CN107611149B - 感测器封装结构 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- YGBMCLDVRUGXOV-UHFFFAOYSA-N n-[6-[6-chloro-5-[(4-fluorophenyl)sulfonylamino]pyridin-3-yl]-1,3-benzothiazol-2-yl]acetamide Chemical compound C1=C2SC(NC(=O)C)=NC2=CC=C1C(C=1)=CN=C(Cl)C=1NS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C=C1 YGBMCLDVRUGXOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
Abstract
一种感测器封装结构，包括基板、感测组件、遮罩元件、金属线及封装体。基板的上表面包含固晶区及位于固晶区外侧的打线区。感测组件安装于固晶区，并且感测组件的顶面包含有感测区、呈环状围绕在感测区外侧的承载区及位于承载区外侧的连接区。遮罩元件包含有透光状的覆盖部及呈环形且相连于覆盖部周缘的支撑部。支撑部的热膨胀系数小于10ppm/℃并固定于承载区，以使遮罩元件与感测组件包围形成有封闭状的容置空间。金属线两端分别连接于打线区与连接区。封装体设置在打线区上并包覆感测组件的侧边与连接区及遮罩元件的侧边。所述感测器封装结构通过遮罩元件的结构设计，以提供较佳的结构强度，以有效地避免产生翘曲并提升可靠度。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构，尤其涉及一种感测器封装结构。
背景技术
为了有效的提升感测灵敏度，影像感测器(例如：互补金属氧化半导体，CMOS；电荷耦合组件，CCD)对于像素、感亮度以及逻辑处理上的要求也相对提升。感测芯片为了能够提供高质量的感测效果，芯片的尺寸将会随之增大(例如:10mm×10mm、14mm×14mm、16mm×16mm、19mm×19mm等)。
然而，大尺寸的芯片在封装后，会使得现有感测器封装结构的尺寸较大，因此整体结构在温度变化时很容易产生较大的翘曲(warpage)或者是应力，导致可靠度下降。
于是，本发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种感测器封装结构，其能有效地改善现有感测器封装结构所可能产生的问题。
本发明实施例公开一种感测器封装结构，包括：一基板，具有一上表面与相对于所述上表面的一下表面，并且所述基板的所述上表面包含有一固晶区及位于所述固晶区外侧的一打线区；一感测组件，安装于所述基板的所述固晶区，并且远离所述基板的所述感测组件的一顶面包含有一感测区、呈环状围绕在所述感测区外侧的一承载区及位于所述承载区外侧的一连接区；一遮罩元件，包含有透光状的一覆盖部以及呈环形且相连于所述覆盖部周缘的一支撑部；其中，所述支撑部的热膨胀系数小于10ppm/℃并且固定于所述感测组件的所述承载区，以使所述遮罩元件与所述感测组件的所述顶面包围形成有封闭状的一容置空间，而所述感测区位于所述容置空间内；至少一金属线，两端分别连接于所述基板的所述打线区与所述感测组件的所述连接区，以电性连接所述基板与所述感测组件；以及一封装体，设置在所述打线区上并且包覆所述感测组件的侧边与所述连接区及所述遮罩元件的侧边，并且至少一所述金属线埋置于所述封装体内。
优选地，所述支撑部呈透光状，所述支撑部与所述覆盖部具有相同的膨胀系数且为一体成形的构造；或者，所述支撑部黏固于所述覆盖部。
优选地，所述覆盖部的侧边未突伸出所述支撑部的侧边。
优选地，所述封装体包含有一液态封胶(liquid compound)，所述液态封胶的顶面呈弧形且与所述覆盖部的上表面形成有介于0度～60度的一切角。
优选地，所述感测器封装结构进一步包括有一挡止组件，所述挡止组件设置在所述覆盖部的所述上表面并与所述覆盖部的所述侧边留有一预定距离，而所述覆盖部的所述侧边以及所述挡止组件之间的所述覆盖部的所述上表面部位构成为一附着区，所述封装体进一步包含一模塑封胶(molding compound)，所述模塑封胶设置在所述液态封胶的所述顶面以及所述附着区。
优选地，所述附着区位于所述支撑部朝向所述覆盖部的所述上表面正投影所形成的一投影区域之内，并且所述支撑部的宽度介于0.5毫米～2毫米。
优选地，所述支撑部的热膨胀系数进一步限定为2.6ppm/℃～7.2ppm/℃。
优选地，所述支撑部的高度大于所述覆盖部的高度，并且所述支撑部的所述高度不小于300微米。
优选地，所述遮罩元件的高度占所述感测器封装结构的高度的40％～80％。
本发明实施例也公开一种感测器封装结构，包括：一基板，具有一上表面与相对于所述上表面的一下表面，并且所述基板的所述上表面包含有一固晶区及位于所述固晶区外侧的一打线区；一感测组件，具有不小于10毫米的宽度并且安装于所述基板的所述固晶区，并且远离所述基板的所述感测组件的一顶面包含有一感测区、呈环状围绕在所述感测区外侧的一承载区及位于所述承载区外侧的一连接区；一遮罩元件，包含有透光状的一覆盖部以及呈环形且相连于所述覆盖部周缘的一支撑部；其中，所述支撑部的高度不小于300微米并且固定于所述感测组件的所述承载区，以使所述遮罩元件与所述感测组件的所述顶面包围形成有封闭状的一容置空间，而所述感测区位于所述容置空间内；至少一金属线，两端分别连接于所述基板的所述打线区与所述感测组件的所述连接区，以电性连接所述基板与所述感测组件；以及一封装体，设置在所述打线区上并且包覆所述感测组件的侧边与所述连接区及所述遮罩元件的侧边，并且至少一所述金属线埋置于所述封装体内。
优选地，所述支撑部呈透光状，所述支撑部与所述覆盖部具有相同的膨胀系数且为一体成形的构造；或者，所述支撑部黏固于所述覆盖部。
优选地，所述覆盖部的侧边未突伸出所述支撑部的侧边。
优选地，所述遮罩元件的高度占所述感测器封装结构的高度的40％～80％。
综上所述，本发明实施例所公开的感测器封装结构，其通过遮罩元件的结构设计，以提供感测器封装结构较佳的结构强度，借以有效地避免产生翘曲并提升可靠度。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的感测器封装结构的剖面图。
图2为本发明第二实施例的感测器封装结构的剖面图。
图3为本发明第三实施例的感测器封装结构的剖面图。
图4为本发明第四实施例的感测器封装结构的剖面图。
图5为本发明第五实施例的感测器封装结构的剖面图。
图6为本发明第六实施例的感测器封装结构的剖面图。
图7为本发明第七实施例的感测器封装结构的剖面图。
具体实施方式
请参阅图1至图7，其为本发明的实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本发明的实施方式，以便于了解本发明的内容，而非用来局限本发明的保护范围。
[第一实施例]
请参考图1，图1为本发明第一实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明的感测器封装结构具有一基板1(substrate)、一感测组件2(image sensor die)、一遮罩元件3以及一封装体4(liquid compound，molding compound)。基板1具有一上表面11以及一相对于上表面11的下表面12。感测组件2设置在基板1的上表面11。遮罩元件3设置在感测组件2上。封装体4设置在基板1上且密封围绕遮罩元件3。附带一提，感测器封装结构的厚度可以介于1.5mm～2.5mm(毫米)之间。
基板1的上表面11可以通过黏着、固着等方式设置感测组件2。并且，基板1具有至少一个导电端子13。在本发明中，导电端子13例如为焊锡球，可分别设置在基板1的下表面以形成一球形数组(Ball Grid Array，BGA)。另外，基板1可以为塑料基板、玻璃基板等，本发明并不以此为限制。
更详细地说，所述基板1的上表面11包含有一固晶区111及位于上述固晶区111外侧的一打线区112。其中，所述打线区112较佳是呈环状围绕于固晶区111外侧，但不受限于此。例如：打线区112也可以是呈两条长条状，并位于上述固晶区111的相反两外侧。
感测组件2具有一感测区SZ以及相邻设置在感测区SZ的连接区CZ。并且，感测组件2可以为一感测芯片例如：光感测芯片、影像感测芯片等。感测组件2可以为大尺寸芯片，大尺寸芯片可以是大于等于10mm×10mm以上的尺寸，例如：11mm×11mm、14mm×14mm、16mm×16mm、19mm×19mm。
进一步地说，本实施例的感测组件2较佳是具有不小于10毫米的宽度并且安装在基板1的固晶区111上。其中，在远离基板的感测组件顶面包含有上述感测区SZ、呈环状围绕在上述感测区SZ外侧的一承载区LZ及位于承载区LZ外侧的所述连接区CZ。上述连接区CZ较佳是呈环状围绕于承载区LZ外侧，但不受限于此。例如：连接区CZ也可以是呈两条长条状，并位于上述承载区LZ的相反两外侧。
遮罩元件3设置在感测组件2上且与感测区SZ形成一容置空间P。详细来说，遮罩元件3具有覆盖部31以及围绕设置在覆盖部31的支撑部32，覆盖部31设置在感测区SZ的上方。并且，遮罩元件3通过一黏合胶层5将支撑部32设置在感测组件2上，黏合胶层5可以为光固化黏着胶、热固化黏着胶或者是混合光固化黏着胶以及热固化黏着胶的黏着胶，本发明并不以此为限制。
值得一提的是，支撑部32的宽度d32大约介于0.5mm～2mm(毫米)之间，通过宽度较大的支撑部32支撑覆盖部31，相对于其它结构(例如：薄玻璃)可以提供较好的结构刚性降低结构的翘曲与应力。其中支持部32的宽度越宽，降低应力的效果也越好。在本实施例中，遮罩元件3的覆盖部31以及支撑部32为一体成型，且选用热膨胀系数(Coefficient ofthermal expansion，CTE)介于2到10之间的刚性材料。例如:玻璃材质(CTE＝7.2ppm/℃)或者硅基材(CTE＝2.6ppm/℃)。
进一步地说，所述覆盖部31呈透光状，而支撑部32呈环形且相连于覆盖部31周缘。所述支撑部32的热膨胀系数是小于10ppm/℃(较佳为2.6ppm/℃～7.2ppm/℃)并且固定于感测组件2的承载区LZ，以使遮罩元件3与感测组件2的顶面21包围形成有封闭状的容置空间P，而所述感测区SZ则是位于上述容置空间P内。
再者，在本实施例中，所述支撑部32呈透光状，并且支撑部32与覆盖部31具有相同的膨胀系数且为一体成形的构造，所述覆盖部31的侧边未突伸出支撑部32的侧边(如：所述覆盖部31的侧边与支撑部32的侧边呈共平面设置)，但本发明不受限于此。举例来说，在本发明未绘示的实施例中，所述覆盖部31的侧边相对于支撑部32的侧边也可以内缩有一距离。
另，支撑部32的高度在本实施例中不小于300微米。换个角度来说，所述遮罩元件3的高度较佳为占未涵盖导电端子13的上述感测器封装结构的高度H的40％～80％。
复请参阅图1，支撑部32设置在感测组件2上，且支撑部32的一侧边S3与感测组件2的一侧边S2具有一第一预定距离d1以构成上述连接区CZ于感测组件2上。在本实施例中，一金属线M连接于感测组件2上的连接区CZ以及基板1，借此将感测组件2电性连接于基板1。也就是说，感测器封装结构的至少一金属线M两端分别连接于基板1的打线区112与感测组件2的连接区CZ，以电性连接基板1与感测组件2。
封装体4设置并围绕于基板1上，且封装体4的侧边S4与基板1的侧边S1齐平。更进一步来说，封装体4完全覆盖感测组件2连接区CZ，且密封围绕支撑部32。再者，封装体4可以为不透光的材质，以避免光线由支撑部32入射至感测组件2中。在本实施例中，封装体4为液态封胶(liquid compound)。通过液态封胶密封围绕基板1、感测组件2、遮罩元件3并紧密结合无缝隙，并且封装体4的顶面呈弧形，遮罩元件3的上表面33与封装体4的顶面具有一切角θ介于0～60度之间。
更详细地说，所述封装体4设置在基板1的112打线区上并且包覆上述感测组件2的侧边S2与连接区CZ及所述遮罩元件3的侧边S3，并使金属线M埋置于封装体4内。
[第二实施例]
请参考图2，图2为本发明第二实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明第二实施例的感测器封装结构同样具有基板1、感测组件2以及封装体4，大致上具有与第一实施例相同的感测器封装结构，差异点在于本发明第二实施例的遮罩元件6包括一支持件62(dam)以及一遮盖件61(transparent window)。支持件62设置在感测组件2上。遮盖件61设置在支持件62上。封装体4设置在基板1上且密封围绕支持件62以及遮盖件61。须说明的是，第一实施例的覆盖部31在本实施例中命名为遮盖件61，并且第一实施例的支撑部32在本实施例中命名为支持件62。
遮盖件61设置在支持件62上，遮盖件61可以为玻璃、透明压克力等具有透光性的材质，例如：光学玻璃或镀膜玻璃等。详细来说，遮盖件61通过一第二黏着层72黏附于感测组件2上，第二黏着层72可以选自为光固化胶、热固化胶或者是混合光固化胶与热固化胶的黏着胶。附带一提，本实施例黏合胶层7所包含的第一黏着层71以及第二黏着层72可以选自为相同的材料，借以提升制程过程的便利性。
支持件62设置在感测组件2上且围绕感测区SZ。详细来说，支持件62通过第一黏着层71黏附于感测组件2上第一黏着层71可以选自为光固化胶、热固化胶或者是混合光固化胶与热固化胶的黏着胶。并且，支持件62的宽度d62大约介于0.5～2mm(毫米)之间，不仅可以提供足够的宽度面积将感测组件2以及遮盖件61黏合，还可以提供较好的结构刚性以降低结构的翘曲与应力。
更进一步来说，支持件62可以具有一稳定高度，通过支持件62围绕感测组件2并且使得感测组件2与遮盖件61分离以形成一容置空间P，借以保护感测组件2的感测区SZ不会受到外部环境的污染。并且，支持件62的高度h62可以大于等于遮盖件61高度h61的三分之一，例如:支持件62的高度h62可以为300μm(微米)以上，更甚至可以为500μm(微米)以上，借以降低感测区SZ内微粒子(Particle)对于影像的影响，提升产品良率。再者，支持件62可以选用热膨胀系数CTE介于2到10之间的刚性材料。例如:玻璃材质(CTE＝7.2ppm/℃)或者硅基材(CTE＝2.6ppm/℃)。在本实施例中，支持件62与遮盖件61可以选用具有相同或相近的热膨胀系数材料，因此支持件62不会受热而形变，再者由于支撑件62具有稳定的高度可以降低遮盖件61与感测组件2之间所产生的倾斜度，使得感测区均匀收光提升成像效果。
复请参阅图2，支持件62设置在感测组件2上，且支持件62的一侧边S62与感测组件2的一侧边S2具有一第一预定距离d1以构成一连接区CZ于感测组件2上。在本实施例中，一金属线M连接于感测组件2上的连接区CZ以及基板1，借此将感测组件2电性连接于基板1。
封装体4设置并围绕于基板1上，且封装体4的侧边S4与基板1的侧边S1齐平。更进一步来说，封装体4完全覆盖感测组件2连接区CZ，且密封围绕支持件62以及遮盖件61。另外，在本实施例中，支持件62的一侧边S62与设置在支持件62上方的遮盖件61的侧边S61切齐，因此可以达到防止封装体4渗入遮盖件61下方，进而避免封装体4因为收缩膨胀下而产生应力至遮盖件61上。于其他实施例中，支持件62侧边S62与遮盖件61的侧边S61形成一内缩距离(图未示)，因此封装体4会覆盖围绕该区域，以防止水气渗入容置空间P内。再者，封装体4可以为不透光的材质，以避免光线由支持件62入射至感测组件2中。在本实施例中，封装体4为液态封胶(liquid compound)。通过液态封胶密封围绕基板1、感测组件2、支持件62以及遮盖件61且紧密结合无缝隙，并且封装体4与遮盖件61的上表面611形成一弧形曲线，遮盖件6的上表面61与封装体4具有一切角θ介于0～60度之间。
[第三实施例]
请参阅图3，图3为本发明第三实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明中图3所示的第三实施例具有与第二实施例大体上相同的感测器封装结构，差异仅在于第三实施例的封装体4’为模塑封胶(mold compound)。在本实施例中，封装体4’的顶面与遮盖件61的上表面611大致上形成一共平面。详言之，封装体4’的高度可以小于等于基板1上表面11至遮盖件61上表面611的高度。其中，所述封装体4’的侧边与基板1的侧边呈共平面设置。须说明的是，第一实施例的覆盖部31在本实施例中命名为遮盖件61，并且第一实施例的支撑部32在本实施例中命名为支持件62。
[第四实施例]
请参阅图4，图4为本发明第四实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明中图4所示的第四实施例具有与图2的第二实施例大体上相同的感测器封装结构，差异仅在于第四实施例的封装体8具有一第一封胶体81以及设置在第一封胶体81上的一第二封胶体82，且第一封胶体81的热膨胀系数大于第二封胶体82的热膨胀系数。在本实施例中，第一封胶体81可以为液态封胶且第二封胶体82可以为模塑封胶，第一封胶体81密封围绕于基板1、感测组件2支持件62以及遮盖件61。并且，遮盖件61的上表面611可以高于或等于第二封胶体82的上表面821。借此，第一封胶体81可以提供一缓冲力至遮罩元件6，且第二封胶体82可以降低应力所产生的影响。须说明的是，第一实施例的覆盖部31在本实施例中命名为遮盖件61，并且第一实施例的支撑部32在本实施例中命名为支持件62。
[第五实施例]
请参阅图5，图5为本发明第五实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明中图5所示的第五实施例具有与图3的第三实施例大体上相同的感测器封装结构，差异仅在第五实施例的遮盖件61对应于支持件62上的位置具有一阶梯部622以及一贴合部623。在本实施例中，阶梯部622可以设计为L形状的缺口，而封装体4’会完全覆盖阶梯部622以及贴合部623，且封装体4’的上表面可以低于或等于遮盖件61的上表面611。须说明的是，第一实施例的覆盖部31在本实施例中命名为遮盖件61，并且第一实施例的支撑部32在本实施例中命名为支持件62。
再者，所述遮盖件61的部分侧边与支撑部32的侧边呈共平面设置，并且所述遮罩元件6的侧边形成有至少一缺口(也就是阶梯部622)，并且所述封装体4’充填满上述至少一缺口。其中，上述缺口较佳是沿着上述遮罩元件6侧边形成的环状构造，但本发明不受限于此。
[第六实施例]
请参阅图6，图6为本发明第六实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明中图6所示的第六实施例具有与图5的第五实施例大体上相同的感测器封装结构，差异仅在于第六实施例的封装体8具有第一封胶体81以及设置在第一封胶体81上的第二封胶体82。第一封胶体81密封围绕于基板1、感测组件2、支持件62以及遮盖件61的贴合部623并紧密围绕无缝隙。第二封胶体82设置在第一封胶体81上，且第二封胶体82完全覆盖遮盖件61的阶梯部622且可以低于或等于遮盖件61的上表面611。须说明的是，第一实施例的覆盖部31在本实施例中命名为遮盖件61，并且第一实施例的支撑部32在本实施例中命名为支持件62。
[第七实施例]
请参阅图7，图7为本发明第七实施例的感测器封装结构的剖面图。本发明中图7所示的第七实施例具有与图6的第六实施例大体上相同的感测器封装结构，差异仅在于第七实施例的遮盖件61上还设置一挡止组件9。挡止组件9垂直设置在支持件62上方，且挡止组件9的宽度d9小于支持件62的宽度d62。更进一步来说，挡止组件9的宽度d9为支持件62宽度d62的三分之一到二分之一，例如0.15mm～1mm(毫米)之间。再者，挡止组件9的一侧边S9与遮盖件61的一侧边S61具有一第二预定距离d2以构成出一附着区PZ在遮盖件61的上表面611。第二封胶体82设置在第一封胶体81上且完全覆盖附着区PZ。再者，第二封胶体82的上表面可以低于或等于挡止组件9的上表面91。另外，在其他实施例中，第一封胶体81以及第二封胶体82可以采用相同的材料，例如采用如图4的封装体4’，本发明并不以此为限制。须说明的是，第一实施例的覆盖部31在本实施例中命名为遮盖件61，并且第一实施例的支撑部32在本实施例中命名为支持件62。
再者，在本实施例中，所述挡止组件9大致呈环形，并且所述附着区PZ较佳是位于支持件62朝向覆盖件61上表面正投影所形成的一投影区域之内。本实施例的第一封胶体81为液态封胶，且第二封胶体82可以为模塑封胶。上述第二封胶体82(也就是模塑封胶，molding compound)设置在所述第一封胶体81(也就是液态封胶，liquid compound)的顶面以及附着区PZ。
值得一提的是，参阅图5、图6以及图7的实施例中，遮盖件61设计具有一阶梯部622且封装体4’、8完全覆盖该阶梯部622。借此，使得封装体4’、8密封紧固遮盖件61，有效的防止水气进入感测区SZ，以提升封装的可靠度。
另外，本发明的实施例中，黏合胶层5、第一黏着层71以及第二黏着层72可以选用与封装体相同或相似热膨胀系数的材料。举例来说，请参阅图1，本发明第一实施例中的黏合胶层5可以选用与封装体4相同或相似热膨胀系数的材料。又或者，请参阅图3，本发明第三实施例中的第一黏着层71以及第二黏着层72选用相同的材料，且第一黏着层71、第二黏着层72可以选用与封装体4’相同或相似热膨胀系数的材料。借此，可以降低封装结构受热所产生的应力影响。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，并非用来局限本发明的保护范围，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的权利要求书的保护范围。
Claims (12)
1.一种感测器封装结构，其特征在于，所述感测器封装结构包括：
一基板，具有一上表面与相对于所述上表面的一下表面，并且所述基板的所述上表面包含有一固晶区及位于所述固晶区外侧的一打线区；
一感测元件，安装于所述基板的所述固晶区，并且远离所述基板的所述感测元件的一顶面包含有一感测区、呈环状围绕在所述感测区外侧的一承载区及位于所述承载区外侧的一连接区；
一遮罩元件，包含有透光状的一覆盖部以及呈环形且相连于所述覆盖部周缘的一支撑部；其中，所述支撑部的热膨胀系数小于10ppm/℃并且固定于所述感测元件的所述承载区，以使所述遮罩元件与所述感测元件的所述顶面包围形成有封闭状的一容置空间，而所述感测区位于所述容置空间内；
至少一金属线，两端分别连接于所述基板的所述打线区与所述感测元件的所述连接区，以电性连接所述基板与所述感测元件；以及
一封装体，设置在所述打线区上并且包覆所述感测元件的侧边与所述连接区及所述遮罩元件的侧边，并且至少一所述金属线埋置于所述封装体内，其中，所述封装体具有一第一封胶体以及设置在第一封胶体上的一第二封胶体，且第一封胶体的热膨胀系数大于第二封胶体的热膨胀系数；
其中，所述支撑部的高度不小于300微米。
2.根据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述支撑部呈透光状，所述支撑部与所述覆盖部具有相同的膨胀系数且为一体成形的构造；或者，所述支撑部黏固于所述覆盖部。
3.根据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述覆盖部的侧边未突伸出所述支撑部的侧边。
4.根据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述封装体包含有一液态封胶，所述液态封胶的顶面呈弧形且与所述覆盖部的上表面形成有介于0度～60度的一切角。
5.根据权利要求4所述的感测器封装结构，其特征在于，所述感测器封装结构进一步包括有一挡止组件，所述挡止组件设置在所述覆盖部的所述上表面并与所述覆盖部的所述侧边留有一预定距离，而所述覆盖部的所述侧边以及所述挡止组件之间的所述覆盖部的所述上表面部位构成为一附着区，所述封装体进一步包含一模塑封胶，所述模塑封胶设置在所述液态封胶的所述顶面以及所述附着区。
6.根据权利要求5所述的感测器封装结构，其特征在于，所述附着区位于所述支撑部朝向所述覆盖部的所述上表面正投影所形成的一投影区域之内，并且所述支撑部的宽度介于0.5毫米～2毫米。
7.根据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述支撑部的热膨胀系数进一步限定为2.6ppm/℃～7.2ppm/℃。
8.根据权利要求1所述的感测器封装结构，其特征在于，所述遮罩元件的高度占所述感测器封装结构的高度的40％～80％。
9.一种感测器封装结构，其特征在于，所述感测器封装结构包括：
一基板，具有一上表面与相对于所述上表面的一下表面，并且所述基板的所述上表面包含有一固晶区及位于所述固晶区外侧的一打线区；
一感测元件，具有不小于10毫米的宽度并且安装于所述基板的所述固晶区，并且远离所述基板的所述感测元件的一顶面包含有一感测区、呈环状围绕在所述感测区外侧的一承载区及位于所述承载区外侧的一连接区；
一遮罩元件，包含有透光状的一覆盖部以及呈环形且相连于所述覆盖部周缘的一支撑部；其中，所述支撑部的高度不小于300微米并且固定于所述感测元件的所述承载区，以使所述遮罩元件与所述感测元件的所述顶面包围形成有封闭状的一容置空间，而所述感测区位于所述容置空间内；
至少一金属线，两端分别连接于所述基板的所述打线区与所述感测元件的所述连接区，以电性连接所述基板与所述感测元件；以及
一封装体，设置在所述打线区上并且包覆所述感测元件的侧边与所述连接区及所述遮罩元件的侧边，并且至少一所述金属线埋置于所述封装体内。
10.根据权利要求9所述的感测器封装结构，其特征在于，所述支撑部呈透光状，所述支撑部与所述覆盖部具有相同的膨胀系数且为一体成形的构造；或者，所述支撑部黏固于所述覆盖部。
11.根据权利要求9所述的感测器封装结构，其特征在于，所述覆盖部的侧边未突伸出所述支撑部的侧边。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的感测器封装结构，其特征在于，所述遮罩元件的高度占所述感测器封装结构的高度的40％～80％。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662361071P | 2016-07-12 | 2016-07-12 | |
| US62/361,071 | 2016-07-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107611149A CN107611149A (zh) | 2018-01-19 |
| CN107611149B true CN107611149B (zh) | 2020-05-01 |
Family
ID=60941308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710568661.8A Active CN107611149B (zh) | 2016-07-12 | 2017-07-12 | 感测器封装结构 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9905597B2 (zh) |
| CN (1) | CN107611149B (zh) |
| TW (1) | TWI627738B (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190172861A1 (en) * | 2017-12-05 | 2019-06-06 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package and related methods |
| WO2019196584A1 (zh) * | 2018-04-09 | 2019-10-17 | 宁波舜宇光电信息有限公司 | 感光组件、摄像模组及其制作方法 |
| CN110650267A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 三赢科技（深圳）有限公司 | 感光芯片封装模组及其形成方法 |
| CN110957334B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-04-15 | 胜丽国际股份有限公司 | 感测器封装结构 |
| US11164900B2 (en) * | 2018-10-08 | 2021-11-02 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor chip-scale-package |
| US10886315B2 (en) * | 2018-10-31 | 2021-01-05 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Photosensitive assembly and formation methods thereof, lens module, and electronic device |
| CN111627866B (zh) * | 2019-02-27 | 2022-03-04 | 胜丽国际股份有限公司 | 芯片级传感器封装结构 |
| TWI703679B (zh) * | 2019-03-26 | 2020-09-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
| CN111863843B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-03-01 | 同欣电子工业股份有限公司 | 感测器封装结构及其感测模块 |
| TWI701777B (zh) * | 2019-10-22 | 2020-08-11 | 財團法人工業技術研究院 | 影像感測器封裝件及其製造方法 |
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| KR20210080718A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| TWI766296B (zh) * | 2020-06-18 | 2022-06-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
| CN113823645A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 胜丽国际股份有限公司 | 感测器封装结构 |
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| TWI769780B (zh) * | 2021-04-12 | 2022-07-01 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
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-
2017
- 2017-07-12 US US15/647,465 patent/US9905597B2/en active Active
- 2017-07-12 TW TW106123352A patent/TWI627738B/zh active
- 2017-07-12 CN CN201710568661.8A patent/CN107611149B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI627738B (zh) | 2018-06-21 |
| TW201813069A (zh) | 2018-04-01 |
| US9905597B2 (en) | 2018-02-27 |
| CN107611149A (zh) | 2018-01-19 |
| US20180019274A1 (en) | 2018-01-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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