TW202022091A

TW202022091A - 用於半導體的高選擇比蝕刻液、對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液、及使用其製造半導體裝置的方法

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Publication number: TW202022091A
Application number: TW108145399A
Authority: TW
Inventors: 鄭敬振; 尹永錄; 韓宰熙
Original assignee: 南韓商凱斯科技股份有限公司
Priority date: 2018-12-11
Filing date: 2019-12-11
Publication date: 2020-06-16

Abstract

本發明關於一種用於半導體的高選擇比蝕刻液，具體地，包括無機酸；矽烷基調節劑；以及硫（Sulfur）基助劑。另外，本發明關於一種對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液及使用其製造半導體裝置的方法，根據本發明的一方面，提供一種對氮化矽具膜選擇性的蝕刻液，包括：無機酸；矽基化合物；以及水。

Description

用於半導體的高選擇比蝕刻液、對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液、及使用其製造半導體裝置的方法

本發明關於一種用於半導體的高選擇比蝕刻液、對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液、及使用其製造半導體裝置的方法。

在半導體裝置的製造中，可以在基板上堆叠各種絕緣膜，例如氧化矽膜及氮化矽膜。根據形成包含在所述半導體裝置中的各種圖案的必要性，需要對所述氮化矽膜進行選擇性的蝕刻製程。

當通過濕式蝕刻製程來蝕刻氮化矽膜時，可以使用具有酸成分的蝕刻組合物，所述蝕刻組合物應既不損壞諸如氧化膜之類的絕緣膜結構，還應相對於所述導電膜具有高選擇比，在所述蝕刻製程過程中，需要保持均勻的蝕刻特性，但隨著蝕刻製程的進行，蝕刻速度會降低，氮化矽膜對氧化矽膜的選擇比，也可能會隨之降低。現有的氮化矽膜/氧化膜選擇比控制技術有兩種方法：一是通過將矽酸鹽基化合物溶解在蝕刻液中來提高矽濃度，從而降低氧化膜的蝕刻能力；二是通過添加矽酸鹽基化合物來保護氧化膜表面，從而獲得蝕刻抑制效果。前者，具有以下缺點：在蝕刻過程中，由於蝕刻液中的矽濃度上升，導致産生矽基化合物的顆粒，及發生氧化膜表面的異常生長現象；後者，雖然在顆粒的産生及異常生長現象方面具有優勢，但在使用矽酸鹽基化合物之前，需要預反應或蝕刻抑制效果較低，導致通常難以實現1000:1以上的高選擇比。

此外，當使用含氟化合物的蝕刻液時，不僅導致如上所述的矽基薄膜的形成或玻璃基板的蝕刻，當在面板製造過程中出現缺陷時，還存在限制再使用玻璃基板等問題。例如，在韓國公開專利公報第10-2005-0003163號中，公開了一種含有磷酸和氫氟酸的半導體裝置的氮化膜蝕刻液。然而，當蝕刻液中包含氫氟酸時，會同時去除氧化矽膜，因此難以確保氮化膜相對於氧化膜的有足够的蝕刻選擇比。

目前，正在進行有關研究，希望通過最小化蝕刻液中的矽濃度，能够緩解在蝕刻液使用過程中，由於溶液中的矽濃度上升而導致的矽基化合物顆粒的産生，或氧化矽膜蝕刻速度的降低現象。

此外，當同時蝕刻諸如金屬膜和金屬氮化物膜等不同導電膜時，不僅能對特定導電膜保持一定的蝕刻速度，還可以將氮化膜相對於氧化膜的蝕刻選擇比最大化的蝕刻液的需求日益增大，對用於半導體的高選擇比蝕刻液的研究也正在迅速進行。

氧化矽膜（SiO₂ ）和氮化矽膜（SiNx）是半導體製備過程中使用的具有代表性的絕緣膜。它們可以單獨使用或通過交替堆叠一層以上的氧化矽膜和一層以上的氮化矽膜來使用。另外，還用於作為硬罩幕（Hard mask）以形成金屬綫等導電圖案。

在半導體製造製程中，當通過濕式蝕刻氮化矽膜時，通常使用酸性成分的蝕刻液，該蝕刻液不僅要對氮化矽膜具有高選擇比，且不應損壞氧化矽膜。

因此，目前通過以下方式來調節選擇比：通過在蝕刻液中添加矽烷（silane）基化合物來保護氧化膜的表面，或通過在蝕刻液中溶解矽酸鹽（silicate）基化合物來提高矽濃度，從而降低蝕刻能力。

然而，當單獨添加矽烷時，需要進行預處理反應，或難以實現1000:1以上的高選擇比，且需要大量的添加劑以達到目標選擇比，還出現産生顆粒及異常生長等問題。即使添加諸如肟矽烷之類的材料，還是會出現矽基化合物的溶解度降低、産生顆粒及異常生長等問題。

此外，當使用矽酸鹽基化合物時，由於蝕刻液中的矽濃度上升，導致顆粒的産生及氧化膜表面的異常生長，並難以實現高選擇比。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

（專利文獻1）韓國公開專利公報第10-2005-0003163號

[發明要解决的問題]

本發明的目的在於解决上述問題，即選擇性地去除氮化矽膜，與此同時將氧化矽膜的蝕刻率最小化，從而提供一種高選擇比的氮化矽膜蝕刻組合物，及使用其製造半導體裝置的方法，可以解决對半導體裝置造成異物産生等不利影響的問題。

此外，本發明的另一目的在於提供一種對氮化矽膜具選擇比的蝕刻液及使用其製造半導體裝置的方法，以將氧化矽膜的蝕刻最小化，並選擇性地去除氮化矽膜，還可以通過抑制顆粒的産生，從而抑制半導體裝置中的異常生長。

然而，本發明要解决的問題並非受限於上述言及的問題，未言及的其他問題能够通過以下記載由本領域普通技術人員所明確理解。

[解决問題的技術手段]

根據本發明一實施例的用於半導體的高選擇比蝕刻液包括：無機酸；矽烷基調節劑；以及硫（Sulfur）基助劑。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括1至3個碳原子的烷基或氨基。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括1至3個烷基。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括1至6個烷氧基，所述烷氧基可以是甲氧基或乙氧基。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括從由3-氨丙基（二乙氧基）甲基矽烷（3-Aminopropyl(diethoxy)methylsilane）、3-(2-氨基乙胺基)丙基三乙氧基矽烷（3-(2-Aminoethylamino)propyltriethoxysilane）、3-氨丙基甲基二甲氧基矽烷（3-Aminopropyldimethoxymethylsilane）、二乙氧基二甲基矽烷（Diethoxydimethylsilane）、二乙氧基二苯基矽烷（Diethoxydiphenylsilane）、(3-氨丙基)三乙氧基矽烷（(3-Aminopropyl)triethoxysilane）、(3-縮水甘油醚氧基丙基)三甲氧基矽烷（(3-Glycidyloxypropyl)trimethoxysilane）、乙烯基三甲氧基矽烷（Vinyltrimethoxysilane）、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基矽烷（N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane）、3-氨丙基三甲氧基矽烷（3-Aminopropyltrimethoxysilane）、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷（3-(2-Aminoethylamino)propyltriethoxysilane）、正癸基三乙氧基矽烷（Decyltriethoxysilane）、正十二烷基三乙氧基矽烷（Dodecyltriethoxysilane）、正己基三乙氧基矽烷（Hexyltriethoxysilane）、(3-巰丙基)三乙氧基矽烷（(3-Mercaptopropyl)triethoxysilane）、三乙氧基乙基矽烷（Triethoxyethylsilane）、三乙氧基(异丁基)矽烷（Triethoxy(isobutyl)silane）、三乙氧基甲基矽烷（Triethoxymethylsilane）、三乙氧基苯基矽烷（Triethoxyphenylsilane）、三乙氧基(丙基)矽烷（Triethoxy(propyl)silane）、三甲氧基(甲基)矽烷（Trimethoxy(methyl)silane）、雙-[3-(三乙氧基矽)丙基]-四硫化物（Bis-[3-(Triethoxysilyl)Propyl]Tetrasulfide）、雙[3-(三乙氧基矽)丙基]胺（Bis[3-(triethoxysilyl)propyl]amine）、1,2-雙(三乙氧基矽基)乙烷（1,2-Bis(triethoxysilyl)ethane）、1,2-雙(三甲氧基矽基)乙烷（1,2-Bis(trimethoxysilyl)ethane）及雙[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]胺（Bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]amine）組成的群組中選擇的至少任一種。

根據一方面，所述矽烷基調節劑的含量可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的0.01重量百分比至1重量百分比。

根據一方面，所述硫（Sulfur）基助劑可以是從由硫酸鹽（Sulfate）、硫酸氫鹽（HydrogenSulfate）、過硫酸鹽（Persulfate）、亞硫酸鹽（Sulfite）、亞硫酸氫鹽（bisulfite）、次硫酸鹽（Hyposulfite）、連二亞硫酸鹽（hydrosulfite）、偏亞硫酸氫鹽（metabisulfite）、硫代硫酸鹽（Thiosulfate）、二氧化硫（Sulfur dioxide）、三氧化硫（Sulfur trioxide）及亞硫酸（Sulfurous acid）組成的群組中選擇的包括至少一種鹽的硫基化合物。

根據一方面，所述硫（Sulfur）基助劑可以包括從由硫酸銨（Ammonium sulfate）、亞硫酸氫銨（Ammonium bisulfite）、氫硫化銨（Ammonium hydrosulfite）、偏重亞硫酸銨（Ammonium metabisulfite）、亞硫酸銨（Ammonium Sulfite）及過硫酸銨（Ammonium persulfate）組成的群組中選擇的至少任一種。

根據一方面，所述硫（Sulfur）基助劑的含量可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的0.05重量百分比至5重量百分比。

根據一方面，所述無機酸可以包括從由磷酸、焦磷酸、亞磷酸、偏磷酸、多磷酸、硫酸、亞硫酸、硝酸及亞硝酸組成的群組中選擇的至少任一種。

根據一方面，所述無機酸的含量可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的85重量百分比至90重量百分比。

根據一方面，根據以下式1，矽濃度可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的50ppm至1500ppm：

[式1]

10⁶ 。

根據一方面，氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比可以是80:1至8000:1。

根據本發明另一實施例的製造半導體裝置的方法包括以下步驟：在基板上形成氧化矽膜及氮化矽膜；以及通過使用對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，對形成有所述氧化矽膜及氮化矽膜的基板進行蝕刻，所述用於半導體的高選擇比蝕刻液是根據本發明一實施例的用於半導體的高選擇比蝕刻液。

根據一方面，提供一種對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，包括：無機酸；由以下化學式2表示的矽基化合物；以及水。

[化學式2]

在所述化學式2中，L是單鍵、具有1至10個碳原子的亞烴基或具有4至8個碳原子的亞環烷基；R₁ 是氫、羥基、具有1至10個碳原子的烷基或具有1至10個碳原子的烷氧基；R₂ 是羥基、具有1至10個碳原子的醇或具有1至10個碳原子的烷氧基；n是1至10的整數。

根據一方面，在所述化學式2中，L可以是具有1至10個碳原子的亞烴基或具有4至8個碳原子的亞環烷基；R₁ 可以是氫、羥基或具有1至6個碳原子的烷基；R₂ 可以是羥基、具有1至6個碳原子的醇或具有1至6個碳原子的烷氧基；n可以是1至5的整數。

根據一方面，在所述化學式2中，L可以是具有1至5個碳原子的亞烴基；R₁ 可以是氫或具有1至6個碳原子的烷基；R₂ 可以是羥基；n可以是1至3的整數。

根據一方面，由所述化學式2表示的矽基化合物可以包括從由3-（三羥基矽基）丙基氨基磺酸、甲基（3-（三羥基矽基）丙基）氨基磺酸、3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基磺酸、3-（3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基）丙基氨基磺酸及甲基（3-（甲基（3-（甲基(3-(三羥基矽基）丙基)氨基）丙基）氨基）丙基）氨基磺酸組成的群組中選擇的任一種。

根據一方面，所述無機酸的含量可以是所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液的85重量百分比至90重量百分比。

根據一方面，在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，由所述化學式2表示的矽基化合物的含量可以是0.01重量百分比至3重量百分比。

根據一方面，所述無機酸可以是85重量百分比至90重量百分比，由所述化學式2表示的矽基化合物可以是0.01重量百分比至3重量百分比，並可以包括剩餘量的水。

根據一方面，對於所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比可以爲100∶1以上。

根據一方面，對於所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，對氮化矽膜的蝕刻速度可以爲400Å至500Å，對氧化矽膜的蝕刻速度可以爲3Å以下。

根據一方面，所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液可以在蝕刻過程中，抑制顆粒的産生。

根據本發明的另一方面，提供一種形成有氧化矽膜及氮化矽膜的基板的蝕刻方法，包括以下步驟：在基板上形成氧化矽膜及氮化矽膜；以及通過使用對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，對形成有所述氧化矽膜及氮化矽膜的基板進行蝕刻，並且所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液是根據本發明的對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液。

[發明的效果]

根據本發明的蝕刻組合物，對氧化矽膜具有高的氮化物膜蝕刻選擇比，因此可以選擇性地去除氮化矽膜，與此同時將氧化矽膜的蝕刻率最小化，並可以解决對半導體裝置造成不利影響的産生異物等問題。

根據本發明的對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，可以將氧化矽膜的蝕刻抑制能力最大化，從而實現相對於氧化矽膜的氮化矽膜高選擇比。

尤其，即使添加少量的烷基矽烷三醇（Alkyl silane triol）形式的矽基化合物也能達到極高的氧化矽蝕刻抑制效果，便於製備具有高選擇比的蝕刻液。

此外，在蝕刻過程中，可以通過抑制顆粒的産生，從而抑制半導體裝置中的異常生長。

以下，參照附圖對本發明的實施例進行詳細說明。在說明本發明的過程中，當判斷對於相關習知功能或者構成的具體說明不必要地混淆本發明的要旨時，省略對其進行詳細說明。並且，本說明書中使用的術語用於準確地表達本發明的較佳實施例，能够根據使用者、利用者的意圖或者本發明所屬技術領域的慣例有所不同。由此，對於本術語的定義應根據本說明書的整體內容進行定義。顯示在各附圖中的相同的附圖標記表示相同的結構要素。

在整體說明書中，當記載某個部件位於其他部件“上”時，不僅表示某一部件接觸其他部件的情况，也包括兩個部件之間存在其他部件的情况。

在整體說明書中，當說明某一部分“包括”某一構成要素時，不表示排除其他構成要素，還能够包括其他構成要素。

以下，參照實施例及附圖對本發明的高選擇比蝕刻液進行具體說明。然而，本發明並非限定於上述實施例及附圖。

通過添加硫（Sulfur）基助劑，可以將矽烷基調節劑的氧化矽膜鈍化性能最大化，由此氮化矽膜與氧化膜的選擇比可以達到2000∶1以上，並可以將作爲選擇比調節劑的矽烷基調節劑的添加量减少到1%以下。

根據一方面，根據本發明一實施例的用於半導體的高選擇比蝕刻液，即使不添加現有的會帶來問題的矽酸鹽（silicate）化合物，也可以通過僅添加矽烷基調節劑及硫（Sulfur）基助劑，改善對矽顆粒的産生及異常生長的抑制。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括烷基、烷氧基或氨基。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以是主（main）調節劑，用於控制相對於氧化矽膜的氮化膜的蝕刻選擇比。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以與無機酸混合以有效地蝕刻氮化膜，並可以在接觸表面的粗糙度等方面呈現優異的性能。

根據一方面，所述氨基包括氨基，除此之外不做特別限定，可以包括烷基和氨基，例如氨基乙基、氨基丙基等。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括1至3個烷基。

根據一方面，不對所述矽烷基調節劑的烷基進行特別限定，例如，可以是甲基、乙基或丙基。

根據一方面，所述矽烷基調節劑包括1至6個烷氧基，所述烷氧基可以是甲氧基或乙氧基。

根據一方面，當矽烷基調節劑含有三個以上的所述烷氧基時，僅通過矽烷基調節劑的單獨使用就可以大大提高選擇比的增加率。

根據一方面，所述烷氧基爲通過氧鍵（-O-）結合的烷基，在蝕刻液中提供電子，起到電子供體（donor）的作用，並且，當還包括烷基或氨基時，電子供體角色可以得到進一步的改進。

根據一方面，當所述矽烷基調節劑不包含烷氧基或包含有小於三個時，當額外地與助劑或輔助添加劑一起使用時，與單獨使用矽烷基調節劑相比可以增加選擇比；尤其根據本發明的一實施例，當與硫（Sulfur）基助劑結合使用時，可以將其效果最大化。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以包括從由3-氨丙基二乙氧基甲基矽烷（3-Aminopropyl(diethoxy)methylsilane）、3-(2-氨基乙胺基)丙基三乙氧基矽烷（3-(2-Aminoethylamino) propyltriethoxysilane）、3-氨丙基甲基二甲氧基矽烷（3-Aminopropyldimethoxymethylsilane）、二乙氧基二甲基矽烷（Diethoxydimethylsilane）、二乙氧基二苯基矽烷（Diethoxydiphenylsilane）、(3-氨丙基)三乙氧基矽烷（(3-Aminopropyl)triethoxysilane）、(3-縮水甘油醚氧基丙基)三甲氧基矽烷（(3-Glycidyloxypropyl)trimethoxysilane）、乙烯基三甲氧基矽烷（Vinyltrimethoxysilane）、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基矽烷（N-(2-Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane）、3-氨丙基三甲氧基矽烷（3-Aminopropyltrimethoxysilane）、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷（3-(2-Aminoethylamino)propyltriethoxysilane）、正癸基三乙氧基矽烷（Decyltriethoxysilane）、正十二烷基三乙氧基矽烷（Dodecyltriethoxysilane）、正己基三乙氧基矽烷（Hexyltriethoxysilane）、(3-巰丙基)三乙氧基矽烷（(3-Mercaptopropyl)triethoxysilane）、三乙氧基乙基矽烷（Triethoxyethylsilane）、三乙氧基(异丁基)矽烷（Triethoxy(isobutyl)silane）、三乙氧基甲基矽烷（Triethoxymethylsilane）、三乙氧基苯基矽烷（Triethoxyphenylsilane）、三乙氧基(丙基)矽烷（Triethoxy(propyl)silane）、三甲氧基(甲基)矽烷（Trimethoxy(methyl)silane）、雙-[3-(三乙氧基矽)丙基]-四硫化物（Bis-[3-(Triethoxysilyl)Propyl]Tetrasulfide）、雙[3-(三乙氧基矽)丙基]胺（Bis[3-(triethoxysilyl)propyl]amine）、1,2-雙(三乙氧基矽基)乙烷（1,2-Bis(triethoxysilyl)ethane）、1,2-雙(三甲氧基矽基)乙烷（1,2-Bis(trimethoxysilyl)ethane）及雙[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]胺（Bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]amine）組成的群組中選擇的至少任一種。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以通過調節氧化矽膜的刻蝕速度來控制於氧化矽膜的氮化膜的初始選擇比。

根據一方面，所述矽烷基調節劑可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的0.01重量%至1重量%。

當所述矽烷基調節劑的含量小於0.01重量%時，由於氧化矽膜過度蝕刻導致氧化膜層的厚度變薄或變形，並可能將後處理及最終産品的品質劣化，還會使擋在氧化膜層的容量（Capacity）增加及擊穿電壓降低至極限；當所述矽烷基調節劑的含量超過1重量%時，在蝕刻液中，與硫（Sulfur）基助劑相比，矽烷基調節劑添加過量，使選擇比增加的效果不明顯，或無機酸及水的比例變得相對較低，從而導致如下問題：降低氮化矽膜的蝕刻能力、氧化膜的蝕刻速度降低到適當值以下、發生沉積現象而不是蝕刻氧化層，並在氧化矽膜部分出現異常生長。

通過添加硫（Sulfur）基助劑，可以通過將矽烷基調節劑的氧化矽膜鈍化性能最大化來控制蝕刻速度，並可以使氮化矽膜與氧化膜的選擇比達到2000∶1以上，還可以將作爲選擇比調節劑的矽烷基調節劑的添加量减少到1%以下。

例如，所述硫（Sulfur）基助劑可以是過硫酸鹽（Persulfate）基助劑，所述過硫酸鹽（Persulfate）基助劑可以包括以下化學式1的官能團。

[化學式1]

根據一方面，當所述硫（Sulfur）基助劑僅與所述無機酸混合使用時，無法達到輔助控制選擇比的效果，但當與所述矽烷基調節劑結合使用時，可以達到選擇比改善效果。

根據一方面，當單獨使用所述矽烷基調節劑時，所述硫（Sulfur）基助劑若與選擇比變化較大的一起使用，可以最大限度地發揮其作用，尤其當包括0至2個所述矽烷基調節劑的烷氧基時，當與過硫酸鹽基助劑一起使用時，選擇比增加率可以得到改善。

根據一方面，所述硫（Sulfur）基助劑可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的0.05重量%至5重量%。

當所述硫（Sulfur）基助劑的含量小於0.05重量%時，由於調節助劑的添加量極少，使氧化矽膜過度蝕刻，可能會導致氧化膜層的厚度變薄或變形。由此，對後處理及最終産品也會造成影響，並使擋在氧化膜層的容量增加及擊穿電壓降低至極限。不僅如此，與所述硫（Sulfur）基助劑的含量對比矽烷基調節劑的比率還可能會超過，使選擇比增加效果微不足道。當所述硫（Sulfur）基助劑的含量超過5重量%時，可能根本無法影響到選擇比的增加，使氧化膜的蝕刻速度大大降低到適當值以下，情况嚴重時可能會發生沉積現象而不是蝕刻氧化膜。

根據一方面，所述無機酸可以較佳爲磷酸，所述磷酸可以與水或去離子水（DIW）混合使用。

根據一方面，所述磷酸作爲强酸，若單獨使用，可能因其腐蝕特性而難以處理，但當與少量的去離子水混合並添加矽烷基調節劑來一起使用時，可以起到抑制産生矽顆粒的作用，適於高選擇比半導體製造製程。

根據一方面，當所述磷酸與矽烷基調節一起被用於蝕刻液時，通過確保足够的蝕刻時間來去除氮化膜，不需要附加製程，易於調整有效場氧化高度（Effective Field Oxide Height, EFH）。

根據一方面，所述去離子水可以較佳以8重量%至15重量%的重量百分比包括在內。

根據一方面，所述無機酸可以是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的85重量%至90重量%。當所述無機酸的含量小於85重量%時，蝕刻的效果可能微不足道，當超過90重量%時，由於過多添加强酸使氧化層過度腐蝕並導致矽顆粒的産生。

[式1]

10⁶ 。

當所述矽濃度超過1500ppm時，使用其對半導體進行蝕刻時，在使用過程中會在溶液裏産生矽基化合物顆粒，導致氧化矽膜的蝕刻速度降低，最終降低品質。

根據一方面，氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比可以是80:1至8000:1。根據一方面，可以在160°C以上測量所述氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比，並且可以通過氮化矽膜5分鐘/氧化矽膜1小時的時間來測量蝕刻時間。

根據一方面，當所述氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比小於80∶1時，由於氮化膜沒有被充分蝕刻，從而可能降低可靠性並難以形成圖案；當超過8000∶1時，相比氧化膜，氮化膜可能被過度蝕刻。

根據本發明一實施例的形成有氧化矽膜及氮化矽膜的基板的蝕刻方法包括以下步驟：在基板上形成氧化矽膜及氮化矽膜；以及通過使用對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，對形成有所述氧化矽膜及所述氮化矽膜的基板進行蝕刻，並且所述用於半導體的高選擇比蝕刻液可以是根據本發明一實施例的用於半導體的高選擇比蝕刻液。

根據一方面，所述對形成有所述氧化矽膜及所述氮化矽膜的基板進行蝕刻階段，在160°C以上對氮化矽膜蝕刻5分鐘、對氧化矽膜蝕刻1小時，其刻蝕速度可以通過將各膜質蝕刻前後的厚度差除以以分鐘爲單位的刻蝕時間來計算。

根據本發明的一方面，提供一種對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，包括：無機酸；由以下化學式2表示的矽基化合物；以及水。

[化學式2]

根據一實施例，在所述化學式2中，當n爲2以上的整數時，L可以分別相同或不同。

根據一實施例，在所述化學式2中，當n爲2以上的整數時， R₁ 可以分別相同或不同。

根據一實施例，由所述化學式2表示的矽基化合物可以通過烷氧基的矽烷（Silane）、硫（Sulfur）或過氧化物（peroxide）材料的合成來製備。

根據本發明的對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，通過將由所述化學式2表示的矽基化合物包括於選擇比主調節劑，可以最大限度地提高氧化矽膜的鈍化（passivation）性能。

另外，即使添加少量的由所述化學式2表示的矽基化合物，也可以實現對氧化矽膜的氮化矽膜的高選擇比，使選擇比調節劑的添加量减少到1重量百分比，較佳爲0.1重量百分比以下，並通過調整添加量，可以自由控制氧化矽膜的蝕刻速度。

根據一實施例，在所述化學式2中，L可以是具有1至10個碳原子的亞烴基或具有4至8個碳原子的亞環烷基；R₁ 可以是氫、羥基或具有1至6個碳原子的烷基；R₂ 可以是羥基、具有1至6個碳原子的醇或具有1至6個碳原子的烷氧基；n可以是1至5的整數。

根據一實施例，在所述化學式2中，L可以是具有1至5個碳原子的亞烴基；R₁ 可以是氫或具有1至6個碳原子的烷基；R₂ 可以是羥基；n可以是1至3的整數。

根據一實施例，由所述化學式2表示的矽基化合物可以包括從由 3-（三羥基矽基）丙基氨基磺酸、甲基（3-（三羥基矽基）丙基）氨基磺酸、3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基磺酸、3-（3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基）丙基氨基磺酸及甲基（3-（甲基（3-（甲基(3-(三羥基矽基）丙基)氨基）丙基）氨基）丙基）氨基磺酸組成的群組中選擇的任一種。

根據一實施例，所述無機酸可以包括從由磷酸、焦磷酸、亞磷酸、偏磷酸、多磷酸、硫酸、亞硫酸、硝酸及亞硝酸組成的群組中選擇的至少任一種。

根據一實施例，所述無機酸可以較佳爲磷酸，所述磷酸可以與水或去離子水（DIW）混合使用。

根據一實施例，所述磷酸作爲强酸，若單獨使用，可能因其腐蝕特性而難以處理，但當與少量的去離子水混合並添加由所述化學式2表示的化合物來一起使用時，可以起到抑制産生矽顆粒的作用。

根據一實施例，所述無機酸可以是所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液的85重量百分比至90重量百分比。

當所述無機酸的含量小於85重量百分比時，蝕刻的效果可能微不足道，當超過90重量百分比時，由於過多添加强酸使氧化層過度腐蝕並導致矽顆粒的産生。

根據一實施例，在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，由所述化學式2表示的矽基化合物的含量可以是0.01重量百分比至3重量百分比。

較佳地，在所述化矽膜選擇比蝕刻液中，由所述化學式2表示的矽基化合物的含量可以是0.01重量百分比至1重量百分比；更較佳地，可以是0.01重量百分比至0.5重量百分比；甚至更較佳地，可以是0.01重量百分比至0.1重量百分比。

在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，當由所述化學式2表示的矽基化合物的含量小於0.01重量百分比時，提高選擇比的效果可能不顯著，且由於氧化層過度蝕刻導致氧化膜層的厚度變薄或變形，並可能將後處理及最終産品的品質劣化，還會使擋在氧化膜層的容量增加及擊穿電壓降低至極限。

另外，在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，當由所述化學式2表示的矽基化合物的含量超過3重量百分比時，無機酸與水的比例變得相對較低，從而降低氮化矽膜的蝕刻能力，並隨著氧化膜的蝕刻速度降低至適當值以下，會發生沉積現象而不是蝕刻氧化層，由此氧化矽膜部分可能會出現異常生長。

根據一實施例，所述無機酸可以是85重量百分比至90重量百分比，由所述化學式2表示的矽基化合物可以是0.01重量百分比至3重量百分比，並可以包括剩餘量的水。

根據一實施例，在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比可以是100∶1以上。

根據一實施例，在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比可以是100∶1至∞：1以上。

在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，當氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比小於100∶1時，由於氮化矽膜在半導體製造過程中沒有被充分蝕刻，從而可能降低可靠性並難以形成圖案。

根據一實施例，可以在160°C以上測量所述氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比，並且可以通過氮化矽膜5分鐘/氧化矽膜1小時的時間來測量蝕刻時間。

根據一實施例，在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，對氮化矽膜的蝕刻速度可以是400Å至500Å，對氧化矽膜的蝕刻速度可以是3Å以下。

根據一實施例，所述矽膜的蝕刻速度可以通過在160°C以上，氮化矽膜蝕刻5分鐘，氧化矽膜蝕刻1小時來測量。

根據一實施例，所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液在蝕刻過程中可以抑制顆粒的産生。

根據一實施例，在蝕刻過程中，所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液通過抑制矽濃度的增加，可以减少矽基化合物顆粒的産生及氧化膜表面的異常生長，具有優異的貯存穩定性和蝕刻穩定性。

根據本發明的另一方面，一種形成有氧化矽膜及氮化矽膜的基板的蝕刻方法包括以下步驟：在基板上形成氧化矽膜及氮化矽膜；以及通過使用對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，對形成有所述氧化矽膜及氮化矽膜的基板進行蝕刻，並且所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液是如前述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液。

根據本發明的又另一方面，提供一種製造半導體裝置的方法，包括通過使用前述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液執行的蝕刻過程。

以下，參照實施例及比較例對本發明進行具體說明。

然而，以下示例僅用於說明本發明，本發明的內容並非限定於下述實施例。

製備例1：用於半導體的高選擇比蝕刻液的製備

將矽烷基調節劑濃縮並溶解於無機酸（磷酸）中，並將硫（Sulfur）基助劑濃縮並溶解於另一無機酸（磷酸）中。

將濃縮並溶解所述矽烷基調節劑而得出的溶液，及在另一無機酸（膦酸）濃縮並溶解硫（Sulfur）基助劑而得出的溶液，以一定的比例混合，對矽烷基調節劑與硫（Sulfur）基助劑進行反應，從而製備用於半導體的高選擇比蝕刻液。

此時，相對於總蝕刻液，膦酸占85重量百分比至90重量百分比，矽烷基調節劑占0.05重量百分比至1重量百分比，硫（Sulfur）基助劑0.05重量百分比至1重量百分比，此外，去離子水占8重量百分比至14.9重量百分比。

作爲所述添加的矽烷基調節劑，使用了三乙氧基甲基矽烷（Triethoxymethylsilane）、三乙氧基乙基矽烷（Triethoxyethylsilane）、3-氨丙基三乙氧基矽烷（3-Aminopropyl Triethoxysilane）、3-氨丙基（二乙氧基）甲基矽烷（3-Aminopropyl(diethoxy)methylsilane）或雙[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]（Bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]amine），

作爲所述添加的硫（Sulfur）基助劑，使用了硫酸銨（Ammonium sulfate）、亞硫酸氫銨（Ammonium bisulfite）、氫硫化銨（Ammonium hydrosulfite）、偏重亞硫酸銨（Ammonium metabisulfite）、亞硫酸銨（Ammonium Sulfite）或過硫酸銨（Ammonium persulfate）。

製備例2：3-（三羥基矽基）丙基氨基磺酸（3-(trihydroxysilyl)propylsulfamic acid）的製備

在裝有冷却管和攪拌器的四頸燒瓶中，加入36份重量比爲1:1的去離子水和乙醇溶液，在兩個滴液漏斗中各加入8份重量的氨基矽烷和40份重量的硫銨化合物後，在80℃下滴液約3小時並進行矽氫化反應（Hydrosilylation）,從而獲得標題的化合物。

此時，氨基矽烷可以從雙（3-三乙氧基矽-丙基）胺(Bis(3-triethoxysilyl-propyl) amine)、雙（3-三甲氧基矽-丙基）胺 (Bis(3-trimethoxysilyl-propyl) amine)、3-氨丙基-甲基二乙氧基矽烷(3-aminopropyl-methyldiethoxysilane)、3-氨丙基-乙氧基矽烷(3-aminopropyltri-ethoxysilane)、3-氨丙基-甲氧基矽烷(3-aminopropyltri-methoxysilane)、三氨基功能-丙基三甲氧基-矽烷 (triamino-functional propyltrimethoxy-silane)、二乙胺基甲基三乙氧基矽烷 (diethylaminomethyltriethoxysilane)、3-脲丙基三乙氧基矽烷(3-ureidopropyltriethoxysilane)、氨乙基3氨丙基三甲氧基矽烷 (aminoethylaminopropyltrimethoxysilane)、氨基乙基氨基丙基甲基二甲氧基矽烷(aminoethylaminopropylmethyldimethoxysilane)、四丁酮肟基矽烷(Tetra(methylethylketoxime)silane)及四(甲基异丁酮肟基)矽烷(Tetra (methylisobutylketoxime) silane)中使用一個或以上。

另外，硫銨化合物可以從亞硫酸氫銨（Ammonium bisulfite）、亞硫酸銨（Ammonium Sulfite）、氫硫化銨（Ammonium hydrosulfite）、偏重亞硫酸銨（Ammonium metabisulfite）及過硫酸銨（Ammonium persulfate）中使用一個。

製備例3：甲基（3-（三羥基矽基）丙基）氨基磺酸（methyl(3-(trihydroxysilyl)propyl)sulfamic acid）的製備

使用類似於所述製備例2的方法，製備了製備例3的化合物。

製備例4：3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基磺酸（3-(3-(trihydroxysilyl)propylamino)propylsulfamic acid）的製備

使用類似於所述製備例2的方法，製備了製備例4的化合物。

製備例5：3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基磺酸（3-(3-(trihydroxysilyl)propylamino)propylsulfamic acid）的製備

使用類似於所述製備例2的方法，製備了製備例5的化合物。

製備例6：3-（3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基）丙基氨基磺酸（3-（3-(3-(trihydroxysilyl)propylamino)propylamino)propylsulfamic acid）的製備

使用類似於所述製備例2的方法，製備了製備例6的化合物。

製備例7 甲基（3-甲基（3-甲基（3（三羥基矽基）丙基）氨基）丙基）氨基）丙基）氨基磺酸(methyl(3-(methyl(3-(methyl(3-(trihydroxysilyl)propyl)amino)propyl)amino)propyl)sulfamic acid)的製備

使用類似於所述製備例2的方法，製備了製備例7的化合物。

實施例1：用於半導體的高選擇比蝕刻液溶液中的矽濃度的測量

在根據所述製備例1製備的用於半導體的高選擇比蝕刻液溶液中，使矽烷基調節劑的類型或含量各不相同，使硫（Sulfur）基助劑的類型或容量各不相同，並混合或單獨使用矽烷基調節劑，從而測量矽濃度。

測量結果如下表1所示。表1

實施例2 與使用用於半導體的高選擇比蝕刻液的氧化矽膜對比的氮化矽膜的選擇比的測量

使用根據製備例1來製備的用於半導體的高選擇比蝕刻液，分別測量對氮化矽膜的蝕刻速度以及對氧化矽膜的蝕刻速度，然後計算其選擇比。

此時，在163℃的條件下對每個膜質進行蝕刻，氮化矽膜蝕刻5分鐘，氧化膜蝕刻1小時。刻蝕速度的計算方法是將各膜質蝕刻前後的厚度差，除以以分鐘爲單位的蝕刻時間來計算。

在測量膜質厚度時，使用了反射計（Reflectometer）（Filmetrics F20）。

測量結果如下表2所示。表2

參照所述表2，通過添加硫（Sulfur）基助劑，可以將矽烷基調節劑的氧化矽膜鈍化性能最大化，由此可知氮化矽膜與氧化膜的選擇比可以達到2000∶1以上，並可以將作爲選擇比調節劑的矽烷基調節劑的添加量减少到1%以下。

實施例3

使用所述製備的製備例2至製備例7的化合物，並通過以下表3所示的組成比例混合後，在常溫以700rpm的速度攪拌10分鐘來製備氮化矽膜蝕刻液。水的含量爲剩餘量，以蝕刻液的總重量爲100%。表3

比較例

作爲矽基化合物，使用3-氨丙基三乙氧基矽烷（APTES）、3-[2-（2-氨基乙基胺基）乙胺基]丙基三甲氧基矽烷（TAMS），並通過以下表4所示的組成比例混合後，以與實施例1相同的方式製備了氮化矽膜蝕刻液。表4

試驗例4

使用根據所述實施例及比較例來製備的氮化矽膜蝕刻液，分別測量對氮化矽膜的蝕刻速度以及對氧化矽膜的蝕刻速度，然後計算其選擇比。

此時，在160℃的條件下對每個膜質進行蝕刻，氮化矽膜蝕刻5分鐘，氧化膜蝕刻1小時。刻蝕速度的計算方法是將各膜質蝕刻前後的厚度差，除以以分鐘爲單位的蝕刻時間來計算。在測量膜質厚度時，使用了反射計（Reflectometer）（Filmetrics F20）。

測量結果如下表5所示。表5

參照所述表5，雖然實施例和比較例的氮化膜的蝕刻速度相似，但可以看出在實施例中的氧化膜的蝕刻速度明顯降低。

由此可以看出，在實施例的蝕刻液中，可以實現氮化矽膜相對氧化矽膜的高選擇比。

此外，在使用實施例的所有情况下都沒有産生顆粒，由此可以確認能對半導體裝置中的異常生長起到抑制作用。

圖1爲顯示通過使用實施例2的蝕刻液來蝕刻膜表面的FE-SEM圖。

圖2爲顯示通過使用比較例2的蝕刻液來蝕刻膜表面的FE-SEM圖。

參照圖1及圖2，可以確認，當使用實施例2的蝕刻液時，膜表面上沒有産生顆粒，但當使用比較例2的蝕刻液時，膜表面産生大量的顆粒。

以上，通過有限的實施例與附圖對實施例進行了說明，本領域的普通技術人員能够對上述記載進行多種修改與變形。例如，所說明的技術以與所說明的方法不同的順序執行，和/或所說明的構成要素以與所說明的方法不同的形態結合或組合，或者，由其他構成要素或等同物進行替換或置換也能够獲得相同的效果。由此，其他體現、其他實施例及申請專利範圍的均等物全部屬專利申請專利的範圍。

無

圖1爲顯示通過使用實施例2的蝕刻液來蝕刻膜表面的FE-SEM圖。圖2爲顯示通過使用比較例2的蝕刻液來蝕刻膜表面的FE-SEM圖。

Claims

一種用於半導體的高選擇比蝕刻液，包括：無機酸；矽烷基調節劑；以及硫基助劑。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中所述矽烷基調節劑包括1至3個碳原子的烷基或氨基。
如申請專利範圍第2項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中所述矽烷基調節劑包括1至3個烷基。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中所述矽烷基調節劑包括1至6個烷氧基，及所述烷氧基是甲氧基或乙氧基。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中所述矽烷基調節劑包括從由3-氨丙基（二乙氧基）甲基矽烷、3-(2-氨基乙胺基)丙基三乙氧基矽烷、3-氨丙基甲基二甲氧基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、二乙氧基二苯基矽烷、(3-氨丙基)三乙氧基矽烷、(3-縮水甘油醚氧基丙基)三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基矽烷、 3-氨丙基三甲氧基矽烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、正癸基三乙氧基矽烷、正十二烷基三乙氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、(3-巰丙基)三乙氧基矽烷、三乙氧基乙基矽烷、三乙氧基(异丁基)矽烷、三乙氧基甲基矽烷、三乙氧基苯基矽烷、三乙氧基(丙基)矽烷、三甲氧基(甲基)矽烷、雙-[3-(三乙氧基矽)丙基]-四硫化物、雙[3-(三乙氧基矽)丙基]胺、1,2-雙(三乙氧基矽基)乙烷、1,2-雙(三甲氧基矽基)乙烷及雙[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]胺組成的群組中選擇的至少任一種，及所述矽烷基調節劑是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的0.01重量百分比至1重量百分比。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中所述硫基助劑是從由硫酸鹽、硫酸氫鹽、過硫酸鹽、亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、次硫酸鹽、連二亞硫酸鹽、偏亞硫酸氫鹽、硫代硫酸鹽、二氧化硫、三氧化硫及亞硫酸組成的群組中選擇的包括至少一種鹽的硫基化合物，所述硫基助劑包括從由硫酸銨、亞硫酸氫銨、氫硫化銨、偏重亞硫酸銨、亞硫酸銨及過硫酸銨組成的群組中選擇的至少任一種，及所述硫基助劑是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的0.05重量百分比至5重量百分比。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中所述無機酸包括從由磷酸、焦磷酸、亞磷酸、偏磷酸、多磷酸、硫酸、亞硫酸、硝酸及亞硝酸組成的群組中選擇的至少任一種，及所述無機酸是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的85重量百分比至90重量百分比。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中根據以下式1，矽濃度是所述用於半導體的高選擇比蝕刻液的50ppm至1500ppm： [式1]
10⁶ 。
如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液，其中氮化矽膜對氧化矽膜的蝕刻選擇比爲80:1至8000:1。
一種對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，包括：無機酸；由以下化學式2表示的矽基化合物；以及水： [化學式2]
，在所述化學式2中，L是單鍵、具有1至10個碳原子的亞烴基或具有4至8個碳原子的亞環烷基，R₁ 是氫、羥基、具有1至10個碳原子的烷基或具有1至10個碳原子的烷氧基，R₂ 是羥基、具有1至10個碳原子的醇或具有1至10個碳原子的烷氧基，及n是1至10的整數。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中L是具有1至10個碳原子的亞烴基或具有4至8個碳原子的亞環烷基，R₁ 是氫、羥基或具有1至6個碳原子的烷基，R₂ 是羥基、具有1至6個碳原子的醇或具有1至6個碳原子的烷氧基，及n是1至5的整數。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中L是具有1至5個碳原子的亞烴基，R₁ 是氫或具有1至6個碳原子的烷基，R₂ 是羥基，及n是1至3的整數。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中由所述化學式2表示的矽基化合物包括從由 3-（三羥基矽基）丙基氨基磺酸、甲基（3-（三羥基矽基）丙基）氨基磺酸、3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基磺酸、3-（3-（3-（三羥基矽基）丙基氨基）丙基氨基）丙基氨基磺酸及甲基（3-（甲基（3-（甲基(3-(三羥基矽基）丙基)氨基）丙基）氨基）丙基）氨基磺酸組成的群組中選擇的任一種。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中所述無機酸包括從由磷酸、焦磷酸、亞磷酸、偏磷酸、多磷酸、硫酸、亞硫酸、硝酸及亞硝酸組成的群組中選擇的至少任一種，及所述無機酸是所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液的85重量百分比至90重量百分比。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中在所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液中，由所述化學式2表示的矽基化合物的含量爲0.01重量百分比至3重量百分比。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液對氮化矽膜及氧化矽膜的蝕刻選擇比爲100∶1以上。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液對氮化矽膜的蝕刻速度爲400Å至500Å，對氧化矽膜的蝕刻速度爲3Å以下。
如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，其中在蝕刻過程中，所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液抑制顆粒的産生。
一種製造半導體裝置的方法，包括以下步驟：在基板上形成氧化矽膜及氮化矽膜；以及通過使用對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液，對形成有所述氧化矽膜及氮化矽膜的基板進行蝕刻，其中所述對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液是如申請專利範圍第1項所述之用於半導體的高選擇比蝕刻液或如申請專利範圍第10項所述之對氮化矽膜具選擇性的蝕刻液。