TW201948010A - 堆疊電子結構 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種堆疊電子結構。該堆疊電子結構包括：一磁性裝置、電子裝置和一基板。基板設置在磁性裝置下方，一第一電子裝置與一第二電子裝置設置在磁性裝置的下表面和基板的上表面之間，其中，該第一裝置與該第二電子裝置的一個端子分別在不使用所述基板的情況下電性連接至所述磁性裝置，該第一裝置與該第二電子裝置的的另一個端子分別電性連接至所述基板，其中所述磁性裝置、所述第一電子裝置、所述第二電子裝置和所述基板可形成的一容納電子裝置之空間。

Description

堆疊電子結構
本發明係相關於一種堆疊電子結構，尤其相關於一種電源模組或直流-直流轉換器之堆疊電子結構。
電子結構，例如電源模組和直流-直流轉換器，通常包括具有電路，電性連接至該具有電路的基板的電子裝置。這些裝置耦合到用於連接至導電圖案和/或其他電子組件的接腳。
如第1圖電子結構100所示，其為一種使用習知方法來縮小電子產品體積的堆疊結構，電子結構100包含堆疊在PCB基板110上方的磁性本體120，其間具有電子裝置112。磁性本體120之外部導電接腳102和104連接到基板110以支撐磁性本體120，這樣做，基板需要使用表面面積來容納磁性本體120之外部導電接腳102和104，而且會增加磁性本體120之外部導電接腳102和104的整體阻抗。
因此，需要一種更好的堆疊電子結構來解決上述問題。
本發明提供一堆疊電子結構，其中磁性裝置可直接電性連接至多個電子裝置，而不使用基板，該多個電子裝置可設置於基板上以支撐該磁性裝置，該多個電子裝置也可設置於橋接結構中，該橋接結構設置於基板上以支撐該磁性裝置。磁性裝置可以更短的導電路徑電性連接至電子裝置，其不僅可縮小堆疊的電子結構的體積，並可減少磁性裝置與電子裝置之導電路徑的總阻抗。此外，藉由橋接結構的使用，可以實現設計的靈活性。
在一實施例中，揭露一種堆疊電子結構，其中堆疊電子結構包含：一磁性裝置：一基板，其中基板設置在磁性裝置下面，一第一電子裝置，設置在所述磁性裝置的一下表面和所述基板的一上表面之間，其中所述第一電子裝置包含一第一端子和一第二端子，其中該第一端子不使用基板，電性連接至所述磁性裝置，且第二端子電性連接至基板，以及一第二電子裝置，設置於該磁性裝置的一下表面與該基板的一下表面之間，其中該第二電子裝置包含一三端子與一第四端子，其中該第三端子不使用基板，電性連接該磁性裝置，且第四端子電性連接至基板。
在一實施例中，第一端子設置在第一電子裝置的一第一表面上，且第二端子設置在第一電子裝置與第一表面相對的一第二表面上。
在一實施例中，第三端子設置在第二電子裝置的一第三表面上，且第四端子設置在第二電子裝置與第三表面相對的一第四表面上。
在一實施例中，一第三電子裝置設置在由磁性裝置、第一電子裝置、第二電子裝置和基板形成的空間中，其中第三電子裝置電性連接至基板。
在一實施例中，磁性裝置包含一電感器或扼流器。
在一實施例中，第一電子裝置包含一主動電子元件。
在一實施例中，第一電子裝置包含一被動電子元件。
在一實施例中，第一電子裝置至少部分地被封裝在設置在磁性裝置的一第一側邊的一第一橋接結構中; 第二電子裝置至少部分地被封裝在設置在磁性裝置的一第二側邊的一第二橋接結構中，與第一側邊相對，其中第一橋接結構的至少一部分從磁性裝置的下表面延伸到基板的上表面，並且所述第二橋接結構的至少一部分從所述磁性裝置的所述下表面延伸到所述基板的所述上表面，以在所述基板上方支撐所述磁性裝置。
在一實施例中，磁性裝置包含一磁性本體，其中磁性本體具有一第一突起部和一第二突起部，其中第一突起部和第二突起部從磁性裝置的下表面延伸到上表面，分別形成第一橋接結構和第二橋接結構。
在一實施例中，第一電子裝置被封裝於設置在磁性裝置的一第一側邊下方的一第一橋接結構中，第二電子裝置被封裝於設置在磁性裝置的一第二側邊下方的一第二橋接結構中，第一側邊與第二側邊相對。
在一實施例中，第一電子裝置與磁性裝置的下表面接觸，以支撐磁性裝置於基板上。
在一實施例中，第一電子裝置和第二電子裝置各自與磁性裝置的下表面接觸，以支撐磁性裝置於基板上。
在一實施例中，磁性裝置在其下表面上具有一嵌入電極，其中第一電子裝置的第一表面上的第一端子被焊接到磁性裝置的嵌入電極，所述第一電子裝置的的第二端子被焊接到所述基板的上表面。
在一實施例中，第一電子裝置為一第一MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)，第二電子裝置為一第二MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)，且磁性裝置為一扼流器，其中扼流器的一第一端子，電性連接至第一MOSFET和第二MOSFET。
應當理解，以下揭露提供了用於實現本發明不同特徵的許多不同的實施例或示例。下述裝置和佈置的具體示例，用以簡化本發明。當然，這些僅是示例，並非用來限定本發明。例如，在下面的描述中，第一特徵在第二特徵之上或其上的形成，可包括第一特徵和第二特徵以直接接觸形成的實施例，並且還可以包括在第一特徵和第二特徵之間形成附加特徵的實施例，使得第一特徵和第二特徵不直接接觸。另外，本發明可以在各種示例中重複參考數字和/或字母。這些重複是為了簡化和清楚的目的，且本身不指示所討論的各種實施例和/或配置之間的關係。
本發明在一實施例中提供了一種堆疊電子結構。該堆疊電子結構包括：一磁性裝置、第一電子裝置、第二電子裝置設置以及一基板，該基板設置在該磁性裝置下方，該第一電子裝置和該第二電子裝置設置在該磁性裝置的一下表面和基板的一上表面之間，其中，第一電子裝置和第二電子裝置的第一端子和第三端子分別在不使用所述基板的情況下電性連接至該磁性裝置，第一電子裝置和第二電子裝置的第二端子和第四端子分別電性連接至該基板。
第2圖為根據本發明的實施例之一堆疊電子結構200的示意圖。如第2圖所示，堆疊電子結構200包括一磁性裝置其具有一磁性本體220，一第一電子裝置212、一第二裝置214、一第三電子裝置216以及一基板210。具有磁性本體220的磁性裝置可為一電感器或扼流器，磁性本體220可包含導電材料。基板210可為一印刷電流板、樹脂基板、金屬基板或陶瓷基板，基板210可為一雙層或多層基板。基板210設置在具有磁性本體220的磁性裝置的下方，一第一橋接結構202與一第二橋接結構204分別設置在磁性本體220與基板210之間。第一橋接結構202和第二橋接結構204分別在磁性本體220第一側邊和第二側邊處結構性地支撐具有磁性本體220的磁性裝置，第一橋接結構202和第二橋接結構204可包含導電材料。第一橋接結構202和第二橋接結構204的至少一部分分別從磁性本體220的下表面延伸到基板210的上表面，用以在基板210上支撐磁性本體220。第一橋接結構202封裝第一電子裝置212的至少一部分，第二橋接結構204第二電子裝置214的至少一部分。一第三電子裝置216設置在由磁性本體220、第一電子裝置212和第二電子裝置214以及基板210形成的空間中。第一裝置212和第二電子裝置214分別包含主動電子元件或例如電阻器和電容器的被動電子元件，第三電子裝置216包含例如控制器IC、二極管和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的主動電子元件或例如電阻器和電容器的被動電子元件。
仍參考第2圖，具有磁性本體220的磁性裝置電性連接至第一裝置212和第二電子裝置214，而且是在不使用基板210的情況下來達到將磁性裝置電性連接至第一裝置212和第二電子裝置214。也就是說磁性裝置電性連接至第一裝置212和第二電子裝置214之電連接路徑不必經過基板210就可達成。 此外，第一裝置212和第二電子裝置214分別電性連接至基板210。第三電子裝置216電性連接至基板210，第三電子裝置216可透過金屬線232、234，例如金、銅或鋁線，電性連接至基板210，本發明不受限於此。
在又一些實施例中，多於一個電子裝置可分別被封裝在第一和第二橋接結構202、204中，並可在其中設置多於一個的電子裝置218。另外，電子裝置可包含主動及/或被動電子元件。
第3A圖為根據本發明另一實施例之一堆疊電子結構的局部示意剖面側視圖。如第3圖所示，一堆疊電子結構300A包括一磁性裝置320，分別為第一裝置314、第二裝置316、第三電子裝置318以及一基板310，其中基板310具有電路312。磁性裝置320可包含一電感器或扼流器。 基板310可為一印刷電流板、樹脂基板，金屬基板或陶瓷基板，基板310可為一雙層或多層基板。磁性裝置320具有分別設置在其第一和第二側邊上的第一和第二電極322、324。基板310的上表面設置在磁性裝置320的下表面下方，且第一橋接結構302和第二橋接結構304分別配置基板310與磁性裝置320之間。第一和第二橋接結構302、304分別在其第一和第二側邊處結構性地支撐磁性裝置320，並可包含導電材料。第一橋接結構302和第二橋接結構304的至少一部分分別從磁性裝置320的下表面延伸到基板310的上表面，用以在基板310上支撐磁性裝置320。第一橋接結構302和第二橋接結構304分別設置在基板310的外部相對邊緣上，且磁性裝置320設置在其上。第一橋接結構302封裝第一裝置314的至少一部分。第二橋接結構302、304封裝第二電子裝置316的至少一部分。磁性裝置320電性連結第一裝置314的第一端子380以及第二電子裝置316的第三端子382。第一裝置314的第二端子381以及第二電子裝置316的第四端子383電性連結至基板310。 一第三電子裝置318設置在由磁性裝置320、第一裝置314、第二電子裝置316和基板310形成的空間中。第一和第二電子裝置314、316分別包含例如電阻器和電容器的被動電子元件，且第三電子裝置包含例如控制器IC、二極管和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的主動電子元件。
仍參考第3A圖的實施例，磁性裝置320電性連接至分別設置在第一裝置314的第一表面的第一端子380與第二電子裝置316的第三表面上的第三端子382，而不使用基板。此外，第一電子裝置314和第二電子裝置316分別藉由第二端子381和第四端子383電性連接至基板310。同時，第三電子裝置318透過金屬線332、334，例如金、銅或鋁線，電性連接至基板310。
在第3A圖的堆疊電子結構300A的另一實施例中，多於一個電子裝置可以分別被封裝在第一和第二橋接結構302、304中，並且可以在其中設置多於一個的電子裝置。另外，被動和主動電子元件可在電子裝置之間，用任何組合使用。
在本發明又一實施例中，第三電子裝置318被封裝在一封裝材料330內，且封裝材料330可包含環氧樹脂。
第3B圖為根據本發明又一實施例之一堆疊電子結構的局部示意剖面側視圖。第3A圖和第3B圖的實施例差異在於，在第3B圖的實施例中的堆疊電子結構300B，磁性裝置具有一本體326，本體326具有第一突起部306和第二突起部308，其中第一電子裝置314的至少一部分被第一突起部封裝，第一電子裝置314的至少一部分包含第一電子裝置314之一第一端子。第二電子裝置316的至少一部分被第二突起部封裝，第二電子裝置316的至少一部分包含第二電子裝置316之一第三端子。在一實施例中，磁性裝置為一電感器或扼流器，且本體326內有一線圈或一導體線以形成一電感器或扼流器，其中電感器或扼流器分別透過第一突起部和第二突起部中的導電路徑電性連接至第一電子裝置314之該第一端子和第二電子裝置316之該第三端子，該導電路徑不使用基板即可達成。本體326可為磁性本體。 基板310可為一印刷電流板、樹脂基板、金屬基板或陶瓷基板，基板310可為一雙層或多層基板。在一實施例中，一第三電子裝置318設置在由本體326，第一裝置314和第二電子裝置316和基板310形成的一空間中。第一裝置314和第二電子裝置316分別包含主動元件及/或例如電阻器和電容器的被動電子元件，第三電子裝置包含例如控制器IC、二極管和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的主動電子元件及/或例如電阻器和電容器的被動電子元件。對於第3A圖可應用於第3B圖的附加實施例，為了簡潔起見，將不再重複它們。
第4A圖為根據本發明另一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。如第4A圖所示，一堆疊電子模組400A包括在其下表面上具有嵌入電極422的一磁性裝置420、分別為第一和第二電子裝置442、444，以及其中具有電路412的一基板410。磁性裝置420包含一電感器或扼流器。 基板410可為一印刷電流板、樹脂基板、金屬基板或陶瓷基板，基板410可為一雙層或多層基板。基板410的上表面設置在磁性裝置420的下表面下方，且第一電子裝置442和第二電子裝置444分別設置磁性裝置420與基板410之間。第一和第二電子裝置442、444分別在磁性裝置420第一和第二側邊處，分別結構性地支撐磁性裝置520，第一和第二電子裝置442、444具有分別設置在其第一和第三表面上的第一和第三端子402、404，第一和第三端子402、404被焊接到磁性裝置420的嵌入電極422，使得磁性裝置420電性連接至分別設置在第一和第二電子裝置442、444的第一和第三表面上的第一和第三端子，而不使用基板。同時，設置在基板410的相應邊緣處的第一和第二電子裝置442、444，分別第二和第四端子406、408，第二和第四端子406、408電性連接至基板410。第一和第二電子裝置442、444分別可包含主動電子元件及/或例如電阻器和電容器的被動電子元件。
堆疊電子模組400A還可包含一第一電流和第二電流，其中第一電流從磁性裝置420的嵌入電極422經由第一裝置442的第一端子402與第二端子406流到基板410 ，第二電流從磁性裝置420的嵌入電極422經由第二電子裝置444的第三端子404與第四端子408 流到基板410。
第4B圖為根據本發明又一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。第4A圖實施例和第4B圖實施例中的差異在於，第4B圖實施例中的堆疊電子模組400B，磁性裝置422在其下表面上分別具有第一和第二嵌入電極424、426，以及其中具有電路412的一基板410。注意，本發明不限於在磁性裝置422的底部上的僅有一個或兩個嵌入電極。在另一實施例中，多於兩個的嵌入電極可以嵌入到磁性裝置422的底部。同時，第4A圖實施例和第4B圖實施例中的另一差異在於在第一電子裝置442與第二電子裝置444之間分別存在一焊接間隙403。
仍然參考第4B圖，磁性裝置422包含一電感器或扼流器。基板410可為一印刷電流板、樹脂基板、金屬基板或陶瓷基板，並可為一雙層或多層基板。基板410的上表面設置在磁性裝置422的下表面下方，且第一電子裝置442和第二電子裝置444分別設置在它們之間。第一和第二電子裝置442、444分別在其第一和第二側邊處分別結構性地支撐磁性裝置520，具有分別設置在其第一和第三表面上的第一和第三端子402、404，分別焊接到磁性裝置420的第一和第二嵌入電極424、426，使得磁性裝置420電性連接至分別設置在第一和第二電子裝置442、444的第一和第三表面上的第一和第三端子，而不使用基板。同時，設置在基板410的相應邊緣處的第一和第二電子裝置442、444，具有分別設置在其第二和第四表面上的第二和第四端子406、408焊接到基板410的上表面，使得其第二和第四端子電性連接至基板410。第一和第二電子裝置442、444分別可包含主動電子元件及/或例如電阻器和電容器的被動電子元件。至於第4A圖可應用於第4B圖的附加實施例，為了簡潔起見，將不再重複它們。
在本發明的實施例中，導電材料例如焊料可用於將磁性裝置電性連接至電子裝置，導電材料例如焊料可用於將電子裝置電性連接至基板。因此，磁性裝置電性連接至電子裝置，而不使用基板。磁性裝置以更短的導電路徑電性連接至電子裝置，不僅縮小堆疊的電子結構或模組所需的體積，而且還可減少導電路徑的總阻抗。此外，藉由橋接結構的使用，可以實現設計堆疊電子結構或模組的靈活性。
第5A圖為根據本發明另一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。如第5A圖所示，一堆疊電子模組500A包括在其下表面上具一有嵌入電極522的磁性裝置520，分別為第一和第二電子裝置542、544以及其中具有電路512的一基板510。磁性裝置520包含一電感器或扼流器。 基板510可為一印刷電流板、樹脂基板、金屬基板或陶瓷基板，並可為一雙層或多層基板。基板510的上表面設置在磁性裝置520的下表面下方，且第一和第二電子裝置542、544設置在它們之間。第一和第二電子裝置542、544分別在其第一和第二側邊處結構性地支撐磁性裝置520，並且分別在其第一和第三表面上具有焊接到磁性裝置520的嵌入電極522的第一和第三端子502、504，使得磁性裝置520電性連接至在第一和第二電子裝置542、544的第一和第三表面上的第一和第三端子502、504，而不使用基板。同時，設置在基板510的相應邊緣處的第一和第二電子裝置542、544，分別具有分別設置在其第二和第三表面上的第二和第四端子506、508焊接到基板510的上表面，使得其第二和第四端子506、508電性連接至基板510。第一和第二電子裝置542、544可包含主動電子元件，例如控制器IC、二極管和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
堆疊電子模組500A還包含一第一和第二電流，其中第一電流和第二電流分別經由在第一裝置542和第二電子裝置544的第一端子502和第三端子504之間的第一導電路徑和第二導電路徑，從磁性裝置520的嵌入電極522流到基板510，其中第一電流和第二電流最後分別經由第一電子裝置542和第二電子裝置544的第二端子506和第四端子508以流到基板510。
第5B圖為根據本發明又一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。第5A圖實施例和第5B圖實施例中的差異在於，在第5B圖實施例中的堆疊電子模組500B的第一和第二電子裝置546、548分別包含MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。相似地，堆疊電子模組500B包括在其下表面上具有一嵌入電極522的一磁性裝置520和其中具有電路512的一基板510。磁性裝置520可包含一電感器或扼流器。 基板510可為一印刷電流板、樹脂基板、金屬基板或陶瓷基板，基板510可為一雙層或多層基板。基板510的上表面設置在磁性裝置520的下表面下方，且第一和第二電子裝置546、548設置磁性裝置520與基板510之間。第一和第二電子裝置546、548分別在其第一和第二側邊處結構性地支撐磁性裝置520，且分別在其第一和第三表面上分別具有焊接到磁性裝置520的嵌入電極522的第一和第三端子502、504，使得磁性裝置520分別電性連接至其第一和第三端子，而不使用基板510。同時，設置在基板510的相應邊緣處的第一和第二電子裝置542、544，分別具有分別設置在其第二和第三表面上的第二和第四端子506、508焊接到基板510的上表面，使得第二和第四端子506、508電性連接至基板510。至於第5A圖可應用於第5B圖的附加實施例，為了簡潔起見，將不再重複它們。
分別在第4A、4B、5A和5B圖示例性實施例的堆疊電子模組400A、400B、500A和500B中，磁性裝置420、422和520及其第一和第二橋接裝置442、444，其第一和第二橋接裝置442、444與其第一和第二橋接裝置542、544分別被單獨封裝，但本發明不限於此。磁性裝置420、422和520以及第一橋接裝置442和第二橋接裝置444以及第一橋接裝置542和第二橋接裝置544分別可單獨封裝或以任何組合封裝。
第5C圖為第5B圖之堆疊電子模組500B一實施例的示意圖，其中在其一下表面上具有一嵌入電極的一扼流器521以及第一和第二MOSFET 545、547，對應於在其下表面上具有一嵌入電極522的磁性裝置520以及第5B圖堆疊電子模組500B的分別第一和第二電子裝置546、548。第一MOSFET 545具有一第一汲極端子D1、一第一源極端子S1和一第一柵極端子G1，且第二MOSFET 547具有一第二汲極端子D2、一第二源極端子S2和一第二柵極端子G2。電容513和電容515可設置在由扼流器521，MOSFET 545、547和基板510形成的一空間中。第一MOSFET 545的第一汲極端子D1電性連接至基板510，以與一直流電源供應器513連接。第一MOSFET 545的第一源極端子S1和第二MOSFET 547的第二汲極端子D2電性連接至扼流器521的一第一端子L1，第二MOSFET 547的第二源極端子S2電性連接至基板510，以與一地線連接。扼流器521的一第二端子L2電性連接至基板510，以與一負載517連接。
在本發明的實施例中，導電材料例如焊料用於將磁性裝置電性連接至電子裝置，並且將電子裝置電性連接至基板。因此，磁性裝置電性連接至電子裝置，而不使用基板。更短的導電路徑因而實現，不僅縮小堆疊的電子結構或模塊所需的表面面積，而且還減少由導電路徑引起的總阻抗。此外，藉由橋接結構堆疊電子結構或模組的設計可實現設計靈活性。
從上述內容可以理解，雖然為了說明的目的在此描述了具體實施例，但是在不偏離本街露的精神和範圍的情況下，可以進行各種修改。此外，在針對特定實施例公開替代方案的情況下，該替代方案也可以應用於其它實施例，即使沒有特別說明。
100‧‧‧電子結構
102‧‧‧引腳
104‧‧‧引腳
110‧‧‧PCB基板
112‧‧‧電子裝置
120‧‧‧磁性本體
200‧‧‧電子結構
202‧‧‧第一橋接結構
204‧‧‧第二橋接結構
210‧‧‧基板
212‧‧‧第一裝置
214‧‧‧第二裝置
216‧‧‧第三裝置
218‧‧‧電子裝置
220‧‧‧磁性本體
232‧‧‧金屬線
234‧‧‧金屬線
300A‧‧‧堆疊電子結構
300B‧‧‧堆疊電子結構
302‧‧‧第一橋接結構
304‧‧‧第二橋接結構
310‧‧‧基板
312‧‧‧電路
314‧‧‧第一電子裝置
316‧‧‧第二電子裝置
318‧‧‧第三電子裝置
320‧‧‧磁性裝置
322‧‧‧第一電極
324‧‧‧第二電極
326‧‧‧本體
330‧‧‧封裝材料
332‧‧‧金屬線
334‧‧‧金屬線
380‧‧‧第一端子
381‧‧‧第二端子
382‧‧‧第三端子
383‧‧‧第四端子
400A‧‧‧堆疊電子模組
400B‧‧‧堆疊電子模組
402‧‧‧第一端子
406‧‧‧第二端子
404‧‧‧第三端子
408‧‧‧第四端子
410‧‧‧基板
412‧‧‧電路
420‧‧‧磁性裝置
422‧‧‧嵌入電極
424‧‧‧第一嵌入電極
426‧‧‧第二嵌入電極
442‧‧‧第一支撐裝置
444‧‧‧第二支撐裝置
500A‧‧‧堆疊電子模組
500B‧‧‧堆疊電子模組
502‧‧‧第一端子
504‧‧‧第三端子
506‧‧‧第二端子
508‧‧‧第四端子
510‧‧‧基板
512‧‧‧電路
520‧‧‧磁性裝置
522‧‧‧嵌入電極
546‧‧‧第一電子裝置
548‧‧‧第二電子裝置
第1圖為根據現有技術之一電子結構之示意剖面側視圖。
第2圖為根據本發明一實施例之一堆疊電子結構的示意圖。
第3A圖為根據本發明另一實施例之一堆疊電子結構的局部示意剖面側視圖。
第3B圖為根據本發明又一實施例之一堆疊電子結構的局部示意剖面側視圖。
第4A圖為根據本發明另一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。
第4B圖為根據本發明又一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。
第5A圖為根據本發明另一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。
第5B圖為根據本發明又一實施例之一堆疊電子模組的局部示意剖面側視圖。
第5C圖為第5B圖堆疊電子模組之一實施例的示意圖。

Claims (13)

  1. 一種堆疊電子結構，包含： 一基板，其中多個電子裝置設置在所述基板上並與所述基板電性連接，其中一封裝體封裝該多個電子裝置； 一第一橋接結構，設置在所述基板上； 一第二橋接結構，設置在所述基板上；以及 一磁性裝置，具有一第一電極以及一第二電極，其中，所述第一橋接結構包含導電材料且所述第一橋接結構的至少一部分從所述磁性裝置的下表面延伸到所述基板的上表面，所述第二橋接結構包含導電材料且所述第二橋接結構的至少一部分從所述磁性裝置的下表面延伸到所述基板的上表面，其中，所述磁性裝置設置在所述封裝體以及所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方，所述磁性裝置的該第一電極與該第二電極分別設置在所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方並分別電性連接所述第一橋接結構與所述第二橋接結構，而不使用任何基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之堆疊電子結構，其中所述磁性裝置包含一電感。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之堆疊電子結構，其中所述多個電子裝置包含主動電子元件與被動電子元件。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之堆疊電子結構，其中所述基板為以下之一：印刷電路板（PCB）、樹脂基板、金屬基板以及陶瓷基板。
  5. 一種堆疊電子結構，其特徵在於，包含： 一基板，其中多個電子裝置設置在所述基板上並與所述基板電性連接，其中一封裝體封裝該多個電子裝置； 一第一橋接結構，設置在所述基板上； 一第二橋接結構，設置在所述基板上；以及 一電感器，具有一第一電極以及一第二電極，其中，所述第一橋接結構包含導電材料且所述第一橋接結構的至少一部分從所述電感器的下表面延伸到所述基板的上表面，所述第二橋接結構包含導電材料且所述第二橋接結構的至少一部分從所述電感器的下表面延伸到所述基板的上表面，其中，所述電感器設置在所述封裝體以及所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方，所述電感器的該第一電極與該第二電極分別設置在所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方並分別電性連接所述第一橋接結構與所述第二橋接結構，而不使用任何基板。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之堆疊電子結構，其中所述多個電子裝置包含主動電子元件與被動電子元件。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之堆疊電子結構，其中所述基板為以下之一：印刷電路板（PCB）、樹脂基板、金屬基板以及陶瓷基板。
  8. 一種形成堆疊電子結構的方法，包含： 提供一基板，其中多個電子裝置設置在所述基板上並與所述基板電性連接，其中一封裝體封裝該多個電子裝置，一第一橋接結構與一第二橋接結構設置在所述基板上；以及 設置一磁性裝置在所述封装體以及所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方，其中，所述第一橋接結構包含導電材料且所述第一橋接結構的至少一部分從所述磁性裝置的下表面延伸到所述基板的上表面，所述第二橋接結構包含導電材料且所述第二橋接結構的至少一部分從所述磁性裝置的下表面延伸到所述基板的上表面，其中，所述磁性裝置設置在所述封裝體以及所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方，所述磁性裝置的一第一電極與一第二電極分別設置在所述第一橋接結構与所述第二橋接結構的上方並分別電性連接所述第一橋接結構與所述第二橋接結構，而不使用任何基板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中所述多個電子裝置包含主動電子元件與被動電子元件。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中所述基板為以下之一：印刷電路板（PCB）、樹脂基板、金屬基板以及陶瓷基板。
  11. 一種形成堆疊電子結構的方法，包含： 提供一基板，其中多個電子裝置設置在所述基板上並與所述基板電性連接，其中一封裝體封裝該多個電子裝置，一第一橋接結構與一第二橋接結構設置在所述基板上；以及 設置一電感器在所述封裝體以及所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方，其中，所述第一橋接結構包含導電材料且所述第一橋接結構的至少一部分從所述電感器的下表面延伸到所述基板的上表面，所述第二橋接結構包含導電材料且所述第二橋接結構的至少一部分從所述電感器的下表面延伸到所述基板的上表面，其中，所述電感器設置在所述封裝體以及所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方，所述電感器的一第一電極與一第二電極分別設置在所述第一橋接結構與所述第二橋接結構的上方並分別電性連接所述第一橋接結構與所述第二橋接結構，而不使用任何基板。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中所述多個電子裝置包含主動電子元件與被動電子元件。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中所述基板為以下之一：印刷電路板（PCB）、樹脂基板、金屬基板以及陶瓷基板。
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