TW201937996A - 用於具有波導耦合裝置之雷達物位量測裝置的電路板 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種用於雷達物位量測裝置之具有電路板基板(12)的電路板(10)，其中，微波信號經由微波導體(16)耦合至波導(14)中。電路板基板(12)之前側(18)處的連接區域(22)用於容納波導(14)。藉由在電路板基板(12)之後側(28)處製造環形的周向凹槽(30)來反向地製造諧振盆之形狀，其中，凹槽(30)之壁具有電磁反射塗層(32)。凹槽(30)與後側(28)處之被凹槽圍繞的區域(34)共同形成用於被耦合之微波信號的諧振器。
Description
本發明係關於例如容器中之物位的量測。特別地，本發明係關於一種電路板，該電路板用於在波導中具有微波耦合裝置之基於微波或基於雷達的物位量測裝置。
已知的物位量測裝置愈來愈多地使用利用電磁波之傳播或此類波之反射特性及傳播時間特性來確定物位的原理。此處，自物位量測裝置在朝向容器中之填料之表面的方向上傳輸高頻電磁波(例如，微波脈衝)，高頻電磁波被該表面反射，並且根據被反射之微波信號之傳播時間來計算物位。隨著技術之進一步發展，特別是隨著電子學及半導體技術之發展，五十至一百兆赫範圍(oberen zweistelligen Gigahertzbereich)內之較高頻率亦愈來愈多地用於物位量測。特別地，由於高的頻率以及由此導致的波傳播之物理特性提高了對此類物位量測裝置之高頻部件的要求。在此類情況下，經常在包含用於產生微波脈衝之電子器件及天線裝置的電路板上形成高頻組件。
例如，一種將產生之高頻波傳遞至外部天線的方式係波導之連接。有利地，此等波導能夠用於在使用之頻率範圍內傳遞微波信號。一個特別的挑戰在於波導過渡，即，電磁波自(例如，電路板上之)導體傳輸至波導內部，反之亦然。例如，該導體可以設計成微帶，微帶之端部插入波導中。例如，波導可以設計成空氣波導。
為了實現電損耗及良好適配性，在此類情況下，可能特別地需要技術性預防措施。因此，例如，波導必須在其端部具有諧振器，以低損耗地或無損耗地耦合信號，諧振器之尺寸、直徑及幾何設計使使用頻率範圍內之損耗最小化。同時，期望的是，減小組件尺寸並且在保持高品質的同時簡化構造。解決問題之技術方案在於儘可能地整合各種功能並且由此獲得簡單及便宜的組件。例如，EP1949491B1揭示了一種波導過渡件，其中，波導之諧振器整合於電路板內。
下述實施例能夠提高基於雷達或基於微波之物位量測裝置的機械穩定性、電磁可靠性及精度。至少某些下文所述之實施例以如下構思為基礎：在現今已知的解決方案中需要通常被設計為盆形的諧振器。同時，需要在空間上將此類諧振器直接配置在波導之端部，以實現無損耗或低損耗的波導端接。此時，若波導習知地以90°之角度引入至電路板處，則需要在朝向電路板之基板之方向上插入電路板。例如，在先前技術中，此能夠藉由電路板基板之位於波導之延伸部分中的層中進行切槽或銑削來實現，然而，通常，該電路板基板之層必須藉助由高頻基板或塑膠罩蓋構成之覆蓋件來密封，以避免污染。此可能在電路板之電氣特性、電磁特性及機械特性方面具有缺點。
為此，作為解決方案，提出了一種用於雷達物位量測裝置之電路板，該電路板具有作為支撐材料之不導電的平面電路板基板。除了機械穩定功能及支撐功能之外，電路板基板被設計成針對所使用之電磁波頻率範圍係絕緣的。例如，該電路板基板可以係所謂的高頻基板。在電路板基板上配置有用於將微波信號耦合至波導中之微波導體。例如，該微波導體能夠被設計成微帶導體。在一個實例中，該微波導體配置在電路板基板之表面上。在另一實例中，微波導體至少部分地在電路板基板之內部延伸。
在電路板基板之前側配置有周向的，即環形的(例如，圓形或者方形的)連接區域，以用於容納波導之前側端部。例如，在通常情況下，電路板基板被設計成支撐板或底板，該支撐板或底板通常係由高頻基板及基礎支撐體(例如，FR4)製成之複合件。例如，藉由此類平面之設計能夠將前側定義成可以具有組件。相應地，後側或下側通常設置有接觸部及連接部。
換言之，環形連接區域係指電路板基板之前側之區域，該區域例如直接與波導或波導之壁接觸或者允許各別的機械容置。此處，環形應當被理解為，該區域在其習知形狀方面至少部分地適配於波導之橫截面形狀。例如，若波導之橫截面形狀係圓形的，則連接區域亦同樣被仿製成大致圓形的。
在一個實例中，連接區域被設計為矩形，以便容納具有矩形橫截面之波導。藉由各別的機械機構或者亦結合電氣接合部之方式能夠機械地固定波導。為此，波導例如能夠黏附、螺接或焊接在連接區域上。
微波導體之端部突出至連接區域內，使得微波信號能夠自微波導體傳遞至波導中，反之亦然。在一個實例中，微波導體之端部處於波導橫截面之大致中心處。換言之，微波導體之端部具有類似天線之功能，其用於將微波信號傳輸至波導中或者自波導接收微波信號。在一個實例中，微波導體配置在電路板基板內，由此不需要在波導之端部處形成用於絕緣微波導體之單獨間隙。
例如，在電路板基板之後側，相對於環形連接區域在朝向波導之方向上配置有對應於波導橫截面的並且呈環形的周向凹槽。原則上，連接區域之橫截面能夠相對於波導之橫截面形成階差，此係因為後一橫截面填充有介電質並且由此能夠變得更小。
換言之，凹槽在電路板基板之後側延伸，並與波導壁鄰接電路板基板前側處之區域相對。此處之目的在於減小電路板基板後側表面與波導之間的距離。凹槽應當設置在波導壁之儘可能大的區域上，理想情況下，設置在其整個區域上。由此產生之結構形成為大致盆形的形狀，其最終形成諧振器或諧振盆(Resonatortopf)之形狀。換言之，此處，與已知的解決方案相反，產生了凹形形狀(negative Form)之諧振器幾何形狀，或者反向地(即，在電路板基板之後側)產生該形狀。
在必要的情況下，凹槽不必須具有閉合形狀，而是亦可以考慮諸如溝槽、凹口、縫隙及其等同物等各種形狀。亦不需要絕對地實施閉合的環形，相反，根據一個實例，凹槽能夠由多個部段、部分弧形或者不同形狀之組合構成。在一個實例中，凹槽被設計成開放的圓弧或者被設計成開放的矩形形狀。
凹槽之壁及電路板基板之後側之被凹槽圍繞的區域具有微波反射塗層，使得它們共同形成了用於被耦合之微波信號的諧振器。換言之，藉由凹槽及被該凹槽圍繞的區域形成了大致盆形的形狀，即所謂的作為波導之電磁端接件的諧振盆。由於幾何形狀及尺寸並由於反射塗層而在相關頻率範圍中產生共振。在一個實例中，凹槽中之塗層與被凹槽圍繞的區域中之塗層彼此連接。在另一實例中，凹槽中之塗層及被圍繞的區域彼此分離。
在一個實施例中，反射塗層被設計成金屬塗層。金屬塗層可以由各種材料製成，較佳地，由導電良好的金屬製成，以便實現電磁及反射效果。金屬塗層之優點可以係良好的可接觸性及耐久性。在另一實施例中，在凹槽區域處，在前側與金屬塗層之間配置有貫通接觸部，使得金屬塗層能夠與波導電連接。換言之，在諧振盆與例如以金屬方式設計之波導壁之間形成電連接。
藉由貫通接觸部能夠實現與電路板基板之其他側之電連接。在此類情況下，藉由例如被設計成可導電的金屬化孔之貫通接觸部同時能夠保持電路板基板之穩定性，並且同時能夠實現電連接之足夠效能。例如，在前側，能夠藉由熔焊或者釺焊來形成貫通接觸部與波導之間的連接。
在一個實施例中，兩個相鄰的貫通接觸部之間的距離小於微波波長的四分之一。此能夠有利地防止微波自波導之內部區域或者自連接區域之內部區域傳播至波導外之區域中。即，在電磁方面，各個相鄰配置的貫通接觸部整體上如同針對微波之連續屏障那樣發揮作用。
在一個實施例中，後側之被凹槽包圍的區域在朝向前側之方向凹陷。例如，此可以藉由該區域之機械磨蝕來實現。由此減小了此類具有微波反射塗層之區域相對於波導的距離。例如，藉由凹陷之程度能夠實現諧振盆在使用頻率上之電磁調諧。在另一實施例中，凹槽及/或被凹槽包圍的區域填充有合成樹脂。其優點在於，藉由澆鑄能夠復原電路板基板之初始厚度並且由此能夠提高整個電路板基板及電路板之機械穩定性。諧振盆能夠在沒有此類填充之情況下機械地保持在保留之電路板層上。其是否適用取決於例如凹槽之尺寸。
另外，被凹槽圍繞的區域之凹陷能夠允許在被磨蝕之區域中容納合成樹脂層並且由於填充在凹槽中之合成樹脂而產生附加的穩定性。在一個實例中進行了合成樹脂之填充，從而再次形成了電路板基板後側之初始的平面表面構造。
在一個實施例中，連接區域及凹槽被設計為矩形。其優點在於，圓形或環形的波導亦可以源自於波導之具有矩形設計的橫截面。相應地，在另一實施例中提出了此類連接區域及凹槽之圓形設計。在此類情況下，根據另一實施例，電路板可以具有例如由銅製成之多個導電層。
根據另一實施例，電路板被設計為平面網格陣列(Land Grid Array)或球狀網格陣列(Ball Grid Array)。例如，此意謂，觸點焊盤設置在電路板基板之後側處，以用於與其他的部件及組件接觸。另外，此能夠有利地以SMD構造來實現電路板之設計。根據一個實例，電路板或者電路板基板之連接通往電路板基板之後側並且連接於觸點焊盤。例如，此能夠藉由釺焊連接來連接其他組件。
根據另一實施例，電路板具有多個導電層。
根據另一實例，電路板基板被塑膠圍繞。此類塑膠能夠有利地形成殼體功能並且能夠同時實現穩定性及小的組裝尺寸。根據另一實施例，電路板基板被塑膠圍繞，使得連接區域凹陷。因此，此使得，儘管有塑膠圍繞，波導仍然能夠與貫通接觸部或者電路板基板電氣接觸及機械接觸。
根據一個實施例，電路板在電路板基板之前側具有用於容納高頻晶片(HF-Chips)之另一凹槽，其中，微波導體在另一凹槽與連接區域之間延伸。半導體晶片置放在另一凹槽中且進而被所謂的圓頂封裝體(Glob-Top)或罩蓋封閉。
藉由使電路板基板上或電路板基板內部之微波導體通往波導之內部區域中，該配置良好地適用於將微波信號自高頻晶片傳遞至波導中。
因此，在低損耗及緊湊的機械結構之情況下，例如在空間上直接配置在連接區域附近之另一凹槽能夠有利地用於使電路板亦同時能夠作為功能單元產生高頻電磁信號並且處理接收之高頻信號。其優點在於，在技術上靈敏之高頻組件緊湊地並且密封地整合在組件中並且由此能夠最大程度地獨立於外界影響。根據一個實例，高頻晶片亦能夠在沒有另一凹槽之情況下配置在電路板基板上。根據一個實施例，另一凹槽填充有合成樹脂。有利地，此能夠有利於機械穩定性以及防止環境影響。
根據另一態樣，提供了一種用於在電路板中製造用於微波之諧振器之方法。首先，該方法包括提供不導電的平面電路板基板的步驟。在下一步驟中，在該電路板基板之後側製造環形的周向凹槽。根據實例，該凹槽能夠由多個部件組成，然而較佳的是，該凹槽能夠被設計成閉合環。然後，在電路板基板後側之凹槽之壁及被凹槽包圍的區域上塗覆微波反射塗層。例如，該塗層可以係金屬層，其中，在先前技術中已經揭示了用於在電路板基板表面上塗覆金屬層之各種方法。在一個實例中，僅壁之部分表面及/或被凹槽圍繞的區域之部分表面具有金屬的或者至少起反射作用的塗層。
在另一步驟中，在電路板基板之前側與凹槽中之反射塗層之間進行貫通接觸部之製造，其中，貫通接觸部配置在前側，使得波導端部之端面能夠與貫通接觸部電連接。例如，此等貫通接觸部能夠被設計成隨後被金屬化之管型孔。另外，在一個方法實施例中，凹槽之製造包括電路板基板之磨蝕，以使被凹槽包圍區域在朝向前側之方向上凹陷。例如，由此能夠(例如，在電磁調諧之過程中)產生諧振器之最終形狀及尺寸。根據一個實例，此亦能夠藉由調整電路板基板之後側之凹槽的形狀及尺寸來實現。
在一個方法實施例中，藉助銑削實現了凹槽及/或被圍繞區域之製造。在此處具有優勢的小尺寸之情況下，此類方法能夠在較為精確地製造所期望之形狀的同時亦在效率方面具有優點。根據另一方法實施例，凹槽及/或被凹槽包圍的區域填充有合成樹脂。為此，例如，被加熱的並且流動的合成樹脂能夠藉由澆鑄法或噴塗法(例如，藉由填孔法)塗覆在電路板基板上並且由此能夠補償被磨蝕或者被銑削之區域。因為預定斷裂位置能夠藉由更薄的位置來避免，並且同時，合成樹脂能夠與電路板基板穩定並且持續地連接，所以此處之優點在於改進之穩定性。
應當理解的是，如上文及下文所述，方法之特徵亦可以係電路板之特徵，反之亦然。
圖1繪示用於耦合波導14之電路板10之部分區域。在電路板基板12上配置有微波導體16。在此處所示之實例中，微波導體16在電路板基板12之表面上延伸，此處，微波導體16在前側18上延伸。根據一個實例(此處未展示)，微波導體16設置在電路板基板12之內部。其優點在於，與圖1所示相反，不需要額外地出於絕緣之目的在該位置分離或縮短波導14，而是波導14具有周向的平面或平坦的端面，此類端面之優點在於簡單的製造(例如，切削)。
電路板基板12由對高頻無作用的或者對於相關的高頻範圍絕緣之材料(例如，不同生產商之LCP或PTFE基板)製成。在電路板基板12之內部配置有多個導電層20，以便形成電子電路之各別的電連接。連接區域22限定了電路板基板12之前側18之區域，該區域面對波導14或者波導14在該區域連接於電路板基板12。該連接區域22被設計成圓形，使得該區域能夠容納波導14之前側端部26。根據一個實例，連接區域22被設計成矩形。例如，由此能夠實現與同樣被設計成矩形的波導14之連接。此處，應當注意的是，波導14及連接區域22可以具有各種剖面形狀，其中，重要的是，波導14之壁及連接區域22重疊或者直接相互抵接。
微波導體之端部24突出至連接區域22內部，使得微波信號能夠自微波導體16或者經由微波導體之端部24傳遞至波導14中，反之亦然。換言之，微波導體16之端部24用作傳輸及接收天線，其將微波信號傳輸至波導14中並且能夠自波導14接收微波信號。在電路板基板12之後側28處，周向凹槽30以與環形連接區域22相對的方式配置，周向凹槽30對應於波導14之橫截面。在之後的附圖中繪示此類凹槽之空間設計。
在凹槽30之壁上塗覆有金屬塗層32，金屬塗層在此處以虛線展示。原則上，除了金屬塗層之外，此處通常亦可以存在其他類型之塗層或材料，該塗層或材料對於此處涉及的千兆赫茲範圍內之微波具有反射作用。另外，例如亦可以包括具有諸如離子等各別的物理效能或組分之液體或者甚至氣體。此處，金屬塗層32可以係有利的，因為其能夠以比已知方法低的成本來製造並且表現出良好的反射效果。在實例中，凹槽30具有大約1 mm之寬度及小於1 mm之範圍內的深度及長度。此處，尺寸係基於使用之微波頻率範圍設定的。根據一個實例，金屬塗層32之厚度為大約幾微米。
凹陷區域34被凹槽30圍繞，並且與凹槽30一起在其面向前側18之一側處形成與波導14協同作用的諧振器或諧振盆(Resonatortopf)。根據一個實例，凹陷區域34亦可以在未凹陷之情況下具有金屬塗層32。此處，凹陷之優點在於，所形成之空間能夠與凹槽一起利用合成樹脂36進行澆鑄並且由此能夠提高電路板10之穩定性。亦可以使用其他的諸如塑膠、黏合劑、填充劑或類似物等起填充作用的、穩定的以及耐久的材料來代替合成樹脂。
在電路板基板12中設置有貫通接觸部38，貫通接觸部38配置成使得其在例如波導14之金屬壁與電路板基板12之後側28之金屬塗層32之間形成電連接。例如，此亦可以藉由如下方式實現：貫通接觸部與導電層20之部分區域接觸，而導電層20與波導14電接觸。此處，波導14能夠藉由各種機制，例如，藉由釺焊、熔焊或黏合固定至電路板10或電路板基板12上。
在圖2中繪示具有波導14之電路板10的剖視圖。電路板基板12具有多個導電層20。在電路板基板12之後側28形成有環形的周向凹槽30。此處，能夠清楚地看到，凹槽在電路板基板12之後側28朝向波導14之前側端部26延伸。此處，凹陷區域34之直徑大致對應於波導14之內直徑。微波導體16之端部24突出至波導14之內部，並且在彼處以與波導14之壁絕緣的方式鋪設。為此，例如，在波導14之壁中可以設置有間隙。根據另一實例，微波導體16鋪設在電路板基板12內，由此不再需要間隙。
在電路板基板12之前側18之另一區域中設置有用於容納高頻晶片(未展示)之第二凹槽40。特別地，藉由反向地或者在後側利用凹槽30及金屬塗層32產生諧振器，微波導體16能夠有利地鋪設在連接區域22或者波導14之內部區域中。此由此能夠有利地實現高頻電子設備之相鄰配置並且從而實現空間節約。第二凹槽40能夠藉由合成樹脂進行澆鑄並且由此能夠提高機械穩定性及可靠性。
在圖3中繪示具有電路板基板12及多個導電層20之電路板10之另一實例性變型例。在該實例中，在電路板基板12之後側28亦存在填充有合成樹脂36之凹槽30，凹槽30形成用於與相對的前側18鄰接之波導(未展示)的諧振器。微波導體16在第二凹槽40與連接區域22之間延伸。貫通接觸部38用於在凹槽30中之金屬塗層32與可連接之波導14 (未展示)之間形成電連接，凹槽30具有被凹槽圍繞的凹陷區域34。在一個實例中，兩個相鄰的貫通接觸部38以小於微波波長四分之一的距離配置。由此能夠避免微波在貫通接觸部之間逃逸及因而導致的不期望之損耗。
在圖4中繪示具有未包括導電層20之電路板基板12之電路板10之簡化變型例。此能夠允許設計簡單的並且因而便宜的原材料用於電路板基板12。出於屏蔽之目的，金屬層42能夠塗覆在電路板基板12之前側18上。此處，亦能夠看到用於使金屬層42與電路板基板12之前側18電連接之貫通接觸部38。
圖5繪示電路板10之簡化實例，其中，此處繪示電路板基板12之後側28的視圖。能夠清楚地看到圍繞凹陷區域34之被設計成圓形的周向凹槽。此處，貫通接觸部38同樣圓形地配置在凹槽30中。在微波導體(未展示)在電路板基板12之前側18上通往位於凹陷區域34之相反側之連接區域(此處不可見)的區域中，在貫通接觸部38之間配置有較大的間隔44，以允許微波導體16穿過。
在圖6中繪示包括具有多個導電層20之電路板基板12之電路板10之實施例。此處能夠看到的電路板基板12之前側18被塑膠46包圍，塑膠46藉由其穩定作用來充當殼體。此處，連接區域22與貫通接觸部38及微波導體之端部24一起凹陷，使得管狀波導14 (未展示)能夠固定在具有貫通接觸部38之電路板基板之前側18上。在一個實例中，電路板被設計成平面網格陣列(LGA)。為此，根據一個實例，高頻晶片之連接能夠經由導線及貫通接觸部自接合焊盤鋪設至電路板基板12之後側28，並且例如在彼處連接於焊料盤(未展示)。
在圖7中繪示用於在電路板10中製造用於微波之諧振器之方法100。首先提供不導電的平面電路板基板12 (110)。在下一步驟120中，在電路板基板12之後側28製造環形的周向凹槽30。例如，此能夠藉由銑削或類似方法來實現。在下一步驟130中，在電路板基板12之後側28的此類凹槽30及被凹槽30包圍的區域34 (凹陷區域)中塗覆微波反射塗層。在一個實例中，反射塗層係金屬塗層32。
根據一個實例，凹槽30之反射塗層及凹陷區域34之反射塗層在後側28上彼此電連接。之後，在步驟140中進行貫通接觸部38之製造。此等貫通接觸部在電路板基板12之前側18與凹槽30中之反射塗層或者金屬層42之間延伸，其中，貫通接觸部38配置在前側18上，使得波導14之端面能夠與貫通接觸部38電連接。另外，視情況，可以進行步驟150，在該步驟中，選擇性磨蝕電路板基板12，以使被凹槽30圍繞的區域34在朝向前側18之方向上凹陷。例如，此能夠藉由銑削來實現。在步驟160中，可以利用反射塗層塗覆凹槽30及/或被凹槽圍繞的區域，並且藉由填充合成樹脂進行穩固。例如，此能夠藉由填孔法(Via-Filling-Prozess)來實現。
此外，應當注意的是，「包括」不排除其他元件或步驟，並且「一」或「一個」不排除多個。另外，應當注意的是，參照上述實施例說明之特徵或步驟亦能夠結合其他上述實施例之其他特徵及步驟來使用。申請專利範圍中之附圖標記不應視為限制。
相關申請案之參考
本申請案主張2017年12月4日申請之歐洲專利申請案第17205156.7號的優先權，其全部內容以引用方式併入本文中。
本申請案主張2017年12月4日申請之歐洲專利申請案第17205156.7號的優先權，其全部內容以引用方式併入本文中。
10‧‧‧電路板
12‧‧‧電路板基板
14‧‧‧波導
16‧‧‧微波導體
18‧‧‧電路板基板之前側
20‧‧‧導電層
22‧‧‧連接區域
24‧‧‧微波導體之端部
26‧‧‧波導之前側端部
28‧‧‧電路板基板之後側
30‧‧‧周向凹槽
32‧‧‧金屬塗層
34‧‧‧凹陷區域
36‧‧‧合成樹脂
38‧‧‧貫通接觸部
40‧‧‧第二凹槽
42‧‧‧金屬層
44‧‧‧間隔
46‧‧‧塑膠
100‧‧‧方法
110‧‧‧步驟/提供
120‧‧‧步驟
130‧‧‧步驟
140‧‧‧步驟
150‧‧‧步驟
160‧‧‧步驟
在下文中，將參照附圖詳細地說明實施例。對本發明而言，說明及附圖均不應當解釋為限制性的。
圖1繪示電路板之部分區域的剖視圖
圖2繪示具有波導之電路板的空間剖視圖。
圖3繪示具有多個導電層及第二凹槽之電路板。
圖4繪示不具有導電層之簡化設計之電路板。
圖5繪示具有圓形的周向凹槽及貫通接觸部之電路板後側。
圖6繪示具有塑膠殼體及用於波導之凹陷區域之電路板前側。
圖7繪示用於在電路板上製造用於微波之諧振器之方法。
標記僅係示意性的而不是按照真實比例的。原則上，相同或相似的部件具有相同的附圖標記。
Claims (15)
- 一種用於雷達物位量測裝置之電路板(10)，其包括： 不導電的平面電路板基板(12)； 配置在該電路板基板(12)上之微波導體(16)，其用於將微波信號耦合至波導(14)中， 其中，在該電路板基板(12)之前側(18)配置有用於容納該波導(14)之前側端部(26)之周向連接區域(22)， 其中，該微波導體之端部(24)突出至該連接區域(22)內，使得微波信號能夠自該微波導體(16)傳遞至該波導(14)中且能夠自該波導傳遞至該微波導體中， 其中，在該電路板基板(12)之後側(28)，相對於該連接區域(22)在朝向該波導(14)之方向上配置有周向凹槽(30)， 其中，該凹槽(30)之壁及該電路板基板(12)之該後側(28)之被該凹槽(30)圍繞的區域(34)具有微波反射塗層(32)，使得該凹槽之該壁及被該凹槽圍繞的該區域共同形成用於被耦合之微波信號的諧振器。
- 如請求項1之電路板(10)，其中，該反射塗層(32)被設計成金屬塗層。
- 如請求項1或2之電路板(10)，其中，在該凹槽之區域內，在該前側(18)與該金屬塗層(32)之間配置有貫通接觸部(38)，使得該金屬塗層(32)能夠與該波導(14)電連接。
- 如請求項3之電路板(10)，其中，兩個相鄰的該等貫通接觸部(38)之間的距離小於微波之波長的四分之一。
- 如前述請求項中任一項之電路板(10)，其中，該後側(28)之被該凹槽(30)圍繞的該區域在朝向該前側(18)之方向上凹陷。
- 如前述請求項中任一項之電路板(10)，其中，該凹槽(30)及/或被該凹槽(30)圍繞的該區域填充有另一材料。
- 如前述請求項中任一項之電路板(10)，其中，該連接區域及該凹槽被設計為圓形。
- 如前述請求項中任一項之電路板(10)，其中，該連接區域(22)及該凹槽(30)具有矩形形狀。
- 如前述請求項中任一項之電路板(10)，其中，該電路板(10)在該電路板基板(12)之該前側具有用於容納高頻晶片之另一凹槽(40)，並且該微波導體(16)在該另一凹槽(40)與該連接區域(22)之間延伸。
- 如請求項9之電路板(10)，其中，該另一凹槽(40)填充有合成樹脂。
- 一種雷達物位量測裝置，其具有如請求項1至10中任一項之電路板(10)。
- 一種用於在電路板(10)中製造用於微波之諧振器之方法(100)，其包括： 提供不導電的平面電路板基板(12)的步驟(110)； 在該電路板基板(12)之後側(28)製造周向凹槽(30)的步驟(120)； 在該凹槽(30)之壁上且在該電路板基板(12)之該後側(28)之被該凹槽(30)圍繞的區域(34)上塗覆微波反射塗層(32)的步驟(130)； 在該電路板基板(12)之前側(18)與該凹槽中之該反射塗層(32)之間製造貫通接觸部(38)的步驟(140)，其中，該貫通接觸部(38)配置在該前側(18)處，使得波導之前側端部(26)能夠與該貫通接觸部(38)電連接。
- 如請求項12之方法(100)，其中，製造該凹槽(30)的該步驟(120)進一步包括磨蝕該電路板基板(12)以使被該凹槽(30)圍繞的該區域(34)在朝向該前側(18)之方向上凹陷的步驟(150)。
- 如請求項12或13之方法(100)，其中，製造該凹槽(30)及/或被圍繞的該區域(34)的該步驟(120)藉助銑削或者藉助雷射來進行。
- 如請求項12至14中任一項之方法(100)，其進一步包括： 利用另一材料來填充該凹槽(30)及/或被該凹槽(30)圍繞的該區域(34)的步驟(160)。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN112467326B (zh) * | 2020-12-07 | 2021-10-01 | 之江实验室 | 一种宽带矩形波导-微带转换器 |
| US11899051B1 (en) * | 2022-09-13 | 2024-02-13 | Quantum Valley Ideas Laboratories | Controlling electric fields in vapor cells having a body defined by a stack of layers |
| US11885842B1 (en) * | 2022-09-13 | 2024-01-30 | Quantum Valley Ideas Laboratories | Controlling electric fields in vapor cells |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700066A1 (fr) | 1992-12-29 | 1994-07-01 | Philips Electronique Lab | Dispositif hyperfréquences comprenant au moins une transition entre une ligne de transmission intégrée sur un substrat et un guide d'onde. |
| JP2605654B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 複合マイクロ波回路モジュール及びその製造方法 |
| US5914684A (en) * | 1997-04-18 | 1999-06-22 | Honeywell Inc. | Electromagnetic transducer system with integrated circuit card adapter |
| DE60009962T2 (de) * | 2000-10-18 | 2004-09-02 | Nokia Corp. | Hohlleiter-streifenleiter-übergang |
| DE10065624C2 (de) * | 2000-12-29 | 2002-11-14 | Hans Kragl | Kopplungsanordnung zum optischen Koppeln eines Lichtwellenleiters mit einem elektro-optischen oder opto-elektrischen Halbleiterwandler |
| RU2327958C2 (ru) * | 2002-11-20 | 2008-06-27 | Роузмаунт Тэнк Радар Аб | Устройство и способ измерения уровня на основе радиолокации |
| US7720116B2 (en) * | 2004-01-22 | 2010-05-18 | Vescent Photonics, Inc. | Tunable laser having liquid crystal waveguide |
| US7791278B2 (en) * | 2005-10-27 | 2010-09-07 | Luxim Corporation | High brightness plasma lamp |
| WO2007054355A1 (de) | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Vega Grieshaber Kg | Hohlleiterübergang |
| DE102005054233A1 (de) * | 2005-11-14 | 2007-05-16 | Grieshaber Vega Kg | Hohlleiterübergang |
| DE112010003585T5 (de) * | 2009-09-08 | 2012-11-22 | Siklu Communication ltd. | Rfic-schnittstellen und millimeterwellenstrukturen |
| US8730093B2 (en) * | 2011-09-27 | 2014-05-20 | Rosemount Tank Radar Ab | MFPW radar level gauging with distance approximation |
| US20140007674A1 (en) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | Vega Grieshaber Kg | Gas-tight waveguide coupling, high-frequency module, fill-level radar and use |
| CN103700947B (zh) * | 2013-12-30 | 2016-08-17 | 电子科技大学 | 基片集成波导圆极化天线 |
| DE102015119690A1 (de) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Radarbasierter Füllstandsensor |
-
2017
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-
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- 2018-12-04 US US16/209,761 patent/US10616996B2/en active Active
Cited By (1)
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