TW202003156A - 半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法 - Google Patents

半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202003156A
TW202003156A TW107136982A TW107136982A TW202003156A TW 202003156 A TW202003156 A TW 202003156A TW 107136982 A TW107136982 A TW 107136982A TW 107136982 A TW107136982 A TW 107136982A TW 202003156 A TW202003156 A TW 202003156A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
thickness
semiconductor package
molding layer
grinding
protective molding
Prior art date
Application number
TW107136982A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI723293B (zh
Inventor
朴商奎
宋鎭圭
Original Assignee
南韓商舒語科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商舒語科技股份有限公司 filed Critical 南韓商舒語科技股份有限公司
Publication of TW202003156A publication Critical patent/TW202003156A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI723293B publication Critical patent/TWI723293B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本發明關於半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法。本發明之裝置包括：測定部，設置於工作台的一側，在以預設的壓力對所要測定的半導體封裝件進行加壓的狀態下測定包括半導體封裝件的基板厚度和形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層的總厚度；研磨單元，用於研磨保護模塑層；以及控制部，藉由總厚度減去基板厚度來算出保護模塑層的厚度以控制研磨單元的驅動，使其均勻地研磨保護模塑層，測定基板厚度和保護模塑層的總厚度，可藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出保護模塑層的厚度，藉此為基準調節保護模塑層的研磨厚度。

Description

半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法
本發明關於半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法，更詳細地，關於對藉由在底部基板的上部面安裝有半導體晶片來進行封裝的半導體帶或晶片的保護模塑層進行研磨，來減少厚度的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法。
通常，半導體封裝件由如下的方式製造，即，在由矽材質製造的半導體基板上製造形成有電晶體及電容器等的高度積體電路的半導體晶片後，將其附著於引線框架或印刷電路板等的帶材料，利用電纜等使上述半導體晶片與帶材料電連接以便相互通電，之後經過環氧樹脂模塑過程，以免受外部環境的影響。
這種半導體封裝件以排列成矩陣形式的形態封裝，帶材料內的各封裝件都被切割並單獨分離，並按照預設的品質標準對這些獨立分離的封裝件進行分類後，裝載在托盤等並送到後續步驟。
完成模塑步驟的形態按照形狀稱為半導體帶或半導體晶片，半導體帶和半導體晶片包括多個半導體封 裝件。為了從半導體帶或半導體晶片分離各自的半導體封裝件，需要進行切割步驟。
進行切割步驟後，多個半導體封裝件經過洗滌和烘乾等後續步驟後，移動到上述轉盤，經過視覺檢查(vision inspection)後藉助分揀拾取器分類。
本案申請人曾在下述專利文獻1及專利文獻2等多處公開半導體封裝件研磨機技術，並獲得過專利授權。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：韓國專利授權號第10-1531820號(2015年6月24日公告)。
專利文獻2：韓國專利授權號第10-1635113號(2016年6月30日公告)。
另一方面，根據先前技術的利用半導體封裝件研磨機研磨半導體封裝件的保護模塑層的過程中，存在因製造半導體封裝件時的公差而使保護模塑層的厚度不均勻或半導體封裝件彎曲時難以將保護模塑層研磨至規定厚度的問題。
因此，需要開發可藉由精密調節半導體封裝件的研磨厚度來研磨保護模塑層的技術。
本發明的目的在於解決如上所述問題，並提供可藉由去除形成在半導體封裝件的上部保護模塑層來使半導體封裝件的總厚度變薄的半導體封裝件研磨機的研磨 厚度調節裝置及方法。
本發明的再一目的在於，提供可藉由精密調節半導體封裝件的保護模塑層的厚度來進行研磨的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法。
本發明的另一目的在於，提供半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法，上述半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法可與半導體封裝件基板厚度無關地，根據保護模塑層的厚度來調節研磨厚度，從而可維持均勻的保護模塑層的厚度。
為了實現上述目的，本發明的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置的特徵在於，測定包括半導體封裝件的基板厚度和形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層的總厚度，藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出上述保護模塑層的厚度，並以算出的保護模塑層的厚度為基準來調節上述保護模塑層的研磨厚度。
並且，為了實現如上所述的目的，本發明的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置的特徵在於，測定包括半導體封裝件的基板厚度和形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層的總厚度，藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出上述保護模塑層的厚度，並以算出的保護模塑層的厚度為基準調節上述保護模塑層的研磨厚度。
如上所述，根據本發明的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法可獲得如下效果，即，測定包括半導體封裝件基板厚度及保護模塑層的總厚度，藉由 從所測定的總厚度減去基板厚度來算出上述保護模塑層的厚度，並以算出的保護模塑層的厚度為基準調節上述保護模塑層的研磨厚度。
由此，根據本發明可獲得如下效果，即，可均勻地研磨形成在半導體封裝件的上部面的保護模塑層的厚度。
10‧‧‧半導體封裝件研磨機
11‧‧‧真空吸盤單元
12‧‧‧第一拾取器
13‧‧‧研磨單元
14‧‧‧烘乾單元
15‧‧‧第二拾取器
16‧‧‧第一裝載部
17‧‧‧供給模組
18‧‧‧檢查模組
19‧‧‧第二裝載部
20‧‧‧控制部
21‧‧‧軌道
22‧‧‧移動單元
23‧‧‧驅動單元
24‧‧‧傳遞單元
30‧‧‧研磨厚度調節裝置
31‧‧‧測定部
32‧‧‧空氣噴射部
33‧‧‧設置台
34‧‧‧設置塊
40‧‧‧加壓模組
41‧‧‧圓筒部
42‧‧‧彈性部件
50‧‧‧測定模組
51‧‧‧本體
52‧‧‧探針
61‧‧‧空氣供給線
62‧‧‧移動流路
63‧‧‧噴射孔
100‧‧‧半導體封裝件
110‧‧‧印刷電路板/基板
120‧‧‧保護模塑層
211‧‧‧導槽
221‧‧‧支架
222‧‧‧移動體
223‧‧‧指狀單元
h1‧‧‧印刷電路板的厚度
h2‧‧‧半導體封裝件的總厚度
h3‧‧‧保護模塑層的厚度
h4‧‧‧設定厚度
圖1為本發明的較佳實施例的適用研磨厚度調節裝置的半導體封裝件研磨機的框圖。
圖2為例示半導體封裝件的圖。
圖3為本發明的較佳實施例的適用研磨厚度調節裝置的供給模組的立體圖。
圖4為圖3中示出的研磨厚度調節裝置的局部放大圖。
圖5為圖4中示出的測定部的剖視圖。
圖6為按照步驟說明本發明的較佳實施例的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法的步驟圖。
以下，參照圖式對本發明的較佳實施例的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法進行詳細說明。
在本實施例中，半導體封裝件可包括橫豎長度分別為約215mm×16mm的矩形板形狀的半導體帶，橫豎長度分別為約311mm×311mm的正方形形狀的面板級封裝 (PLP，Panel Level Package)及直徑為約8英寸或12英寸的圓板形狀的晶圓級封裝(WLP，Wafer Level Package)。
然而，在本實施例中，為了便於說明，雖然描述了調節上述半導體帶的研磨厚度的結構，但是本發明可變更為不僅可調節半導體帶，還可調節面板級封裝、晶圓級封裝的研磨厚度。
而且，“左側”、“右側”、“前方”、“後方”、“上方”、“下方”等指示方向的術語被定義為以各圖式中所示出的情況為基準的各方向。
首先，參照圖1說明本發明的較佳實施例的適用研磨厚度調節裝置的半導體封裝件研磨機的結構。
圖1為本發明的較佳實施例的適用研磨厚度調節裝置的半導體封裝件研磨機的框圖。
如圖1所示，半導體封裝件研磨機10包括：真空吸盤單元11，固定並清洗半導體封裝件以便去除半導體封裝件的保護模塑層；第一拾取器12，用於依次將半導體封裝件載入到真空吸盤單元11；研磨單元13，用於研磨並去除載入到真空吸盤單元11的半導體封裝件的保護模塑層；烘乾裝置14，用於對藉助研磨單元13研磨的半導體封裝件進行烘乾；以及第二拾取器15，用於將在研磨單元13研磨的半導體封裝件載入到烘乾裝置14。
與此同時，半導體封裝件研磨機10還可以包括：第一裝載部16，設置有裝載空間，當進行研磨作業時，在上述裝載空間裝載有多個裝載半導體封裝件的料盒；供 給模組17，用於向第一拾取器12依次供給裝載於各料盒的半導體封裝件；檢查模組18，用於檢查已完成研磨作業的半導體封裝件的精準度；第二裝載部19，用於裝載已完成檢查的半導體封裝件；以及控制部20，用於控制設置於半導體封裝件研磨機10的各裝置的驅動。
像這樣，用於進行研磨、清洗、烘乾、檢查等各步驟的各設備以及用於提供各步驟所需的切削油、清潔水或真空壓力的罐或泵等可設置於一個外罩(圖式中未示出)的內部。
在上述外罩的前部面可設置有用於顯示各設備的工作狀態的顯示面板和用於設定各設備的工作並控制工作的操作面板。
像這樣，在本發明中，以真空吸盤單元為中心，在兩側分別設置第一裝載部和烘乾裝置、檢查模組、第二裝載部，利用供給模組和第一拾取器、第二拾取器，沿著一條直線依次移動半導體封裝件並進行各自的步驟。
由此，本發明可藉由最小化去除半導體封裝件的保護模塑層的整體過程的移動距離來提高工作速度，並簡化整體裝置內部的結構，從而使空間利用率最大化。
在本實施例中，將半導體封裝件沿著一條直線依次移動的方向稱為“半導體封裝件移送方向”。
按照這種整體步驟的順序，簡略說明設置於半導體封裝件研磨機10的各設備的結構。
在第一裝載部16可設置有料盒移動機器人， 上述料盒移動機器人將裝載有半導體封裝件的料盒移動到預設的位置，並隨著裝載在料盒的半導體封裝件供給到研磨單元13側，將料盒移動到上方或下方。
檢查模組18可包括：厚度檢查機器人，用於檢查已完成研磨作業的半導體封裝件的厚度；視覺軌道，用於從第二拾取器15接收已完成研磨作業的半導體封裝件並移送到第二裝載部19側；以及視覺機器人，藉由拍攝沿著上述詩句軌道移送的半導體封裝件來進行視覺檢查。
在第二裝載部19可設置有裝載機器人，上述裝載機器人將料盒移動到上方或下方，以便在用於裝載完成檢查作業的半導體封裝件的空料盒內部裝載半導體封裝件，並將完成裝載的料盒移動到裝載空間。
真空吸盤單元11具有如下的功能，即，固定半導體封裝件並移動到研磨單元13的下部，當進行研磨作業、清洗作業以及厚度檢查作業時，可使半導體封裝件向預設的方向按照預設的間隔移動。
為此，真空吸盤單元11可包括：吸盤工作台，藉由形成真空來以吸附的方式固定半導體封裝件；Y軸機器人，用於將上述吸盤工作台移動到垂直於半導體封裝件的移送方向的方向；真空泵，與上述吸盤工作台相連接，並形成真空以產生吸力；以及清潔水泵(圖式中未示出)，用於向上述吸盤工作台供給清潔水。
然後，參照圖2至圖5詳細說明本發明的較佳實施例的研磨厚度調節裝置的結構。
圖2為例示半導體封裝件的圖，圖3為本發明的較佳實施例的適用研磨厚度調節裝置的供給模組的立體圖，圖4為圖3中示出的研磨厚度調節裝置的局部放大圖，圖5為圖4中示出的測定部的剖視圖。
在圖5中示出圖4所示出的測定部向下方移動的狀態。
在本實施例中研磨厚度調節裝置30描述為設置在供給模組17，但本發明並不局限於此，研磨厚度調節裝置30可設置在真空吸盤單元11。
即，本發明的較佳實施例的研磨厚度調節裝置30設置於供給模組17，上述供給模組17將裝載在第一裝載部16的料盒的半導體封裝件供給到真空吸盤單元11，上述研磨厚度調節裝置30用於測定包括如圖2所示的半導體封裝件100的印刷電路板(以下，稱之為“基板”)110的厚度h1和形成在半導體封裝件100的上部的保護模塑層120的半導體封裝件100的總厚度h2。
而且，研磨厚度調節裝置30藉由從所測定的總厚度h2減去基板110的厚度h1來算出保護模塑層120的厚度h3，並藉由調節研磨厚度來使保護模塑層120的厚度維持以所算出的保護模塑層120的厚度h3為基準由工作人員基於設定的設定厚度h4。
如圖3至圖5所示，供給模組17可包括：一對軌道21，沿著半導體封裝件的移動路徑設置在工作台上部兩側，用於引導半導體封裝件的移動；移動單元22，用於 拾起半導體封裝件的一端使其向上述移動路徑移動；驅動單元23，用於產生驅動力以驅動移動單元22；以及傳遞單元24，用於將在驅動單元23產生的驅動力傳遞給移動單元22。
一對軌道21以隔開對應於半導體封裝件，即，本實施例中的半導體帶的寬度的間距的方式設置，半導體封裝件可沿著一對軌道21之間的空間移動。
移動單元22可包括：一對支架221，沿著上述移動路徑設置於工作台的兩側上端；移動體222，以可沿著一對支架221的上部面移動的方式設置；以及指狀單元223，設置於移動體222，藉由從上下方向施加壓力來移動半導體封裝件，以便利用夾子結構夾住半導體封裝件的一端部，即，前端部。
驅動單元23可以是藉由接收油壓或電源來產生驅動力的泵或馬達。
傳遞單元24可包括設置於一對軌道21的前端部和後端部的輥子或滑輪，以及將從驅動單元23傳遞的驅動力傳遞到上述輥子或滑輪的帶或齒輪。
研磨厚度調節裝置30可包括：測定部31，用於測定沿著一對軌道21之間移動的半導體封裝件的厚度；以及空氣噴射部32，藉由噴射高壓空氣來去除以下將說明的設置塊34與軌道21之間的異物，使得當測定半導體封裝件的厚度時去除異物。
測定部31在對半導體封裝件施加預設的壓力 的狀態下，測定半導體封裝件基板厚度及總厚度，以去除半導體封裝件的鼓起所導致的厚度測定誤差。
為此，測定部31可包括：加壓模組40，用於對半導體封裝件施加預設的壓力；以及測定模組50，用於測定由加壓模組40固定的半導體封裝件基板厚度及總厚度。
因此，設置於半導體封裝件研磨機10並用於控制各裝置的驅動的控制部20可藉由從測定部31測定的總厚度減去基板厚度來算出保護模塑層的厚度，並藉由控制研磨單元13的驅動來使保護模塑層按照規定厚度研磨，上述規定厚度是以所算出的保護模塑層的厚度為基準由工作人員設定的設定厚度。
當然，在本發明可變更為如下的方式，即，可與控制部20分開的設置用於調節研磨厚度的另外的控制器，可藉由上述控制器與控制部20的通信來調節研磨厚度的工作。
這種測定部31以可在工作台的一側上部沿著左右方向進行移動的方式設置於設置台33，使得加壓模組40和測定模組50可向上下及左右方向移動。
為此，在設置台33以能夠向上下方式移動的方式設置有設置塊34，設置塊34可沿著設置台33的上下方向設置的移動導杆向上下方向進行移動。
加壓模組40和測定模組50設置於設置塊34的內側面，藉由與設置塊34一同向上下方向移動來測定適用 於半導體封裝件的基板的厚度及總厚度。
當這種設置塊34向下方移動時，與一對軌道21中配置於設置塊34的下部的軌道21的上部面相接觸，軌道21起到限制設置塊34的下方移動的擋止作用。
在一對軌道21內側面形成有分別引導半導體封裝件的移動的導槽211，投入半導體封裝件之前，設置於測定模組50的探針52可藉由貫通導槽211的上部來與導槽211的下部面相接觸。
因此，測定模組50以探針52和導槽211的下部面的接觸狀態為基準設置零點，當投入半導體封裝件時，測定半導體封裝件基板厚度及總厚度。
測定模組50可包括：本體51，固定設置於設置塊34；探針52，以可在本體51的下部向上下方向進行移動的方式設置，並與導槽211的下部面或半導體封裝件相接觸；以及測定感測器，設置於本體51的內部，用於測定探針52的上端位置。
加壓模組40可包括固定設置於設置塊34的圓筒部41以及設置於本體51與探針52之間並對探針52提供彈力的彈性部件42。
探針52從本體51向圓筒部41的下方突出，並且可以藉由與導槽211的下部面或半導體封裝件的接觸向上方移動。
其中，探針52可藉由加壓模組40的彈性部件42所提供的彈力來對半導體封裝件施加預設的壓力。
由此，半導體封裝件由探針52施加壓力並固定，上述測定感測器可以藉由測定藉助與導槽211或半導體封裝件的接觸向上方移動的探針52的上端位置來測定厚度。
測定感測器產生與測定的厚度相對應的測定訊號並傳遞至控制部20，控制部20可根據測定感測器的測定訊號接收半導體封裝件的基板及總厚度。
另一方面，在設置塊34的下部面與軌道21之間存在異物或在由設置塊34的下部面與軌道21之間存在的空氣產生壓力的情況下，可發生厚度測定誤差。
為防止其發生，在測定厚度之前，空氣噴射部32向軌道21噴射高壓空氣以去除異物，並防止產生壓力。
這種空氣噴射部32可設置於設置塊34。
即，在設置塊34的一側連接有用於供給高壓空氣的空氣供給線61，在設置塊34的內側形成有用於移動高壓空氣的移動流路62，在設置塊34的下部面形成有用於向軌道21噴射高壓空氣的噴射孔63。
圖5中示出移動流路62在設置塊34的內部沿著上下方向形成，但空氣供給線61的連接位置、移動流路62的形狀和位置、方向及噴射孔63的位置可以有多種變形。
像這樣，在本發明中，測定包括半導體封裝件基板厚度及保護模塑層的總厚度，藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出保護模塑層的厚度，並以算出的保護模塑層的厚度為基準調節保護模塑層的研磨厚度。
由此，在本發明中，可按照規定厚度研磨形成於半導體封裝件的保護模塑層。
接著，參照圖6詳細說明本發明的較佳實施例的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法。
圖6為按照步驟說明本發明的較佳實施例的半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法的步驟圖。
在圖6的S10步驟中，當半導體封裝件研磨機10的電源開關(圖式中未示出)開啟時，電源供給部(圖式中未示出)向各裝置供給電源。然後，控制部20將對各裝置進行初始化，依次供給半導體封裝件以研磨保護模塑層，並準備進行半導體封裝件的清洗、烘乾、檢查工作。
此時，工作人員可藉由操作操作面板來輸入所要研磨的保護模塑層的設定厚度。
在步驟S20中，供給模組17向真空吸盤單元側依次供給裝載在第一裝載部的各料盒的半導體封裝件。
此時，研磨厚度調節裝置30測定包括半導體封裝件基板厚度和保護模塑層的總厚度(步驟S30)。
為此，供給模組17的指狀單元223拾起半導體封裝件的後端部並移動到供給模組17的內側，測定部31測定移動到規定位置的半導體封裝件基板厚度和總厚度。
即，指狀單元223根據控制訊號依次使半導體封裝件移動預設距離，完成相應位置的厚度測定後，將半導體封裝件移動到下一個位置。
像這樣，在多個位置測定厚度的情況下，控 制部可藉由按照多個測定值的平均值、最大值或最小值等多種方式設定的方式來算出保護模塑層的厚度(步驟S40)。
此時，測定部31根據控制部20的控制，在與基板的邊緣相對應的位置測定基板的厚度，並藉由移動到半導體封裝件的中央部側來測定總厚度。
而且，控制部20可控制為在多個位置測定半導體封裝件的厚度，以便在預設的一個位置上測定厚度或提高厚度測定結果的精準度。
另一方面，在本實施例中，在軌道的一側設置一個測定模組，並藉由將測定模組向上下及左右方向移動來測定半導體封裝件基板厚度及總厚度，但本發明並不局限於此。
例如，本發明可以變更為設置多個測定模組，以便利用各測定模組分別測定半導體封裝件基板厚度和總厚度。
並且，本發明也可以變更為利用多個測定模組在半導體封裝件的多個位置分別測定板厚度和總厚度。
在步驟S50中，為了以所算出的保護模塑層的厚度為基準將保護模塑層研磨至工作人員所輸入的設定厚度，控制部20控制驅動研磨單元13，以便研磨從算出的保護模塑層的厚度減去上述設定厚度的厚度。
由此，研磨單元13以調節研磨厚度的方式研磨，使得保護模塑層維持上述設定厚度。
在這種研磨過程中，半導體封裝件藉助清潔 水清洗，控制部20將清洗的半導體供給至烘乾單元14及檢查模組18以便進行烘乾及檢查(步驟S60)。
經過如上所述的過程，本發明測定包括半導體封裝件基板厚度及保護模塑層的總厚度，以藉由從測定的總厚度減去基板的厚度來算出的保護模塑層的厚度為基準，調節保護模塑層的研磨厚度。
由此，本發明可將形成在半導體封裝件的保護模塑層研磨至規定厚度。
以上，根據上述實施例具體說明了由本發明人實現的發明，但本發明並不局限於上述實施例，在不脫離其主旨的範疇下可以進行各種變更。
然而，在本實施例中，為了便於說明，雖然描述了調節上述半導體帶的研磨厚度的結構，但是本發明可變更為不僅可調節半導體帶，還可調節面板級封裝、晶圓級封裝的研磨厚度。
[產業上的可利用性]
本發明適用於將形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層按照規定厚度研磨的半導體封裝件研磨機技術。
10‧‧‧半導體封裝件研磨機
11‧‧‧真空吸盤單元
12‧‧‧第一拾取器
13‧‧‧研磨單元
14‧‧‧烘乾單元
15‧‧‧第二拾取器
16‧‧‧第一裝載部
17‧‧‧供給模組
18‧‧‧檢查模組
19‧‧‧第二裝載部
20‧‧‧控制部
30‧‧‧研磨厚度調節裝置

Claims (14)

  1. 一種半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，係測定包括半導體封裝件的基板厚度和形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層的總厚度，藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出前述保護模塑層的厚度，並以算出的保護模塑層的厚度為基準來調節前述保護模塑層的研磨厚度。
  2. 如請求項1所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其包括：
    測定部，設置於工作台的一側，在以預設的壓力對所要測定的半導體封裝件進行加壓的狀態下測定前述基板厚度和總厚度；
    研磨單元，用於研磨前述保護模塑層；以及
    控制部，藉由從前述測定部測定的總厚度減去前述基板厚度來算出前述保護模塑層的厚度，以所算出的保護模塑層的厚度為基準來控制前述研磨單元的驅動，使其按照預設的設定厚度均勻地研磨前述保護模塑層。
  3. 如請求項2所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其中前述測定部包括：
    加壓模組，用於對半導體封裝件施加預設的壓力；以及
    測定模組，用於測定藉助前述加壓模組加壓固定的半導體封裝件的前述基板厚度及總厚度。
  4. 如請求項3所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其中前述測定模組包括：
    設置塊，以能夠在半導體封裝件的中央部與未形成前述保護模塑層的基板的邊緣之間進行移動的方式設置；
    本體，固定設置於前述設置塊；
    探針，以能夠在前述本體的下部向上下方向進行移動的方式設置，並與在前述一對軌道內側面形成的導槽的下部面或半導體封裝件相接觸；以及
    測定感測器，設置於前述本體的內部，用於測定前述探針的上端位置。
  5. 如請求項4所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其中前述加壓模組包括：
    圓筒部，固定設置於前述設置塊；以及
    彈性部件，設置於前述本體與前述探針之間，用於向前述探針提供彈力；
    前述探針以從前述本體向前述圓筒部的下方凸出的方式設置，藉助與前述導槽的下部面或半導體封裝件的接觸向上方進行移動，並藉助前述彈性部件的彈力對半導體封裝件施加預設壓力。
  6. 如請求項2至5中任一項所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其中前述測定部在供給半導體封裝件的路徑周邊至少設置有一個。
  7. 如請求項6所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度 調節裝置，其中在設置有一個前述測定部的情況下，前述測定部以能夠沿著與輸送半導體封裝件的方向垂直的方向移動的方式設置，以能夠測定前述基板厚度和總厚度。
  8. 如請求項6所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其進一步包括用於將前述半導體封裝件移動至前述研磨單元側的供給單元；
    前述控制部控制前述供給單元的結構以使前述半導體封裝件依次移動預設距離，以能夠隨著移送半導體封裝件而在至少一個位置測定前述基板厚度及總厚度。
  9. 如請求項6所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置，其中在前述控制部從前述測定部接收多個測定值的情況下，以各測定值的平均值、最大值或最小值為基準來控制研磨前述保護模塑層。
  10. 一種半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法，係測定包括半導體封裝件的基板厚度和形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層的總厚度，藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出前述保護模塑層的厚度，並以算出的保護模塑層的厚度為基準來調節前述保護模塑層的研磨厚度。
  11. 如請求項10所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法，包括以下步驟：
    步驟(a)，在測定部測定包括半導體封裝件的基板 厚度和形成在半導體封裝件的上部的保護模塑層的總厚度；
    步驟(b)，在控制部藉由從所測定的總厚度減去基板厚度來算出前述保護模塑層的厚度；以及
    步驟(c)，以在前述控制部算出的保護模塑層的厚度為基準，調節前述保護模塑層的研磨厚度，利用研磨單元使前述保護模塑層按照預設的設定厚度進行研磨。
  12. 如請求項11所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法，其中在前述步驟(a)中，在設置有一個測定部的情況下，前述測定部藉由向與半導體封裝件的移動方向垂直的方向進行移動來測定前述基板厚度和總厚度。
  13. 如請求項11所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法，其中在前述步驟(a)中，前述控制部控制供給單元的驅動以使前述半導體封裝件依次移動預設距離，以能夠隨著移送半導體封裝件而在至少一個位置測定前述基板厚度及總厚度。
  14. 如請求項11所記載之半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節方法，其中在前述步驟(b)中，在前述控制部接收多個測定值的情況下，以各測定值的平均值、最大值或最小值為基準來算出前述保護模塑層的厚度。
TW107136982A 2018-04-19 2018-10-19 半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法 TWI723293B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0045528 2018-04-19
KR1020180045528A KR102121061B1 (ko) 2018-04-19 2018-04-19 반도체 패키지 그라인더의 연삭 두께 조절장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202003156A true TW202003156A (zh) 2020-01-16
TWI723293B TWI723293B (zh) 2021-04-01

Family

ID=68423909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107136982A TWI723293B (zh) 2018-04-19 2018-10-19 半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102121061B1 (zh)
TW (1) TWI723293B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113953970A (zh) * 2021-10-09 2022-01-21 苏州铼铂机电科技有限公司 用于半导体芯片端面研磨抛光用固定夹具及研磨抛光方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0336761U (zh) * 1989-03-31 1991-04-10
EP1908154A2 (en) * 2005-07-22 2008-04-09 Littelfuse, Inc. Electrical device with integrally fused conductor
JP5885499B2 (ja) * 2011-12-27 2016-03-15 株式会社ディスコ バイト切削方法
KR101531820B1 (ko) * 2013-10-16 2015-06-24 서우테크놀로지 주식회사 반도체 스트립 그라인더
KR101635113B1 (ko) * 2014-11-20 2016-06-30 서우테크놀로지 주식회사 반도체 스트립 그라인더
JP6687455B2 (ja) * 2016-04-14 2020-04-22 株式会社ディスコ 研削装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI723293B (zh) 2021-04-01
KR20190121976A (ko) 2019-10-29
KR102121061B1 (ko) 2020-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101531820B1 (ko) 반도체 스트립 그라인더
CN107768296B (zh) 剥离方法和剥离装置
KR100895902B1 (ko) 반도체 웨이퍼 배면 연마 방법 및 반도체 웨이퍼 연마 장치
KR102034820B1 (ko) 반도체 칩 실장장치 및 이를 이용한 반도체 칩의 실장방법
KR20180024340A (ko) 평면 연마 장치
JP2011224758A (ja) 研磨方法
KR101635113B1 (ko) 반도체 스트립 그라인더
TWI723293B (zh) 半導體封裝件研磨機的研磨厚度調節裝置及方法
TW202007479A (zh) 研削裝置的原點位置設定機構以及原點位置設定方法
KR100454583B1 (ko) 반도체 패키지 제조장비
KR101297244B1 (ko) 터치스크린패널 제조용 디스펜싱장치
JP7127994B2 (ja) ドレッシングボード及びドレッシング方法
KR101955274B1 (ko) 반도체 패키지 그라인더
KR20110021948A (ko) 초음파 접합 장치
JP6181799B1 (ja) 半導体ストリップグラインダー
TW202003186A (zh) 水噴射加工裝置
KR100700929B1 (ko) 샌드 페이퍼 부착 장치
JP4488729B2 (ja) 厚み計測装置及び研削装置
KR102664133B1 (ko) 반도체 소자 세정 장치
CN220590540U (zh) 一种点胶喷嘴自清洁的视觉点胶设备
JP3929659B2 (ja) 端面研磨装置
JP7291056B2 (ja) ウェーハの研磨方法
KR20100029504A (ko) 전자 부품 실장용 필름 클리닝 유니트 및 이를 갖는 전자 부품 실장용 필름 제조 장치
JP6788416B2 (ja) 研削装置
KR101721833B1 (ko) 폴리싱 유닛 및 그가 적용된 반도체 스트립 그라인더