TW201939077A - 偏光板及偏光板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的係提供一種偏光板，其即使具備相位差膜時，在偏光板之辨識側表面產生之凹凸亦難以辨識，而使偏光板之外觀成為良好者。
本發明之偏光板係隔著接著劑層積層有偏光片與相位差膜者，且將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜作為H2(f)時，前述相位差膜之與前述偏光片為相反側之面滿足下述式(1)，前述相位差膜係積層於圖像顯示元件側之膜，H2(425)/H2(212)≦10 (1)。

Description

偏光板及偏光板的製造方法
本發明係關於偏光板及偏光板之製造方法。
液晶顯示裝置、有機電致發光(EL)顯示裝置係善用耗電功率低、以低電壓運轉、輕量且薄型等特徴，而使用於各種顯示用裝置者。構成液晶顯示裝置之液晶面板係具有一對直線偏光板積層於液晶單元之兩面的構成。直線偏光板通常係使用隔著接著劑而積層偏光片與保護膜之構成者。有機EL顯示裝置係具有配置於有機EL顯示元件之辨識側(亦稱觀視側)的圓偏光板。圓偏光板通常係使用隔著接著劑層而積層偏光片與相位差膜之構成者。
伴隨直線偏光板及圓偏光板(以下，總稱為偏光板。)在行動裝置之發展，對於構成偏光板之偏光片或保護膜等逐漸要求薄膜化。若偏光片或保護膜等之厚度變薄，在使接著劑硬化時或乾燥時，接著劑會收縮，故有時在保護膜表面會產生如波浪之凹凸。
如此之凹凸係在將偏光板積層於圖像顯示元件亦即液晶單元或有機EL顯示元件時，尤其關係到辨識側表面的表面均勻性缺乏、高級感欠缺之外觀上的不佳情形。
在專利文獻1係揭示一種在偏光片之辨識側表面隔著接著劑層而積層保護膜之偏光板。專利文獻1所記載之偏光板係相對於偏光片及保護膜之合計厚度，使接著劑層之厚度變得較薄，藉此減少接著劑之收縮力。如此一來，可減輕在保護膜之辨識側表面產生之凹凸，但仍有大幅改善之餘地。
又，偏光板具有相位差膜時，因為會比物理性表面凹凸更明顯辨識凹凸，故容易發現外觀之不良。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-114538號公報
本發明之目的係提供一種即使偏光板具備相位差膜時，亦使在偏光板之辨識側表面產生之凹凸難以辨識，而使偏光板之外觀成為良好者。
[1]一種偏光板，係隔著接著劑層積層有偏光片與相位差膜者，且將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜(power spectral)作為H2(f)時，前述相位差膜之與前述偏光片為相反側之面滿足下述式(1)，前述相位差膜係積層於圖像顯示元件側之膜，H2(425)/H2(212)≦10 (1)。
[2]如[1]項所述之偏光板，其中，前述相位差膜係包含厚度為0.5至5.0μm之液晶層、及厚度為10至50μm之基材膜，且在波長590nm之面內相位差值為100至150nm。
[3]如[1]或[2]項所述之偏光板，其中，前述接著劑層為活性能量線硬化型接著劑之硬化層。
[4]一種偏光板之製造方法，係包含下列步驟：在相位差膜上貼合加工紙，而獲得積層膜之步驟；從前述積層膜剝離前述加工紙，而獲得相位差膜之步驟；以及隔著接著劑而在相位差膜上貼合偏光片，而獲得偏光板之步驟；其中，將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜作為H2(f)時，前述加工紙之與前述相位差膜之貼合面滿足下述式(2)，H2(425)/H2(212)≦10 (2)。
依據本發明，即使偏光板具備相位差膜時，亦可使在偏光板之辨識側表面產生之凹凸難以辨識，而使偏光板之外觀成為良好者。
2‧‧‧偏光片
3‧‧‧基材膜
4‧‧‧保護膜
5‧‧‧液晶層
6‧‧‧黏著劑層
10、11‧‧‧接著劑層
20‧‧‧相位差膜
100、101‧‧‧偏光板
第1圖係表示本發明之偏光板的一例之剖面圖。
第2圖係表示本發明之偏光板的一例之剖面圖。
一邊參照適當圖式，一邊說明有關本發明之偏光板及偏光板之製造方法。
在一實施形態中，本發明之偏光板係具備第1圖所示之構件。第1圖所示之偏光板100係隔著接著劑層10積層有偏光片2與相位差膜20。在第1圖中，相位差膜20係包含基材膜3與液晶層5。
本發明之偏光板係亦可更含有保護膜或黏著劑層(pressure-sensitive adhesive layer)等。在一實施形態中，本發明之偏光板係具備第2圖所示之構件。第2圖所示之偏光板101，係在偏光片2之一面隔著接著劑層10而積層相位差膜20，在偏光片2之另一面隔著接著劑層11而積層保護膜4，在相位差膜20上積層黏著劑層6。黏著劑層6例如可為用以貼合於液晶單元等之圖像顯示元件的黏著劑層。
在本發明之偏光板中，將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜作為H2(f)時，相位差膜之與前述偏光片為相反側之面滿足下述式(1)，下述式(1)之左邊係以6以下為較佳，以4以下為更佳。下限值並無特別限定，但可為2以上。
H2(425)/H2(212)≦10 (1)
H2(425)係表示在周期425μm之一維功率頻譜，H2(212)係表示在周期212μm之一維功率頻譜，可以記載於後述之實施例的方法進行測定。
藉由使相位差膜之表面凹凸滿足上述式(1)，可使在偏光板之辨識側表面產生的凹凸難以辨識。所謂偏光板之辨識側表面係例如在第1圖所示之偏光板100中為偏光片2之表面，在第2圖所示之偏光板101中為保護膜4之表面。亦即，使以偏光片為基準而配置於靠近圖像顯示元件側之相位差膜的表面形狀滿足式(1)，可使離圖像顯示元件較遠之側的偏光板表面之凹凸難以辨識，而使外觀成為良好者。
上述式(1)對於使辨識側表面之凹凸難以辨識有何助益乙事係推定如以下，但本發明並不受任何限定本。在表面凹凸之周期212μm或周期425μm的一維功率頻譜分別表示在相位差膜之表面的周期200μm附近或周期400μm附近之起伏度的大小。如後述，在相位差膜的製造步驟中，為了防止刮傷、或克服相位差膜彼此間之結塊，有時會貼合加工紙。其結果，加工紙之表面形狀有時被轉印至相位差膜。表面形狀容易被轉印係明顯地依存於表面形狀之周期。具體而言，經本發明人等之研究可知，周期為400μm左右之表面形狀容易被轉印，周期為300μm以下之表面形狀難以被轉印。亦即，只藉由僅使算術平均起伏度Wa設為既定值以下，而降低相位差膜表面之物理性凹凸的情況下，不足以使辨識側表面之凹凸難以辨識。咸認相對於周期200μm之起伏度，將周期400μm附近的起伏度之大小設為既定之範圍，可使辨識側表面之凹凸難以辨識。
相位差膜之與偏光片為相反側之面滿足上述式(1)。該面之算術平均粗度Ra(JIS B 0601-2001)通常為0nm以上，較佳係10nm以上， 通常為1000nm以下，較佳係500nm以下，峰度(Kurtosis)Pku(JIS B 0601-2001)通常為0以上，較佳係1.0以上，通常為10以下，較佳係5以下，偏度(Skewness)Psk(JIS B 0601-2001)通常為-5至+5，較佳係-1至+1。
以下，說明有關構成本發明之偏光板的各構件。
(偏光片)
使用於本發明之偏光片通常係經過如下步驟而製造者：將聚乙烯醇系樹脂膜進行單軸延伸之步驟；將聚乙烯醇系樹脂膜以二色性色素進行染色而使其吸附二色性色素之步驟；將吸附有二色性色素之聚乙烯醇系樹脂膜以硼酸水溶液進行處理之步驟；及以硼酸水溶液在處理後進行水洗之步驟。
聚乙烯醇系樹脂係可使用由聚乙酸乙烯酯系樹脂皂化者。聚乙酸乙烯酯系樹脂係除了乙酸乙烯酯之均聚物的聚乙酸乙烯酯之外，可舉例如其和可與乙酸乙烯酯共聚合之其他單體的共聚物等。可與乙酸乙烯酯共聚合之其他的單體係可舉例如不飽和羧酸類、烯烴類、乙烯基醚類、不飽和磺酸類、及具有銨基之丙烯醯胺類等。
聚乙烯醇系樹脂之皂化度通常為85至100mol%左右，以98mol%以上為較佳。該聚乙烯醇系樹脂可經改質，例如，亦可使用經醛類改質之聚乙烯甲醛或聚乙烯縮醛等。又，聚乙烯醇系樹脂之聚合度通常為1,000至10,000左右，以1,500至5,000左右為較佳。
將聚乙烯醇系樹脂製膜後者係用作為偏光片之胚膜。將聚乙烯醇系樹脂膜製膜之方法係可以公知之方法製膜。聚乙烯醇系胚膜之膜厚若考量使所得之偏光片的厚度為15μm以下時，以5至35μm左右為較佳， 以5至20μm為更佳。若胚膜之膜厚為35μm以上，必須提高製造偏光片時之延伸倍率，且所得之偏光片的尺寸收縮有變大之傾向。
另一方面，若胚膜之膜厚為5μm以下，施予延伸時之操作性會降低，製造中有容易產生切斷等不佳情形之傾向。
聚乙烯醇系樹脂膜之單軸延伸係可在二色性色素之染色前、與染色同時、或染色之後進行。在染色之後進行單軸延伸時，該單軸延伸係可在硼酸處理之前或硼酸處理時進行。又，亦可在此等複數之階段進行單軸延伸。
進行單軸延伸時，可在周速相異之滾輪間朝單軸延伸，亦可使用熱滾輪朝單軸延伸。又，單軸延伸係可為在大氣中進行延伸之乾式延伸，或使用溶劑以使聚乙烯醇系樹脂膜膨潤之狀態進行延伸之濕式延伸。延伸倍率通常為3至8倍左右。
將聚乙烯醇系樹脂膜以二色性色素進行染色之方法，係採用例如將聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於含有二色性色素之水溶液的方法。二色性色素具體而言，係使用碘或二色性染料。又，聚乙烯醇系樹脂膜較佳係在染色處理之前在水中施予浸漬處理。
使用碘作為二色性色素時，通常係採用在含有碘及碘化鉀之水溶液中浸漬聚乙烯醇系樹脂膜而染色之方法。在該水溶液中之碘的含量通常在每100重量份的水中為0.01至1重量份左右。又，碘化鉀之含量通常在每100重量份的水中為0.5至20重量份左右。使用於染色之水溶液的溫度通常為20至40℃左右。
又，於該水溶液之浸漬時間(染色時間)通常為20至1,800秒左右。
另一方面，使用二色性染料作為二色性色素時，通常係採用在含有水溶性二色性染料之水溶液中浸漬聚乙烯醇系樹脂膜而染色之方法。在該水溶液中之二色性染料的含量通常在每100重量份的水中為1×10-4至10重量份左右，以1×10-3至1重量份左右為較佳。該水溶液亦可含有硫酸鈉等無機鹽作為染色助劑。使用於染色之二色性染料水溶液的溫度通常為20至80℃左右。又，於該水溶液之浸漬時間(染色時間)通常為10至1,800秒左右。
藉由二色性色素在染色後進行之硼酸處理通常可藉由將經染色之聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於含有硼酸之水溶液中而進行。
含有硼酸的水溶液中之硼酸的量通常在每100重量份的水中為2至15重量份左右，以5至12重量份為較佳。使用碘作為二色性色素時，該含有硼酸之水溶液係以含有碘化鉀為較佳。含有硼酸之水溶液中之碘化鉀的量通常在每100重量份的水中為0.1至15重量份左右，以5至12重量份左右為較佳。於含有硼酸之水溶液之浸漬時間通常為60至1,200秒左右，以150至600秒左右為較佳，以200至400秒左右為更佳。含有硼酸之水溶液的溫度通常為50℃以上，以50至85℃為較佳，以60至80℃為更佳。
硼酸處理後之聚乙烯醇系樹脂膜通常經水洗處理。水洗處理係例如可藉由將經硼酸處理之聚乙烯醇系樹脂膜浸漬於水中而進行。水洗處理中之水的溫度通常為5至40℃左右。又，浸漬時間通常為1至120秒左右。
水洗後施予乾燥處理，獲得偏光片。乾燥處理係可使用熱風乾燥機或遠紅外線加熱器而進行。乾燥處理之溫度通常為30至100℃左右，以50至80℃為較佳。乾燥處理之時間通常為60至600秒左右，以120至600秒為較佳。
藉由乾燥處理，偏光片之含水率減少至實用程度。其含水率通常為5至20重量%，以8至15重量%為較佳。若含水率低於5重量%，偏光片之可撓性會喪失，有偏光片在其乾燥後損傷或破裂之情形。又，若含水率超過20重量%，有偏光片之熱安定性變差之情形。
又，在偏光片之製造步驟中之聚乙烯醇系樹脂膜的延伸、染色、硼酸處理、水洗步驟、乾燥步驟係例如亦可依據記載於日本特開2012-159778號之方法進行。該文獻記載之方法係藉由將聚乙烯醇系樹脂塗佈於基材膜而形成作為偏光片之聚乙烯醇系樹脂層。
本發明之效果係偏光片之厚度更薄時(無彈性時)為顯著，例如偏光片之厚度可為15μm以下，亦可為10μm以下。從使光學特性成為良好者之觀點而言，偏光片之厚度例如為3μm以上。
(保護膜)
保護膜可由樹脂膜構成，甚至可以透明的樹脂膜構成。尤其，較佳係以透明性、機械性強度、熱安定性、水分遮蔽性等優異之材料構成。在本說明書中，所謂透明的樹脂膜係指在可見光域中單體透過率為80%以上之樹脂膜。
形成保護膜之樹脂並無特別限定，可舉例如由甲基丙烯酸甲酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、環狀烯烴系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、纖維素系 樹脂、苯乙烯系樹脂、丙烯腈/丁二烯/苯乙烯系樹脂、丙烯腈/苯乙烯系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、聚偏氯乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚縮醛系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、改質聚苯醚系樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚碸系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚芳酸酯系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、及聚醯亞胺系樹脂等所構成之膜。
此等樹脂膜可為由原料樹脂所製膜之膜、或在製膜後進行橫向延伸而得之單軸延伸膜、製膜後進行縱向延伸並接著進行橫向延伸而得之二軸延伸膜等。
此等樹脂係可單獨使用、或組合2種類以上而使用。又，此等樹脂係亦可進行任意適當之聚合物改質後使用，該聚合物改質可舉例如包含共聚合、交聯、分子末端改質、控制立體規則性、及伴隨異種聚合物彼此間之反應的情形之混合等的改質。
此等之中，保護膜之材料較佳係使用甲基丙烯酸甲酯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、或纖維素系樹脂。在此所稱之聚烯烴系樹脂係包含鏈狀聚烯烴系樹脂及環狀聚烯烴系樹脂。
使用作為保護膜之膜係可為容易取得市售品者，若為甲基丙烯酸甲酯系樹脂膜，分別以商品名表示，可舉例如Sumipex(住友化學股份有限公司製)、Acrylite(註冊商標)、Acryplen(註冊商標)(以上為三菱Rayon股份有限公司製)、Delaglas(註冊商標)(旭化成股份有限公司製)、Paraglas(註冊商標)、Comoglas(註冊商標)(以上為Kuraray股份有限公司製)、及Acryviewa(註冊商標)(日本觸媒股份有限公司製)等。若為聚烯烴系樹脂膜，分別以商品名表示，可舉例如Zeonor(註冊商標)(日本Zeon股 份有限公司)、Arton(註冊商標)(JSR股份有限公司)等。若為聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂膜，分別以商品名表示，可舉例如Novaclear(註冊商標)(三菱化學股份有限公司製)及帝人A-PET片(帝人化成股份有限公司製)等。若為聚丙烯系樹脂膜，分別以商品名表示，可舉例如FILMAX CPP膜(FILMAX公司製)、Suntox(註冊商標)(Sun Tox股份有限公司製)、Tocello(註冊商標)(Tocello股份有限公司製)、Toyobo Pylen Film(註冊商標)(東洋紡績股份有限公司製)、Torayfan(註冊商標)(Toray Film加工股份有限公司製)、Japan polyace(日本Polyace股份有限公司製)、及太閤(註冊商標)FC(Futamura化學股份有限公司製)等。又，若為纖維素系樹脂膜，分別以商品名表示，可舉例如Fujitac(註冊商標)TD(Fujifilm股份有限公司製)、以及KC2UA及Konica Minolta TAC膜KC(Konica Minolta股份有限公司製)等。
又，保護膜亦可依需要而含有添加劑。添加劑可舉例如潤滑劑、抗結塊劑、熱安定劑、抗氧化劑、抗靜電劑、耐光劑、耐衝撃性改良劑等。
本發明之效果在保護膜之厚度更薄時(無彈性時)為顯著，例如保護膜之厚度可為1至50μm，亦可為10至40μm，也可為10至35μm。
保護膜係在與偏光片之貼合前，亦可施予皂化處理、電暈處理、或電漿處理等。在保護膜可進一步設有導電層、硬塗層、防眩層及低反射層等之功能層。
(相位差膜)
相位差膜係例如可由例示作為上述保護膜之材料的樹脂形成，其中，以環狀烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂為較佳。相位差膜係可由單層所形成，亦可由複數之層所形成。具有複數層之相位差膜可為例如含有例示作為上述保護膜之材料的樹脂膜(基材膜)及由液晶化合物聚合之液晶層者、含有複數(例如2層)之液晶層者。具有相位差之層可為樹脂膜及/或液晶層。
以在波長λ(nm)之面內相位差值作為Re(λ)，並以厚度方向之相位差值作為Rth(λ)時，在一實施形態中，相位差膜之面內相位差值Re(590)係例如可設為100至150nm，厚度方向之相位差值Rth(590)係例如可設為-200至+200nm。
面內相位差值Re、厚度方向相位差值Rth係以面內慢軸方向之折射率作為nx，以面內快軸方向(與面內慢軸方向正交之方向)之折射率作為ny，以厚度方向之折射率作為nz，以相位差膜之厚度作為d之時，定義如下述式(3)、式(4)。
Re=(nx-ny)×d (3)
Rth=[{(nx+ny)/2}-nz]×d (4)
相位差層含有之液晶層係可為λ/4板、λ/2板、正型C層。
相位差層含有複數的液晶層時，以1/4波長板與1/2波長板之組合、1/4波長板與正型C板之組合為較佳。λ/4板係在其波長550nm之面內的相位差值Re(550)滿足100nm≦Re(550)≦200nm之關係的層。λ/4板係亦可顯示滿足Re(450)<Re(550)<Re(650)之逆波長分散性。λ/2板係Re(550)滿足210nm≦Re(550)≦300nm之層。正型C層係以滿足nz>nx ≧ny之關係(nx之大小與ny之大小的差例如為±1%以內。)，且在其波長λ[nm]之厚度方向的相位差值Rth(λ)滿足-300nm≦Rth(550)≦-20nm之關係為較佳。
相位差層含有液晶層時，與僅以樹脂膜構成相位差層時相比，容易發現外觀不良。因為液晶層比樹脂膜薄，故每單位厚度之相位差的變化變大。
相位差層含有之液晶層係含有由液晶化合物聚合而硬化之層的層。有關液晶化合物之種類並無特別限定，但從其形狀可分類成棒狀型式(棒狀液晶化合物)及圓盤狀型式(圓盤狀液晶化合物、碟狀液晶化合物)。再者，分別有低分子型式與高分子型式。又，所謂高分子一般係指聚合度為100以上者(高分子物理/相轉移動力學，土井正男著，第2頁，岩波書店，1992)。在本實施形態，亦可使用任一液晶化合物。
再者，亦可使用2種以上之棒狀液晶化合物、或2種以上之圓盤狀液晶化合物、或棒狀液晶化合物與圓盤狀液晶化合物之混合物。
又，棒狀液晶化合物係可適宜使用例如日本特表平11-513019號公報之請求項1記載者、或日本特開2005-289980號公報之段落[0026]至[0098]記載者。圓盤狀液晶化合物係可適宜使用例如日本特開2007-108732號公報之段落[0020]至[0067]記載者、或日本特開2010-244038號公報之段落[0013]至[0108]記載者。
液晶層更佳係使用具有聚合性基之液晶化合物(棒狀液晶化合物或圓盤狀液晶化合物)而形成。藉此，可減少光學特性之溫度變化及濕度變化。
液晶化合物可為2種類以上之混合物。此時，較佳係至少1種具有2個以上之聚合性基。亦即，液晶層較佳係藉由聚合使具有聚合性基之棒狀液晶化合物或具有聚合性基之圓盤狀液晶化合物固定而形成之層。此時，形成層之後已不須顯示液晶性。
在棒狀液晶化合物或圓盤狀液晶化合物所含之聚合性基的種類並無特別限制，較佳係例如聚合性乙烯性不飽和基或環聚合性基等可進行加成聚合反應的官能基。更具體而言，可舉例如(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基、烯丙基等。其中，以(甲基)丙烯醯基為較佳。又，所謂(甲基)丙烯醯基的概念包含甲基丙烯醯基及丙烯醯基之兩者。
液晶層之形成方法並無特別限制，可舉例如公知之方法。例如，在樹脂膜(基材膜)塗佈含有具聚合性基之液晶化合物的光學異向性層形成用組成物(以下，僅稱為「組成物」。)而形成塗膜，對所得之塗膜施予硬化處理(紫外線之照射(光照射處理)或加熱處理)，藉此可製造相位差層。所製造之相位差層係可轉印於例如偏光片上、保護膜上、或其他樹脂膜(基材膜)。
組成物之塗佈可藉由公知之方法，例如線棒塗佈法、擠出塗佈法、直接凹版塗佈法、逆式凹版塗佈法、及模縫塗佈法而實施。
在組成物中係可含有上述之液晶化合物以外的成分。例如，在組成物中可含有聚合起始劑。所使用之聚合起始劑係依照聚合反應之形式而選擇例如熱聚合起始劑或光聚合起始劑。例如，光聚合起始劑可舉例如α-羰基化合物、酮醇醚(acyloin ether)、α-烴取代芳香族酮醇化合物、多核醌化合物、三芳基咪唑二聚物與對胺基苯基酮之組合等。聚合起始劑之 使用量較佳係相對於組成物之全固體成分為0.01至20質量%，以0.5至5質量%為更佳。
又，從塗佈膜之均勻性及膜之強度的點而言，在組成物中亦可含有聚合性單體。聚合性單體可舉例如自由基聚合性或陽離子聚合性之化合物。其中，以多官能性自由基聚合性單體為較佳。
又，聚合性單體較佳係與上述之含有聚合性基的液晶化合物具有共聚合性者。具體的聚合性單體可舉例如日本特開2002-296423號公報中之段落[0018]至[0020]記載者。聚合性單體之使用量相對於液晶化合物之全質量，較佳為1至50質量%，更佳係2至30質量%。
又，從塗佈膜之均勻性及膜之強度的點而言，在組成物中亦可含有界面活性劑。界面活性劑可舉例如以往公知之化合物。其中，特佳係氟系化合物。
又，在組成物中係亦可含有溶劑，較佳係使用有機溶劑。有機溶劑可舉例如醯胺(例如N,N-二甲基甲醯胺)、亞碸(例如二甲基亞碸)、雜環化合物(例如吡啶)、烴(例如苯、己烷)、氯化烷(例如氯仿、二氯甲烷)、酯(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯)、酮(例如丙酮、甲乙酮)、醚(例如四氫呋喃、1,2-二甲氧基乙烷)。其中，以氯化烷、酮為較佳。又，亦可併用2種類以上之有機溶劑。
又，在組成物中亦可含有如偏光片界面側垂直配向劑、空氣界面側垂直配向劑等垂直配向促進劑、以及偏光片界面側水平配向劑、空氣界面側水平配向劑等水平配向促進劑的各種配向劑。再者，在組成物中，除了上述成分以外，亦可含有密著改良劑、塑化劑、聚合物等。
在液晶層中，亦可包含具有界定液晶化合物之配向方向的機能之配向膜。配向膜一般係以聚合物作為主要成分。配向膜用聚合物材料係在多數之文獻中有記載，可取得多種市售品。
又，對於配向膜通常係施予公知之配向處理。例如，可舉例如摩擦處理、照射偏光之光配向處理等，但從配向膜之算術平均起伏度的觀點而言，以光配向處理為較佳。
本發明之效果係在相位差膜之厚度更薄時(無彈性之情形)為顯著，相位差膜之厚度可為例如60μm以下，亦可為40μm以下。相位差膜之厚度通常為5μm以上。又，相位差膜含有基材膜與液晶層時，基材膜之厚度以10至50μm為較佳，以10至30μm為更佳，液晶層之厚度以0.5至5.0μm為較佳。
又，相位差膜之彈性率在23℃時可為5000MPa以下，亦可為3000MPa以下，通常為2000MPa以上。彈性率係可依據JIS K 7161而進行測定。彈性率在MD方向與TD方向具有異向性時，在本說明書中，彈性率可設為兩者之平均。
即使為具有如此之範圍的厚度或彈性率之相位差膜，若依據本發明，藉由滿足式(1)，亦可使辨識側表面之凹凸難以辨識。
又，從使偏光板之外觀成為更良好者之觀點而言，相位差膜之與偏光片側為相反側之表面的算術平均起伏度Wa較佳為50nm以下，以40nm以下為更佳，以30nm以下為再更佳。在相位差膜之與偏光片側為相反側之表面的算術平均起伏度Wa通常為10nm以上。
(接著劑層)
形成接著劑層之接著劑係可使用活性能量線硬化型接著劑或水系接著劑。亦即，接著劑層為接著劑之硬化層。
如上述，在偏光板之表面產生凹凸之原因之一，可舉例如接著劑硬化之時或乾燥之時的硬化收縮。使用藉由光照射而以短時間使接著劑硬化而進行接著之活性能量線硬化型接著劑時，其收縮力(每單位時間)一般係大於以加熱使溶劑(例如水)乾燥及其後續依需要藉由熟成而耗費較多時間來進行接著的水系接著劑。因此，在本發明中，特別適宜適用於用以積層相位差膜之接著劑層由活性能量線硬化型接著劑所形成之情形，所得之凹凸抑制效果高。
如第2圖所示之偏光板101，在偏光片之兩側分別配置保護膜及相位差膜之情形，用以積層保護膜之接著劑與用以積層相位差膜之接著劑，可為互相相同，亦可為相異。依據與上述同樣之理由，用以積層保護膜之接著劑或形成接著劑層之接著劑，亦以活性能量線硬化型接著劑為較佳。
所謂活性能量線硬化型接著劑係指會因照射電子束、紫外線之活性能量線而進行硬化之接著劑，可舉例如，含有聚合性化合物及光聚合起始劑者、含有光反應性樹脂者、含有黏結劑樹脂及光反應性交聯劑者等。聚合性化合物可舉例如光硬化性環氧系化合物；光硬化性丙烯酸系化合物等光硬化性乙烯基化合物；光硬化性胺甲酸酯系化合物。光聚合起始劑可舉例如光陽離子聚合起始劑(例如使用光硬化性環氧系化合物時)、或光自由基聚合起始劑(例如使用光硬化性丙烯酸系化合物時)。
水系接著劑可舉例如由聚乙烯醇系樹脂水溶液所構成之接著劑、水系二液型胺甲酸酯系乳化液接著劑等。其中，適宜使用於由聚乙烯醇系樹脂水溶液所構成之水系接著劑。
聚乙烯醇系樹脂係除了將屬於乙酸乙烯酯之均聚物的聚乙酸乙烯酯進行皂化處理所得之乙烯醇均聚物之外，可使用將乙酸乙烯酯和可與此共聚合之其他單體的共聚物進行皂化處理而得之聚乙烯醇系共聚物、或將該等之羥基部分改質後之改質聚乙烯醇系聚合物等。水系接著劑係包含多元醛、水溶性環氧化合物、三聚氰胺系化合物、氧化鋯化合物、鋅化合物等之添加劑。
從減少使接著劑硬化之時或乾燥時之收縮，而更降低偏光板之凹凸的觀點而言，接著劑層之厚度例如為5μm以下，以2μm以下為較佳，亦可為1μm以下。又，從顯現充分的接著力之觀點而言，通常接著劑層之厚度為0.01μm以上。
上述接著劑可含有添加劑。添加劑可舉例如離子捕捉劑、抗氧化劑、鏈移動劑、感敏劑、增黏劑、熱塑性樹脂、填充劑、流動調整劑、塑化劑、消泡劑等。
(黏著劑層)
在偏光板之表面係可積層黏著劑層。可隔著該黏著劑層而將偏光板貼合於液晶單元等圖像顯示元件。在第2圖中，黏著劑層6相當於此。由黏著劑所形成之黏著劑層的厚度係以設為5至25μm為較佳。更佳係10至25μm。
形成黏著劑層之黏著劑係可適當選擇例如以丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、聚酯、聚胺甲酸酯、聚醯胺、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改質聚烯烴、環氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡膠系等的聚合物作為基材聚合物者而使用。黏著劑尤其以係顯示光學透明性優異、適度的潤濕性與凝聚性與接著性之黏著特性且耐候性或耐熱性等優異者為佳。
在黏著劑此外亦可調配各種之添加劑。添加劑可舉例如矽烷偶合劑或抗靜電劑。
以下，說明本發明之偏光板之製造方法。本發明之偏光板可藉由例如包含以下之步驟的方法而製造。
步驟(1)：在基材膜上形成配向膜後，在該配向膜上塗佈液晶化合物並使其聚合，藉此形成液晶層而獲得相位差膜之步驟。
步驟(2)：在相位差膜上貼合加工紙，而獲得積層膜之步驟。
步驟(3)：從積層膜剝離加工紙，而獲得相位差膜之步驟。
步驟(4)：隔著接著劑而於相位差膜上貼合偏光片(或附有保護膜之偏光片)，而獲得偏光板之步驟。
(步驟(1))
步驟(1)係製造相位差膜之步驟。在相位差膜含有基材膜與液晶層時，如上述，首先在基材膜上形成用以使液晶化合物配向之配向膜。配向膜可舉例如含有配向性聚合物之配向膜、光配向膜及在表面形成凹凸圖案或複數之溝並使其配向之溝槽配向膜等，並可藉由以往公知之方法而形成。
然後，在配向膜上塗佈含有液晶化合物之組成物，並依需要使溶劑乾燥之後，使液晶化合物聚合。液晶化合物之聚合可藉由使具有聚合性官能基之化合物聚合的公知方法而進行。具體而言，可舉例如熱聚合及光聚合，從聚合之容易性的觀點而言，以光聚合為較佳。光聚合可藉由對液晶化合物照射紫外線等活性能量線而進行。活性能量線係可從基材膜側照射，亦可從液晶化合物側照射，也可從基材膜側與液晶化合物側之兩者照射。
(步驟(2))
步驟(2)係在相位差膜上積層加工紙，而獲得積層膜之步驟。藉由將加工紙積層於相位差膜上，可使相位差膜的保存或運搬時之處理變得容易，或防止相位差膜彼此間之結塊，或防止塵埃等附著在相位差膜上而成為缺陷。從如此之觀點而言，加工紙較佳係積層於相位差膜之液晶層上。
步驟(2)中之加工紙可由單層所形成，亦可由複數之層所形成。其可含有黏著劑層，或不具有黏著劑層，但可降低殘膠等之不良之點而言，以具有自黏性之層的加工紙為較佳。形成加工紙之材料可舉例如與形成上述保護膜之材料為同樣之樹脂，其中，以聚烯烴系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂為較佳。
加工紙係可使用能夠由市售品取得者。具有聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂之基材膜的市售品之例，可舉例如東洋紡股份有限公司製「Comsmoshine(註冊商標)A4100」。具有聚乙烯系樹脂之基材膜的市售品之例，可舉例如Tredegar Film Products Corporation製「Force Field(註冊商標)1035」、Toray Film加工股份有限公司製「Toretec(註冊商標)」。
為達成滿足上述式(1)之表面形狀，尤其以在步驟(2)使用之加工紙的表面形狀為重要，在加工紙之與相位差膜積層的面較佳係在將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜作為H2(f)時滿足下述式(2)者。功率頻譜係可依後述實施例所記載之方法進行測定。H2(425)/H2(212)之下限值並無特別限定，但可設為2以上。
H2(425)/H2(212)≦10 (2)
加工紙表面之算術平均粗度Ra(JIS B 0601-2001)通常為0nm以上，較佳係10nm以上，通常為500nm以下，較佳係200nm以下，峰度Pku(JIS B 0601-2001)通常為0以上，較佳係1.0以上，通常為10以下，較佳係5以下，偏度Psk(JIS B 0601-2001)通常為-5至+5，較佳係-1至+1。
藉由使如此之表面形狀的加工紙積層於相位差膜，可將滿足式(1)之所希望的表面形狀轉印至相位差膜，並可使偏光板之辨識側表面的外觀成為良好者。
使用上述市售之膜作為加工紙時，因為在不同等級或批號上表面形狀會有所相異，故適宜選擇滿足式(2)之膜而使用。又，在加工紙之一表面與另一表面，表面形狀相異時，只要將滿足式(2)之表面作為與相位差膜積層之面即可。
又，從使偏光板之外觀為更良好者之觀點而言，在加工紙之與相位差膜積層之表面的算術平均起伏度Wa較佳為200nm以下，以150nm以下為更佳，亦可為100nm以下。在加工紙之與相位差膜積層之表面的算術平均起伏度Wa通常為50nm以上。
(步驟(3))
步驟(3)係從積層膜剝離加工紙，而獲得相位差膜之步驟。剝離方法並無特別限制，但例如可使加工紙或相位差膜環抱於滾輪的情況剝離。又，經剝離之加工紙亦可捲取。
(步驟(4))
步驟(4)係隔著接著劑而在相位差膜上貼合偏光片(或附有保護膜之偏光片)，而獲得偏光板之步驟。接著劑係可塗佈於相位差膜，亦可塗佈於偏光片，也可塗佈於相位差膜及偏光片之兩者。
又，相位差膜含有液晶層與樹脂膜時，於偏光片之貼合面可為樹脂膜之面，亦可為液晶層之面。使用水系接著劑作為接著劑時，可藉由乾燥以使相位差膜與偏光片接著。使用活性能量線硬化型接著劑作為接著劑時，可藉由照射紫外線等活性能量線，使相位差膜與偏光片接著。
使用水系接著劑時，例如可將貼合後之膜導入於乾燥爐而進行乾燥。乾燥溫度(乾燥爐之溫度)較佳係30至90℃。若未達30℃，相位差膜或保護膜有容易從偏光片剝離之傾向。又，若乾燥溫度超過90℃，偏光片之偏光性能有受熱而劣化之虞。乾燥時間可設為10至1000秒左右。
乾燥步驟後，亦可設有在室溫或較室溫略高之溫度例如20至45℃左右之溫度進行熟成12至600小時左右之熟成步驟。熟成溫度一般設定為比乾燥溫度還低。
活性能量線係可從相位差膜側照射，亦可從偏光片側照射，也可從相位差膜側與偏光片側之兩者照射。
活性能量線對活性能量線硬化型接著劑之照射強度，係依據活性能量線硬化型接著劑之組成而適當決定，但以對聚合起始劑之活性化有效的波長區域之照射強度設定成0.1至6000mW/cm2為較佳。照射強度為0.1mW/cm2以上時，反應時間不會太長，為6000mW/cm2以下時，因從線源輻射之熱及活性能量線硬化型接著劑硬化時的發熱而產生活性能量線硬化型接著劑的黃變或偏光片劣化之虞較少。
有關對於活性能量線硬化型接著劑之光照射時間，亦依據活性能量線硬化型接著劑之組成而適當決定，但較佳係使上述照射強度與照射時間之積所示之累積光量設定為10至10000mJ/cm2。累積光量為10mJ/cm2以上時，可使源自聚合起始劑之活性種產生充分的量而更確實地進行硬化反應，為10000mJ/cm2以下時，照射時間不會太長，可維持良好的生產性。
在相位差膜上貼合偏光片時，為使與偏光片之接著性提高，在相位差膜表面可進行電漿處理、電暈處理、紫外線照射處理、火焰(flame)處理、皂化處理等之表面處理(易接著處理)。例如相位差膜包含環狀聚烯烴系樹脂時，以進行電漿處理或電暈處理為較佳。又，相位差膜為由纖維素酯系樹脂所構成時，以進行皂化處理為較佳。皂化處理可舉例如浸漬於如氫氧化鈉或氫氧化鉀之鹼性水溶液的方法。
在步驟(4)中，亦可將附有保護膜之偏光片貼合於相位差膜而獲得偏光板。在偏光片上預先隔著接著劑積層保護膜以製造附有保護膜之偏光片，然後可將附有保護膜之偏光片的偏光片與相位差膜貼合。貼合保護膜與偏光片之方法，可舉例如與貼合上述相位差膜與偏光片之方法為 同樣之方法。又，可將保護膜、偏光片、及相位差膜3片同時貼合，而獲得偏光板。
在上述例中，係顯示剝離加工紙後貼合相位差膜與偏光片之例，但當然亦可貼合相位差膜與偏光片之後剝離加工紙。亦即，步驟(3)與步驟(4)之順序為任意。
如以上方式，可製造偏光板，但亦可進一步在相位差膜上形成黏著劑層。該黏著劑層例如亦可為用以積層於液晶單元等圖像顯示元件的黏著劑層。黏著劑層亦可藉由於相位差膜上直接塗佈黏著劑而形成，亦可藉由預先於基材膜上塗佈黏著劑而形成黏著劑層，並轉印於相位差膜上而形成。
又，連續製造長條狀之偏光板時，亦可裁切成既定之形狀(例如矩形)而作為偏光板之葉片體。
藉由使本發明之偏光板積層於圖像顯示元件，可獲得圖像顯示裝置。圖像顯示元件可舉例如液晶單元或有機EL顯示元件等。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細說明本發明，但本發明係不受此等之例而限定。例中，表示含量或使用量之%及份，只要無特別註明，皆為重量基準。又，在實施例使用之評估方法如以下。
(1)厚度：
使用Nikon股份有限公司製之數位測微器MH-15M而測定。
(2)面內遲滯值Re及厚度方向遲滯值Rth：
使用以平行偏光旋轉法作為原理之相位差計、王子計測機器股份有限公司製之KOBRA-WPR，以23℃之波長590nm的光進行測定。
(3)對於相位差膜表面、及加工紙表面之周期f(μm)之一維功率頻譜：H2(f)
使用屬於共焦點干涉顯微鏡之PLμ NEOX(Sensofar Japan製)，掃描表面之凹凸。解析所得之凹凸的數據，算出在周期212μm及周期425μm之H2(212)及H2(425)。
(4)算術平均起伏度：Wa
使用屬於掃描型白色干涉顯微鏡之VS1000(Hitachi High-Technologies股份有限公司製)，測定算術平均起伏度Wa。將測定範圍設為X=4000μm以上、Y=2000μm以上之範圍，截斷值係設為100μm。
(5)偏光板之外觀評估
在偏光板之相位差膜上積層黏著劑層，隔著黏著劑層而將偏光板貼合於玻璃板。對偏光板照映螢光燈，觀察其反射像而評估外觀。螢光燈之輪廓無變形而能夠鮮明地觀察到之情形判定為良好，螢光燈之輪廓產生變形而無法鮮明地觀察到之情形判定為不良。
(6)表面粗度Ra、峰度Pku、偏度Psk係分別從一維功率頻譜之測定所得到的凹凸之數據並依據JIS B 0601-2001求出。
準備以下之各構件。
(偏光片)
(1)底漆層形成步驟
將聚乙烯醇粉末(日本合成化學工業股份有限公司製之「Z-200」、平均聚合度1100、皂化度99.5莫耳%)溶解於95℃之熱水中，調製濃度3重量%之聚乙烯醇水溶液。所得到之水溶液中將交聯劑(田岡化學工業股份有限公司製「Sumirez Resin 650」)以相對於聚乙烯醇粉末6重量份為5重量份之比例混合，獲得底漆層形成用塗佈液。
準備厚度90μm之未延伸的聚丙烯(PP)膜(熔點：163℃)作為基材膜，對其單面施予電暈處理後，在該電暈處理面使用小徑凹版塗佈器而塗佈上述底漆層形成用塗佈液，藉由在80℃乾燥10分鐘，形成厚度0.2μm之底漆層。
(2)積層膜之製作(樹脂層形成步驟)
將聚乙烯醇粉末(Kuraray股份有限公司製之「PVA124」、平均聚合度2400、皂化度98.0至99.0莫耳%)溶解於95℃之熱水中，調製濃度8重量%之聚乙烯醇水溶液，將此作為聚乙烯醇系樹脂層形成用塗佈液。
在上述(1)所製作之具有底漆層的基材膜之底漆層表面使用模唇塗佈器而塗佈上述聚乙烯醇系樹脂層形成用塗佈液之後，在80℃乾燥20分鐘，藉此在底漆層上形成聚乙烯醇系樹脂層，獲得由基材膜/底漆層/聚乙烯醇系樹脂層所構成之積層膜。
(3)延伸膜之作製(延伸步驟)
對於上述(2)所製作之積層膜，使用浮動之縱向單軸延伸裝置在160℃實施5.8倍之自由端單軸延伸，獲得延伸膜。延伸後之聚乙烯醇系樹脂層的厚度為6.1μm。
(4)偏光性積層膜之製作(染色步驟)
將上述(3)所製作之延伸膜浸漬於含有碘與碘化鉀之30℃的染色水溶液(在每100重量份的水中含有碘0.6重量份、碘化鉀10重量份。)中約180秒鐘而進行聚乙烯醇系樹脂層之染色處理後，以10℃之純水沖洗多餘之染色水溶液。
浸漬於含有硼酸之78℃的第1交聯水溶液(在每100重量份的水中含有硼酸9.5重量份)120秒鐘，然後浸漬於含有硼酸及碘化鉀之70℃的第2交聯水溶液(在每100重量份的水中含有硼酸9.5重量份、碘化鉀4重量份。)60秒鐘而進行交聯處理。其後，以10℃之純水洗淨10秒鐘，最後在40℃乾燥300秒鐘，藉此獲得由基材膜/底漆層/偏光片所構成之偏光性積層膜。
(保護膜)
準備在環狀烯烴系樹脂膜(日本Zeon股份有限公司製，Zeonor膜(註冊商標))之一表面形成有硬塗層之膜。厚度為50μm。
(加工紙)
準備以下之加工紙。任一者皆為含有聚乙烯系樹脂且在表層具有自黏性層的加工紙。
加工紙A：Tredegar公司製「Force Field 1035」
加工紙B：Toray Film加工股份有限公司製「Toretec(註冊商標)7332K」
加工紙C：Toray Film加工股份有限公司製「Toretec(註冊商標)N711」
加工紙D：Tredegar公司製「Pearl」
在加工紙A之一表面的算術平均起伏度Wa為130nm，H2(425)為160，H2(212)為54。該表面之H2(425)/H2(212)為3.0。又，該加工紙A之表面以肉眼觀看為平滑。
在加工紙B之一表面的算術平均起伏度Wa為140nm，H2(425)為2700，H2(212)為41。該表面之H2(425)/H2(212)為66。又，該加工紙B之表面以肉眼觀看為平滑。
加工紙C之一表面的H2(425)為2.71×10-5，H2(212)為2.69×10-5，表面粗度Ra為190nm，峰度Pku為2.51，偏度Psk為-0.002。該表面之H2(425)/H2(212)為1.01。又，該加工紙C之表面以肉眼觀看為平滑。
加工紙D之一表面的H2(425)為2.87×10-6，H2(212)為1.24×10-6，表面粗度Ra為98nm，峰度Pku為2.47，偏度Psk為-0.114。該表面之H2(425)/H2(212)為2.31。又，該加工紙C之表面以肉眼觀看為平滑。
(相位差膜)
準備日本Zeon股份有限公司製之環狀烯烴系樹脂膜。厚度為20μm。對該膜之單面進行電暈處理。在經施予電暈處理之面以膜厚成為1μm之方式塗佈垂直配向膜用之組成物。對於塗佈膜以溫度100℃施予120秒鐘之熱處理，形成配向膜。垂直配向膜用之組成物係使用日產化學工業股份有限公司製的Sunever SE610。
在上述所形成之配向膜上，塗佈所調製之含有光聚合性向列性液晶化合物(Merck公司製，RMM28B)的組成物。組成物係含有丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)作為溶劑，並含有Irgacure(Irg-907)作為光聚合起始劑。該組成物之組成如以下。
光聚合性向列液晶化合物〔RMM28B〕：20重量份
光聚合起始劑〔Irgacure(Irg-907)〕：5重量份
溶劑〔丙二醇單甲基醚乙酸酯〕：80重量份
對塗佈後之塗佈層在溫度90℃施予120秒鐘之乾燥處理。其後，藉由照射紫外線(UV)使液晶化合物聚合，形成厚度1μm之由液晶化合物硬化之液晶相位差層(液晶相位差層整體之厚度為2μm)。如此方式，獲得由基材膜與液晶相位差層所構成之相位差膜。相位差膜之彈性率在23℃時，MD方向、TD方向分別為1900MPa、2300MPa。
繼而，將上述準備之加工紙A至加工紙D分別以具有表1所示之表面形狀的面(前述一表面)成為與液晶層之貼合面之方式貼合於液晶層上，獲得附有加工紙A之相位差膜、附有加工紙B之相位差膜、附有加工紙C之相位差膜及附有加工紙D之相位差膜。
該相位差膜係在可見光之波長區域中可發揮λ/4波長板的功能者，在厚度方向亦顯示相位差。
(紫外線硬化性接著劑)
準備由以下之組成所構成之紫外線硬化性接著劑。
3’,4’-環氧基環己基甲基3,4-環氧基環己烷羧酸酯〔商品名「CEL2021P」、Daicel股份有限公司製)：70重量份、新戊二醇二縮水甘油基醚〔商品名「EX-211」、Nagase Chemtex股份有限公司製〕：20重量份、2-乙基己基縮水甘油基醚〔商品名「EX-121」、Nagase Chemtex股份有限公司製〕：10重量份、光陽離子聚合起始劑〔商品名「CPI-100P」、Sunapro股份有限公司製〕：2.25重量份
[參考例1]
從上述所得之附有加工紙A的相位差膜剝離加工紙A，對所露出之剝離面(液晶層表面)的相位差膜之表面形狀進行測定，H2(425)為7.70×10-5，H2(212)為7.51×10-5。該表面之H2(425)/H2(212)為1.03。又，該剝離面(液晶層表面)以肉眼觀看為平滑。
[實施例1]
如以下方式而製造偏光板。
對上述保護膜施予電暈處理。在經施予電暈處理之面使用小徑凹版塗佈器塗佈上述紫外線硬化性接著劑。使用貼合滾輪，隔著紫外線硬化性接著劑在偏光性積層膜之偏光片上貼合保護膜。藉由紫外線照射使紫外線硬 化性接著劑硬化而形成接著劑層，獲得由保護膜/接著劑層/偏光片/底漆層/基材膜之層構成所構成之貼合膜。接著劑層之厚度為0.8μm。
從所得之貼合膜剝離除去基材膜。基材膜係容易剝離，且可獲得由第1保護膜/接著劑層/偏光片/底漆層之層構成所構成之單面附保護膜的偏光板。
對附有加工紙A之相位差膜中的環狀烯烴系樹脂膜上施予電暈處理。在經施予電暈處理之面使用小徑凹版塗佈器塗佈上述紫外線硬化性接著劑。使用貼合滾輪，隔著紫外線硬化性接著劑在單面附有保護膜之偏光板的底漆層上貼合附有加工紙之相位差膜。藉由紫外線照射使紫外線硬化性接著劑而形成接著劑層。接著劑層之厚度為0.8μm。
剝離加工紙A，獲得由第1保護膜/第1接著劑層/偏光片/底漆層/接著劑層/相位差膜所構成之偏光板。剝離加工紙A，對所露出之液晶層表面測定功率頻譜比H2(425)/H2(212)，進行偏光板之外觀評估。
相位差膜之與偏光片為相反側之表面的算術平均起伏度Wa為50nm以下。又，該剝離面(液晶層表面)以肉眼觀看為平滑。
[比較例1]
除了將附有加工紙A之相位差膜變更為附有加工紙B之相位差膜以外，其餘係以與實施例1同樣方式，製作偏光板。剝離加工紙B，對所露出之液晶層表面測定功率頻譜比H2(425)/H2(212)，進行偏光板之外觀評估。相位差膜之與偏光片為相反側之表面的算術平均起伏度Wa為50nm以下。又，該剝離面(液晶層表面)以肉眼觀看為平滑。
以上之結果表示於表2。
[參考例2]
從上述所得之附有加工紙C之相位差膜剝離加工紙C，測定剝離面之相位差膜的表面形狀，H2(425)為6.09×10-4，H2(212)為1.08×10-3，表面粗度Ra為344nm，峰度Pku為1.84，偏度Psk為+0.209。該表面之H2(425)/H2(212)為0.56。又，該剝離面(液晶層表面)以肉眼觀看為平滑。
[實施例2]
除了將附有加工紙A之相位差膜變更為附有加工紙C之相位差膜以外，其餘係以與實施例1同樣方式進行，所製作之偏光板中其加工紙C剝離後所露出之液晶層表面的功率頻譜比H2(425)/H2(212)為10以下，其外觀為良好。
[參考例3]
從上述所得之附有加工紙D之相位差膜剝離加工紙D，對所露出之剝離面(液晶層表面)之相位差膜的表面形狀進行測定，H2(425)為3.60×10-6，H2(212)為9.48×10-6，表面粗度Ra為212nm，峰度Pku為3.051，偏度 Psk為-0.010。該表面之H2(425)/H2(212)為0.38。又，該剝離面(液晶層表面)以肉眼觀看為平滑。
[實施例3]
除了將附有加工紙A之相位差膜變更為附有加工紙D之相位差膜以外，其餘係以與實施例1同樣方式進行，所製作之偏光板中其加工紙D剝離後所露出之液晶層表面的功率頻譜比H2(425)/H2(212)為10以下，其外觀為良好。
[產業上之可利用性]
依據本發明，即使偏光板具備相位差膜時，亦使在偏光板之辨識側表面產生的凹凸難以辨識，而使偏光板之外觀成為良好者。

Claims (4)

  1. 一種偏光板，係隔著接著劑層積層有偏光片與相位差膜者，且將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜作為H 2(f)時，前述相位差膜之與前述偏光片為相反側之面滿足下述式(1)，前述相位差膜係積層於圖像顯示元件側之膜，H 2(425)/H 2(212)≦10 (1)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光板，其中，前述相位差膜係包含厚度為0.5至5.0μm之液晶層、及厚度為10至50μm之基材膜，且在波長590nm之面內相位差值為100至150nm。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之偏光板，其中，前述接著劑層為活性能量線硬化型接著劑之硬化層。
  4. 一種偏光板之製造方法，係包含下列步驟：在相位差膜上貼合加工紙，而獲得積層膜之步驟；從前述積層膜剝離前述加工紙，而獲得相位差膜之步驟；以及隔著接著劑而在相位差膜上貼合偏光片，而獲得偏光板之步驟；其中，將對於表面凹凸之周期f(μm)的一維功率頻譜作為H 2(f)時，前述加工紙之與前述相位差膜之貼合面滿足下述式(2)，H 2(425)/H 2(212)≦10 (2)。
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