TW202016339A - 用於基於電漿之沉積的表面改質深度受控沉積 - Google Patents

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艾里恩 拉芙依
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Abstract

用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法包括以下操作:(a)移動該基板至一處理腔室中;(b)執行ALD製程之複數循環;(c)從處理腔室吹淨來自ALD製程之處理氣體;(d)藉由將含氟氣體引入至處理腔室中並施加RF功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理;(e)從處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體;(f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數。

Description

用於基於電漿之沉積的表面改質深度受控沉積
本揭示內容係關於用於基於電漿之沉積的表面改質深度受控沉積。
沉積-蝕刻-沉積(DED)已被證明得以填充高深寬比的介層窗(via)、孔洞及溝槽。DED方法被用於填充在結構頂部下方具有增大凹角(reentrancy)之特徵部時面臨了間隙填充限制。與開口尺寸相比具有大凹角特徵部或與大開口相比具有任何大凹角特徵部之結構無法容許在特徵部夾止(pinch off)之前有足夠的材料生長於用於蝕刻之離子的直視範圍內。
此為產生本發明實施例之背景。
在一些實施例中,提供一種用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,該方法包括:(a)移動該基板至一處理腔室中;(b)執行原子層沉積(ALD)製程之複數循環;(c)從處理腔室吹淨來自ALD製程之處理氣體;(d)藉由將含氟氣體引入至處理腔室中並施加射頻(RF)功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理;(e)從處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體;(f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數。
在一些實施例中,氟電漿鈍化基板上特徵部的一部分,因而抑制在該特徵部被鈍化之該部分上透過ALD製程的沉積。
在一些實施例中,該特徵部被鈍化之該部分係自該特徵部之頂部向下延伸至該特徵部中之一預定目標水平。
在一些實施例中,該預定目標水平係由該電漿處理之一或更多參數控制。
在一些實施例中,該電漿處理之參數包括下列之一或更多者:該電漿處理之持續時間、該電漿處理之溫度、含氟氣體之壓力及RF功率之位準。
在一些實施例中,該特徵部包含一凹角,其中該預定目標水平定義於大約在該凹角之水平處,以藉由電漿處理實質上抑制該凹角之該水平上方處透過ALD製程之沉積。
在一些實施例中,該氟電漿透過沿著該特徵部之該部分的表面形成氟終端物種來鈍化該特徵部之該部分。
在一些實施例中,該方法進一步包括:(g)執行ALD製程之一或更多循環。
在一些實施例中,操作(e)之預定循環次數係配置成影響間隙填充,以去除特徵部中的凹角。
在一些實施例中,操作(g)之ALD製程之一或更多循環係配置成完成該特徵部之該間隙填充。
在一些實施例中,該ALD製程係配置成沉積氧化物於該基板之該特徵部中。
在一些實施例中,該含氟氣體為CH3 F、CHF3 、CF4 、C2 H4 F2 、C2 H2 F4 、C3 H2 F6 、C4 H2 F8 、C4 F8 、NF3 或SF6
在一些實施例中,提供一種用以執行基板上特徵部之間隙填充的方法,包括:(a)移動該基板至一處理腔室中;(b)執行ALD製程之複數循環,該ALD製程係配置成沉積氧化物於該基板之該特徵部中;(c)從處理腔室吹淨來自ALD製程之處理氣體;(d)藉由將含氟氣體引入至處理腔室中並施加RF功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理;(e)從處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體;(f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數;(g)執行ALD製程之複數循環。
在一些實施例中,該氟電漿鈍化該基板上該特徵部之一部分,因而抑制在該特徵部被鈍化之該部分上透過ALD製程的沉積。
在一些實施例中,該特徵部被鈍化之該部分係自該特徵部之頂部向下延伸至該特徵部中之一預定目標水平。
在一些實施例中,該預定目標水平係由該電漿處理之一或更多參數控制。
在一些實施例中,該電漿處理之參數包括下列之一或更多者:該電漿處理之持續時間、該電漿處理之溫度、含氟氣體之壓力及RF功率之位準。
在一些實施例中,提供一種用以執行基板上特徵部之間隙填充的方法,包括:(a)移動該基板至一處理腔室中;(b)執行ALD製程之複數循環;(c)從處理腔室吹淨來自ALD製程之處理氣體;(d)藉由將含氟氣體引入至處理腔室中並施加RF功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理,該RF功率以在大約200至600 千赫(kHz)之範圍中之頻率施加;(e)從處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體;(f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數。
在一些實施例中,該電漿處理之壓力係於大約0.5至8托耳(Torr)之範圍。
在一些實施例中,該電漿處理之持續時間係於大約0.1至3秒之範圍。
通過以下結合附圖的詳細描述,本發明之其他態樣及優點將變得顯而易見,所述附圖以示例方式示出本發明之原理。
於下文描述中,闡述了許多具體細節以對示例性實施例提供透徹瞭解。然而,本領域技術人員將顯而易見,可在沒有一些該等具體細節下實施示例性實施例。於其他情況下,若已眾所周知,則不再詳細描述製程操作及實施細節。
如本文中所使用,術語「大約」及「接近」意指所指定之參數可在合理公差內變化,例如,一些實施例中之±10%、一些實施例中之±15%、或一些實施例中之±20%。
廣義地說,本發明之實施例提供能夠在孔洞或溝槽內具有大凹角結構之高深寬比特徵部上進行介電質間隙填充之方法、系統及設備。於一些實施例中,所揭示之技術係利用透過使用低頻(LF;例如200至600 Hz)及高頻(HF;例如13至14 MHz)電漿以氟進行改質之表面。表面改質允許在生長製程期間控制特徵部內之沉積深度。氟表面處理可應用於多層堆疊上之介層窗、孔洞、淺溝槽隔離(STI)結構及溝槽之間隙填充(不僅是製作於單一材料中之特徵部),包括但不限於諸多材料,包括矽/多晶矽、二氧化矽、鍺、氮化物、氧化物或多層堆疊材料。該改質容許在需重新施予表面改質之前進行多個電漿循環。
一般而言,凹角特徵部是具有側壁輪廓之特徵部,其中側壁的一些部分比在較淺深度處之緊臨上方之另一部分有更大程度地橫向蝕刻/去除。因此,第一部分可以說是被在較淺深度處之第二部分「遮蔽」。凹角特徵部通常是由於蝕刻製程偏離直線而產生底切或遮蔽,而發生的區域就是凹角。此可發生在特徵部內之任何地方。凹角特徵部可能有諸多來源。例如,在蝕刻製程期間,可能有側壁鈍化,若鈍化改變或不一致,由於沿著側壁的蝕刻不一致,一些區域可能會彎曲。在一些情況下,具有不同材料的層,其可能以不同速率被蝕刻,由於材料的蝕刻速率不同,導致所得的側壁蝕刻輪廓呈現凸起。
圖1A、圖1B及圖1C概念性地示出根據本發明實施例之具有凹角之特徵部的橫剖面圖。例如,如圖1A所示,某些凹角表現為特徵部100,其頂部較小,且底部展開(較大)。有時將其描述為具有負傾斜或錐形(tapering)的側壁102。例如,在一些製程中,有兩分層蝕刻,其可在頂部產生凹角,且在特徵部中間某處產生凹角。
如圖1B所示,在一些情況下,由於線形特徵部104中的彎曲而出現凹角。例如,此等彎曲可能是由於膜中不適當蝕刻或應力而產生。該彎曲使特徵部的一側相對於另一側凹入。將理解為,在所示之實施例中,特徵部104之來回彎曲在特徵部104的上部區域中沿著一側產生凹角106,而在特徵部104的下部區域中沿著相對側產生另一凹角108。
如圖1C所示,凹角之另一示例是由於特徵部110的側壁形貌。舉例但不限於,此可能發生在NAND元件、鰭式場效電晶體(FINFET)元件、氧化物/氮化物(ONON)堆疊、氧化物/多晶矽(OPOP)堆疊等。例如,側壁可具有鰭片112或在特徵部中產生凹角的其他特徵。
蝕刻製程去除不想要凹角及側壁輪廓以進行間隙填充的能力可能取決於進入的結構。具有「頸縮」(necking)特徵或結構內有凹角部之結構可能在DED之蝕刻部分可去除導致夾止之沉積材料之前便夾止。
圖2A及2B示出根據本發明實施例之多層堆疊上之間隙填充應用。舉例但不限於,多層堆疊可為ONON或OPOP材料堆疊。在所示之實施例中,第一材料202層與第二材料204層交替以形成多層堆疊。當蝕刻例如此等之多層堆疊時,經常包含有凹角,此導致有部分處底切。例如,第一材料202可能以比第二材料204慢的速率蝕刻,因此沿著特徵部200的側壁,第二材料204層變得比第一材料202層來得凹陷。
圖2B示出沉積在特徵部200中之間隙填充206。當在那些區域中進行沉積時,利用一般的間隙填充製程(例如,原子層沉積(ALD)或其他方式),凹角可能變成空隙。
圖3A、3B、3C及3D示出基於抑制的技術,用以達成凹角特徵部之間隙填充。 如圖3A所示,特徵部300可具有凹角302。在所示實例中,凹角302呈現於特徵部300的頂部,但是在諸多特徵部中,凹角可發生在特徵部頂部到底部的任何地方。存有此等凹角的地方,一旦間隙填充,它們可能變成空隙。
利用現有技術,可使用例如氮(N2 )電漿之抑制劑來應用抑制劑填充製程。此等製程目的在於抑制生長並以不同速率填充,從而使特徵部底部處之沉積以快於頂部的速率生長,此使得凹角內的生長在夾止之前可以更快。亦即,在每個ALD循環中都施予抑制劑,使得靠近特徵部頂部之沉積速率下降。
在一些情況下,抑制劑填充製程執行多個循環,直到達成一定厚度,俾而導致如圖3B所示之部分抑制劑填充層304。可選地,接著可執行蝕刻步驟以移除材料,如圖3C所示。隨後,利用一般ALD(無抑制劑)之填充製程,以完成特徵部之間隙填充,如圖3D所示。
然而,上述抑制劑填充製程的問題在於,必須在流動的每個ALD循環中施予抑制劑。每次於一循環中沉積材料時,都需施予抑制劑,此是一個冗煩的附加步驟,因此變成非常緩慢的製程。舉例但不限於此,對於使用例如氮(N2 )電漿之抑制劑之抑制劑填充製程,ALD循環本身可為1.5秒等級;然而,每個循環可能需要額外的20秒,以執行N2 電漿抑制。因此,沉積循環時間可能從1.5秒的循環時間增加到21.5秒的循環時間。生長速率一般可為每秒大約0.8埃,且典型所需厚度可接近200埃,因此循環次數通常大約200-300個循環等級。因此,增加的循環時間被放大,並且由於抑制製程而導致的產能降低可能非常顯著。蝕刻步驟的目的在於,透過使填充過程能夠切換回一般ALD而不會有夾止風險,以試著並使得製程更快。因此,現有的程序可能必需進行抑制劑填充製程(例如20到25秒循環,這是一個非常緩慢的填充)直到凹角填充到不再有遮蔽,接著再執行長的蝕刻(例如接近30秒),然後切換到一般ALD沉積以完成填充。然而,儘管回蝕並切換到一般ALD填充可助於提高產能,但由於抑制劑填充製程之抑制部分,整個製程仍然受到很大的阻礙。
然而,根據本發明之實施例,使用抑制劑使得抑制效果可在ALD電漿循環的多次迭代中存續。此能夠連續執行多個ALD循環,而無需重新施加抑制劑。先前施予的抑制劑並無法在多個ALD循環中存續。然而,本發明的實施例提供能夠供予持續多個ALD循環之抑制效果的抑制劑。
在一些實施例中,利用氟化氣體以處理基板表面,並提供抑制效果。廣義地說,製程流程可能必需執行多個ALD循環,然後吹淨(purge)ALD氣體,接著施予氟化氣體來處理表面;重覆此過程達多次迭代。氟化氣體提供持續多個ALD循環的抑制效果,因此不需在每個ALD循環中重新施加。
注意的是,氟化氣體一般不在沉積製程中使用,而是傾向於在蝕刻製程中使用。在腔室清潔過程中使用氟化劑是已知的。然而,在此等情況下,氟的目的是實行清潔並被去除。而根據本發明的實施例,氟被用以選擇性地保留在基板的某些區域中,因而在間隙填充沉積期間提供抑制效果。
圖4示出根據本發明實施例而以氟電漿抑制用來進行間隙填充製程的方法。在方法操作400,將晶圓(基板)引入處理腔室中。在方法操作402,可選地,可執行具有熱浸泡(thermal soak)步驟之晶圓加熱或冷卻,以使晶圓達所欲溫度。在方法操作404,引入用於ALD的氣體預流。 例如,此可包括使惰性氣體流入處理腔室,並平衡流入及流出處理腔室的氣體流。
在方法操作406,執行一或更多ALD循環。每個ALD循環通常由第一反應物注入、第一吹淨、第二反應物注入及第二吹淨所組成。在一些實施例中,第一反應物或第二反應物注入亦可為電漿製程。在完成ALD循環之後,接著在方法操作408,從處理腔室吹淨來自ALD之所有處理氣體(例如,使用惰性氣體)。 將理解的是,在方法操作406執行的ALD循環具體次數可根據應用、待填充的特徵部尺寸以及其中的任何凹角而變化。在一些實施例中,ALD循環次數在接近5至25個循環的範圍內;在一些實施例中,在接近10至20個循環的範圍內;在一些實施例中,在接近10至15個循環的範圍內。
在方法操作410,將含氟氣體引入處理腔室中。在方法操作412,施加RF功率至處理腔室,以從含氟氣體產生電漿,因而實行氟電漿處理。在電漿處理之後,接著在方法操作414吹淨處理腔室。在方法操作416,若尚未達到預定循環次數,則該方法接著返回到方法操作406。因此,重複ALD沉積及氟電漿處理的循環,直到達到預定循環次數為止。
完成預定循環次數後,接著在方法操作420使晶圓離開處理工具。
可選地,在一些實施例中,在方法操作416完成預定循環次數之後,執行額外的預定ALD循環次數(不進行方法操作410、412及414之抑制處理)。此在方法操作406至416之ALD + 抑制處理循環足以達成沉積至凹角水平而使凹角去除(或充分減少)時是有用的,從而可採用一般ALD間隙填充以填充特徵部的其餘部分。
氟電漿處理之製程參數可根據本發明諸多實施例來變化。 在一些實施例中,施加雙頻RF功率,其組合了RF功率之相對較低頻率(LF;例如,由LF產生器產生)與相對較高頻率(HF;例如,由HF產生器產生)。在一些實施例中,低頻在大約400到430 kHz的範圍內。在一些實施例中,頻率在大約200到600 kHz的範圍內。在一些實施例中,高頻在大約13至14兆赫(MHz)的範圍內。 在一些實施例中,高頻範圍可從大約10 MHz延伸到120 MHz。在一些實施例中,高頻是13.56 MHz。
在一些實施例中,用於氟電漿處理的功率在大約500至2500瓦的範圍內。在一些實施例中,功率在大約50瓦到5千瓦的範圍內。一般而言,增加功率與抑制效果的增加有關,該抑制效果更深地延伸於特徵部內。
在一些實施例中,用於氟電漿處理的溫度在大約攝氏75至550度的範圍內。在一些實施例中,溫度在大約攝氏20至800度的範圍內。將理解的是,最佳溫度可取決於特定應用,例如,已位於給定基板/晶圓上的是什麼電路。例如,可在較低水平處使用較高溫度,而在較高水平處可使用較低溫度,以保護現有結構。
在一些實施例中,氟電漿處理的壓力在大約0.5至8托耳(Torr)的範圍內。廣義地說,增加壓力與更大的抑制效果相關,該抑制效果更深地延伸至特徵部中。
在一些實施例中,氟電漿處理的時間在大約0.1至3秒的範圍內。 一般而言,增加時間與抑制效果的增加有關,該抑制效果更深地延伸於特徵部內。
此外,增加含氟氣體的流量可引起抑制效果的提高。
鑑於上述,將理解的是,由方法操作406至416定義的ALD + 電漿抑制處理循環的參數可從一循環至下個循環或從一組循環至下組循環而變化,以根據特徵部的結構(包括深度及任何凹角的嚴重度)以及特徵部之輪廓或結構隨著填充製程進行時的變化,使抑制效果的量及水平最佳化。
例如,在一些實施例中,使用第一組參數,對第一循環次數執行方法操作406至416,以填充特徵部達第一凹角水平作為目標,隨後,使用第二組參數,對第二循環次數執行方法操作406至416,以填充特徵部達第二凹角水平作為目標。將理解的是,此概念可擴展到以填充達額外凹角水平為目標,並且可選地隨後進行如上所述之無抑制處理之ALD填充。
在一些實施例中,可在多個ALD + 抑制處理循環的過程中逐漸改變氟電漿抑制處理的參數。在一些實施例中,氟電漿抑制處理可在此等若干循環逐步停止,使得抑制的效果及深度逐漸減小。
圖5A是說明根據本發明實施例之抑制處理對於後續沉積循環的影響之圖。 所示的圖顯示沉積厚度與ALD循環次數的關係。曲線500示出不進行抑制處理的情況,其證實隨著ALD沉積循環次數的增加,沉積厚度近似線性地增加。曲線502示出根據本發明實施例之氟電漿抑制處理後的沉積厚度。如曲線502所示,抑制處理後之一定循環次數的沉積厚度沒有增加,因此在這些循環期間ALD沉積被抑制。此後,隨著ALD循環次數進一步增加,最終沉積厚度增加,表示抑制處理的抑制效果逐漸減弱。
舉例但不限於,曲線502可對應於抑制劑之1秒施用,且可能發生接近不生長的情況直到抑制劑施用後大約15個循環。 因此,此顯示抑制(例如,在特徵部的頂部)達延長的循環數。
圖5B為示出根據本發明實施例之抑制深度對上抑制處理時間的圖。如曲線510顯示,隨著氟電漿抑制處理的持續時間增加,抑制效果在特徵部內延伸的深度也增加。所示的圖表示直壁特徵部,且如所示,對於此等特徵部,該效果接近於線性,使得抑制深度隨著氟電漿處理時間呈近似線性地增加。將理解的是,對於其他類型的特徵部輪廓,效果可能不是線性的。
如所示,透過調整例如氟電漿抑制處理之持續時間的某些參數,即可調整抑制的量及深度,因而鎖定特徵部內准予沉積生長的位置。因此,可利用時間(或另一可調整的參數)來鎖定凹角,使得生長抑制到下至凹角的水平,但低於凹角的水平則發生正常的ALD生長。對於位於較淺深度的凹角,可使用較短的抑制處理時間。而對於位於較深深度的凹角,可使用較長的時間以鎖定凹角,並阻止ALD生長到下至凹角水平。因此,根據凹角深度,可透過對上部凹角使用較短時間或者對下部凹角使用較長時間,來鎖定凹角。
注意的是,不同於先前技術的抑制技術,根據本發明實施例提供的氟電漿處理所提供之抑制效果持續了多個ALD循環。不受理論束縛,假設電漿中最初有含氟氣體,且鍵結可均裂以產生氟侷域化自由基。由於自由基是高反應性的,故氟自由基對基板具有增大的反應性。因此,理論上來說,可能不僅有物理吸附,還有與終端氟物種的化學吸附。此產生非常惰性的表面結構,其可承受多個ALD循環。
此外,注意的是,某些蝕刻可能是氟電漿抑制處理所導致。因此,理論上來說,電漿處理亦可透過選擇性蝕刻到特徵部內之一定深度來實現選擇性沉積。
將理解的是,本文揭示之技術可應用於溝槽(STI)、孔洞、介層窗等中的間隙填充應用。舉例但不限於,沉積的材料可包括氮化物、氧化物、多晶矽、矽等。舉例但不限於此,本文揭示之技術在用於製作NAND元件、DRAM、邏輯、STI、水平間隙填充、垂直間隙填充等之製程中可能是有用的。
根據本發明實施例之技術提供產能上的大幅改善,並且達成凹角結構之完全間隙填充而不會有夾止或空隙形成。為了處理特徵部頂部處的凹角,先前的沉積技術需執行非常冗長的抑制劑填充(例如20-25秒循環,每個ALD循環中進行抑制劑處理);接著,當間隙填充達到特徵部中不再有遮蔽時,再執行長的蝕刻(例如30秒),隨後進行一般ALD沉積以完成填充。然而,與先前方法相反,舉例但不限於,根據本發明實施例,可透過執行大約十個ALD填充循環,隨後進行0.1-0.3秒抑制,接著再重複該製程約60至100次,來進行間隙填充的方法,以獲得完全填充結構。
如目前所述,電漿抑制可用以控制孔洞及溝槽中的沉積深度。電漿抑制持續多個ALD循環,且無需重新處理表面。如已描述的氟電漿,將理解的是,可使用適於產生氟電漿之任何含氟前驅物,包括舉例但不限於下列:CH3 F、CHF3 、CF4 、C2 H4 F2 、C2 H2 F4 、C3 H2 F6 、C4 H2 F8 、C4 F8 、NF3 、SF6 等。此外,儘管已具體描述氟電漿,但將理解到,可使用其他抑制劑,包含下列:NH3 、乙二胺、甲胺、二甲胺、三甲胺、叔丁胺、乙胺、雙二乙胺、三甲胺、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、乙二醇、醇胺、乙醇胺等。
圖6A、6B及6C概念性地示出基板上特徵部的橫剖面圖,並且顯示根據本發明實施例之間隙填充製程。如圖6A所示,特徵部600係定義於基板中。 特徵部600包括凹角602。為了填充特徵部600,期望將凹角602上方的生長最小化或降低,並允許生長達到並包括凹角602。因此,廣義地說,當沿著特徵部600向下,如圖所示,凹角602開始處的水平定義了目標抑制水平,使得高於目標抑制水平處的生長被抑制,然而允許低於目標抑制水平處的生長。
據此,可採用根據本發明實施例之間隙填充程序以利用間隙填充層604來填充特徵部600,包括凹角602的間隙填充,並且避免因凹角602導致夾止或空隙形成。亦即,如圖6B所示,可調節ALD + 抑制處理循環,使得凹角602上方處之ALD生長被抑制,然而允許凹角602下方且直到凹角602處有較快的生長。將理解的是,每一循環包含多個ALD循環配上單一抑制處理。在一些實施例中,間隙填充製程在凹角上方為更緩慢地填充,從而在凹角上方之區域被填充之前先填充凹角。該製程允許特徵部600之完全間隙填充而沒有空隙,如圖6C所示。
圖7A至圖7F示出具有多個凹角之特徵部的橫剖面圖,其顯示根據本發明實施例用於間隙填充之製程。如圖7A所示,特徵部700包括位於特徵部700內深處的第一凹角702及位於靠近特徵部700中間處之第二凹角704。第一凹角702定義出第一抑制目標水平,且抑制被鎖定於此,以允許生長達到並包含第一凹角702且抑制該水平上方的生長。
因此,如圖7B所示,以第一抑制目標水平作為目標,進行ALD + 抑制處理的第一循環。據此,特徵部700被填充達到並包含第一凹角702,且未形成空隙,如圖7C所示。
類似於第一凹角702相關敘述,第二凹角704亦定義出第二抑制目標水平,且抑制被鎖定於此,以允許生長達到並包含第二凹角704且抑制該水平上方的生長。
因此,如圖7D所示,以第二抑制目標水平為目標,進行第二次ALD + 抑制處理循環。據此,特徵部700被填充達到並包含第二凹角704,且未形成空隙,如圖7E所示。
完成第一及第二凹角填充後,接著在一些實施例中,執行一般ALD(無抑制處理)以完成特徵部700的間隙填充,如圖7F所示。
已證明基於沉積-蝕刻-沉積(DED)(例如,ALD氧化物→蝕刻→重複)及抑制(例如,如上所述的氟抑制)的沉積製程得以填充高深寬比的介層窗、孔洞及溝槽,如上所述。 然而,與基於標準ALD的生長技術相比,DED/抑制方法由於現有硬體配置而遭遇產能限制。
因此,根據本發明實施例,硬體增強與DED/抑制技術結合,以填充具有凹角特徵部之高深寬比結構,從而提供與標準ALD填充製程相當或更佳之產能。標準ALD製程條件下生長之ALD膜的總產能亦獲得改善。為了達到較高產能,將新的生長技術與新的硬體結合起來使用。更具體地說,就硬體而言,採用一組新的歧管,以允許蝕刻/抑制/鈍化氣體之快速循環時間。蝕刻/抑制/鈍化氣體係用以重新塑形/處理該表面,以實現無間隙生長。
圖8示出根據本發明實施例用於供應處理氣體至處理腔室以進行ALD製程之供氣系統。中央供氣800係配置成輸送系統之處理氣體至噴淋頭856。中央供氣800係由能夠將諸多氣體提供至噴淋頭856並因而提供至處理腔室中之數個節段及歧管所定義。
如圖所示,中央供氣800包括進料管線806,其中惰性氣體802通過該進料管線806而提供至中央供氣800。惰性氣體802進入中央供氣800之流動可由閥門804控制。
中央供氣800進一步包含歧管808,其配置成使得氧化劑812能夠輸送至中央供氣800中。氧化劑812通過連接至歧管808之進料管線810輸送。再者,氧化劑進入歧管808之流動可由閥門814控制。此外,在一些實施例中,氧化劑可通過如圖所示之閥門816而轉向。
節段818連接於歧管808與歧管820之間。歧管820配置成使得抑制或鈍化氣體824能夠輸送至中央供氣800中。抑制/鈍化氣體824通過連接至歧管820之進料管線822輸送。抑制/鈍化氣體824之輸送係由閥門826控制。在所示的實施例中,致動器828係配置成用以控制閥門826之開啟/關閉。
節段830連接於歧管820與歧管832之間。歧管832係配置成使得清潔或蝕刻氣體836能夠輸送至中央供氣800中。清潔/蝕刻氣體836通過與歧管832連接之進料管線834輸送。清潔/蝕刻氣體836之輸送係由閥門838控制。在所示的實施例中,致動器840係配置成用以控制閥門838之開啟/關閉。
節段842連接於歧管832與歧管844之間。歧管844係配置成使得ALD前驅物氣體848能夠輸送至中央供氣800中。ALD前驅物氣體848通過連接至歧管844之進料管線846輸送。ALD前驅物氣體848之輸送係由閥門850控制。在所示的實施例中,惰性氣體802亦可如由閥門852控制而通過進料管線846來輸送。在注入ALD前驅物之後,可使用此等惰性氣體,以吹淨進料管線846中任何殘留的前驅物。
節段854連接至歧管844,並將氣體引導到噴淋頭856,噴淋頭856係配置成輸送處理氣體至處理腔室中。
如圖所示,該抑制/鈍化氣體及清潔/蝕刻氣體係通過獨立歧管提供,此兩者完全獨立於ALD前驅物氣體848及氧化劑812的輸送。
圖9A及9B示出現有系統與具有用於輸送抑制/鈍化氣體及清潔/蝕刻氣體之分開歧管的系統之間的區別。
圖9A示出現有系統的配置。如圖所示,氣體以兩個歧管輸送至處理腔室。氧化劑(例如用於ALD製程之第二注入步驟)通過一歧管輸送。 然而,沉積(ALD前驅物)及蝕刻/清潔(例如,含氟)氣體通過另一歧管輸送。由於沉積與清潔/蝕刻氣體共用歧管,故在沉積與蝕刻-清潔製程之間切換時因必須清除前驅物/清潔-蝕刻歧管而導致處理延遲。例如,在ALD前驅物與含氟氣體之間切換可能需要長時間的吹淨,其花費100至300秒等級之總時間。
圖9B示出根據本發明實施例之具有用於諸多處理氣體之獨立歧管的系統配置。為克服吹淨要求,透過使用獨立的抑制、清潔-蝕刻、氧化劑及前驅物歧管,以增加產能。長的吹淨時間(例如幾分鐘)可減縮至幾秒鐘,以達成類似ALD之沉積-蝕刻-抑制/鈍化循環時間。
舉例說明,在如先前所述之含氟抑制氣體的情況下,含氟氣體可通過獨立於ALD前驅物歧管之清潔-蝕刻歧管來提供,因此不再需要先前要求的長時間吹淨。另外,該系統可容納其他抑制性氣體的使用,其亦配有獨立抑制/鈍化歧管以進行輸送。
清潔-蝕刻與抑制/鈍化歧管兩者皆獨立於ALD前驅物歧管,因此整個ALD製程在氣體輸送方面皆獨立於抑制或氟處理氣體。此加快了諸多製程的切換時間,從而能夠以最小的切換時間快速連續地執行ALD、蝕刻及抑制/鈍化製程之組合,因而提高系統的產能。
圖10A、10B及10C示出利用根據本發明實施例之技術而得以改善間隙填充效能。圖10A概念性地示出根據最著名方法,採用標準ALD製程進行間隙填充製程後之特徵部1000的橫剖面圖。所得之間隙填充1002可能包括空隙1004。廣義地說,希望將此等空隙最小化,使它們盡可能地深,但亦使得間隙填充沉積盡可能快地進行。圖10B示出使用高產能ALD製程之特徵部1000的間隙填充,例如,高產能ALD製程之處理時間縮減至標準ALD製程的0.3倍。然而,如圖所示,間隙填充1006呈現較差的結果,空隙1008延伸得比標準ALD製程的空隙更高且更寬。儘管改善了產能,但卻損害間隙填充效能。
然而,圖10C示出利用根據本發明實施例之技術及硬體,採用DED製程之後接著進行高產能ALD製程(例如,DED以克服凹角,接著是高產能的ALD以完成填充)之特徵部的間隙填充。在所得的間隙填充1010中,觀察到最小的空隙1012或完全沒有空隙,且產能改善至標準ALD之0.5倍的製程時間。
圖11示出根據本發明實施例用於處理基板之叢集工具系統1100。叢集工具系統通常安裝在製造設施中。利用輸送容器1102(例如,前開式晶圓傳送盒(FOUP’s)),將基板(例如,晶圓)運入或運出叢集工具系統。設備前端模組(EFEM)1104包括配置成用以於輸送模組1102與裝載室1108之間轉移晶圓之機器人1106。轉移模組1110包括配置成用以於裝載室1108與數個處理工具1114中之其中一者之間轉移晶圓的機器人1112。在所示的實施例中,每個處理工具1114為具有多個處理站1116的多站處理工具,以能夠同時處理多個晶圓。例如,在所示的實施例中,每個多站處理工具1114具有四個處理站1116,其能夠同時處理四個晶圓(例如,根據本發明實施例所述進行ALD製程)。
在某些實施例中,控制器為系統之一部分,其可為上述實施例之一部分。此等系統可包括半導體處理設備,而半導體處理設備包含一處理工具或複數工具、一腔室或複數腔室、一處理平台或複數平台、及/或特定處理構件(晶圓基座、氣流系統等)。該些系統可與電子設備結合,以控制半導體晶圓或基板處理前、處理期間及處理後之操作。此等電子設備可指「控制器」,其可控制該系統或複數系統之各種構件或次部件。決定於處理需求及/或系統類型之控制器可程式化,以控制本文所揭示之任何製程,包括處理氣體之傳送、溫度設定(如加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、射頻匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置及操作設定、晶圓轉移(進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具、及/或裝載室)。
廣泛地說,控制器可定義為具有用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測以及類似者之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含:儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP)、定義為特殊應用積體電路(ASIC)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如,軟體)的微控制器。程式指令可為以不同的單獨設定(或程式檔案)之形式而傳送至控制器的指令,該單獨設定(或程式檔案)為實行(半導體晶圓上,或針對半導體晶圓,或對系統之)特定的製程而定義操作參數。在一些具體實施例中,操作參數可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分:層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒。
在一些實施例中,控制器可為電腦的一部分,或耦接至電腦,該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合。舉例而言,控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部、或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取,以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作而檢查其趨勢或效能度量,以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些實施例中,遠端電腦(例如,伺服器)可通過網路而提供製程配方至系統,該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含能夠進行參數及/或設定輸入或程式設計之使用者介面,接著該參數及/或設定可自遠端電腦傳送至系統。在一些實施例中,控制器接收數據形式指令,該指令為即將於一或更多操作期間進行之每一處理步驟指定參數。應當理解,參數可特定針對待執行之製程類型、及控制器與之接合或加以控制之工具類型。因此,如上所述,控制器可為分散式,例如藉由包含以網路方式接在一起、且朝向共同目的(例如,本文所描述之製程及控制)運作之一或更多分離的控制器。用於此目的之分散式控制器舉例為,腔室上與位於遠端的一或更多積體電路(例如,於平臺水平處、或作為遠端電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路,兩者相結合以控制腔室上的製程。
示例性系統可包含,但不限於,電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉清洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及可在半導體晶圓的製造及/或加工中相關聯的、或使用的任何其他半導體處理系統。
如上所述,取決於待藉由工具而執行之製程步驟或複數步驟,控制器可與半導體製造工廠中的一或更多以下者進行通訊:其他工具電路或模組、其他工具元件、叢集工具、其他工具介面、鄰近的工具、相鄰的工具、遍及工廠而分布的工具、主電腦、另一控制器、或材料輸送中使用之工具,該材料輸送中使用之工具攜帶晶圓容器往返工具位置及/或裝載埠。
圖12為用以實行本發明實施例之電腦系統的簡化示意圖。應當理解,本文所述之方法可透過數位處理系統執行,例如習知的通用電腦系統。在其他選擇中,亦可採用經設計或程式化成用以執行單一功能的專用電腦。電腦系統1800包括中央處理單元 (CPU)1804,其透過匯流排1810耦接至隨機存取記憶體(RAM)1828、唯讀記憶體(ROM)1812及大量儲存裝置1814。系統控制程式1808存於隨機存取記憶體(RAM)1828中,但亦可存於大量儲存裝置1814中。
大量儲存裝置1814代表持續性資料儲存裝置,例如可為本機或遠端的軟碟機或固定磁碟機。網路介面1830透過網路1832提供連接,以和其他裝置通訊。應當理解,CPU 1804可內建於通用處理器、專用處理器、或特定程式化邏輯裝置中。輸入/輸出(I/O)介面1820用以和不同的周邊裝置通訊,並透過匯流排1810而與CPU 1804、RAM 1828、ROM 1812及大量儲存裝置1814連接。周邊裝置實例包括顯示器1818、鍵盤1822、游標控制器1824、可移動媒體裝置1834等等。
顯示器1818係配置成用以顯示本文所述之使用者介面。為了以指令集與CPU 1804交換資訊,鍵盤1822、游標控制器(滑鼠)1824、可移動媒體裝置1834及其他周邊裝置係連接至輸入/輸出(I/O)介面1820。應當理解,傳至及來自外部裝置的資料可透過I/O介面1820來通訊。該等實施例亦可在分散式運算環境中實行,其中任務是由透過有線或無線網路連接的遠端處理裝置來執行。
實施例可用諸多的電腦系統組態來實行,包含手持裝置、微處理器系統、基於微處理器或可程式化的消費性電子產品、微型電腦、大型電腦及其類似者。該等實施例亦可在分散式運算環境中實行,其中任務是由透過網路連接的遠端處理裝置來執行。
考慮到上述實施例,應當理解,該等實施例可運用諸多電腦執行操作,其包含儲存在電腦系統中的資料。該等操作需實際操控物理量。本文所述形成該等實施例一部分的任何操作皆為有效的機器操作。該等實施例亦關於執行該等操作的裝置或設備。該設備可針對所需用途而專門打造,例如專用電腦。雖然界定成專用電腦,該電腦亦可進行其他處理、執行程式或不屬於專門用途一部分的例行程序,並且仍然能夠針對專門用途運作。或者,該等操作可透過由儲存在電腦記憶體或快取記憶體中或是經由網路取得之一或更多電腦程式選擇性啟動或配置之通用電腦來處理。當資料是經由網路取得時,該資料可由網路上的其他電腦來處理,例如雲端運算資源。
一或更多實施例亦可建構為電腦可讀媒體上的電腦可讀編碼。電腦可讀媒體為能夠儲存資料的任何資料儲存裝置,其之後可由電腦系統讀取。電腦可讀媒體實例包括硬碟、網路附加儲存(NAS, Network Attached Storage)、唯讀記憶體、隨機存取記憶體、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁帶以及其他光學或非光學資料儲存裝置。電腦可讀媒體可包括分散在由網路連接的電腦系統中之電腦可讀有形媒體,使得電腦可讀編碼可分散地儲存及執行。
雖然以特定次序描述該等方法操作,但應當理解,只要是以所欲方式執行整體操作的處理,在操作之間亦可執行其他內部後勤操作、或是調整操作以在些許不同的時間點發生、或是操作可分散在系統中而使處理操作在與該處理相關的諸多期間發生。
據此,示例性實施方式的揭示為說明性目的,而非限制本發明範疇,本發明範疇係闡述於以下申請專利範圍及其均等者。儘管本發明示例性實施例已為了清楚理解之目的而詳細地加以描述,但應當理解,可在下述申請專利範圍的範疇內實行某些變更及修改。在下述申請專利範圍中,除非在申請專利範圍中明確指出或本發明暗含要求,否則元件及/或步驟並不暗示任何特定的操作順序。
100:特徵部 102:側壁 104:特徵部 106:凹角 108:凹角 110:特徵部 112:鰭片 200:特徵部 202:第一材料 204:第二材料 206:間隙填充 300:特徵部 302:凹角 304:抑制劑填充層 400:方法操作 402:方法操作 404:方法操作 406:方法操作 408:方法操作 410:方法操作 412:方法操作 414:方法操作 416:方法操作 420:方法操作 500:曲線 502:曲線 510:曲線 600:特徵部 602:凹角 604:間隙填充層 700:特徵部 702:第一凹角 704:第二凹角 800:中央供氣 802:惰性氣體 804:閥門 806:進料管線 808:歧管 810:進料管線 812:氧化劑 814:閥門 816:閥門 818:節段 820:歧管 822:進料管線 824:抑制/鈍化氣體 826:閥門 828:致動器 830:節段 832:歧管 834:進料管線 836:清潔/蝕刻氣體 838:閥門 840:致動器 842:節段 844:歧管 846:進料管線 848:ALD前驅物氣體 850:閥門 852:閥門 854:節段 856:噴淋頭 1000:特徵部 1002:間隙填充 1004:空隙 1006:間隙填充 1008:空隙 1010:間隙填充 1012:空隙 1100:叢集工具系統 1102:輸送模組 1104:設備前端模組 1106:機器人 1108:裝載室 1110:轉移模組 1112:機器人 1114:處理工具 1116:處理站 1800:電腦系統 1804:中央處理單元 1808:系統控制程式 1810:匯流排 1812:唯讀記憶體 1814:大量儲存裝置 1818:顯示器 1820:輸入/輸出(I/O)介面 1822:鍵盤 1824:游標控制器 1828:隨機存取記憶體 1830:網路介面 1832:網路 1834:可移動媒體裝置
圖1A、1B及1C概念性地示出根據本發明實施例之呈現凹角之特徵部的橫剖面圖。
圖2A及2B示出根據本發明實施例之多層堆疊上的間隙填充應用。
圖3A、3B、3C及3D示出用於達成凹角特徵部間隙填充之基於抑制的技術。
圖4示出根據本發明實施例利用氟電漿抑制來執行間隙填充製程之方法。
圖5A是說明根據本發明實施例之抑制處理對於後續沉積循環的影響之圖。
圖5B是示出根據本發明實施例之抑制深度對上抑制處理時間的圖。
圖6A、6B及6C概念性地示出基板上特徵部的橫剖面圖,並且顯示根據本發明實施例之間隙填充製程。
圖7A至圖7F示出具有多個凹角之特徵部的橫剖面圖,其顯示根據本發明實施例用於間隙填充之製程。
圖8示出根據本發明實施例用於供應處理氣體至處理腔室以進行ALD製程之供氣系統。
圖9A及9B示出現有系統與根據本發明實施例具有用於輸送抑制/鈍化氣體及清潔/蝕刻氣體之分開歧管的系統之間的區別。
圖10A、10B及10C示出利用根據本發明實施例之技術而得以改善間隙填充效能。
圖11示出根據本發明實施例用於處理基板之叢集工具系統1100。
圖12為用以實行本發明實施例之電腦系統的簡化示意圖。
604:間隙填充層

Claims (28)

  1. 一種用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,包括: (a) 移動該基板至一處理腔室中; (b) 執行ALD製程之複數循環; (c) 從該處理腔室吹淨來自該ALD製程之處理氣體; (d)藉由將含氟氣體引入至該處理腔室中並施加RF功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理; (e)從該處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體; (f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該氟電漿鈍化該基板上該特徵部的一部分,因而抑制在該特徵部被鈍化之該部分上透過該ALD製程的沉積。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該特徵部被鈍化之該部分係自該特徵部之頂部向下延伸至該特徵部中之一預定目標水平。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該預定目標水平係由該電漿處理之一或更多參數控制。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該電漿處理之該等參數包括下列之一或更多者:該電漿處理之持續時間、該電漿處理之溫度、該含氟氣體之壓力及該RF功率之位準。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該特徵部包含一凹角,且其中該預定目標水平定義於大約在該凹角之水平處,以藉由該電漿處理實質上抑制該凹角之該水平上方處透過該ALD製程之沉積。
  7. 如申請專利範圍第2項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該氟電漿透過沿著該特徵部之該部分的表面形成氟終端物種來鈍化該特徵部之該部分。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,更包括:(g)執行該ALD製程之一或更多循環。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中操作(e)之該預定循環次數係配置成影響間隙填充,以去除該特徵部中的凹角。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中操作(g)之該ALD製程之該一或更多循環係配置成完成該特徵部之該間隙填充。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該ALD製程係配置成沉積氧化物於該基板之該特徵部中。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該含氟氣體為CH3 F、CHF3 、CF4 、C2 H4 F2 、C2 H2 F4 、C3 H2 F6 、C4 H2 F8 、C4 F8 、NF3 或SF6
  13. 一種用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,包括: (a)移動該基板至一處理腔室中; (b)執行ALD製程之複數循環,該ALD製程係配置成沉積氧化物於該基板之該特徵部中; (c)從該處理腔室吹淨來自該ALD製程之處理氣體; (d)藉由將含氟氣體引入至該處理腔室中並施加RF功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理; (e)從該處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體; (f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數; (g)執行該ALD製程之複數循環。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該氟電漿鈍化該基板上該特徵部之一部分,因而抑制在該特徵部被鈍化之該部分上透過該ALD製程的沉積。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該特徵部被鈍化之該部分係自該特徵部之頂部向下延伸至該特徵部中之一預定目標水平。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該預定目標水平係由該電漿處理之一或更多參數控制。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該電漿處理之該等參數包括下列之一或更多者:該電漿處理之持續時間、該電漿處理之溫度、該含氟氣體之壓力及該RF功率之位準。
  18. 一種用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,包括: (a)移動該基板至一處理腔室中; (b)執行ALD製程之複數循環; (c)從該處理腔室吹淨來自該ALD製程之處理氣體; (d)藉由將含氟氣體引入至該處理腔室中並施加RF功率至該含氟氣體以在該處理腔室中產生氟電漿,以對該基板進行電漿處理,該RF功率之施加頻率在大約200至600 kHz之範圍中; (e)從該處理腔室吹淨來自該電漿處理之處理氣體; (f)重複操作(b)至(e),直到執行預定循環次數。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該電漿處理之壓力係於大約0.5至8托耳(Torr)之範圍中。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之用於執行基板上特徵部之間隙填充的方法,其中該電漿處理之持續時間係於大約0.1至3秒之範圍中。
  21. 一種用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,包括: 一中央供氣,其具有用以接收惰性氣體之一第一端,該中央供氣具有連接至一噴淋頭之一第二端,該噴淋頭將處理氣體輸送到該處理腔室; 其中該中央供氣包括接收ALD前驅物氣體至該中央供氣之一第一歧管,該ALD前驅物氣體用於該ALD製程之一第一注入步驟; 其中該中央供氣包括接收氧化劑氣體至該中央供氣之一第二歧管,該氧化劑氣體用於該ALD製程之一第二注入步驟; 其中該中央供氣包括接收含氟氣體至該中央供氣之一第三歧管,該含氟氣體用以在該處理腔室中產生電漿,以用於該電漿處理。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,其中該第一歧管、該第二歧管及該第三歧管為獨立的,提供該ALD前驅物氣體、該氧化劑氣體及該含氟氣體之分開輸送至該中央供氣。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,其中該第一歧管沿著該中央供氣設置於該第二及第三歧管之下游。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,其中該第二歧管沿著該中央供氣設置於該第三歧管之上游。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,更包括: 一進料管線,其連接至該第一歧管; 一閥門,其控制該ALD前驅物氣體進入該進料管線之流動。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,更包括: 一第二閥門,其控制該惰性氣體進入該進料管線之流動。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,更包括: 一進料管線,其連接至該第二歧管; 一閥門,其控制該氧化劑氣體進入該進料管線之流動。
  28. 如申請專利範圍第21項所述之用以供應處理氣體至用於ALD製程及電漿處理之處理腔室之供氣系統,更包括: 一進料管線,其連接至該第三歧管; 一閥門,其控制該含氟氣體進入該進料管線之流動。
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