TW202004373A - 像差測量裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供了一種像差測量裝置及方法，所述像差測量的方法包括：遮罩標記單元移動至待測投影物鏡單元的視場中心位置；遮罩對準單元測量遮罩標記單元在預定向上所有標記的預定向位置和Z向位置，並計算預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，所述預定向為X向和/或Y向；根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條或H線條的畸變和場曲。測量時，兩個相同的預定向探測器同時對標記進行測量，計算時，基於預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，因此本測量不受工件台漂移和工件台運動誤差的影響，從而大幅度提高物鏡低階像差的測量精度。

Description

像差測量裝置及方法
本發明係關於積體電路製造裝備技術領域，特別是關於一種像差測量裝置及方法。
光刻機是一種應用於積體電路製造的裝備，利用該裝備的設備包括但不限於：積體電路製造光刻裝置、液晶面板光刻裝置、光罩刻印裝置、MEMS(微電子機械系統)/MOMS(微光機系統)光刻裝置、先進封裝光刻裝置、印刷電路板光刻裝置及印刷電路板加工裝置等。
投影物鏡畸變是影響光刻機成像質量的重要因素。投影物鏡畸變不僅能造成物鏡所成像的變形，同時會使曝光到矽片上的圖形相對於其理想位置發生位移，從而引起套刻誤差。現代積體電路一般由幾十層電路組成，因而對光刻機的匹配套刻誤差要求極其嚴格。而投影物鏡的畸變是影響光刻機之間匹配套刻的關鍵因素。因此，投影物鏡畸變的檢測對於保證光刻機的套刻誤差不可或缺。
現有技術揭示了一種用於測量投影物鏡畸變的標記結構，形成在一遮罩上，該遮罩上定義有第一方向及與該第一方向垂直的第二方向，該標記結構包括第一圖形區域與第二圖形區域，所述第一圖形區域的中心位置處設置一獨立標記，所述第二圖形區域由陣列標記組成，所述第一圖形區域與第二圖形區域沿該第二方向排列。該發明同時揭示了一種用於測量投影物鏡畸變的方法，包括使獨立標記與投影物鏡物方視場中心位置重合；將工件台位置分別設置為xws ＝ x-M×Xi ， j ，yws ＝y-M×Yi ，對所述獨立標記進行曝光，其中，M為投影物鏡倍率，x，y為矽片曝光場中心位置；使第二圖形區域的中心或遮罩的中心與投影物鏡物方視場中心位置重合，將工件台位置設置為xws ＝x，yws ＝y後曝光；檢測套刻標記的位置誤差Δxi ， j ，Δyi ， j ；計算投影物鏡畸變。該方法存在測量結果受工件台運動誤差的影響，導致物鏡低階像差的測量精度不高。
上述的現有技術中的測量投影物鏡畸變的方法存在的問題也將直接影響到光刻設備的最終性能，因此急需一種方法可以克服現有方法的不足。
本發明的目的在於提供一種像差測量裝置及方法，以解決現有技術中測量投影物鏡畸變的方法受工件台運動誤差的影響，導致物鏡低階像差的測量精度不高的問題。
為解決上述技術問題，本發明提供一種像差測量裝置，所述像差測量裝置包括：沿空間由上至下順次分布的對準照明單元、遮罩標記單元以及遮罩對準單元，其中，所述遮罩標記單元和所述遮罩對準單元之間用於設置一待測投影物鏡單元，所述遮罩對準單元包括至少兩個相同的X向探測器和/或至少兩個相同的Y向探測器，其中，相鄰的一對X向探測器之間的間距和/或相鄰的一對Y向探測器之間的間距為第一間距。
可選的，在所述的像差測量裝置中，所述遮罩標記單元包括至少兩個X向標記和/或至少兩個Y向標記，相鄰的一對X向標記之間的間距和/或相鄰的一對Y向標記之間的間距為第二間距。
可選的，在所述的像差測量裝置中，所述第一間距與所述第二間距的數值比例為m，m為待測投影物鏡單元的物鏡倍率。
可選的，在所述的像差測量裝置中，所述遮罩標記單元中的標記與所述遮罩對準單元中的探測器的尺寸比例為m，m為待測投影物鏡單元的物鏡倍率。
本發明還提供一種像差測量的方法，採用如上所述的像差測量裝置所述像差測量的方法包括如下步驟：
S1：遮罩標記單元移動至待測投影物鏡單元的視場中心位置；
S2：在對準照明單元的照明下，遮罩對準單元測量遮罩標記單元在預定向上的所有標記的預定向位置和Z向位置，並計算預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，所述預定向為X向和/或Y向；
S3：根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條或H線條的畸變和場曲。
可選的，在所述的像差測量的方法中，所述預定向為X向時，所述遮罩對準單元包括兩個相同的X向探測器，兩個相同的X向探測器同時測量所述遮罩標記單元在預定向上的標記的X向位置和Z向位置。
可選的，在所述的像差測量的方法中，所述預定向為Y向時，所述遮罩對準單元包括兩個相同的Y向探測器，兩個相同的Y向探測器同時測量所述遮罩標記單元在預定向上的標記的Y向位置和Z向位置。
可選的，在所述的像差測量的方法中，在步驟S3中，根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條的畸變包括：
基於預定向各對相鄰兩個標記的預定向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的畸變，根據預定向所有相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的畸變獲得物鏡視場預定向V線條畸變。
可選的，在所述的像差測量的方法中，所述預定向為X向時，所述基於預定向各對相鄰兩個標記的預定向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的畸變的公式如下： DT0=0； DT1=DT0+x1； DT2=DT1+x2； … DTn=DT(n-1)+xn；
其中，DT0為X向畸變初始值，DT1為X向第一對相鄰兩個標記的畸變，DT2為X向第二對相鄰兩個標記的畸變，DTn為X向第n對相鄰兩個標記的畸變，n為大於2的正整數；x1為第一標記和第二標記的X向位置差值，x2為第二標記和第三標記的X向位置差值，xn為第n標記和第（n+1）標記的X向位置差值。
可選的，在所述的像差測量的方法中，根據X向所有標記的物鏡視場X向的畸變獲得物鏡視場X向V線條畸變包括：
將X向所有相鄰兩個標記的畸變數組化，並去除一階量。
可選的，在所述的像差測量的方法中，在步驟S3中，根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條的場曲包括：
基於預定向各對相鄰兩個標記的Z向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的場曲，根據預定向所有相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的場曲獲得物鏡視場預定向V線條場曲。
可選的，在所述的像差測量的方法中，所述預定向為X向時，所述基於預定向各對相鄰兩個標記的Z向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的場曲的公式如下： FC0=0； FC1=FC0+z1； FC2=FC1+z2； … FCn=FC(n-1)+zn；
其中，FC0為X向場曲初始值，FC1為X向第一對相鄰兩個標記的場曲，FC2為X向第二對相鄰兩個標記的場曲，FCn為X向第n對相鄰兩個標記的場曲，n為大於2的正整數；z1為第一標記和第二標記的Z向位置差值，z2為第二標記和第三標記的Z向位置差值，zn為第n標記和第（n+1）標記的Z向位置差值。
可選的，在所述的像差測量的方法中，根據X向所有標記的物鏡視場X向的場曲獲得物鏡視場X向V線條場曲包括：
將X向所有相鄰兩個標記的場曲數組化，並去除一階量。
在本發明所提供的像差測量裝置及方法中，所述像差測量的方法包括：遮罩標記單元移動至待測投影物鏡單元的視場中心位置；遮罩對準單元測量遮罩標記單元的預定向上所有標記在預定向位置和Z向位置，並計算預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，所述預定向為X向和/或Y向；根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條或H線條的畸變和場曲。測量時兩個相同的預定向探測器同時對標記進行測量，計算時基於預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，因此本測量不受工件台（如干涉儀）漂移和工件台運動誤差（如干涉儀平面鏡面形）的影響，可以大幅度提高物鏡低階像差的測量精度。
以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的像差測量裝置及方法作進一步詳細說明。根據下面說明和申請專利範圍，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精准的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
請參考圖1，其為本發明實施例的像差測量裝置的結構示意圖，如圖1所示，所述像差測量裝置包括：沿空間由上至下順次分布的對準照明單元、遮罩標記單元、待測投影物鏡單元以及遮罩對準單元，所述遮罩對準單元包括至少兩個相同的X向和/或Y向探測器（即包括至少兩個相同的X向探測器，或者至少兩個相同Y向探測器，或者至少兩個相同的X向探測器和至少兩個相同的Y向探測器），兩個相同的X向和/或Y向探測器之間的間距為第一間距D（即相鄰的一對X向探測器之間的間距和/或相鄰的一對Y向探測器之間的間距為第一間距）。像差測量裝置在應用時，所述遮罩標記單元放置於遮罩臺上，遮罩台設置於對準照明單元與待測投影物鏡單元之間，所述遮罩對準單元放置於工件臺上。所述對準照明單元用於為遮罩對準提供光源，所述遮罩標記單元用於獲取標記空間像位置。
其中，所述遮罩標記單元包括至少兩個X向和/或Y向標記（即包括至少兩個X向標記，或者至少兩個Y向標記，或者至少兩個X向標記和至少兩個Y向標記），所述兩個X向和/或Y向標記之間的間距為第二間距d（即相鄰的一對X向標記之間的間距和/或相鄰的一對Y向標記之間的間距為第二間距），所述第一間距與所述第二間距的數值比例為m(公式表示為m=D/d)，m為待測投影物鏡單元的物鏡倍率。
本實施例中，所述遮罩標記單元與所述遮罩對準單元的形狀相同，具體為所述遮罩標記單元中的標記與所述遮罩對準單元中的探測器的形狀相同，所述標記與所述探測器的尺寸比例為m，m為待測投影物鏡單元的物鏡倍率。
請參考圖2a至圖2d，圖2a是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場X向V線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖；圖2b是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場X向H線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖；圖2c是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場Y向V線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖；圖2d是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場Y向H線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖。本實施例中遮罩對準單元包含四個探測器組合，每個探測器組合包括兩個相同的X向或Y向探測器，優選的，所述探測器可以為光柵測量感測器；所述四個探測器組合包括探測器組合1、探測器組合2、探測器組合3及探測器組合4；其中，探測器組合1（如圖2a中用矩形表示）用於測量物鏡視場X向V線條（豎線條）畸變和場曲；探測器組合2（如圖2b中用三角形表示）用於測量物鏡視場X向H線條（橫線條）畸變和場曲；探測器組合3（如圖2c中用矩形表示）用於測量物鏡視場Y向V線條畸變和場曲；探測器組合4（如圖2d中用三角形表示）用於測量物鏡視場Y向H線條畸變和場曲。本實施例中，所述探測器優選為光柵測量感測器，如圖2a所示，探測器組合1由兩個完全相同的X向光柵測量感測器GXX1和光柵測量感測器GXX2組成，光柵測量感測器GXX1與光柵測量感測器GXX2的X向間距為D（此處指光柵測量感測器GXX1與光柵測量感測器GXX2的X向的中心距離為D）；如圖2b所示，探測器組合2由兩個完全相同的Y向光柵測量感測器GXY1和GXY2組成，光柵測量感測器GXY1與GXY2的X向間距為D（即光柵測量感測器GXY1與GXY2的X向的中心距離為D）；如圖2c所示，探測器組合3由兩個完全相同的X向光柵測量感測器GYX1和GYX2組成，光柵測量感測器GYX1與GYX2的Y向間距為D（即光柵測量感測器GYX1與GYX2的Y向的中心距離為D）；如圖2d所示，探測器組合4由兩個完全相同的Y向光柵測量感測器GYY1和GYY2組成，光柵測量感測器GYY1與GYY2的Y向間距為D（即光柵測量感測器GYY1與GYY2的Y向的中心距離為D）。
請參考圖3a至圖3d，圖3a是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合1的布局圖；圖3b是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合2的布局圖；圖3c是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合3的布局圖；圖3d是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合4的布局圖。本實施例中，遮罩標記單元包含四個標記組合，每個標記組合對應一組探測器組合（標記組合中的標記與探測器組合中的探測器形狀完全相同，兩者尺寸比例為m，m為物鏡倍率），優選的，當探測器為光柵測量感測器時，所述標記為光柵。所述四個標記組合包括標記組合1、標記組合2、標記組合3及標記組合4；其中，以探測器為光柵測量感測器，標記為光柵為例，如圖3a所示，標記組合1由一組與X向光柵測量感測器GXX1（或GXX2）形狀完全相同，大小為其m倍（m為物鏡倍率）的X向光柵GX組成，每兩個光柵間的X向距離為d（即相鄰兩個光柵的X向的中心距離為d），標記組合1的X向總長為l；如圖3b所示，標記組合2由一組與Y向光柵測量感測器GXY1（或GXY2）形狀完全相同，大小為其m倍的Y向光柵GY組成，每兩個光柵間的X向距離為d（即相鄰兩個光柵的X向的中心距離為d），標記組合2的X向總長為l；如圖3c所示，標記組合3由一組與X向光柵測量感測器GYX1（或GYX2）形狀完全相同，大小為其m倍的X向光柵GX組成，每兩個光柵間的Y向距離為d（即相鄰兩個光柵的Y向的中心距離為d），標記組合3的Y向總長為k；如圖3d所示，標記組合4由一組與Y向光柵測量感測器GYX1（或GYX2）形狀完全相同，大小為其m倍的Y向光柵GY組成，每兩個光柵間的Y向距離為d（即相鄰兩個光柵的Y向的中心距離為d），標記組合4的Y向總長為k；標記組合1和標記組合2的X向總長度l與物鏡物方視場X向大小相同；標記組合3和標記組合4的Y向總長度k與物鏡物方視場Y向大小相同。
此外，本發明不局限於所述遮罩標記單元中的標記與所述遮罩對準單元中的探測器的形狀相同，還允許所述遮罩標記單元中的標記與所述遮罩對準單元中的探測器的形狀不同，只要探測器的探測端能夠覆蓋標記圖形，滿足探測需求即可。
相應的，本實施例還提供了一種像差測量的方法。下面參考圖1至圖5及圖10詳細說明本發明的所述像差測量的方法。
所述像差測量的方法採用上述像差測量裝置，具體包括如下步驟：
首先，執行步驟S1，遮罩標記單元移動至待測投影物鏡單元的視場中心位置；
接著，請參考圖5，執行步驟S2，遮罩對準單元測量遮罩標記單元的預定向上所有標記在預定向位置和Z向位置，並計算預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，所述預定向為X向和/或Y向；
其中，所述預定向為X向時，所述遮罩對準單元包括兩個相同的X向探測器，兩個相同的X向探測器同時測量所述遮罩標記單元的預定向上的標記的X向位置和Z向位置；所述預定向為Y向時，所述遮罩對準單元包括兩個相同的Y向探測器，兩個相同的Y向探測器同時測量所述遮罩標記單元的預定向上的標記的Y向位置和Z向位置。
當探測器之間的第一間距D較大時（例如第一間距D是第二間距d的n倍），可以採用多樣條測量的方法。即先從最左側（或最右側）第一個標記開始，以第一間距D為步距（表現為遮罩對準單元在工件台的運動帶動下沿X向運動距離D）測量一個樣條的數據；再從最左側（或最右側）第二個標記開始，以第一間距D為步距進行第二個樣條數組的測量；以此類推完成所有樣條的測量。如圖5所示，第二間距d為第一間距D的1/4，可以分4個樣條將所有標記測量完成，再經過樣條偏移、樣條差值和濾波等運算得到一組測量點密集的測量結果。
接著，執行步驟S3，根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條或H線條的畸變和場曲。
為了更好的理解步驟S3的實現過程，以預定向為X向，根據X向上所有相鄰兩個標記的X向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場X向V線條的畸變和場曲為例進行詳細闡述，具體過程如下：
S30：基於X向各對相鄰兩個標記的X向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場X向的畸變，根據X向所有相鄰兩個標記的物鏡視場X向的畸變獲得物鏡視場X向V線條畸變；
其中，基於X向各對相鄰兩個標記的X向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場X向的畸變的公式如下： DT0=0； DT1=DT0+x1； DT2=DT1+x2； … DTn=DT(n-1)+xn；
式中，DT0為X向畸變初始值，DT1為X向第一對相鄰兩個標記的畸變，DT2為X向第二對相鄰兩個標記的畸變，DTn為X向第n對相鄰兩個標記的畸變，n為大於2的正整數；x1為第一標記和第二標記的X向位置差值，x2為第二標記和第三標記的X向位置差值，xn為第n標記和第（n+1）標記的X向位置差值。
接著，將X向所有相鄰兩個標記的畸變（DT0、DT1、DT2…DTn）數組化，並去除一階量，即可得到物鏡視場X向V線條的畸變形貌。
S31：基於X向各對相鄰兩個標記的Z向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場X向的場曲，根據X向所有相鄰兩個標記的物鏡視場X向的場曲獲得物鏡視場X向V線條場曲；
其中，請參考圖4，基於X向各對相鄰兩個標記的Z向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場X向的場曲的公式如下： FC0=0； FC1=FC0+z1； FC2=FC1+z2； … FCn=FC(n-1)+zn；
式中，FC0為X向場曲初始值，FC1為X向第一對相鄰兩個標記的場曲，FC2為X向第二對相鄰兩個標記的場曲，FCn為X向第n對相鄰兩個標記的場曲，n為大於2的正整數；z1為第一標記和第二標記的Z向位置差值，即z1=z2’-z1’，z1’為第一標記的Z向位置，z2’為第二標記的Z向位置；z2為第二標記和第三標記的Z向位置差值，即z2=z3’-z2’，z2’為第二標記的Z向位置，z3’為第三標記的Z向位置；zn為第n標記和第（n+1）標記的Z向位置差值。
請繼續參考圖4，FC0與FC1在X向間距為D；FC0與FC1在Y向間距為d1，FC1與FC2在Y向間距為d2。
接著，將X向所有相鄰兩個標記的場曲（FC0、FC1、FC2…FCn）數組化，並去除一階量，即可得到物鏡視場X向V線條的場曲形貌。
同理，物鏡視場X向H線條、物鏡視場Y向V線條和物鏡視場Y向H線條畸變和場曲的測量和計算方法與上述過程類似，不再贅述。
由於測試過程中遮罩對準單元中至少兩個相同的X向或Y向探測器同時測量空間的位置，計算時採用兩個探測器測量結果的差值，因此本測試不受工件台（如干涉儀）漂移和工件台運動誤差（如干涉儀平面鏡面形）的影響，可以大幅度提高測量精度。針對28nm節點光刻設備，採用上述方法進行精度分析和仿真，如圖6所示，畸變的測量誤差小於1nm；如圖7所示，場曲的測量誤差小於7nm。
在另一實施例中，所示遮罩對準單元可以為CCD式遮罩對準感測器，此時CCD式遮罩對準感測器的布局圖如圖8所示；對應的，遮罩對準單元為CCD式遮罩對準感測器時，遮罩標記單元的布局圖如圖9所示。此時，具體測量和計算方法與前一實施例相同。
本說明書中各個實施例採用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。
對於實施例所揭示的方法而言，由於與實施例所揭示的結構相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見結構部分說明即可。
綜上，在本發明所提供的像差測量裝置及方法中，所述像差測量的方法包括：遮罩標記單元移動至待測投影物鏡單元的視場中心位置；遮罩對準單元測量遮罩標記單元的預定向上所有標記的預定向位置和Z向位置，並計算預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，所述預定向為X向和/或Y向；根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條或H線條的畸變和場曲。測量時兩個相同的預定向探測器同時對標記進行測量，計算時基於預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，因此本測量不受工件台（如干涉儀）漂移和工件台運動誤差（如干涉儀平面鏡面形）的影響，可以大幅度提高物鏡低階像差的測量精度。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於申請專利範圍的保護範圍。
S1~S3‧‧‧步驟
圖1是本發明一實施例中像差測量裝置的結構示意圖； 圖2a是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場X向V線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖； 圖2b是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場X向H線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖； 圖2c是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場Y向V線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖； 圖2d是本發明一實施例中遮罩對準單元包括用於測量物鏡視場Y向H線條畸變和場曲的探測器組合時的布局圖； 圖3a是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合1的布局圖； 圖3b是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合2的布局圖； 圖3c是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合3的布局圖； 圖3d是本發明一實施例中遮罩標記單元包括的標記組合4的布局圖； 圖4是本發明一實施例中場曲測量的原理圖； 圖5是本發明一實施例中多樣條測量示意圖； 圖6是本發明一實施例中畸變測量精度仿真圖； 圖7是本發明一實施例中場曲測量精度仿真圖 圖8是本發明一實施例中遮罩對準單元為CCD式遮罩對準感測器時的布局圖； 圖9是本發明一實施例中遮罩對準單元為CCD式遮罩對準感測器時，遮罩標記單元的布局圖； 圖10是本發明一實施例中像差測量的方法流程圖。
S1~S3‧‧‧步驟

Claims (13)

  1. 一種像差測量裝置，其特徵在於包括：沿空間由上至下順次分布的對準照明單元、遮罩標記單元以及遮罩對準單元，其中所述遮罩標記單元和所述遮罩對準單元之間用於設置一待測投影物鏡單元，所述遮罩對準單元包括至少兩個相同的X向探測器和/或至少兩個相同的Y向探測器，其中相鄰的一對X向探測器之間的間距和/或相鄰的一對Y向探測器之間的間距為第一間距。
  2. 如請求項1所述的像差測量裝置，其中所述遮罩標記單元包括至少兩個X向標記和/或至少兩個Y向標記，相鄰的一對X向標記之間的間距和/或相鄰的一對Y向標記之間的間距為第二間距。
  3. 如請求項2所述的像差測量裝置，其中所述第一間距與所述第二間距的數值比例為m，m為待測投影物鏡單元的物鏡倍率。
  4. 如請求項2所述的像差測量裝置，其中所述遮罩標記單元中的標記與所述遮罩對準單元中的探測器的尺寸比例為m，m為待測投影物鏡單元的物鏡倍率。
  5. 一種像差測量的方法，採用如請求項1至4中任一項所述的像差測量裝置，其特徵在於包括如下步驟： S1：遮罩標記單元移動至待測投影物鏡單元的視場中心位置； S2：在對準照明單元的照明下，遮罩對準單元測量遮罩標記單元在預定向上的所有標記的預定向位置和Z向位置，並計算預定向上相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值，所述預定向為X向和/或Y向； S3：根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條或H線條的畸變和場曲。
  6. 如請求項5所述的像差測量的方法，其中所述預定向為X向時，所述遮罩對準單元包括兩個相同的X向探測器，兩個相同的X向探測器同時測量所述遮罩標記單元在預定向上的標記的X向位置和Z向位置。
  7. 如請求項5所述的像差測量的方法，其中所述預定向為Y向時，所述遮罩對準單元包括兩個相同的Y向探測器，兩個相同的Y向探測器同時測量所述遮罩標記單元在預定向上的標記的Y向位置和Z向位置。
  8. 如請求項5所述的像差測量的方法，其中在步驟S3中，根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條的畸變包括： 基於預定向各對相鄰兩個標記的預定向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的畸變，根據預定向所有相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的畸變獲得物鏡視場預定向V線條畸變。
  9. 如請求項8所述的像差測量的方法，其中所述預定向為X向時，所述基於預定向各對相鄰兩個標記的預定向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的畸變的公式如下： DT0=0； DT1=DT0+x1； DT2=DT1+x2； … DTn=DT(n-1)+xn； 其中，DT0為X向畸變初始值，DT1為X向第一對相鄰兩個標記的畸變，DT2為X向第二對相鄰兩個標記的畸變，DTn為X向第n對相鄰兩個標記的畸變，n為大於2的正整數；x1為第一標記和第二標記的X向位置差值，x2為第二標記和第三標記的X向位置差值，xn為第n標記和第（n+1）標記的X向位置差值。
  10. 如請求項8所述的像差測量的方法，其中根據X向所有標記的物鏡視場X向的畸變獲得物鏡視場X向V線條畸變包括： 將X向所有相鄰兩個標記的畸變數組化，並去除一階量。
  11. 如請求項5所述的像差測量的方法，其中在步驟S3中，根據預定向上所有相鄰兩個標記的預定向位置差值和Z向位置差值得到物鏡視場預定向V線條的場曲包括： 基於預定向各對相鄰兩個標記的Z向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的場曲，根據預定向所有相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的場曲獲得物鏡視場預定向V線條場曲。
  12. 如請求項11所述的像差測量的方法，其中所述預定向為X向時，所述基於預定向各對相鄰兩個標記的Z向位置差值計算對應相鄰兩個標記的物鏡視場預定向的場曲的公式如下： FC0=0； FC1=FC0+z1； FC2=FC1+z2； … FCn=FC(n-1)+zn； 其中，FC0為X向場曲初始值，FC1為X向第一對相鄰兩個標記的場曲，FC2為X向第二對相鄰兩個標記的場曲，FCn為X向第n對相鄰兩個標記的場曲，n為大於2的正整數；z1為第一標記和第二標記的Z向位置差值，z2為第二標記和第三標記的Z向位置差值，zn為第n標記和第（n+1）標記的Z向位置差值。
  13. 如請求項11所述的像差測量的方法，其中根據X向所有標記的物鏡視場X向的場曲獲得物鏡視場X向V線條場曲包括： 將X向所有相鄰兩個標記的場曲數組化，並去除一階量。
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