TW202025271A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置包含保持部、第1檢測部、第2檢測部、周緣去除部，該保持部保持接合了第1基板與第2基板之疊合基板；該第1檢測部檢測該第1基板之外側端部；該第2檢測部檢測該第1基板及該第2基板接合之接合區域與該接合區域之外側的未接合區域之交界；該周緣去除部對由該保持部所保持之該疊合基板去除該第1基板中之去除對象的周緣部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
於專利文獻1揭示了使外周部設有研磨粒之圓板狀研磨工具旋轉，使研磨工具之至少外周面以線狀抵接半導體晶圓而將半導體晶圓之周端部研磨成大約L字形。半導體晶圓係將二片矽晶圓貼合而作成。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報平9-216152號
[發明欲解決之問題]
本揭示之技術係在接合了諸基板之疊合基板中，在所期位置去除一基板之周緣部。 [解決問題之手段]
本揭示之一態樣係用以處理基板之基板處理裝置，包含保持部、第1檢測部、第2檢測部、周緣去除部、保持部移動機構、及控制部，該保持部保持接合了第1基板與第2基板之疊合基板；該第1檢測部檢測該第1基板之外側端部；該第2檢測部檢測該第1基板及該第2基板接合之接合區域與該接合區域之外側的未接合區域之交界；該周緣去除部對由該保持部所保持之該疊合基板去除該第1基板中之去除對象的周緣部；該保持部移動機構使該保持部沿水平方向移動；該控制部控制該保持部、該第1檢測部、該第2檢測部、該周緣去除部、及該保持部移動機構；該控制部執行下列動作：以該第1檢測部檢測該第1基板之外側端部；基於以該第1檢測部檢測出之檢測結果，算出該保持部之中心與該第1基板之中心的第1偏心量；以該第2檢測部檢測該接合區域與該未接合區域之交界；基於以該第2檢測部檢測出之檢測結果算出該保持部之中心與該接合區域之中心的第2偏心量；依據該第2偏心量，將該保持部相對於該周緣去除部之位置決定成使該接合區域之中心與該周緣部之中心一致。 [發明之功效]
根據本揭示，在接合了諸基板之疊合基板中，可在所期位置去除一基板之周緣部。
在半導體元件之製造製程中，對表面形成有複數之電子電路等元件的晶圓，進行了研磨該晶圓之背面，而使晶圓薄化之處理。又，當將此已薄化之晶圓直接搬送或進行後續之處理時，有於晶圓產生翹曲或破裂之虞。是故，為補強晶圓，進行了例如於支撐基板貼附晶圓之處理。
通常，晶圓之周緣部進行了去角加工，如上述，當對晶圓進行研磨處理時，晶圓之周緣部會形成尖銳之形狀(所謂之刀鋒形狀)。如此一來，有在晶圓之周緣部產生碎裂，晶圓受到損傷之虞。是故，於研磨處理前預先進行了削除晶圓之周緣部的所謂整緣。
記載於上述專利文獻1之端面研磨裝置係進行此整緣之裝置。端面研磨裝置具有吸盤台、心軸、鑽石磨輪。吸盤台載置晶圓，以Z軸方向(鉛直方向)為旋轉軸旋轉。心軸於其前端部安裝鑽石磨輪，以Y軸方向(水平方向)為旋轉軸旋轉。又，心軸於Y軸方向及Z方向移動。鑽石磨輪係外周部設有鑽石研磨粒之圓板狀研磨工具。使用此端面研磨裝置，進行晶圓之周緣部的端面研磨時，藉一面使吸盤台旋轉，一面使心軸於Y軸方向及Z軸方向移動，而使鑽石磨輪抵接晶圓。然後，將晶圓之周緣部研磨成大約L字形。
在此，晶圓之周緣部需在所期之位置去除。然而，在此端面研磨裝置，有晶圓對吸盤台偏離而受到保持之情形，此時，吸盤台之中心與晶圓之中心偏離。又，在貼合之晶圓，亦有該晶圓之中心與接合面之中心偏離的情形。如此當吸盤台之中心、晶圓之中心、接合面之中心各自偏離時，在端面研磨裝置要去除之周緣部會偏離上述所期位置。因此，需進行周緣部對晶圓之接合面的校準，但記載於專利文獻1之端面研磨裝置並未考慮此校準。因而，以往之整緣有改善之餘地。
本揭示之技術適當地進行整緣。以下，就包含作為適當地進行整緣之本實施形態的基板處理裝置之改質裝置的晶圓處理系統、及作為基板處理方法之晶圓處理方法，一面參照圖式，一面說明。此外，在本說明書及圖式中，藉在具有實質上相同之功能結構的要件附上同一符號而省略重複說明。
首先，就本實施形態之晶圓處理系統的結構作說明。圖1係示意顯示晶圓處理系統1之結構的概略之平面圖。
在晶圓處理系統1，如圖2及圖3所示，對接合了作為第1基板之處理晶圓W與作為第2基板之支撐晶圓S的作為疊合基板之疊合晶圓T進行所期處理。接著，在晶圓處理系統1，去除處理晶圓W之周緣部We，進而使該處理晶圓W薄化。以下，在處理晶圓W，將接合於支撐晶圓S之面稱為表面Wa，將表面Wa之反面側的面稱為背面Wb。同樣地，在支撐晶圓S，將接合於處理晶圓W之面稱為表面Sa，將表面Sa之反面側的面稱為背面Sb。
處理晶圓W係例如矽晶圓等半導體晶圓，於表面Wa形成有包含複數之元件的元件層(圖中未示)。又，於元件層還形成有氧化膜F、例如SiO2 膜(TEOS膜)。此外，處理晶圓W之周緣部We進行了去角加工，周緣部We之截面往前端厚度漸小。
此外，在圖2中，為避免圖示之繁複，而省略了氧化膜F之圖示。又，在用在以下之說明的其他圖式中，亦同樣地有省略氧化膜F之圖示的情形。
支撐晶圓S係支撐處理晶圓W之晶圓，例如為矽晶圓。於支撐晶圓S之表面Sa形成有氧化膜(圖中未示)。又，支撐晶圓S具有作為保護處理晶圓W之表面Wa的元件之保護材的功能。此外，於支撐晶圓S之表面Sa形成有複數之元件時，與處理晶圓W同樣地於表面Sa形成元件層(圖中未示)。
在此，在處理晶圓W之周緣部We，當處理晶圓W與支撐晶圓S接合時，有無法適當地去除周緣部We之虞。是故，於處理晶圓W與支撐晶圓S之界面形成氧化膜F與支撐晶圓S之表面Sa接合的接合區域Aa、接合區域Aa之徑向外側的區域亦即未接合區域Ab。如此藉存在未接合區域Ab，可適當地去除周緣部We。此外，細節後述，宜使接合區域Aa之外側端面比要去除之周緣部We的內側端部稍微靠徑向外側。又，未接合區域Ab例如藉於接合前，進行研磨或濕蝕刻等去除氧化膜F之周緣部而形成。此時，有未接合區域Ab(接合區域Aa)之中心與處理晶圓W之中心偏離的情形，即，有處理晶圓W之外側端部與未接合區域Ab之內側端部的距離沿周向非一定之情形。
又，處理晶圓W與支撐晶圓S藉以凡得瓦力及氫鍵(分子間力)所形成之所謂鍵結波從中心往徑向外側擴展而依序接合。在鍵結波之端部，空氣被壓縮而形成高壓，在氧化膜之外側端部(接合區域之外側端部)，當此高壓空氣被釋放至大氣時，便急遽地減壓至大氣壓。如此一來，因此急遽之減壓而產生焦耳湯姆森效應，溫度降低，產生凝結。進而，此凝結被封入疊合晶圓T之周緣部而形成為空隙。
此點，在本實施形態，於氧化膜F之外周部Fe形成氧化膜F之厚度往徑向外側漸小之傾斜。如此，藉於外周部Fe形成傾斜，在該外周部Fe，空間逐漸往徑向外側擴大。如此一來，接合之際，由於鍵結波之端部的高壓之環境氣體往外周方向逐漸減壓至大氣壓，即，可抑制急遽之減壓，故可抑制空隙。
如圖1所示，晶圓處理系統1具有搬入搬出站2與處理站3連接成一體之結構。搬入搬出站2在與例如外部之間搬入搬出可收容複數之疊合晶圓T的晶匣Ct。處理站3具有對疊合晶圓T施行所期處理之各種處理裝置。
於搬入搬出站2設有晶匣載置台10。在圖示之例中，在晶匣載置台10，複數個、例如三個晶匣Ct於Y軸方向自由載置成一列。此外，載置於晶匣載置台10之晶匣Ct的個數不限本實施形態，可任意決定。
於搬入搬出站2，在晶匣載置台10之X軸負方向側，晶圓搬送裝置20與該晶匣載置台10相鄰而設。晶圓搬送裝置20構造成在於Y軸方向延伸之搬送路徑21上移動自如。又，晶圓搬送裝置20具有將疊合晶圓T保持並搬送之例如二個搬送臂22、22。各搬送臂22構造成於水平方向、鉛直方向、繞水平軸、及繞鉛直軸移動自如。此外，搬送臂22之結構不限本實施形態，可採用任何結構。又，晶圓搬送裝置20構造成可對晶匣載置台10之晶匣Ct、及後述過渡裝置30搬送疊合晶圓T。
於搬入搬出站2，在晶圓搬送裝置20之X軸負方向側，用以交接疊合晶圓T之過渡裝置30與該晶圓搬送裝置20相鄰而設。
於處理站3設有例如三個處理區塊G1~G3。第1處理區塊G1、第2處理區塊G2、及第3處理區塊G3從X軸正方向側(搬入搬出站2側)往負方向側依序排列配置。
於第1處理區塊G1設有蝕刻裝置40、清洗裝置41及晶圓搬送裝置50。蝕刻裝置40與清洗裝置41積層配置。此外，蝕刻裝置40與清洗裝置41之數量及配置不限於此。舉例而言，蝕刻裝置40與清洗裝置41亦可分別於X軸方向延伸，俯視時排列配置成並排。再者，該等蝕刻裝置40與清洗裝置41亦可分別積層。
蝕刻裝置40將經後述加工裝置80研磨之處理晶圓W的背面Wb進行蝕刻處理。舉例而言，對背面Wb供給藥液(蝕刻液)，將該背面Wb濕蝕刻。藥液可使用例如HF、HNO3 、H3 PO4 、TMAH、Choline、KOH等。此外，只要清洗裝置41所行之背面Wb的清洗充分，亦可省略蝕刻裝置40。
清洗裝置41清洗經後述加工裝置80研磨之處理晶圓W的背面Wb。例如使刷子抵接背面Wb而擦刷清洗該背面Wb。此外，背面Wb之清洗亦可使用加壓之清洗液。又，清洗裝置41亦可具有將支撐晶圓S之背面Sb與處理晶圓W之背面Wb一起清洗的結構。
晶圓搬送裝置50相對於例如蝕刻裝置40與清洗裝置41配置於Y軸負方向側。晶圓搬送裝置50具有將疊合晶圓T保持並搬送之例如二個搬送臂51、51。各搬送臂51構造成於水平方向、鉛直方向、繞水平軸及繞鉛直軸移動自如。此外，搬送臂51之結構不限本實施形態，可採用任何結構。又，晶圓搬送裝置50構造成可對過渡裝置30、蝕刻裝置40、清洗裝置41、及後述改質裝置60搬送疊合晶圓T。
於第2處理區塊G2設有改質裝置60、周緣去除裝置61、及晶圓搬送裝置70。改質裝置60與周緣去除裝置61積層配置。此外，改質裝置60與周緣去除裝置61之數量及配置不限於此。
改質裝置60對處理晶圓W之內部照射雷射光，形成周緣改質層。改質裝置60之具體結構後述。
周緣去除裝置61將以改質裝置60形成之周緣改質層作為基點，去除處理晶圓W之周緣部We。周緣去除裝置61之結構任意，具有例如可擴張之帶(圖中未示)。又，將帶貼附於處理晶圓W之背面Wb後，藉使該帶往處理晶圓W之徑向擴張(expand)，而以周緣改質層為基點，將周緣部We從處理晶圓W分離。
此外，在周緣去除裝置61去除周緣部We之方法不限本實施形態。舉例而言，亦可對周緣部We噴氣或噴水，推打該周緣部We而去除。或者，亦可使諸如鑷子之夾具接觸周緣部We，以物理方式去除該周緣部We。
晶圓搬送裝置70相對於例如改質裝置60與周緣去除裝置61配置於Y軸正方向側。晶圓搬送裝置70具有將疊合晶圓T保持並搬送之例如二個搬送臂71、71。一例係第1搬送臂71從下方保持疊合晶圓T，第2搬送臂71從上方保持疊合晶圓T。各搬送臂71支撐於多關節之臂構件72，並構造成於水平方向、鉛直方向、繞水平軸及繞鉛直軸移動自如。此外，搬送臂71之結構不限本實施形態，可採用任何結構。又，晶圓搬送裝置70構造成可對清洗裝置41、改質裝置60、周緣去除裝置61、及後述加工裝置80搬送疊合晶圓T。
於第3處理區塊G3設有加工裝置80。此外，加工裝置80之數量及配置不限本實施形態，亦可任意配置複數之加工裝置80。
加工裝置80研磨處理晶圓W之背面Wb。加工裝置80具有旋轉台90、粗研磨單元100、中研磨單元110、及精研磨單元120。
旋轉台90藉旋轉機構(圖中未示)構造成以鉛直之旋轉中心線91為中心旋轉自如。於旋轉台90上設有四個吸附保持疊合晶圓T之吸盤92。吸盤92於與旋轉台90相同之圓周上均等地、即每隔90度配置。四個吸盤92藉旋轉台90旋轉，可移動至交接位置A0及加工位置A1~A3。又，四個吸盤92分別藉旋轉機構(圖中未示)構造成可繞鉛直軸旋轉。
在本實施形態中，交接位置A0係旋轉台90之X軸正方向側且為Y軸正方向側之位置，可進行疊合晶圓T之交接。第1加工位置A1係旋轉台90之X軸負方向側且為Y軸正方向側之位置，可配置粗研磨單元100。第2加工位置A2係旋轉台90之X軸負方向側且為Y軸負方向側之位置，可配置中研磨單元110。第3加工位置A3係旋轉台90之X軸正方向側且為Y軸負方向側之位置，可配置精研磨單元120。
在粗研磨單元100，粗研磨處理晶圓W之背面Wb。粗研磨單元100具有具環形且旋轉自如之粗研磨磨石(圖中未示)的粗研磨部101。又，粗研磨部101構造成可沿著支柱102於鉛直方向移動。又，在使由吸盤92所保持之處理晶圓W的背面Wb抵接粗研磨磨石之狀態下，使吸盤92與粗研磨磨石分別旋轉，而粗研磨背面Wb。
在中研磨單元110，中研磨處理晶圓W之背面Wb。中研磨單元110具有具環形且旋轉自如之中研磨磨石(圖中未示)的中研磨部111。又，中研磨部111構造成可沿著支柱112於鉛直方向移動。此外，中研磨磨石之研磨粒的粒度小於粗研磨磨石之研磨粒的粒度。又，在使由吸盤92所保持之處理晶圓W的背面Wb抵接中研磨磨石之狀態下，使吸盤92與中研磨磨石分別旋轉而中研磨背面Wb。
在精研磨單元120，精研磨處理晶圓W之背面Wb。精研磨單元120具有具環形且旋轉自如之精研磨磨石(圖中未示)的精研磨部121。又，精研磨部121構造成可沿著支柱122於鉛直方向移動。此外，精研磨磨石之研磨粒的粒度小於中研磨磨石之研磨粒的粒度。又，在使由吸盤92所保持之處理晶圓W的背面Wb抵接精研磨磨石之狀態下，使吸盤92與精研磨磨石分別旋轉而精研磨背面Wb。
於以上之晶圓處理系統1設有作為控制部之控制裝置130。控制裝置130為例如電腦，具有程式儲存部(圖中未示)。於程式儲存部儲存有控制晶圓處理系統1之疊合晶圓T的處理之程式。又，於程式儲存部亦儲存有用以控制上述各種處理裝置及搬送裝置等之驅動系統的動作而使晶圓處理系統1之後述基板處理實現的程式。此外，上述程式可記錄於可為電腦讀取之記憶媒體H，亦可從該記憶媒體H安裝於控制裝置130。
接著，就使用如以上構成之晶圓處理系統1進行的晶圓處理作說明。圖4係顯示晶圓處理之主要製程的流程圖。圖5係晶圓處理之主要製程的說明圖。此外，在本實施形態，在晶圓處理系統1之外部的接合裝置(圖中未示)，接合處理晶圓W與支撐晶圓S而預先形成了疊合晶圓T。
首先，將收納有複數之圖5(a)所示的疊合晶圓T之晶匣Ct載置於搬入搬出站2之晶匣載置台10。
其次，以晶圓搬送裝置20取出晶匣Ct內之疊合晶圓T，將之搬送至過渡裝置30。接著，以晶圓搬送裝置50取出過渡裝置30之疊合晶圓T，將之搬送至改質裝置60。在改質裝置60，如圖5(b)所示，於處理晶圓W之內部形成周緣改質層M1(圖4之步驟A1)。具體而言，在改質裝置60，一面使處理晶圓W(疊合晶圓)T旋轉，一面從後述雷射頭照射雷射光，而於處理晶圓W之周緣部We與中央部Wc的交界形成周緣改質層M1。
周緣改質層M1作為在整緣中去除周緣部We之際的基點，如圖6及圖7所示，沿著處理晶圓W中之去除對象的周緣部We與中央部Wc之交界，形成環狀。此外，周緣部We為例如從處理晶圓W之外端部往徑向1mm~5mm之範圍，包含去角部。
又，周緣改質層M1形成於比接合區域Aa之外側端部靠徑向內側之處。藉來自雷射頭之雷射光形成周緣改質層M1之際，即使因例如加工誤差等，周緣改質層M1偏離接合區域Aa之外側端部而形成，仍可抑制該周緣改質層M1從接合區域Aa之外側端部形成至徑向外側。在此，當周緣改質層M1從接合區域Aa之外側端部形成至徑向外側時，去除周緣部We後，形成為處理晶圓W對支撐晶圓S浮起之狀態。此點在本實施形態，可確實地抑制此處理晶圓W之狀態。
此外，本發明揭示者們致力檢討之後，確認了當周緣改質層M1與接合區域Aa之外側端部的距離L相當小時，可適當地去除周緣部We。又，此距離L以500μm以內為佳，以50μm以內為更佳。
又，周緣改質層M1於厚度方向延伸而具有縱長之縱橫比。周緣改質層M1之下端位於研磨後之處理晶圓W的目標表面(圖6中之虛線)之上方。即，周緣改質層M1之下端與處理晶圓W的表面Wa之間的距離H1大於研磨後之處理晶圓W的目標厚度H2。此時，周緣改質層M1不殘留於研磨後之處理晶圓W。
再者，在處理晶圓W之內部，裂縫C1從周緣改質層M1發展，到達表面Wa與背面Wb。此外，周緣改質層M1亦可於厚度方向形成複數個。
接著，以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬送至周緣去除裝置61。在周緣去除裝置61，如圖5(c)所示，以周緣改質層M1為基點，去除處理晶圓W之周緣部We(圖4之步驟A2)。
然後，以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬送至加工裝置80。將搬送至加工裝置80之疊合晶圓T交接至交接位置A0之吸盤92。接著，使吸盤92移動至第1加工位置A1。隨後，如圖5(d)所示，以粗研磨單元100粗研磨處理晶圓W之背面Wb(圖4之步驟A3)。
接著，使吸盤92移動至第2加工位置A2。然後，以中研磨單元110中研磨處理晶圓W之背面Wb(圖4之步驟A4)。
之後，使吸盤92移動至第3加工裝置A3。隨後，以精研磨單元120精研磨處理晶圓W之背面Wb(圖4之步驟A5)。
接著，使吸盤92移動至交接位置A0。此外，在交接位置A0，亦可使用清洗液噴嘴(圖中未示)，以清洗液清洗處理晶圓W之背面Wb。
然後，以晶圓搬送裝置70將疊合晶圓T搬送至清洗裝置41。在清洗裝置41，擦刷清洗處理晶圓W之研磨面亦即背面Wb(圖4之步驟A6)。此外，在清洗裝置41，亦可將支撐晶圓S之背面Sb與處理晶圓W之背面Wb一同清洗。
接著，以晶圓搬送裝置50將疊合晶圓T搬送至蝕刻裝置40。在蝕刻裝置40，以藥液濕蝕刻處理晶圓W之背面Wb(圖4之步驟A7)。有於經上述加工裝置80研磨之背面Wb形成研磨痕之情形。在本步驟A7，藉濕蝕刻，可去除研磨痕，而可使背面Wb平滑化。
之後，以晶圓搬送裝置50將施行了所有處理之疊合晶圓T搬送至過渡裝置30，進一步以晶圓搬送裝置20搬送至晶匣載置台10之晶匣Ct。如此進行，晶圓處理系統1之一連串晶圓處理結束。
接著，就上述改質裝置60作說明。圖8係顯示改質裝置60的結構之概略的平面圖。圖9係顯示改質裝置60的結構之概略的側視圖。
改質裝置60具有將疊合晶圓T吸附保持在上面之作為保持部的吸盤200。吸盤200藉由空氣軸承201支撐於滑動台202。於滑動台202之下面側設有旋轉部203。旋轉部203內部裝設有例如馬達作為驅動源。吸盤200藉旋轉部203構造成藉由空氣軸承201繞鉛直軸旋轉自如。滑動台202藉設於其下面側之水平移動部204，構造成可沿著設於基台206且於Y軸方向延伸之軌道205移動。此外，在本實施形態中，旋轉部203與水平移動部204構成保持部移動機構。又，水平移動部204之驅動源未特別限定，可使用例如線性馬達。
於吸盤200之上方設有作為周緣去除部之雷射頭210。雷射頭210具有透鏡211。透鏡211係設於雷射頭210之下面的筒狀構件，可對由吸盤200所保持之處理晶圓W照射雷射光。
雷射頭210將從雷射光振盪器(圖中未示)振盪之高頻脈衝狀雷射光且對處理晶圓W具透過性之波長的雷射光聚集照射至處理晶圓W之內部的所期位置。藉此，在處理晶圓W之內部，雷射光聚集之部分改質，而形成上述周緣改質層M1。
雷射頭210透過支撐構件212，藉升降部220構造成於鉛直方向升降自如。升降部220具有於鉛直方向延伸之軌道221、使支撐構件212(雷射頭210)沿著軌道221升降之驅動部222。此外，升降部220支撐於支撐柱223。
在吸盤200之上方且為雷射頭210之Y軸正方向側設有作為第1拍攝部(第1檢測部)之微距照相機230、作為第2拍攝部(第2檢測部)之顯微照相機240。舉例而言，微距照相機230與顯微照相機240構成一體，微距照相機230配置於顯微照相機240之Y軸正方向側。微距照相機230與顯微照相機240藉升降機構250構造成升降自如，再者，藉移動機構251構造成於Y軸方向移動自如。此外，在本實施形態，此移動機構構成檢測部移動機構。
如圖10所示，微距照相機230拍攝(檢測)處理晶圓W(疊合晶圓T)之外側端部R1(圖10中之虛線)。微距照相機230具有例如同軸透鏡，可照射可見光、例如紅色光，還可接收來自對象物之反射光。可見光在處理晶圓W之背面Wb反射，在吸盤200被吸收。因此，以微距照相機230拍攝之圖像中，處理晶圓W拍成白色，吸盤200拍成黑色。此外，例如微距照相機230之拍攝倍率為2倍。
將以微距照相機230所拍攝之圖像輸出至控制裝置130。在控制裝置130，如圖11所示，從以微距照相機230所拍攝之圖像，算出吸盤200之中心Cc與處理晶圓W之中心Cw的第1偏心量。
如圖12所示，顯微照相機240拍攝處理晶圓W之周緣部，並拍攝(檢測)接合區域Aa與未接合區域Ab之交界R2(圖12中之虛線)。顯微照相機240具有例如同軸透鏡，可照射紅外光(IR光)，還可接收來自對象物之反射光。此外，例如顯微照相機240之拍攝倍率為10倍，視野相對於微距照相機230約1/5，像素尺寸相對於微距照相機230約1/5。
將以顯微照相機240所拍攝之圖像輸出至控制裝置130。在控制裝置130，如圖13所示，從以顯微照相機240所拍攝之圖像，算出吸盤200之中心Cc與接合區域Aa之中心Ca的第2偏心量。
接著，就使用如以上構成之改質裝置60進行的改質處理作說明。圖14係顯示改質處理之主要製程的流程圖。圖15係改質處理的主要製程之說明圖。
首先，如圖15(a)所示，使吸盤200(滑動台202)移動至搬入搬出位置P1。接著，從晶圓搬送裝置50搬入疊合晶圓T，將之保持於吸盤200(圖14之步驟B1)。
然後，如圖15(b)所示，使吸盤200移動至微距校準位置P2(圖14之步驟B2)。微距校準位置P2係微距照相機230可拍攝處理晶圓W之外側端部的位置。此外，在步驟B2，亦進行微距照相機230之高度的調節。
之後，以微距照相機230拍攝處理晶圓W之外側端部R1(圖14之步驟B3)。在此步驟B3，吸盤200不於Y軸方向移動而固定。另一方面，吸盤200藉旋轉部203旋轉。如此一來，以微距照相機230拍攝處理晶圓W之周向360度的外側端部R1之圖像。將所拍攝之圖像從微距照相機230輸出至控制裝置130。
在控制裝置130，從微距照相機230之圖像，算出吸盤200之中心Cc與處理晶圓W的中心Cw之第1偏心量(圖14之步驟B4)。具體而言，如圖16所示，從微距照相機230之圖像取得相對於處理晶圓W之旋轉角度(圖16中之橫軸)的該處理晶圓W之外側端部的位置(圖16中之縱軸)。如此一來，可算出處理晶圓W之中心Cw的位置，進而可算出第1偏心量。
進一步，在控制裝置130，依據第1偏心量，算出吸盤200之移動量而修正該第1偏心量之Y軸成分。吸盤200依據此算出之移動量，於Y軸方向移動，而如圖15(c)所示，使吸盤200移動至顯微校準位置P3(圖14之步驟B5)。顯微校準位置P3係顯微照相機240可拍攝處理晶圓W之周緣部的位置。在此，如上述，由於顯微照相機240之視野相對於微距照相機230小至約1/5，故一旦不修正第1偏心量之Y軸成分，則有處理晶圓W之周緣部不進入顯微照相機240之視角，而無法以顯微照相機240拍攝之情形。因此，步驟B5之依據第1偏心量的Y軸成分之修正亦可謂是為了使吸盤200移動至顯微校準位置P3。此外，在步驟B5，亦進行顯微照相機240之高度的調節。
然後，以顯微照相機240拍攝接合區域Aa與未接合區域Ab之交界R2(圖14之步驟B6)。在此步驟B6，吸盤200之移動及旋轉有以下二個模式。
第1個模式係在步驟B4算出之第1偏心量不具X軸成分的情形。此時，由於在步驟B5使吸盤200於Y軸方向移動之際，第1偏心量之Y軸成分已修正，故在步驟B6不使吸盤200於Y軸方向移動而固定。又，一面以旋轉部203使吸盤200旋轉，一面以顯微照相機240拍攝處理晶圓W的周緣部。如此一來，可拍攝處理晶圓W之周向360度的接合區域Aa與未接合區域Ab之交界R2。將所拍攝之圖像從顯微照相機240輸出至控制裝置130。
第2個模式係在步驟B4算出之第1偏心量具有X軸成分之情形。此時，在步驟B6，以旋轉部203使吸盤200旋轉，同時以水平移動部204使吸盤200於Y軸方向移動而修正第1偏心量之X軸成分。此時，使吸盤200之旋轉與Y軸方向之移動同步。接著，如此一面使吸盤200旋轉及移動，一面以顯微照相機240拍攝處理晶圓W之周緣部。如此一來，可拍攝處理晶圓W之周向360度的接合區域Aa與未接合區域Ab之交界R2。將所拍攝之圖像從顯微照相機240輸出至控制裝置130。
在控制裝置130，從顯微照相機240之圖像，算出吸盤200之中心Cc與接合區域Aa之中心Ca的第2偏心量(圖14之步驟B7)。具體而言，如圖17所示，從顯微照相機240之圖像，取得相對於處理晶圓W之旋轉角度(圖17中之橫軸)的接合區域Aa之外側端部的位置(圖17中之縱軸)。如此一來，可算出接合區域Aa之中心Ca的位置，進而可算出第2偏心量。
進一步，在控制裝置130，依據第2偏心量，將吸盤200相對於周緣改質層M1之位置決定成接合區域Aa之中心與周緣改質層M1(周緣部We)之中心一致。具體而言，將吸盤200之位置決定成符合圖17所示之曲線。在此如上述，於接合處理晶圓W與支撐晶圓S前，形成接合區域Ab，但有此未接合區域Ab之中心(接合區域Aa之中心Ca)與處理晶圓W之中心偏離的情形。此點如本實施形態般，藉依據第2偏心量，調整吸盤200相對於周緣改質層M1之位置，而修正未接合區域Ab之偏離。
接著，如圖15(d)所示，使吸盤200移動至作為去除位置之改質位置P4(圖14之步驟B8)。改質位置P4係雷射頭210對處理晶圓W照射雷射光而形成周緣改質層M1之位置。此外，在本實施形態中，改質位置P4與顯微校準位置P3相同，在步驟B8，吸盤200實質上不移動。
然後，在改質位置P4，檢測由吸盤200所保持之處理晶圓W的背面Wb之高度，依據該檢測結果，調節雷射頭210之高度(圖14之步驟B9)。如圖6所示，將雷射頭210之高度調節成周緣改質層M1形成所期之高度。
之後，從雷射頭210對處理晶圓W之內部照射雷射光，而形成周緣改質層M1(圖14之步驟B10)。在此，如上述，在控制裝置130，依據第2偏心量，將吸盤200之位置決定成符合圖17所示之曲線。在步驟B10，配合此決定之吸盤200的位置，以旋轉部203使吸盤200旋轉，並且以水平移動部204使吸盤200於Y軸方向移動而使接合區域Aa之中心與周緣改質層M1之中心一致。此時，使吸盤200之旋轉與Y軸方向之移動同步。如此藉進行完全同步控制，可使吸盤200之移動誤差少且適當地追隨決定之位置。
然後，如此一面使吸盤200旋轉及移動，一面從雷射頭210對處理晶圓W之內部照射雷射光。即，一面修正第2偏心量，一面形成周緣改質層M1。如此一來，周緣改質層M1形成環形成與接合區域Aa呈同心圓狀。即，可使圖6所示之周緣改質層M1與接合區域Aa的外側端部之距離L一定。因此，之後，在周緣去除裝置61，可以周緣改質層M1為基點，適當地去除周緣部We。
此外，如上述，在本實施形態中，顯微校準位置P3與改質位置P4相同。再者，在此位置，相對於保持在吸盤200之處理晶圓W，顯微照相機240配置於Y軸正方向側，雷射頭210之透鏡211配置於Y軸負方向側。此時，在步驟B10，以雷射頭210形成周緣改質層M1，並且以顯微照相機240拍攝周緣改質層M1。將所拍攝之圖像輸出至控制裝置130，在控制裝置130檢查周緣改質層M1是否形成於適當之位置。如此藉同時進行周緣改質層M1之形成與檢查，可使作業效率提高。又，檢查之結果，當周緣改質層M1偏離所期位置時，亦可微調整吸盤200之移動。
此外，例如顯微校準位置P3與改質位置P4不同時，當同時進行周緣改質層M1之形成與檢查，只要使顯微照相機240於Y軸方向移動至所期位置即可。又，當整緣之寬度改變時，即，周緣部We之寬度改變時，亦只要使顯微照相機240於Y軸方向移動即可。再者，當周緣改質層M1之形成高度改變時，只要將顯微照相機240之高度調節成顯微照相機240之焦點對準周緣改質層M1即可。
接著，如圖15(e)所示，使吸盤200移動至搬入搬出位置P1。然後，以晶圓搬送裝置70搬出疊合晶圓T(圖14之步驟B11)。如此進行，改質裝置60之一連串改質處理結束。此外，在步驟B11，搬入下個要改質處理之疊合晶圓T。
根據以上之實施形態，藉進行微距照相機230之微距校準與顯微照相機240之顯微校準的兩階段校準，可正確地掌握接合區域Aa與未接合區域Ab之交界R2的位置。因此，可適當地於處理晶圓W之內部形成周緣改質層M1，結果，可適當地去除周緣部We。
此外，在以上之實施形態的改質裝置60，在步驟B10，於處理晶圓W之內部形成了環狀周緣改質層M1，亦可如圖18及圖19所示，形成複數之從周緣改質層M1朝徑向外側延伸之分割改質層M2。
在改質裝置60，形成周緣改質層M1後，一面使吸盤200於Y軸方向移動，一面從雷射頭210對處理晶圓W之內部照射雷射光，而形成分割改質層M2。分割改質層M2亦與周緣改質層M1同樣地於厚度方向延伸，而具有縱長之縱橫比。又，裂縫C2從分割改質層M2發展，到達表面Wa與背面Wb。
在此，如圖17所示，接合區域Aa之外側端部的位置因處理晶圓W之旋轉角度而異。如此一來，分割改質層M2之長度因處理晶圓W之旋轉角度而異。是故，在控制裝置130，依據在步驟B7算出之第2偏心量，決定形成分割改質層M2之起點的位置(即，周緣改質層M1之位置)，修正分割改質層M2之長度。具體而言，將分割改質層M2之長度修正成符合圖17所示之曲線。
接著，藉於徑向以數μm之間距形成複數之分割改質層M2及裂縫C2，而如圖19所示，形成從周緣改質層M1朝徑向外側延伸之一排分割改質層M2。此外，在圖示之例中，於徑向延伸之排的分割改質層M2形成於八處，此分割改質層M2之數量任意。分割改質層M2只要至少形成於二處，即可去除周緣部We。此時，在整緣去除周緣部We之際，該周緣部We一面以環狀周緣改質層M1為基點分離，一面以分割改質層M2分割成複數。如此一來，可將要去除之周緣部We小片化，而更易去除。
又，在以上之實施形態，去除處理晶圓W之周緣部We後，研磨該處理晶圓W使其薄化，處理晶圓W之薄化方法不限於此，亦可如後述，以內部面改質層M3為基點，分離處理晶圓W。又，周緣部We之去除與處理晶圓W之薄化亦可同時進行。
舉例而言，如圖20(a)所示，在步驟B10，於處理晶圓W之內部形成環狀周緣改質層M1，並且沿著處理晶圓W之面方向形成內部面改質層M3。此時，使周緣改質層M1之上端與內部面改質層M3之形成高度大約一致。此外，內部面改質層M3與周緣改質層M1同樣地，對處理晶圓W之內部照射雷射光而形成，周緣改質層M1與內部面改質層M3之形成順序任意。
之後，如圖20(b)所示，以周緣改質層M1與內部面改質層M3為基點，將處理晶圓W之背面Wb側分離。如此，藉以內部面改質層M3為基點分離背面Wb側，可使處理晶圓W薄化。又，此時，將周緣部We與背面Wb側之晶圓一體地去除。
此時，由於同時進行周緣部We之去除與處理晶圓W之薄化，故可使晶圓處理之生產量更提高。又，藉以將內部面改質層M3作為基點之分離，進行處理晶圓W之薄化，比起研磨處理晶圓W之情形，不再產生研磨屑，並且不再需要設消耗品亦即研磨工具，而可使裝置結構簡易化。
此次揭示之實施形態所有點應視為例示而非限制。上述實施形態在不脫離附加之申請專利範圍及其主旨下，亦可以各種形態省略、置換、變更。
舉例而言，在上述實施形態中，就本揭示之基板處理裝置為改質裝置60之情形作了說明，基板處理裝置為周緣去除裝置時亦可適用。即，設例如刀片或磨輪等周緣去除部取代改質裝置60之雷射頭210來去除處理晶圓W之周緣部We時亦可適用。如此去除周緣部We時，亦與上述實施形態同樣地，藉進行以微距照相機230與顯微照相機240所行之兩階段校準，可正確地掌握接合區域Aa與未接合區域Ab之交界R2的位置。因此，可適當地去除周緣部We。換言之，本揭示之周緣去除部除了去除周緣部We，還包含形成周緣改質層M1。
又，在上述實施形態，使用了照射紅色光之微距照相機230作為第1檢測部，但不限於此。舉例而言，可使用照射紅外光(IR光)之照相機，或者亦可使用對處理晶圓W之外側端部照射光的位移計。總之，只要處理晶圓W之周緣部藉第1檢測部之微距校準，進入作為第2檢測部之顯微照相機240的視角即可。
再者，在上述實施形態，就作為第2拍攝部之顯微照相機240的拍攝倍率大於作為第1拍攝部之微距照相機230的拍攝倍率之情形作了說明。此點例如於以良好精確度對吸盤200搬送疊合晶圓T時，即所搬送之處理晶圓W的周緣部進入顯微照相機240之視角時，亦可將第1拍攝部與第2拍攝部共通設置而作為一個第2拍攝部。
又，在上述實施形態中，於接合前之處理晶圓W與支撐晶圓S的界面形成了未接合區域Ab，亦可於接合後形成未接合區域Ab。舉例而言，亦可於接合後，藉對氧化膜F之外周部照射雷射光，使接合強度降低，而形成未接合區域Ab。
2:搬入搬出站 3:處理站 10:晶匣載置台 20:晶圓搬送裝置 21:搬送路徑 22:搬送臂 30:過渡裝置 40:蝕刻裝置 41:清洗裝置 50:晶圓搬送裝置 51:搬送臂 60:改質裝置 61:周緣去除裝置 70:晶圓搬送裝置 71:搬送臂 80:加工裝置 90:旋轉台 91:旋轉中心線 92:吸盤 100:粗研磨單元 101:粗研磨部 102:支柱 110:中研磨單元 111:中研磨部 112:支柱 120:精研磨單元 121:精研磨部 122:支柱 130:控制裝置 200:吸盤 201:空氣軸承 202:滑動台 203:旋轉部 204:水平移動部 205:軌道 206:基台 210:雷射頭 211:透鏡 212:支撐構件 220:升降部 221:軌道 222:驅動部 223:支柱 230:微距照相機 240:顯微照相機 250:升降機構 251:移動機構 A0:交接位置 A1:第1加工位置 A2:第2加工位置 A3:第3加工位置 Aa:接合區域 Ab:未接合區域 A1:步驟(圖4) A2:步驟(圖4) A3:步驟(圖4) A4:步驟 A5:步驟 A6:步驟 A7:步驟 B1:步驟 B2:步驟 B3:步驟 B4:步驟 B5:步驟 B6:步驟 B7:步驟 B8:步驟 B9:步驟 B10:步驟 B11:步驟 C1:裂縫 C2:裂縫 Ca:中心 Cc:中心 Ct:晶匣 Cw:中心 F:氧化膜 Fe:外周部 G1:第1處理區塊 G2:第2處理區塊 G3:第3處理區塊 H:記憶媒體 H1:距離 H2:目標厚度 L:距離 M1:周緣改質層 M2:分割改質層 M3:內部面改質層 P1:搬入搬出位置 P2:微距校準位置 P3:顯微校準位置 P4:改質位置 R1:外側端部 R2:交界 S:支撐晶圓 Sa:表面 Sb:背面 T:疊合晶圓 W:處理晶圓 Wa:表面 Wb:背面 Wc:中央部 We:周緣部 X:方向 Y:方向 Z:方向
圖1係示意顯示本實施形態之晶圓處理系統的結構之概略的平面圖。 圖2係顯示疊合晶圓之結構的概略之側視圖。 圖3係顯示疊合晶圓之一部分的結構之概略的側視圖。 圖4係顯示晶圓處理之主要製程的流程圖。 圖5(a)~(d)係晶圓處理之主要製程的說明圖。 圖6係顯示於處理晶圓形成有周緣改質層之樣態的縱截面圖。 圖7係顯示於處理晶圓形成有周緣改質層之樣態的平面圖。 圖8係顯示本實施形態之改質裝置的結構之概略的平面圖。 圖9係顯示本實施形態之改質裝置的結構之概略的側視圖。 圖10係顯示微距照相機拍攝之處的說明圖。 圖11係以微距校準算出之第1偏心量的說明圖。 圖12係顯示顯微照相機拍攝之處的說明圖。 圖13係以顯微校準算出之第1偏心量的說明圖。 圖14係顯示改質處理之主要製程的流程圖。 圖15(a)~(e)係改質處理的主要製程之說明圖。 圖16係顯示處理晶圓之旋轉角度與處理晶圓的外側端部之位置的關係之說明圖。 圖17係顯示處理晶圓之旋轉角度與接合區域之外側端部的位置之關係的說明圖。 圖18係顯示於處理晶圓形成有周緣改質層及分割改質層之樣態的縱截面圖。 圖19係顯示於處理晶圓形成有周緣改質層及分割改質層之樣態的平面圖。 圖20(a)~(b)係另一實施形態之晶圓處理的主要製程之說明圖。
60:改質裝置
200:吸盤
202:滑動台
205:軌道
206:基台
210:雷射頭
211:透鏡
212:支撐構件
220:升降部
221:軌道
222:驅動部
223:支柱
230:微距照相機
240:顯微照相機
250:升降機構
251:移動機構
X:方向
Y:方向
Z:方向

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，用以處理基板，包含： 保持部，用以保持以第1基板與第2基板接合而成之疊合基板； 第1檢測部，用以檢測該第1基板之外側端部； 第2檢測部，用以檢測該第1基板及該第2基板接合之接合區域與該接合區域之外側的未接合區域之交界； 周緣去除部，對由該保持部所保持之該疊合基板去除該第1基板中之去除對象的周緣部； 保持部移動機構，使該保持部沿水平方向移動；及 控制部，其控制該保持部、該第1檢測部、該第2檢測部、該周緣去除部、及該保持部移動機構； 該控制部執行下列動作： 以該第1檢測部檢測該第1基板之外側端部； 基於以該第1檢測部檢測出之檢測結果，算出該保持部之中心與該第1基板之中心的第1偏心量； 以該第2檢測部檢測該接合區域與該未接合區域之交界； 基於以該第2檢測部檢測出之檢測結果算出該保持部之中心與該接合區域之中心的第2偏心量； 依據該第2偏心量，將該保持部相對於該周緣去除部之位置決定成使該接合區域之中心與該周緣部之中心一致。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 該保持部移動機構包含： 旋轉部，使該保持部旋轉；及 水平移動部，使該保持部在將該疊合基板搬入搬出之搬入搬出位置與以該周緣去除部去除該周緣部的去除位置之間沿水平方向移動。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 該第2檢測部係拍攝該接合區域與該未接合區域之交界的第2拍攝部， 該控制部執行下列動作： 當該第1偏心量不具有直交於由該水平移動部使該保持部移動之方向的直交方向之偏心量時，由該水平移動部使該保持部移動而修正該第1偏心量中之在該移動方向的偏心量； 一面以該旋轉部使該保持部旋轉，一面以該第2拍攝部沿周向拍攝該接合區域與該未接合區域之交界； 從以該第2拍攝部所拍攝之圖像，算出周向之該第2偏心量。
  4. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中， 該第2檢測部係拍攝該接合區域與該未接合區域之交界的第2拍攝部， 該控制部執行下列動作： 當該第1偏心量具有直交於由該水平移動部使該保持部移動之方向的直交方向之偏心量時，由該水平移動部使該保持部移動而修正該第1偏心量中之在該移動方向的偏心量； 一面將該保持部以該旋轉部旋轉並以該水平移動部沿水平方向移動，而修正該第1偏心量在該直交方向的偏心量，一面以該第2拍攝部沿周向拍攝該接合區域與該未接合區域之交界； 從以該第2拍攝部所拍攝之圖像，算出周向之該第2偏心量。
  5. 如申請專利範圍第2項至第4項中任一項之基板處理裝置，其中， 該控制部執行下列動作： 一面依據該第2偏心量，將該保持部以該旋轉部旋轉並以該水平移動部沿水平方向移動，而使該接合區域之中心與該周緣部之中心一致，一面以該周緣去除部去除該周緣部。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之基板處理裝置，其中， 該周緣去除部對於由該保持部所保持之該疊合基板沿著該周緣部與中央部之交界，於該第1基板之內部形成周緣改質層。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，更包含： 分割改質部，其在該第1基板之內部形成從該周緣改質層朝徑向外側延伸之分割改質層； 該控制部依據該第2偏心量，修正該分割改質層在徑向的長度。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中， 該第2檢測部係拍攝該周緣改質層的第2拍攝部， 該控制部執行下列動作： 一面以該周緣去除部形成該周緣改質層，一面以該第2拍攝部拍攝該周緣改質層。
  9. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之基板處理裝置，包含： 檢測部移動機構，其使該第2檢測部沿水平方向移動。
  10. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之基板處理裝置，其中， 該第1檢測部係拍攝該第1基板之外側端部的第1拍攝部， 該第2檢測部係拍攝該接合區域與該未接合區域之交界的第2拍攝部， 該第2拍攝部之拍攝倍率高於該第1拍攝部之拍攝倍率。
  11. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之基板處理裝置，其中， 該第1檢測部係照射可見光而接收來自該疊合基板之反射光的第1拍攝部， 該第2檢測部係照射紅外光而接收來自該疊合基板之反射光的第2拍攝部。
  12. 一種基板處理方法，用以處理基板，包含下列步驟： 將以第1基板與第2基板接合成之疊合基板用保持部加以保持； 檢測該第1基板之外側端部； 從該第1基板之外側端部的檢測結果，算出該保持部之中心與該第1基板之中心的第1偏心量； 檢測該第1基板及該第2基板接合之接合區域與該接合區域之外側的未接合區域之交界； 從該接合區域與該未接合區域之交界的檢測結果，算出該保持部之中心與該接合區域之中心的第2偏心量； 在對於由該保持部所保持之該疊合基板，以周緣去除部去除該第1基板中之去除對象的周緣部之際，依據該第2偏心量，將該保持部相對於該周緣去除部之位置決定成使該接合區域之中心與該周緣部之中心一致。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，更包含下列步驟： 一面以旋轉部使該保持部旋轉，一面以第1拍攝部沿周向拍攝該第1基板之外側端部； 從以該第1拍攝部所拍攝之圖像，算出周向之該第1偏心量。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項之基板處理方法，包含下列步驟： 以水平移動部使該保持部在將該疊合基板搬入搬出之搬入搬出位置與以該周緣去除部去除該周緣部的去除位置之間沿水平方向移動， 當該第1偏心量不具有直交於由該水平移動部使該保持部移動之方向的直交方向之偏心量時，以該水平移動部使該保持部移動而修正該第1偏心量在該移動方向的偏心量； 一面以旋轉部使該保持部旋轉，一面以第2拍攝部沿周向拍攝該接合區域與該未接合區域之交界； 從以該第2拍攝部所拍攝之圖像，算出周向之該第2偏心量。
  15. 如申請專利範圍第12項或第13項之基板處理方法，更包含下列步驟： 以水平移動部使該保持部在將該疊合基板搬入搬出之搬入搬出位置與以該周緣去除部去除該周緣部的去除位置之間沿水平方向移動， 當該第1偏心量具有直交於由該水平移動部使該保持部移動之方向的直交方向之偏心量時，以該水平移動部使該保持部移動而修正該第1偏心量在該移動方向的偏心量； 一面將該保持部以該旋轉部旋轉並以該水平移動部沿水平方向移動，而修正該第1偏心量在該直交方向的偏心量，一面以該第2拍攝部沿周向拍攝該接合區域與該未接合區域之交界； 從以該第2拍攝部所拍攝之圖像，算出周向之該第2偏心量。
  16. 如申請專利範圍第12項或第13項之基板處理方法，更執行下列步驟： 以水平移動部使該保持部在將該疊合基板搬入搬出之搬入搬出位置與以該周緣去除部去除該周緣部的去除位置之間沿水平方向移動， 一面依據該第2偏心量，將該保持部以該旋轉部旋轉並以該水平移動部沿水平方向移動而使該接合區域之中心與該周緣部之中心一致，一面以該周緣去除部去除該周緣部。
  17. 如申請專利範圍第12項或第13項之基板處理方法，其中， 該周緣去除部對於由該保持部所保持之該疊合基板沿著該周緣部與中央部之交界，於該第1基板之內部形成周緣改質層。
  18. 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，更包含下列步驟： 以分割改質部在該第1基板之內部形成從該周緣改質層朝徑向外側延伸之分割改質層； 依據該第2偏心量，修正該分割改質層在徑向的長度。
  19. 如申請專利範圍第17項之基板處理方法，其中， 一面以該周緣去除部形成該周緣改質層，一面拍攝該周緣改質層。
  20. 如申請專利範圍第12項或第13項之基板處理方法，其中， 該第1基板之外側端部的檢測，係藉著以第1拍攝部拍攝該外側端部而進行， 該接合區域與該未接合區域之交界的檢測，係藉著以第2拍攝部拍攝該交界而進行， 該第2拍攝部之拍攝倍率高於該第1拍攝部之拍攝倍率。
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