TW202002195A - 具較小面積之經屏蔽射頻模組 - Google Patents

具較小面積之經屏蔽射頻模組 Download PDF

Info

Publication number
TW202002195A
TW202002195A TW108135929A TW108135929A TW202002195A TW 202002195 A TW202002195 A TW 202002195A TW 108135929 A TW108135929 A TW 108135929A TW 108135929 A TW108135929 A TW 108135929A TW 202002195 A TW202002195 A TW 202002195A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
shielded
area
bonding wire
shielding
smt
Prior art date
Application number
TW108135929A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI733209B (zh
Inventor
霍華 E 陳
麥修 尚 瑞德
Original Assignee
美商西凱渥資訊處理科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商西凱渥資訊處理科技公司 filed Critical 美商西凱渥資訊處理科技公司
Publication of TW202002195A publication Critical patent/TW202002195A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI733209B publication Critical patent/TWI733209B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/6655Matching arrangements, e.g. arrangement of inductive and capacitive components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001Internal layers
    • H01L2224/0501Shape
    • H01L2224/05012Shape in top view
    • H01L2224/05013Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061Disposition
    • H01L2224/0618Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45016Cross-sectional shape being elliptic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48105Connecting bonding areas at different heights
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • H01L2924/141Analog devices
    • H01L2924/142HF devices
    • H01L2924/1421RF devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)

Abstract

本發明係關於具較小面積之經屏蔽射頻(RF)模組。在一些實施例中,RF模組可包括:封裝基板,其經組態以收納複數個組件;及複數個屏蔽焊線,其實施於該封裝基板上,且經組態以提供用於該封裝基板上之一或多個區的RF屏蔽功能性。該封裝基板可包括與每一屏蔽焊線之實施相關聯的第一區域。該RF模組可進一步包括安裝於該封裝基板上之一或多個裝置。該封裝基板可進一步包括與該一或多個裝置中之每一者之安裝相關聯的第二區域。可相對於一對應屏蔽焊線安裝每一裝置,使得與該裝置相關聯之該第二區域至少部分重疊於與該對應屏蔽焊線相關聯之該第一區域。

Description

具較小面積之經屏蔽射頻模組
本發明係關於經屏蔽射頻(RF)模組。
在許多電子應用中,射頻(RF)模組可實施為已封裝模組。此已封裝模組可包括諸如層壓基板之封裝基板及安裝於其上之各種組件。 在一些實施例中,前述已封裝RF模組可包括諸如屏蔽焊線之RF屏蔽特徵。此等屏蔽焊線可提供已封裝RF模組上之給定位置與模組外部或內部之另一位置之間的屏蔽功能性。
根據一些實施,本發明係關於一種射頻(RF)模組,其包括:一封裝基板,其經組態以收納複數個組件;及複數個屏蔽焊線,其實施於封裝基板上,且經組態以提供用於封裝基板上之一或多個區的RF屏蔽功能性。封裝基板包括與每一屏蔽焊線之實施相關聯的一第一區域。RF模組進一步包括安裝於封裝基板上之一或多個裝置。封裝基板進一步包括與一或多個裝置中之每一者之安裝相關聯的一第二區域。相對於一對應屏蔽焊線安裝每一裝置,使得與裝置相關聯之第二區域至少部分重疊於與對應屏蔽焊線相關聯之第一區域。 在一些實施例中,封裝基板可包括一層壓基板。 在一些實施例中,屏蔽焊線中之每一者可具有不對稱或大致對稱的一環形形狀。封裝基板可包括經組態以固定環形屏蔽焊線之第一及第二末端的第一及第二接觸焊墊。一或多個裝置中之每一者可為經組態以安裝於第一及第二接觸焊墊上之一SMT裝置。第一區域可至少與具有由用於環形屏蔽焊線之第一及第二接觸焊墊界定之相對末端的一第一狹長區一樣大。第二區域可為具有由用於SMT裝置之第一及第二接觸焊墊界定之相對末端的一第二狹長區。用於環形屏蔽焊線之第一及第二接觸焊墊中之每一者可具有一矩形形狀,使得第一狹長區具有一大致矩形形狀。用於SMT裝置之第一及第二接觸焊墊中之每一者可具有一矩形形狀,使得第二狹長區具有一大致矩形形狀。可以一大致垂直的方式配置第一狹長形狀及第二狹長形狀。 在一些實施例中,至少部分重疊可包括用於SMT裝置的第一或第二接觸焊墊中之至少一些在第一狹長區內。至少部分重疊可進一步包括SMT裝置中之至少一些在第一狹長區內。SMT裝置之一部分可在環形屏蔽焊線下方。 在一些實施例中,第一區域可包括在用於環形屏蔽焊線之一個接觸焊墊與用於一相鄰環形屏蔽焊線之一接觸焊墊之間的一第一區。第二區域可包括具有由用於SMT裝置之第一及第二接觸焊墊界定之相對末端的一第二區。 在一些實施例中,屏蔽焊線中之每一者可包括附接至封裝基板之一第一末端及定位於封裝基板上方之一第二末端以產生單端屏蔽焊線組態。封裝基板可包括經組態以將單端屏蔽焊線之第一末端固定至封裝基板的一接觸焊墊。一或多個裝置中之每一者可為經組態以安裝於第一及第二接觸焊墊上之一SMT裝置。第一區域可包括用於單端屏蔽焊線之接觸焊墊與用於一相鄰單端屏蔽焊線之一接觸焊墊之間的一第一區。第二區域可為具有由用於SMT裝置之第一及第二接觸焊墊界定之相對末端的一第二狹長區。 在一些教示中,本發明係關於一種用於製造一射頻(RF)模組之方法。方法包括:形成或提供經組態以收納複數個組件之一封裝基板,及在封裝基板上安裝一或多個裝置,使得封裝基板包括與一或多個裝置中之每一者之安裝相關聯的一區域。方法進一步包括在封裝基板上形成複數個屏蔽焊線,以提供用於封裝基板上之一或多個區的RF屏蔽功能性,使得封裝基板包括與每一屏蔽焊線之形成相關聯的一區域。相對於一對應屏蔽焊線實施每一裝置之安裝,使得與裝置相關聯之區域至少部分重疊於與對應屏蔽焊線相關聯之區域。 在一些實施例中,複數個屏蔽焊線之形成可包括形成複數個雙端屏蔽焊線。在一些實施例中,可安裝一或多個裝置中之至少一者,使得與裝置之安裝相關聯的區域之至少一部分通常在一對應雙端屏蔽焊線下方。在一些實施例中,可安裝一或多個裝置中之至少一者,使得與裝置之安裝相關聯的區域之至少一部分通常在兩個相鄰雙端屏蔽焊線之間。 在一些實施例中,複數個屏蔽焊線之形成可包括形成複數個單端屏蔽焊線。可安裝一或多個裝置中之至少一者,使得與裝置之安裝相關聯的區域之至少一部分通常在兩個相鄰單端屏蔽焊線之間。 在一些實施中,本發明係關於一無線裝置,其包括一收發器及與收發器通信且經組態以處理一RF信號之一射頻(RF)模組。RF模組包括:一封裝基板,其經組態以收納複數個組件;及複數個屏蔽焊線,其實施於封裝基板上,且經組態以提供用於封裝基板上之一或多個區的RF屏蔽功能性。封裝基板包括與每一屏蔽焊線之實施相關聯的一第一區域。RF模組進一步包括安裝於封裝基板上之一或多個裝置。封裝基板進一步包括與一或多個裝置中之每一者之安裝相關聯的一第二區域。相對於一對應屏蔽焊線安裝每一裝置,使得與裝置相關聯之第二區域至少部分重疊於與對應屏蔽焊線相關聯之第一區域。RF模組進一步包括與RF模組通信且經組態以促進RF信號之傳輸或接收的一天線。 在一些實施例中,無線裝置可為一蜂巢式電話。RF模組在大小上可小於功能相當的模組,在該功能相當的模組中第二區域與第一區域不重疊。 出於概述本發明之目的,本文中已描述本發明之某些態樣、優點及新穎特徵。應理解,根據本發明之任何特定實施例,不一定可達成所有此等優點。因此,可以達成或最佳化如本文所教示之一個優點或一組優點而不一定達成如可在本文中教示或建議之其他優點的方式來體現或進行本發明。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張2014年9月30日申請之題為「SHIELDED RADIO-FREQUENCY MODULE HAVING REDUCED AREA」之美國臨時申請案第62/058,039號的優先權,該申請案之揭示內容特此以全文引用之方式明確地併入本文中。 本文中所提供之標題(若存在)僅係為方便起見,且不一定會影響所主張發明之範疇或涵義。 在一些射頻(RF)模組中,可藉由使用焊線來實施屏蔽。圖1及圖2展示此等RF屏蔽組態之實例。在圖1之實例中,RF模組10可包括諸如層壓基板之封裝基板12。多個裝置可安裝於此封裝基板上。舉例而言,具有RF電路之晶粒14可安裝於封裝基板12上,且可由(例如)焊線實施晶粒14與封裝基板12之間的連接。在另一實例中,一或多個SMT裝置(例如,描繪為16、18)亦可安裝於封裝基板12上。 在圖1之實例中,複數個RF屏蔽焊線20經展示為在封裝基板12之周邊附近實施。此等RF屏蔽焊線可提供形成於封裝基板12上方(例如,在包覆成型結構上且電連接至RF屏蔽焊線20之上部)之導電層(未圖示)與接地平面(例如,在封裝基板內且電連接至RF屏蔽焊線20之下部)之間的電連接,藉此提供通常在由RF屏蔽焊線20界定之邊界內的區與邊界之外的區之間的屏蔽功能性。 圖2展示具有RF屏蔽功能性之RF模組10的另一實例。與圖1之實例類似,此模組可包括諸如層壓基板之封裝基板12。多個裝置可安裝於此封裝基板上。舉例而言,第一晶粒24及第二晶粒26(其各自具有RF電路)可安裝於封裝基板12上,且可由(例如)焊線在晶粒24、26與封裝基板12之間實施連接。 在圖2之實例中,複數個RF屏蔽焊線20經展示為在第一晶粒24及第二晶粒26之間實施。此等RF屏蔽焊線可提供形成於封裝基板12上方(例如,在包覆成型結構上且電連接至RF屏蔽焊線20之上部)之導電層(未圖示)與接地平面(例如,在封裝基板內且電連接至RF屏蔽焊線20之下部)之間的電連接,藉此提供與第一晶粒24及第二晶粒26相關聯之區之間的屏蔽功能性。 在圖1及圖2之實例中,各別屏蔽焊線20之實施通常導致出於其他目的而未利用封裝基板12上之區域。在圖1之實例中,圍繞由屏蔽焊線20界定之邊界的帶28可表示此區域(在本文中亦被稱作禁用區域)。在圖2之實例中,圍繞由屏蔽焊線20界定之區段的帶28可表示此禁用區域。 本文中描述出於其他目的可如何利用此等禁用區域中之至少一些,藉此使得更有效地使用RF模組中之空間之實例。有利地,空間之此有效使用可產生大小較小的RF模組。 圖3展示屏蔽焊線20可如何實施於封裝基板上之實例之更近視圖。圖3中所示之視圖為平面圖;因此,屏蔽焊線20經描繪為線。將理解,此焊線可具有不同形狀。 舉例而言,圖4A展示具有不對稱形狀之實例屏蔽焊線20,其中兩個末端經由接觸焊墊30a、30b附接至封裝基板(圖3中之32)。在另一實例中,圖4B展示具有對稱(或大致對稱)形狀之實例屏蔽焊線20,其中兩個末端經由接觸焊墊30a、30b附接至封裝基板(圖3中之32)。 參考圖3之實例,屏蔽焊線20經展示為形成於兩個接觸焊墊30a與30b之間。此等接觸焊墊可電連接至接地條帶32,接地條帶32又電連接至接地平面(圖3中未展示)。在圖1之實例屏蔽組態的上下文中,接地條帶32可在封裝基板12之周邊處或在封裝基板12之周邊附近形成接地環。在圖2之實例屏蔽組態的上下文中,接地條帶32可緊鄰由屏蔽焊線界定之區段或在由屏蔽焊線界定之區段下方形成條狀區段。 在圖3之實例中,禁用區28可包括通常對應於實施接觸焊墊30a、30b所需要之寬度的區域之至少一條帶。此禁用區亦可包括用於非接地用途之接地條帶32。 在圖3及圖4之實例中,屏蔽焊線20具有雙端組態,其中給定焊線之兩個末端附接至其各別的接觸焊墊。在一些實施例中,屏蔽焊線可以單端方式附接至封裝基板,且亦可相對於此單端屏蔽焊線實施本發明之一或多個特徵。 圖5及圖6展示實例單端屏蔽焊線20之平面圖及側視圖,其中每一屏蔽焊線之一個末端附接至其各別的接觸焊墊30。此接觸焊墊可實施於接地條帶32上,使得屏蔽焊線20電連接至接地平面(例如,在封裝基板內)。屏蔽焊線20之另一末端經展示為通常保持在接觸焊墊30上方。屏蔽焊線20之此另一末端可與導電層(未圖示)電接觸,以提供導電層與接地平面之間的接地連接。可在(例如)題為「RADIO-FREQUENCY MODULES HAVING TUNED SHIELDING-WIREBONDS」之美國專利第9,071,335號中找到關於實例屏蔽焊線(雙端或單端)之額外細節,該專利以全文引用之方式明確地併入本文中。 圖7至圖15展示出於除RF屏蔽之外的目的可如何利用封裝基板上之禁用區中之至少一些的非限制性實例。圖7至圖9展示具有雙端組態之屏蔽焊線及用於安裝此屏蔽焊線之兩個末端之間的組件之禁用區的上下文中之實例。圖10至圖12展示具有單端組態之屏蔽焊線及用於安裝鄰近於此屏蔽焊線的組件之禁用區的上下文中之實例。圖13至圖15展示具有雙端組態之屏蔽焊線及用於安裝鄰近於此屏蔽焊線的組件之禁用區的上下文中之實例。 在一些實施例中,與封裝基板上之組件(例如,SMT裝置)之安裝相關聯的區域可部分或完全重疊於與一或多個屏蔽焊線之實施相關聯的禁用區域。與SMT裝置之安裝相關聯的區域可包括(例如)SMT自身之佔據面積及用於SMT裝置之安裝及電連接的一或多個接觸焊墊之佔據面積。 在圖7至圖9中,SMT裝置經指示為102,且接觸焊墊經指示為104a、104b。將理解,可存在與SMT裝置102之安裝相關聯的其他數目個接觸焊墊。在一些實施例中,與SMT裝置之安裝相關聯的前述區域可包括由SMT裝置102及/或接觸焊墊104a、104b形成之淨佔據面積。在一些實施例中,與SMT裝置之安裝相關聯的前述區域可包括覆蓋SMT裝置102及接觸焊墊104a、104b之最小矩形。舉例而言,具有由接觸焊墊104a、104b界定之相對末端的矩形可為與SMT裝置之安裝相關聯的區域。 在一些實施例中,與一或多個屏蔽焊線之實施相關聯的前述禁用區域可包括通常指示為28之條帶。對於給定雙端屏蔽焊線,此禁用區域可包括具有由接觸焊墊(圖7及圖8中之30a、30b;圖9中之106a、106b)界定之相對末端的矩形。在一些實施例中,與屏蔽焊線之實施相關聯的前述禁用區域可進一步包括與用以實施用於屏蔽焊線之接觸焊墊之導電特徵(例如,自接地條帶32延伸之突出部)相關聯的區域,無論呈淨佔據面積形式還是呈最小包括矩形形式。 圖7至圖9展示,在一些實施例中,與SMT裝置102之安裝相關聯的區域(在本文中亦被稱作安裝區域)中之至少一些可重疊於與屏蔽焊線之實施相關聯的禁用區域(在本文中亦被稱作禁用區域)。在圖7之實例中,屏蔽組態100經展示為包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(104b)實質上在禁用區域(例如,具有由接觸焊墊30a、30b界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積部分在禁用區域內。在此組態中,SMT裝置102之一部分可通常在屏蔽焊線20下方。 在一些實施例中,屏蔽組態亦可包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(例如,圖7中之104b)至少部分在禁用區域(例如,具有由接觸焊墊30a、30b界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積實質上在禁用區域外。在此組態中,SMT裝置102通常將不在屏蔽焊線20下方。 在圖8之實例中,屏蔽組態100經展示為包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(104b)至少部分在禁用區域(例如,具有由接觸焊墊30a、30b界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積部分亦至少部分在禁用區域內。在此組態中,SMT裝置102之一部分可或可不在屏蔽焊線20下方。 在圖7及圖8之實例中,接地條帶32佔據屏蔽焊線20之一側。因此,將此區域用於非接地目的可能並不實際。然而,可存在屏蔽焊線之兩側通常不含此接地條帶之屏蔽應用。在此組態中,屏蔽焊線可穿過下層而接地,以便使封裝基板之上表面通常不含接地特徵(除相關接觸焊墊外)。圖9展示此屏蔽組態之一實例。 在圖9中,屏蔽組態100經展示為允許使用屏蔽焊線20之兩側,以用於比圖7及圖8之實例更自由地安裝SMT裝置102。因此,SMT裝置102之中部可在屏蔽焊線20下方,其中接觸焊墊104a、104b定位於屏蔽焊線20之相對側上。在此組態中,SMT裝置102可至少部分在禁用區域(例如,具有由接觸焊墊106a、106b界定之相對末端的矩形)內。在所示之實例中,接觸焊墊104a、104b中之每一者可或可不與禁用區域重疊。 在圖7至圖9之實例中,SMT裝置102之縱向方向經展示為通常垂直於對應屏蔽焊線20之平面圖延伸方向。取決於SMT裝置之大小、對應接觸焊墊之大小及/或屏蔽焊線之大小,此SMT裝置可在相對於屏蔽焊線之其他方向上定向。 在圖10至圖12中,SMT裝置經指示為102,且接觸焊墊經指示為104a、104b。將理解,可存在與SMT裝置102之安裝相關聯的其他數目個接觸焊墊。在一些實施例中,與SMT裝置之安裝相關聯的前述區域可包括由SMT裝置102及/或接觸焊墊104a、104b形成之淨佔據面積。在一些實施例中,與SMT裝置之安裝相關聯的前述區域可包括覆蓋SMT裝置102及接觸焊墊104a、104b之最小矩形。舉例而言,具有由接觸焊墊104a、104b界定之相對末端的矩形可為與SMT裝置之安裝相關聯的區域。 在一些實施例中,與一或多個屏蔽焊線之實施相關聯的前述禁用區域可包括通常指示為28之條帶。對於給定單端屏蔽焊線,此禁用區域可包括具有由相鄰接觸焊墊(圖10及圖11中之30;圖12中之106)界定之相對末端的矩形。在一些實施例中,與屏蔽焊線之實施相關聯的前述禁用區域可進一步包括與用以實施用於屏蔽焊線之接觸焊墊之導電特徵(例如,自接地條帶32延伸之突出部)相關聯的區域,無論呈淨佔據面積形式還是呈最小包括矩形形式。 圖10至圖12展示,在一些實施例中,與SMT裝置102之安裝相關聯的區域(在本文中亦被稱作安裝區域)中之至少一些可重疊於與屏蔽焊線之實施相關聯的禁用區域(在本文中亦被稱作禁用區域)。在圖10之實例中,屏蔽組態100經展示為包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(104b)實質上在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊30界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積部分在禁用區域內。在此組態中,SMT裝置102之一部分可通常在界定於兩個鄰近單端屏蔽焊線20之間的線33下方。 在一些實施例中,屏蔽組態亦可包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(例如,圖10中之104b)至少部分在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊30界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積實質上在禁用區域外。在此組態中,SMT裝置102通常將不在兩個鄰近單端焊線20之間的線(例如,圖10中之33)下方。 在圖11之實例中,屏蔽組態100經展示為包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(104b)至少部分在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊30界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積部分亦至少部分在禁用區域內。在此組態中,SMT裝置102之一部分可或可不在界定於兩個鄰近單端屏蔽焊線20之間的線33下方。 在圖10及圖11之實例中,接地條帶32佔據由屏蔽焊線20界定之線33的一側。因此,將此區域用於非接地目的可能並不實際。然而,可存在由屏蔽焊線界定之線的兩側通常不含此接地條帶之屏蔽應用。在此組態中,屏蔽焊線可穿過下層而接地,以便使封裝基板之上表面通常不含接地特徵(除相關接觸焊墊外)。圖12展示此屏蔽組態之一實例。 在圖12中,屏蔽組態100經展示為允許使用由單端屏蔽焊線20界定之線33的兩側,以用於比圖10及圖11之實例更自由地安裝SMT裝置102。因此,SMT裝置102之中部可在線33下方,其中接觸焊墊104a、104b定位於線33之相對側上。在此組態中,SMT裝置102可至少部分在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊106界定之相對末端的矩形)內。在所示之實例中,接觸焊墊104a、104b中之每一者可或可不與禁用區域重疊。 在圖10至圖12之實例中,SMT裝置102之縱向方向經展示為通常垂直於由屏蔽焊線20界定之線33的平面圖延伸方向。取決於SMT裝置之大小、對應接觸焊墊之大小及/或屏蔽焊線之間的間距,此SMT裝置可在相對於屏蔽焊線之其他方向上定向。 應注意,圖10至圖12之實例與利用兩個相鄰單端屏蔽焊線之間的禁用區域中之至少一些相關。在一些實施例中,亦可在相鄰雙端屏蔽焊線之間實施此組態。圖13至圖15展示此組態之實例。 在圖13至圖15中,SMT裝置經指示為102,且接觸焊墊經指示為104a、104b。將理解,可存在與SMT裝置102之安裝相關聯的其他數目個接觸焊墊。在一些實施例中,與SMT裝置之安裝相關聯的前述區域可包括由SMT裝置102及/或接觸焊墊104a、104b形成之淨佔據面積。在一些實施例中,與SMT裝置之安裝相關聯的前述區域可包括覆蓋SMT裝置102及接觸焊墊104a、104b之最小矩形。舉例而言,具有由接觸焊墊104a、104b界定之相對末端的矩形可為與SMT裝置之安裝相關聯的區域。 在一些實施例中,與一或多個屏蔽焊線之實施相關聯的前述禁用區域可包括通常指示為28之條帶。對於給定雙端屏蔽焊線,此禁用區域可包括具有由相鄰接觸焊墊(圖13及圖14中之30b、30a;圖15中之106b、106a)界定之相對末端的矩形。在一些實施例中,與屏蔽焊線之實施相關聯的前述禁用區域可進一步包括與用以實施用於屏蔽焊線之接觸焊墊之導電特徵(例如,自接地條帶32延伸之突出部)相關聯的區域,無論呈淨佔據面積形式還是呈最小包括矩形形式。 圖13至圖15展示,在一些實施例中,與SMT裝置102之安裝相關聯的區域(在本文中亦被稱作安裝區域)中之至少一些可重疊於與屏蔽焊線之實施相關聯的禁用區域(在本文中亦被稱作禁用區域)。在圖13之實例中,屏蔽組態100經展示為包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(104b)實質上在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊30b、30a界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積部分在禁用區域內。在此組態中,SMT裝置102之一部分可通常在界定於兩個相鄰雙端屏蔽焊線20之間的線下方。 在一些實施例中,屏蔽組態亦可包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(例如,圖13中之104b)至少部分在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊30b、30a界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積實質上在禁用區域外。在此組態中,SMT裝置102通常將不在兩個鄰近雙端焊線20之間的線下方。 在圖14之實例中,屏蔽組態100經展示為包括安裝區域與禁用區域之間的重疊,使得一個接觸焊墊(104b)至少部分在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊30b、30a界定之相對末端的矩形)內,且SMT裝置佔據面積部分亦至少部分在禁用區域內。在此組態中,SMT裝置102之一部分可或可不在界定於兩個鄰近雙端屏蔽焊線20之間的線下方。 在圖13及圖14之實例中,接地條帶32佔據由屏蔽焊線20界定之線的一側。因此,將此區域用於非接地目的可能並不實際。然而,可存在由屏蔽焊線界定之線的兩側通常不含此接地條帶之屏蔽應用。在此組態中,屏蔽焊線可穿過下層而接地,以便使封裝基板之上表面通常不含接地特徵(除相關接觸焊墊外)。圖15展示此屏蔽組態之一實例。 在圖15中,屏蔽組態100經展示為允許使用由雙端屏蔽焊線20界定之線的兩側,以用於比圖13及圖14之實例更自由地安裝SMT裝置102。因此,SMT裝置102之中部可在此線下方,其中接觸焊墊104a、104b定位於線之相對側上。在此組態中,SMT裝置102可至少部分在禁用區域(例如,具有由相鄰接觸焊墊106b、106a界定之相對末端的矩形)內。在所示之實例中,接觸焊墊104a、104b中之每一者可或可不與禁用區域重疊。 在圖13至圖15之實例中,SMT裝置102之縱向方向經展示為通常垂直於由屏蔽焊線20界定之線的平面圖延伸方向。取決於SMT裝置之大小、對應接觸焊墊之大小及/或屏蔽焊線之間的間距,此SMT裝置可在相對於屏蔽焊線之其他方向上定向。 在參考圖7至圖15描述之各種實例中,屏蔽焊線經描繪為在雙端或單端組態中實施。此外,禁用區域之各種使用經描述為通常在雙端屏蔽焊線下方,或經描述為通常在相鄰屏蔽焊線(單端或雙端)之間。然而,將理解,屏蔽組態可包括一或多個單端屏蔽焊線及一或多個雙端屏蔽焊線之任何組合。因此,此屏蔽組態中之禁用區域之使用可包括本文中所描述之實例的任何組合。 亦將理解,即使給定屏蔽組態僅涉及一種類型的屏蔽焊線(例如,單端或雙端),此屏蔽組態中之禁用區域之使用亦可包括本文中所描述之實例的任何組合。 在一些應用中,可調整屏蔽焊線之垂直及/或側面尺寸及/或屏蔽焊線之間的間距,以提供對於預期頻率之有效屏蔽。可存在可提供有效屏蔽的一系列此等尺寸/間距。因此,可選擇屏蔽焊線之環形輪廓之尺寸,以提供有效屏蔽功能性,且允許此環形在SMT裝置及/或相關接觸特徵上方形成。類似地,可選擇屏蔽焊線之間的間距,以提供有效屏蔽功能性,且允許安裝SMT裝置及/或相關接觸特徵。與屏蔽焊線相關聯之尺寸設定/間距方面之此靈活性可允許多個不同大小的SMT裝置安裝於傳統上在禁用區域中之區域中。因此,可實現面積之顯著節省。面積之此等節省可在不犧牲屏蔽效能之情況下產生大小較小的RF模組,此舉又可產生諸如無線裝置之改良產品。 圖16展示具有如本文中所描述之一或多個特徵的屏蔽組態100之透視圖。圖17展示同一實例屏蔽組態100之平面圖。在圖16及圖17之實例中,屏蔽焊線20經展示為穿過(例如)接觸焊墊30a、30b及接地條帶32而接地。屏蔽焊線20中之每一者下之區域經展示為用於安裝SMT裝置102(具有接觸焊墊104a、104b),如本文中所描述。儘管圖16及圖17中所示之每一屏蔽焊線20經展示為以此方式利用,但將理解,並非給定封裝基板上之所有屏蔽焊線需要於其下安裝SMT或其他裝置。 圖18展示可經實施以製造具有如本文中所描述之一或多個特徵之RF模組的程序180。在區塊182中,可形成或提供封裝基板。此封裝基板可經組態以收納複數個屏蔽焊線。在區塊184中,可在重疊於與屏蔽焊線相關聯之禁用區域的區域中安裝諸如SMT裝置之裝置。在區塊186中,可相對於裝置形成與禁用區域相關聯之屏蔽焊線。 圖19展示可實施為圖18之程序180之一實例的程序200。在區塊202中,可形成或提供封裝基板。此封裝基板可經組態以收納複數個屏蔽焊線。在區塊204中,可在重疊於與屏蔽焊線相關聯之禁用區域的區域中安裝諸如SMT裝置之裝置。在區塊206中,可在裝置上方形成與禁用區域相關聯之屏蔽焊線。 圖20展示可實施為圖18之程序180之另一實例的程序220。在區塊222中,可形成或提供封裝基板。此封裝基板可經組態以收納複數個屏蔽焊線。在區塊224中,可在重疊於與屏蔽焊線相關聯之禁用區域的區域中安裝諸如SMT裝置之裝置。在區塊226中,可鄰近於裝置形成與禁用區域相關聯之屏蔽焊線。 如本文中所描述,封裝基板上之一或多個禁用區域可用於安裝諸如SMT裝置之裝置。封裝基板上之空間的此利用可允許在封裝基板上之有限可用區域之使用方面的更多靈活性。由此設計靈活性所得之益處可包括(例如)封裝基板之側向尺寸減小,及因此對應已封裝模組之大小減小。 圖21描繪在封裝基板302上之一或多個位置處實施如本文中所描述之RF屏蔽組態100的已封裝模組300(例如,RF模組)。此封裝基板可經組態以收納包括具有RF電路(例如,304、306)之一或多個晶粒的複數個組件,及複數個SMT組件。如本文中所描述,可藉由一或多個屏蔽組態100實施此等SMT組件中之至少一些。 圖21進一步展示已封裝RF模組300可得益於相對於功能相當的已封裝RF模組10(例如,d1' x d2')之大小減小(例如,d1 x d2),該功能相當的已封裝RF模組10並未利用其禁用空間。應注意,若在諸如電話板之電路板上實施複數個大小減小之已封裝模組,則空間節省可甚至大於由一個模組提供之空間節省。 在一些實施中,具有本文中所描述之一或多個特徵的裝置及/或組態可包括於諸如無線裝置之RF裝置中。可在無線裝置中,在如本文中所描述之模組形式中或在其某一組合中直接實施此裝置及/或電路。在一些實施例中,此無線裝置可包括(例如)蜂巢式電話、智慧型電話、具有或不具有電話功能性之手持型無線裝置、無線平板電腦等。 圖22描繪具有本文中所描述之一或多個有利特徵的實例無線裝置400。在具有如本文中所描述之一或多個特徵的模組之上下文中,此模組通常可由虛線框300描繪,且可實施為前端模組(FEM)。無線裝置400中之其他模組亦可得益於如本文中所描述之一或多個特徵的實施。在圖22之實例中,模組300經展示為包括具有如本文中所描述之一或多個特徵的RF屏蔽組態100。 PA 412可自收發器410接收其各別RF信號,收發器410可經組態及操作以產生待放大及傳輸之RF信號,且處理所接收之信號。收發器410經展示為與基頻子系統408互動,基頻子系統408經組態以提供適用於使用者之資料及/或語音信號與適用於收發器410之RF信號之間的轉換。收發器410亦經展示為連接至電力管理組件406,該電力管理組件經組態以管理用於無線裝置之操作的電力。此電力管理亦可控制基頻子系統408及模組300之操作。 基頻子系統408經展示為連接至使用者介面402,以促進提供至使用者及自使用者接收的語音及/或資料之各種輸入及輸出。基頻子系統408亦可連接至經組態以儲存資料及/或指令之記憶體404,以促進無線裝置之操作,及/或提供對使用者之資訊的儲存。 在實例無線裝置400中,PA 412之輸出經展示為匹配的(經由各別匹配電路414)且經由頻帶選擇開關416、其各別雙工器418及天線開關420被投送至天線422。在一些實施例中,每一雙工器418可允許使用共用天線(例如,422)同時執行傳輸及接收操作。在圖22中,所接收之信號經展示為投送至可包括(例如)一或多個低雜訊放大器(LNA)之「Rx」路徑(未圖示)。 多個其他無線裝置組態可利用本文中所描述之一或多個特徵。舉例而言,無線裝置無需為多頻帶裝置。在另一實例中,無線裝置可包括諸如分集天線之額外天線,及諸如Wi-Fi、藍芽及GPS之額外連接性特徵。 除非上下文另外明確要求,否則貫穿說明書及申請專利範圍,詞「包含」、「包含著」及其類似者應以包括性意義解釋,而非排他性或窮盡性意義;亦即,在「包括(但不限於)」之意義上。如本文中通常所使用之詞「耦接」係指可直接連接,或藉助於一或多個中間元件連接之兩個或兩個以上元件。此外,當用於本申請案中時,詞「本文中」、「上文」、「下文」及類似意義之詞,應指本申請案整體而非本申請案之任何特定部分。若上下文准許,使用單數或複數數目之上述描述中的詞亦可分別包括複數或單數數目。參考兩個或兩個以上項目之列表之詞「或」,該詞涵蓋所有以下對該詞之解釋:列表中之項目中之任一者、列表中之所有項目及列表中之項目之任何組合。 本發明之實施例之上述實施方式並不意欲為窮盡的或將本發明限制於上文所揭示之確切形式。熟習相關技術者將認識到,雖然上文出於說明之目的描述本發明之特定實施例及實例,但在本發明之範疇內各種等效修改係有可能的。舉例而言,雖然以給定次序呈現程序或區塊,但替代實施例可以不同次序執行具有若干步驟之常式,或採用具有若干區塊之系統,且可刪除、移動、添加、再分、組合及/或修改一些程序或區塊。可以多種不同方式實施此等程序或區塊中之每一者。又,雖然有時程序或區塊經展示為連續執行,但此等程序或區塊可改為同時執行,或可在不同時間執行。 本文所提供之本發明之教示可應用於其他系統,不一定為上文所描述之系統。可組合上文所描述之各種實施例之元件及動作以提供其他實施例。 雖然已描述本發明之一些實施例,但此等實施例僅藉助於實例呈現,且並不意欲限制本發明之範疇。實際上,本文中所描述之新穎方法及系統可以多種其他形式體現;此外,在不背離本發明之精神的情況下,可對本文中所描述之方法及系統的形式進行各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效物意欲涵蓋將屬於本發明之範疇及精神內之此等形式或修改。
10‧‧‧已封裝RF模組 12‧‧‧封裝基板 14‧‧‧晶粒 16‧‧‧SMT裝置 18‧‧‧SMT裝置 20‧‧‧RF屏蔽焊線 24‧‧‧第一晶粒 26‧‧‧第二晶粒 28‧‧‧帶/禁用區 30‧‧‧接觸焊墊 30a‧‧‧接觸焊墊 30b‧‧‧接觸焊墊 32‧‧‧封裝基板/接地條帶 33‧‧‧線 100‧‧‧屏蔽組態 102‧‧‧SMT裝置 104a‧‧‧接觸焊墊 104b‧‧‧接觸焊墊 106‧‧‧接觸焊墊 106a‧‧‧接觸焊墊 106b‧‧‧接觸焊墊 180‧‧‧程序 200‧‧‧程序 220‧‧‧程序 300‧‧‧已封裝模組/虛線框 302‧‧‧封裝基板 304‧‧‧RF電路 306‧‧‧RF電路 400‧‧‧無線裝置 402‧‧‧使用者介面 404‧‧‧記憶體 406‧‧‧電力管理組件 408‧‧‧基頻子系統 410‧‧‧收發器 412‧‧‧PA 414‧‧‧匹配電路 416‧‧‧頻帶選擇開關 418‧‧‧雙工器 420‧‧‧天線開關 422‧‧‧天線
圖1展示可經實施以用於射頻(RF)模組之實例屏蔽組態。 圖2展示可經實施以用於RF模組之另一實例屏蔽組態。 圖3展示一或多個屏蔽焊線可如何實施於RF模組之封裝基板上的一實例之更近視圖。 圖4A展示可經實施以用於圖3之組態的實例屏蔽焊線之側視圖。 圖4B展示可經實施以用於圖3之組態的另一實例屏蔽焊線之側視圖。 圖5展示一或多個屏蔽焊線可如何實施於RF模組之封裝基板上的另一實例之更近視圖。 圖6展示可經實施以用於圖5之組態的實例屏蔽焊線之側視圖。 圖7展示SMT裝置佔據面積可至少部分在與屏蔽焊線相關聯之禁用區域內的實例屏蔽組態。 圖8展示用於SMT裝置之安裝區域可至少部分在與屏蔽焊線相關聯之禁用區域內的另一實例屏蔽組態。 圖9展示屏蔽焊線之兩側可用於安裝SMT裝置的另一屏蔽組態。 圖10展示SMT裝置佔據面積可至少部分在兩個單端屏蔽焊線之間的禁用區域內之實例屏蔽組態。 圖11展示用於SMT裝置之安裝區域可至少部分在兩個單端屏蔽焊線之間的禁用區域內之另一實例屏蔽組態。 圖12展示由兩個單端屏蔽焊線界定之線之兩側可用於安裝SMT裝置的另一屏蔽組態。 圖13展示SMT裝置佔據面積可至少部分在兩個雙端屏蔽焊線之間的禁用區域內之實例屏蔽組態。 圖14展示用於SMT裝置之安裝區域可至少部分在兩個雙端屏蔽焊線之間的禁用區域內之另一實例屏蔽組態。 圖15展示由兩個雙端屏蔽焊線界定之線之兩側可用於安裝SMT裝置的另一屏蔽組態。 圖16展示具有如本文中所描述之一或多個特徵的實例屏蔽組態之透視圖。 圖17展示圖16之實例屏蔽組態的平面圖。 圖18展示可經實施以製造具有如本文中所描述之一或多個特徵之RF模組的程序。 圖19展示可實施為圖18之程序之一實例的程序。 圖20展示可實施為圖18之程序之另一實例的程序。 圖21描繪具有本文中所描述之一或多個有利特徵的RF模組。 圖22描繪具有本文中所描述之一或多個有利特徵的實例無線裝置。
20‧‧‧RF屏蔽焊線
30a‧‧‧接觸焊墊
30b‧‧‧接觸焊墊
32‧‧‧接地條帶
100‧‧‧屏蔽組態
102‧‧‧SMT裝置
104a‧‧‧接觸焊墊
104b‧‧‧接觸焊墊

Claims (1)

  1. 一種射頻(RF)模組,其包含: 一封裝基板,其經組態以收納複數個組件; 複數個屏蔽焊線,其實施於該封裝基板上且經組態以提供用於該封裝基板上之一或多個晶粒(dies)的射頻屏蔽功能性,該封裝基板包括與每一屏蔽焊線之實施相關聯的一第一區域;及 一或多個裝置,其安裝於該封裝基板上,該封裝基板進一步包括與該一或多個裝置中之每一者之安裝相關聯的一第二區域,每一裝置相對於一對應屏蔽焊線而安裝,使得與一各別裝置相關聯之該第二區域之一部分重疊於與該對應屏蔽焊線相關聯之該第一區域之一部分。
TW108135929A 2014-09-30 2015-09-30 具較小面積之經屏蔽射頻模組 TWI733209B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462058039P 2014-09-30 2014-09-30
US62/058,039 2014-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202002195A true TW202002195A (zh) 2020-01-01
TWI733209B TWI733209B (zh) 2021-07-11

Family

ID=55585285

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108135929A TWI733209B (zh) 2014-09-30 2015-09-30 具較小面積之經屏蔽射頻模組
TW104132324A TW201616620A (zh) 2014-09-30 2015-09-30 具較小面積之經屏蔽射頻模組

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104132324A TW201616620A (zh) 2014-09-30 2015-09-30 具較小面積之經屏蔽射頻模組

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9761537B2 (zh)
KR (1) KR20170063877A (zh)
CN (1) CN107004669A (zh)
TW (2) TWI733209B (zh)
WO (1) WO2016053981A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3440698A4 (en) * 2016-04-01 2020-02-12 INTEL Corporation SEMICONDUCTOR HOUSING WITH STRUCTURES FOR SHIELDING ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES
US20200043864A1 (en) * 2018-08-03 2020-02-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module
JP6900947B2 (ja) * 2018-12-28 2021-07-14 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US10879191B2 (en) 2019-01-07 2020-12-29 Qualcomm Incorporated Conformal shielding for solder ball array
WO2021039325A1 (ja) 2019-08-23 2021-03-04 株式会社村田製作所 モジュール
WO2021044691A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JPWO2023175823A1 (zh) * 2022-03-17 2023-09-21

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006528854A (ja) 2003-07-23 2006-12-21 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 小型インピーダンス変換回路
US7088009B2 (en) * 2003-08-20 2006-08-08 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonded assemblage method and apparatus
US7084487B1 (en) * 2003-12-09 2006-08-01 Xilinx, Inc. Shielded platform for die-bonding an analog die to an FPGA
US8399972B2 (en) * 2004-03-04 2013-03-19 Skyworks Solutions, Inc. Overmolded semiconductor package with a wirebond cage for EMI shielding
JP4447487B2 (ja) * 2005-02-23 2010-04-07 シャープ株式会社 高周波ユニット
US20080014678A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 Texas Instruments Incorporated System and method of attenuating electromagnetic interference with a grounded top film
US8889995B2 (en) * 2011-03-03 2014-11-18 Skyworks Solutions, Inc. Wire bond pad system and method
WO2013009637A2 (en) * 2011-07-08 2013-01-17 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency modules having tuned shielding-wirebonds
US9252107B2 (en) * 2012-05-31 2016-02-02 Skyworks Solutions, Inc. Semiconductor package having a metal paint layer

Also Published As

Publication number Publication date
US20160093577A1 (en) 2016-03-31
US20200161255A1 (en) 2020-05-21
US9761537B2 (en) 2017-09-12
US20180005958A1 (en) 2018-01-04
WO2016053981A1 (en) 2016-04-07
TW201616620A (zh) 2016-05-01
KR20170063877A (ko) 2017-06-08
TWI733209B (zh) 2021-07-11
US10446503B2 (en) 2019-10-15
CN107004669A (zh) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI733209B (zh) 具較小面積之經屏蔽射頻模組
US9515029B2 (en) Radio frequency module including segmented conductive top layer
US10586010B2 (en) Methods of determining racetrack layout for radio frequency isolation structure
JP7214574B2 (ja) パッケージ化電子デバイス、パッケージ化無線周波数(rf)モジュールを作製するための方法、およびワイヤレスデバイス
US9788466B2 (en) Apparatus and methods related to ground paths implemented with surface mount devices
US20130093629A1 (en) Packaging structure and method of fabricating the same
US20180076148A1 (en) Through-mold features for shielding applications
US20220254730A1 (en) Signal isolation for module with ball grid array
KR101151254B1 (ko) 안테나 리드프레임을 이용한 반도체 패키지
CN110600431A (zh) 集成电路封装体及其形成方法