TW201940848A - 光測定裝置及光測定方法 - Google Patents

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Abstract

於分光測定裝置1中，控制部22係以於第1期間T1 維持向內部空間11輸入激發光且於第2期間T2 停止向內部空間11輸入激發光之方式控制光源2，解析部21係基於長餘輝發光材料S之吸收光子數及長餘輝發光材料S之發光光子數算出長餘輝發光材料S之發光量子產率，上述長餘輝發光材料S之吸收光子數係基於第1期間T1 之激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料S之發光光子數係基於第1期間T1 、第2期間T2 、及第1期間與第2期間之合計期間T1+2 之任一期間之發光光譜資料而求出。

Description

光測定裝置及光測定方法
本發明係關於一種分光測定裝置及分光測定方法。
作為分光測定裝置之被測定物，蓄光材料或磷光材料等長餘輝發光材料正受到關注。長餘輝發光材料係蓄積例如太陽光或螢光燈等之激發光且於停止照射激發光後仍持續一定時間之發光的材料。近年來，於非專利文獻1中報告有不含稀土元素之世界上首個有機蓄光材料。該有機蓄光材料藉由2種有機材料之混合，於室溫條件下實現1小時以上之發光壽命。根據此種情況，認為長餘輝發光材料於安全指示、引導標識、鐘錶錶盤、救生工具、室內裝飾、細胞成像等各種領域中之應用研究今後會日益活躍。
[先前技術文獻]
[非專利文獻]
[非專利文獻1] Nature, 2017, doi:10. 1038/nature24010, R. Kabe and C. Adachi
[發明所欲解決之問題]
作為發光材料之評價項目之一，可列舉發光量子產率。發光量子產率係表示發光材料之發光效率的值。發光量子產率係藉由將發光材料所發射之光子數除以發光材料所吸收之光子數而算出。然而，存在上述長餘輝發光材料之發光之強度於激發光之照射中及照射停止後之任一期間均隨時間發生變動之問題。因此，根據既有方法難以精度良好地測定發光量子產率。
本發明係為了解決上述問題而成者，目的在於提供一種能夠精度良好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率的分光測定裝置及分光測定方法。
[解決問題之技術手段]
本發明之一形態之分光測定裝置係對長餘輝發光材料照射激發光以測定發光量子產率者，且具備：光源，其輸出激發光；積分器，其具有供配置長餘輝發光材料之內部空間，將來自內部空間之光作為檢測光輸出；分光檢測器，其對檢測光進行分光而取得激發光之激發光光譜資料及長餘輝發光材料之發光光譜資料；發光解析部，其基於光譜資料對長餘輝發光材料之發光量子產率進行解析；及控制部，其進行激發光向內部空間之輸入之有無之切換；且控制部以於利用分光檢測器開始取得光譜資料之第1期間維持向內部空間輸入激發光且於繼第1期間之後之第2期間停止向內部空間輸入激發光之方式控制光源，解析部基於長餘輝發光材料之吸收光子數及長餘輝發光材料之發光光子數算出長餘輝發光材料之發光量子產率，上述長餘輝發光材料之吸收光子數係基於第1期間之激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料之發光光子數係基於第1期間、第2期間、及第1期間與第2期間之合計期間之任一期間之發光光譜資料而求出。
根據該分光測定裝置，跨及向積分器之內部空間輸入激發光之第1期間及不向積分器之內部空間輸入激發光之第2期間來取得激發光光譜資料及發光光譜資料。而且，基於長餘輝發光材料之吸收光子數及長餘輝發光材料之發光光子數算出長餘輝發光材料之發光量子產率，上述長餘輝發光材料之吸收光子數係基於第1期間之激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料之發光光子數係基於第1期間、第2期間、及第1期間與第2期間之合計期間之任一期間之發光光譜資料而求出。根據該分光測定裝置，涉及波長軸及時間軸這兩者以求出激發光光譜資料及發光光譜資料之光子數之積分值。藉此，即便於長餘輝發光材料之發光之強度隨時間發生變動之情形時，亦能夠準確地求出長餘輝發光材料之吸收光子數及發光光子數，而能夠精度良好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。
又，控制部亦可以第2期間內之檢測光之曝光時間長於第1期間內之檢測光之曝光時間之方式控制分光檢測器。於該情形時，能夠防止第1期間之分光檢測器中之激發光之檢測信號之飽和。又，能夠以充分之S/N比檢測第2期間之分光檢測器中之發光。因此，能夠精度更好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。又，即便於長餘輝發光材料之發光壽命較長之情形時，亦能夠抑制取得光譜資料所需的資料量增大。
又，解析部亦可藉由基於第1期間內之檢測光之曝光時間使第1期間內長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化並且基於第2期間內之檢測光之曝光時間使第2期間內長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化，來對長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線進行解析。藉此，即便於在測定期間動態地變更曝光時間之情形時，亦能夠精度良好地解析長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線。
又，亦可使用積分半球作為積分器。即便於使用積分半球作為積分器之情形時，亦能夠精度良好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。
本發明之一形態之分光測定方法係對長餘輝發光材料照射激發光以測定發光量子產率者，且具備：光譜資料取得步驟，其係將自具有供配置長餘輝發光材料之內部空間之積分器輸出之檢測光利用分光檢測器進行分光以取得激發光之激發光光譜資料及長餘輝發光材料之發光光譜資料；及發光量子產率解析步驟，其係基於激發光光譜資料及發光光譜資料對長餘輝發光材料之發光量子產率進行解析；於光譜資料取得步驟中，於利用分光檢測器開始取得光譜資料之第1期間，維持向內部空間輸入激發光，且於繼第1期間之第2期間，停止向內部空間輸入激發光，於發光量子產率解析步驟中，基於長餘輝發光材料之吸收光子數及長餘輝發光材料之發光光子數算出長餘輝發光材料之發光量子產率，上述長餘輝發光材料之吸收光子數係基於第1期間之激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料之發光光子數係基於第1期間、第2期間、及第1期間與第2期間之合計期間之任一期間之發光光譜資料而求出。
根據該分光測定方法，跨及向積分器之內部空間輸入激發光之第1期間及不向積分器之內部空間輸入激發光之第2期間來取得激發光光譜資料及發光光譜資料。而且，基於長餘輝發光材料之吸收光子數及長餘輝發光材料之發光光子數算出長餘輝發光材料之發光量子產率，上述長餘輝發光材料之吸收光子數係基於第1期間之激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料之發光光子數係基於第1期間、第2期間、及第1期間與第2期間之合計期間之任一期間之發光光譜資料而求出。根據該分光測定方法，涉及波長軸及時間軸這兩者以求出激發光光譜資料及發光光譜資料之光子數之積分值。藉此，即便於長餘輝發光材料之發光之強度隨時間發生變動之情形時，亦能夠準確地求出長餘輝發光材料之吸收光子數及發光光子數，而能夠精度良好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。
又，於光譜資料取得步驟中，亦可使分光檢測器中第2期間內之檢測光之曝光時間長於第1期間內之檢測光之曝光時間。於該情形時，能夠防止第1期間之分光檢測器中之激發光之檢測信號之飽和。又，能夠以充分之S/N比檢測第2期間之分光檢測器中之發光。因此，能夠精度更好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。又，即便於長餘輝發光材料之發光壽命較長之情形時，亦能夠抑制取得光譜資料所需的資料量增大。
又，於發光量子產率解析步驟中，亦可藉由基於第1期間內之檢測光之曝光時間使第1期間內長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化並且基於第2期間內之檢測光之曝光時間使第2期間內長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化，來對長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線進行解析。
又，亦可使用積分半球作為積分器。即便於使用積分半球作為積分器之情形時，亦能夠精度良好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。
[發明之效果]
根據本發明，能夠精度良好地測定長餘輝發光材料之發光量子產率。
以下，一面參照圖式一面對本發明之一形態之分光測定裝置及分光測定方法之較佳之實施形態進行詳細說明。
圖1係表示分光測定裝置之一實施形態的概略圖。如該圖所示，分光測定裝置1具備光源2、積分器3、分光檢測器4及電腦5。該分光測定裝置1構成為測定發光材料之發光量子產率之裝置。作為被測定物之發光材料係蓄光材料或磷光材料等長餘輝發光材料。長餘輝發光材料係蓄積例如太陽光或螢光燈等之激發光且於停止照射激發光後仍持續一定時間之發光的材料。作為長餘輝發光材料，可列舉包含稀有金屬之無機材料或有機材料等。長餘輝發光材料之形態可採用溶液、薄膜、粉末等各種形態。
光源2係輸出激發光之裝置。自光源2輸出之激發光係激發長餘輝發光材料而使其表現出發光之波長之光。光源2例如為於氙氣燈安裝有單色器之單色光源。光源2亦可由輸出與長餘輝發光材料之吸收波長對應之波長之雷射光的雷射二極體所構成。光源2亦可為波長可變光源。光源2亦可包含ND(Neutral Density，中性密度)濾波器、中繼光學系統、快門等。光源2亦可為能夠輸出用以進行裝置整體之靈敏度校正之標準光的構成。
積分器3具備：本體部12，其設置有供配置長餘輝發光材料S之內部空間11；輸入部13，其將自光源2輸出之激發光輸入至內部空間11；及輸出部14，其將來自內部空間11之光輸出至外部。於本實施形態中，積分器3為積分球，本體部12及內部空間11構成球狀。本體部12之內壁之球面部分成為反射率較高且擴散性優異之壁面，平面部分成為反射率較高之平坦鏡面。
於本體部12設置有試樣安裝部15。於試樣安裝部15安裝保持長餘輝發光材料S之保持容器。例如於長餘輝發光材料S為液體之情形時，將由透光之透明材料(例如石英玻璃或塑膠等)所構成之溶液樣品用槽等作為試樣容器安裝試樣安裝部15。又，於長餘輝發光材料S為粉末或薄膜等固體之情形時，將由透光之透明材料(例如石英玻璃或塑膠等)或金屬所構成之固體樣品用槽等作為試樣容器安裝試樣安裝部15。
再者，長餘輝發光材料S亦可未必完全配置於積分器3之內部空間11內，亦可將長餘輝發光材料S之一部分配置於積分器3之內部空間11。例如亦可使用安裝於試樣安裝部15之光學附件，將配置於積分器3之內壁之外之試樣以光學的方式配置於積分器3之內部空間11。
輸入部13對內部空間11輸入激發光。輸入部13利用輸入用導光件16與光源2以光學的方式連接。作為輸入用導光件16，例如可使用光纖等。又，輸出部14將來自內部空間11之光輸出。輸出部14利用輸出用導光件17與分光檢測器4以光學的方式連接。作為輸出用導光件17，例如可使用光纖等。
於積分器3中，來自光源2之激發光被自輸入部13輸入至內部空間11，激發光於內部空間11內進行多重擴散反射。又，於積分器3中，藉由對長餘輝發光材料S照射激發光而產生之發光於內部空間11內進行多重擴散反射。於內部空間11內進行多重擴散反射之激發光及發光被作為檢測光自輸出部14輸入至分光檢測器4。
分光檢測器4將自積分器3輸出之檢測光進行分光以取得光譜資料。分光檢測器4利用例如光柵或稜鏡等分光元件將檢測光分光為各波長成分，利用光感測器群檢測經分光所得之各波長之光之強度。光感測器群例如藉由複數個受光部一維排列而構成。光感測器群利用與各波長對應之受光部檢測該波長成分之光之強度，分別取得激發光及發光之光譜資料。分光檢測器4將所取得之光譜資料輸出至電腦5。
作為分光檢測器4之光感測器，使用形成於矽基板上之CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)線性影像感測器或CMOS(complementary metal oxide-semiconductor，互補金氧半導體)線性影像感測器。該等感測器對例如波長360 nm～1100 nm之光具有靈敏度。又，作為分光檢測器4之光感測器，可列舉銦鎵砷(InGaAs)線性影像感測器。該感測器對例如波長900 nm～1650 nm之光具有靈敏度。分光檢測器4能夠可變地設定檢測光之曝光時間，基於特定條件(將於下文進行敍述)變更測定中之曝光時間。
電腦5例如具備RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)等記憶體、及CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等處理器(運算電路)、通信介面、硬碟等儲存部而構成。作為該電腦5，例如可列舉個人電腦、微電腦、雲伺服器、智慧型裝置(智慧型手機、平板終端等)等。又，電腦5具備監視器等顯示部18及鍵盤、滑鼠等輸入部19。
電腦5藉由利用電腦系統之CPU執行記憶體中所儲存之程式，而作為解析部21及控制部22發揮功能。解析部21基於由分光檢測器4取得之激發光及發光之光譜資料，來執行長餘輝發光材料S之發光量子產率之解析。控制部22執行光源2及分光檢測器4之控制。控制部22控制光源2之動作，切換激發光向內部空間11之輸入之有無。又，控制部22控制分光檢測器4，控制分光檢測器4中檢測光之曝光時間。控制之詳情將於下文進行說明。
其次，對使用上述分光測定裝置1之長餘輝發光材料S之發光量子產率之測定方法進行說明。
根據該測定方法，分別實施上述參考測定及樣品測定。樣品測定係具備光譜資料取得步驟(步驟S01)及發光量子產率解析步驟(步驟S02)而構成。光譜資料取得步驟係將自具有供配置長餘輝發光材料S之內部空間11之積分器3輸出之檢測光利用分光檢測器4進行分光以取得光譜資料的步驟。發光量子產率解析步驟係基於光譜資料對長餘輝發光材料S之發光量子產率進行解析之步驟。
發光量子產率係發光材料之評價項目之一，係表示發光材料之發光效率的值。一般而言，激發光被發光材料吸收後，會形成螢光或磷光等發光及無輻射躍遷引起之放熱。發光量子產率ΦPL 表示該發光之程度，藉由將發光材料所發射之光子數NL 除以發光材料所吸收之光子數NA 而算出。
圖2係表示發光量子產率之計算原理的圖。於該圖中，橫軸為波長、縱軸為強度，分別對參考測定時之光譜S1及樣品測定時之光譜S2進行繪圖。參考測定係於在積分器3之內部空間11未配置長餘輝發光材料S的狀態下進行檢測光之光譜資料之取得之製程。於參考測定中，於測定中將激發光連續地輸入至積分器3。參考測定中所取得之光譜S1與自光源2輸出之激發光之光譜資料對應。
樣品測定係於在積分器3之內部空間11配置長餘輝發光材料S的狀態下進行檢測光之光譜資料之取得之製程。於樣品測定中，自測定開始經過一定時間將激發光輸入至積分器3，經過一定時間後停止輸出激發光。之後，於長餘輝發光材料S之發光超過閾值發生衰減之時點結束測定。
參考測定中所取得之S1之中，出現於短波長側(此處約為300 nm～400 nm)之光譜S1a 相當於激發光之成分。參考測定中所取得之S1之中，出現於不同於光譜S1a 之波長域(此處約為480 nm～650 nm)之光譜S1b 相當於檢測光中之激發光(或背景光)之成分。樣品測定中所取得之光譜S2之中，出現於與光譜S1a 對應之波長域之光譜S2a 與檢測光中之激發光之成分之光譜資料對應。樣品測定中所取得之光譜S2之中，出現於與光譜S1b 對應之波長域之光譜S2b 與檢測光中之發光之成分之光譜資料對應。因此，發光材料所吸收之光子數NA 基於自光譜S1a 減去光譜S2a 所得之區域R1而算出，發光材料所發射之光子數NL 基於自光譜S2b 減去光譜S1b 所得之區域R2而算出。
於將長餘輝發光材料S作為測定對象之情形時，存在長餘輝發光材料S之發光之強度相對於激發光之強度而言明顯(一位數左右)較弱且停止照射激發光後發光之強度隨時間發生變動之問題。例如圖3係對參考測定中所取得之光譜S1及以一定時間間隔實施複數次樣品測定所取得之複數個光譜S2進行繪圖所得者。於通常之發光材料之情形時，即便於實施複數次樣品測定之情形時，相當於光譜S2b 之部分亦幾乎不會變動，但根據針對長餘輝發光材料S之圖3之結果，光譜S2b 所表示之光子數於每次進行樣品測定時均上升。因此，可知該情形時之長餘輝發光材料S之發光量子產率隨時間緩慢上升。
圖4係以時間軸表示激發光照射中之長餘輝發光材料之發光強度之時間變動之圖。於該圖之例中，對自激發光之照射開始至經過一定時間為止之長餘輝發光材料S之光子數進行繪圖。根據該圖4之結果可知，長餘輝發光材料S之光子數於激發光之照射開始後之數秒內急遽上升，之後緩慢上升，之後於激發光之照射開始後40秒～60秒之範圍內大致固定地推移。
又，圖5係以時間軸表示激發光照射中及激發光照射後之長餘輝發光材料中之光子數之時間變動之圖。於該圖之例中，於自激發光之照射開始一定時間後停止激發光，對自激發光之停止至經過一定時間為止之長餘輝發光材料S之光子數進行繪圖。曲線X表示激發光之光子數，曲線Y表示發光之光子數。根據該圖5之結果，長餘輝發光材料S之發光之光子數自激發光之照射停止後便開始衰減，隨著時間流逝，衰減之程度變得緩慢，但於數百秒鐘之範圍內維持衰減。
鑒於上述結果，可知於長餘輝發光材料S中，激發光之照射開始後之吸收光子數及發光光子數隨時間發生變動，伴隨於此，發光量子產率隨時間發生變動。因此，當測定長餘輝發光材料S之發光量子產率時，不僅要考慮波長軸，亦必須考慮時間軸。
於使用本實施形態之分光測定裝置1之測定方法中，首先，於光譜資料取得步驟中，利用控制部22執行光源2之打開關閉之切換控制、及分光檢測器4中之檢測光之曝光時間之控制。圖6係表示長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線及檢測光之曝光時間之控制之一例的圖。於光譜資料取得步驟中，如圖6所示，與開始利用光源2輸出激發光一起，開始第1期間T1 ，並開始利用分光檢測器4取得檢測光之光譜資料。於第1期間T1 ，維持向內部空間11輸入激發光，對長餘輝發光材料S持續照射激發光。藉此，長餘輝發光材料S被激發而開始發光。於第1期間T1 ，長餘輝發光材料S之發光上升後收斂為固定之峰強度。又，分光檢測器4中之檢測光之曝光時間係以於分光檢測器4中不會產生信號之飽和之方式設定為整個測定期間最短的曝光時間t1 。於圖6之例中，曝光時間t1 例如為20 msec。
於繼第1期間T1 之後之第2期間T2 ，停止利用光源2輸出激發光。於第2期間T2 ，停止向長餘輝發光材料S入射激發光，但蓄積有激發光之長餘輝發光材料S之發光雖會緩慢地衰減卻會持續一定時間。第2期間T2 之開始之時點例如基於發光之強度峰值而決定。於該情形時，利用分光檢測器4監測第1期間T1 內之發光之強度，於發光之強度峰值之每單位時間之變動為閾值(例如1%)以下之情形時，停止來自光源2之激發光之輸出。
又，於第2期間T2 ，分光檢測器4中之檢測光之曝光時間係設定為長於第1期間T1 之曝光時間t1 的曝光時間t2 。曝光時間t2 亦可將曝光時間t1 乘以任意常數而決定。又，曝光時間t2 亦可使用激發光之強度峰值相對於發光之強度峰值之比率來決定。於該情形時，利用分光檢測器4分別監測第1期間T1 內之激發光之強度峰值及發光之強度峰值(峰取得步驟)，藉由將激發光之強度峰值除以發光之強度峰值來算出比率。而且，將所算出之比率與曝光時間t1 相乘來決定曝光時間t2 。例如於曝光時間t1 為20 msec且比率為10之情形時，曝光時間t2 係設定為200 msec。計算比率時，作為發光之強度峰值，較佳為使用強度穩定後之值。
第2期間T2 之檢測光之曝光時間t2 可維持直至測定結束，但亦可以自第2期間T2 之開始經過一定時間後檢測光之曝光時間變得更長之方式控制分光檢測器4。於該情形時，例如預先設定發光之強度之閾值，於第2期間T2 之發光之強度發生衰減成為閾值以下時，將檢測光之曝光時間設定為長於曝光時間t2 之曝光時間t3 。曝光時間t3 之值並無特別限制，例如亦可將曝光時間t2 與任意係數相乘來決定曝光時間t3 。例如於曝光時間t2 為200 msec且係數為10之情形時，曝光時間t2 係設定為2000 msec。
於發光量子產率解析步驟中，當對長餘輝發光材料S之發光強度之時間曲線進行解析時，基於第1期間T1 之檢測光之曝光時間t1 ，使第1期間T1 之長餘輝發光材料S進行之發光之強度標準化。又，基於第2期間T2 之檢測光之曝光時間t2 ，使第2期間T2 之長餘輝發光材料S進行之發光之強度標準化。於在第2期間T2 經過一定時間後將曝光週期由曝光時間t2 設定為曝光時間t3 之情形時，設定時刻以後之週期係基於曝光時間t3 進行標準化。
於發光量子產率解析步驟中，當基於長餘輝發光材料S之發光強度之時間曲線計算長餘輝發光材料S之發光量子產率時，基於第1期間T1 之激發光光譜資料求出長餘輝發光材料S之吸收光子數。針對吸收光子數之計算，具體而言，首先，對波長軸所表示之參考測定時之光譜S1及樣品測定時之光譜S2設定抽出窗(圖3中之A-B)，如圖7所示，分別就時間軸取得參考測定時之激發光光譜資料L1及樣品測定時之激發光光譜資料L2。其次，自第1期間T1 之激發光光譜資料L1之光子數之積分值減去第1期間T1 之激發光光譜資料L2之光子數之積分值，求出長餘輝發光材料S之吸收光子數。
於發光量子產率解析步驟中，當基於長餘輝發光材料S之發光強度之時間曲線計算長餘輝發光材料S之發光量子產率時，基於1)第1期間T1 、2)第2期間T2 、及3)第1期間T1 與第2期間T2 之合計期間T1+2 之任一期間之發光光譜資料求出長餘輝發光材料S之發光光子數。針對發光光子數之計算，具體而言，首先，對波長軸所表示之樣品測定時之光譜S2設定抽出窗(圖3中之C-D)。而且，發光光子數係如圖8所示藉由自抽出窗C-D中之發光光子(樣品測定結果)減去激發光光子數(參考測定結果)而取得之發光光譜資料L3而求出。最後，藉由將發光光子數除以吸收光子數，算出長餘輝發光材料S之發光量子產率。
如以上所說明般，根據分光測定裝置1，跨及向積分器3之內部空間11輸入激發光之第1期間T1 及不向積分器3之內部空間11輸入激發光之第2期間T2 來取得激發光光譜資料及發光光譜資料。而且，基於長餘輝發光材料S之吸收光子數及長餘輝發光材料S之發光光子數算出長餘輝發光材料S之發光量子產率，上述長餘輝發光材料S之吸收光子數係基於第1期間T1 之激發光光譜資料L1、L2而求出，上述長餘輝發光材料S之發光光子數係基於第1期間T1 、第2期間T2 、及第1期間T1 與第2期間T2 之合計期間T1+2 之任一期間之發光光譜資料L3而求出。即，根據分光測定裝置1，涉及波長軸及時間軸這兩者來求出激發光光譜資料及發光光譜資料之光子數之積分值。藉此，即便於長餘輝發光材料S之發光之強度隨時間發生變動之情形時，亦能夠準確地求出長餘輝發光材料S之吸收光子數及發光光子數，而能夠精度良好地測定長餘輝發光材料S之發光量子產率。
又，根據分光測定裝置1，控制部22以第2期間T2 之檢測光之曝光時間t2 長於第1期間T1 之檢測光之曝光時間t1 之方式控制分光檢測器4。藉此，能夠防止第1期間T1 之分光檢測器4中之激發光之檢測信號之飽和。又，能夠以充分之S/N比檢測第2期間T2 之分光檢測器4中之發光。因此，能夠精度更好地測定長餘輝發光材料S之發光量子產率。又，即便於長餘輝發光材料S之發光壽命較長之情形時，亦能夠抑制取得光譜資料所需的資料量增大。
又，根據分光測定裝置1，解析部21藉由基於第1期間T1 之檢測光之曝光時間t1 使第1期間T1 之長餘輝發光材料S進行之發光之強度標準化並且基於第2期間T2 之檢測光之曝光時間t2 使第2期間T2 之長餘輝發光材料S進行之發光之強度標準化，來對長餘輝發光材料S之發光強度之時間曲線進行解析。藉此，即便於在測定期間動態地變更曝光時間之情形時，亦能夠精度良好地解析長餘輝發光材料S之發光強度之時間曲線。
再者，於上述實施形態中，如圖1所示，使用由積分球所構成之積分器3，但亦可如圖9所示，使用由積分半球所構成之積分器30。該積分器30之本體部32及內部空間31構成半球狀。本體部12之內壁之球面部分成為反射率較高且擴散性優異之壁面，平面部分成為反射率較高之平坦鏡面。輸入部33及輸出部34亦可設置於球面部分及平面部分中之任一位置。即便於如此使用積分半球作為積分器30之情形時，亦能夠精度良好地測定長餘輝發光材料S之發光量子產率。
1‧‧‧分光測定裝置
2‧‧‧光源
3‧‧‧積分器
4‧‧‧分光檢測器
5‧‧‧電腦
11‧‧‧內部空間
12‧‧‧本體部
13‧‧‧輸入部
14‧‧‧輸出部
15‧‧‧試樣安裝部
16‧‧‧導光件
17‧‧‧導光件
18‧‧‧顯示部
19‧‧‧輸入部
21‧‧‧解析部
22‧‧‧控制部
30‧‧‧積分器
31‧‧‧內部空間
32‧‧‧本體部
33‧‧‧輸入部
34‧‧‧輸出部
L1‧‧‧激發光光譜資料
L2‧‧‧激發光光譜資料
L3‧‧‧發光光譜資料
R1‧‧‧區域
R2‧‧‧區域
S‧‧‧長餘輝發光材料
S1‧‧‧光譜
S1a‧‧‧光譜
S1b‧‧‧光譜
S2‧‧‧光譜
S2a‧‧‧光譜
S2b‧‧‧光譜
T1‧‧‧第1期間
T2‧‧‧第2期間
T1+2‧‧‧第1期間與第2期間之合計期間
t1‧‧‧第1期間之曝光時間
t2‧‧‧第2期間之曝光時間
t3‧‧‧曝光時間
圖1係表示分光測定裝置之一實施形態的概略圖。
圖2係表示發光量子產率之計算原理的圖。
圖3係以波長軸表示長餘輝發光材料之發光強度之時間變動之圖。
圖4係以時間軸表示激發光照射中之長餘輝發光材料之發光強度之時間變動之圖。
圖5係以時間軸表示激發光照射中及激發光照射後之長餘輝發光材料之發光強度之時間變動之圖。
圖6係表示長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線及檢測光之曝光時間之控制之一例的圖。
圖7係表示長餘輝發光材料之吸收光子數之計算之一例的圖。
圖8係表示長餘輝發光材料之發光光子數之計算之一例的圖。
圖9係表示分光測定裝置之另一實施形態的概略圖。

Claims (8)

  1. 一種分光測定裝置，其係對長餘輝發光材料照射激發光以測定發光量子產率者，且具備： 光源，其輸出上述激發光； 積分器，其具有供配置上述長餘輝發光材料之內部空間，將來自上述內部空間之光作為檢測光輸出； 分光檢測器，其對上述檢測光進行分光以取得上述激發光之激發光光譜資料及上述長餘輝發光材料之發光光譜資料； 解析部，其基於上述激發光光譜資料及上述發光光譜資料對上述長餘輝發光材料之上述發光量子產率進行解析；及 控制部，其進行上述激發光向上述內部空間之輸入之有無之切換；且 上述控制部以於利用上述分光檢測器開始取得上述光譜資料之第1期間維持向上述內部空間輸入上述激發光且於繼上述第1期間之後之第2期間停止向上述內部空間輸入上述激發光之方式控制上述光源， 上述解析部基於上述長餘輝發光材料之吸收光子數及上述長餘輝發光材料之發光光子數算出上述長餘輝發光材料之發光量子產率，上述長餘輝發光材料之吸收光子數係基於上述第1期間之上述激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料之發光光子數係基於上述第1期間、上述第2期間、及上述第1期間與上述第2期間之合計期間之任一期間之上述發光光譜資料而求出。
  2. 如請求項1之分光測定裝置，其中上述控制部以上述第2期間內之上述檢測光之曝光時間長於上述第1期間內之上述檢測光之曝光時間之方式控制上述分光檢測器。
  3. 如請求項2之分光測定裝置，其中上述解析部藉由基於上述第1期間內之上述檢測光之曝光時間使上述第1期間內上述長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化，並且基於上述第2期間內之上述檢測光之曝光時間使上述第2期間內上述長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化，來對上述長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線進行解析。
  4. 如請求項1至3中任一項之分光測定裝置，其中上述積分器為積分半球。
  5. 一種分光測定方法，其係對長餘輝發光材料照射激發光以測定發光量子產率者，且具備： 光譜資料取得步驟，其係將自具有供配置上述長餘輝發光材料之內部空間之積分器輸出之檢測光利用分光檢測器進行分光以取得上述激發光之激發光光譜資料及上述長餘輝發光材料之發光光譜資料；及 發光量子產率解析步驟，其係基於上述激發光光譜資料及上述發光光譜資料對上述長餘輝發光材料之上述發光量子產率進行解析； 於上述光譜資料取得步驟中，於利用上述分光檢測器開始取得上述光譜資料之第1期間維持向上述內部空間輸入上述激發光，且於繼上述第1期間之第2期間停止向上述內部空間輸入上述激發光， 於上述發光量子產率解析步驟中，基於上述長餘輝發光材料之吸收光子數及上述長餘輝發光材料之發光光子數算出上述長餘輝發光材料之發光量子產率，上述長餘輝發光材料之吸收光子數係基於上述第1期間之上述激發光光譜資料而求出，上述長餘輝發光材料之發光光子數係基於上述第1期間、上述第2期間、及上述第1期間與上述第2期間之合計期間之任一期間之上述發光光譜資料而求出。
  6. 如請求項5之分光測定方法，其中於上述光譜資料取得步驟中，使上述分光檢測器中之上述第2期間內之上述檢測光之曝光時間長於上述第1期間內之上述檢測光之曝光時間。
  7. 如請求項6之分光測定方法，其中於上述發光量子產率解析步驟中，藉由基於上述第1期間內之上述檢測光之曝光時間使上述第1期間內上述長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化，並且基於上述第2期間內之上述檢測光之曝光時間使上述第2期間內上述長餘輝發光材料進行之發光之強度標準化，來對上述長餘輝發光材料之發光強度之時間曲線進行解析。
  8. 如請求項5至7中任一項之分光測定方法，其中使用積分半球作為上述積分器。
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