TW202007946A - 容器載置裝置、半導體製造裝置以及容器內環境氣體之控制方法 - Google Patents

容器載置裝置、半導體製造裝置以及容器內環境氣體之控制方法 Download PDF

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Abstract

[課題]防止收容物或周邊裝置因位於容器內或從容器內所流出的腐蝕性氣體而承受損害。 [解決手段]一種容器載置裝置，其具有：載置部，係載置已收容收容物之容器；框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口；門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋；門驅動機構，係驅動該門；內側氣體排氣單元，係被設置於該框開口之內部側的下方，並從經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境內排出氣體；以及腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於從該框開口至該內側氣體排氣單元之間或該內側氣體排氣單元的排氣流路內。

Description

容器載置裝置、半導體製造裝置以及容器內環境氣體之控制方法
本發明係有關於一種可載置容器之容器載置裝置等。
在半導體之製程，係將容器載置於容器載置裝置之載置台，再將半導體晶圓等之收容物交給EFEM(Equipment Front End Module)或處理室。又，在處理室已被進行既定處理之收容物係經由EFEM再被收容於容器內。又，在容器內，係為了防止在保管中之收容物的氧化等，提議一種從容器載置裝置導入惰性氣體等之潔淨化氣體的技術。進而，為了實現高效率且安全之容器的潔淨化，亦提議一種設置回收多餘氣體之排氣單元的技術(參照專利文獻1)。
另一方面，在容器內，與氧氣係相異之氯、溴、氟、氨或這些之離子等之腐蝕性氣體的濃度高，因這些腐蝕性氣體，而有容器內部之收容物的品質降低，或對容器周邊之電子元件給與損害的情況。容器內之腐蝕性氣體係被認為有經由EFEM從處理室流入者、或從處理後之收容物產生者。這些腐蝕性氣體係既使比氧氣微量，亦因為對收容物等會給與影響，所以在以往之潔淨化氣體的導入步驟係有無法高效率地除去的情況，而成為問題(參照專利文獻2)。 [先行專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利第6198043號專利說明書 [專利文獻2] 日本特開2003－45933號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係鑑於這種實況，其目的在於提供一種容器載置裝置等，該容器載置裝置係可防止收容物或周邊裝置因位於容器內或從容器內所流出的腐蝕性氣體而承受損害。 [解決課題之手段]
為了達成該目的，本發明之第1觀點的容器載置裝置係具有： 載置部，係載置已收容收容物之容器； 框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口； 門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋； 門驅動機構，係驅動該門； 內側氣體排氣單元，係被設置於該框開口之內部側的下方，並從經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境內排出氣體；以及 腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於從該框開口至該內側氣體排氣單元之間或該內側氣體排氣單元的排氣流路內。
本發明之第1觀點的容器載置裝置係具有被配置於適當之位置的腐蝕性氣體偵測感測器，而可檢測出或推測容器內之腐蝕性氣體濃度。即，被配置成接近框開口之腐蝕性氣體偵測感測器係檢測出從容器內所導出之氣體，實質上可檢測出容器內之氣體的腐蝕性氣體濃度，又，即使未接近框開口，亦從在從框開口至內側氣體排氣單元之間或該內側氣體排氣單元的流路內所配置之腐蝕性氣體偵測感測器的檢測結果，可推測容器內之氣體的腐蝕性氣體濃度。因此，這種容器載置裝置係藉由進行與容器內之腐蝕性氣體濃度之檢測結果對應的潔淨化處理等，可防止收容物或周邊裝置因腐蝕性氣體而承受損害。
又，例如，亦可該腐蝕性氣體偵測感測器係被安裝於該門。
在容器經由主開口及框開口與微環境連接之狀態，門係移至接近框開口之位置，且不會阻撓收容物之搬運的位置。因此，藉由將腐蝕性氣體偵測感測器配置於門，這種容器載置裝置係可適當地測量腐蝕性氣體偵測感測器所測量之腐蝕性氣體濃度。又，藉由將腐蝕性氣體偵測感測器設置於門本身，亦可避免在框開口周邊移動之門與腐蝕性氣體偵測感測器發生干涉的問題。
又，例如，本發明之第2觀點的容器載置裝置係具有： 載置部，係載置已收容收容物之容器； 框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口； 門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋； 門驅動機構，係驅動該門；以及 腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於比在該載置部所載置之容器下方且比該載置部上方之第1空間及包圍該框開口之外部側的外周周邊之第2空間的至少一方。
本發明之第2觀點的容器載置裝置係具有被配置於適當之位置的腐蝕性氣體偵測感測器，可檢測出從容器向外部流出的腐蝕性氣體。即，在載置工作台之周邊的第1空間或框開口與容器之主開口的連接部分之周邊的第2空間所配置之腐蝕性氣體偵測感測器係因為可適當地檢測出從容器向外部流出的腐蝕性氣體，所以藉由進行與容器內之腐蝕性氣體濃度之檢測結果對應的潔淨化處理等，可防止來自容器之腐蝕性氣體的流出，而可防止周邊裝置等因腐蝕性氣體而承受損害。又，來自容器之腐蝕性氣體的流出係因為與容器內之腐蝕性氣體濃度亦有關，所以防止容器內之腐蝕性氣體濃度過度地上升，可防止收容物因腐蝕性氣體而承受損害。
又，例如，亦可第2觀點的容器載置裝置係具有排出該第1空間及該第2空間中至少一方之氣體的外側氣體排氣單元。
這種容器載置裝置係抑制從容器所流出的氣體擴散，而且排出從容器所流出的腐蝕性氣體，而可防止從容器所流出的腐蝕性氣體對周邊裝置等給與損害。
又，例如，本發明之第3觀點的容器載置裝置係具有： 載置部，係載置已收容收容物之容器； 框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口； 門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋； 門驅動機構，係驅動該門； 底沖洗導出噴嘴，係與該容器之底孔連接，並從該容器內排出氣體；以及 腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於該底沖洗導出噴嘴的排氣流路內。
本發明之第3觀點的容器載置裝置係藉在底沖洗導出噴嘴的排氣流路內所設置之腐蝕性氣體偵測感測器，可檢測出容器內之氣體的腐蝕性氣體濃度。因此，這種容器載置裝置係藉由進行與容器內之腐蝕性氣體濃度之檢測結果對應的潔淨化處理等，可防止收容物或周邊裝置因腐蝕性氣體而承受損害。
又，例如，亦可本發明之第1~第3觀點的容器載置裝置係具有前沖洗噴嘴，該前沖洗噴嘴係被設置成與該門係獨立，並從經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境內，經由該主開口及該框開口，向該容器內導入潔淨化氣體。 又，例如，亦可本發明之第1~第3觀點的容器載置裝置係具有底沖洗導入噴嘴，該底沖洗導入噴嘴係與該容器之底孔連接，並向該容器內導入潔淨化氣體。
這種容器載置裝置係可因應於藉腐蝕性氣體偵測感測器所檢測出之容器內的腐蝕性氣體濃度等，對容器實施適當且高效率的潔淨化處理。
又，例如，亦可本發明之第1~第3觀點的容器載置裝置係具有控制部，該控制部係輸入該腐蝕性氣體偵測感測器之檢測結果之關於腐蝕性氣體濃度的資訊，並控制該門驅動機構； 亦可該控制部係在確認該腐蝕性氣體濃度低於既定值後，關閉該主開口及該框開口。 又，本發明之容器內環境氣體的控制方法係藉具有這種控制部之容器載置裝置之容器內環境氣體的控制方法， 在該容器經由該主開口及該框開口與該微環境連接之狀態，藉該腐蝕性氣體偵測感測器檢測出腐蝕性氣體濃度； 在檢測出該腐蝕性氣體濃度是既定值以下的情況，該控制部控制該門驅動機構，關閉該主開口及該框開口。
這種容器載置裝置及容器內環境氣體之控制方法係在腐蝕性氣體濃度高之狀態容器被密閉，而可防止收容物因容器內之腐蝕性氣體而承受損害的問題。
又，本發明之半導體製造裝置係具有： 上述任一種容器載置裝置； EFEM，係設置該容器載置裝置，並在內部形成經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境；以及 處理裝置本體部，係與該EFEM連接，並具有處理室，該處理室係對通過該微環境所搬運之該容器內的該收容物進行處理。
這種半導體製造裝置係藉由進行與容器內之腐蝕性氣體濃度之檢測結果對應的潔淨化處理等，可防止收容物或周邊裝置因腐蝕性氣體而承受損害。
以下，根據圖面所示之實施形態，說明本發明。 圖1係表示本發明之第1實施形態之包含容器載置裝置10之半導體製造裝置90的示意圖。半導體製造裝置90係設置容器載置裝置10，並具有：EFEM60，係在內部形成微環境60a；及處理裝置本體部70，係具有處理室70a。
EFEM60係具有風扇過濾單元(FFU)62或搬運機器人64。在EFEM60之內部所形成的微環境60a，係經由容器2之主開口2c及容器載置裝置10之框開口11a與在容器載置裝置10所載置之容器2連接，微環境60a內係藉風扇過濾單元62形成降流，而對在半導體工廠內的半導體製造裝置90之外的空間，保持潔淨度高之狀態。
搬運機器人64係搬運作為在容器2內所收容之收容物的晶圓1。搬運機器人64係將晶圓1從容器2通過微環境60a後搬運至處理室70a，又，將處理後之晶圓1從處理室70a通過微環境60a後搬運至容器2。此外，作為在容器2內所收容之收容物，係不僅在半導體製造所使用之矽晶圓，而且包含如其他的半導體基板、或在液晶面板製造所使用的玻璃基板之成為處理對象之其他的材料。
具有處理室70a之處理裝置本體部70係與EFEM60連接。在處理裝置本體部70內所形成之處理室70a係與在EFEM60內所形成之微環境60a連接。在處理室70a，係對通過微環境60a所搬運之晶圓1，實施各種處理(半導體處理等)。
如圖1所示，被設置成EFEM60之一部分的容器載置裝置10係具有：載置部12，係載置已收容晶圓1之容器2；框部11，係被立設成與載置部12鄰接；以及門16等，係開閉在框部11所形成之框開口11a及容器2之蓋4。此外，在圖面，Y軸係在載置部12之可動工作台14的移動方向，Z軸係鉛垂方向之上下方向，X軸係與這些Y軸及Z軸垂直的方向。
在容器載置裝置10的載置部12，係可拆裝自如地載置容器2。作為容器2，列舉前開式晶圓傳送盒(FOUP，Front Opening Unified Pod)或前開式晶圓出貨盒(FOSB)等，但是無特別地限定，亦可將搬運晶圓1之其他的搬運容器等用作容器2。
容器2係具有：筐體，係具有在側面之一形成主開口2c的箱形形狀；及蓋4，係關閉主開口2c。蓋4係對主開口2c拆裝自如，如圖1所示，藉由打開蓋4，可取出容器2內之晶圓1，或將處理後之晶圓1收容於容器內。又，藉蓋4關閉容器2之主開口2c，藉此，可在容器2內以密封狀態保管晶圓1，或在容器2內以密封狀態收容晶圓1，並搬運晶圓1。
容器載置裝置10係用以一面將在容器2之內部所收容的晶圓1維持潔淨狀態，一面移載至微環境60a及處理室70a的介面裝置。如圖1所示，容器載置裝置10之門16係可與容器2之蓋4卡合。又，容器載置裝置10係具有驅動門16之門驅動機構17。門驅動機構17係可進行門16之移動、或門16與蓋4之卡合、卡合之解除的切換。門驅動機構17係由驅動門16之馬達或氣壓缸等所構成，門驅動機構17的構成係無特別地限定。
容器載置裝置10之框部11係構成EFEM60之壁的一部分。在框部11，係形成框開口11a。門16係藉門驅動機構17驅動，藉此可在關閉位置(未圖示)與打開位置(參照圖1)之間移動，該關閉位置係關閉框開口11a的位置，該打開位置係打開框開口11a，並連接容器2內之空間與微環境60a的位置。
門16係在關閉位置與容器2之蓋4卡合，藉由與蓋4一起在關閉位置與打開位置之間移動，隨著開閉框開口11a而開閉蓋4。門16之打開位置係以不會妨礙搬運機器人64之對晶圓1的搬運的方式被設定於框開口11a之下方。但，門16之打開位置係只要是不妨礙搬運機器人64之對晶圓1之搬運的位置，被設定於任何位置都可。
容器載置裝置10之載置部12係具有固定台13與可動工作台14。可動工作台14係被設置於固定台13之上，容器2係藉OHT等之搬運手段(未圖示)，被載置於可動工作台14之上。可動工作台14係可沿著Y軸方向進行往復移動。即，可動工作台14係可自圖1所示之狀態移至遠離框開口11a之位置，在停在遠離框開口11a之位置時，載置容器2。又，如圖1所示，藉由可動工作台14接近框部11，所載置之容器2的蓋4可與塞住框開口11a之門16卡合。
容器載置裝置10係具有前沖洗噴嘴20，該前沖洗噴嘴20係被配置於微環境60a，並從微環境60a內將潔淨化氣體導入容器2內。前沖洗噴嘴20係被設置成與門16係獨立。本實施形態之前沖洗噴嘴20係被設置於是框部11之內部側(微環境60a側)且框開口11a之外周側方(參照圖5)。
在前沖洗噴嘴20，係經由未圖示之配管部被供給潔淨化氣體。如在圖1以空白箭號所示，前沖洗噴嘴20係從經由主開口2c及框開口11a連接容器2的微環境60a內，朝向容器2釋出潔淨化氣體。以前沖洗噴嘴20所釋出之潔淨化氣體係經由主開口2c及框開口11a，被導入容器2內。作為從前沖洗噴嘴20所釋出之潔淨化氣體，可使用如CDA或氮氣之惰性氣體等，使用氮氣較佳，但是無特別地限定。
如圖1所示，容器載置裝置10係具有從經由主開口2c及框開口11a連接容器2之微環境60a排出氣體的內側氣體排氣單元26。內側氣體排氣單元26係被設置於框開口11a之內部側且框開口11a之外周下方。內側氣體排氣單元26係具有：開口26b，係與框開口11a一樣地向微環境60a打開；內側氣體排氣流路26a，係與開口26b連接，並排出微環境60a之氣體；以及閥26c，係切換內側氣體排氣流路26a與外部配管之連接。
內側氣體排氣單元26係對半導體工廠之如排氣系統的外部配管，經由閥26c連接為佳，這種內側氣體排氣單元26係可進行藉吸力或壓力差(負壓)之強迫性之氣體的排氣。又，亦可內側氣體排氣單元26係藉由變更閥26c之打開量等，可調整排氣性能。閥26c之開閉及打開量之變更係由控制部28所控制。但，作為內側氣體排氣單元26，係不限定為強迫排出氣體者，亦可是從微環境60a自動排出氣體者。
又，內側氣體排氣單元26係在容器2經由主開口2c及框開口11a與微環境60a連接之狀態，如在圖1以平行箭號所示，可排出容器2內之氣體。尤其，與藉前沖洗噴嘴20之對容器2之潔淨化氣體的導入平行地進行藉內側氣體排氣單元26的排氣，藉此，從容器2所推出之氣體易向內側氣體排氣單元26之開口26b流動，而內側氣體排氣單元26係可有效地排出容器2內的氣體。
如圖1所示，容器載置裝置10係具有腐蝕性氣體偵測感測器30，該腐蝕性氣體偵測感測器30係被配置於從框開口11a至內側氣體排氣單元26之間，即從內側氣體排氣單元26之開口26b排出從容器2所推出之氣體的路徑上。在第1實施形態之容器載置裝置10，腐蝕性氣體偵測感測器30係被設置於容器載置裝置10之內側面(微環境60a側之面)且內側氣體排氣單元26之開口26b的周邊。但，腐蝕性氣體偵測感測器30之配置係不限定為此，亦可被配置於從容器2之主開口2c至內側氣體排氣單元26之間之其他的位置，或者是內側氣體排氣單元26之排氣流路的內側氣體排氣流路26a內。
作為腐蝕性氣體偵測感測器30，係只要是檢測出腐蝕性氣體G者，無特別地限定，但是是對氯(Cl)、溴(Br)、氟(F)、鉀(K)、鹽酸(HCl)、溴化氫(HBr)、氨(NH3 )、硫酸(H2 SO4 )以及這些之離子(銨離子(NH4 ＋ )、硫酸離子(SO4 2 － )等)中至少一種檢測出氣體中之濃度者為佳，氯氣感測器尤其佳。
容器載置裝置10係具有控制門驅動機構17、可動工作台14、前沖洗噴嘴20以及內側氣體排氣單元26之控制部28。控制部28係藉由驅動門驅動機構17及可動工作台14，控制門16及容器2之移動，且可使藉前沖洗噴嘴20之潔淨化氣體的釋出或藉內側氣體排氣單元26之氣體的排氣開始及停止。
又，在控制部28，係輸入是腐蝕性氣體偵測感測器30的檢測結果之關於腐蝕性氣體濃度的資訊。以下，說明藉容器載置裝置10之容器內環境氣體的控制方法之一例。例如，控制部28係在容器2經由主開口2c及框開口11a與微環境60a連接之狀態，藉腐蝕性氣體偵測感測器檢測出腐蝕性氣體。作為藉腐蝕性氣體偵測感測器30所偵測之腐蝕性氣體G，係想到從處理室70a流入微環境60a者、或從在微環境60a內搬運中的晶圓1或容器2內所收容之已處理的晶圓1所產生的排氣(outgas)等。
又，控制部28係在是腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果的腐蝕性氣體濃度是既定值以上的情況，藉由使藉前沖洗噴嘴20之潔淨化氣體之每單位時間的釋出量增加、或使藉內側氣體排氣單元26之每單位時間的氣體排氣量增加，可提高來自微環境60a或容器2之腐蝕性氣體的排出速度。
又，控制部28係在確認所檢測出之腐蝕性氣體濃度低於既定值後，可將門驅動機構17控制成門16移動，而關閉框開口11a及主開口2c。又，控制部28係在所檢測出之腐蝕性氣體濃度是既定值以上的情況，維持容器2經由主開口2c及框開口11a與微環境60a連接之狀態，並可使藉前沖洗噴嘴20之潔淨化氣體的釋出等繼續至腐蝕性氣體濃度低於既定值。藉此，容器載置裝置10係防止在腐蝕性氣體濃度高之狀態的容器2內密封晶圓1的問題，而可防止容器2內之晶圓1承受腐蝕性氣體所造成之損害的問題。
如以上所示，第1實施形態之容器載置裝置10係檢測出從容器2內所導出之氣體，實質上可檢測出容器2內之氣體的腐蝕性氣體濃度，或可推測容器2內之氣體的腐蝕性氣體濃度。因此，容器載置裝置10係藉由進行與容器2內之腐蝕性氣體濃度之檢測結果對應的潔淨化處理等，可防止收容物或周邊裝置因腐蝕性氣體而承受損害的問題。又，容器載置裝置10係在檢測出容器2內之腐蝕性氣體濃度低的情況，縮短潔淨化處理之時間等，以提高生產效率。 第2實施形態
圖2係表示本發明之第2實施形態之容器載置裝置110及包含EFEM160之半導體製造裝置190的示意圖。第2實施形態之半導體製造裝置190係除了在容器載置裝置110之腐蝕性氣體偵測感測器30的配置與圖1所示之半導體製造裝置90係相異以外，與第1實施形態之半導體製造裝置90相同。因此，關於第2實施形態之容器載置裝置110及半導體製造裝置190，係僅說明與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90的相異點，關於共同點係省略說明。
如圖2所示，容器載置裝置110之腐蝕性氣體偵測感測器30係被安裝於門16的上部。在容器載置裝置110，腐蝕性氣體偵測感測器30係與門16一起移動，在門16位於打開位置時，位於從框開口11a至內側氣體排氣單元26之間。因此，圖2所示之腐蝕性氣體偵測感測器30係在門16位於打開位置時，可適合地檢測出容器2內之腐蝕性氣體濃度。又，在門16之上部所安裝的腐蝕性氣體偵測感測器30係在門16位於打開位置時，接近框開口11a，因為位於從容器2所推出之氣體易接觸的位置，所以可更適合地檢測出容器2內之腐蝕性氣體濃度。
又，在門16之上部所安裝的腐蝕性氣體偵測感測器30係不會妨礙門16之移動、或藉搬運機器人64之往容器2之晶圓1的出入。此外，第2實施形態之容器載置裝置110及半導體製造裝置190係具有與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90相同之效果。 第3實施形態
圖3係表示本發明之第3實施形態之容器載置裝置210及包含EFEM260之半導體製造裝置290的示意圖。第3實施形態之半導體製造裝置290係除了在容器載置裝置210之腐蝕性氣體偵測感測器30的配置與圖1所示之半導體製造裝置90相異以外，與第1實施形態之半導體製造裝置90相同。因此，關於第3實施形態之容器載置裝置210及半導體製造裝置290，係僅說明與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90的相異點，關於共同點係省略說明。
如圖3所示，容器載置裝置210之腐蝕性氣體偵測感測器30係被安裝於門16的下部。在容器載置裝置210，腐蝕性氣體偵測感測器30係與門16一起移動，在門16位於是在打開位置與關閉位置之中間的測量位置時，位於從框開口11a至內側氣體排氣單元26之間。因此，圖3所示之腐蝕性氣體偵測感測器30係在門16位於圖3所示之測量位置時，可適合地檢測出容器2內之腐蝕性氣體濃度。
容器載置裝置210之控制部28係例如在藉搬運機器人64之晶圓1的搬運結束後，控制門驅動機構17，使門16從打開位置移至測量位置，再藉腐蝕性氣體偵測感測器30檢測出腐蝕性氣體。門16之測量位置係不會阻礙藉前沖洗噴嘴20之往容器2內之潔淨化氣體的導入及藉內側氣體排氣單元26之來自容器2之氣體之排出的位置為佳，例如，從X軸方向觀察時，可設定於將前沖洗噴嘴20夾在門16與框開口11a之間的位置。藉由將門16配置於如圖3所示之測量位置，可將前沖洗噴嘴20所釋出之潔淨化氣體高效率地導引至容器2內。
又，在門16所安裝的腐蝕性氣體偵測感測器30係不會妨礙門16之移動、或藉搬運機器人64之往容器2之晶圓1的出入。此外，第3實施形態之容器載置裝置210及半導體製造裝置290係具有與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90相同之效果。 第4實施形態
圖4係表示本發明之第4實施形態之容器載置裝置310及包含EFEM360之半導體製造裝置390的示意圖。第4實施形態之半導體製造裝置390係除了在容器載置裝置310之腐蝕性氣體偵測感測器30的配置與圖1所示之半導體製造裝置90相異、及具有替代圖1所示的內側氣體排氣單元26之作為外側氣體排氣單元之載置部氣體排氣單元32上相異以外，與第1實施形態之半導體製造裝置90相同。因此，關於第4實施形態之容器載置裝置310及半導體製造裝置390，係僅說明與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90的相異點，關於共同點係省略說明。
如圖4所示，容器載置裝置310之腐蝕性氣體偵測感測器30係被配置於比在載置部12所載置之容器2下方並比載置部12上方的第1空間P1。在第1空間P1所配置之腐蝕性氣體偵測感測器30係檢測出從容器2向外部(微環境60a及容器2之外)所流出的腐蝕性氣體。腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果係被輸入容器載置裝置310的控制部28。
如在第1實施形態所述，腐蝕性氣體係在處理室70a、微環境60a以及容器2內所產生，但是有從容器2與框部11之連接部分向外部流出的情況。微環境60a內之空間係為了防止來自外部之氣體的侵入以提高潔淨度，而有對外部被設定成正壓的情況，微環境60a或容器2內之腐蝕性氣體有與其他的氣體一起向第1空間P1易流出的傾向。在第1空間P1所配置之腐蝕性氣體偵測感測器30係檢測出這種腐蝕性氣體。
圖4所示之容器載置裝置310係具有排出第1空間P1之氣體的載置部氣體排氣單元32。載置部氣體排氣單元32係具有向載置部12之上面開口之開口32a，與開口32a相連之排氣流路經由閥32b與半導體工廠之排氣系統連接。藉此，這種載置部氣體排氣單元32係可利用吸力或壓力差(負壓)進行強迫性之氣體的排氣。又，亦可載置部氣體排氣單元32係與內側氣體排氣單元26一樣，藉由變更閥32b之打開量等，可調整排氣性能。
容器載置裝置310之控制部28係驅動載置部氣體排氣單元32之閥32b，可控制藉載置部氣體排氣單元32之排氣的開始及停止。例如，控制部28係藉腐蝕性氣體偵測感測器30檢測出第1空間P1之腐蝕性氣體時，驅動載置部氣體排氣單元32，可從第1空間P1排出腐蝕性氣體。藉此，容器載置裝置310係可防止載置部12之構成元件等因腐蝕性氣體而承受損害。
又，亦可容器載置裝置310之控制部28係在藉腐蝕性氣體偵測感測器30檢測出第1空間P1之腐蝕性氣體的情況，使來自前沖洗噴嘴20之潔淨化氣體的釋出量增加等，使容器2內之潔淨化處理開始或加強。這是由於認為來自容器2之腐蝕性氣體的流出係與容器2內之腐蝕性氣體濃度的上升亦有關。藉此，容器載置裝置310係防止容器2內之腐蝕性氣體濃度過度地上升，而可防止晶圓1因腐蝕性氣體而承受損害。
此外，第4實施形態之容器載置裝置310及半導體製造裝置390係具有與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90相同之效果。 第5實施形態
圖5係表示本發明之第5實施形態的容器載置裝置410之從上方之主要部的剖面圖。第5實施形態之容器載置裝置410係除了腐蝕性氣體偵測感測器30的配置不是第1空間P1，而被配置於第2空間P2，與作為外側氣體排氣單元不是載置部氣體排氣單元32而具有框側方氣體排氣單元36上相異以外，與第4實施形態之容器載置裝置310相同。因此，關於第5實施形態之容器載置裝置410，係僅說明與第4實施形態之容器載置裝置310的相異點，關於共同點係省略說明。
如圖5所示，容器載置裝置410之腐蝕性氣體偵測感測器30係被配置於包圍框開口11a之外部側(與是內部側之微環境60a側係相反側)之外周周邊的第2空間P2。容器載置裝置410之腐蝕性氣體偵測感測器30係被安裝於例如容器載置裝置410的外側面(與微環境60a係相反側的面)且框開口11a的側方位置。在第2空間P2所配置之腐蝕性氣體偵測感測器30係與第4實施形態之腐蝕性氣體偵測感測器30一樣，檢測出從容器2向外部(微環境60a及容器2之外)所流出的腐蝕性氣體。腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果係被輸入容器載置裝置410的控制部28(參照圖4等)。
微環境60a或容器2內之腐蝕性氣體係有與其他的氣體一起向第2空間P2流出的情況，在第2空間P2所配置之腐蝕性氣體偵測感測器30係檢測出這種腐蝕性氣體。
圖5所示之容器載置裝置410係具有排出第2空間P2之氣體的框側方氣體排氣單元36。框側方氣體排氣單元36係被設置於容器2之兩側方，並具有開口成與容器2和框部11之連接部分相對向的開口36a。又，與在框側方氣體排氣單元36之開口36a相連之排氣流路與半導體工廠之排氣系統連接，框側方氣體排氣單元36係可利用吸力或壓力差(負壓)進行強迫性之氣體的排氣。又，亦可框側方氣體排氣單元36係與內側氣體排氣單元26一樣，藉由變更位於與排氣系統之連接位置之閥的打開量等，控制部28可調整排氣性能。此外，在圖5所示之容器載置裝置410，框側方氣體排氣單元36係被設置於2處，腐蝕性氣體偵測感測器30係被設置於一處，但是框側方氣體排氣單元36及腐蝕性氣體偵測感測器30之設置位置及設置個數係不限定為此，亦可是一個，亦可是3個以上。
容器載置裝置410之腐蝕性氣體偵測感測器30係與圖4所示之容器載置裝置310的腐蝕性氣體偵測感測器30一樣，由容器載置裝置410之控制部28所控制。
此外，第5實施形態之容器載置裝置410係具有與第4實施形態之容器載置裝置310相同之效果。此外，圖4及圖5所示之容器載置裝置310、410係僅在第1空間P1與第2空間P2之其中一方配置腐蝕性氣體偵測感測器30，但是作為本發明之容器載置裝置，係不限定為此。容器載置裝置係只要具有在第1空間P1及第2空間P2之至少一方所配置的腐蝕性氣體偵測感測器30即可，例如，亦可在第1空間P1與第2空間P2之雙方配置腐蝕性氣體偵測感測器30。又，關於外側氣體排氣單元亦一樣。 第6實施形態
圖6係表示本發明之第6實施形態之容器載置裝置510及包含EFEM560之半導體製造裝置590的示意圖。第6實施形態之半導體製造裝置590係除了在容器載置裝置510之腐蝕性氣體偵測感測器30的配置與圖1所示之半導體製造裝置90相異、具有替代圖1所示之內側氣體排氣單元26的底沖洗導出噴嘴22、以及具有底沖洗導入噴嘴24上相異以外，與第1實施形態之半導體製造裝置90相同。因此，關於第6實施形態之容器載置裝置510及半導體製造裝置590，係僅說明與第1實施形態之容器載置裝置10及半導體製造裝置90的相異點，關於共同點係省略說明。
如圖6所示，容器載置裝置510係具有：底沖洗導出噴嘴22，係與容器2之底孔5b連接並從容器2內排出氣體；及底沖洗導入噴嘴24，係與容器2之底孔5b連接並向容器2內導入潔淨化氣體。底沖洗導出噴嘴22與底沖洗導入噴嘴24係從在載置部12之可動工作台14向上方突出，並與在載置部12所載置之容器2的底部所具備之底孔5a、5b連接。
底沖洗導出噴嘴22之排氣流路22a係經由閥與半導體工廠之排氣系統連接，底沖洗導出噴嘴22係可導出容器2內的氣體。又，在底沖洗導入噴嘴24，係從未圖示之潔淨化氣體槽被供給潔淨化氣體，底沖洗導入噴嘴24係從容器2之底孔5a向容器2內導入潔淨化氣體。
藉底沖洗導出噴嘴22及底沖洗導入噴嘴24之沖洗動作係由容器載置裝置510之控制部28所控制。控制部28係可使底沖洗導出噴嘴22及底沖洗導入噴嘴24同時地動作，但是亦可僅使其中一方動作。
如圖6所示，容器載置裝置510係具有在底沖洗導出噴嘴22之排氣流路22a所設置的腐蝕性氣體偵測感測器30。在排氣流路22a所設置之腐蝕性氣體偵測感測器30係檢測出藉底沖洗導出噴嘴22所導出之容器2內之氣體所含的腐蝕性氣體。腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果係被輸入容器載置裝置510的控制部28。
容器載置裝置510的控制部28係例如在是腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果之腐蝕性氣體濃度是既定值以上的情況，可使藉前沖洗噴嘴20或底沖洗導入噴嘴24之往容器2內之潔淨化氣體的導入繼續或開始。又，例如，容器載置裝置510之控制部係在確認所檢測出之腐蝕性氣體濃度低於既定值後，可使藉前沖洗噴嘴20或底沖洗導入噴嘴24之容器2的潔淨化結束。
依此方式，容器載置裝置510係檢測出經由底沖洗導出噴嘴22從容器2內所導出之氣體，並可檢測出容器2內之氣體的腐蝕性氣體濃度。因此，容器載置裝置510係藉由進行與容器2內之腐蝕性氣體濃度之檢測結果對應的潔淨化處理等，可防止收容物或周邊裝置因腐蝕性氣體而承受損害。又，容器載置裝置510係在檢測出容器2內之腐蝕性氣體濃度低的情況，縮短潔淨化處理之時間等，以提高生產效率。
以上，列舉實施形態，說明了本發明，但是本發明係不是被限定為僅這些實施形態，當然本發明係包含變更了這些實施形態的一部分之很多的變形例。例如，本發明之容器載置裝置係亦可具有複數個腐蝕性氣體偵測感測器30或腐蝕性氣體之排出單元，可具有將一個實施形態與其他的一個實施形態之腐蝕性氣體檢測系統組合的機構。
又，亦可腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果係不僅被送至容器載置裝置10的控制部28，而且被送至EFEM60或半導體製造裝置90的控制部、或控制工廠內之複數台半導體製造裝置的主電腦。這些控制部或主電腦係根據腐蝕性氣體偵測感測器30之檢測結果，可控制風扇過濾單元62或排氣系統等之循環系統、或進行對操作者之喚起注意動作。
1‧‧‧晶圓 2‧‧‧容器 2c‧‧‧主開口 4‧‧‧蓋 5a、5b‧‧‧底孔 11‧‧‧框部 11a‧‧‧框開口 10、110、210、310、410、510‧‧‧容器載置裝置 12‧‧‧載置部 13‧‧‧固定台 14‧‧‧可動工作台 16‧‧‧門 17‧‧‧門驅動機構 P1‧‧‧第1空間 P2‧‧‧第2空間 20‧‧‧前沖洗噴嘴 22‧‧‧底沖洗導出噴嘴 22a‧‧‧排氣流路 24‧‧‧底沖洗導入噴嘴 26‧‧‧內側氣體排氣單元 26a‧‧‧內側氣體排氣流路 32‧‧‧載置部氣體排氣單元 36‧‧‧框側方氣體排氣單元 26b、32a、36a‧‧‧開口 26c、32b‧‧‧閥 28‧‧‧控制部 30‧‧‧腐蝕性氣體偵測感測器 60、160、260、360、560 EFEM 60a‧‧‧微環境 62‧‧‧風扇過濾單元 64‧‧‧搬運機器人 70‧‧‧處理裝置本體部 70a‧‧‧處理室 90、190、290、390、590‧‧‧半導體製造裝置
[圖1] 圖1係表示本發明之第1實施形態之容器載置裝置及包含容器載置裝置之半導體製造裝置的示意圖。 [圖2] 圖2係表示本發明之第2實施形態之容器載置裝置及包含容器載置裝置之半導體製造裝置的示意圖。 [圖3] 圖3係表示本發明之第3實施形態之容器載置裝置及包含容器載置裝置之半導體製造裝置的示意圖。 [圖4] 圖4係表示本發明之第4實施形態之容器載置裝置及包含容器載置裝置之半導體製造裝置的示意圖。 [圖5] 圖5係本發明之第5實施形態的容器載置裝置之從上方之主要部的剖面圖。 [圖6] 圖6係表示本發明之第6實施形態之容器載置裝置及包含容器載置裝置之半導體製造裝置的示意圖。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧容器
2c‧‧‧主開口
4‧‧‧蓋
11‧‧‧框部
11a‧‧‧框開口
10‧‧‧容器載置裝置
12‧‧‧載置部
13‧‧‧固定台
14‧‧‧可動工作台
16‧‧‧門
17‧‧‧門驅動機構
20‧‧‧前沖洗噴嘴
26‧‧‧內側氣體排氣單元
26a‧‧‧內側氣體排氣流路
26b‧‧‧開口
26c‧‧‧閥
28‧‧‧控制部
30‧‧‧腐蝕性氣體偵測感測器
60‧‧‧EFEM
60a‧‧‧微環境
62‧‧‧風扇過濾單元
64‧‧‧搬運機器人
70‧‧‧處理裝置本體部
70a‧‧‧處理室
90‧‧‧半導體製造裝置
G‧‧‧腐蝕性氣體

Claims (10)

  1. 一種容器載置裝置，其具有： 載置部，係載置已收容收容物之容器； 框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口； 門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋； 門驅動機構，係驅動該門； 內側氣體排氣單元，係被設置於該框開口之內部側的下方，並從經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境內排出氣體；以及 腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於從該框開口至該內側氣體排氣單元之間或該內側氣體排氣單元的排氣流路內。
  2. 如申請專利範圍第1項之容器載置裝置，其中該腐蝕性氣體偵測感測器係被安裝於該門。
  3. 一種容器載置裝置，其具有： 載置部，係載置已收容收容物之容器； 框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口； 門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋； 門驅動機構，係驅動該門；以及 腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於比在該載置部所載置之容器下方且比該載置部上方之第1空間及包圍該框開口之外部側的外周周邊之第2空間的至少一方。
  4. 如申請專利範圍第3項之容器載置裝置，其中具有排出該第1空間及該第2空間中至少一方之氣體的外側氣體排氣單元。
  5. 一種容器載置裝置，其具有： 載置部，係載置已收容收容物之容器； 框部，係被立設成與該載置部鄰接，並形成該容器之主開口所連接的框開口； 門，係可與關閉該主開口之該容器的蓋卡合，並開閉該框開口及該蓋； 門驅動機構，係驅動該門； 底沖洗導出噴嘴，係與該容器之底孔連接，並從該容器內排出氣體；以及 腐蝕性氣體偵測感測器，係被配置於該底沖洗導出噴嘴的排氣流路內。
  6. 如申請專利範圍第1項之容器載置裝置，其中具有前沖洗噴嘴，該前沖洗噴嘴係被設置成與該門係獨立，並從經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境內，經由該主開口及該框開口，向該容器內導入潔淨化氣體。
  7. 如申請專利範圍第1項之容器載置裝置，其中具有底沖洗導入噴嘴，該底沖洗導入噴嘴係與該容器之底孔連接，並向該容器內導入潔淨化氣體。
  8. 如申請專利範圍第1項之容器載置裝置，其中 具有控制部，該控制部係輸入是該腐蝕性氣體偵測感測器之檢測結果之關於腐蝕性氣體濃度的資訊，並控制該門驅動機構； 該控制部係在確認該腐蝕性氣體濃度低於既定值後，關閉該主開口及該框開口。
  9. 一種半導體處理裝置，其具有： 如申請專利範圍第1項之容器載置裝置； EFEM，係設置該容器載置裝置，並在內部形成經由該主開口及該框開口連接該容器之微環境；以及 處理裝置本體部，係與該EFEM連接，並具有處理室，該處理室係對通過該微環境所搬運之該容器內的該收容物進行處理。
  10. 一種容器內環境氣體之控制方法，係藉如申請專利範圍第8項之容器載置裝置之容器內環境氣體的控制方法， 在該容器經由該主開口及該框開口與該微環境連接之狀態，藉該腐蝕性氣體偵測感測器檢測出腐蝕性氣體濃度； 在檢測出該腐蝕性氣體濃度是既定值以下的情況，該控制部控制該門驅動機構，關閉該主開口及該框開口。
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