TW201940730A - 預塗方法及成膜方法 - Google Patents

預塗方法及成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201940730A
TW201940730A TW108101110A TW108101110A TW201940730A TW 201940730 A TW201940730 A TW 201940730A TW 108101110 A TW108101110 A TW 108101110A TW 108101110 A TW108101110 A TW 108101110A TW 201940730 A TW201940730 A TW 201940730A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
film
forming
hydrogen
internal space
Prior art date
Application number
TW108101110A
Other languages
English (en)
Inventor
板谷剛司
山崎英亮
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201940730A publication Critical patent/TW201940730A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供一種可降低成膜處理後之基板上的顆粒個數之預塗方法及成膜方法。
一實施形態之預塗方法係(i)將第1氣體供給至腔室內之內部空間。接著，將第2氣體供給至內部空間。接著，將第3氣體供給至內部空間。第1氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率會較第2氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率及第3氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率要高，第1氣體中的金屬原料氣體之流量會較第2氣體中的金屬原料氣體之流量及第3氣體中的金屬原料氣體之流量要少。

Description

預塗方法及成膜方法
本揭露之實施形態係關於一種預塗方法及成膜方法。
在對基板進行成膜前會先進行將腔室內表面之預塗。具體而言，係以包含會與構成應形成在基板上的膜之材料相同的材料之膜，來將腔室內之表面做預塗。關於預塗方法係記載於例如專利文獻1~3。
專利文獻1所記載的預塗方法係將鈦膜形成在腔室內之表面，而在鈦膜上形成氮化鈦膜。專利文獻2所記載之預塗方法係將兩層之膜，例如含有鎢之兩層之膜形成在腔室內之表面。專利文獻3所記載之技術係將兩層之鈦膜形成在腔室內之表面。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
專利文獻1：日本特開平10-321558號公報
專利文獻2：日本特開2007-201406號公報
專利文獻3：日本特開2010-65309號公報
對基板之成膜處理會要求要減少基板上之顆粒個數。顆粒亦會從預塗後之腔室內之表面上的膜產生。從而，便需要一種能降低成膜處理後之基板上的顆粒個數之預塗方法。
一態樣中，便提供一種腔室內之表面用的預塗方法。腔室內之表面係包含設置於腔室內之內部空間中的基板用之支撐台的表面。預塗方法係包 含：(i)藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體之第1氣體供給至內部空間，來在腔室內之表面上形成第1膜之工序；(ii)藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體之第2氣體供給至內部空間，來在第1膜上形成第2膜之工序；以及(iii)藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體之第3氣體供給至內部空間，來在第2膜上形成第3膜之工序。為第1氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率之第1比率會較第2比率及第3比率要高。第2比率係第2氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率。第3比率係第3氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率。第1氣體中之金屬原料氣體的流量會較第2氣體中之金屬原料氣體的流量及第3氣體中之金屬原料氣體的流量要少。
一態樣相關之預塗方法係以包含第1~第3膜的含金屬多層膜來將腔室內之表面預塗。此預塗方法為了形成第1膜，便會使用第1氣體。第1氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率，亦即第1比率會較高。又，第1氣體中之金屬原料氣體的流量會較小。從而，第1氣體便會具有高還原力。由於從此第1氣體所形成之第1膜會介在第2膜與腔室內之表面之間，故藉由本方法所形成之含金屬多層膜係相對於腔室內之表面而具有高密合性。因此，即便在之後對基板進行成膜處理，仍可抑制來自含金屬多層膜之顆粒的產生，而減少基板上之顆粒個數。
一實施形態中，第3比率會較第2比率要低，第3氣體中之金屬原料氣體的流量較佳地係第2氣體中之金屬原料氣體的流量以上。在混合氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率較大，而該混合氣體中之金屬原料氣體的流量較少之情況，便會使膜相對腔室內之表面的覆蓋性降低。這是因為在將金屬原料氣體導入擴散於內部空間中前，金屬原料便會被裂解之故。在此實施形態中，由於第3氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量會較低，且第3氣體中之金屬原料氣體的流量會較多，故會提高含金屬多層膜相對於腔室內之表面的覆蓋性。另外，其他實施形態中，第3比率會較第2比率要低，第3氣體中之金屬原料氣體的流量可較第2氣體中之金屬原料氣體的流量要低。
一實施形態中，在形成第1膜之工序的實行中，內部空間中的壓力較佳地係較在形成第2膜之工序的實行中之內部空間中的壓力要低。在形成第2膜之工序的實行中，內部空間中的壓力係可在形成第3膜之工序的實行中之內部空間中的壓力以上。在內部空間中之壓力較低的情況，所形成之膜中的雜質量便會減少。在內部空間中之壓力較高的情況，膜之成長速度便會變高。從而，根據此實施形態，由於第1膜中之雜質的濃度會變低，故會使含金屬多層膜之密合性更加地變高。又，使含金屬多層膜之成長速度變高。另外，其他實施形態中，在形成第1膜之工序的實行中，內部空間之壓力可較在形成第2膜之工序的實行中之內部空間的壓力要低，在形成第2膜之工序的實行中，內部空間之壓力可較在形成第3膜之工序的實行中之內部空間的壓力要低。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體以及第3氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體。分別被包含在第1氣體、第2氣體以及第3氣體中之一者以上的含氫氣體係氫氣。四氯化鈦氣體與氫氣會形成鈦膜。在此實施形態中，係形成鈦膜來作為第1~第3膜中之一者以上的膜。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體以及第3氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體。分別在第1氣體、第2氣體以及第3氣體中之一者以上的氣體係包含氨氣來作為含氫氣體，或是包含氫氣來作為含氫氣體且包含氮氣。此實施形態中，係形成有氮化鈦來作為第1~第3膜中之一者以上的膜。在腔室內之表面上所形成之含金屬多層膜包含氮化鈦膜的情況下，便會使之後之成膜處理中含鈦膜相對於基板之成膜速度變高。
一實施形態中，第1氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第1膜之工序係在內部空間中生成第1氣體之電漿。第2氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第2膜之工序係在內部空間中生成第2氣體之電漿。第3氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第3膜之工序係在內部空間中生成第3氣體之電漿。
一實施形態中，預塗方法係進一步地包含：(iv)藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體的第4氣體供給至內部空間，來在第3膜上形成第4膜之工序； 以及(v)藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體的第5氣體供給至內部空間，來在第4膜上形成第5膜之工序。第1比率會較第4比率及第5比率要高。第4比率係第4氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率。第5比率係第5氣體中含氫氣體之流量相對於金屬原料氣體之流量的比率。第1氣體中之金屬原料氣體的流量會較第4氣體中之金屬原料氣體的流量及第5氣體中之金屬原料氣體的流量要少。根據此實施形態，便可得到包含第1~第5膜而具有相對於腔室內之表面較高的密合性之含金屬多層膜。
一實施形態中，在形成第3膜之工序的實行中，內部空間中的壓力較佳地係在形成第4膜之工序的實行中之內部空間中的壓力以下，在形成第4膜之工序的實行中，內部空間中的壓力較佳地係在形成第5膜之工序的實行中之內部空間中的壓力要高。另外，在其他施形態中，在形成第3膜之工序的實行中，內部空間中的壓力可較在形成第4膜之工序的實行中之內部空間中的壓力要高，在形成第4膜之工序的實行中，內部空間中的壓力可較在形成第5膜之工序的實行中之內部空間中的壓力要高。
一實施形態中，第4氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第4膜之工序係在內部空間中生成第4氣體之電漿。第5氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第5膜之工序係在內部空間中生成第5氣體之電漿。
一實施形態中，形成第1膜之工序中的支撐台之溫度、形成第2膜之工序中的支撐台之溫度以及形成第3膜之工序中的支撐台之溫度會較形成第4膜之工序中的支撐台之溫度及形成第5膜之工序中的支撐台之溫度要高。在成膜時之溫度為較高的情況，便會使膜相對於腔室內之表面的密合性變高。從而，根據此實施形態，便可使含金屬多層膜相對於腔室內之表面的密合性變得更高。形成第1膜之工序中之支撐台的溫度及形成第2膜之工序中之支撐台的溫度可為較形成第3膜之工序中之支撐台的溫度要高。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體。分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體中之一者以上的含氫氣體係氫氣。四氯化鈦氣體與該氫氣會形成鈦膜。此實施形態係形成有鈦膜來作為第1~第5 膜中之一者以上的膜。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體。分別在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體中之一者以上的氣體係包含氨氣來作為含氫氣體，或是包含氫氣來作為含氫氣體且包含氮氣。此實施形態中，係形成有氮化鈦膜來作為第1~第5膜中之一者以上的膜。在腔室內之表面上所形成的含金屬多層膜包含氮化鈦的情況下，便可使之後成膜處理中含鈦膜相對於基板之成膜速度變高。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體。分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體以及第5氣體的該含氫氣體係氫氣。各第1膜、第2膜、第3膜以及第5膜係鈦膜。第4氣體係包含氨氣來作為含氫氣體，或是包含氫氣來作為含氫氣體且包含氮氣。此實施形態中，係形成有氮化鈦膜來作為第4膜。在腔室內之表面上所形成的含金屬多層膜包含氮化鈦的情況下，便可使之後成膜處理中含鈦膜相對於基板之成膜速度變高。
在其他態樣中係提供一種成膜方法。成膜方法係包含：藉由實行如上述一態樣或各種實施形態中任一種的預塗方法來在腔室內之表面實行預塗的工序；在實行預塗之工序後，將基板載置於支撐台上的工序；以及藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體之處理氣體供給至內部空間，來在基板上形成含金屬膜的工序。根據此實施形態，便會在以高密合性之含金屬多層膜來將腔室內之表面預塗後，再針對基板進行含金屬膜之成膜處理。從而，便可降低成膜處理後之基板上的顆粒個數。
另一態樣中係提供一種成膜方法。成膜方法，係包含：藉由實行形成第1~第5膜之如上述實施形態中任一種的預塗方法來在腔室內之表面實行預塗的工序；在實行預塗之工序後，將基板載置於支撐台上的工序；以及藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體之處理氣體供給至內部空間，來在基板上形成含金屬膜的工序。在形成第5膜之工序的實行中，支撐台的溫度較佳地係與在形成含金屬膜之工序的實行中之支撐台的溫度相同。根據此實 施形態，便會在以高密合性之含金屬多層膜來將腔室內之表面預塗後，再針對基板進行含金屬膜之成膜處理。從而，便可降低成膜處理後之基板上的顆粒個數。又，由於在構成含金屬多層膜之表面的第5膜形成時，支撐台的溫度會與在針對基板之成膜處理之實行時的支撐台的溫度相同，故第5膜係具有會與基板上之含金屬膜相同的膜質。從而，便可在基板上形成具有穩定膜質之含金屬膜。
一實施形態中，處理氣體係進一步地包含非活性氣體，形成含金屬膜之工序係在內部空間中生成處理氣體之電漿。
如上述說明，便能提供一種可降低成膜處理後之基板上的顆粒個數之預塗方法。
10‧‧‧成膜裝置
12‧‧‧腔室
IS‧‧‧內部空間
12s‧‧‧表面
26‧‧‧支撐台
F1‧‧‧第1膜
F2‧‧‧第2膜
F3‧‧‧第3膜
F4‧‧‧第4膜
F5‧‧‧第5膜
圖1係顯示一實施形態相關之預塗方法的流程圖。
圖2係概略地顯示可適用圖1所示之預塗方法的成膜裝置之圖式。
圖3係藉由一實施形態的預塗方法來形成在腔室內之表面上的含金屬多層膜的部分放大剖面圖。
圖4係圖1所示之預塗方法相關的時序圖。
圖5係顯示一實施形態相關之成膜方法的流程圖。
圖6係圖5所示之成膜方法實行中的支撐台之溫度的時序圖。
以下，便參照圖式就各種實施形態來詳細說明。另外，各圖式中係對相同或相當之部分附上相同符號。
圖1係顯示一實施形態相關之預塗方法的流程圖。圖1所示之預塗方法(以下，稱為「方法MP」)係為了以含金屬多層膜來將成膜裝置之腔室內的表面做預塗而被加以實行。方法MP中所形成的含金屬多層膜係含有三個以上的膜。一實施形態中，為了形成含金屬多層膜之第1~第3膜，方法MP係包含工序ST1、工序ST2以及工序ST3。方法MP中所形成之含金屬多層膜除 了第1~第3膜之外，亦可進一步地包含一個以上的膜。方法MP中所形成的含金屬多層膜係可例如含有五個膜。在此情況下，方法MP為了形成含金屬多層膜之第1~第5膜，係包含工序ST1、工序ST2、工序ST3、工序ST4以及工序ST5。
圖2係概略地顯示可適用圖1所示之預塗方法的成膜裝置之圖式。圖2中係顯示成膜裝置10之剖面構造。成膜裝置10係構成為藉由電漿CVD法來在基板上形成含金屬膜。成膜裝置10係具備腔室12。腔室12係在其中提供內部空間IS。內部空間IS係包含處理區域ISA及排氣區域ISB。
腔室12係包含腔室本體14、下部容器16以及上部電極18。腔室本體14係具有略圓筒形狀。腔室本體14係由所謂鋁之導體所形成，且會接地。腔室本體14係在其中提供處理區域ISA。腔室本體14係在其上部及底部兩邊開口。腔室本體14側面係形成有通路12p。基板W會在內部空間IS與腔室12外部之間搬送時通過通路12p。藉由可開閉此通路12p之方式來沿著腔室本體14側壁設置有閘閥12g。
下部容器16會結合於腔室本體14底部。下部容器16係具有略圓筒形狀，並會以相對於腔室本體14底部而朝下方突出的方式來加以延伸。下部容器16係由所謂鋁之導體所形成，且會接地。下部容器16係在其中提供排氣區域ISB。排氣區域ISB會連續於處理區域ISA。排氣區域ISB係連接有排氣管22。
排氣管22會透過壓力調整器23來連接有排氣裝置24。壓力調整器23係具備壓力調整閥。壓力調整閥係例如蝶閥。排氣裝置24係包含渦輪分子泵、乾式泵的一個以上的減壓泵。
內部空間IS(處理區域ISA)之中係設置有基板用之支撐台26。支撐台26上面之上係略水平地載置有基板W。基板W係可如晶圓般具有略圓盤形狀。支撐台26係構成為支撐基板W。支撐台26係藉由支撐構件27來被加以支撐。支撐台26係由所謂氮化鋁(AlN)之陶瓷所形成。支撐台26亦可由所謂鎳之金屬材料所形成。支撐台26周緣部上係設置有引導環28。引導環28係引導基板W之構件。亦可取代引導環28來在支撐台26形成有凹陷部。此凹陷 部係具有與基板W大致相同之大小及形狀。引導環28亦可不設置。
支撐台26之中係設置有下部電極30。下部電極30係接地。支撐台26之中及下部電極30下方係設置有加熱機構32。加熱機構32係基於來自控制部100之控制訊號來從電源供給有電力。在將電力供給至加熱機構32時，加熱機構32便會發熱，而將支撐台26上所載置之基板W加熱。另外，在支撐台26整體係藉由金屬來加以構成的情況，由於支撐台26整體係具有作為下部電極之機能，故亦可不將下部電極30設置於支撐台26內。
成膜裝置10係進一步地具備複數升降銷34。升降銷34之根數係三根以上。複數升降銷34係可由所謂氧化鋁(Al2O3)之陶瓷或石英所形成。複數升降銷34係藉由支撐體35來被加以支撐，且會從支撐體35朝上方延伸。支撐體35係藉由軸36來被加以支撐。軸36會從支撐體35朝下方延伸，而在腔室12外部連接於驅動裝置38。
驅動裝置38係例如被配置於下部容器16下方。下部容器16底部係形成有開口16a。軸36會通過開口16a而朝下部容器16下方延伸。下部容器16與驅動裝置38之間係設置有波紋管37。波紋管37會關閉開口16a。
驅動裝置38係構成為會透過軸36及支撐體35來使複數升降銷34上下移動。支撐台26係形成有複數貫穿孔。複數升降銷34可通過支撐台26之複數貫穿孔來上下移動。複數升降銷34會藉由該等之上下移動來在支撐台26與該複數升降銷34前端之間收授基板W。具體而言，在複數升降銷34前端會相對於支撐台26上面而突出之情況，基板W便會從支撐台26遠離，而藉由複數升降銷34前端來加以支撐。另一方面，在複數升降銷34前端會相對於支撐台26上面而位在下方之情況，基板W便會被支撐台26所支撐。
上部電極18會被設置於支撐台26上方。上部電極18係設置為會關閉腔室本體14上部之開口。上部電極18與腔室本體14之間係介設有構件40。構件40係具有絕緣性。
上部電極18會構成氣體噴淋部。上部電極18中係設置有氣體擴散室18d。上部電極18會提供複數氣體孔18h。複數氣體孔18h會從氣體擴散室18d來延伸至上部電極18下面，而連接於內部空間IS。氣體擴散室18d內之氣體 會從複數氣體孔18h來被導入至內部空間IS(處理區域ISA)。
上部電極18中係設置有加熱機構42。加熱機構42係被設置於例如氣體擴散室18d上方。加熱機構42係基於來自控制部100之控制訊號來從電源供給電力。在將電力供給至加熱機構42時，加熱機構42便會發熱，而將氣體擴散室18d中之氣體加熱。
氣體擴散室18d係連接有氣體管44。氣體管44上游側係連接有氣體供給部46。氣體供給部46係包含氣體源群46s、閥群46a、流量控制器群46b以及閥群46c。氣體源群46s會透過閥群46a、流量控制器群46b以及閥群46c來連接於氣體管44。氣體源群46s係包含複數氣體源，亦即方法MP及下述成膜方法MD中所使用的複數氣體源。各閥群46a及閥群46c係包含複數閥。流量控制器群46b係包含複數流量控制器。各複數流量控制器係質流控制器或壓力控制式之流量控制器。氣體源群46s之各複數氣體源係透過閥群46a所對應之閥、流量控制器群46b所對應之流量控制器以及閥群46c所對應之閥來連接於氣體管44。另外，在下述金屬原料氣體與其他程序氣體的反應性較高的情況，該等氣體分別可透過獨立之路徑來被供給至氣體擴散室18d。
上部電極18係透過匹配器52來連接有高頻電源50。高頻電源50係構成為會對上部電極18供給高頻。高頻係具有例如100[kHz]~3[GHz]的頻率，並具有10[W]~5000[W]之電力。匹配器52係具有用以匹配高頻電源50之輸出阻抗與負載側(上部電極18側)之阻抗的電路。
成膜裝置10係將來自氣體源群46s中所選擇的一個以上之氣體源的氣體供給至內部空間IS。又，會將高頻供給至上部電極18，而在上部電極18與下部電極30之間產生高頻電場。藉由所產生之高頻電場，便會使氣體在內部空間IS中被激發，而生成電漿。其結果，便會在基板W上形成膜。或者，會將腔室12內之表面做預塗。
成膜裝置10係進一步地具備控制部100。控制部100係可為電腦裝置，並可具備稱為CPU之處理器、稱為記憶體之記憶裝置、稱為鍵盤之輸入裝置、訊號輸出入之介面等。控制部100之處理器會實行記憶裝置所記憶之控制程式，而依照記憶裝置所記憶之配方資料來控制成膜裝置10之各部。藉 由控制部100之控制，成膜裝置10便可實行方法MP及成膜方法MD。
再次參照圖1，並以成膜裝置10所適用的情況為例，就方法MP來詳細說明。以下說明中，便一同參照圖1與圖3。圖3係藉由一實施形態的預塗方法來形成在腔室內之表面上的含金屬多層膜的部分放大剖面圖。
方法MP中首先會實行工序ST1。工序ST1中如圖3所示，係在腔室12內之表面12s上形成第1膜F1。表面12s係包含區劃出內部空間IS之面以及設置於內部空間IS中之構件的表面。一實施形態中，表面12s係包含腔室本體14之內壁面(亦即區劃出處理區域ISA之面)、下部容器16之內壁面(亦即區劃出排氣區域ISB之面)、上部電極18下面以及構件40下面。表面12s係進一步地包含支撐台26之表面。又，一實施形態中，表面12s係包含區劃出複數氣體孔18h的面。第1膜F1係含金屬之膜。第1膜F1中之金屬可為與成膜方法MD中構成基板W上所形成之含金屬膜的金屬相同之金屬。
工序ST1係從氣體供給部46來將第1氣體供給至內部空間IS。第1氣體係包含金屬原料氣體及含氫氣體。構成金屬原料氣體之金屬原料係包含金屬。此金屬係與成膜方法MD中構成基板W上所形成之含金屬膜的金屬相同之金屬。此金屬為例如鈦或鎢。金屬原料氣體可為鹵化金屬氣體。鹵化金屬氣體係例如四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)、六氟化鎢氣體(WF6氣體)、五氯化鎢氣體(WCl5)或六氯化鎢氣體(WCl6氣體)。第1氣體中之含氫氣體係氫氣(H2)氣體或氨氣(NH3氣體)。一實施形態中，第1氣體係進一步地包含非活性氣體。非活性氣體可為稀有氣體或N2氣體。
工序ST1中，係以將被包含於第1氣體之各氣體的流量設定為指定之流量的方式來控制流量控制器群46b所對應之流量控制器。又，工序ST1中，係以將內部空間IS中之壓力設定為指定之壓力的方式來控制壓力調整器23及排氣裝置24。一實施形態之工序ST1中，係從高頻電源50來將高頻供給至上部電極18，而在內部空間IS中生成第1氣體之電漿。工序ST1中，係將構成第1氣體中之金屬原料氣體還原，而在腔室12內之表面12s上形成包含該金屬原料中之金屬的第1膜F1。
接著的工序ST2如圖3所示，係在第1膜F1上形成第2膜F2。第2膜F2係含 金屬之膜。第2膜F2中之金屬可為與成膜方法MD中構成基板W上所形成之含金屬膜的金屬相同之金屬。工序ST2中，係從氣體供給部46來將第2氣體供給至內部空間IS。第2氣體係包含金屬原料氣體及含氫氣體。第2氣體中之金屬原料氣體可為與第1氣體中之金屬原料氣體相同的氣體。第2氣體中之含氫氣體係氫氣(H2氣體)或氨氣(NH3氣體)。一實施形態中，第2氣體係進一步地包含非活性氣體。非活性氣體可為稀有氣體或N2氣體。
工序ST2中，係以將被包含於第2氣體之各氣體的流量設定為指定之流量的方式來控制流量控制器群46b所對應之流量控制器。又，工序ST2中，係以將內部空間IS中之壓力設定為指定之壓力的方式來控制壓力調整器23及排氣裝置24。一實施形態之工序ST2中，係從高頻電源50來將高頻供給至上部電極18，而在內部空間IS中生成第2氣體之電漿。工序ST2中，係將構成第2氣體中之金屬原料氣體還原，而在第1膜F1上形成包含該金屬原料中之金屬的第2膜F2。
接著的工序ST3如圖3所示，係在第2膜F2上形成第3膜F3。第3膜F3係含金屬之膜。第3膜F3中之金屬可為與成膜方法MD中構成基板W上所形成之含金屬膜的金屬相同之金屬。工序ST3中，係從氣體供給部46來將第3氣體供給至內部空間IS。第3氣體係包含金屬原料氣體及含氫氣體。第3氣體中之金屬原料氣體可為與第1氣體中之金屬原料氣體相同的氣體。第3氣體中之含氫氣體係氫氣(H2氣體)或氨氣(NH3氣體)。一實施形態中，第3氣體係進一步地包含非活性氣體。非活性氣體可為稀有氣體或N2氣體。
工序ST3中，係以將被包含於第3氣體之各氣體的流量設定為指定之流量的方式來控制流量控制器群46b所對應之流量控制器。又，工序ST3中，係以將內部空間IS中之壓力設定為指定之壓力的方式來控制壓力調整器23及排氣裝置24。一實施形態之工序ST3中，係從高頻電源50來將高頻供給至上部電極18，而在內部空間IS中生成第3氣體之電漿。工序ST3中，係將構成第3氣體中之金屬原料氣體還原，而在第2膜F2上形成包含該金屬原料中之金屬的第3膜F3。
一實施形態中，係接著實行工序ST4。工序ST4如圖3所示，係在第3膜 F3上形成第4膜F4。第4膜F4係含金屬之膜。第4膜F4中之金屬可為與成膜方法MD中構成基板W上所形成之含金屬膜的金屬相同之金屬。工序ST4中，係從氣體供給部46來將第4氣體供給至內部空間IS。第4氣體係包含金屬原料氣體及含氫氣體。第4氣體中之金屬原料氣體可為與第1氣體中之金屬原料氣體相同的氣體。第4氣體中之含氫氣體係氫氣(H2氣體)或氨氣(NH3氣體)。一實施形態中，第4氣體係進一步地包含非活性氣體。非活性氣體可為稀有氣體或N2氣體。
工序ST4中，係以將被包含於第4氣體之各氣體的流量設定為指定之流量的方式來控制流量控制器群46b所對應之流量控制器。又，工序ST4中，係以將內部空間IS中之壓力設定為指定之壓力的方式來控制壓力調整器23及排氣裝置24。一實施形態之工序ST4中，係從高頻電源50來將高頻供給至上部電極18，而在內部空間IS中生成第4氣體之電漿。工序ST4中，係將構成第4氣體中之金屬原料氣體還原，而在第3膜F3上形成包含該金屬原料中之金屬的第4膜F4。
一實施形態中，係接著實行工序ST5。工序ST5如圖3所示，係在第4膜F4上形成第5膜F5。第5膜F5係含金屬之膜。第5膜F5中之金屬可為與成膜方法MD中構成基板W上所形成之含金屬膜的金屬相同之金屬。工序ST5中，係從氣體供給部46來將第5氣體供給至內部空間IS。第5氣體係包含金屬原料氣體及含氫氣體。第5氣體中之金屬原料氣體可為與第1氣體中之金屬原料氣體相同的氣體。第5氣體中之含氫氣體係氫氣(H2氣體)或氨氣(NH3氣體)。一實施形態中，第5氣體係進一步地包含非活性氣體。非活性氣體可為稀有氣體或N2氣體。
工序ST5中，係以將被包含於第5氣體之各氣體的流量設定為指定之流量的方式來控制流量控制器群46b所對應之流量控制器。又，工序ST5中，係以將內部空間IS中之壓力設定為指定之壓力的方式來控制壓力調整器23及排氣裝置24。一實施形態之工序ST5中，係從高頻電源50來將高頻供給至上部電極18，而在內部空間IS中生成第5氣體之電漿。工序ST5中，係將構成第5氣體中之金屬原料氣體還原，而在第4膜F4上形成包含該金屬原料中 之金屬的第5膜F5。
如上述，由方法MP所形成之金屬多層膜(以下，稱為「多層膜ML」)係至少包含三個膜。一實施形態中，多層膜ML係包含第1膜F1、第2膜F2以及第3膜F3。從而，方法MP係至少包含工序ST1、工序ST2以及工序ST3。各第1~第3膜係例如為鈦膜或氮化鈦膜。第1~第3膜亦可全部都為鈦膜或是氮化鈦膜。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體及第3氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)。又，分別被包含在第1氣體、第2氣體及第3氣體中之一者以上的氣體之含氫氣體係氫氣(H2氣體)。此實施形態中，四氯化鈦會藉由氫來被還原而形成鈦膜。從而，便會形成有鈦膜來作為第1膜F1、第2膜F2以及第3膜F3中之一者以上的膜。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體及第3氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)。又，第1氣體、第2氣體及第3氣體中之一種以上的各氣體係包含氨氣(NH3氣體)來作為含氫氣體，或是包含氫氣(H2氣體)來作為含氫氣體並包含氮氣(N2氣體)。此實施形態中，係形成有氮化鈦膜來作為第1膜F1、第2膜F2以及第3膜F3中之一者以上的膜。在腔室12內之表面12s上所形成之多層膜ML包含氮化鈦膜的情況，便會在之後所實行之成膜處理(例如下述之工序STC的成膜處理)中使含鈦膜相對於基板W之成膜速度變高。
一實施形態中，多層膜ML係包含上述第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3、第4膜F4以及第5膜F5。從而，此實施形態中，方法MP係包含工序ST1、工序ST2、工序ST3、工序ST4以及工序ST5。各第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3、第4膜F4以及第5膜F5係例如鈦膜或氮化鈦膜。全部第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3、第4膜F4以及第5膜F5亦可都為鈦膜或氮化鈦膜。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)。分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體的含氫氣體係氫氣(H2氣體)。鈦膜會由四氯化鈦氣體與氫氣所形成。在此實施形態中，四氯化鈦會因氫 氣而被還原，來形成鈦膜。從而，此實施形態中，係形成鈦膜來作為第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3、第4膜F4以及第5膜F5中之一者以上的膜。
一實施形態中，分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)。又，第1氣體、第2氣體、第3氣體、第4氣體以及第5氣體中之一種以上的各氣體係包含氨氣(NH3氣體)來作為含氫氣體，或是包含氫氣(H2氣體)來作為含氫氣體並包含氮氣(N2氣體)。此實施形態中，係形成有氮化鈦膜來作為第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3、第4膜F4以及第5膜F5中之一者以上的膜。在腔室12內之表面12s上所形成之多層膜ML包含氮化鈦膜的情況，便會在之後所實行之成膜處理(例如下述之工序STC的成膜處理)中使含鈦膜相對於基板W之成膜速度變高。
一範例中，第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3以及第5膜F5係鈦膜，第4膜F4係氮化鈦膜。在此範例中，分別被包含在第1~第5氣體的金屬原料氣體係四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)。又，分別被包含在第1氣體、第2氣體、第3氣體以及第5氣體的含氫氣體係氫氣(H2氣體)。又，第4氣體係包含氨氣(NH3氣體)來作為含氫氣體，或是包含氫氣(H2氣體)來作為含氫氣體並包含氮氣(N2氣體)。
以下，便參照圖4。圖4係圖1所示之預塗方法相關的時序圖。圖4中，「比率」係表示方法MP之各工序中所使用的氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率，亦即(含氫氣體的流量)/(金屬原料氣體的流量)。圖4中，「金屬原料氣體的流量」係表示方法MP之各工序中所使用的氣體中之金屬原料氣體的流量。圖4中，「內部空間中之壓力」係表示在方法MP實行中之內部空間IS中的壓力(亦即腔室12內之壓力)。又，圖4中，「支撐台之溫度」係表示在方法MP實行中之支撐台26的溫度。
如圖4所示，方法MP中，為第1氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率的第1比率係設定為會較第2比率及第3比率要高之比率。第2比率係第2氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率。第3比率係第3氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比 率。又，方法MP中，第1氣體中之金屬原料氣體的流量係設定為會較第2氣體中之金屬原料氣體的流量及第3氣體中之金屬原料氣體的流量要小。從而，第1氣體會具有較高還原力。由於從此第1氣體所形成之第1膜F1會介在第2膜F2與腔室內之表面之間，故由方法MP所形成之多層膜ML係相對於腔室12內之表面12s而具有較高之密合性。因此，即便在之後對基板W進行成膜處理(例如下述工序STC的成膜處理)，仍可抑制來自多層膜ML之顆粒的產生，而使基板W上之顆粒個數減少。另外，在使用TiCl4氣體來作為金屬原料氣體的情況，工序ST1所使用之第1氣體中的TiCl4氣體的流量係工序ST2所使用之第2氣體中的TiCl4氣體的流量之1/2以下。
一實施形態中，如圖3所示，第3比率，亦即在工序ST3實行中之上述比率係設定為會較第2比率，亦即在工序ST2實行中之上述比率要低的數值。又，第3氣體中之金屬原料氣體的流量係設定為第2氣體中之金屬原料氣體的流量以上之流量。在混合氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率較大，而該混合氣體中之金屬原料氣體的流量較少的情況，膜相對於腔室12內之表面12s的覆蓋性便會降低。這是因為在將金屬原料氣體導入擴散於內部空間IS中前，金屬原料便會被裂解之故。此實施形態中，由於第3比率會較低，且第3氣體中之金屬原料氣體的流量會較多，故多層膜ML相對於腔室12內之表面12s的覆蓋性便會提高。另外，第3氣體中之金屬原料氣體的流量雖可較第2氣體中之金屬原料氣體的流量要少，但在第3氣體中之金屬原料氣體的流量為第2氣體中之金屬原料氣體的流量以上的情況，覆蓋性會較高。
一實施形態中，如圖3所示，在工序ST1實行中，內部空間IS中的壓力係設定為會較在工序ST2實行中之內部空間IS中的壓力要低之壓力。又，在工序ST2實行中，內部空間IS中的壓力係設定為在工序ST3實行中之內部空間IS中的壓力以上之壓力。在內部空間IS中之壓力較低的情況，所形成之膜中的雜質量便會減少。另一方面，在內部空間IS中之壓力較高的情況，便會使膜之成長速度變高。從而，根據此實施形態，便會使第1膜F1中之雜質濃度降低。因此，便會使多層膜ML相對於腔室12內之表面12s的密合性變得更 高。又，會使多層膜ML之成長速度變高。另外，一實施形態中，在工序ST2實行中，內部空間IS中的壓力係可設定為會較在工序ST3實行中之內部空間IS中的壓力要低之壓力。又，一實施形態中，在工序ST2實行中，內部空間IS中的壓力可為與在工序ST1實行中之內部空間IS中的壓力略相同。但是，在工序ST2實行中，內部空間IS中的壓力為會較在工序ST1實行中之內部空間IS中的壓力要高的情況下，便可期待多層膜ML會有成膜速度變高的效果。
一實施形態中，如圖3所示，第1比率係設定為會較第4氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率(亦即第4比率)及第5氣體中含氫氣體的流量相對於金屬原料氣體的流量之比率(亦即第5比率)要高的數值。又，第1氣體中之金屬原料氣體的流量係設定為會較第4氣體中之金屬原料氣體的流量及第5氣體中之金屬原料氣體的流量要少之流量。根據此實施形態，包含第1膜F1、第2膜F2、第3膜F3、第4膜F4及第5膜F5，都可得到具有相對於腔室12內之表面12s而較高密合性的多層膜ML。
一實施形態中，如圖3所示，在工序ST3實行中，內部空間IS中的壓力係設定為在工序ST4實行中之內部空間IS中的壓力以下的壓力。又，在工序ST4實行中，內部空間IS中的壓力係設定為會較在工序ST5實行中之內部空間IS中的壓力要高的壓力。另外，在工序ST3實行中，內部空間IS中的壓力可設定為會較在工序ST4實行中之內部空間IS中的壓力要高之壓力。
一實施形態中，在工序ST1實行中之支撐台26的溫度、在工序ST2實行中之支撐台26的溫度以及在工序ST3實行中之支撐台26的溫度係設定為會較在工序ST4實行中之支撐台26的溫度及在工序ST5實行中之支撐台26的溫度要高的溫度。支撐台26之溫度係藉由基於來自控制部100之控制訊號而調整從電源供給至加熱機構32之電力，來加以調整。在成膜時之溫度為較高的情況，便會使膜相對於腔室12內之表面12s的密合性變高。從而，根據此實施形態，便會使多層膜ML相對於腔室12內之表面12s的密合性變得更高。一實施形態中，在工序ST1實行中之支撐台26的溫度及在工序ST2實行中之支撐台26的溫度可較在工序ST3實行中之支撐台26的溫度要高。根據此實施形態，便可在支撐台26表面形成具有相對於腔室12內之表面12s而要高之密 合性且具有與基板W上之含金屬膜相同膜質的膜。從而，便可在基板W上形成具有穩定膜質之含金屬膜。
以下，便參照圖5，就一實施形態相關之成膜方法來加以說明。圖5係顯示一實施形態相關之成膜方法的流程圖。以下，便以使用成膜裝置10的情況為例，來說明一實施形態相關之成膜方法。
圖5所示之成膜方法MD係以工序STA為起始。工序STA係實行上述各種實施形態中任一種的預塗方法。藉由實行工序STA，便可以多層膜ML來將腔室12內之表面12s做預塗。另外，在工序STA之實行中，支撐台26上並未載置有基板。
接著，便實行工序STB。工序STB係將基板W載置在支撐台26上。接著，便實行工序STC。工序STC係對基板W實行成膜處理。工序STC係在基板W上形成有含金屬膜。此含金屬膜係包含與多層膜ML中之金屬相同的金屬。此金屬係例如鈦、鎢、鈷、鎳或鉬。工序STC中所形成之含金屬膜係例如鈦膜、鎢膜、氮化鈦膜或氮化鎢膜。
工序STC係從氣體供給部46來將處理氣體供給至內部空間IS。處理氣體係包含金屬原料氣體及含氫氣體。構成金屬原料氣體之金屬原料較佳地係包含構成形成在基板W上的含金屬膜之金屬。金屬原料氣體可為鹵化金屬氣體。鹵化金屬氣體係例如四氯化鈦氣體(TiCl4氣體)、六氟化鎢氣體(WF6氣體)、五氯化鎢氣體(WCl5)或六氯化鎢氣體(WCl6氣體)。一實施形態中，處理氣體係進一步地包含非活性氣體。非活性氣體可為稀有氣體或N2氣體。工序STC中，在形成鈦膜或鎢膜之金屬膜的情況，處理氣體中之含氫氣體係包含氫氣(H2氣體)。工序STC中，在形成氮化鈦膜或氮化鎢膜之氮化膜的情況，處理氣體係包含氨氣(NH3氣體)來作為含氫氣體，或是包含氫氣(H2氣體)來作為含氫氣體且包含氮氣(N2氣體)。
工序STC中，係以將被包含於處理氣體之各氣體的流量設定為指定之流量的方式來控制流量控制器群46b所對應之流量控制器。又，工序STC中，係以將內部空間IS中之壓力設定為指定之壓力的方式來控制壓力調整器23及排氣裝置24。一實施形態之工序STC中，係從高頻電源50來將高頻供給至 上部電極18，而在內部空間IS中生成處理氣體之電漿。工序STC中，係將構成處理氣體中之金屬原料氣體的金屬原料還原，而在基板W上形成包含該金屬原料中之金屬膜(亦即含金屬膜)。
接著的工序STD係判斷是否有滿足停止條件。停止條件係在工序STA與工序STE之間，適用工序STC之成膜處理的基板個數達到既定個數的情況下，便判斷已滿足。另外，在工序STA與工序STE之間適用工序STC的成膜處理之基板個數為一個的情況下，便無需工序STD。
在工序STD中判斷為未滿足停止條件時，便會對其他基板W實行工序STB及工序STC。另一方面，在工序STD中判斷為滿足停止條件時，便會接著實行工序STE。
工序STE中，係實行腔室12內之表面的清潔。工序STE中，係從氣體供給部46來將包含三氟化氯(ClF3)的清潔氣體供給至內部空間IS。又，工序STE中，係加熱支撐台26。支撐台26之溫度係設定為例如300℃。工序STE中，係藉由清潔氣體來從腔室12內之表面12s去除多層膜ML。在此工序STE實行後，便可進行成膜裝置10之維護作業。亦可在實行完此工序STE後，或是在進行完成膜裝置10之維護作業後，再次從工序STA來進行處理。
根據上述說明之成膜方法MD，便可在以高密合性之多層膜ML來將腔室12內之表面12s做預塗後，對基板W進行含金屬膜之成膜處理(亦即工序STC)。從而，便可降低成膜處理後之基板W上的顆粒個數。
以下，便參照圖6。圖6係圖5所示之成膜方法實行中的支撐台之溫度的時序圖。一實施形態中，在成膜方法MD實行中，支撐台26之溫度係可調整為如圖6所示。具體而言，係如上述，被包含在工序STA中之各工序ST1、工序ST2及工序ST3實行中之支撐台26的溫度係設定為會較在各工序ST4及工序ST5實行中之支撐台26的溫度要高。
一實施形態中，在實行被包含在工序STA之工序ST5的支撐台26之溫度係設定為會與工序STC實行中之支撐台26的溫度大致相同的溫度。由於第5膜F5形成時，支撐台26的溫度會與針對基板W之成膜處理(工序STC)實行時之支撐台26的溫度大致相同，故第5膜F5係具有會與基板W上之含金屬膜相 同之膜質。從而，便可在基板W上形成具有穩定膜質之含金屬膜。
一實施形態中，工序ST5之處理條件係設定為會較各工序ST1、工序ST2、工序ST3及工序ST4的處理條件要接近於工序STC之處理條件。另外，處理條件係包含支撐台26之溫度、內部空間IS中之壓力、供給至內部空間IS之複數氣體的流量、從高頻電源50來供給至上部電極18的高頻電力。
又，一實施形態中，如圖6所示，工序STE實行中，支撐台26的溫度係設定為會較工序STC實行中之支撐台26的溫度要低之溫度。
以上，雖已就各種實施形態來加以說明，但並不限於上述實施形態而可構成各種變形態樣。例如，適用方法MP，且用於成膜方法MP之實行的成膜裝置可為任意成膜裝置。又，構成多層膜ML之膜的個數可為4個。例如，多層膜ML係可具有上述第2~第5膜來做為4個膜。又，構成多層膜ML之膜的個數亦可為6個以上。
以下，便就為了評價方法MP而進行的實驗來加以說明。另外，本揭露並不會因下述所說明之實驗而被限定。
第1實驗中，係使用成膜裝置10來實行成膜方法MD，而在工序STA與工序STE之間於25個基板上形成鈦膜。第1實驗之工序STA中，係實行工序ST2、工序ST3、工序ST4以及工序ST5。又，第2實驗中，係使用成膜裝置10來實行成膜方法MD，而在工序STA與工序STE之間於25個基板上形成鈦膜。第2實驗之工序STA中，係實行工序ST1、工序ST2、工序ST3、工序ST4以及工序ST5。
以下，便將第2實驗中之工序ST1的條件以及第1實驗及第2實驗中之各工序ST2、工序ST3、工序ST4以及工序ST5的處理條件表示於表1。又，將第1實驗及第2實驗中之工序STC的處理條件表示如下。表1中，向下之箭頭係表示以該箭頭所表示之處理條件的數值會較工序ST2所對應之處理條件的數值要低。表1中，向上的箭頭係表示以該箭頭所表示之處理條件的數值會較工序ST2所對應之處理條件的數值要高。又，表1中，向左的箭頭係表示以該箭頭所表示之處理條件的數值會與工序ST2所對應之處理條件的數值相同。
(工序STC之處理條件)
TiCl4氣體：1sccm~50sccm
Ar氣體：100sccm~5000sccm
H2氣體：1sccm~500sccm
高頻：450kHz，100W~3000W
內部空間IS中之壓力：50Pa~800Pa
支撐台26之溫度：320℃~700℃
然後，在各第1實驗及第2實驗中求出處理完第17個及第25個的基板上的顆粒個數。另外，計數後之顆粒係具有45nm以上的寬度者。在第1實驗中處理完第17個之基板上的顆粒個數係4個，在第1實驗中處理完第25個之基板上的顆粒個數係6個。又，在第2實驗中處理完第17個之基板上的顆粒個數係1個，在第2實驗中處理完第25個之基板上的顆粒個數係1個。由此結果看來，確認到在進行成膜處理前，藉由實行工序ST2、工序ST3、工序ST4及工序ST5來將腔室12內之表面12s做預塗，便可減少基板上之顆粒個數。又，確認到在進行成膜處理前，藉由實行工序ST1、工序ST2、工序ST3、工序ST4及工序ST5來將腔室12內之表面12s做預塗，便可進一步地減少基板上之顆粒個數。

Claims (20)

  1. 一種預塗方法，係腔室內之表面用的預塗方法，該表面係包含設置於該腔室內之內部空間中的基板用之支撐台的表面，該預塗方法係包含：藉由將包含金屬原料氣體及含氫氣體之第1氣體供給至該內部空間，來在該表面上形成第1膜之工序；藉由將包含該金屬原料氣體及含氫氣體之第2氣體供給至該內部空間，來在該第1膜上形成第2膜之工序；以及藉由將包含該金屬原料氣體及含氫氣體之第3氣體供給至該內部空間，來在該第2膜上形成第3膜之工序；為該第1氣體中該含氫氣體之流量相對於該金屬原料氣體之流量的比率之第1比率會較為該第2氣體中該含氫氣體之流量相對於該金屬原料氣體之流量的比率之第2比率及為該第3氣體中該含氫氣體之流量相對於該金屬原料氣體之流量的比率之第3比率要高；該第1氣體中之該金屬原料氣體的該流量會較該第2氣體中之該金屬原料氣體的該流量及該第3氣體中之該金屬原料氣體的該流量要少。
  2. 如申請專利範圍第1項之預塗方法，其中該第3比率會較該第2比率要低；該第3氣體中之該金屬原料氣體的該流量係該第2氣體中之該金屬原料氣體的該流量以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之預塗方法，其中該第3比率會較該第2比率要低；該第3氣體中之該金屬原料氣體的該流量會較該第2氣體中之該金屬原料氣體的該流量要少。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之預塗方法，其中在形成第1膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力會較在形成第2膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力要低；在形成第2膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力係在形成第3膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力以上。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之預塗方法，其中在形成第1膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力會較在形成第2膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力要低；在形成第2膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力會較在形成第3膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力要低。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之預塗方法，其中分別被包含在該第1氣體、該第2氣體以及該第3氣體的該金屬原料氣體係四氯化鈦氣體；分別被包含在該第1氣體、該第2氣體以及該第3氣體中之一者以上的該含氫氣體係氫氣；從該四氯化鈦氣體與該氫氣來形成鈦膜。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之預塗方法，其中分別被包含在該第1氣體、該第2氣體以及該第3氣體的該金屬原料氣體係四氯化鈦氣體；分別在該第1氣體、該第2氣體以及該第3氣體中之一者以上的氣體係包含氨氣來作為該含氫氣體，或是包含氫氣來作為該含氫氣體且包含氮氣。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之預塗方法，其中該第1氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第1膜之該工序係在該內部空間中生成該第1氣體之電漿；該第2氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第2膜之該工序係在該內部空間中生成該第2氣體之電漿；該第3氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第3膜之該工序係在該內部空間中生成該第3氣體之電漿。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之預塗方法，其係進一步地包含：藉由將包含該金屬原料氣體及含氫氣體的第4氣體供給至該內部空間，來在該第3膜上形成第4膜之工序；以及藉由將包含該金屬原料氣體及含氫氣體的第5氣體供給至該內部空間，來在該第4膜上形成第5膜之工序；該第1比率會較為該第4氣體中該含氫氣體之流量相對於該金屬原料氣體之流量的比率之第4比率及為該第5氣體中該含氫氣體之流量相對於該金 屬原料氣體之流量的比率之第5比率要高；該第1氣體中之該金屬原料氣體的該流量會較該第4氣體中之該金屬原料氣體的該流量及該第5氣體中之該金屬原料氣體的該流量要少。
  10. 如申請專利範圍第9項之預塗方法，其中在形成第3膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力係在形成第4膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力以下；在形成第4膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力會較在形成第5膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力要高。
  11. 如申請專利範圍第9項之預塗方法，其中在形成第3膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力會較在形成第4膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力要高；在形成第4膜之該工序的實行中，該內部空間中的壓力會較在形成第5膜之該工序的實行中之該內部空間中的壓力要高。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之預塗方法，其中該第4氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第4膜之該工序係在該內部空間中生成該第4氣體之電漿；該第5氣體係進一步地包含非活性氣體，形成第5膜之該工序係在該內部空間中生成該第5氣體之電漿。
  13. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之預塗方法，其中形成第1膜之該工序中的該支撐台之溫度、形成第2膜之該工序中的該支撐台之溫度以及形成第3膜之該工序中的該支撐台之溫度會較形成第4膜之該工序中的該支撐台之溫度及形成第5膜之該工序中的該支撐台之溫度要高。
  14. 如申請專利範圍第9至13項中任一項之預塗方法，其中形成該第1膜之該工序中的該支撐台之溫度以及形成第2膜之該工序中的該支撐台之溫度會較形成第3膜之該工序中的該支撐台之溫度要高。
  15. 如申請專利範圍第9至14項中任一項之預塗方法，其中分別被包含在該第1氣體、該第2氣體、該第3氣體、該第4氣體以及該第5氣體的該金屬原料氣體係四氯化鈦氣體；分別被包含在該第1氣體、該第2氣體、該第3氣體、該第4氣體以及該 第5氣體中之一者以上的該含氫氣體係氫氣；從該四氯化鈦氣體與該氫氣來形成鈦膜。
  16. 如申請專利範圍第9至14項中任一項之預塗方法，其中分別被包含在該第1氣體、該第2氣體、該第3氣體、該第4氣體以及該第5氣體的該金屬原料氣體係四氯化鈦氣體；分別在該第1氣體、該第2氣體、該第3氣體、該第4氣體以及該第5氣體中之一者以上的氣體係包含氨氣來作為該含氫氣體，或是包含氫氣來作為該含氫氣體且包含氮氣。
  17. 如申請專利範圍第9至14項中任一項之預塗方法，其中分別被包含在該第1氣體、該第2氣體、該第3氣體、該第4氣體以及該第5氣體的該金屬原料氣體係四氯化鈦氣體；分別被包含在該第1氣體、該第2氣體、該第3氣體以及該第5氣體的該含氫氣體係氫氣；各該第1膜、該第2膜、該第3膜以及該第5膜係鈦膜；該第4氣體係包含氨氣來作為該含氫氣體，或是包含氫氣來作為該含氫氣體且包含氮氣。
  18. 一種成膜方法，係包含：藉由實行如申請專利範圍第1至17項中任一項的預塗方法來在該腔室內之該表面實行預塗的工序；在實行預塗之該工序後，將基板載置於該支撐台上的工序；以及藉由將包含該金屬原料氣體及含氫氣體之處理氣體供給至該內部空間，來在該基板上形成含金屬膜的工序。
  19. 一種成膜方法，係包含：藉由實行如申請專利範圍第9至17項中任一項的預塗方法來在該腔室內之該表面實行預塗的工序；在實行預塗之該工序後，將基板載置於該支撐台上的工序；以及藉由將包含該金屬原料氣體及含氫氣體之處理氣體供給至該內部空間，來在該基板上形成含金屬膜的工序；在形成第5膜之該工序的實行中，該支撐台的溫度係與在形成該含金屬 膜之該工序的實行中之該支撐台的溫度相同。
  20. 如申請專利範圍第18或19項之成膜方法，其中該處理氣體係進一步地包含非活性氣體，形成含金屬膜之該工序係在該內部空間中生成該處理氣體之電漿。
TW108101110A 2018-01-15 2019-01-11 預塗方法及成膜方法 TW201940730A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018004249A JP6917315B2 (ja) 2018-01-15 2018-01-15 プリコート方法及び成膜方法
JP2018-004249 2018-01-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201940730A true TW201940730A (zh) 2019-10-16

Family

ID=67212737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108101110A TW201940730A (zh) 2018-01-15 2019-01-11 預塗方法及成膜方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11718910B2 (zh)
JP (1) JP6917315B2 (zh)
KR (1) KR102229995B1 (zh)
TW (1) TW201940730A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022098040A (ja) * 2020-12-21 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3624628B2 (ja) 1997-05-20 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US6589868B2 (en) * 2001-02-08 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput
JP4393071B2 (ja) * 2002-07-12 2010-01-06 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP5140957B2 (ja) * 2005-12-27 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR20070104253A (ko) * 2006-04-21 2007-10-25 동경 엘렉트론 주식회사 Ｔｉ 막의 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
KR20090025053A (ko) * 2007-09-05 2009-03-10 주식회사 아이피에스 화학기상증착 챔버의 시즈닝 방법
JP2010065309A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Tokyo Electron Ltd Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体
JP5560589B2 (ja) * 2009-05-08 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及びプラズマ成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019123900A (ja) 2019-07-25
KR20190087304A (ko) 2019-07-24
US11718910B2 (en) 2023-08-08
US20190218662A1 (en) 2019-07-18
JP6917315B2 (ja) 2021-08-11
KR102229995B1 (ko) 2021-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5859586B2 (ja) 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP3725100B2 (ja) 成膜方法
KR100892789B1 (ko) 성막 처리 방법
JP5439771B2 (ja) 成膜装置
US20180112312A1 (en) Film forming apparatus and film forming method
JP6426893B2 (ja) コンタクト層の形成方法
CN104752276A (zh) 衬底处理装置及半导体器件的制造方法
CN111463123A (zh) 蚀刻膜的方法
KR20200097646A (ko) 기판 처리 방법 및 성막 시스템
JP7085824B2 (ja) 成膜方法
KR101759769B1 (ko) Ｔｉ막의 성막 방법
KR101787806B1 (ko) ＴｉＮ막의 성막 방법 및 기억 매체
KR20100031460A (ko) Ｔｉ계 막의 성막 방법 및 기억 매체
US10903086B2 (en) Titanium silicide region forming method
TW201940730A (zh) 預塗方法及成膜方法
US20190385843A1 (en) Method of forming metal film and film forming apparatus
US20190221434A1 (en) Tungsten film forming method, film forming system and film forming apparatus
US12009217B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US11551933B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20070090970A (ko) 가스 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
WO2022009746A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
TW201907046A (zh) 成膜方法及成膜裝置
US20230124029A1 (en) Particle suppression method
WO2021210441A1 (ja) タングステン膜を形成する方法及び装置、並びにタングステン膜を形成する前の中間膜の形成を行う装置
KR20240087569A (ko) 기판 처리 장치의 프리 코팅 방법 및 기판 처리 장치