TW202002187A - 感光晶片封裝模組及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

一種感光晶片封裝模組，其包括：電路板；感光晶片，所述感光晶片設置於所述電路板上、且與所述電路板電性導通，所述感光晶片包括感光區以及環繞感光區的非感光區；保護蓋，所述保護蓋設置在所述感光晶片上，所述保護蓋沿著光路方向定義有透光區與環繞所述透光區的邊緣區，所述透光區與所述感光晶片相間隔；以及封裝結構，所述封裝結構不透光，所述封裝結構包覆所述感光晶片及所述保護蓋的外側壁且覆蓋所述保護蓋的所述邊緣區以在所述保護蓋的邊緣區形成擋光層，所述封裝結構、所述保護蓋、所述感光晶片及所述電路板形成為一體。

Description

感光晶片封裝模組及其形成方法
本發明涉及一種用於相機模組中的感光晶片封裝模組及其形成方法。
現有技術中，感光晶片都是通過模塑於晶片的方式(Molding on chip，MOC)形成於電路板上，具體地，在模塑之前，是先將感光晶片設置於電路板，再對電路板及感光晶片實現電性導通，再在感光晶片周圍側射出成型使封裝體將感光晶片及電路板形成于一體得到封裝結構，所述封裝體能為攝像模組提供支撐。將所述感光晶片封裝模組用於形成攝像模組時，將鏡頭結構設置在所述封裝體上。但是，在將封裝結構與光學鏡頭一起形成攝像模組之前，感光晶片長時間暴露於空氣中，造成落塵掉落於感光晶片上，而導致攝像模組用於攝像時會產生影像壞點。
因此，有必要提供一種能克服以上技術問題的相機模組感光晶片封裝模組及其形成方法。
本發明目的在於提供一種能解決上述問題的感光晶片封裝模組及其形成方法。
一種感光晶片封裝模組，其包括：
電路板；
感光晶片，所述感光晶片設置於所述電路板上、且與所述電路板電性導通，所述感光晶片包括感光區以及環繞感光區的非感光區；
保護蓋，所述保護蓋設置在所述感光晶片上，所述保護蓋沿著光路方向定義有透光區與環繞所述透光區的邊緣區，所述透光區與所述感光晶片相間隔；以及
封裝結構，所述封裝結構不透光，所述封裝結構包覆所述感光晶片及所述保護蓋的外側壁且覆蓋所述保護蓋的所述邊緣區以在所述保護蓋的邊緣區形成擋光層，所述封裝結構、所述保護蓋、所述感光晶片及所述電路板形成為一體。
在一個優選實施方式中，所述保護蓋包括支撐框以及保護玻璃，所述支撐框通過膠體固定設置在所述非感光區，所述支撐框包括通光窗以提供所述感光晶片光線通路，所述通光窗顯露所述感光區，所述支撐框包括承載面，所述保護玻璃固定於所述承載面。
在一個優選實施方式中，所述支撐框包括L型臺階，所述保護玻璃設置在所述臺階上。
在一個優選實施方式中，所述封裝結構包括用於支撐光學鏡頭的支撐面以及與支撐面垂直的側表面，所述封裝結構還包括嵌入成型有金屬片，所述金屬片位於所述支撐面以及側表面。
在一個優選實施方式中，所述擋光層的厚度為0.1毫米至0.3毫米。
一種感光晶片封裝模組的形成方法，其包括如下步驟：
提供電路板；
提供感光晶片，並將所述感光晶片貼設於所述電路板上且導通連接所述電路板及所述感光晶片；
提供保護蓋，將所述保護蓋設置在所述感光晶片上且與所述感光晶片相間隔，所述保護蓋沿著光路方向定義有透光區與環繞所述透光區的邊緣區；
在所述電路板上形成封裝結構，所述封裝結構不透光，所述封裝結構包覆所述電路板及保護蓋的側壁且覆蓋所述保護蓋的所述邊緣區形成擋光層，所述封裝結構、所述保護蓋、所述感光晶片及所述電路板形成為一體。
在一個優選實施方式中，提供的所述保護蓋包括支撐框以及保護玻璃，所述支撐框設置在所述非感光區，所述支撐框包括通光窗，所述通光窗顯露所述感光區，所述支撐框包括承載面，所述保護玻璃固定於所述承載面。
在一個優選實施方式中，提供的電路板上還設置有電子元件，所述電子元件位於所述支撐體的周圍，經過模塑形成的所述封裝結構還包覆所述電子元件。
在一個優選實施方式中，在模塑形成所述封裝結構之前還包括在所述保護蓋靠近所述透光區的所述設置可撕除擋牆膠，以及在形成所述封裝結構之後剝離所述可撕除擋牆膠。
在一個優選實施方式中，所述封裝結構包括用於支撐光學鏡頭的支撐面以及與支撐面垂直的側表面，形成的所述封裝結構還包括嵌入成型有金屬片，所述金屬片位於所述支撐面以及側表面。
與現有技術相比較，本發明提供的感光晶片封裝模組的形成方法及由此形成的感光晶片封裝模組，由於是在形成感光晶片及將感光晶片導通之後直接在感光晶片正上方設置保護蓋，利用保護蓋保護所述感光晶片，減少了感光晶片暴露在空氣中的時間，從而避免了落塵掉落於感光晶片上，進而避免了攝像模組用於攝像時產生影像壞點的現象產生。
下面將結合附圖，對本發明提供的承載座及其形成方法及相機模組進一步的詳細的說明。
需要說明的是，當元件被稱為“固定于”、“設置於”或“安裝於”另一個元件，它可以 直接在另一個元件上或者間接在該另一個元件上。當一個元件被稱為是“連接於”另一個元 件，它可以是直接連接到另一個元件或間接連接至該另一個元件上。另外，連接即可以是用 於固定作用也可以是用於電路連通作用。
需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、 “水準”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關 系，僅是為了便於描述本發明實施例和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元 件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
請參閱圖1至10，為本發明提供的一種感光晶片封裝模組的形成方法。其包括如下步驟：
第一步：請參閱圖1，提供電路板10；所述電路板10上設置有電路元件12及電連接器14。所述電路板10可以選擇為但不限於，軟硬結合板、陶瓷基板、PCB硬板等。在本實施方式中，所述電路元件12設置於電路板10的邊緣位置，電路板10的中央位置用於設置感光晶片20。所述電路元件12電連接於所述感光晶片20，以供所述感光晶片20的感光工作過程。所述電路元件12可以是，但不限於，電阻、電容、二極體、三極管、電位器、繼電器或驅動器等。所述電連接器14與所述感光晶片20電性連接，以實現感光晶片20與電子裝置的信號傳輸。
第二步：請參閱圖2及圖3，提供感光晶片20，並將所述感光晶片20貼設於所述電路板10上，且導通連接所述電路板10及所述感光晶片20。利用導線25電連接所述感光晶片20和所述電路板10。在本實施方式中，電路板10上、感光晶片20上分別預設有導電墊，導線25的兩端分別連接電路板及感光晶片上的導電墊。所述導線25可以被實施為不必限於，金線、銅線、鋁線、銀線等。特別地，所述導線25呈弧形地連接所述感光晶片20所述電路板10，從而避免所述導線25出現彎折損傷。
所述感光晶片20包括感光區22及環繞所述感光區的非感光區24。所述感光區22用於進行感光作用。
第三步：請參閱圖4，在所述感光晶片20上設置保護蓋30。本實施方式中，感光晶片與所述電路板電性導通後即在感光晶片20上設置保護蓋30，減少感光晶片20暴露在空氣中的時間，利用所述保護蓋30對所述感光晶片20進行保護，防止落塵、雜屑掉落在所述感光晶片20上。
具體地，所述保護蓋30包括呈方形的支撐框32以及保護玻璃34。所述支撐框32及保護玻璃34是先於第三步驟前已經組裝好以形成保護蓋30。在將所述保護蓋30設置在所述感光晶片20上時，是使所述支撐框32位於在所述非感光區，所述支撐框32包括通光窗320以提供所述感光晶片20的光線通路，所述通光窗320顯露所述感光區22，所述支撐框32包括承載面322，所述保護玻璃34固定於所述承載面322。在本實施方式中，所述支撐框32包括L型臺階36，所述保護玻璃34設置在所述臺階36上。所述保護玻璃34沿著光路方向定義有透光區341與環繞所述透光區的邊緣區343，所述透光區341與所述感光晶片20相間隔。
自所述光學鏡頭進入所述攝像模組110的內部的光線首先通過所述保護玻璃34的過濾，然後被所述感光晶片20接收以在後續進行光電轉化。例如在本發明的一個優選的實施例中，所述保護玻璃34可以被實施為紅外截止保護玻璃，其能夠過濾自所述光學鏡頭進入所述攝像模組110的內部的光線中的紅外線部分，從而有利於提高所述攝像模組110的成像品質。當然，所述保護玻璃34也可以是透明的片狀體。
第四步：請參閱圖5，在所述保護玻璃34的靠近所述透光區341的所述邊緣區343設置可撕除擋牆膠45；可撕除擋牆膠45是對所述透光區341進行阻擋，防止在模塑時模塑材料進入所述透光區341。
第五步：請參閱圖7，在所述電路板10上模塑形成封裝結構50，所述封裝結構50不透光，所述封裝結構50包覆所述電路板10及保護蓋30的側壁且延伸流動覆蓋至所述保護玻璃34的所述邊緣區343，在所述邊緣區343形成擋光層55。所述擋光層55的厚度為0.1毫米至0.3毫米。所述擋光層的厚度是遠遠小於所述封裝結構50的厚度。
在此，封裝結構50的材質為不透明，譬如為黑色或者深色系，並且，通過使封裝結構50覆蓋保護玻璃34的邊緣區343形成擋光層55，由於擋光層55不透光，從而能吸收從光學鏡頭進入攝像模組的雜散光線，防止鬼影的產生。
由於模塑材料是通過流動覆蓋於所述保護玻璃34的邊緣區343，從而，本發明中擋光層55的厚度，也即擋光層55的厚度控制在0.1毫米至0.3毫米之間，覆蓋的區域可以延伸至感光區22的正上方。所述封裝結構50、所述保護蓋30、所述感光晶片20及所述電路板10形成為一體。
如此，也就不需要再在保護玻璃34的邊緣區343塗布黑漆來吸收雜散光，相較于現有技術中保護玻璃生產完畢後還需要再在保護玻璃上網印黑漆來吸收雜散光線，本案是直接在模塑於晶片（Molding On Chip, MOC）的過程形成吸收雜散光線的擋光層55，能減少保護玻璃34的生產成本。
所述封裝結構50形成的方式可以選擇為但不限於，注塑工藝、模壓工藝等。所述封裝結構50可以選擇的材料為但不限於，注塑工藝可以選擇尼龍、LCP(Liquid Crystal Polymer，液晶高分子聚合物)、PP(Polypropylene，聚丙烯)等，模壓工藝可以採用樹脂。所述封裝結構50包還將所述電路元件12包覆於其內部，因此使得所述電路元件12不會直接暴露於空間內。
所述封裝結構50包括背離所述電路板10的支撐面52，所述支撐面52為平面，所述支撐面52用於設置光學鏡頭60以形成攝像模組110。
第六步：請參閱圖8及圖9，剝離所述可撕除擋牆膠45得到所述感光晶片封裝模組。可撕除擋牆膠45在模塑形成所述封裝結構50之後再移除，不佔據保護玻璃34上的透光區341，確保設置在封裝結構50上的光學鏡頭60能吸收更多的光線。
請參閱圖10，在將所述感光晶片封裝模組100用於形成攝像模組110時，至需要將光學鏡頭60固設于所述封裝結構50的支撐面52，使光學鏡頭60與所述感光區22對應。
光學鏡頭60可以包括一至多個鏡片62。本發明由於所述擋光層55的存在，如此相當於在攝像模組110的整體高度中增加了一個擋光層55的厚度，如此是拉大了鏡片62與保護玻璃34的距離，減少了將光學鏡頭60組裝至感光晶片封裝結構100時，鏡片62與保護玻璃34之間由於距離太近造成干涉導致保護玻璃30碎裂的風險。
請再此參閱圖9~10，為利用上述感光晶片封裝模組的製作方法製作形成的感光晶片封裝模組100。其包括電路板10、感光晶片20、保護蓋30以及封裝結構50。
所述感光晶片20設置於電路板10上、與電路板10通過導線25電性導通。所述感光晶片20包括感光區22及環繞所述感光區的非感光區24。所述感光區22用於進行感光作用。
所述保護蓋30包括呈方形的支撐框32以及保護玻璃34。所述支撐框32位於所述感光晶片20的在所述非感光區24，所述支撐框32包括通光窗320以提供所述感光晶片20的光線通路，所述支撐框32是設置在所述感光區22的週邊以確保所述支撐框32不影響所述感光區22的感光。所述通光窗320顯露所述感光區22，所述支撐框32包括承載面322，所述保護玻璃34固定於所述承載面322。在本實施方式中，所述支撐框32包括L型臺階36，所述保護玻璃34設置在所述臺階36上。所述保護玻璃34沿著光路方向定義有透光區341與環繞所述透光區341的邊緣區343，所述透光區341與所述感光晶片20相間隔且與所述感光區位置對應。
所述封裝結構50不透光，所述封裝結構50包覆所述電路板10及保護蓋的側壁且覆蓋所述保護玻璃34的所述邊緣區343以在所述保護玻璃的邊緣區形成擋光層55。所述擋光層55的厚度為0.1毫米至0.3毫米。所述擋光層55的厚度是遠遠小於所述封裝結構50的厚度。
所述封裝結構50、所述保護玻璃34、所述感光晶片20及所述電路板形成為一體。所述擋光層55不透光，從而能吸收從光學鏡頭進入攝像模組的雜散光線，防止鬼影的產生。擋光層55的厚度控制在0.1毫米至0.3毫米之間，覆蓋的區域可以延伸至所述感光區22的正上方。由於擋光層55的厚度非常薄，從而可以避免擋光層55的側面對光線產生反射而形成雜散光。
請參閱圖11，為本發明第二實施例提供的一種感光晶片封裝模組200，所述感光晶片封裝模組200的結構與第一實施例提供的感光晶片封裝模組100基本相同，其不同之處在於：所述封裝結構501包括用於支撐光學鏡頭的支撐面502以及與支撐面502垂直的側表面504，形成的所述封裝結構50還包括嵌入成型有金屬片70，所述金屬片70位於所述支撐面502以及側表面504。所述金屬片70用於加強所述封裝結構501的強度，以使所述感光晶片封裝模組200滿足薄型化需求及強度需求。
所述感光晶片封裝結構200大致呈方形形狀，其包括四個垂直的側表面44。所述金屬片70大致呈L形狀，所述金屬片70形成於每個側表面504以及與每個該側表面504連接的支撐面502。也即，所述金屬片70的數量為4個，且依次相互間隔。覆蓋在支撐面502上的金屬片70是位於所述非感光區24的上方。
可以理解的是，以上實施例僅用來說明本發明，並非用作對本發明的限定。對於本領域的普通技術人員來說，根據本發明的技術構思做出的其它各種相應的改變與變形，都落在本發明請求項的保護範圍之內。
100，200‧‧‧感光晶片封裝模組 10‧‧‧電路板 110‧‧‧攝像模組 20‧‧‧感光晶片 50，501‧‧‧封裝結構 12‧‧‧電路元件 14‧‧‧電連接器 22‧‧‧感光區 24‧‧‧非感光區 30‧‧‧保護蓋 32‧‧‧支撐框 34‧‧‧保護玻璃 320‧‧‧通光窗 322‧‧‧承載面 36‧‧‧臺階 25‧‧‧導線 45‧‧‧可撕除擋牆膠 343‧‧‧邊緣區 55‧‧‧擋光層 341‧‧‧透光區 52，502‧‧‧支撐面 54，504‧‧‧側表面 70‧‧‧金屬片 60‧‧‧光學鏡頭
圖1為本發明第一實施例提供的電路板的剖面圖。
圖2為在圖1所示的電路板上設置感光晶片的剖面圖。
圖3為電性導通電路板及感光晶片的剖面圖。
圖4為在感光晶片的表面設置保護蓋的剖面圖。
圖5為保護蓋的立體結構圖。
圖6為在所述保護玻璃的表面設置可撕除擋牆膠的剖面圖。
圖7為形成封裝結構後的剖面圖。
圖8是撕除可撕除擋牆膠得到感光晶片封裝模組的剖面圖。
圖9是圖8的感光晶片封裝模組的立體結構圖。
圖10是將感光晶片封裝模組形成攝像模組的剖面圖。
圖11是本本發明第二實施例提供的晶片封裝結構的剖面圖。
100‧‧‧感光晶片封裝模組
10‧‧‧電路板
20‧‧‧感光晶片
50‧‧‧封裝結構
12‧‧‧電路元件
22‧‧‧感光區
24‧‧‧非感光區
30‧‧‧保護蓋
32‧‧‧支撐框
34‧‧‧保護玻璃
25‧‧‧導線
343‧‧‧邊緣區
55‧‧‧擋光層
341‧‧‧透光區
52‧‧‧支撐面

Claims (10)

  1. 一種感光晶片封裝模組，其包括： 電路板； 感光晶片，所述感光晶片設置於所述電路板上、且與所述電路板電性導通，所述感光晶片包括感光區以及環繞感光區的非感光區； 保護蓋，所述保護蓋設置在所述感光晶片上，所述保護蓋沿著光路方向定義有透光區與環繞所述透光區的邊緣區，所述透光區與所述感光晶片相間隔；以及 封裝結構，所述封裝結構不透光，所述封裝結構包覆所述感光晶片及所述保護蓋的外側壁且覆蓋所述保護蓋的所述邊緣區以在所述保護蓋的邊緣區形成擋光層，所述封裝結構、所述保護蓋、所述感光晶片及所述電路板形成為一體。
  2. 如請求項1所述的感光晶片封裝模組，其中：所述保護蓋包括支撐框以及保護玻璃，所述支撐框通過膠體固定設置在所述非感光區，所述支撐框包括通光窗以提供所述感光晶片光線通路，所述通光窗顯露所述感光區，所述支撐框包括承載面，所述保護玻璃固定於所述承載面。
  3. 如請求項2所述的感光晶片封裝模組，其中：所述支撐框包括L型臺階，所述保護玻璃設置在所述臺階上。
  4. 如請求項1所述的感光晶片封裝模組，其中：所述封裝結構包括用於支撐光學鏡頭的支撐面以及與支撐面垂直的側表面，所述封裝結構還包括嵌入成型有金屬片，所述金屬片位於所述支撐面以及側表面。
  5. 如請求項3所述的感光晶片封裝模組，其中：所述擋光層的厚度為0.1毫米至0.3毫米。
  6. 一種感光晶片封裝模組的形成方法，其包括如下步驟： 提供電路板； 提供感光晶片，並將所述感光晶片貼設於所述電路板上且導通連接所述電路板及所述感光晶片,所述感光晶片包括感光區以及環繞感光區的非感光區； 提供保護蓋，將所述保護蓋設置在所述感光晶片上，所述保護蓋沿著光路方向定義有透光區與環繞所述透光區的邊緣區； 在所述電路板上形成封裝結構，所述封裝結構不透光，所述封裝結構包覆所述電路板及保護蓋的側壁且覆蓋所述保護蓋的所述邊緣區以在所述保護蓋上形成擋光層，所述封裝結構、所述保護蓋、所述感光晶片及所述電路板形成為一體。
  7. 如請求項6所述的感光晶片封裝模組的形成方法，其中：提供的所述保護蓋包括支撐框以及保護玻璃，所述支撐框設置在所述非感光區，所述支撐框包括通光窗，所述通光窗顯露所述感光區，所述支撐框包括承載面，所述保護玻璃固定於所述承載面。
  8. 如請求項6所述的感光晶片封裝模組的形成方法，其中：提供的電路板上還設置有電子元件，所述電子元件位於所述感光晶片的周圍，經過模塑形成的所述封裝結構還包覆所述電子元件。
  9. 如請求項7所述的感光晶片封裝模組的形成方法，其中：在模塑形成所述封裝結構之前還包括在所述保護玻璃靠近所述透光區的所述設置可撕除擋牆膠，以及在形成所述封裝結構之後剝離所述可撕除擋牆膠。
  10. 如請求項6所述的感光晶片封裝模組的形成方法，其中：所述封裝結構包括用於支撐光學鏡頭的支撐面以及與支撐面垂直的側表面，形成的所述封裝結構還包括嵌入成型有金屬片，所述金屬片位於所述支撐面以及側表面。
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Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6917090B2 (en) * 2003-04-07 2005-07-12 Micron Technology, Inc. Chip scale image sensor package
TWM251413U (en) * 2003-11-07 2004-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Image pickup sensor and digital still camera module using the sensor
CN100361317C (zh) * 2004-02-27 2008-01-09 矽品精密工业股份有限公司 具有支撑体的感光半导体封装件及其制法
US20070190747A1 (en) * 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
US7598580B1 (en) * 2008-05-15 2009-10-06 Kingpak Technology Inc. Image sensor module package structure with supporting element
US7964936B2 (en) * 2008-07-10 2011-06-21 Visera Technologies Company Limited Electronic device package with electromagnetic compatibility (EMC) coating thereon
TW201104747A (en) * 2009-07-29 2011-02-01 Kingpak Tech Inc Image sensor package structure
JP2011238667A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置
TWI414060B (zh) * 2010-09-17 2013-11-01 Kingpak Tech Inc 模造成型之免調焦距影像感測器構裝結構及其製造方法
CN204334747U (zh) * 2014-12-25 2015-05-13 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像头模组
CN104902158B (zh) * 2015-06-17 2019-03-26 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像头模组支架及具有其的摄像头模组
CN107611149B (zh) * 2016-07-12 2020-05-01 胜丽国际股份有限公司 感测器封装结构
CN206865596U (zh) * 2017-06-20 2018-01-09 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组及其感光组件
CN207010805U (zh) * 2017-06-27 2018-02-13 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组

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