TW201943994A - 微型發光二極體顯示器及其製作方法 - Google Patents

微型發光二極體顯示器及其製作方法

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Abstract

本發明公開一種微型發光二極體顯示器及其製作方法。微型發光二極體顯示器包括：一晶圓級基板、一黏著層、一發光組件以及一導電結構。晶圓級基板包括多個控制電路，每一個控制電路具有一導電接點。黏著層設置在晶圓級基板上。發光組件包括多個設置在黏著層上的發光二極體結構。導電結構電性連接於相互對應的發光二極體結構與控制電路之間。藉此，包括有多個發光二極體結構的發光組件與具有多個控制電路的晶圓級基板能通過黏著層而彼此相連。

Description

微型發光二極體顯示器及其製作方法
本發明涉及一種顯示器及其製作方法，特別是涉及一種微型發光二極體顯示器及其製作方法。
目前，發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)因具備光質佳以及發光效率高等特性而得到廣泛的應用。一般來說，為了使採用發光二極體做為發光元件的顯示裝置具有較佳的色彩表現能力，現有技術是利用紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片的相互搭配而組成一全彩發光二極體顯示裝置，此全彩發光二極體顯示裝置可通過紅、綠、藍三種顏色的發光二極體晶片分別發出的紅、綠、藍三種的顏色光，然後再通過混光後形成一全彩色光，以進行相關資訊的顯示。然而，現有技術中的發光二極體顯示器及其製作方法仍具有改限空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種微型發光二極體顯示器及其製作方法。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種微型發光二極體顯示器，其包括：一晶圓級基板、一黏著層、一發光組件、一絕緣層以及一導電結構。所述晶圓級基板包括一晶圓本體、內建在所述晶圓本體內的多個控制電路以及內建在所述晶圓本體內的多個接地電路，每一個所述控制電路具有裸露在所述晶圓本體外的一導電接點，每一個所述接地電路具有裸露在所述晶圓本體外的一接地接點。所述黏著層設置在所 述晶圓本體上。所述發光組件包括設置在所述黏著層上而不會接觸到所述晶圓級基板的多個發光二極體結構，每一個所述發光二極體結構具有一第一電極端以及一第二電極端。所述絕緣層形成在所述晶圓級基板與所述發光組件上，每一個所述控制電路的所述導電接點、每一個所述接地電路的所述接地接點以及每一個所述發光二極體結構的所述第一電極端與所述第二電極端都被所述絕緣層所裸露。所述導電結構包括多個第一導電層以及多個第二導電層，每一個所述第一導電層電性連接於相對應的所述第一電極端與相對應的所述導電接點之間，每一個所述第二導電層電性連接於相對應的所述第二電極端與相對應的所述接地接點之間。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種微型發光二極體顯示器，其包括：一晶圓級基板、一黏著層、一發光組件以及一導電結構。所述晶圓級基板包括多個控制電路，每一個所述控制電路具有一導電接點。所述黏著層設置在所述晶圓級基板上。所述發光組件包括多個設置在所述黏著層上的發光二極體結構。所述導電結構電性連接於相互對應的所述發光二極體結構與所述控制電路之間。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種微型發光二極體顯示器的製作方法，其包括：提供一晶圓級基板，所述晶圓級基板包括多個控制電路，每一個所述控制電路具有一導電接點；通過一黏著層以將一複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起；移除所述複合材料結構的一基底層而保留所述複合材料結構的一保留層；將所述複合材料結構的所述保留層製作成設置在所述黏著層上的多個發光二極體結構；以及，形成一導電結構，以電性連接於相互對應的所述發光二極體結構與所述控制電路之間。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的微型發光二極體顯示器及其製作方法，其能通過“所述黏著層設置在所述晶 圓級基板上，且所述發光組件包括多個設置在所述黏著層上的發光二極體結構”或者“通過一黏著層以將一複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起，移除所述複合材料結構的一基底層而保留所述複合材料結構的一保留層，且將所述複合材料結構的所述保留層製作成設置在所述黏著層上的多個發光二極體結構”的技術方案，以使得“包括有多個所述發光二極體結構的所述發光組件”與“具有多個所述控制電路的所述晶圓級基板”能通過所述黏著層而彼此相連。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧微型發光二極體顯示器
1‧‧‧晶圓級基板
10‧‧‧晶圓本體
11‧‧‧控制電路
110‧‧‧導電接點
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
12‧‧‧接地電路
120‧‧‧接地接點
2‧‧‧黏著層
3‧‧‧發光組件
30‧‧‧發光二極體結構
301‧‧‧第一電極端
302‧‧‧第二電極端
N‧‧‧n型導電層
M‧‧‧發光層
P‧‧‧p型導電層
4‧‧‧絕緣層
5‧‧‧導電結構
51‧‧‧第一導電層
52‧‧‧第二導電層
C‧‧‧複合材料結構
C1‧‧‧基底層
C2‧‧‧保留層
M1‧‧‧雷射產生模組
M2‧‧‧移除模組
M3‧‧‧位置偵測模組
M31‧‧‧感測元件
M32‧‧‧發射元件
L‧‧‧雷射光源
圖1為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的流程圖。
圖2為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S100的示意圖。
圖3為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S1021的示意圖。
圖4為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S1023的示意圖。
圖5為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S102(A)的示意圖。
圖6為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S104(A)的示意圖。
圖7為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S106(A)的示意圖。
圖8為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S108(A)的示意圖。
圖9為本發明第一實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S110(A)的示意圖。
圖10為本發明第二實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的流程圖。
圖11為本發明第二實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S102(B)的示意圖。
圖12為本發明第二實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S104(B)的示意圖。
圖13為本發明第二實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S106(B)的示意圖。
圖14為本發明第二實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S108(B)的示意圖。
圖15為本發明第二實施例的微型發光二極體顯示器的製作方法的步驟S110(B)的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“微型發光二極體顯示器及其製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語 “或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1所示，本發明第一實施例提供一種微型發光二極體顯示器的製作方法，其包括：首先，配合圖1與圖2所示，提供一晶圓級基板1，晶圓級基板1包括多個控制電路11，每一個控制電路11具有一導電接點110(步驟S100)。更進一步來說，晶圓級基板1包括一晶圓本體10以及內建在晶圓本體10內的多個接地電路12，並且多個控制電路11內建在晶圓本體10內。另外，每一個控制電路11的導電接點110裸露在晶圓本體10外，並且每一個接地電路12具有裸露在晶圓本體10外的一接地接點120。舉例來說，晶圓級基板可為拋光矽晶圓(Polished Silicon Wafer)、磊晶矽晶圓(Epitaxial Silicon Wafer)、氬氣回火矽晶圓(Argon Anneal Silicon Wafer)、氦氣回火矽晶圓(Hai Silicon Wafer)以及絕緣矽晶圓(Silicon on Insulator Silicon Wafer)之中的其中一種，並且控制電路可為一種CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)控制電路，CMOS控制電路具有源極S、汲極D以及閘極G。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
接著，配合圖1、圖3及圖4所示，通過一黏著層2以將一複合材料結構C與晶圓級基板1相互連接在一起(步驟S102(A))。舉例來說，黏著層2的熱膨脹係數與晶圓級基板1的熱膨脹係數是相同或相近，並且黏著層2可為聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)黏著層、苯並環丁烯(Benzocyclobutene，BCB)黏著層以及含氫矽酸鹽(Hydrogen Silsesquioxane，HSQ)黏著層之中的其中一種。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖1、圖3及圖5所示，本發明的步驟S102 還進一步包括：首先，如圖3所示，形成黏著層2於晶圓級基板1上(步驟S1021)；然後，如圖5所示，將複合材料結構C貼附在黏著層2上，以使得複合材料結構C與晶圓級基板1相互連接在一起(步驟S1022(A))。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖1、圖4及圖5所示，本發明的步驟S102還進一步包括：首先，如圖4所示，形成黏著層2於複合材料結構C上(步驟S1023)；然後，如圖5所示，將黏著層2貼附在晶圓級基板1上，以使得複合材料結構C與晶圓級基板1相互連接在一起(步驟S1024(A))。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
然後，配合圖1、圖5及圖6所示，移除複合材料結構C的一基底層C1而保留複合材料結構C的一保留層C2(步驟S104(A))。舉例來說，複合材料結構C的基底層C1可為藍寶石(sapphire)材料層，並且複合材料結構C的保留層C2可為氮化鎵(Gallium nitride)材料層。更進一步來說，基底層C1還可以是石英基底層、玻璃基底層、矽基底層或者任何材料的基底層。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉例來說，配合圖1、圖5及圖6所示，本發明的步驟S104還進一步包括：首先，如圖5所示，將一雷射產生模組M1所產生的一雷射光源L投射在基底層C1與保留層C2之間的一接觸介面，以降低基底層C1與保留層C2之間的結合力(步驟S1041)；然後，如圖6所示，利用一移除模組M2以將基底層C1從保留層C2上移除，以使得保留層C2留在黏著層2上且裸露在外(步驟S1042)。值得注意的是，移除模組M2可以是真空吸嘴或者任何的夾持裝置。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，配合圖1、圖5及圖6所示，本發明的步驟S104 還進一步包括：首先，如圖5所示，利用一位置偵測模組M3以偵測基底層C1與保留層C2之間的一接觸介面的位置，位置偵測模組M3至少包括一用於接收一偵測波的感測元件M31(步驟S1043)；然後，如圖5所示，將一雷射產生模組M1所產生的一雷射光源L投射在基底層C1與保留層C2之間的接觸介面，以降低基底層C1與保留層C2之間的結合力(步驟S1044)；接著，如圖6所示，利用一移除模組M2以將基底層C1從保留層C2上移除，以使得保留層C2留在黏著層2上且裸露在外(步驟S1045)。值得注意的是，位置偵測模組M3還可以包括一用於發出一偵測波的發射元件M32，並且感測元件M31所接收到的偵測波可以是由發射元件M32所提供，也可以是由雷射產生模組M1所提供。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
接下來，配合圖1、圖6及圖7所示，將複合材料結構C的保留層C2製作成設置在黏著層2上的多個發光二極體結構30(步驟S106(A))。舉例來說，保留層C2能通過半導體或者非半導體加工方式以製作成多個發光二極體結構30。每一個發光二極體結構30具有一第一電極端301以及一第二電極端302，並且第一電極端301與第二電極端302是通過後續加工而另外製作在相對應的發光二極體結構30上。此外，每一個發光二極體結構30包括n型導電層N、發光層M以及p型導電層P。n型導電層N可為n型氮化鎵(n-GaN)材料層，發光層M可為多量子井(Multiple Quantum Well，MQW)結構層，並且p型導電層P可為p型氮化鎵(p-GaN)材料層。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
緊接著，配合圖1、圖7及圖8所示，形成一絕緣層4於晶圓級基板1與多個發光二極體結構30上(步驟S108(A))。舉例來說，每一個控制電路11的導電接點110、每一個接地電路12的接地接點120以及每一個發光二極體結構30的第一電極端301與第二電 極端302都被絕緣層4所裸露，可以是完全裸露或者部分裸露。值得注意的是，本發明所提供的絕緣層4可以是單一個絕緣體或者由多個絕緣體所組成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
然後，配合圖1、圖8及圖9所示，形成一導電結構5，以電性連接於相互對應的發光二極體結構30與控制電路11之間(步驟S110(A))。舉例來說，發光二極體結構30可以是紅色發光二極體、綠色發光二極體或者藍色發光二極體，然而本發明不以此舉例為限。
更進一步來說，如圖9所示，導電結構5包括多個第一導電層51以及多個第二導電層52。每一個第一導電層51電性連接於相對應的第一電極端301與相對應的導電接點110之間，並且每一個第二導電層52電性連接於相對應的第二電極端302與相對應的接地接點120之間。
更進一步來說，如圖9所示，每一個第一導電層51能沿著絕緣層4延伸且完全覆蓋相對應的第一電極端301與相對應的導電接點110，並且每一個第二導電層52能沿著絕緣層4延伸且完全覆蓋相對應的第二電極端302與相對應的接地接點120。
綜上所述，如圖9所示，本發明第一實施例提供一種微型發光二極體顯示器Z，其包括：一晶圓級基板1、一黏著層2、一發光組件3以及一導電結構5。晶圓級基板1包括多個控制電路11。每一個控制電路11具有一導電接點110。黏著層2設置在晶圓級基板1上。發光組件3包括多個設置在黏著層2上的發光二極體結構30。導電結構5電性連接於相互對應的發光二極體結構30與控制電路11之間。
舉例來說，如圖9所示，本發明第一實施例提供一種微型發光二極體顯示器Z，其包括：一晶圓級基板1、一黏著層2、一發光組件3、一絕緣層4以及一導電結構5。晶圓級基板1包括一晶圓本體10、內建在晶圓本體10內的多個控制電路11以及內建在 晶圓本體10內的多個接地電路12。每一個控制電路11具有裸露在晶圓本體10外的一導電接點110。每一個接地電路12具有裸露在晶圓本體10外的一接地接點120。黏著層2設置在晶圓本體10上。發光組件3包括設置在黏著層2上而不會接觸到晶圓級基板1的多個發光二極體結構30。每一個發光二極體結構30具有一第一電極端301以及一第二電極端302。絕緣層4形成在晶圓級基板1與發光組件3上。每一個控制電路11的導電接點110、每一個接地電路12的接地接點120以及每一個發光二極體結構30的第一電極端301與第二電極端302都被絕緣層4所裸露。導電結構5包括多個第一導電層51以及多個第二導電層52。每一個第一導電層51電性連接於相對應的第一電極端301與相對應的導電接點110之間。每一個第二導電層52電性連接於相對應的第二電極端302與相對應的接地接點120之間。因此，發光二極體結構30與晶圓級基板1能夠通過黏著層2以相互分離而不接觸。
[第二實施例]
請參閱圖10至圖15所示，本發明第二實施例提供一種微型發光二極體顯示器Z以及一種微型發光二極體顯示器的製作方法。由圖10與圖1的比較、圖11與圖5的比較、圖12與圖6的比較、圖13與圖7的比較、圖14與圖8的比較、圖15與圖9的比較可知，第二實施例所提供的微型發光二極體顯示器的製作方法，其包括：首先，配合圖10與圖11所示，通過一黏著層2以將多個複合材料結構C與晶圓級基板1相互連接在一起(步驟S102(B))；接著，配合圖10與圖12所示，移除每一個複合材料結構C的一基底層C1而保留每一個複合材料結構C的一保留層C2(步驟S104(B))；然後，配合圖10與圖13所示，將每一個複合材料結構C的保留層C2製作成設置在黏著層2上的多個發光二極體結構30(步驟S106(B))；接下來，配合圖10與圖14所示， 形成一絕緣層4於晶圓級基板1與多個發光二極體結構30上(步驟S108(B))；最後，配合圖10與圖15所示，形成一導電結構5，以電性連接於相互對應的發光二極體結構30與控制電路11之間(步驟S110(B))。
更進一步來說，如圖15所示，每一個發光組件3包括設置在黏著層2上而不會接觸到晶圓級基板1的多個發光二極體結構30，絕緣層4形成在晶圓級基板1與多個發光組件3上，並且多個發光組件3彼此相鄰設置而使得多個發光組件3的多個發光二極體結構30排列成一畫素陣列。舉例來說，黏著層2也可以替換成多個黏著體，其能分別對應多個發光二極體結構30。也就是說，每一個發光二極體結構30會配合相對應的黏著體而被設置在晶圓級基板1上。值得注意的是，第二實施例的每一個發光組件3實際上是包括有多個發光二極體結構30，但是圖11至圖15的每一個發光組件3只顯示其中一個發光二極體結構30以做為例子說明。
藉此，在第二實施例中，由於每一個發光組件3實際上是包括有多個發光二極體結構30，所以“包括有多個發光二極體結構30的每一個發光組件3”能通過黏著層2而貼附在“具有多個控制電路11的晶圓級基板1”上。也就是說，第二實施例可以通過黏著層2的使用，以將多個發光組件3貼附在晶圓級基板1上，而使得微型發光二極體顯示器Z能通過多個發光組件3的拼接而提供更大的顯示面積。
更進一步來說，本發明的步驟S102(B)還進一步包括：形成黏著層2於晶圓級基板1上(步驟S1021)；然後，將複合材料結構C貼附在黏著層2上，以使得複合材料結構C與晶圓級基板1相互連接在一起(步驟S1022(B))。或者，本發明的步驟S102(B)還進一步包括：形成黏著層2於複合材料結構C上(步驟S1023)；然後，將黏著層2貼附在晶圓級基板1上，以使得複合材料結構C 與晶圓級基板1相互連接在一起(步驟S1024(B))。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的微型發光二極體顯示器Z及其製作方法，其能通過“黏著層2設置在晶圓級基板1上，且發光組件3包括多個設置在黏著層2上的發光二極體結構30”或者“通過一黏著層2以將一複合材料結構C與晶圓級基板1相互連接在一起，移除複合材料結構C的一基底層C1而保留複合材料結構C的一保留層C2，且將複合材料結構C的保留層C2製作成設置在黏著層2上的多個發光二極體結構30”的技術方案，以使得“包括有多個發光二極體結構30的發光組件3”與“具有多個控制電路11的晶圓級基板1”能通過黏著層2而彼此相連。
值得注意的是，由於保留層C2能通過半導體加工方式以製作成多個發光二極體結構30，所以發光二極體結構30的尺寸可以被縮小，並且兩相鄰的發光二極體結構30之間的距離可以被縮短，藉此以有效提升微型發光二極體顯示器Z的影像解析度。
更進一步來說，由於每一個發光組件3實際上是包括有多個發光二極體結構30，所以“包括有多個發光二極體結構30的每一個發光組件3”能通過黏著層2而貼附在“具有多個控制電路11的晶圓級基板1”上。也就是說，本發明可以通過黏著層2的使用，以將多個發光組件3貼附在晶圓級基板1上，而使得微型發光二極體顯示器Z能通過多個發光組件3的拼接而提供更大的顯示面積。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種微型發光二極體顯示器，其包括：一晶圓級基板，所述晶圓級基板包括一晶圓本體、內建在所述晶圓本體內的多個控制電路以及內建在所述晶圓本體內的多個接地電路，每一個所述控制電路具有裸露在所述晶圓本體外的一導電接點，每一個所述接地電路具有裸露在所述晶圓本體外的一接地接點；一黏著層，所述黏著層設置在所述晶圓本體上；一發光組件，所述發光組件包括設置在所述黏著層上而不會接觸到所述晶圓級基板的多個發光二極體結構，每一個所述發光二極體結構具有一第一電極端以及一第二電極端；一絕緣層，所述絕緣層形成在所述晶圓級基板與所述發光組件上，每一個所述控制電路的所述導電接點、每一個所述接地電路的所述接地接點以及每一個所述發光二極體結構的所述第一電極端與所述第二電極端都被所述絕緣層所裸露；以及一導電結構，所述導電結構包括多個第一導電層以及多個第二導電層，每一個所述第一導電層電性連接於相對應的所述第一電極端與相對應的所述導電接點之間，每一個所述第二導電層電性連接於相對應的所述第二電極端與相對應的所述接地接點之間。
  2. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示器，其中，所述晶圓級基板為拋光矽晶圓、磊晶矽晶圓、氬氣回火矽晶圓、氦氣回火矽晶圓以及絕緣矽晶圓之中的其中一種，所述控制電路為CMOS控制電路；其中，所述黏著層的熱膨脹係數與所述晶圓級基板的熱膨脹係數相同或者相近，所述黏著層為聚醚醚酮黏著層、苯並環丁烯黏著層以及含氫矽酸鹽黏著層之中的其中一 種；其中，每一個所述發光二極體結構包括n型導電層、發光層以及p型導電層，所述n型導電層為n型氮化鎵材料層，所述發光層為多量子井結構層，所述p型導電層為p型氮化鎵材料層；其中，每一個所述第一導電層沿著所述絕緣層延伸且完全覆蓋相對應的所述第一電極端與相對應的所述導電接點，每一個所述第二導電層沿著所述絕緣層延伸且完全覆蓋相對應的所述第二電極端與相對應的所述接地接點。
  3. 一種微型發光二極體顯示器，其包括：一晶圓級基板，所述晶圓級基板包括多個控制電路，每一個所述控制電路具有一導電接點；一黏著層，所述黏著層設置在所述晶圓級基板上；一發光組件，所述發光組件包括多個設置在所述黏著層上的發光二極體結構；以及一導電結構，所述導電結構電性連接於相互對應的所述發光二極體結構與所述控制電路之間。
  4. 一種微型發光二極體顯示器的製作方法，其包括：提供一晶圓級基板，所述晶圓級基板包括多個控制電路，每一個所述控制電路具有一導電接點；通過一黏著層以將一複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起；移除所述複合材料結構的一基底層而保留所述複合材料結構的一保留層；將所述複合材料結構的所述保留層製作成設置在所述黏著層上的多個發光二極體結構；以及形成一導電結構，以電性連接於相互對應的所述發光二極體結構與所述控制電路之間。
  5. 如請求項4所述的微型發光二極體顯示器的製作方法，其中，所述晶圓級基板包括一晶圓本體以及內建在所述晶圓本體內 的多個接地電路，多個所述控制電路內建在所述晶圓本體內，每一個所述控制電路的所述導電接點裸露在所述晶圓本體外，每一個所述接地電路具有裸露在所述晶圓本體外的一接地接點；其中，所述發光二極體結構與所述晶圓級基板通過所述黏著層以相互分離而不接觸，每一個所述發光二極體結構具有一第一電極端以及一第二電極端。
  6. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示器的製作方法，其中，在形成所述導電結構的步驟之前，還進一步包括：形成一絕緣層於所述晶圓級基板與所述發光組件上，每一個所述控制電路的所述導電接點、每一個所述接地電路的所述接地接點以及每一個所述發光二極體結構的所述第一電極端與所述第二電極端都被所述絕緣層所裸露；其中，所述導電結構包括多個第一導電層以及多個第二導電層，每一個所述第一導電層電性連接於相對應的所述第一電極端與相對應的所述導電接點之間，每一個所述第二導電層電性連接於相對應的所述第二電極端與相對應的所述接地接點之間；其中，每一個所述第一導電層沿著所述絕緣層延伸且完全覆蓋相對應的所述第一電極端與相對應的所述導電接點，每一個所述第二導電層沿著所述絕緣層延伸且完全覆蓋相對應的所述第二電極端與相對應的所述接地接點。
  7. 如請求項4所述的微型發光二極體顯示器的製作方法，其中，所述複合材料結構的所述基底層為藍寶石材料層，所述複合材料結構的所述保留層為氮化鎵材料層；其中，在移除所述基底層而保留所述保留層的步驟中，還進一步包括：將一雷射產生模組所產生的一雷射光源投射在所述基底層與所述保留層之間的一接觸介面，以降低所述基底層與所述保留層之間的結合力；以及 利用一移除模組以將所述基底層從所述保留層上移除，以使得所述保留層留在所述黏著層上且裸露在外。
  8. 如請求項4所述的微型發光二極體顯示器的製作方法，其中，所述複合材料結構的所述基底層為藍寶石材料層，所述複合材料結構的所述保留層為氮化鎵材料層；其中，在移除所述基底層而保留所述保留層的步驟中，還進一步包括：利用一位置偵測模組以偵測所述基底層與所述保留層之間的一接觸介面的位置，所述位置偵測模組至少包括一用於接收一偵測波的感測元件；將一雷射產生模組所產生的一雷射光源投射在所述基底層與所述保留層之間的所述接觸介面，以降低所述基底層與所述保留層之間的結合力；以及利用一移除模組以將所述基底層從所述保留層上移除，以使得所述保留層留在所述黏著層上且裸露在外。
  9. 如請求項4所述的微型發光二極體顯示器的製作方法，其中，通過所述黏著層以將所述複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起的步驟中，還進一步包括：形成所述黏著層於所述晶圓級基板上；以及將所述複合材料結構貼附在所述黏著層上，以使得所述複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起。
  10. 如請求項4所述的微型發光二極體顯示器的製作方法，其中，通過所述黏著層以將所述複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起的步驟中，還進一步包括：形成所述黏著層於所述複合材料結構上；以及將所述黏著層貼附在所述晶圓級基板上，以使得所述複合材料結構與所述晶圓級基板相互連接在一起。
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