TW202021030A - 熱隔離之晶圓支撐裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於支撐晶圓的盤體，具有用於承載該晶圓的一頂部及用於接合一支撐座的一底部。該盤體包含，複數個加熱單元埋於該盤體，及至少一溝槽集合形成於該盤體的頂部和底部之間且介於兩個相鄰加熱單元之間的一徑向位置，藉此加強該等加熱區域的熱隔離。

Description

熱隔離之晶圓支撐裝置及其製造方法
本發明是關於一種晶圓支撐裝置及其製造方法，尤其是關於一種具備熱隔離改善之晶圓支撐裝置及其製造方法。
在傳統半導體處理設備中，反應腔體內的晶圓支撐裝置是用以支撐一晶圓於腔體中進行各種處理，如蝕刻。通常在處理晶圓的過程中，需要控制晶圓的溫度。基於此目的，晶圓支撐裝置被設計成具有溫度控制機制的加熱裝置，其在各種處理的應用中精確地控制晶圓的溫度。一般晶圓加熱裝置包含由陶瓷或金屬構成的一盤體及密封在盤體中的加熱組件，如加熱線圈。更具體地，加熱托架還可進一步包含溫度感測器、控制器及其他電子元件等。
加熱裝置在各種的晶圓處理中扮演重要的角色，像是化學氣相沉積（CVD），電漿化學沉積（PECVD）、光學微影、蝕刻及清潔等。這是因為操作溫度為控制化學反應的過程。反應氣體與晶圓表面的物質產生化學反應而形成導電薄膜或絕緣層，而欲在整體晶圓上得到均勻厚度且高品質的薄膜，熱控制為處理過程中的關鍵因素之一。
專利申請文獻（公佈號：CN101807515A）揭示一種多區域加熱的加熱裝置，其包含具有多個電阻式加熱元件的盤體，每一個加熱元件經配置以釋出特定範圍的熱量，且加熱組件的形狀對應盤面上的一加熱區域。藉由控制每一加熱元件的線寬及提供給每一加熱元件的功率，盤面的溫度可趨向一致。熱的擴散是隨著溫度梯度的分佈而變化，因此對於有多個加熱元件的操作在不同程度的加熱過程中可能無法控制熱在盤體中的傳遞方向，尤其是橫向方向的傳遞。此可能會影響晶圓座加熱的時間及晶圓座的溫度分佈。
因此，有必要提供一種具備熱隔離改善之晶圓支撐裝置，以滿足前述晶圓溫度的控制。
本發明目的在於提供一種晶圓支撐裝置，具有一盤體及一支撐座，該盤體具有用於承載一晶圓的一頂部及用於接合該支撐座的一底部。該盤體包含：複數個加熱單元，埋於該盤體的頂部和底部之間，該等加熱單元分佈於該盤體的不同徑向區域以定義該盤體具有複數個加熱區域；及至少一溝槽集合，形成於該盤體的頂部和底部之間且介於兩個相鄰加熱單元之間的一徑向位置，藉此加強該等加熱區域的熱隔離。
前述“徑向”是指從盤體上的一中心點向盤體邊緣延伸的一距離。基本上，圓形的盤體具有一中心點，盤面上的任一位置均可以用徑向的觀點來說明。
在一具體實施例中，該至少一溝槽集合包含自該底部向內延伸的至少一溝槽。
在一具體實施例中，該至少一溝槽集合包含密封於該盤體中且於該頂部和該底部之間延伸的一溝槽。
在一具體實施例中，該至少一溝槽集合包含一第一溝槽及一對第二溝槽，該第一溝槽密封於該盤體中且於該頂部和該底部之間延伸，該對第二溝槽自該底部向內延伸，該第一溝槽分佈於該對第二溝槽之間。
在一具體實施例中，該盤體還包含：一電極，分佈於該盤體的頂部及該至少一溝槽集合之間。
本發明還提供一種晶圓支撐裝置的製造方法，包含：提供複數個層結構；執行一衝壓處理，使該等層結構的一部分的每一者形成至少一縫隙圖案；執行一金屬處理，使該等層結構的一部分的每一者形成至少一金屬圖案；執行一堆疊處理，將該等層結構依序堆疊，其中該等層結構的縫隙圖案彼此相對應，藉此經堆疊的該等層結構形成所述晶圓支撐裝置的一盤體，其中該盤體具有相應於該至少一縫隙圖案的至少一溝槽集合。 在一具體實施例中，該至少一縫隙圖案是由一縫隙定義的一弧形圖案。
在一具體實施例中，該等層結構的一第一部分的每一者形成有三個縫隙圖案，而該等層結構的一第二部分的每一者形成有兩個縫隙圖案。
在以下多個示例具體實施例的詳細敘述中，對該等隨附圖式進行參考，該等圖式形成本發明之一部分。且係以範例說明的方式顯示，藉由該範例可實作該等所敘述之具體實施例。提供足夠的細節以使該領域技術人員能夠實作該等所述具體實施例，而要瞭解到在不背離其精神或範圍下，也可以使用其他具體實施例，並可以進行其他改變。此外，雖然可以如此，但對於「一具體實施例」的參照並不需要屬於該相同或單數的具體實施例。因此，以下詳細敘述並不具有限制的想法，而該等敘述具體實施例的範圍係僅由該等附加申請專利範圍所定義。
在整體申請書與申請專利範圍中，除非在上下文中另外明確說明，否則以下用詞係具有與此明確相關聯的意義。當在此使用時，除非另外明確說明，否則該用詞「或」係為一種包含的「或」用法，並與該用詞「及/或」等價。除非在上下文中另外明確說明，否則該用詞「根據」並非排他，並允許根據於並未敘述的多數其他因數。此外，在整體申請書中，「一」、「一個」與「該」的意義包含複數的參照。「在…中」的意義包含「在…中」與「在…上」。
以下簡短提供該等創新主題的簡要總結，以提供對某些態樣的一基本瞭解。並不預期此簡短敘述做為一完整的概述。不預期此簡短敘述用於辨識主要或關鍵元件，或用於描繪或是限縮該範圍。其目的只是以簡要形式呈現某些概念，以做為稍後呈現之該更詳細敘述的序曲。
第一圖顯示本發明晶圓支撐裝置（1）的立體圖，第二圖則為第一圖的一縱向剖面。晶圓支撐裝置（1）用於處理腔體中（未顯示）支撐晶圓以進行各種處理（清潔、蝕刻、沉積），包含一盤體（2）及一支撐座（3）。盤體（2）具有一頂部（21）及一底部（22），其中頂部（21）具有一實質上平坦的承載面用以支撐晶圓，而該承載面又提供有複數個升降桿（23）用以將晶圓自承載面抬起，底部（22）與支撐座（3）的一端連接，且底部（22）的另一端延伸至處理腔體的底部甚至穿出腔體。
支撐座（3）基本上為一圓柱體，其引導複數條電線（31）連接至盤體（2）的各種電子單元，如加熱單元（24）、盤面溫度感應單元（未顯示）及用於電漿處理的下電極（未顯示）等。因此，所述電線（31）可包含用於主要提供電力的電力線、主要接收感測訊號的訊號線及連接一電位或者接地的接地線。前述加熱單元（24）、溫度感應單元及電極主要埋設於盤體（2）中且彼此以適當的距離隔開，其中加熱單元（24）主要是以圖案化的線圈所形成。
第一圖顯示盤體（2）的承載面在不同的徑向區域中劃分為第一加熱區域（201）、第二加熱區域（202）及第三加熱區域（203），這些加熱區域是由盤體（2）的各加熱單元（24）的分佈所決定。因此，這些加熱區域主要針對晶圓的對應區域進行加熱。這些加熱單元（24）包含相互獨立的第一加熱單元、第二加熱單元及第三加熱單元，且具有各自的溫度感測單元，藉此這些加熱區域能各自控制晶圓的溫度。本領域技術者應瞭解，除了例示的實施例，其他加熱區域的安排也是可能的。
第二圖顯示盤體（2）在不同徑向位置上形成有複數個溝槽集合（25），且各溝槽集合（25）分佈於兩個相鄰的加熱單元（24）之間，藉此提升相鄰加熱單元/區域的橫向熱隔離。基本上，溝槽集合（25）在兩相鄰加熱單元（24）之間的空間延伸，因此溝槽集合（25）與加熱單元（24）為同心。溝槽集合（25）可以是不連續的，如溝槽集合（25）在延伸方向上遇到其他元件的情況，像是升降桿（23）或導線（未顯示）。
第三圖為盤體（2）的局部剖面圖，以清楚顯示溝槽集合（25）的細節。溝槽集合（25）具有至少一溝槽，形成於盤體（2）的頂部（21）和底部（22）之間且介於兩相鄰加熱單元（24）之間。此外，一電極（26）分佈於承載面及溝槽集合（25）之間，作為電漿處理的下電極。如圖示，該溝槽集合（25）由三個溝槽組成，一第一溝槽（252）及一對第二溝槽（251）。第一溝槽（252）密封於盤體（2）中，第二溝槽（251）自盤體（2）底部（22）向內延伸一深度，且第一溝槽（252）介於該對第二溝槽（251）之間。藉由第一和第二溝槽（251、252），相鄰的內外加熱單元（24）至少分開一距離，使得兩邊的熱的橫向傳遞路徑增加且溝槽中的空氣使熱傳遞減緩，甚至當處理腔體抽氣後第二溝槽（251）內幾乎無氣體，使得熱的橫向傳遞大幅降低。因此，前述加熱區域的溫度可更為精確。在其他實施例中，更多或更少數量的第一溝槽或第二溝槽或其組合均可行。例如，溝槽集合為一或多個第一溝槽的組合，或者，一或多個第二溝槽的組合。非限制性地，前述溝槽的寬度為小於10mm，如5mm。
本發明晶圓支撐裝置主要是根據多層陶瓷技術製作。第四圖為盤體（2）的堆疊示意圖。第五圖為該盤體（2）的製做流程方塊圖，包含步驟S500至S503。
在步驟S500，備製及提供複數個層結構。首先，使用已知方法備製一漿體（slurry），包含混合陶瓷、玻璃粉末及微量的溶劑和接合劑成均勻的漿體。接著，執行鑄造處理（casting），將該漿體成形為尺寸一致的複數個層結構，即稱生板或綠板（green sheet），結束步驟S500。
在步驟S501，對這些層結構進行沖壓處理，包含將部分層結構裁切成圓盤形、形成多個穿孔和槽以及形成至少一縫隙圖案，使該等部分層結構具有一致的穿孔及縫隙圖案。以第二圖的溝槽為例，所述縫隙圖案為弧形。結束步驟S501。
在步驟S502，對這些層結構進行金屬處理，包含於前述穿孔形成導孔（vias）以及於前述槽形成導線，藉此在層結構中形成垂直及橫向的導電路徑。例如，可填入銅金屬形成導孔和導線，以及填入鎢形成加熱單元的線圈。所述金屬處理可使用電鍍處理、印刷處理及/或沉積處理。此外縫隙圖案的縫隙保留。藉此，該等層結構的每一者可以有不同或相似的金屬配置。結束步驟S502。
在步驟S503，對該等層結構進行堆疊處理，包含將該等層結構依序堆疊，使該等層結構的縫隙圖案彼此相對應，經堆疊的該等層結構形成晶圓支撐裝置的盤體。如第四圖所示，盤體由複數個層結構堆疊而成，包括頂部的層結構（401）、中間的層結構（402）及底部的層結構（403）。頂部的層結構（401）為較完整的層，頂多僅有升降桿的穿孔。頂部的層結構（401）包含前述電極層（26）。中間的層結構（402）的縫隙圖案經堆疊而形成三個垂直延伸的溝槽，如前揭第一和第二溝槽（251、252）。中間的層結構（402）的其中一或多個包括多個前揭加熱單元（24），其經由所述溝槽隔開一距離。底部的層結構（403）具有對應的兩個縫隙圖案，其經堆疊後將中間層結構（402）的其中一溝槽密封，形成一密封的溝槽（252）和一對開口朝下的溝槽（251）。因此，密封溝槽（252）的氣體無法與腔體中的氣體對流，反之未密封的溝槽（251）能產生對流。這可能的實施例中，前述溝槽可填入已知的熱絕緣物質，藉此兼顧盤體的結構強度及熱絕緣效果。所述堆疊處理包含熱壓處理，使堆疊物體為實心。最後最外側的層結構可進一步給予表面處理，以保護盤體（20）避免化學侵蝕。儘管顯示，底部的層結構（403）還形成有連接前述支撐座（3）的連接機構，包含機械連接器及電連接器。
綜上所述，本發明提供的晶圓支撐裝置具有形成特殊溝槽集合之盤體，對於講求精確且平均的晶圓加熱處理而言，盤體的內外加熱區域可經由獨立控制而提供更均勻的溫度分佈於晶圓承載面，有助於晶圓的反應處理。
以上內容提供該等敘述具體實施例之組合的製造與使用的完整描述。因為在不背離此敘述精神與範圍下可以產生許多具體實施例，因此這些具體實施例將存在於以下所附加之該等申請專利範圍之中。
1:晶圓支撐裝置201:第一加熱區域 2:盤體202:第二加熱區域 21:頂部203:第三加熱區域 22:底部3:支撐座 23:升降桿31:電線 24:加熱單元401:頂部的層結構 25:溝槽集合402:中間的層結構 26:電極403:底部的層結構 251:第二溝槽S500至S503:步驟 252:第一溝槽
參考下列實施方式描述及圖式，將會更清楚瞭解到本發明的前述和其他特色及優點。
第一圖顯示本發明晶圓支撐裝置的立體圖。
第二圖顯示第一圖的剖面圖。
第三圖顯示本發明晶圓支撐裝置的局部剖面圖。
第四圖顯示本發明晶圓支撐裝置之盤體的堆疊示意圖。
第五圖顯示本發明晶圓支撐裝置的製造方塊流程圖。
21:頂部
22:底部
24:加熱單元
26:電極
25:溝槽集合
251:第二溝槽
252:第一溝槽

Claims (8)

  1. 一種晶圓支撐裝置，具有一盤體及一支撐座，該盤體具有用於承載一晶圓的一頂部及用於接合該支撐座的一底部，該盤體包含： 複數個加熱單元，埋於該盤體的頂部和底部之間，該等加熱單元分佈於該盤體的不同徑向區域以定義該盤體具有複數個加熱區域；及 至少一溝槽集合，形成於該盤體的頂部和底部之間且介於兩個相鄰加熱單元之間的一徑向位置，藉此加強該等加熱區域的熱隔離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓支撐裝置，其中該至少一溝槽集合包含自該底部向內延伸的至少一溝槽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓支撐裝置，其中該至少一溝槽集合包含密封於該盤體中且於該頂部和該底部之間延伸的一溝槽。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓支撐裝置，其中該至少一溝槽集合包含一第一溝槽及一對第二溝槽，該第一溝槽密封於該盤體中且於該頂部和該底部之間延伸，該對第二溝槽自該底部向內延伸，該第一溝槽分佈於該對第二溝槽之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓支撐裝置，其中該盤體還包含：一電極，分佈於該盤體的頂部及該至少一溝槽集合之間。
  6. 一種晶圓支撐裝置的製造方法，包含： 提供複數個層結構； 執行一衝壓處理，使該等層結構的一部分的每一個形成至少一縫隙圖案； 執行一金屬處理，使該等層結構的一部分的每一者形成至少一金屬圖案；及 執行一堆疊處理，將該等層結構依序堆疊，其中該等層結構的縫隙圖案彼此相對應，藉此經堆疊的該等層結構形成所述晶圓支撐裝置的一盤體，其中該盤體具有相應於該至少一縫隙圖案的至少一溝槽集合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓支撐裝置的製造方法，其中該至少一縫隙圖案是由一縫隙定義的一弧形圖案。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓支撐裝置的製造方法，其中該等層結構的一第一部分的每一者形成有三個縫隙圖案，而該等層結構的一第二部分的每一者形成有兩個縫隙圖案。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117393474B (zh) * 2023-12-11 2024-02-13 上海谙邦半导体设备有限公司 一种晶圆多区加热装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5207437A (en) * 1991-10-29 1993-05-04 International Business Machines Corporation Ceramic electrostatic wafer chuck
US6267839B1 (en) * 1999-01-12 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved RF power distribution
US6423949B1 (en) 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
US20030089457A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
JP3921234B2 (ja) * 2002-02-28 2007-05-30 キヤノンアネルバ株式会社 表面処理装置及びその製造方法
JP2007043042A (ja) * 2005-07-07 2007-02-15 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置
KR100993466B1 (ko) * 2006-01-31 2010-11-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 플라즈마에 노출되는 부재
JP5025576B2 (ja) * 2008-06-13 2012-09-12 新光電気工業株式会社 静電チャック及び基板温調固定装置
CN102468208B (zh) * 2010-11-16 2015-07-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡盘和半导体处理装置
WO2013033315A2 (en) * 2011-09-01 2013-03-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with thermal features
KR102226887B1 (ko) * 2012-02-29 2021-03-12 오아시스 머티리얼 코포레이션 천이 액체상, 알루미늄 질화물 부품의 무가압 연결
US8941969B2 (en) * 2012-12-21 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Single-body electrostatic chuck
US10557190B2 (en) * 2013-01-24 2020-02-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and susceptor
US9666466B2 (en) * 2013-05-07 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk
US9691645B2 (en) * 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US20170051402A1 (en) * 2015-08-17 2017-02-23 Asm Ip Holding B.V. Susceptor and substrate processing apparatus
CN108682635B (zh) * 2018-05-03 2021-08-06 拓荆科技股份有限公司 具有加热机制的晶圆座及包含该晶圆座的反应腔体

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