TW202011691A - 蓋子及壓電裝置 - Google Patents

蓋子及壓電裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202011691A
TW202011691A TW108131770A TW108131770A TW202011691A TW 202011691 A TW202011691 A TW 202011691A TW 108131770 A TW108131770 A TW 108131770A TW 108131770 A TW108131770 A TW 108131770A TW 202011691 A TW202011691 A TW 202011691A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flange
outer peripheral
peripheral end
bottom plate
curvature
Prior art date
Application number
TW108131770A
Other languages
English (en)
Inventor
大久保宏美
水沢周一
Original Assignee
日商日本電波工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日本電波工業股份有限公司 filed Critical 日商日本電波工業股份有限公司
Publication of TW202011691A publication Critical patent/TW202011691A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0504Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0509Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/88Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N35/00Magnetostrictive devices
    • H10N35/01Manufacture or treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

一種金屬製的蓋子以及壓電裝置,可充分地進行密閉密封。本實施方式的金屬製的蓋子是通過共晶合金而與設置壓電元件的底板接合的金屬製的蓋子。而且,蓋子包括:第一面,具有:包含四邊的矩形形狀的外側頂面、從外側頂面的四邊彎折的外側壁面、及形成在比外側壁面更外側的凸緣外周端面;第二面,具有:與外側頂面平行的內側頂面、及與外側壁面平行的內側壁面,且第二面為配置壓電元件的一側;以及第三面,將凸緣外周端面與內側壁面連接,第三面通過共晶合金而與底板接合。而且,第三面包含:從所述第三面的一側的端至凸緣外周端面為止的第一曲率的第一曲面,以及從第三面的另一側的端至內側壁面為止的第二曲率的第二曲面。

Description

蓋子及壓電裝置
本發明是有關於一種對壓電元件進行密封的金屬製的蓋子。另外,本發明是有關於一種具有所述蓋子的壓電裝置。
使用晶體等壓電材料的壓電濾波器、壓電振動器、壓電振動片、壓電振盪器、加速度傳感器等壓電裝置,在範圍極廣的領域中得到利用。例如,在專利文獻1中公開有此種壓電裝置的一種。所述壓電裝置包含:板狀的底板與金屬蓋。而且,在底板的四周,具有由金屬膜形成的接合金屬膜。另外,金屬蓋是四周朝下方彎折的穹頂型的形狀,在四周形成有凸緣面。而且,接合金屬膜與凸緣面經密封。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2000-134055號公報
[發明所要解決的問題] 但是,在壓電裝置的密封的強度不足且已承受外壓等的情況下,有時在壓電裝置內與外部空氣之間發生洩漏。若使接合金屬膜及凸緣面變大,則底板與金屬製的蓋子的接合強度提升,但會導致壓電裝置的尺寸的大型化。因此,提供一種可充分地進行密閉密封的金屬製的蓋子。
[解決問題的技術手段] 本實施方式的金屬製的蓋子是通過共晶合金而與設置壓電元件的底板接合的金屬製的蓋子。而且,蓋子包括:第一面,具有:包含四邊的矩形形狀的外側頂面、從外側頂面的四邊彎折的外側壁面、及形成在比外側壁面更外側的凸緣外周端面;第二面,具有:與外側頂面平行的內側頂面、及與外側壁面平行的內側壁面,且第二面為與底板相向的一側;以及第三面,將凸緣外周端面與內側壁面連接,通過共晶合金而與底板接合。而且,第三面包含:從所述第三面的一側的端至凸緣外周端面為止的第一曲率的第一曲面,以及從第三面的另一側的端至內側壁面為止的第二曲率的第二曲面。
蓋子的第三面也可以在第一曲面與第二曲面之間包含:相對於底板平行的凸緣平面。另外,優選的是,第二曲面的第二曲率半徑為15μm~35μm。另外,優選的是,第一曲面的第一曲率半徑為5μm~20μm。
[發明的效果] 本發明的實施方式的金屬製的蓋子不導致大型化,可相對於底板提升接合強度。
以下,一邊參照圖式,一邊對本發明的實施方式進行說明。再者,用於說明的各圖,是以可理解這些發明的程度而概略性地表示,並以誇張的方式而描繪大小、角度或厚度等。另外,在用於說明的各圖中,對同樣的構成成分賦予相同的符號來表示,也存在省略其說明的情況。另外,以下的實施方式中所述的形狀、尺寸、材質等,只不過是本發明的範圍內的適宜例。
<壓電裝置100的結構> 圖1是壓電裝置100的分解立體圖。壓電裝置100包含:金屬製的蓋子110、陶瓷製的底板120、及壓電振動片130。壓電振動片130例如可使用AT切割或SC切割等的晶體振動片。在以下的說明中,以晶體振動片為代表進行說明,但可將本實施方式應用於晶體濾波器用的壓電片、使用晶體以外的壓電材料的壓電裝置。將壓電裝置100的長邊方向設為X軸方向,將壓電裝置100的高度方向設為Y軸方向,將與X軸方向及Y軸方向垂直的方向設為Z軸方向來進行說明。
在壓電裝置100中,在陶瓷製的底板120的+Y軸側的面,載置壓電振動片130。進而,以將壓電振動片130密封的方式,將金屬製的蓋子110載置在陶瓷製的底板120的+Y軸側的面。陶瓷製的底板120與金屬製的蓋子110,經由作為接合劑的共晶合金EA而接合。壓電裝置100是安裝在印刷基板等的表面安裝型的壓電裝置。在圖1中,作為接合劑的共晶合金EA以平板的框形狀來描繪,但共晶合金EA是設置在後述的凸緣面或接合金屬膜的至少一個。
金屬製的蓋子110由未圖示的模具按壓,而形成為箱型形狀,具有:朝+Y軸方向凹陷的凹部111。另外,金屬製的蓋子110包含:四塊壁板112,包圍凹部111;頂板113,與各壁板112的+Y軸側的邊接合;以及凸緣部114,以從壁板112朝外側彎折的方式,呈環狀地形成在各壁板112的-Y軸側的邊。
陶瓷製的底板120在俯視下為矩形形狀,包括:具有上下的主面的平板126。在陶瓷製的平板126的+Y軸側的面,形成有一對連接墊121。各連接墊121經由導電性黏接劑CA(參照圖3),而與壓電振動片130電性連接。另外,四個安裝端子124形成在陶瓷製的底板120的-Y軸側的面。在Y軸方向上貫穿的一對貫穿電極123(參照圖3),形成在陶瓷製的平板126。連接墊121與安裝端子124分別經由貫穿電極123、或經由配線電極122及貫穿電極123而電性連接。在本實施方式中,形成有四個安裝端子124。四個中的一個安裝端子124也可以是接地端子。壓電裝置100在安裝端子124處,通過焊料等而安裝在印刷基板等。
另外,外周側為框狀的接合金屬膜125,以包圍形成在陶瓷製的底板120的+Y軸側的面的電極的整體的方式,而形成在平板126的+Y軸側的面。所述框狀的接合金屬膜125與凸緣部114相向,接合金屬膜125與凸緣部114通過共晶合金EA來接合。框狀的接合金屬膜125從平板126的外周端126e的位置起以寬度W22來形成。框狀的接合金屬膜125的外周端與平板126的外周端126e的位置一致。連接墊121、配線電極122及框狀的接合金屬膜125通過絲網印刷等來形成。接合時的接合金屬膜125的厚度(Y軸方向)為10μm左右。另外,在第一實施方式中,以陶瓷製的底板進行了說明,但也可以是玻璃製或晶體製的底板。
壓電振動片130在+Y軸側及-Y軸側的面形成有激振電極131,引出電極132被從各激振電極131分別引出。從形成在壓電振動片130的+Y軸側的面的激振電極131將引出電極132朝-X軸側引出,進而經由壓電振動片130的-Z軸側的側面而將引出電極132朝-Y軸側的面引出。另外,被從形成在壓電振動片130的-Y軸側的面的激振電極131引出的引出電極132,是從激振電極131朝-X軸側延伸,進而經由壓電振動片130的+Z軸側的側面而被引出至+Y軸側的面為止。
圖2A是圖1的III-III剖面的金屬製的蓋子的剖面圖及凸緣部周邊的放大圖。金屬製的蓋子110是通過共晶合金EA而與底板120的上表面接合,用於對裝載在底板120的上表面的壓電振動片130進行氣密密封。
金屬製的蓋子110例如包含合金,且一體地形成,所述合金含有鐵、鎳、或鈷的至少任一個。金屬製的蓋子110對真空狀態或填充有氮氣等的凹部111進行氣密密封。頂板113在俯視下成為矩形形狀的平板狀,頂板113的主面的大小大於矩形形狀的壓電振動片130的主面的大小、且小於底板120的上表面的大小。在頂板113的下側,形成有由頂板113與四面的壁板112覆蓋的凹部111。
壁板112是用於在金屬製的蓋子110的下側形成凹部111,而沿著頂板113的外緣來設置。在凹部111內,收容了裝載在底板120上的壓電振動片130。凸緣部114是用於確保將金屬製的蓋子110與底板120接合的面積並提升接合強度。凸緣部114沿著壁板112的外周面,以環狀且從壁板112的下端朝外周側延長。
使用圖2A的放大圖,對已完成的金屬製的蓋子110的尺寸,特別是凸緣部114周邊的尺寸進行說明。如放大圖所示,頂板113包含:外側頂面113o及內側頂面113i。外側頂面113o與內側頂面113i相互平行。另外,壁板112包含:外側壁面112o及內側壁面112i。外側壁面112o及內側壁面112i相互平行。
從壁板112朝向凸緣部114的部分,朝外側彎曲成直角。在其彎曲角,在內側形成內側的彎折面117(第二曲面117)且在外側形成外側的彎折面118。內側的彎折面117是從內側壁面112i起延續的曲面,優選的是曲率大,以如後述那樣容易形成共晶合金EA的圓角。另外,彎折面118是從外側壁面112o至凸緣部114的外周端面114e為止的曲面,以金屬製的蓋子110的朝Z軸方向及Y軸方向的長度不變長的方式形成。即,凸緣部114的上側(+Y軸側)優選的是幾乎不存在平面區域(XZ平面)。
凸緣部114的下側(-Y軸側)形成有寬度W11的凸緣平面(XZ平面)115。從凸緣平面115的一側的端至凸緣部114的外周端面114e為止,形成第一曲率的第一曲面116。凸緣平面115的另一側的端與內側的彎折面117連接。在本實施方式中,金屬製的蓋子110中的與外部空氣接觸的外側面,包含外側頂面113o、外側壁面112o、外側的彎折面118及凸緣部114的外周端面114e。外側面之中,至少外側頂面113o及外側壁面112o成為第一面。金屬製的蓋子110之中,配置壓電振動片130的內側面(第二面)包含:內側頂面113i及內側壁面112i。另外,金屬製的蓋子110之中,通過共晶合金EA而與底板120接合的第三面包含:凸緣平面115、第一曲面116及內側的彎折面117(第二曲面117)。
假設在底板120的X軸方向的長度為0.80mm且將Z軸方向的長度設為0.60mm的情況下,凸緣平面115的寬度W11為0.03mm(30μm)~0.07mm(70μm),優選的是0.05mm左右。第一曲面116的曲率半徑R6為0.005mm(5μm)~0.020mm(20μm),優選的是0.012mm(12μm)左右為宜。內側的彎折面117的曲率半徑R7大概為凸緣平面115的寬度W11的1/2,其為0.015mm(15μm)~0.035mm(35μm),優選的是0.025mm(25μm)左右為宜。因此,從凸緣部114的外周端面114e至壁板112的內側壁面112i為止的寬度W15,優選的是0.050mm(50μm)~0.125mm(125μm)。
圖2B是圖1的III-III剖面的凸緣部周邊的放大圖,且為圖2A中所說明的凸緣部的變形例。圖2A中所示的凸緣部與圖2B中所示的凸緣部,在圖2B的凸緣部不具有凸緣平面115這一點上不同。即,凸緣部114的下側(-Y軸側)從凸緣部114的外周端面114e起形成第一曲率的第一曲面116,從所述第一曲面116起形成彎折面(第二曲面)117,所述彎折面117與內側壁面112i連接。第一曲面116的曲率半徑R6及彎折面117的曲率半徑R7,比圖2A所示的凸緣部的曲率半徑還大。另一方面,從凸緣部114的外周端面114e至壁板112的內側壁面112i為止的寬度W15,與圖2A的凸緣部相同。另外,金屬製的蓋子110的外側面也包含:外側頂面113o、外側壁面112o、外側的彎折面118及外周端面114e,這一點也相同。另外,金屬製的蓋子110的內側面也包含:內側頂面113i及內側壁面112i,這一點也相同。但是,由於彎折面117的曲率半徑R7變大,因此,內側壁面112i的長度略微變短。
此處,對金屬製的蓋子110的製作方法進行說明。金屬製的蓋子110的製作例如通過使用模具的按壓加工,對平板進行塑性加工來製作。利用一對模具夾住平板進行加壓,而形成頂板113、壁板112及凸緣部114,所述一對模具具有:成為與金屬製的蓋子110的凹部111相同的形狀的凸部與凹部。其後,尤其是,通過噴砂等,增大凸緣部114的周邊的彎折的曲率,並且去除按壓加工中所產生的毛刺(Burr)。第一曲面116的曲率半徑R6通過噴砂等而被精加工成5μm~20μm。另外,第二曲面117的曲率半徑R7通過利用按壓加工的彎折與噴砂等而被精加工成15μm~35μm。
圖3是圖1的壓電裝置的III-III剖面圖。壓電振動片130載置在陶瓷製的底板120的+Y軸側的面。壓電振動片130的引出電極132與陶瓷製的底板120的連接墊121,經由導電性黏接劑CA而電性連接。壓電振動片130的激振電極131經由配線電極122及貫穿電極123,而與安裝端子124電性連接。而且,框狀的接合金屬膜125從平板126的外周端126e至接合金屬膜125的內側的內側端125i為止,以寬度W22來形成。假設在底板120的X軸方向的長度為0.80mm且將Z軸方向的長度設為0.60mm的情況下,框狀的接合金屬膜125的寬度W22為0.06mm~0.08mm。安裝端子124從平板126的外周端126e起僅隔開寬度W24,例如0.02mm來形成。
金屬製的蓋子110的長度,即從凸緣部114的一側的外周端面114e至另一側的外周端面114e為止的長度,比從平板126的一側的外周端126e至另一側的外周端126e的長度還短。在圖3中所描繪的X軸方向上,金屬製的蓋子110的X軸方向的長度,比陶瓷製的底板120的X軸方向的長度還短了寬度W31的約2倍。若換一種說法,則寬度W31是從平板126的外周端126e至凸緣部114的外周端面114e為止的長度,在X軸方向中,底板120的外周端比金屬製的蓋子110的外周端更靠外側。
如上所述,金屬製的蓋子110的凸緣平面115的寬度W11為0.03mm(30μm)~0.07mm(70μm),優選的是0.05mm(50μm)左右。另一方面,框狀的接合金屬膜125的寬度W22為0.06mm(60μm)~0.08mm(80μm)。即,優選的是,框狀的接合金屬膜125的寬度W22比凸緣平面115的寬度W11還大。這是為了容易在金屬製的蓋子110的凸緣部114形成共晶合金EA的圓角(接合劑熔化所形成的下端變寬的形狀)。
此處,對金屬製的蓋子110的凸緣平面115的內側端與框狀的接合金屬膜125的內側端的位置關係進行說明。凸緣平面115的內側端115i與框狀的接合金屬膜125的內側端125i配置在大致相同的位置。或者,優選的是,框狀的接合金屬膜125的內側端125i比凸緣平面115的內側端115i更靠外側。這也是為了容易在金屬製的蓋子110的凸緣部114形成共晶合金EA的圓角,且為了容易在框狀的接合金屬膜125的內側端125i形成共晶合金EA的圓角。另外,為了成為此種位置關係,優選的是,從金屬製的蓋子110的內側壁面112i至外周端面114e為止的寬度W15,比接合金屬膜125的寬度W22還大。
圖4A與圖4B是圖3的金屬製的蓋子的凸緣面及底板的部分放大圖。圖4A是表示在金屬製的蓋子110的凸緣平面115設置有共晶合金EA,將所述金屬製的蓋子110載置在底板120之前的狀態的圖。圖4B是表示將所述金屬製的蓋子110載置在底板120之後的狀態的圖。雖然未圖示,但也可以在框狀的接合金屬膜125設置共晶合金EA,而不在金屬製的蓋子110的凸緣平面115設置共晶合金EA,也可以在兩方均設置共晶合金EA。
共晶合金EA具有:比將安裝端子124與外部電子機器等的外部基板連接時所使用的合金(例如無鉛焊料等)的250℃~280℃的熔點還高的熔點。作為共晶合金EA,例如,優選的是:鋅鋁(ZnAl)合金、金錫(AuSn)合金或銅錫(CuSn)合金,熔點為300℃(合金化後,熔點超過400℃的合金)。經設置的共晶合金EA的厚度D11例如為12μm~15μm。
當對金屬製的蓋子110與底板120進行密封時,將凸緣部114載置在框狀的接合金屬膜125,將金屬製的蓋子110與底板120放入規定的密封裝置。而且,若共晶合金EA熔化,則已熔化的共晶合金EA朝接合金屬膜125的外周方向流動,如圖4B所示,共晶合金EA的厚度D12變成10μm左右。另外,已熔化的共晶合金EA經由第一曲面116而登上凸緣部114的外周端面114e並形成共晶合金EA的圓角。另外,已熔化的共晶合金EA也登上內側的彎折面(第二曲面)117並形成共晶合金EA的圓角。另外,已熔化的共晶合金EA以被登上內側的彎折面(第二曲面)117的共晶合金EA拉扯的方式,也在接合金屬膜125的內側端125i形成共晶合金EA的圓角。因此,金屬製的蓋子110與框狀的接合金屬膜125被牢固地密封,壓電振動片130被密封在凹部111內。
如上所述,從凸緣部114的一側的外周端面114e至另一側的外周端面114e為止的長度,比從平板126的一側的外周端126e至另一側的外周端126e的長度僅短了寬度W31的2倍。若以X軸方向或Z軸方向的一側考慮,則寬度W31為框狀的接合金屬膜125的寬度W22的約1/2~1/4。因此,可以說,金屬製的蓋子110的長度,比陶瓷製的底板120的長度僅短了框狀的接合金屬膜125的寬度W22的約1倍~1/2。假設在底板120的X軸方向的長度為0.80mm且將Z軸方向的長度設為0.60mm的情況下,寬度W31優選的是0.04mm(40μm)~0.01mm(10μm),進而,寬度W31更優選的是0.03mm(30μm)~0.02mm(20μm)。更優選的是,寬度W31為0.025mm(25μm)左右。
繼而,對從框狀的接合金屬膜125的內側端125i至金屬製的蓋子110的內側壁面112i為止的寬度W33進行說明。如上所述,優選的是,框狀的接合金屬膜125的內側端125i為與凸緣平面115的內側端115i大致相同的位置或更外側。因此,從框狀的接合金屬膜125的內側端125i至金屬製的蓋子110的內側壁面112i為止的寬度W33,比從平板126的外周端126e至凸緣部114的外周端面114e為止的寬度W31還長。
本實施方式中所示的底板在四角未形成城堡形電極(castellation electrode),但即便是形成有城堡形電極的底板,也可以應用本實施方式。另外,本實施方式也可以應用於將上部陶瓷板與下部陶瓷板組合並具有貫穿電極與城堡形電極的底板。
100:壓電裝置 110:金屬製的蓋子 111:凹部 112:壁板 112i:內側壁面 112o:外側壁面 113:頂板 113i:內側頂面 113o:外側頂面 114:凸緣部 114e:凸緣外周端面 115:凸緣平面 116:第一曲面 117:第二曲面(內側的彎折面) 118:外側的彎折面 120:陶瓷製的底板 121:連接墊 122:配線電極 123:貫穿電極 124:安裝端子 125:框狀的金屬膜(接合金屬膜) 125i:內側端 126:陶瓷製的平板 126e:外周端 130:壓電振動片 131:激振電極 132:引出電極 CA:導電性黏接劑 D11、D12:共晶合金的厚度 EA:共晶合金 R6:第一曲面的曲率半徑 R7:彎折面的曲率半徑 W11:凸緣平面的寬度 W15:從凸緣部的外周端面至壁板的內側壁面為止的寬度 W22:接合金屬膜的寬度 W24:寬度 W31:從外周端至外周端面為止的寬度 W33:從內側端至內側壁面為止的寬度 X、Y、Z:方向
圖1是壓電裝置100的分解立體圖。 圖2A是金屬製的蓋子的剖面圖與其部分放大圖。 圖2B是金屬製的蓋子的部分放大圖,且為圖2A的變形例。 圖3是壓電裝置的剖面圖。 圖4A與圖4B是接合金屬膜及凸緣面的放大剖面圖。
112:壁板
112i:內側壁面
112o:外側壁面
113:頂板
113i:內側頂面
113o:外側頂面
114:凸緣部
114e:凸緣外周端面
116:第一曲面
117:第二曲面(內側的彎折面)
118:外側的彎折面
R6:第一曲面的曲率半徑
R7:彎折面的曲率半徑
W15:從凸緣部的外周端面至壁板的內側壁面為止的寬度

Claims (6)

  1. 一種蓋子,其是通過共晶合金而與設置壓電元件的底板接合的金屬製的蓋子,其特徵在於,包括: 第一面,具有:包含四邊的矩形形狀的外側頂面、從所述外側頂面的四邊彎折的外側壁面、及形成在比所述外側壁面更外側的凸緣外周端面; 第二面,具有:與所述外側頂面平行的內側頂面、及與所述外側壁面平行的內側壁面,且所述第二面為與所述底板相向的一側;以及 第三面,將所述凸緣外周端面與所述內側壁面連接,所述第三面通過所述共晶合金而與所述底板接合; 其中,所述第三面包含: 從所述第三面的一側的端至所述凸緣外周端面為止的第一曲率的第一曲面;以及 從所述第三面的另一側的端至所述內側壁面為止的第二曲率的第二曲面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的蓋子,其中, 所述第三面在所述第一曲面與所述第二曲面之間包含:相對於所述底板平行的凸緣平面。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的蓋子,其中, 所述第二曲面的第二曲率半徑為15μm~35μm。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的蓋子,其中, 所述第一曲面的第一曲率半徑為5μm~20μm。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的蓋子,其中, 所述第一曲面的第一曲率半徑為5μm~20μm。
  6. 一種壓電裝置,包括: 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的蓋子;以及 底板,載置壓電振動片。
TW108131770A 2018-09-04 2019-09-04 蓋子及壓電裝置 TW202011691A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-164986 2018-09-04
JP2018164986A JP2020039039A (ja) 2018-09-04 2018-09-04 キャップ及び圧電デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202011691A true TW202011691A (zh) 2020-03-16

Family

ID=69639469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108131770A TW202011691A (zh) 2018-09-04 2019-09-04 蓋子及壓電裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20200075836A1 (zh)
JP (1) JP2020039039A (zh)
CN (1) CN110875725A (zh)
TW (1) TW202011691A (zh)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302311A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Yamaha Corp 半導体装置用パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
JP2011147054A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Seiko Epson Corp 電子装置、および、電子装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020039039A (ja) 2020-03-12
CN110875725A (zh) 2020-03-10
US20200075836A1 (en) 2020-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI667879B (zh) 壓電振動件和模組構件及其等之製造方法
JP4955786B2 (ja) 表面実装型の圧電デバイス
JPH10256867A (ja) 振動子とその製造方法とその振動子を用いた電子機器
JP5991452B2 (ja) 水晶振動装置及びその製造方法
JP2009044753A (ja) 圧電発振器
TW202011691A (zh) 蓋子及壓電裝置
TW202010244A (zh) 壓電裝置
JP2008252442A (ja) 圧電振動デバイスの製造方法
JP2005353885A (ja) 電子デバイスの製造方法
JP2010166626A (ja) 圧電デバイス
JP2002084159A (ja) 表面実装型圧電振動子
JP2008312265A (ja) 圧電発振器
JP2009207068A (ja) 圧電デバイス
JP6741434B2 (ja) 圧電デバイスの製造方法
JP2006005019A (ja) 電子デバイスの製造方法
JP2020043438A (ja) キャップ及び圧電デバイス
WO2022130670A1 (ja) 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法
JP5123081B2 (ja) 電子部品用の蓋体及び圧電振動子並びに圧電発振器
US11736089B2 (en) Quartz crystal resonator unit and method of manufacturing the same
JP5123080B2 (ja) 電子部品用の蓋体及び圧電振動子並びに圧電発振器
JP5053058B2 (ja) 圧電振動子の製造方法及び圧電発振器の製造方法
JP2017103394A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2008011309A (ja) 圧電発振器
JP2017112544A (ja) 圧電振動子
TW202034546A (zh) 壓電器件