE(Auto Exposure，自動曝光)功能、AF(Auto Focus，自動聚焦)功能及AWB(Auto White Balance，自動白平衡)功能。
攝像頭控制部11405基於經由通信部11404所接收之來自CCU 11201之控制信號，控制攝像頭11102之驅動。
通信部11411包含用以於與攝像頭11102之間收發各種資訊之通信裝置。通信部11411接收自攝像頭11102經由傳輸纜線11400發送之圖像信號。
又，通信部11411向攝像頭11102發送用於控制攝像頭11102之驅動之控制信號。圖像信號或控制信號可利用電通信或光通信等發送。
圖像處理部11412針對作為自攝像頭11102發送之RAW資料的圖像信號實施各種圖像處理。
控制部11413進行與拍攝利用內視鏡11100之手術部位等、及顯示藉由手術部位等之拍攝而獲得之拍攝圖像有關的各種控制。例如，控制部11413產生用於控制攝像頭11102之驅動之控制信號。
又，控制部11413基於經圖像處理部11412實施過圖像處理之圖像信號，使映有手術部位等之拍攝圖像顯示於顯示裝置11202。此時，控制部11413亦可使用各種圖像識別技術，識別拍攝圖像內之各種物體。例如，控制部11413可藉由檢測拍攝圖像中包含之物體之邊緣之形狀或顏色等，識別出鉗等手術工具、特定活體部位、出血、使用能量處置工具11112時之霧等。控制部11413亦可於拍攝圖像顯示於顯示裝置11202時，使用該識別結果，使各種手術支援資訊重疊顯示於該手術部位之圖像。藉由重疊顯示手術支援資訊，對手術人員11131進行提示，可減輕手術人員11131之負擔，或使得手術人員11131切實地推進手術。
連接攝像頭11102及CCU 11201之傳輸纜線11400係與電信號之通信對應之電信號纜線、與光通信對應之光纖、或其等之複合纜線。
此處，圖示之例中，使用傳輸纜線11400進行有線通信，但攝像頭11102與CCU 11201之間亦可為無線通信。
以上，對可應用本發明之技術之內視鏡手術系統之一例進行了說明。本發明之技術可應用於以上所說明之構成中之攝像部11402。具體而言，可進行攝像部11402中之不良檢測。
再者，此處，雖將內視鏡手術系統作為一例進行了說明，但本發明之技術亦可應用於其他例，例如顯微鏡手術系統等。
再者，上述實施形態係表示用於實現本技術之一例者，實施形態中之事項與申請專利範圍中之發明特定事項分別具有對應關係。同樣，申請專利範圍中之發明特定事項、與附有與其同一名稱之本技術之實施形態中之事項分別具有對應關係。但是，本技術並非限定於實施形態，可於不脫離其主旨之範圍內藉由對實施形態實施各種變化而實現本技術。
又，上述實施形態中說明之處理程序可理解為具有該等一連串程序之方法，又，亦可理解為用於使電腦實行該等一連串程序之程式、以及記憶該程式之記錄媒體。作為上述記錄媒體，例如可使用CD(Compact Disc，光碟)、MD(Mini Disc，小型磁碟)、DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)、記憶卡、藍光光碟(Blu-ray(註冊商標)Disc)等。
再者，本說明書所記載之效果僅為例示，並不具有限定性，又，亦可具有其他效果。
再者，本技術亦可為如下所述之構成。 (1)一種半導體裝置，其具備： 複數個半導體基板； 連接構件，其於上述複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及上述複數個半導體基板之至少1根連接線； 電源端子，其連接於上述連接線之一端；及 觀測端子，其連接於上述連接線之另一端。 (2)如上述(1)所記載之半導體裝置，其中 上述連接構件具備金屬電極，上述金屬電極形成於上述複數個半導體基板之接合面之雙方，相互接觸並電性連接。 (3)如上述(1)所記載之半導體裝置，其中 上述連接構件具備於上述複數個半導體基板之至少者貫通該半導體基板之貫通孔。 (4)如上述(1)至(3)中任一項所記載之半導體裝置，其中 上述連接線形成於上述複數個半導體基板中之觀測對象之區域附近。 (5)如上述(1)至(4)中任一項所記載之半導體裝置，其中 上述連接構件具備一端連接於上述電源端子且形成於上述複數個半導體基板中之不同區域的複數根上述連接線。 (6)如上述(5)中所記載之半導體裝置，其進而具備選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者，使其連接於上述觀測端子之選擇器。 (7)一種半導體試驗裝置，其具備： 半導體裝置，該半導體裝置具備於複數個半導體基板之接合面電性連接而形成跨及上述複數個半導體基板之至少1根連接線的連接構件、連接於上述連接線之一端之電源端子、及連接於上述連接線之另一端之觀測端子； 電源，其向上述電源端子供給電源；及 觀測計，其連接於上述觀測端子，觀測通電狀態。 (8)如上述(7)所記載之半導體試驗裝置，其中上述電源係直流電源， 上述觀測計係計測自上述電源端子流向上述觀測端子之電流的電流計。 (9)如上述(7)或(8)所記載之半導體試驗裝置，其中 上述連接構件具備一端連接於上述電源端子且形成於上述複數個半導體基板中之不同區域的複數根上述連接線。 (10)如上述(9)所記載之半導體試驗裝置，其進而具備選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者，使其連接於上述觀測端子的選擇器。 (11)一種半導體裝置之試驗方法， 該半導體裝置具備：連接構件，其於複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及上述複數個半導體基板之複數根連接線；電源端子，其連接於上述複數根連接線之一端；選擇器，其選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者；及觀測端子，其連接於上述選擇器之輸出；且上述半導體裝置之試驗方法具備以下程序： 向上述電源端子供給電源； 藉由上述選擇器依次選擇上述複數根連接線；及 經由上述觀測端子觀測上述複數根連接線之通電狀態，檢測顯示高於規定閾值之電阻狀態之連接線作為不良部位。
10:攝像元件 11:像素 19:垂直信號線 20:垂直驅動電路 30:水平驅動電路 40:控制電路 50:行信號處理電路 59:水平信號線 60:輸出電路 93:像素區域 94:控制電路 95:邏輯電路 100:半導體基板 101:銅配線 102:銅配線 103:虛設銅配線 110:觀測用銅配線 111:觀測用銅配線 112:觀測用銅配線 113:觀測用銅配線 114:觀測用銅配線 115:觀測用銅配線 116:觀測用銅配線 120:連接線 121:銅配線 122:銅配線 123:銅配線 126:銅配線 131:虛設銅配線 132:虛設銅配線 150:像素區域 190:輸入輸出墊 199:接合面 200:半導體基板 201:銅配線 202:銅配線 203:虛設銅配線 210:觀測用銅配線 211:觀測用銅配線 212:觀測用銅配線 213:觀測用銅配線 214:觀測用銅配線 215:觀測用銅配線 216:觀測用銅配線 221:銅配線 222:銅配線 223:銅配線 226:銅配線 240:垂直驅動電路 251:行部 252:行部 260:邏輯部 261:邏輯部 262:邏輯部 290:電阻 350:多工器 360:直流電壓源 361:電源端子 370:電流計 371:測試端子 11000:內視鏡手術系統 11100:內視鏡 11101:鏡筒 11102:攝像頭 11110:其他手術工具 11111:氣腹管 11112:能量處置工具 11120:支持臂裝置 11131:手術人員(醫師) 11132:患者 11133:病床 11200:手推車 11201:相機控制單元 11202:顯示裝置 11203:光源裝置 11204:輸入裝置 11205:處置工具控制裝置 11206:氣腹裝置 11207:記錄器 11208:印表機 11401:透鏡單元 11402:攝像部 11403:驅動部 11404:通信部 11405:攝像頭控制部 11411:通信部 11412:圖像處理部 11413:控制部 12000:車輛控制系統 12001:通信網路 12010:驅動系統控制單元 12020:車體系統統控制單元 12030:車外資訊檢測單元 12031:攝像部 12040:車內資訊檢測單元 12041:駕駛者狀態檢測部 12050:統合控制單元 12051:微電腦 12052:聲音圖像輸出部 12053:車載網路I/F 12061:音頻揚聲器 12062:顯示部 12063:儀表板 12100:車輛 12101:攝像部 12102:攝像部 12103:攝像部 12104:攝像部 12105:攝像部 12111:拍攝範圍 12112:拍攝範圍 12113:拍攝範圍 12114:拍攝範圍
圖1係表示作為本技術之實施形態中之半導體裝置之一例的體攝像裝置之構成例之圖。 圖2a～c係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之基板之分割例的圖。 圖3係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之基板剖面之例的圖。 圖4a～c係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之銅配線與金屬配線層之關係例的圖。 圖5係表示本技術之實施形態中之第1半導體基板100之平面之例的圖。 圖6係表示本技術之實施形態中用於觀測之銅配線之剖視圖之例的圖。 圖7係表示本技術之實施形態中用於觀測之銅配線之組之例的圖。 圖8係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之試驗裝置之例之圖。 圖9係表示本技術之實施形態中之半導體裝置之試驗方法之程序例的流程圖。 圖10係表示本技術之實施形態之第1變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。 圖11係表示本技術之實施形態之第1變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。 圖12係表示本技術之實施形態之第2變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。 圖13係表示本技術之實施形態之第2變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。 圖14係表示本技術之實施形態之第3變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。 圖15係表示本技術之實施形態之第3變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。 圖16係表示本技術之實施形態之第4變化例中之第1半導體基板100之平面之例的圖。 圖17係表示本技術之實施形態之第4變化例中之第2半導體基板200之平面之例的圖。 圖18係表示車輛控制系統之概略性構成之一例之方塊圖。 圖19係表示車外資訊檢測部及攝像部之設置位置之一例的說明圖。 圖20係表示內視鏡手術系統之概略性構成之一例之圖。 圖21係表示攝像頭及CCU之功能構成之一例之方塊圖。
10:攝像元件
11:像素
19:垂直信號線
20:垂直驅動電路
30:水平驅動電路
40:控制電路
50:行信號處理電路
59:水平信號線
60:輸出電路

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置，其具備： 複數個半導體基板； 連接構件，其於上述複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及上述複數個半導體基板之至少1根連接線； 電源端子，其連接於上述連接線之一端；及 觀測端子，其連接於上述連接線之另一端。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中 上述連接構件具備金屬電極，上述金屬電極形成於上述複數個半導體基板之接合面之雙方，相互接觸並電性連接。
  3. 如請求項1之半導體裝置，其中 上述連接構件具備於上述複數個半導體基板之至少一者貫通該半導體基板之貫通孔。
  4. 如請求項1之半導體裝置，其中上述連接線形成於上述複數個半導體基板中之觀測對象之區域附近。
  5. 如請求項1之半導體裝置，其中 上述連接構件具備一端連接於上述電源端子且形成於上述複數個半導體基板中之不同區域的複數根上述連接線。
  6. 如請求項5之半導體裝置，其進而具備選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者，使其連接於上述觀測端子之選擇器。
  7. 一種半導體試驗裝置，其具備： 半導體裝置，該半導體裝置具備於複數個半導體基板之接合面電性連接而形成跨及上述複數個半導體基板之至少1根連接線的連接構件、連接於上述連接線之一端之電源端子、及連接於上述連接線之另一端之觀測端子； 電源，其向上述電源端子供給電源；及 觀測計，其連接於上述觀測端子，觀測通電狀態。
  8. 如請求項7之半導體試驗裝置，其中上述電源係直流電源， 上述觀測計係計測自上述電源端子流向上述觀測端子之電流的電流計。
  9. 如請求項7之半導體試驗裝置，其中 上述連接構件具備一端連接於上述電源端子且形成於上述複數個半導體基板中之不同區域的複數根上述連接線。
  10. 如請求項9之半導體試驗裝置，其進而具備選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者，使其連接於上述觀測端子的選擇器。
  11. 一種半導體裝置之試驗方法， 該半導體裝置具備：連接構件，其於複數個半導體基板之接合面電性連接，形成跨及上述複數個半導體基板之複數根連接線；電源端子，其連接於上述複數根連接線之一端；選擇器，其選擇上述複數根連接線之另一端之中之任一者；及觀測端子，其連接於上述選擇器之輸出；且上述半導體裝置之試驗方法具備以下程序： 向上述電源端子供給電源； 藉由上述選擇器依次選擇上述複數根連接線；及 經由上述觀測端子觀測上述複數根連接線之通電狀態，檢測顯示高於規定閾值之電阻狀態之連接線作為不良部位。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7488736B2 (ja) * 2020-09-17 2024-05-22 キオクシア株式会社 半導体装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4187022B2 (ja) 2006-08-23 2008-11-26 ソニー株式会社 半導体装置、半導体集積回路およびバンプ抵抗測定方法
JP5503208B2 (ja) 2009-07-24 2014-05-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8344749B2 (en) * 2010-06-07 2013-01-01 Texas Instruments Incorporated Through carrier dual side loop-back testing of TSV die after die attach to substrate
KR102085973B1 (ko) 2013-06-18 2020-03-06 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치의 테스트 회로 및 방법
JP6479579B2 (ja) 2015-05-29 2019-03-06 東芝メモリ株式会社 半導体装置
JP2017117828A (ja) 2015-12-21 2017-06-29 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子装置
US11101313B2 (en) * 2017-04-04 2021-08-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2018186195A1 (ja) * 2017-04-04 2018-10-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
KR102674029B1 (ko) * 2018-10-26 2024-06-13 삼성전자주식회사 테스트 패드를 포함하는 반도체 패키지
JP7282329B2 (ja) * 2019-10-04 2023-05-29 本田技研工業株式会社 半導体装置
WO2021131840A1 (ja) * 2019-12-24 2021-07-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体素子

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