TW202004897A - 電漿處理裝置、電漿控制方法及電腦記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種電漿處理裝置，包含：載置台，將作為電漿處理對象之被處理體加以載置；聚焦環，設為圍繞該被處理體；取得部，取得將量測該被處理體而得之狀態加以顯示之狀態資訊。該電漿處理裝置更包含：電漿控制部，根據以該取得部取得之狀態資訊所顯示的該被處理體之狀態來控制電漿處理，俾使該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。

Description

電漿處理裝置、電漿控制方法及電腦記錄媒體
本發明係關於電漿處理裝置、電漿控制方法、及電漿控制程式。
自以往，吾人已知有電漿處理裝置係對於半導體晶圓（以下亦稱「晶圓」）等被處理體使用電漿以進行蝕刻等電漿處理。在電漿處理裝置中，於被處理體上部的處理空間產生電漿，並藉由施加於電漿的電壓將電漿中的離子予以加速，引入晶圓，藉以進行蝕刻。 [先行技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2016－146472號公報 專利文獻2：日本特開2002－176030號公報
（發明所欲解決之問題）
本發明提供能於每一被處理體之蝕刻特性抑制偏差之技術。 （解決問題之技術手段）
本發明的一態樣之電漿處理裝置，其特徵在於包含：載置台，將作為電漿處理對象之被處理體加以載置；聚焦環，載置於被處理體之周圍；取得部，取得將被處理體之狀態加以量測而得之狀態資訊；及電漿控制部，根據以取得部取得之狀態資訊所顯示的被處理體之狀態控制電漿處理，俾使形成於被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。 （發明之功效）
依據本發明揭示之電漿處理裝置的1個態樣，發揮出能於每一被處理體之蝕刻特性抑制偏差之效果。
（實施發明之較佳形態）
以下，參照圖式詳細說明本案揭示的電漿處理裝置、電漿控制方法、及電漿控制程式之實施形態。另，本實施形態並非限定揭示的電漿處理裝置、電漿控制方法、及電漿控制程式。又，各實施形態可在不使處理內容矛盾的範圍適當組合。以下使用晶圓作為被處理體的一例來說明實施形態。但是，被處理體並非限定於晶圓，亦可係例如玻璃基板等基板。
話說，晶圓係以規格訂尺寸等者，有時直徑還有厚度等狀態會在規格內有所偏差。因此，在電漿處理裝置中，有時由於晶圓的狀態之偏差，依每一晶圓而於蝕刻特性產生偏差。尤其，晶圓的周邊部容易受到晶圓的狀態之偏差所致影響。
所以，期望於每一晶圓之蝕刻特性抑制偏差。
（第1實施形態） [電漿處理裝置之構成] 首先說明第1實施形態的電漿處理裝置10之概略性構成。圖1係顯示第1實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。電漿處理裝置10具有：處理容器1，構成為氣密，電性地定為接地電位。處理容器1定為圓筒狀，例如由表面形成有陽極氧化覆膜的鋁等構成。處理容器1劃出產生電漿的處理空間。處理容器1內收容有：第1載置台2，將被處理體（work-piece）即晶圓W加以水平地支持。
第1載置台2呈底面朝上下方向的大致圓柱狀，上側的底面定為將晶圓W加以載置的載置面6d。第1載置台2的載置面6d定為與晶圓W相同程度的尺寸。第1載置台2包含基台3及靜電夾盤6。
基台3利用導電性的金屬，例如表面形成有陽極氧化覆膜的鋁等構成。基台3作為下部電極而發揮功能。基台3於絕緣體的支持台4受到支持，支持台4設置於處理容器1的底部。
靜電夾盤6，頂面定為平坦的圓盤狀，該頂面定為將晶圓W加以載置的載置面6d。靜電夾盤6在俯視中設於第1載置台2的中央。靜電夾盤6具有電極6a及絕緣體6b。電極6a設於絕緣體6b的內部，電極6a連接有直流電源12。靜電夾盤6構成為藉由自直流電源12將直流電壓施加於電極6a而藉由庫倫力吸接晶圓W。又，靜電夾盤6於絕緣體6b的內部設有加熱器6c。加熱器6c經由未圖示的供電機構而受到電力供給，控制晶圓W的溫度。
第1載置台2沿著外周面而於周圍設有第2載置台7。第2載置台7形成為內徑比第1載置台2的外徑大既定尺寸的圓筒狀，配置為與第1載置台2同軸。第2載置台7將上側的面定為將環狀之聚焦環5加以載置的載置面9d。聚焦環5利用例如單晶矽而形成，並載置於第2載置台7。
第2載置台7包含基台8及聚焦環加熱器9。基台8利用由與基台3同樣的導電性金屬，例如表面形成有陽極氧化覆膜的鋁等構成。基台3，其成為支持台4側的下部，係在徑向上大於上部，且平板狀地形成至第2載置台7的下部位置為止。基台8受到基台3支持。聚焦環加熱器9受到基台8支持。聚焦環加熱器9，頂面定為平坦的環狀形狀，該頂面定為將聚焦環5加以載置的載置面9d。聚焦環加熱器9具有加熱器9a及絕緣體9b。加熱器9a設於絕緣體9b的內部，受到絕緣體9b內包。加熱器9a經由未圖示的供電機構而受到電力供給，控制聚焦環5的溫度。如此，晶圓W的溫度與聚焦環5的溫度，藉由不同的加熱器而獨立地控制。
基台3連接有供給RF（Radio Frequency，射頻）電力的供電棒50。供電棒50經由第1阻抗匹配器11a而連接有第1RF電源10a，又經由第2阻抗匹配器11b而連接有第2RF電源10b。第1RF電源10a係電漿產生用的電源。第1RF電源10a係將既定頻率之高頻電力供給至第1載置台2的基台3。第2RF電源10b係離子引入用（偏壓用）的電源。第2RF電源10b將低於第1RF電源10a的既定頻率之高頻電力供給至第1載置台2的基台3。
基台3的內部形成有冷媒流道2d。冷媒流道2d於一端部連接有冷媒入口配管2b，於另一端部連接有冷媒出口配管2c。又，基台8的內部形成有冷媒流道7d。冷媒流道7d於一端部連接有冷媒入口配管7b，於另一的端部連接有冷媒出口配管7c。冷媒流道2d位於晶圓W的下方而以吸收晶圓W之熱的方式發揮功能。冷媒流道7d位於聚焦環5的下方而以吸收聚焦環5之熱的方式發揮功能。電漿處理裝置10定為如下構成：可藉由使冷媒例如冷卻水等分別於循環於冷媒流道2d及冷媒流道7d之中，而個別地控制第1載置台2及第2載置台7之溫度。另，電漿處理裝置10亦可定為如下構成：可將冷熱傳用氣體供給至晶圓W還有聚焦環5的背面側而個別地控制溫度。亦可例如以貫穿第1載置台2等者之方式設有用於供給晶圓W的背面氦氣等冷熱傳用氣體（背側氣體）之氣體供給管。氣體供給管連接於氣體供給源。藉由此等構成，將藉由靜電夾盤6而吸接固持於第1載置台2之頂面的晶圓W，控制在既定溫度。
另一方面第1載置台2的上方以平行面對於第1載置台2的方式設有作為上部電極之功能的噴淋頭16。噴淋頭16與第1載置台2作為成對之電極（上部電極與下部電極）而發揮功能。
噴淋頭16設於處理容器1的內頂壁部分。噴淋頭16具有本體部16a與成為電極板的上部頂板16b，經由絕緣性構件95而受到處理容器1的上部支持。本體部16a由導電性材料，例如表面形成有陽極氧化覆膜的鋁等構成，並構成為使上部頂板16b受到其下部以自由拆裝的方式支持。
本體部16a的內部設有氣體擴散室16c，本體部16a的底部形成有多數之氣體通流孔16d俾位於氣體擴散室16c的下部。又，上部頂板16b以與上述氣體通流孔16d重疊的方式設有：氣體導入孔16e，於厚度方向上貫穿該上部頂板16b。藉由此種構成，供給至氣體擴散室16c的處理氣體，經由氣體通流孔16d及氣體導入孔16e而噴淋狀地分散並供給至處理容器1內。
本體部16a形成有：氣體導入口16g，用於將處理氣體往氣體擴散室16c導入。氣體導入口16g連接有氣體供給配管15a的一端。氣體供給配管15a的另一端連接有供給處理氣體的處理氣體供給源15。氣體供給配管15a自上流側起依序設有質流控制器（MFC）15b及開關閥V2。並且，自處理氣體供給源15將用於電漿蝕刻之處理氣體經由氣體供給配管15a而供給至氣體擴散室16c。並且，供給至氣體擴散室16c的處理氣體，經由氣體通流孔16d及氣體導入孔16e而噴淋狀地分散並供給至處理容器1內。
上述作為上部電極之噴淋頭16經由低通濾波器（LPF）71而電性地連接有可變直流電源72。可變直流電源72構成為可藉由導通/斷開開關73而進行供電之導通/斷開。可變直流電源72之電流、電壓以及導通/斷開開關73之導通/斷開，由後述控制部100來控制。另，如後所述，自第1RF電源10a、第2RF電源10b將高頻信號施加於第1載置台2而於處理空間產生電漿之際，因應於必要而由控制部100使導通/斷開開關73導通，將既定直流電壓施加於作為上部電極之噴淋頭16。
噴淋頭16於頂面配置有多數之電磁鐵60。在本實施形態中，於頂面配置有3個電磁鐵60a～60c。電磁鐵60a定為圓盤狀，第1配置於載置台2的中央部之上部。電磁鐵60b定為圓環狀，以圍繞電磁鐵60a的方式配置於第1載置台2的周邊部上部。電磁鐵60c定為比電磁鐵60b更大的圓環狀，以圍繞電磁鐵60b的方式配置於第2載置台7的上部。
電磁鐵60a～60c，分別地個別連接至未圖示的電源，藉由自電源供給的電力而產生磁場。電源所供給至電磁鐵60a～60c的電力定為可由後述控制部100來控制。控制部100定為可藉由控制電源而控制供給至電磁鐵60a～60c的電力而控制自電磁鐵60a～60c產生的磁場。
又，以從處理容器1之側壁往比噴淋頭16之高度位置更上方延伸的方式設有圓筒狀的接地導體1a。此圓筒狀的接地導體1a於其上部具有內頂壁。
處理容器1的底部形成有排氣口81。排氣口81經由排氣管82而連接有第1排氣裝置83。第1排氣裝置83具有真空泵，並構成為可藉由使真空泵運作而使處理容器1內減壓至既定真空度為止。另一方面處理容器1內的側壁設有晶圓W的搬入出口84，此搬入出口84設有將該搬入出口84加以開閉的閘閥85。
處理容器1的側部內側沿內壁面設有沉積物障蔽86。沉積物障蔽86防止蝕刻副產物（沉積物）附著至處理容器1。於此沉積物障蔽86之與晶圓W大致相同高度位置設有以可控制相對於接地極之電位的方式連接的導電性構件（GND區塊）89，藉此防止異常放電。又，沉積物障蔽86的下端部設有沿第1載置台2而延展的沉積物障蔽87。沉積物障蔽86、87構成為自由拆裝。
上述構成之電漿處理裝置10由控制部100而統括性地控制其動作。此控制部100例如係電腦，控制電漿處理裝置10的各部位。
[控制部之構成] 其次詳細說明控制部100。圖2係顯示將第1實施形態之電漿處理裝置加以控制的控制部之概略性構成的一例之方塊圖。控制部100設有通信介面160、製程控制器161、使用者介面162、及記憶部163。
通信介面160可經由網路而與其它裝置進行通信，與其它裝置傳送接收各種資料。
製程控制器161具有CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）並控制電漿處理裝置10的各部位。
使用者介面162由下述等者構成：鍵盤，程序管理者為了管理電漿處理裝置10而進行指令之輸入操作；及顯示器，將電漿處理裝置10之運轉狀況加以可視化表示。
記憶部163存放有：控制程式（軟體），用於以製程控制器161之控制來實現電漿處理裝置10執行的各種處理；及配方，記憶有處理條件資料等。例如，記憶部163存放有後述執行電漿控制處理的控制程式。又，記憶部163存放有狀態資訊163a及補正資訊163b。另，控制程式還有處理條件資料等配方亦可利用存放在電腦可讀取之電腦記錄媒體（例如，硬碟、DVD等光碟、軟碟、半導體記憶體等）等者的狀態之物，或者自其它裝置經由例如專用線路而隨時傳送來連線利用。
狀態資訊163a係將作為電漿處理對象的晶圓W之狀態加以記憶的資料。例如，狀態資訊163a記憶有晶圓W的厚度之值。晶圓W在往電漿處理裝置10搬運的搬運系統中，狀態係在較電漿處理裝置10更之前的裝置受到量測。例如，晶圓W於較電漿處理裝置10更之前，通過對齊裝置。對齊裝置設有水平的旋轉台，可進行晶圓W等之旋轉位置之調整等各種對齊調整。對齊裝置將晶圓W之厚度還有外徑等狀態加以量測。將晶圓W之厚度還有外徑等狀態加以記憶的狀態資訊，係經由網路而作為狀態資訊163a存放於記憶部163。
補正資訊163b係將用於電漿處理之條件補正的各種資訊加以記憶的資料。補正資訊163b之詳細將後述。
製程控制器161具有用於存放程式還有資料的內部記憶體，將記憶於記憶部163的控制程式加以讀出，並執行讀出的控制程式之處理。製程控制器161藉由控制程式進行動作而作為各種處理部來發揮功能。例如，製程控制器161具有取得部161a與電漿控制部161b之功能。另，在本實施形態之電漿處理裝置10中，以製程控制器161具有取得部161a及電漿控制部161b的功能之情形為例說明，但亦可將取得部161a及電漿控制部161b的功能以多數之控制器來分散實現。
然而，晶圓W雖為尺寸受到規格所決定，但容許有一定的誤差。圖3係顯示晶圓規格。圖3顯示有JEITA（Japan Electronics and Information Technology Industries Association，日本電子情報技術產業協會）與SEMI（國際半導體產業協會）的規格之每一晶圓尺寸之直徑、厚度範圍。如此，晶圓W依每一晶圓尺寸訂定有標準的直徑、厚度作為規格值，並作為規格值而容許有一定的誤差。因此，晶圓W即使係在規格內之情形，直徑、厚度等狀態亦有所誤差。
在電漿處理裝置10中，係於蝕刻之際在於處理容器1內產生電漿，但有時會有以下情形：由於晶圓W的狀態之誤差使得電漿鞘之高度改變，而依每一晶圓W於蝕刻特性產生偏差。例如，在電漿處理裝置10中，由於晶圓W的狀態之誤差，與晶圓W上的電漿鞘之高度依每一晶圓W而改變。在電漿處理裝置10中，將電漿中的離子藉由施加於電漿鞘的電壓而加速，引入晶圓W，藉以進行蝕刻。因此，在電漿處理裝置10中，電漿鞘的高度改變時，蝕刻特性改變。
圖4係示意性顯示電漿鞘之狀態的一例。圖4顯示有置於載置台的晶圓W與聚焦環5。另，在圖4中，將第1載置台2與第2載置台7一起顯示為載置台。Dwafer 係晶圓W的厚度。dwafer 係自晶圓W之頂面起至晶圓W上的電漿鞘（Sheath）之界面為止的高度。厚度Da 係載置晶圓W的載置台之載置面與載置聚焦環5的載置台之載置面的高度差。例如，厚度Da 在第1實施形態中係第1載置台2之載置面6d與第2載置台7之載置面9d的高度差。厚度Da 因應於第1載置台2與第2載置台7的構成而定為固定值。厚度DFR 係聚焦環5的厚度。厚度dFR 係自聚焦環5之頂面起至聚焦環5上的電漿鞘（Sheath）之界面為止的高度。
晶圓W上的電漿鞘之界面與聚焦環5上的電漿鞘之界面的差異Δwafer － FR 表示如以下公式（1）。
Δwafer － FR ＝（Da ＋Dwafer ＋dwafer ）－（DFR ＋dFR ）……（1）
例如，晶圓W的厚度Dwafer 由於誤差而改變之情形，差異Δwafer － FR 改變。因此，在電漿處理裝置10中，蝕刻特性改變。
圖5係示意性顯示理想的電漿鞘之狀態。例如圖5所示，電漿鞘（Sheath）的高度在聚焦環5上與晶圓W上一致之情形，對於晶圓W而言，離子的正電荷垂直地入射。
另一方面晶圓W於直徑、厚度等狀態有所誤差時，晶圓W上部的電漿鞘之高度改變，對於晶圓W而言，離子的正電荷之入射角改變。如此，離子的正電荷之入射角改變，使得蝕刻特性改變。例如，蝕刻的孔洞產生稱為偏斜（Tilting）的形狀異常。偏斜係指孔洞傾斜地受到蝕刻的異常。
因此，即使聚焦環5的厚度係相同，有時蝕刻特性亦依每一晶圓W而產生偏差。圖6係顯示受到蝕刻的孔洞之角度θ與聚焦環的厚度之關係的一例。圖6係改變聚焦環5的厚度來進行蝕刻並將孔洞的角度θ（偏斜角θ）加以量測而成者。例如，圖6如符號180所示，描繪有聚焦環5的厚度為2.1mm且偏斜角θ有兩種。此兩種偏斜角θ係對於不同的兩個晶圓W分別蝕刻孔洞並加以量測而成者。符號180所顯示的兩種偏斜角θ有0.008[deg]的差異。
圖7A係示意性顯示將孔洞加以蝕刻的狀態。圖7A顯示晶圓W的氧化膜垂直地蝕刻有孔洞170的理想狀態。圖7A的（A）顯示蝕刻在氧化膜的孔洞170之截面形狀。圖7A的（B）顯示自上側觀察受到蝕刻的孔洞170之情形的孔洞170在氧化膜之頂面的位置（Top），與孔洞170在底部的位置（Bottom）。孔洞170以理想狀態受到蝕刻之情形，如圖7A（B）所示，孔洞170在頂面的位置與孔洞170在底部的位置相符。
圖7B係示意性地顯將孔洞加以蝕刻的狀態。圖7B顯示氧化膜以角度θ傾斜地蝕刻有孔洞170的狀態。圖7B的（A）顯示蝕刻在氧化膜的孔洞170之截面形狀。圖7B的（B）顯示自上側觀察受到蝕刻的孔洞170之情形的孔洞170在氧化膜之頂面的位置（Top）與孔洞170在底部的位置（Bottom）。孔洞170傾斜地受到蝕刻之情形，如圖7B的（B）所示，孔洞170在頂面的位置與孔洞在底部的位置產生位置偏離。
近年，電漿處理裝置10尋求縱橫比高的孔洞蝕刻。例如，在具有三維結構的NAND型快閃記憶體之製造中，蝕刻的孔洞之縱橫比高騰。但是，蝕刻的孔洞之縱橫比變高，則孔洞之角度θ所致的位置偏離變大。
圖7B的（C）、（D）顯示在較厚的氧化膜以角度θ傾斜地蝕刻有縱橫比高的孔洞之狀態。圖7B的（C）顯示蝕刻在氧化膜的孔洞170之截面形狀。圖7B的（D）顯示從上側觀察受到蝕刻的孔洞170之情形的孔洞170在氧化膜之頂面的位置（Top）與孔洞170在底部的位置（Bottom）。孔洞的縱橫比變高時，則如圖7B的（D）所示，孔洞170在頂面的位置與孔洞170在底部的位置之偏離量變大。
如此，電漿處理裝置10為，蝕刻的孔洞變深、孔洞的縱橫比變高時，則晶圓W的狀態之偏差所致的影響致使之蝕刻特性之變化變大。尤其，晶圓W的周邊部容易受到晶圓W的狀態之偏差所致的影響。
然而，在電漿處理裝置10中，來自電磁鐵60a～60c的磁力使得電漿的狀態改變。圖8A係顯示磁場強度與電漿的電子密度之關係的一例之圖表。如圖8A所示，施加於電漿的磁力之磁場強度與電漿的電子密度具有比例關係。
電漿的電子密度與電漿鞘之厚度具有以下公式（2）的關係。
Figure 02_image002
……（2）
在此，Ne係電漿的電子密度。Te係電漿的電子溫度[ev]。Vdc係與電漿之電位差。Vdc於晶圓W上部的電漿之情形，係電漿與晶圓W之電位差，而於聚焦環5上部的電漿之情形，則係電漿與聚焦環5之電位差。
如公式（2）所示，電漿鞘的厚度係與電子密度Ne呈反比。所以，施加於電漿的磁力之磁場強度與電漿的電子密度具有反比之關係。圖8B係顯示磁場強度與電漿鞘的厚度之關係的一例之圖表。如圖8B所示，電漿鞘的厚度係反比於施加於電漿的磁力之磁場強度。
所以，在第1實施形態之電漿處理裝置10中，控制自電磁鐵60a～60c產生的磁力之磁場強度，俾於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
回到圖2。第1實施形態之補正資訊163b依晶圓W的每一狀態將對電磁鐵60a～60c供給的電力之補正值加以記憶。例如，依晶圓W的每一厚度，實證性地量測可獲得使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的磁場強度之電磁鐵60a～60c的電力量。例如，自電源供給交流電力至電磁鐵60之情形，改變交流電壓、頻率、電功率任一者，並將改變的交流電壓、頻率、電功率任一者作為電力量以進行量測。又，自電源供給直流電力至電磁鐵60之情形，改變直流電壓、電流量任一者，並將改變的直流電壓、電流量的任一者作為電力量以進行量測。既定範圍，例如係使蝕刻晶圓W之際的孔洞之角度θ（偏斜角θ）呈容許精度內的Δwafer － FR 之範圍。補正資訊163b記憶有根據量測結果而依晶圓W的每一厚度使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的電磁鐵60a～60c之供給電力的補正值。補正值可係使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的電力量之值本身，亦可係相對於電漿處理之際對電磁鐵60a～60c供給的標準電力量而言之差異值。在本實施形態中，補正值定為對電磁鐵60a～60c供給的電力量之值本身。
在此，第1實施形態之電漿處理裝置10定為如下：將電磁鐵60c之供給電力加以補正，藉以將形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度加以補正。補正資訊163b依晶圓W的每一狀態，將電磁鐵60c的供給電力之補正值加以記憶。另，電漿處理裝置10亦可將電磁鐵60a、60b的供給電力加以補正，而將形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度加以補正。此種情形，補正資訊163b依晶圓W的每一狀態，將電磁鐵60a、60b的供給電力之補正值加以記憶。又，電漿處理裝置10亦可將電磁鐵60a～60c的供給電力加以補正，而將形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度與形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度分別加以補正。此種情形，補正資訊163b依晶圓W的每一狀態，將電磁鐵60a～60c的供給電力之補正值加以記憶。
取得部161a取得作為電漿處理對象的晶圓W之狀態資訊163a。例如，取得部161a自記憶部163讀出而取得作為電漿處理對象的晶圓W之狀態資訊163a。狀態資訊163a含有晶圓W的厚度之資料。另，在本實施形態中，定為將狀態資訊163a預先存放於記憶部163，但於其它裝置記憶有狀態資訊163a之情形，取得部161a亦可經由網路而取得狀態資訊163a。
電漿控制部161b控制電漿處理，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。
電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制電磁鐵60a～60c的磁力，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。例如，電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度。電漿控制部161b自 補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度對應的電磁鐵60a～60c之供給電力的補正值。並且，電漿控制部161b控制連接於電磁鐵60a～60c的電源，俾於電漿處理之際，將讀出的補正值之電力對電磁鐵60a～60c供給。在本實施形態中，電漿控制部161b控制連接於電磁鐵60c的電源，俾對電磁鐵60c供給補正值之電力。
藉此，在電漿處理裝置10中，形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
其次說明使用第1實施形態之電漿處理裝置10的電漿控制處理。圖9係顯示電漿控制處理得處理之流程的一例之流程圖。此電漿控制處理係於既定時序，例如於將晶圓W載置於第1載置台2之後，處理容器1內的溫度穩定在進行電漿處理之溫度的時序執行。另，亦可於將晶圓W載置於第1載置台2的時序執行。
如圖9所示，取得部161a取得作為電漿處理對象的晶圓W之狀態資訊163a（步驟S10）。
電漿控制部161b根據取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制電漿處理，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內（步驟S11）。例如，電漿控制部161b根據晶圓W之狀態來控制電磁鐵60a～60c的磁力，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，並結束處理。
如以上所述，第1實施形態之電漿處理裝置10具有：第1載置台2、聚焦環5、取得部161a、及電漿控制部161b。第1載置台2將作為電漿處理對象得晶圓W加以載置。聚焦環5載置於晶圓W的周圍。取得部161a取得將晶圓W之狀態加以量測而成之狀態資訊163a。電漿控制部161b根據取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制電漿處理，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。尤其，針對容易受到晶圓W之狀態的偏差之影響的晶圓W之周邊部，電漿處理裝置10亦能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。又，電漿處理裝置10即使於將縱橫比高的孔洞加以蝕刻之情形，亦能依每一晶圓W，壓低孔洞在頂面的位置與孔洞在底部的位置之偏離量地加以蝕刻。
又，第1實施形態之電漿處理裝置10更具有與晶圓W及聚焦環5的其中至少一者呈並列配置的至少一個電磁鐵60。電漿控制部161b根據晶圓W之狀態來控制對電磁鐵60供給的電力，藉以控制電磁鐵60之磁力，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
（第2實施形態） 其次說明第2實施形態。圖10係顯示第2實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。第2實施形態之電漿處理裝置10係與第1實施形態的電漿處理裝置10之構成為一部分相同的構成，於同一部分標註同一符號並省略說明，主要說明不同的部分。
第2實施形態的第2載置台7於載置聚焦環5的載置面9d更設有電極。在第2實施形態的第2載置台7，於聚焦環加熱器9的內部沿著周向上全周更設有電極9e。電極9e經由配線而電性地連接有電源13。第2實施形態的電源13係直流電源，將直流電壓施加於電極9e。
然而，電漿係由於周邊的電特性變化而改變狀態。例如，聚焦環5上部的電漿，由於施加在電極9e的直流電壓之大小而改變狀態，且電漿鞘之厚度改變。
所以，在第2實施形態的電漿處理裝置10中，控制施加在電極9e的直流電壓，俾於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
第2實施形態的補正資訊163b依晶圓W的每一狀態，將施加在電極9e的直流電壓之補正值加以記憶。例如，依晶圓W的每一厚度，實證性地量測使得形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、施加在電極9e的直流電壓。補正資訊163b根據量測結果依晶圓W的每一厚度，將使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、施加在電極9e的直流電壓之補正值加以記憶。補正值可係使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的直流電壓之值本身，亦可係相對於電漿處理之際施加在電極9e的標準直流電壓而言之差異值。在本實施形態中，補正值定為係施加在電極9e的直流電壓之值本身。
電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制施加在電極9e的直流電壓，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。例如，電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a，求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度對應的施加在電極9e的直流電壓之補正值。並且，電漿控制部161b於電漿處理之際，控制電源13，俾將讀出的補正值之直流電壓對電極9e供給。
藉此，在電漿處理裝置10中，形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
如上所述，第2實施形態的電漿處理裝置10更具有：電極9e，設於載置聚焦環5的載置面9d，施加有直流電壓。電漿控制部161b根據晶圓W之狀態來控制施加在電極9e的直流電壓，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
（第3實施形態） 其次說明第3實施形態。圖11係顯示第3實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。第3實施形態的電漿處理裝置10因為與第1實施形態的電漿處理裝置10之構成係一部分相同構成，所以於同一部分標註同一符號並省略說明，主要說明不同的部分。
第3實施形態的噴淋頭16之本體部16a及上部頂板16b藉由絕緣性構件而分割成多數之部分。例如，本體部16a及上部頂板16b藉由環狀的絕緣部16h而分割成中央部16i與周邊部16j。中央部16i定為圓盤狀，並配置於第1載置台2的中央部上部。周邊部16j定為圓環狀，並以圍繞中央部16i的方式配置於第1載置台2的周邊部上部。
第3實施形態的噴淋頭16定為可個別地將直流電流施加至分割的各部分，而將各部分分別作為上部電極來發揮功能。例如，周邊部16j經由低通濾波器（LPF）71a、導通/斷開開關73a而電性地連接有可變直流電源72a。中央部16i經由低通濾波器（LPF）71b、導通/斷開開關73b而電性地連接有可變直流電源72b。可變直流電源72a、72b分別施加在中央部16i、周邊部16j的電力，定為可藉由控制部100而控制。中央部16i、周邊部16j作為電極來發揮功能。
然而，電漿係由於周邊的電特性變化而改變狀態。例如，在電漿處理裝置10中，由於施加在中央部16i、周邊部16j的電壓使得電漿的狀態改變。
所以，在第3實施形態的電漿處理裝置10中，控制施加在中央部16i、周邊部16j的電壓，俾於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
第3實施形態的補正資訊163b依晶圓W的每一狀態，施加在中央部16i、周邊部16j的直流電壓之補正值加以記憶。例如，依晶圓W的每一厚度，實證性地量測使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、分別施加在中央部16i、周邊部16j的直流電壓。補正資訊163b根據量測結果，依晶圓W的每一厚度，將差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、分別施加在中央部16i、周邊部16j的直流電壓之補正值加以記憶。補正值可係施加在中央部16i、周邊部16j的直流電壓之值本身，亦可係相對於電漿處理之際分別施加在中央部16i、周邊部16j的標準直流電壓而言之差異值。在本實施形態中，補正值定為分別施加在中央部16i、周邊部16j的直流電壓之值本身。
在此，第3實施形態的電漿處理裝置10，定為將施加在周邊部16j的直流電壓加以補正，藉以將形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度加以補正。補正資訊163b，依晶圓W的每一狀態，將施加在周邊部16j的直流電壓之補正值加以記憶。另，電漿處理裝置10亦可再將噴淋頭16分割成環狀並將施加在各部分的直流電壓加以補正，而將形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度加以補正。此種情形，補正資訊163b，依晶圓W的每一狀態，將施加在噴淋頭16各部分的直流電壓之補正值加以記憶。又，電漿處理裝置10亦可將施加在噴淋頭16各部分的直流電壓加以補正，而將形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度與形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度分別加以補正。此種情形，補正資訊163b，依晶圓W的每一狀態，將施加在噴淋頭16各部分的直流電壓之補正值加以記憶。
電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制施加在周邊部16j的直流電壓，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。例如，電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a，求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度對應的施加在周邊部16j的直流電壓之補正值。並且，電漿控制部161b於電漿處理之際，控制可變直流電源72a，俾將讀出的補正值之直流電壓供給至周邊部16j。
藉此，在電漿處理裝置10中，形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
如上所述，第3實施形態的噴淋頭16係與晶圓W及聚焦環5相向配置，並與晶圓W及聚焦環5的其中至少一者呈並列地設有分別作為電極而發揮功能的中央部16i、周邊部16j，且噴出處理氣體。電漿控制部161b根據晶圓W之狀態來控制對中央部16i、周邊部16j供給的電力，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
（第4實施形態） 其次說明第4實施形態。圖12係顯示第4實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。因為第4實施形態的電漿處理裝置10係與第1實施形態的電漿處理裝置10之構成為一部相同構成，所以於同一部分標註同一符號並省略說明，主要說明不同的部分。第4實施形態的電漿處理裝置10於噴淋頭16的頂面未設有電磁鐵60，第2載置台7可昇降。
[第1載置台及第2載置台之構成] 其次，參照圖13，說明第4實施形態的第1載置台2及第2載置台7之重點部位構成。圖13係顯示第4實施形態的第1載置台及第2載置台之重點部位構成的概略剖視圖。
第1載置台2含有基台3及靜電夾盤6。靜電夾盤6隔著絕緣層30而黏接在基台3。靜電夾盤6呈圓板狀，且設為與基台3呈同軸。靜電夾盤6於絕緣體6b的內部設有電極6a。靜電夾盤6的頂面定為將晶圓W加以載置的載置面6d。靜電夾盤6的下端形成有：凸緣部6e，往靜電夾盤6的徑向外側伸出。亦即，靜電夾盤6為外徑因應於在側面上的位置而不同。
靜電夾盤6於絕緣體6b的內部設有加熱器6c。又，基台3的內部形成有冷媒流道2d。冷媒流道2d及加熱器6c作為調整晶圓W之溫度的調溫機構而發揮功能。另，加熱器6c亦可不存在於絕緣體6b的內部。例如，加熱器6c可係貼附於靜電夾盤6的背面，只要插設於載置面6d與冷媒流道2d之間即可。又，加熱器6c可係於載置面6d的區域整面設置1個，亦可係於將載置面6d加以分割而成的每一區域個別地設置。亦即，加熱器6c可係於將載置面6d加以分割而成的每一區域毎個別地設置為多數個。例如，加熱器6c亦可將第1載置台2之載置面6d因應於自中心起的距離而分成多數之區域，並在各區域以圍繞第1載置台2之中心的方式環狀延展。或者，亦可含有將中心區域予以加熱的加熱器，及以圍繞中心區域外側的方式環狀延展的加熱器。又，亦可將以圍繞載置面6d之中心的方式環狀延展的區域，因應於自中心起的方向而分成多數之區域，並於各區域設置加熱器6c。
圖14係從上方觀察第4實施形態的第1載置台及第2載置台的俯視圖。圖14圓板狀地顯示有第1載置台2的載置面6d。載置面6d因應於自中心起的距離及方向而分成多數之區域HT1，並於各區域HT1個別地設有加熱器6c。藉此，電漿處理裝置10可將晶圓W之溫度，依每一區域HT1加以控制。
回到圖13。第2載置台7含有基台8及聚焦環加熱器9。基台8受到基台3所支持。聚焦環加熱器9於絕緣體9b的內部設有加熱器9a。又，基台8的內部形成有冷媒流道7d。冷媒流道7d及加熱器9a作為調整聚焦環5之溫度的調溫機構而發揮功能。聚焦環加熱器9隔著絕緣層49而黏接有基台8。聚焦環加熱器9的頂面定為將聚焦環5加以載置的載置面9d。另，聚焦環加熱器9的頂面亦可設有熱傳導性高的板片構件等者。
聚焦環5係圓環狀的構件，設為與第2載置台7呈同軸。聚焦環5的內側側面形成有往徑向內側伸出的凸部5a。亦即，聚焦環5為內徑因應於內側側面的位置而不同。例如，未形成有凸部5a之處的內徑，較晶圓W的外徑及靜電夾盤6之凸緣部6e的外徑更大。另一方面形成有凸部5a之處的內徑較靜電夾盤6之凸緣部6e的外徑更小，且較靜電夾盤6的未形成有凸緣部6e之處的外徑更大。
聚焦環5在第2載置台7配置成凸部5a係與靜電夾盤6之凸緣部6e的頂面分開、且亦從靜電夾盤6的側面分開的狀態。亦即，聚焦環5之凸部5a的底面與靜電夾盤6之凸緣部6e的頂面之間形成有間隙。又，聚焦環5之凸部5a的側面與靜電夾盤6之未形成有凸緣部6e的側面之間形成有間隙。並且，聚焦環5的凸部5a位於第1載置台2的基台3與第2載置台7的基台8之間的間隙34上方。亦即，自與載置面6d正交的方向觀察，凸部5a係存在於與間隙34重疊的位置並覆蓋間隙34。藉此，能將電漿往間隙34進入之情形加以抑制。
加熱器9a係呈與基台8同軸的環狀。加熱器9a可係於載置面9d的區域整面設置1個，亦可係於將載置面9d加以分割而成之每一區域個別地設置。亦即，加熱器9a亦可於將載置面9d加以分割而成之每一區域個別地多數設置。例如，加熱器9a亦可將第2載置台7的載置面9d因應於自第2載置台7之中心起的方向而分成多數之區域，並於各區域設置加熱器9a。例如，圖14圓板狀地於第1載置台2的載置面6d周圍顯示有第2載置台7的載置面9d。載置面9d因應於自中心起的方向而分成多數之區域HT2，並於各區域HT2個別地設有加熱器9a。藉此，電漿處理裝置10能將聚焦環5的溫度依每一區域HT2加以控制。
回到圖13。第1載置台2設有使第2載置台7昇降的昇降機構120。例如，第1載置台2於作為第2載置台7下部的位置設有昇降機構120。昇降機構120內建致動器，藉由致動器的驅動力使得棍桿120a伸縮來使第2載置台7昇降。昇降機構120可係將電動機的驅動力利用齒輪等加以轉換而獲得使棍桿120a伸縮的驅動力，亦可係藉由油壓等而獲得使棍桿120a伸縮的驅動力。第1載置台2與第2載置台7之間設有用於隔離真空的O形環（O-Ring）112。
第2載置台7構成為即使上昇亦不造成影響。例如，冷媒流道7d係可撓性配管，或者係即使第2載置台7進行昇降亦能供給冷媒的機構所構成。將電力供給至加熱器9a的配線，係可撓性配線，或者係即使第2載置台7進行昇降亦能電性地導通的機構所構成。
又，第1載置台2設有與第2載置台7電性地導通的導通部130。導通部130構成為即使藉由昇降機構120使第2載置台7進行昇降亦能將第1載置台2與第2載置台7加以電性地導通。例如，導通部130係可撓性配線，或者係即使第2載置台7進行昇降亦能使導體與基台8接觸而電性地導通的機構所構成。導通部130設為使第2載置台7與第1載置台2之電特性呈同等。例如，導通部130於第1載置台2的周面設有多數個。供給至第1載置台2的RF電力經由導通部130而亦供給至第2載置台7。另，導通部130亦可設於第1載置台2的頂面與第2載置台7的底面之間。
昇降機構120設在聚焦環5的周向上多數之位置。在本實施形態的電漿處理裝置10中，設有3個昇降機構120。例如，第2載置台7以在第2載置台7的圓周向上均等的間隔配置有昇降機構120。圖14顯示，昇降機構120的配置位置。昇降機構120係毎隔120度的角度設在第2載置台7的圓周向上同樣的位置。另，亦可對於第2載置台7設置4個以上昇降機構120。
然而，電漿由於周邊的電特性變化而改變狀態。例如，在電漿處理裝置10中，由於與聚焦環5之距離而改變電漿之狀態。
所以，在第4實施形態的電漿處理裝置10中，進行使聚焦環5昇降之控制，俾於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
第4實施形態的補正資訊163b，依晶圓W的每一狀態，將使聚焦環5昇降之補正值加以記憶。例如，依晶圓W的每一厚度，實證性地量測使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、聚焦環5之高度。補正資訊163b根據量測結果，依晶圓W的每一厚度，將差異Δwafer － FR 在既定範圍內的聚焦環5之高度之補正值加以記憶。補正值可係使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的聚焦環5的高度之值本身，亦可係相對於電漿處理之際的聚焦環5之標準高度而言的差異值。在本實施形態中，補正值定為聚焦環5的高度之值本身。
電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制昇降機構120，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。例如，電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a，求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度對應的聚焦環5之高度之補正值。並且，電漿控制部161b，於電漿處理之際控制昇降機構120，俾成為讀出的補正值之高度。
藉此，在電漿處理裝置10中，形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
如上所述，第4實施形態的電漿處理裝置10具有使聚焦環5進行昇降的昇降機構120。電漿控制部161b根據晶圓W之狀態來控制昇降機構120，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
（第5實施形態） 其次說明第5實施形態。第5實施形態的電漿處理裝置10因為係與第4實施形態的電漿處理裝置10之構成為相同之構成，故省略說明。第5實施形態的電漿處理裝置10定為還可進行晶圓W之厚度的量測。
[第1載置台及第2載置台之構成] 圖15係顯示第5實施形態的第1載置台及第2載置台的重點部位構成之概略剖視圖。第5實施形態的第1載置台2及第2載置台7因為係與圖13所顯示的第4實施形態的第1載置台2及第2載置台7之構成為一部分相同之構成，所以於同一部分標註同一符號並省略說明，主要說明不同的部分。
第2載置台7設有將聚焦環5的頂面之高度加以量測的量測部110。在本實施形態中，量測部110構成為藉由雷射光之干渉來量測距離的光干涉儀。量測部110具有光射出部110a及光纖110b。第1載置台2於第2載置台7的下部設有光射出部110a。光射出部110a的上部設有用於隔離真空的石英窗111。又，第2載置台7與設有量測部110的位置對應地形成有貫穿至頂面的貫穿孔113。另，貫穿孔113亦可設有使雷射光穿透的構件。
光射出部110a藉由光纖110b而與量測控制單元114連接。量測控制單元114內建光源，產生量測用的雷射光。量測控制單元114產生的雷射光經由光纖110b而自光射出部110a出射。自光射出部110a出射的雷射光，一部分在石英窗111還有聚焦環5反射，而反射的雷射光入射至光射出部110a。
圖16係顯示雷射光之反射系統的一例。石英窗111於光射出部110a側的面施有抗反射處理，縮小雷射光的反射。自光射出部110a出射的雷射光如圖16所示，主要在石英窗111的頂面、聚焦環5的底面、及聚焦環5的頂面，一部分分別反射，並入射至光射出部110a。
入射至光射出部110a的光線，經由光纖110b而導往量測控制單元114。量測控制單元114內建分光器等，並根據反射的雷射光之干渉狀態來量測距離。例如，在量測控制單元114中，根據入射的雷射光之干渉狀態而依每一反射面間的相互距離之差異，偵測光線強度。
圖17係顯示光線偵測強度之分布的一例。在量測控制單元114中，將反射面間的相互距離定為光路長，並偵測光線強度。圖17之圖表的橫軸表示光路長之相互距離。橫軸的0表示全部的相互距離之起點。圖17的圖表之縦軸表示偵測到的光線強度。光干涉儀自反射的光線之干渉狀態量測相互距離。在反射中，往復通過兩次相互距離的光路。因此，光路長量測為相互距離×2×折射率。例如，在將石英窗111的厚度定為X1 ，並將石英的折射率定為3.6之情形，以石英窗111的底面為基準之情形下的至石英窗111之頂面為止的光路長，成為X1 ×2×3.6＝7.2X1 。在圖17之例中，在石英窗111頂面反射的光線，偵測出在光路長為7.2X1 具有強度的峰位。又，在將貫穿孔113之厚度定為X2 ，並將貫穿孔113內定為空氣而將折射率定為1.0之情形，以石英窗111之頂面為基準之情形下的至聚焦環5之底面為止的光路長，成為X2 ×2×1.0＝2X2 。在圖17之例中，在聚焦環5之底面反射的光線，偵測出在光路長為2X2 具有強度的峰位。又，再將聚焦環5之厚度定為X3 ，並將聚焦環5定為矽而將折射率定為1.5之情形，以聚焦環5的底面為基準之情形下的至聚焦環5之頂面為止的光路長，成為X3 ×2×1.5＝3X3 。在圖17之例中，在聚焦環5的頂面反射的光線，偵測出在光路長為3X3 具有強度的峰位。
新品的聚焦環5，厚度還有材料係固定。量測控制單元114登錄有新品的聚焦環5之厚度還有材料之折射率。量測控制單元114計算出與新品的聚焦環5之厚度還有材料之折射率對應的光路長，並自計算出的光路長附近且強度呈峰位的光線之峰位位置，將聚焦環5之厚度加以量測。例如，量測控制單元114自光路長為3X3 附近且強度呈峰位的光線之峰位位置，將聚焦環5之厚度加以量測。量測控制單元114將至聚焦環5之頂面為止的反射面間的相互距離全部相加，而將聚焦環5之頂面的高度加以量測。量測控制單元114將量測結果往控制部100輸出。另，量測控制單元114亦可將聚焦環5之厚度作為量測結果而往控制部100輸出。又，聚焦環5之厚度亦可利用控制部100加以量測。例如，量測控制單元114分別量測出偵測強度呈峰位的光路長，並將量測結果往控制部100輸出。控制部100登錄有新品的聚焦環5之厚度還有材料之折射率。控制部100亦可計算出與新品的聚焦環5之厚度還有材料之折射率對應的光路長，並自計算出的光路長附近且強度呈峰位的光線之峰位位置，將聚焦環5之厚度加以量測。
量測部110及昇降機構120設在聚焦環5的周向上多數之位置。在本實施形態的電漿處理裝置10中，設有3組量測部110及昇降機構120。例如，第2載置台7將量測部110及昇降機構120編組，在第2載置台7的圓周向上以均等的間隔配置。量測部110及昇降機構120係每隔120度的角度設在第2載置台7的圓周向上相同位置。另，量測部110及昇降機構120亦可設置4組以上至第2載置台7。又，量測部110及昇降機構120亦可在第2載置台7的圓周向上分開配置。
量測控制單元114將各量測部110的位置上的聚焦環5之厚度加以量測，並將量測結果往控制部100輸出。
然而，在電漿處理裝置10中，於電漿處理之際，由於晶圓W之狀態之誤差，使得電漿鞘之高度改變，依每一晶圓W，蝕刻特性產生偏差。
又，在電漿處理裝置10中，進行電漿處理時，聚焦環5消耗而使聚焦環5之厚度變薄。聚焦環5之厚度變薄時，聚焦環5上的電漿鞘與晶圓W上的電漿鞘之高度位置產生偏離，蝕刻特性改變。
圖18A係顯示蝕刻率與聚焦環之厚度之關係的一例。圖18A例如係將第2載置台7的高度定為固定，並改變聚焦環5之厚度來在晶圓W進行蝕刻而將蝕刻率加以量測而成。晶圓W的晶圓尺寸定為12英吋（直徑300mm）。圖18A於聚焦環5的每一厚度，顯示自晶圓W之中心起的距離所致的蝕刻率之變化。蝕刻率以晶圓W的中心定為1而正規化。如圖18A所示，在自晶圓W之中心起的距離為135mm以上的晶圓W之周邊部，蝕刻率之相對於聚焦環5之厚度變化而言的變化較大。
圖18B係顯示受到蝕刻的孔洞之角度θ與聚焦環之厚度之關係的一例。圖18B例如係將第2載置台7之高度定為固定，並改變聚焦環5之厚度來進行蝕刻而將孔洞之角度θ（偏斜角θ）加以量測而成。 圖18B於聚焦環5的每一厚度顯示自晶圓W之中心起135mm的位置上的孔洞之角度θ的變化。如圖18B所示，在晶圓W之周邊部，偏斜角θ之相對於聚焦環5之厚度變化而言的變化較大。
所以，在本實施形態的電漿處理裝置10中，因應於作為電漿處理對象的晶圓W之狀態及聚焦環5之厚度來進行昇降機構120之控制。
取得部161a取得作為電漿處理對象的晶圓W之狀態資訊163a。例如，取得部161a自記憶部163讀出作為電漿處理對象的晶圓W之狀態資訊163a。狀態資訊163a含有與量測部110及昇降機構120之配置位置對應的晶圓W之周向各位置上的晶圓W之厚度的資料。另，在本實施形態中，定為將狀態資訊163a預先存放於記憶部163，但於其它裝置記憶有狀態資訊163a之情形，取得部161a亦可經由網路而取得狀態資訊163a。
又，取得部161a控制量測控制單元114，藉由各量測部110在聚焦環5的周向上多數之位置，將聚焦環5的頂面之高度分別加以量測，取得聚焦環5的頂面之高度的資料。聚焦環5之高度的量測，宜係於處理容器1內的溫度穩定在進行電漿處理之溫度的時序。又，聚焦環5之高度的量測，可於針對一片晶圓W的蝕刻處理中周期性地進行多次，亦可依每一片晶圓W進行一次。
電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態及藉由量測部110而量測的聚焦環5的頂面之高度來控制昇降機構120，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。
例如，電漿處理裝置10定為已決定電漿處理之際的聚焦環5之頂面的標準高度。此種情形，電漿控制部161b根據藉由量測部110而量測的聚焦環5的頂面之高度來控制昇降機構120，俾使聚焦環5的頂面成為標準高度。再者，電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a，求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度對應的聚焦環5之高度的補正值。並且，電漿控制部161b於電漿處理之際控制昇降機構120，俾成為讀出的補正值之高度。例如，定為補正值係相對於電漿處理之際的聚焦環5之標準高度而言的差異值。電漿控制部161b控制昇降機構120，俾使聚焦環5之高度成為自標準高度恰以補正值加以補正的高度。
又，例如，晶圓W的頂面之高度與聚焦環5的頂面之高度的位置關係為預先決定的距離間隔之情形，定為形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。此種情形，電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態及藉由量測部110而量測的聚焦環5的頂面之高度，計算出位置關係呈預先決定之距離間隔的聚焦環5之高度。例如，電漿控制部161b自晶圓W的周向各位置上的晶圓W之厚度的資料，針對周向各位置，計算出使晶圓W的頂面與聚焦環5的頂面之位置關係呈預先決定的距離間隔之聚焦環5之高度。電漿控制部161b控制各昇降機構120，使第2載置台7昇降至藉由電漿控制部161b計算出的高度，而使聚焦環5昇降。
藉此，在電漿處理裝置10中，晶圓W的頂面與聚焦環5的頂面之高度呈相同，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
如上所述，第5實施形態的電漿處理裝置10於聚焦環5的周向上多數之位置設有昇降機構120。電漿控制部161b為狀態資訊163a含有對於晶圓W的周向上而言多數之位置上的狀態之量測結果。電漿控制部161b根據狀態資訊163a所顯示的多數之位置上的狀態之量測結果來分別控制昇降機構120，俾分別針對聚焦環5的周向上多數位置，使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10能於晶圓W的周向蝕刻特性抑制偏差。
又，第5實施形態的電漿處理裝置10具有將聚焦環5的頂面之高度加以量測的量測部110。電漿控制部161b根據藉由晶圓W之狀態及量測部110而量測的聚焦環5的頂面之高度來控制電漿處理，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。藉此，電漿處理裝置10即使在由於電漿所致消耗等使聚焦環5的頂面之高度改變之情形，亦能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
（第6實施形態） 其次說明第6實施形態。第6實施形態的電漿處理裝置10係與第1實施形態的電漿處理裝置10之構成為相同，故省略說明。
在此，晶圓W如圖3所示，雖然關於直徑等外徑的尺寸受到規格所決定，但關於外徑，容許有一定的誤差。在電漿處理裝置10中，亦由於晶圓W的外徑之偏差，而於聚焦環5上的電漿鞘與晶圓W上的電漿鞘之高度位置產生偏差，蝕刻特性改變。尤其，晶圓W的周邊部由於晶圓W的外徑之偏差，而在蝕刻率之偏差還有偏斜之類的形狀異常等蝕刻製程結果容易受影響。
第6實施形態的狀態資訊163a記憶有晶圓W的厚度之值與晶圓W的外徑之值。
又，第6實施形態的補正資訊163b，依晶圓W的每一狀態，將對電磁鐵60a～60c供給的電力之補正值加以記憶。例如，依晶圓W的每一厚度及晶圓W每一外徑，實證性地量測出可獲得使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的磁場強度之電磁鐵60a～60c的電力量。補正資訊163b根據量測結果，依晶圓W的每一厚度及晶圓W的每一外徑，將使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的電磁鐵60a～60c的供給電力之補正值加以記憶。補正值可係使差異Δwafer － FR 在既定範圍內的電力量之值本身，亦可係相對於電漿處理之際對電磁鐵60a～60c供給的標準電力量而言的差異值。在本實施形態中，補正值定為對電磁鐵60a～60c供給的電力量之值本身。
電漿控制部161b根據以取得部161a取得的狀態資訊163a所顯示的晶圓W之狀態來控制電磁鐵60a～60c之磁力，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。例如，電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a，求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度及晶圓W之外徑。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度及晶圓W之外徑對應的電磁鐵60a～60c之供給電力的補正值。並且，電漿控制部161b於電漿處理之際，控制連接於電磁鐵60a～60c的電源，俾將讀出的補正值之電力對電磁鐵60a～60c供給。
藉此，在電漿處理裝置10中，形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
如上所述，第6實施形態的電漿處理裝置10將晶圓W之狀態定為晶圓W之厚度、晶圓W之外徑兩者。藉此，電漿處理裝置10即使在每一晶圓W於厚度及外徑有所誤差之情形，亦能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
以上，已說明各種實施形態，但不限定於上述實施形態而可構成各種變形態樣。例如，上述電漿處理裝置10係電容耦合型的電漿處理裝置10，但可採用任意的電漿處理裝置10。例如，電漿處理裝置10可係任意類型的電漿處理裝置10，如電感耦合型的電漿處理裝置10、藉由微波之類的表面波來激發氣體的電漿處理裝置10。
又，在上述實施形態中，以進行電磁鐵60的磁力之變更、供給至電極9e的電力之變更、供給至中央部16i、周邊部16j的電力之變更、聚焦環5之昇降其中任一者，藉以改變電漿之狀態之情形為例說明，但不限定於此。亦可進行阻抗之變更，藉以改變電漿之狀態。例如，使第2載置台7之阻抗可變更。電漿控制部161b亦可根據晶圓W之狀態來控制第2載置台7之阻抗，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。例如，於第2載置台7的內部在垂直方向上形成環狀的空間，並於空間內藉由導電體驅動機構而將環狀的導電體設成自由昇降。導電體以例如鋁等導電性材料來構成。藉此，第2載置台7成為可藉由導電體驅動機構使導電體昇降而進行阻抗之變更。另，第2載置台7只要可變更阻抗即可，可係任何構成。補正資訊163b，依晶圓W的每一狀態，將阻抗之補正值加以記憶。例如，依晶圓W的每一厚度，實證性地量測使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、導電體之高度。補正資訊163b根據量測結果，依晶圓W的每一厚度，將差異Δwafer － FR 在既定範圍內的導電體之高度的補正值加以記憶。電漿控制部161b自藉由取得部161a而取得的狀態資訊163a，求取載置於第1載置台2的處理對象的晶圓W之厚度。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之厚度對應的導電體之高度的補正值。並且，電漿控制部161b於電漿處理之際，控制導電體驅動機構，俾成讀出的補正值之高度。藉此，在電漿處理裝置10中，形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內，能於每一晶圓W之蝕刻特性抑制偏差。
又，在上述實施形態中，就晶圓W之狀態而言，以晶圓W之厚度及外徑為例說明，但並非限定於此。例如，晶圓W之狀態亦可係晶圓W的端部（晶圓倒角部）之形狀還有晶圓W的成膜或者殘存在晶圓背面的膜之膜種、膜厚、晶圓W之偏心、晶圓W之翹曲等者。例如，補正資訊163b依晶圓W的每一狀態，將用於電漿處理的條件之補正的各種資訊加以記憶。例如，補正資訊163b依晶圓W的端部之形狀種類，將使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內的、對電磁鐵60a～60c之供給電力的補正值加以記憶。電漿控制部161b自補正資訊163b讀出與處理對象的晶圓W之端部的形狀對應之電磁鐵60a～60c的供給電力之補正值。並且，電漿控制部161b亦可於電漿處理之際，控制連接於電磁鐵60a～60c的電源，俾將讀出的補正值之電力對電磁鐵60a～60c供給。
又，在上述第3實施形態中，以自電源13將直流電壓施加至電極9e之情形為例說明，但不限定於此。例如，亦可將電源13定為交流電源。電漿控制部161b亦可根據晶圓W之狀態來控制自電源13供給至電極9e的交流電力之頻率、電壓、功率任一者，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。
又，上述各實施形態可組合實施。例如，將第1實施形態與第2實施形態加以組合，藉由電磁鐵60a～60c之磁力與施加在電極9e之直流電壓的控制，控制成使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。又，例如，亦可於第1實施形態至第3實施形態的電漿處理裝置10，設置第5實施形態的昇降機構120，並於將聚焦環5的頂面補正成標準高度之後，根據晶圓W之狀態來控制電漿處理，俾使形成於晶圓W上部的電漿鞘之界面高度與形成於聚焦環5上部的電漿鞘之界面高度的差異Δwafer － FR 在既定範圍內。
又，在上述第5實施形態及第6實施形態中，係以藉由昇降機構120使第2載置台7昇降，而使聚焦環5昇降之情形為例說明，但不限定於此。例如，亦可使銷桿等物貫穿第2載置台7而僅使聚焦環5昇降。
又，在上述第6實施形態中，係以因應於晶圓W之厚度及外徑而使聚焦環5昇降之情形為例說明，但不限定於此。例如，亦可因應於晶圓W之外徑而使聚焦環5昇降。
又，電漿處理裝置10進行針對一片晶圓W的多種電漿蝕刻處理之情形，亦可依每一電漿處理使第2載置台7昇降來改變聚焦環5相對於晶圓W而言的位置，俾在該電漿處理縮小蝕刻特性中偏差。
1‧‧‧處理容器 1a‧‧‧接地導體 2‧‧‧第1載置台 2b‧‧‧冷媒入口配管 2c‧‧‧冷媒出口配管 2d‧‧‧冷媒流道 3‧‧‧基台 4‧‧‧支持台 5‧‧‧聚焦環 5a‧‧‧凸部 6‧‧‧靜電夾盤 6a‧‧‧電極 6b‧‧‧絕緣體 6c‧‧‧加熱器 6d‧‧‧載置面 6e‧‧‧凸緣部 7‧‧‧第2載置台 7b‧‧‧冷媒入口配管 7c‧‧‧冷媒出口配管 7d‧‧‧冷媒流道 8‧‧‧基台 9‧‧‧聚焦環加熱器 9a‧‧‧加熱器 9b‧‧‧絕緣體 9d‧‧‧載置面 10‧‧‧電漿處理裝置 10a‧‧‧第1RF電源 10b‧‧‧第2RF電源 11a‧‧‧第1阻抗匹配器 11b‧‧‧第2阻抗匹配器 12‧‧‧直流電源 13‧‧‧電源 15‧‧‧氣體供給源 15a‧‧‧氣體供給配管 15b‧‧‧質流控制器 16‧‧‧噴淋頭 16a‧‧‧本體部 16b‧‧‧上部頂板 16c‧‧‧氣體擴散室 16d‧‧‧氣體通流孔 16e‧‧‧氣體導入孔 16g‧‧‧氣體導入口 16h‧‧‧絕緣部 16i‧‧‧中央部 16j‧‧‧周邊部 30‧‧‧絕緣層 34‧‧‧間隙 49‧‧‧絕緣層 50‧‧‧供電棒 60、60a、60b、60c‧‧‧電磁鐵 71、71a、71b‧‧‧低通濾波器 72、72a、72b‧‧‧可變直流電源 73、73a、73b‧‧‧開關 81‧‧‧排氣口 82‧‧‧排氣管 83‧‧‧第1排氣裝置 84‧‧‧搬入搬出口 85‧‧‧閘閥 86、87‧‧‧沉積物障蔽 89‧‧‧導電性構件 95‧‧‧絕緣性構件 100‧‧‧控制部 110‧‧‧量測部 110a‧‧‧光射出部 110b‧‧‧光纖 111‧‧‧石英窗 112‧‧‧O形環 113‧‧‧貫穿孔 114‧‧‧量測控制單元 120‧‧‧昇降機構 120a‧‧‧棍桿 160‧‧‧通信界面 161‧‧‧製程控制器 161a‧‧‧取得部 161b‧‧‧電漿控制部 162‧‧‧使用者介面 163‧‧‧記憶部 163a‧‧‧狀態資訊 163b‧‧‧補正資訊 170‧‧‧孔洞 Da‧‧‧厚度 dwafer‧‧‧自晶圓W之頂面起至晶圓W上的電漿鞘（Sheath）之界面為止的高度 Dwafer‧‧‧晶圓W的厚度 DFR‧‧‧聚焦環5的厚度 dFR‧‧‧自聚焦環5之頂面起至聚焦環5上的電漿鞘（Sheath）之界面為止的高度 HT1、HT2‧‧‧區域 S10、S11‧‧‧步驟 V2‧‧‧開關閥 W‧‧‧晶圓 Δwafer － FR‧‧‧晶圓W上的電漿鞘之界面與聚焦環5上的電漿鞘之界面的差異
圖1係顯示第1實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。 圖2係顯示將第1實施形態的電漿處理裝置加以控制的控制部之概略性構成的一例之方塊圖。 圖3係顯示晶圓之規格。 圖4係示意性顯示電漿鞘之狀態的一例。 圖5係示意性顯示理想的電漿鞘之狀態。 圖6係顯示受到蝕刻的孔洞之角度θ與聚焦環的厚度之關係的一例。 圖7A（A）～（B）係示意性顯示將孔洞加以蝕刻的狀態。 圖7B（A）～（D）係示意性顯示將孔洞加以蝕刻的狀態。 圖8A係顯示磁場強度與電漿的電子密度之關係的一例之圖表。 圖8B係顯示磁場強度與電漿鞘的厚度之關係的一例之圖表。 圖9係顯示電漿控制處理的處理之流程的一例之流程圖。 圖10係顯示第2實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。 圖11係顯示第3實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。 圖12係顯示第4實施形態的電漿處理裝置之概略性構成的一例之概略剖視圖。 圖13係顯示第4實施形態的第1載置台及第2載置台之重點部位構成的概略剖視圖。 圖14係從上方觀察第4實施形態的第1載置台及第2載置台之俯視圖。 圖15係顯示第5實施形態的第1載置台及第2載置台之重點部位構成的概略剖視圖。 圖16係顯示雷射光之反射系統的一例。 圖17係顯示光的偵測強度之分布的一例。 圖18A係顯示蝕刻率與聚焦環的厚度之關係的一例。 圖18B係顯示受到蝕刻的孔洞之角度θ與聚焦環的厚度之關係的一例。
S10、S11‧‧‧步驟

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於包含： 載置台，將作為電漿處理對象之被處理體加以載置； 聚焦環，載置於該被處理體之周圍； 取得部，取得將該被處理體之狀態加以量測而得之狀態資訊；及 電漿控制部，根據以該取得部取得之狀態資訊所顯示的該被處理體之狀態來控制電漿處理，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更包含： 至少一個電磁鐵，與該被處理體及該聚焦環的其中至少一者呈並列配置； 且該電漿控制部根據該被處理體之狀態來控制對該電磁鐵供給的電力，藉以控制該電磁鐵之磁力，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更包含： 電極，設於將該聚焦環加以載置的載置面，並接受施加有直流電壓； 且該電漿控制部根據該被處理體之狀態來控制施加於該電極的直流電壓，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更包含： 電極，設於將該聚焦環加以載置的載置面，並接受施加有直流電壓對； 且該電漿控制部根據該被處理體之狀態來控制施加於該電極的交流電壓，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更包含： 第2載置台，將該聚焦環加以載置，並可變更阻抗； 且該電漿控制部，根據該被處理體之狀態來控制該第2載置台之阻抗，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更包含： 氣體供給部，係與該被處理體及該聚焦環相向配置，並與該被處理體及該聚焦環的其中至少一者呈並列地設有電極，該氣體供給部噴出處理氣體； 且該電漿控制部根據該被處理體之狀態來控制對該電極供給的電力，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中， 更包含：昇降機構，用以使該聚焦環昇降； 且該電漿控制部根據該被處理體之狀態來控制該昇降機構，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  8. 如申請專利範圍第7項之電漿處理裝置，其中， 該昇降機構在該聚焦環的周向上設於多數之位置， 該狀態資訊包含針對該被處理體的周向上多數之位置的狀態之量測結果， 該電漿控制部，根據該狀態資訊所顯示的在多數之位置的狀態之量測結果，針對該聚焦環的周向多數之位置中的各位置，分別控制該昇降機構，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  9. 如請求專利範圍第1～8項中任一項之電漿處理裝置，其中， 更包含：量測部，用來量測該聚焦環的頂面之高度； 且該電漿控制部，根據該被處理體之狀態及該量測部所量測的該聚焦環之頂面高度，控制電漿處理，俾使形成於該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於該聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  10. 如請求專利範圍第1～9項中任一項之電漿處理裝置，其中， 該被處理體之狀態定為下列其中一者或兩者：該被處理體之厚度、及該被處理體之外徑。
  11. 一種電漿控制方法，其特徵在於包含以下程序： 取得將作為電漿處理對象的被處理體之狀態加以量測而得之狀態資訊；及 根據取得之狀態資訊所顯示的該被處理體之狀態來控制電漿處理，俾使形成於載置台所載置之該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於被載置於該被處理體之周圍的聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
  12. 一種電漿控制程式，其特徵在於使電腦執行以下處理： 取得將作為電漿處理對象的被處理體之狀態加以量測而得之狀態資訊；及 根據取得之狀態資訊所顯示的該被處理體之狀態來控制電漿處理，俾使形成於載置台所載置之該被處理體上部的電漿鞘之界面高度與形成於被載置於該被處理體之周圍的聚焦環之上部的電漿鞘之界面高度的差異在既定範圍內。
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