TW202016354A - 用於從腔室排出氣體之設備及方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供用於從一腔室泵送氣體的設備及方法。在一範例中，揭露一種用於從一化學氣相沉積腔室排出氣體的設備。此設備包括：一殼體以及一塗層。殼體包括一內表面及與化學氣相沉積腔室流體連通的至少一入口。塗層在內表面上。塗層配置以使內表面為疏水性。

Description

用於從腔室排出氣體之設備及方法
本揭露實施例係有關於一種用於從腔室排出氣體之設備及方法。
半導體積體電路晶圓藉由複數個製造製程生產，製程可包括例如熱氧化、擴散、離子佈植(ion implantation)、快速熱處理(rapid thermal processing，RTP)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、物理氣相沉積(chemical vapor deposition，PVD)、磊晶(epitaxy)、蝕刻、微影等。作為典型的製造製程(例如化學氣相沉積製程)的一部分，所選擇的氣體輸入到用於在基板上形成薄膜的反應腔室。這種薄膜不僅沉積在基板上，還沉積在反應腔室的牆及其它暴露表面上。然後將氣體泵出反應腔室進入泵送裝置，例如真空泵。但是因為只有一小部分輸入到腔室中的氣體實際上是在沉積過程中消耗，從腔室泵出的氣體包含仍處於高反應狀態的化合物及/或含有可在泵中形成沉積物的殘留物或顆粒物質。這些沉積物會隨著時間而堵塞泵及連接到其上的泵送管線、干擾真空泵的正常操作、並縮短泵的使用壽命。另外，沉積的材料可能移動回到腔室中並污染晶圓處理，從而降低晶圓產率並引起提早預防維護。
用於解決堵塞問題的現有技術包括週期性地檢修並清潔泵以消除沉積物，例如使用熱水及超音波振動。這種清潔需要關閉晶圓處理系統，因此降低反應腔室的效率。沒有一種有效的解決方案來保持泵送裝置及泵送管線的清潔及無堵塞。
本揭露一些實施例提供一種用於從腔室排出氣體之設備，包括一殼體以及一塗層。殼體包括一內表面以及與一腔室流體連通之至少一入口。腔室為一化學氣相沉積腔室。塗層在內表面上，其中塗層配置以使內表面為疏水性。
本揭露一些實施例提供一種用於從腔室排出氣體之設備，包括一腔室以及一泵送裝置。腔室配置以用複數個處理氣體處理一晶圓。泵送裝置包括一殼體以及一塗層。殼體包括一內表面以及與腔室流體連通之至少一入口。塗層在內表面上，其中塗層配置以使內表面為疏水性。
本揭露一些實施例提供一種用於從腔室排出氣體之方法，包括將一泵送裝置之一內表面接觸含有疏水性的一第一塗層材料之一第一液體溶劑、乾燥第一液體溶劑，以在泵送裝置之內表面上形成一第一塗層、將一泵送管線之一內表面接觸含有疏水性的一第二塗層材料之一第二液體溶劑、乾燥第二液體溶劑，以在泵送管線之內表面上形成一第二塗層、以及將泵送裝置連接到一晶圓處理腔室，晶圓處理腔室藉由泵送管線與泵送裝置流體連通。
以下的揭露內容描述許多不同的示例性的實施例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
此外，本文中所使用的與空間相關用詞，例如“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的” 及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。設備可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。除非另有明確說明，如“附著”、“附加”、“連接”及“互連”之類的用詞指結構直接第或藉由中間結構間接地固定或彼此連接的關係，以及可移動的或剛性的附著或關係。
除非另有定義，本文使用的所有用詞(包括技術及科學用詞)具有與本揭露所屬的技術領域中具有通常知識者所一般理解的相同的含義。還應理解的是那些用語，例如在常用詞典中定義的用詞應被解釋為具有與相關領域及本揭露的背景或上下文一致的含義，而不應以理想化或者過於正式的方式解讀，除非在此明確定義。
現在將詳細參考本揭露的實施例，其範例繪示在附圖中。 盡可能地，在附圖和說明書中使用相同的參考符號表示相同或相似的部分。
在晶圓製造期間，由泵送裝置從反應腔室泵送出的氣體含有化合物及殘留物(例如，聚合物)，其可在泵送裝置中形成沉積物。舉例來說，例如蝕刻及化學氣相沉積(CVD)的晶圓製程可在泵送氣體中產生許多聚合物化合物及殘留物。典型的聚合物化合物及殘留物包括氟化物及氯化物，其在越來越多的聚合物沉積在泵送管線、泵送裝置的入口及/或出口中之後，可能導致泵送裝置堵塞。
為了避免這種沉積並防止沉積堵塞泵送裝置及連接到其上的泵送管線，本教導揭露在泵送裝置及/或泵送線路中添加疏水性塗層的設備及方法。這可避免聚合物沉積在泵送裝置上(其導致泵送速度下降及聚合物堵塞)，同時最小化或消除用來清潔堵塞物而必須將系統關閉或離線的時間。聚合物包含在泵送的處理氣體中或凝結成泵送的處理氣體中的水/液體微粒。許多聚合物是親水性的或具有可附著於水/液體微粒的親水性末端。疏水性塗層將排斥含有殘留物的水，使其不停留在泵送裝置或泵送管線的內表面上，使得在水微粒中的殘留物將藉由氣體被吹出泵送裝置。即使對於一些非親水性的化合物及殘留物，疏水性塗層也可使水微粒順暢地流過泵送裝置及泵送管線而不是黏附在內表面上，使得可用泵送氣體藉由水微粒將更多殘留物從泵送裝置及泵送管線中洗出。
在一實施例中，所揭露的用於從腔室泵送氣體的設備包括具有內表面的殼體及內表面上的塗層。殼體包括與腔室流體連通的至少一入口。塗層可使內表面為疏水性。舉例來說，塗層可使內表面具有大於預定閾值(例如105度或120度)的水接觸角。
根據本教導的各種實施例，塗層由液態材料所形成。可選擇材料而使得塗層不與從腔室泵出的氣體發生化學反應。塗層可具有小於預定閾值(例如1毫米或1微米)的厚度。在一範例中，氫氟醚(Hydrofluoroether，HFE)溶劑中的氟化聚合物可作為塗層的液態材料。根據本教導的各種實施例，所揭露的設備包括在殼體內部並由內表面圍繞的複數個渦輪葉片。內表面與複數個渦輪葉片之間具有間隙，使得複數個渦輪葉片在複數個渦輪葉片的泵送操作期間不會損壞塗層。在一實施例中，週期性地或在監測到警告訊號時(例如在偵測到塗層損壞或磨損時)重新形成塗層。
輸入泵送管線可將腔室流體連接到泵的入口，使得泵出腔室的氣體通過輸入泵送管線到泵中。在一實施例中，輸入泵送管線的內表面具有疏水性塗層，其可與泵中的塗層相同或不同。入口的內表面也可具有疏水性塗層，其可與泵中的塗層相同或不同。
輸出泵送管線可將泵的出口流體連接到洗滌器。在一實施例中，輸出泵送管線的內表面具有疏水性塗層，其可與泵中的塗層相同或不同。出口的內表面也可具有疏水性塗層，其可與泵中的塗層相同或不同。
第1圖繪示根據本揭露一些實施例的用於處理晶圓的示例性系統100的圖式。如第1圖所示，系統100包括反應腔室110、閥120、泵送裝置130、及洗滌器140。系統100還包括連接腔室110及閥120的排氣管線115、連接閥120及泵送裝置130的至少一輸入泵送管線125、及連接泵送裝置130及洗滌器140的輸出泵送管線135。泵送裝置130、至少一輸入泵送管線125及輸出泵送管線135可統稱為泵送系統。
腔室110可為用於處理半導體晶圓的腔室，例如化學氣相沉積腔室，其中氣體被引入到腔室110中，及電漿可由腔室110中的氣體所形成。藉由氣體去除機構(例如真空泵130)通過閥120而從腔室110中去除揮發性反應產物及未反應的電漿或氣體物質(gas species)。在異相(heterogeneous)或表面催化反應中，氣體或電漿在晶圓的表面上沉積固體薄膜。藉由調節從腔室110的內部到真空泵130的氣體流動，系統100的閥120可用於控制腔室110的內部壓力。
在晶圓被在腔室110中的氣體處理之後，在閥120的控制下，氣體被泵出腔室110通過排氣管線115到泵送裝置130中。在此範例中的泵送裝置130具有一或多個入口，每個入口在閥120的控制下通過對應的輸入泵送管線125而與腔室110流體連通。泵送裝置130還具有通過輸出泵送管線135而與洗滌器140流體連通的出口132。泵送裝置130通過至少一輸入泵送管線125從腔室110泵送氣體，並通過輸出泵送管線135排出氣體到洗滌器140。
泵出腔室110的氣體含有仍處於高反應性狀態的化合物及/或含有當氣體溫度下降到低於特定的閾值時可能形成沉積物的殘留物或顆粒物質。腔室110以及排氣管線115中的溫度通常足夠高以防止氣體溫度下降到低於顆粒或其他材料可從傳導氣體(conducted gas)中“凝結”的溫度。相較之下，位於閥120的下游的至少一輸入泵送管線125、泵送裝置130及輸出泵送管線135中的溫度通常不夠高到防止凝結/附著。
在此範例中的泵送裝置130具有形成在其內表面上的塗層。塗層使內表面為疏水性。水不會很好地潤濕疏水性表面，且傾向於在疏水性表面上“成珠(bead up)”。疏水性表面可被定義為具有與水滴的接觸角大於閾值(例如90度)的表面。疏水性材料包括許多眾所周知的市售聚合物，例如氧化錳聚苯乙烯(manganese oxide polystyrene，MnO2 /PS)奈米複合材料、氧化鋅聚苯乙烯(zinc oxide polystyrene，ZnO/PS)奈米複合材料、沉澱碳酸鈣、二氧化矽、含氟聚合物等。在一實施例中，可藉由將液態疏水性材料施加到泵送裝置130的內表面上，以形成塗層。在乾燥液態材料一段時間(例如，5分鐘或1小時，取決於不同的液態材料及周圍溫度)之後，塗層形成在泵送裝置130的內表面上。
由於塗層形成在泵送裝置130的內表面上，泵送裝置130的內表面具有會排斥從通過泵送裝置130的氣體中凝結的液滴的疏水效應。每個液滴可含有水及一些聚合物殘留物。也就是說，當化合物或聚合物從氣體中凝結成液滴到塗佈的內表面上時，其將在泵送裝置130的塗佈的內表面上產生大於閾值的接觸角。在一實施例中，閾值為90度。在較佳的實施例中，閾值為120度。
如此，大部分或全部的從氣體中凝結的液滴將被通過泵送裝置130的出口132排出的氣體吹出泵送裝置130，且不會沉積在泵送裝置130的塗佈的內表面上。根據各種實施例，泵送裝置130包括在泵送裝置130內且被塗佈的內表面圍繞的複數個渦輪葉片(未表示在第1圖中)。塗佈的內表面與複數個渦輪葉片之間具有間隙，使得複數個渦輪葉片在複數個渦輪葉片的泵送操作期間不會損壞塗層。塗層可具有小於閾值(例如1毫米)的厚度。
在一實施例中，塗層不與通過泵送裝置130的氣體發生化學反應，使得塗層在晶圓製造製程中不會被迅速腐蝕。在另一實施例中，週期性地或在監測到警告訊號時(例如在偵測到塗層損壞或磨損至剩下小於閾值的厚度時)修補或重新形成塗層。
在一實施例中，塗層也可形成在泵送裝置130的至少一入口的內表面上及/或在至少一輸入泵送管線125的內表面上。在另一實施例中，塗層也可形成在泵送裝置130的出口132的內表面上及/或在輸出泵送管線135的內表面上。泵送裝置130、至少一入口、至少一輸入泵送管線125、出口132及輸出泵送管線135中的塗層可彼此相同或不同。這些塗層可減少沉積在泵送系統上的聚合物，且因此避免由聚合物沉積引起的晶圓缺陷、提早預防維護及高成本。
在此範例中的洗滌器140藉由輸出泵送管線135流體連接到泵送裝置130的出口132。洗滌器140用於積累(accumulation)及處理(treatment)晶圓處理殘留物，例如蝕刻副產物。根據各種實施例，腔室110中的化學反應式可為例如SiO2 +2(CF4 ) → SiF4 +2CO、或2Al+3Cl2 → 2(AlCl3 )。也就是說，晶圓處理殘留物可包括氟化物及/或氯化物。
在一示例性實施例中，洗滌器140可包括使用水的濕式洗滌器。因此，洗滌器140可將泵送的氣體殘留物及其成分(constituents)與水組合，以產生可使用眾所皆知的廢棄物處理方法處理的各種含水物質。然後，可藉由洗滌器140凝結及去除殘留物及副產物。在一實施例中，還可在洗滌器140中形成疏水性塗層，以避免過多的聚合物沉積及過久的對應清潔時間。
第2圖繪示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置200。泵送裝置200可具有與第1圖中的泵送裝置130相同的結構。在此範例中的泵送裝置200包括具有頂部220的殼體210、頂部220上的至少一入口231、以及出口232。至少一入口231通過輸入泵送線與晶圓處理腔室流體連通。出口232可通過輸出泵送管線與洗滌器流體連通。泵送裝置200可通過至少一入口231從晶圓處理腔室泵送氣體，並通過出口232將氣體排出到洗滌器。
如上所討論的，泵出腔室的氣體包含仍處於高反應性狀態的化合物及/或含有當氣體溫度下降到低於一特定閾值時可能形成沉積物的殘留物或顆粒物質。為了防止在殼體210內形成沉積物，在此範例中的泵送裝置200具有形成在殼體210的內表面上的塗層。可藉由將液態疏水性材料添加到殼體210的內表面上，以形成塗層，而使塗佈的內表面為疏水性。如此，殼體210的塗佈的內表面具有排斥從通過殼體210的氣體中凝結的液滴的疏水效應。也就是說，當化合物或聚合物從氣體中凝結成液滴到塗佈的內表面時，其將在殼體210的塗佈的內表面上產生大於閾值的接觸角。在一範例中，接觸角大於105度。在另一範例中，接觸角大於120度。如此，大部分或全部的從氣體中凝結的液滴將藉由通過殼體210的出口232排出的氣體被吹出殼體210，且不會沉積在殼體210的塗佈的內表面上。
也可在至少一入口231的內表面上及/或出口232的內表面上形成類似的塗層。這些塗層可降低在泵送系統中使用的凝結的氣體的沉積，且因此避免由聚合物沉積引起的晶圓缺陷、提早預防維護及高成本。
第3圖表示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置200'的剖視圖。泵送裝置200'可具有與第2圖中的泵送裝置200及第1圖中的泵送裝置130相同的結構。如第3圖所示，在此範例中的泵送裝置200'包括具有出口232的殼體210。在殼體210內，泵送裝置200'包括在殼體210的內表面上的塗層312、中心柱340、及圍繞中心柱340的複數個渦輪葉片350。泵送裝置200'可使用複數個渦輪葉片350從晶圓處理腔室泵送氣體，並通過出口232排出氣體到洗滌器。
在此範例中，複數個渦輪葉片350中的每一個從中心柱340徑向佈置且基本上彼此平行，且與到殼體210的底表面平行。複數個渦輪葉片350配置以順時針方向或逆時針方向圍繞中心柱340旋轉。中心柱340可連接到馬達(未表示於第3圖中)。馬達可提供電力以順時針方向或逆時針方向一起旋轉複數個渦輪葉片350。馬達還可控制複數個渦輪葉片350的旋轉速度，以將氣體泵出腔室。每個渦輪葉片350的長度是足夠長以產生用於泵送氣體的良好泵送功率，但仍在渦輪葉片的另一端與殼體210的內表面上的塗層312之間留有間隙。如此，複數個渦輪葉片350不會在複數個渦輪葉片350的泵送操作期間損壞塗層312。塗層312使殼體210的內表面具有排斥從通過殼體210的氣體中凝結的液滴的疏水效應。如此，大部分或全部的從氣體中凝結的液滴將被通過出口232排出到洗滌器的氣體吹出殼體210，且不會沉積在殼體210的塗佈的內表面上。塗層可具有小於閾值(例如1毫米)的厚度，且可週期性地或在監測到警告訊號時(例如在偵測到塗層損壞或磨損至剩下小於閾值的厚度時)修補或重新形成塗層。這將增加泵送系統的使用壽命。根據各種實施例，塗層312可包括任何氟化物化學液體，例如在氫氟醚(Hydrofluoroether，HFE)溶劑中的氟化聚合物。
第4圖表示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置400的底部的立體圖。泵送裝置400可具有與第1圖到第3圖中所示的泵送裝置相同的結構。如第4圖所示，本範例中的泵送裝置400的底部包括具有內表面415及底表面416的殼體410。在殼體410內，泵送裝置400包括內表面415上的塗層412及中心柱440。泵送裝置400可使用圍繞中心柱440的複數個渦輪葉片(未表示於第4圖中)從晶圓處理腔室泵送氣體並藉由出口排出到洗滌器。
如上所討論的，沒有塗層412時，泵出腔室的氣體含有仍處於高反應性狀態的化合物及/或含有可能在殼體410內形成沉積物的殘留物或顆粒物質。在殼體410的內表面415上形成塗層412，以防止沉積物形成在殼體410內。殼體410的塗佈的內表面415具有排斥從通過殼體410的氣體中凝結的液滴的疏水效應。如此，大部分或全部的從氣體中凝結的液滴將藉由排出殼體410的出口的氣體被吹出殼體410，且不會沉積在殼體410的塗佈的內表面415上。也可在底表面416上及/或中心柱440的外表面442上形成類似的疏水性塗層。另外，也可在泵送裝置400的頂表面(未表示於第4圖中)上形成類似的疏水性塗層。這些塗層可降低在泵送裝置400內的氣體殘留物的沉積，且因此避免由沉積引起的晶圓缺陷、提早預防維護及高成本。總的來說，可與從腔室泵出的氣體物理接觸的泵送裝置400的全部內部表面可被疏水性塗層覆蓋。
第5圖繪示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置500的出口532。泵送裝置500可具有與第1圖到第4圖中所示的泵送裝置相同的結構。如第5圖所示，在此範例中的泵送裝置500包括具有出口532的殼體510。泵送裝置500可從晶圓處理腔室泵送氣體，並藉由出口532將氣體排出到洗滌器。
在此範例中的出口532包括內表面534、形成在內表面534上的塗層533、以及接口536(interface)。接口536連接到輸出泵送管線，其可將砌起從泵送裝置500引導到用於收集及處理氣態晶圓處理殘留物的洗滌器。沒有塗層533時，泵出腔室並引導到洗滌器的氣態晶圓處理殘留物可在出口532的內表面534上形成沉積物。在出口532的內表面534上形成塗層533，使得出口532的塗佈的內表面534具有排斥從通過出口532的氣體中凝結的液滴的疏水效應，以防止沉積物形成在出口532內。如此，大部分或全部的從氣體中凝結的液滴將藉由排出殼體510的出口532的氣體被吹出出口532，且不會沉積在出口532的塗佈的內表面534上，且因此避免由沉積引起的晶圓缺陷、提早預防維護及高成本。
第6圖繪示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置的泵送管線600。連接到泵送管線600的泵送裝置可具有與第1圖到第5圖中所示的泵送裝置相同的結構。如第6圖所示，此範例中的泵送管線600包括管道610、接口620、及形成在管道610的內表面611上的塗層612。
在一實施例中，泵送管線600作為連接腔室與泵送裝置的輸入泵送管線，其中接口620連接到泵送裝置的入口或控制氣體泵送的閥。在另一實施例中，泵送管線600作為連接泵送裝置與用於收集及處理氣態晶圓處理殘留物的洗滌器的輸出泵送管線，其中接口620連接到泵送裝置的出口或洗滌器的入口。在任一情況下，泵出晶圓處理腔室的氣體通過管道610。沒有塗層時，泵出腔室並引導到洗滌器的氣態晶圓處理殘留物可在管道610的內表面611上形成沉積物。在管道610的內表面611上形成塗層612，使得管道610的塗佈的內表面611具有排斥從通過管道610的氣體中凝結的液滴的疏水效應，以防止沉積物形成在管道610內。如此，大部分或全部的從氣體中凝結的液滴將藉由通過並離開管道610的氣體被吹出，且不會沉積在管道610的塗佈的內表面611上，且因此避免由聚合物沉積引起的晶圓缺陷、提早預防維護及高成本。
第7圖為根據本揭露一些實施例的用於在腔室中處理晶圓並從腔室泵送氣體的示例性方法700的流程圖。如第7圖所示，在操作702中，將泵送裝置的內表面接觸含有疏水性塗層材料的液體溶劑。在操作704中，乾燥液體溶劑，以在泵送裝置的內表面上形成塗層，以使泵送裝置的內表面為疏水性。在操作706中，將泵送管線的內表面接觸含有疏水性塗層材料的液體溶劑。在操作708中，乾燥液體溶劑，以在泵送管線的內表面上形成塗層，以使泵送管線的內表面為疏水性。在操作710中，將泵送裝置連接到腔室，此腔室藉由泵送管線與泵送裝置流體連通。可根據本揭露不同實施例而改變第7圖中所示的操作順序。
根據本揭露一些實施例，提供一種用於從腔室排出氣體之設備，包括一殼體以及一塗層。殼體包括一內表面以及與一腔室流體連通之至少一入口。腔室為一化學氣相沉積腔室。塗層在內表面上，其中塗層配置以使內表面為疏水性。
在一實施例中，疏水性塗層具有小於1毫米之一厚度。在一實施例中，塗層配置以使內表面具有大於120度之一水接觸角。在一實施例中，塗層由一液態材料所形成。在一實施例中，塗層不與來自化學氣相沉積腔室之氣體發生化學反應。在一實施例中，用於從腔室排出氣體之設備更包括複數個渦輪葉片。渦輪葉片在殼體內部且被內表面圍繞。其中內表面與渦輪葉片之間具有一間隙，使得渦輪葉片在渦輪葉片之泵送操作期間不會損壞塗層。在一實施例中，用於從腔室排出氣體之設備更包括一輸入泵送管線。輸入泵送管線將化學氣相沉積腔室流體連接到至少一入口。氣體通過輸入泵送管線被泵出化學氣相沉積腔室。輸入泵送管線之一內表面具有一第二塗層，配置以使輸入泵送管線之內表面為疏水性。至少一入口之一內表面具有一第三塗層，配置以使至少一入口之內表面為疏水性。在一實施例中，用於從腔室排出氣體之設備更包括一輸出泵送管線。輸出泵送管線將殼體之一出口流體連接到一洗滌器。輸出泵送管線之一內表面具有一第四塗層，配置以使輸出泵送管線之內表面為疏水性。出口之一內表面具有一第五塗層，配置以使出口之內表面為疏水性。在一實施例中，疏水性塗層具有小於1微米之一厚度。
根據本揭露另一些實施例，提供一種用於從腔室排出氣體之設備，包括一腔室以及一泵送裝置。腔室配置以用複數個處理氣體處理一晶圓。泵送裝置包括一殼體以及一塗層。殼體包括一內表面以及與腔室流體連通之至少一入口。塗層在內表面上，其中塗層配置以使內表面為疏水性。
在一實施例中，塗層具有小於1微米之一厚度。在一實施例中，塗層配置以使內表面具有大於105度之一水接觸角。在一實施例中，塗層由一液態材料所形成。在一實施例中，液態材料包括在一液態溶劑中之一塗層材料。在一實施例中，塗層材料包括一氟化聚合物，氟化聚合物不與來自腔室之處理氣體發生化學反應。在一實施例中，腔室配置以在晶圓上施行一蝕刻製程。在一實施例中，處理氣體包括氟化物殘留物。在一實施例中，處理氣體包括氯化物殘留物。
根據本揭露又另一些實施例，提供一種用於從腔室排出氣體之方法，包括將一泵送裝置之一內表面接觸含有疏水性的一第一塗層材料之一第一液體溶劑、乾燥第一液體溶劑，以在泵送裝置之內表面上形成一第一塗層、將一泵送管線之一內表面接觸含有疏水性的一第二塗層材料之一第二液體溶劑、乾燥第二液體溶劑，以在泵送管線之內表面上形成一第二塗層、以及將泵送裝置連接到一晶圓處理腔室，晶圓處理腔室藉由泵送管線與泵送裝置流體連通。
在一實施例中，第一塗層及第二塗層在以下之至少一者是不同的：材料、厚度及密度。
前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以從各個方面更佳地了解本揭露。本技術領域中具有通常知識者應可理解，且可輕易地以本揭露為基礎來設計或修飾其他製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與在此介紹的實施例等相同之優點。本技術領域中具有通常知識者也應了解這些相等的結構並未背離本揭露的發明精神與範圍。在不背離本揭露的發明精神與範圍之前提下，可對本揭露進行各種改變、置換或修改。
100:系統 110:(反應)腔室 115:排氣管線 120:閥 125:輸入泵送管線 130:泵送裝置/真空泵 132、232、532:出口 135:輸出泵送管線 140:洗滌器 200、200'、400、500:泵送裝置 210、410、510:殼體 220:頂部 231:入口 312、412、533、612:塗層 340、440:中心柱 350:渦輪葉片 415、534、611:內表面 416:底表面 442:外表面 536、620:接口 600:泵送管線 610:管道 700:方法 702、704、706、708、710:操作
根據以下的詳細說明並配合所附圖式做完整揭露。應注意的是，圖示並未必按照比例繪製。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸及幾何，以做清楚的說明。在整個說明書及附圖中，相同的參考符號表示相同的特徵。 第1圖繪示根據本揭露一些實施例的用於處理晶圓的示例性系統的圖式。 第2圖繪示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置。 第3圖表示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置的剖視圖。 第4圖表示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置的底部的立體圖。 第5圖繪示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置的出口。 第6圖繪示根據本揭露一些實施例的用於從腔室泵送氣體的示例性泵送裝置的泵送管線。 第7圖為根據本揭露一些實施例的用於在腔室中處理晶圓並從腔室泵送氣體的示例性方法的流程圖。
100:系統
110:(反應)腔室
115:排氣管線
120:閥
125:輸入泵送管線
130:泵送裝置/真空泵
132:出口
135:輸出泵送管線
140:洗滌器

Claims (20)

  1. 一種用於從腔室排出氣體之設備，包括： 一殼體，包括一內表面以及與一腔室流體連通之至少一入口，其中該腔室為一化學氣相沉積腔室；以及 一塗層，在該內表面上，其中該塗層配置以使該內表面為疏水性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該疏水性塗層具有小於1毫米之一厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層配置以使該內表面具有大於120度之一水接觸角。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層由一液態材料所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層不與來自該化學氣相沉積腔室之該等氣體發生化學反應。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於從一化學氣相沉積腔室排出氣體之設備，更包括： 複數個渦輪葉片，在該殼體內部，且被該內表面圍繞，其中該內表面與該等渦輪葉片之間具有一間隙，使得該等渦輪葉片在該等渦輪葉片之泵送操作期間不會損壞該塗層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於從一化學氣相沉積腔室排出氣體之設備，更包括一輸入泵送管線，該輸入泵送管線將該化學氣相沉積腔室流體連接到該至少一入口，其中： 該等氣體通過該輸入泵送管線被泵出該化學氣相沉積腔室； 該輸入泵送管線之一內表面具有一第二塗層，配置以使該輸入泵送管線之該內表面為疏水性；以及 該至少一入口之一內表面具有一第三塗層，配置以使該至少一入口之該內表面為疏水性。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用於從一化學氣相沉積腔室排出氣體之設備，更包括一輸出泵送管線，該輸出泵送管線將該殼體之一出口流體連接到一洗滌器，其中： 該輸出泵送管線之一內表面具有一第四塗層，配置以使該輸出泵送管線之該內表面為疏水性；以及 該出口之一內表面具有一第五塗層，配置以使該出口之該內表面為疏水性。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該疏水性塗層具有小於1微米之一厚度。
  10. 一種用於從腔室排出氣體之設備，包括： 一腔室，配置以用複數個處理氣體處理一晶圓；以及 一泵送裝置，包括： 一殼體，包括一內表面以及與該腔室流體連通之至少一入口；以及 一塗層，在該內表面上，其中該塗層配置以使該內表面為疏水性。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層具有小於1微米之一厚度。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層配置以使該內表面具有大於105度之一水接觸角。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層由一液態材料所形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該液態材料包括在一液態溶劑中之一塗層材料。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該塗層材料包括一氟化聚合物，該氟化聚合物不與來自該腔室之該等處理氣體發生化學反應。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該腔室配置以在該晶圓上施行一蝕刻製程。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該等處理氣體包括氟化物殘留物。
  18. 如申請專利範圍第10項所述之用於從腔室排出氣體之設備，其中該等處理氣體包括氯化物殘留物。
  19. 一種用於從腔室排出氣體之方法，包括： 將一泵送裝置之一內表面接觸含有疏水性的一第一塗層材料之一第一液體溶劑； 乾燥該第一液體溶劑，以在該泵送裝置之該內表面上形成一第一塗層； 將一泵送管線之一內表面接觸含有疏水性的一第二塗層材料之一第二液體溶劑； 乾燥該第二液體溶劑，以在該泵送管線之該內表面上形成一第二塗層；以及 將該泵送裝置連接到一晶圓處理腔室，該晶圓處理腔室藉由該泵送管線與該泵送裝置流體連通。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之用於從腔室排出氣體之方法，其中該第一塗層及該第二塗層在以下之至少一者是不同的：材料、厚度及密度。
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