TW201934676A - 成膜方法 - Google Patents

Abstract

本發明的課題在於提供一種在藉由氣膠沉積法進行之成膜中，能夠進行高精度地圖案化之成膜之成膜方法。藉由氣霧化包含成膜材料之原料液，向基材供給氣霧，而將成膜材料成膜於基材上時，基材在被成膜面上具有相對於原料液為撥液性的撥液區域及相對於原料液為親液性的親液區域，將撥液區域的寬度設為L，將氣霧的直徑設為D時，滿足“D≥L/2”來解決課題。

Description

成膜方法

本發明有關一種藉由氣膠沉積法進行之成膜方法。

作為薄膜的成膜技術，氣霧化包含成膜材料之原料液，藉由由載流氣體傳送而將所生成之氣霧供給至基材，使附著於基材之氣霧中的溶劑氣化，藉此將成膜材料成膜之技術。該成膜技術亦稱作氣膠沉積法。

氣膠沉積法相比噴墨及噴霧塗佈等的成膜中之液滴藉由非常小的氣霧進行成膜。
因此，依氣膠沉積法，能夠精密地形成相對於基材的凹凸等之追隨性（覆蓋性）高且厚度均勻的膜。

藉由噴墨進行之成膜中，能夠在目標位置選擇性地滴落液滴。例如，噴墨中，藉由根據目標配線圖案滴落油墨液滴，能夠形成配線圖案。
相對於此，氣膠沉積法中，則基本上向基材的整個表面大致均勻地供給氣霧。亦即，氣膠沉積法中，無法對基材上的所希望之位置選擇性地進行成膜。

相對於此，提出了藉由在基材上圖案化形成對原料液具有撥液性之撥液區域及對原料液具有親液性之親液區域，而藉由氣膠沉積法，在基材的所希望的區域進行成膜，從而形成與配線圖案等對應之膜。

例如，專利文獻1中記載有一種器件製造方法，該方法具備：將親撥液性因光能量的照射而改性之功能層形成於基材（基板）的表面之步驟；向基材上的功能層照射經圖案化之光能量，而生成由親撥液性賦予對比度之圖案之光圖案化步驟；及使包含用於電子器件的材料物質的分子或粒子之功能性溶液成為氣霧（霧），且向在光圖案化步驟中經處理之基材的表面噴射將氣霧混合於載流氣體中而得之氣體之堆積步驟。
[先前技術文獻]
[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2013/176222號

如專利文獻1中記載，藉由在基材形成親液區域及撥液區域，能夠抑制氣霧附著於撥液區域，從而使氣霧僅選擇性地附著於親液區域。
因此，藉由根據目標膜的圖案在基材形成撥液區域及親液區域，能夠藉由氣膠沉積法將目標圖案的膜成膜。

然而，如上所述，氣膠沉積法中供給到成膜之氣霧相比噴墨等液滴非常小。
因此，即使在基材上圖案化形成撥液區域及親液區域，有時亦未必一定能高精度地形成目標圖案。

本發明的目的為解決該等先前技術的問題點，提供一種能夠藉由氣膠沉積法高精度地進行目標圖案的成膜之成膜方法。

為了解決該課題，本發明具有以下構成。
[1]一種成膜方法，其特徵為，氣霧化包含成膜材料之原料液，向基材供給氣霧，而將成膜材料成膜於基材上時，
基材在被成膜面具有相對於原料液為撥液性的撥液區域及相對於原料液為親液性的親液區域，
將撥液區域的寬度設為L，將氣霧的直徑設為D時，滿足“D≥L/2”。
[2]如[1]所示之成膜方法，其中，一邊使基材振動，一邊向基材供給氣霧。
[3]如[1]或[2]所述之成膜方法，其中，一邊加熱基材，一邊向基材供給氣霧。
[4]如[3]所述之成膜方法，其中，將基材加熱成基材的表面溫度成為100℃以上。
[5]如[3]或[4]所述之成膜方法，其中，包含於原料液之溶劑或分散媒的沸點為100℃以下。
[6]如[1]至[5]中任一項所述之成膜方法，其中，基材的親液區域及撥液區域係藉由對基材的被成膜面的整個表面進行親液化處理之後，形成對原料液具有撥液性之圖案而形成者。
[7]如[1]至[6]中任一項所述之成膜方法，其滿足“D≥L”。
[8]如[1]至[7]中任一項所述之成膜方法，其中，親液區域及撥液區域形成配線圖案。
[9]如[8]所述之成膜方法，其中，配線圖案係線與空間的配線圖案。
[10]如[1]至[9]中任一項所述之成膜方法，其中，成膜材料為導電性材料。
[發明效果]

依本發明的成膜方法，能夠藉由氣膠沉積法高精度地形成目標圖案。

以下，以示於圖式之較佳實施形態為基礎對本發明的成膜方法進行詳細說明。
再者，以下所示之實施形態係例示本發明的一例者，並非限定本發明的範圍者。又，為了明確說明各構成構件，圖式中各構成構件的尺寸能夠適當地進行了變更。因此，圖式中的縮尺與實際不同。
進而，在本說明書中，用“～”表示之數值範圍係指作為下限值及上限值包含記載於“～”的前後之數值之範圍。

圖1中示意地示出實施本發明的成膜方法之成膜裝置的一例。
圖1所示之成膜裝置10為藉由前述氣膠沉積法在基材Z上進行成膜之裝置，具有氣霧生成部12及成膜部14。氣霧生成部12與成膜部14藉由引導配管16連接。

本發明的成膜方法使用具有相對於原料液M為親液性的親液區域及相對於原料液M為撥液性的撥液區域之基材Z，且將撥液區域的寬度設為L，將氣霧A的直徑設為D時，滿足“D≥L/2”（參閱圖2），對此將在後面進行詳述。本發明的成膜方法除了滿足該條件之外，基本上係進行與公知的氣膠沉積法（霧沉積法）相同的成膜者。
因此，圖1所示之成膜裝置10等係基本上進行藉由氣膠沉積法進行之成膜之公知的裝置。又，成膜裝置10除圖示之構件以外，亦可以具有原料液M的供給手段、未提供至成膜之氣霧A（原料液M）的回收手段及載流氣體的淨化手段等藉由氣膠沉積法進行成膜之公知的裝置所具有之各種構件。

在以下說明中，將形成於基材Z上之親液區域及撥液區域亦簡單地稱作“親撥圖案””。

氣霧生成部12氣霧化將成膜材料溶解或分散於溶劑或分散媒而成之原料液M，向引導配管16供給所生成之氣霧A。氣霧A通過引導配管16送往成膜部14。
在成膜裝置10中，氣霧生成部12具有：原料容器20，容納原料液M；容器24，容納原料容器20的一部分；超音波振子26，配置在容器24的底面；及氣體供給手段28，供給用於將氣霧A經由引導配管16送往成膜部14之載流氣體。

在容器24內容納有水W。為了將超音波振子26所產生之超音波傳遞到原料液M而水W容納於容器24中。因此，超音波振子26浸漬於水W中。又，容納原料容器20之容器24的至少一部分亦浸漬於水W中。
若超音波振子26振動，則水W傳播超音波振動，而使原料容器20超音波振動，而使容納於原料容器20之原料液M超音波振動。藉由原料液M超音波振動，氣霧化原料液M，而生成原料液M的氣霧A。亦即，原料容器20、容器24及超音波振子26構成所謂超音波噴霧器（Ultrasonic Atomizer）。

在本發明的成膜方法中，超音波振動原料液M之方法並不限定於使用水W亦即中間溶液傳播超音波而超音波振動原料液M之方法。例如，能夠利用在原料容器20的下表面配置超音波振子26，而經由原料容器20使原料液M超音波振動之方法、在原料容器20的底面配置超音波振子26，而使原料液M直接超音波振動之方法等，利用於氣膠沉積法中之原料液M的超音波振動之公知的方法。

在本發明的成膜方法中，對成膜材料（形成之膜）並無特別限定，能夠利用各種可藉由氣膠沉積法進行成膜之材料。
作為一例，可例示液晶化合物、有機電致發光材料、金屬醇鹽化合物、二氧化矽（silica）及四乙氧基矽烷等矽化合物、鋯鈦酸鉛（PZT）及氧化鋁（alumina）等陶瓷粉、鋅系、氧化鋁系、氧化鋯系、二氧化矽系及鈣鈦礦系等金屬氧化物、氧化銦錫（ITO）、鹵化銀及金屬奈米粒子等透明電極材料、明膠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮及澱粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環氧乙烷、聚乙烯胺、殼聚醣、聚賴胺酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸及羧基纖維素等水溶性樹脂、成為氧化物半導體及有機半導體之分子以及奈米碳管等。
其中，在氧化銦錫、鹵化銀及金屬奈米粒子等透明電極材料以及奈米碳管等半導體裝置等基板中成為配線之導電性材料能夠較佳地利用為本發明中的成膜材料。

用於製備原料液M之溶劑或分散媒亦無限定，只要係能夠根據成膜材料溶解或分散成膜材料者，則能夠利用各種液體。
作為一例，可例示甲基乙基酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺、二甲基亞碸等亞碸、吡啶等雜環化合物、苯及己烷等烴、氯仿及二氯甲烷等烷基鹵化物、乙酸甲酯及乙酸丁酯等酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮及環己酮等酮、四氫呋喃及1,2-二甲氧基乙烷等醚以及甲醇、乙醇及丙醇等烷基乙醇等有機溶劑。又，作為溶劑或分散媒，亦可例示水。再者，水使用離子交換水、蒸餾水及純水中的任一個為較佳。
溶劑及分散媒可以混合使用2種以上。

再者，在本發明的成膜方法中，以藉由萊頓弗羅斯特效果使氣霧A在基材Z上移動為目的，一邊加熱基材Z，一邊向基材Z進行氣霧的供給，而作為較佳的對策，對此將進行後述。
另一方面，本發明的成膜方法對具有親撥圖案之基材Z進行成膜，但是若因加熱而氣霧A的乾燥進展，則會導致親撥圖案的效果下降。
從該點考慮，用於製備原料液M之溶劑（分散媒）係沸點為100℃以下的液體為較佳。

原料液M亦可以根據需要以提高成膜後的膜的密接性及改善膜強度等為目的包含各種黏合劑及偶合劑等。
又，原料液M亦可以根據需要為了提高所形成之膜的膜硬度包含聚合性單體。

超音波振子26並無限定，在氣膠沉積法中，能夠利用各種使用於原料液M的氣霧化（霧化）之超音波振子（超音波振動的產生手段）。
由超音波振子26產生之超音波振動頻率亦無限定，根據原料液M的組成等，適當設定能夠氣霧化原料液M之超音波振動頻率即可。用於氣霧化原料液M之超音波振動頻率為15kHz～3MHz左右。

本發明的成膜方法中，親撥圖案中的撥液區域的寬度L與氣霧的直徑D滿足“D≥L/2”，對此將在後面進行詳述。
氣膠沉積法中，藉由調節原料液M的密度（濃度）、原料液M的表面張力及超音波振動頻率中的1個以上，能夠調節氣霧A的直徑D。

在本發明的成膜方法中，原料液M的氣霧化並不限定於原料液M的超音波振動，能夠利用各種在氣膠沉積法中使用之公知的原料液M的氣霧化方法。
作為氣霧化方法，作為一例可例示加壓式、旋轉圓盤式、孔板振動式及靜電式等。加壓式係指藉由使施加壓力而增加流速之氣體與液體碰撞而氣霧化之方法。旋轉圓盤式係指滴加到高速旋轉之圓盤上之液體因離心力在圓盤的端部氣霧化之方法。孔板振動式係指藉由使液滴通過具有微細孔之孔板時施加振動切斷液滴而氣霧化之方法。靜電式係指對使液滴通過之細管負載直流或交流電壓而氣霧化液體之方法。

氣體供給手段28係經由氣體供給管28a向原料容器20導入載流氣體者。在原料容器20內漂浮之氣霧A藉由從氣體供給手段28供給之載流氣體從原料容器20傳送，從而通過引導配管16傳送到成膜部14。

氣體供給手段28並無特別限定，能夠利用各種風扇、鼓風機、貯氣瓶及壓縮空氣等在氣膠沉積法中用於供給載流氣體之公知的氣體供給手段。或者，亦可以藉由從後述之成膜部14的排出口30a抽吸向原料容器20供給載流氣體。
基於氣體供給手段28之氣體的供給量亦無特別限定。其中，氣體供給手段28以原料容器20、引導配管16及成膜部14（後述之殼體30內）中的氣體流成為層流的方式供給載流氣體為較佳。藉由使包含氣霧之氣體流成為層流，能夠在基材Z的表面形成均勻厚度的膜。
由氣體供給手段28供給之載流氣體的供給量為3×10^-3 ～5×10^-3 m³ /分鐘為較佳，1×10^-3 ～3×10^-3 m³ /分鐘為更佳。

在本發明的成膜方法中，載流氣體並無特別限定，能夠利用各種氬及氮等非活性氣體、空氣、氣霧化成膜材料而得之氣體本身及氣霧化其他成膜材料而得之氣體等在氣膠沉積法中用作載流氣體之公知的氣體。

另一方面，成膜部14具有殼體30、支撐基材Z之支撐體32及激振裝置34。支撐體32配置在殼體30內。
激振裝置34係作為較佳態樣設置者，在圖示例中，與殼體30的下表面抵接而固定。又，作為較佳態樣，支撐體32內置有加熱手段。

在本發明的成膜方法中，基材Z並無特別限定，在藉由氣膠沉積法進行之成膜中，能夠利用用作基材之各種基材。
作為一例，可例示由聚乙烯（PE）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚醯胺（PA）、聚對酞酸二乙酯（PET）、聚氯乙烯（PVC）、聚乙烯醇（PVA）、聚丙烯腈（PAN）、聚醯亞胺（PI）、透明聚醯亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂（PMMA）、聚碳酸酯（PC）、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS）、環烯烴共聚物（COC）、環烯烴聚合物（COP）、三乙醯纖維素（TAC）及乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH）等樹脂材料構成之樹脂膜以及由聚乳酸、聚乙醇酸、幾丁質及殼聚醣等構成之生物降解性膜等。
又，作為基材Z，亦能夠利用μTAS（micro-Total Analysis Systems（微全分析系統））等微流道晶片基材、矽晶圓上的各種電路基材及生物模板基材等。亦即，本發明的成膜方法亦能夠利用在表面具有凹凸之各種構件作為基材Z。

在本發明的成膜方法中，在基材Z上成膜之前，可以根據需要對基材Z的被成膜面進行表面處理。
基材Z的表面處理能夠根據原料液M所含有之溶劑（分散媒）及成膜材料的種類等利用藉由氣膠沉積法進行之各種處理。例如，將液晶化合物成膜時，可例示用於對基材Z賦予配向性之摩擦處理。關於摩擦處理的一般方法例如記載於“液晶手冊”（MARUZEN Co.,Ltd.發行、平成12年10月30日）。
進而，作為基材Z的表面處理，亦能夠利用以密接性的改善及表面平滑性的確保等為目的之基底層的形成。基底層的形成可以根據所形成之基底層由塗佈法及印刷法等公知的方法進行。

在本發明的成膜方法中，基材Z在被成膜面具有形成有相對於原料液M為親液性的親液區域及相對於原料液M為撥液性的撥液區域之親撥圖案。
再者，在本發明中，具有親液性係指基材Z的被成膜面與原料液M的接觸角小於90°。另一方面，具有撥液性係指基材Z的被成膜面與原料液M的接觸角為90°以上。
再者，接觸角例如使用Kyowa Interface Science Co.,Ltd製DropMaster700等市售裝置，以JIS R 3257為基準測量即可。

在本發明的成膜方法中，形成於基材Z上之親撥圖案作為一例如示意地示於圖2係與形成於半導體裝置等的基板之配線圖案對應者，係所謂的線與空間的圖案。
在圖2中，上段係從主面的面方向觀察基材Z之圖，係沿與圖1相同的方向觀察之圖。又，下段係從與主表面正交之方向觀察基材Z之圖，係表示基材Z的被成膜面之圖（基材Z的平面圖）。再者，主面係指片狀物（板狀物、膜狀物）中的最大面。

在本發明的成膜方法中，如示意地示於圖2，將親撥圖案中的撥液區域Za的寬度設為L，將氣霧A的直徑設為D時，撥液區域Za的寬度L與氣霧A的直徑D滿足“D≥L/2”。再者，氣霧A的直徑換言之為氣霧粒子的粒子直徑（粒子徑）。

再者，在本發明中，撥液區域Za的寬度L換言之為與撥液區域Za內接之最大內接圓的直徑。
具體就撥液區域Za的寬度L而言，例如，形成於基材Z上之親撥圖案係示意地示於圖2之、如與配線圖案對應之線與空間的圖案時，與撥液區域Za內接之最大內接圓的直徑基本上與線狀撥液區域Za的線寬度一致。
又，親撥圖案係如在撥液區域Za中具有島狀的親液區域Zb之所謂的海島狀（海島結構）的圖案時，撥液區域Za的寬度L係與撥液區域Za內接而不與親液區域Zb重複之最大內接圓的直徑，亦即，在由複數個親液區域Zb包圍之區域中，為能夠與親液區域Zb不重複地形成之最大圓的直徑。再者，此時，海島狀的親撥圖案中的島形狀並無限定，能夠利用圓形、橢圓形、三角形及四邊形等多邊形以及不規則形狀等各種形狀。

本發明的成膜方法藉由具有該種構成，可在向形成有親撥圖案之基材Z進行藉由氣膠沉積法進行之成膜時，抑制氣霧A附著及形成於撥液區域Za，從而在親液區域Zb選擇性地附著氣霧A，高精度地進行目標圖案（圖樣）的成膜。

如上所述，與能夠在基材的所希望的位置選擇性地滴落液滴之噴墨不同，氣膠沉積法中，氣霧A均勻地供給到基材Z的整個表面，從而基本上無法進行圖案化成目標圖案之成膜。
相對於此，如亦示於專利文獻1，藉由在基材Z的被成膜面形成親撥圖案，能夠抑制氣霧A附著於撥液區域，從而使氣霧A選擇性地附著於親液區域，而進行圖案化成目標圖案之成膜。

氣霧A相比噴墨等中的液滴非常小。又，氣膠沉積法中，藉由溶劑（分散媒）從附著於基材Z之氣霧A蒸發，成膜材料成膜於基材Z上。
因此，氣膠沉積法中，若氣霧A相對於撥液區域Za的寬度L非常小，則會在附著於撥液區域Za之氣霧A從撥液區域Za移動至親液區域Zb期間，導致溶劑從為非常小的液滴之氣霧A蒸發，導致成膜材料成膜於撥液區域Za。

相對於此，本發明的成膜方法中，撥液區域Za的寬度L與氣霧A的直徑D滿足“D≥L/2”。
因此，到達撥液區域Za之氣霧A只要滾動一圈，氣霧A便到達親液區域Zb，並保持於親液區域Zb而成膜。因此，依本發明的成膜方法，在氣膠沉積法中，能夠抑制氣霧A附著及形成於撥液區域Za，從而在親液區域Zb選擇性地附著氣霧A，而高精度地進行圖案化成目標圖案之成膜。亦即，例如，若為圖4所示之配線圖案，則能夠僅在成為配線之位置適當地附著氣霧A，而形成高精度的配線圖案。

在本發明的成膜方法中，撥液區域Za的寬度L與氣霧A的直徑D滿足“D≥L為較佳。
藉由撥液區域Za的寬度L與氣霧A的直徑D滿足“D≥L”，進一步較佳地抑制氣霧A附著及形成於撥液區域Za，從而更確實地在親液區域Zb選擇性地附著氣霧A，而更高精度地進行圖案化成所希望的圖案之成膜。

在本發明的成膜方法中，氣霧A的直徑D的上限並無限定。然而，若氣霧A的直徑D過大，亦即，氣霧A過大，則亦有可能無法將氣霧A完全保持於親液區域Zb內，導致氣霧A達至撥液區域Za，導致圖案化精度下降。
從該點考慮，撥液區域Za的寬度L與氣霧A的直徑D滿足“D≤2L”為較佳。亦即，在本發明的成膜方法中，滿足“2L≥D≥L/2為較佳。
尤其，親撥圖案為如圖4所示之配線圖案般的線與空間時，將線狀的親液區域Zb的寬度設為Lb，且滿足“D≤L+Lb”為較佳。亦即，此時，滿足“L+Lb≥D≥L/2”為較佳。

再者，在本發明的成膜方法中，對撥液區域Za的寬度L在基材Z的整個成膜區域內均勻之構成並無限定，亦可以在基材Z的1處以上具有撥液區域Za的寬度L不同的部分（區域）。

在本發明的成膜方法中，只要撥液區域Za的至少一部分滿足“D≥L/2”即可。
然而，為了高精度地進行經圖案化之成膜，撥液區域Za的總面積的70%以上滿足“D≥L/2”為較佳，80%以上滿足“D≥L/2”為更佳，99%以上滿足“D≥L/2”為特佳。

在本發明的成膜方法中，在基材Z形成親撥圖案亦即親液區域及撥液區域之方法並無限定，能夠根據基材Z的形成材料及溶劑（分散媒）等原料液M的組成等利用公知的方法。
例如，可例示使用具有撥液性之基材Z，在基材Z的表面藉由轉印、電漿處理、臭氧照射、UV（Ultra Violet（紫外線））照射、UV臭氧照射、電子束（EB（Electron Beam））照射及光刻等形成親液圖案之方法、使用具有親液性之基材Z，在基材Z的表面藉由轉印、凹版印刷、噴墨及光刻等形成撥液圖案之方法等。
再者，具有撥液性之基材Z及具有親液性之基材Z可以為將基材Z的表面進行撥液化處理而成為撥液性之基材Z，或者，亦可以為將基材Z的表面進行親液化處理而成為親液性之基材Z。

作為在基材Z形成親撥圖案之方法，作為一例可例示，將水用作原料液M的溶劑時，將基材Z的整個表面進行親水化處理，之後，在撥液區域Za轉印由撥水劑形成之撥水圖案之方法。
例如，預先將基材Z的整個表面進行UV臭氧處理而進行親水化處理。又，如示意地示於圖3，準備具有與親撥圖案相應之凹凸之凹凸原版36。在該凹凸原版36中，凸部36a與撥液區域Za對應，凹部36b與親液區域Zb對應。
在此基礎上，如示意地示於圖3，在凹凸原版36的凹凸形成面例如藉由蒸鍍將撥水劑H成膜。接著，使將撥水劑H成膜而得之凹凸原版36的凸部36a抵接並按壓於將整個表面進行親水化處理之基材Z。之後，藉由從基材Z分離凹凸原版36的凸部36a，將凸部36a的撥水劑H轉印於基材Z，從而在基材Z形成包含撥液區域Za及親液區域Zb之親撥圖案。
撥水劑H可例示氟系化合物及矽系化合物等。進而，亦可以使用市售的撥水劑。
關於在凹凸原版36上形成撥水劑H的膜，除蒸鍍之外，亦能夠利用濺射等氣相成膜法及塗佈法等公知的各種成膜方法。又，亦可以藉由塗佈及轉印等僅在凸部36a的前端面形成撥水劑H的膜。
又，該種撥水圖案的轉印可以利用微觸印刷、凹版膠印印刷、照相凹版印刷、凸版印刷、凹版印刷、膠印印刷及移印等進行。

在本發明的成膜方法中，氣霧A的直徑的測量方法並無限定，能夠利用各種公知的粒子的直徑（粒徑（粒子徑））的測量方法。
作為一例，可例示利用可視化用雷射片光源使雷射片光入射於存在氣霧A之空間，並用高速攝像機進行拍攝而分析圖像，藉此來測量氣霧A的直徑之方法。又，亦可以使用市售的微粒可視化系統，可視化氣霧A，而測量氣霧A粒徑。作為市售的微粒可視化系統，例如可例示Shin Nippon Air Technologies Co.,Ltd.製ViEST等。再者，可視化氣霧A而測量（計算）直徑時，可以根據需要進行圖像處理。
氣霧A的直徑的測量位置並無限定，在氣霧A流動之位置測量為較佳。因此，作為一例，在引導配管16中測量氣霧A的直徑為較佳。

又，利用超音波振動進行原料液M的氣霧化時，可以由下述式求出氣霧A的直徑D。再者，在下述式中，ρ表示原料液M的密度，σ表示原料液M的表面張力，f表示超音波振動頻率。
D=0.68[（π*σ）/（ρ*f² ）]^1/2
再者，關於該式，記載於J.Accousticai Sot.Amer.34（1962） 6.。

再者，可認為除了因氣霧A彼此的碰撞等氣霧A的直徑意外發生變化之情況之外，氣霧A的直徑從氣霧A的生成～引導配管16內的移動～到達基材Z為止基本上相同。
又，可認為同樣除了氣霧A的直徑意外發生變化之情況之外，到達基材Z之氣霧A的直徑基本上在基材Z的整個表面上均勻。

在本發明的成膜方法中，氣霧A的直徑D並無限定，20～50μm為較佳，10～20μm為更佳，1～10μm為進一步較佳。
如上所述，氣霧的直徑D能夠藉由調節原料液M的密度、原料液M的表面張力及超音波振動頻率中的1個以上而進行調節。

支撐體32係承載並支撐基材Z之支撐手段。
再者，在本發明的成膜方法中，基材Z的支撐手段並不限定於承載基材Z之支撐體32，能夠利用夾持片狀物的端部之支撐手段等各種公知的片狀物（板狀物、膜狀物）的支撐手段。
再者，為後述之卷對卷時，在氣霧A的供給部中傳送基材Z之輥及在氣霧A的供給部中捲繞基材Z而傳送之轉筒（罐體）等發揮基材Z的支撐手段之作用。傳送基材Z之輥例如為傳送輥及傳送輥對等。

本發明的成膜方法中，供給氣霧A時，加熱基材Z為較佳。與此相應地，成膜裝置10中，支撐體32內置有加熱手段。
藉由一邊加熱基材Z，一邊向基材Z供給氣霧A，依萊頓弗羅斯特現象（萊頓弗羅斯特效果），氣霧A在基材Z上移動，因此促進氣霧A從撥液區域Za向親液區域Zb的移動，從而能夠進一步提高成膜的圖案化精度。
基材Z的加熱溫度並無限定，只要根據使用於原料液M之溶劑，適當設定產生萊頓弗羅斯特現象之溫度即可。基材Z的加熱以基材Z的表面成為100℃以上之方式進行為較佳，以成為150℃以上之方式進行為更佳。

基材Z的加熱根據基材Z的形成材料設為基材Z不會受損之溫度以下為較佳。
其中，若因加熱而氣霧A的乾燥進展，則導致形成於基材A上之親撥圖案的效果下降。從該點考慮，基於加熱之基材Z的表面溫度設為300℃以下為較佳，設為200℃以下為更佳。
進而，從該點考慮，如上所述，用於製備原料液M之溶劑（分散媒）係沸點為100℃以下的液體為較佳。

支撐體32的加熱方法能夠利用使用加熱器等之方法等各種公知的加熱方法。
又，基材Z的加熱方法除了支撐體32的加熱之外，亦能夠利用由燈進行之加熱及由加熱器進行之直接加熱等各種公知的片狀物的加熱方法。

圖示例的成膜裝置10在支撐體32的下表面具備激振裝置34。激振裝置34係作為較佳態樣設置者，係向基材Z供給氣霧A時，使基材Z振動者。
在成膜部14中，支撐體32與殼體30的底面（內壁面）抵接設置。激振裝置34與殼體30的下表面抵接設置。因此，藉由激振裝置34使殼體30振動而支撐體32振動，從而支撐於支撐體32之基材Z振動。

本發明的成膜方法係在藉由氣膠沉積法進行之成膜中，使用具有親撥圖案（撥液區域Za及親液區域Zb）之基材Z，僅在親液區域Zb附著氣霧A，藉此進行圖案化成目標圖案之成膜者。
因此，藉由一邊使基材Z振動，一邊向基材Z供給氣霧A，能夠促進附著於撥液區域Za之氣霧A向親液區域Zb移動，從而進一步提高成膜的圖案化精度。
又，藉由一邊使基材Z振動一邊向基材Z供給氣霧A，亦能夠提高成膜速度。
氣膠沉積法中，氣霧A附著於基材Z上並乾燥而成膜為海島狀。其中，未固定於基材Z之氣霧A直接從基材Z滾落排出。因此，認為利用習知的氣膠沉積法，大多數氣霧A不會有效地供給到成膜中，導致成膜速度慢。相對於此，藉由一邊使基材Z振動一邊供給氣霧A，能夠抑制氣霧A從基材滾落，並且氣霧A在基材Z上移動，而氣霧A彼此碰撞，藉此氣霧A的液滴凝聚。其結果，認為氣霧A容易固定於基材Z上，成膜速度提高。

在本發明的成膜方法中，使基材Z振動時，基材Z的振動頻率並無限定。
為了較佳地獲得使基材Z振動之效果，基材Z的振動頻率為50Hz以上為較佳，100Hz以上為更佳，200Hz以上為進一步較佳。

又，在本發明的成膜方法中，使基材Z振動時，基材Z的振動頻率為10kHz以下為較佳，5kHz以下為更佳，1kHz以下為進一步較佳。
若氣霧A附著於基材Z，則氣霧A彼此結合而成為接近原料液M之液體。其中，若使基材以大於10kHz的頻率Z振動，則附著於基材Z之接近原料液M之液體成為被超音波振動之狀態，再次氣霧A化，而從基材Z的表面脫離，有可能導致成膜速度變慢。

在本發明的成膜方法中，使基材Z振動時，基材Z的振動速度並無限定。
然而，為了較佳的獲得使基材Z振動之效果，以某一程度的速度以上使基材Z振動為較佳。基材Z的振動速度為0.1mm/秒鐘以上為較佳，0.5mm/秒鐘以上為更佳，1mm/秒鐘以上為進一步較佳。
反之，若基材Z的振動速度過快，則有可能產生對裝置之負擔變大、對基材Z之負擔變大、氣霧A容易從基材Z滾落、導致氣霧A在移動之前乾燥等問題。因此，基材Z的振動振幅為10mm/秒鐘以下為較佳，8mm/秒鐘以下為更佳，5mm/秒鐘以下為進一步較佳。

激振裝置34並無限定，能夠根據支撐基材Z之支撐體32利用各種能夠使支撐體32振動之公知的激振手段。再者，在本發明中，支撐基材Z之支撐體（支撐手段）中包括卷對卷中的輥等之內容如上所述。
作為激振裝置34的一例可例示使用壓電元件之振動手段、振動馬達（偏心馬達）、使用可動線圈之振動手段、以及使用空氣致動器及液壓致動器等之振動手段等。又，激振裝置34亦能夠較佳地利用市售的激振器（激振裝置）。

在本發明的成膜方法中，基材Z的振動方法中使基材Z的支撐手段振動之方法上並無限定。
例如，在由夾持端部之支撐手段支撐基材Z時及在後述之卷對卷中由傳送輥對傳送基材Z時等，向基材Z供給氣霧A的位置亦即成膜位置上，當基材Z成為能夠獨立振動之狀態時，向基材Z送風而使其振動之送風手段及揚聲器等對基材Z照射音波而使其振動之手段等亦能夠較佳地利用為基材Z的振動手段。

在本發明的成膜方法中，使基材Z振動時的、開始振動之時間並無限定，但在開始向基材Z供給氣霧A之前開始基材Z的振動為較佳。例如，若為圖1所示之成膜裝置10，則在開始由激振裝置34進行之基材Z（支撐體32）的振動之後，開始超音波振子26的驅動，而開始原料液M的氣霧化為較佳。
使基材Z振動時，為了較佳地獲得振動的效果，在向基材Z供給氣霧A之狀態下，始終使基材Z振動為較佳。在開始向基材Z供給氣霧A之前，開始基材Z的振動，藉此在供給氣霧A時，能夠確實地設為基材Z振動之狀態。

再者，在本發明的成膜方法中，基材Z的振動可以係基材Z的主表面的面方向，亦可以係與基材Z的主表面正交之方向，包含基材Z的主表面的面方向及與基材Z的主表面正交之方向這兩個方向之振動。
又，基材Z的振動可以為直線性往復移動，亦可以為如描繪圓、橢圓及多邊形等形狀之軌跡的振動。

以下，對圖1所示之成膜裝置10的作用進行說明。
在圖1所示之成膜裝置10中，將形成有撥液圖案之基材Z承載於支撐體32。
之後，若超音波振子26在將原料液M容納於原料容器20之狀態下進行超音波振動，則超音波經由水W傳達到原料液M，從而原料液M進行超音波振動。
原料液M進行超音波振動，藉此原料液M氣霧化。藉此，原料容器20的內部成為由原料液M的氣霧化生成之氣霧A在上方漂浮之狀態。

接著，經由氣體供給管28a從氣體供給手段28向原料容器20內供給載流氣體。在原料容器20內漂浮之氣霧A藉由載流氣體從原料容器20傳送到引導配管16，並從引導配管16傳送到成膜部14的殼體30內。再者，可以根據需要，例如藉由加熱引導配管16而濃縮氣霧A。
若氣霧A傳送到成膜部14的殼體30內，則氣霧A供給到承載於支撐體32之基材Z。進而，溶劑從供給（附著）到基材Z之氣霧A蒸發，從而包含於氣霧A（原料液M）之成膜材料成膜於基材Z上。再者，未供給到成膜之氣霧A從殼體30的排出口30a排出。

其中，本發明的成膜方法中，親撥圖案形成於基材Z，進而，撥液區域Za的寬度L與氣霧A的直徑D滿足“D≥L/2”。
因此，如上所述，氣霧A較佳地選擇性地附著於親液區域Zb，其結果，能夠以高圖案化精度形成圖案化成目標圖案之膜。較佳為由激振裝置34使基材Z振動，又，由支撐體32中內置之加熱手段加熱，藉此能夠進行更高精度地圖案化之成膜。

再者，本發明的成膜方法中，可以根據需要，在基材Z上進行成膜之後，向形成之膜照射UV、電子束以及α射線、β射線和γ射線等放射線等活性放射線。
例如，若成膜材料為聚合性液晶化合物時，可以在基材Z上進行成膜之後，向膜照射UV，來進行聚合性液晶化合物的硬化（聚合）。作為產生紫外線之光源，例如可例示低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、碳弧燈、金屬鹵化物燈、氙氣燈及LED等。

本發明的成膜方法亦能夠利用藉由卷對卷進行之成膜。尤其，如上所述，藉由使基材Z振動能夠提高成膜速度，因此藉由使基材Z振動，能夠進一步較佳地利用卷對卷。
眾所周知，卷對卷係指從將長條基材Z捲繞成卷狀之基材卷送出基材Z，一邊沿長邊方向傳送長條基材Z，一邊在基材Z連續地進行成膜等處理，從而將已處理的基材Z再次捲繞成卷狀之製造方法。藉由卷對卷，能夠大幅提高生產性。
在以下說明中將卷對卷亦稱作“RtoR”。

圖4示意地示出將本發明的成膜方法利用於RtoR之一例。再者，圖4所示之成膜裝置大多使用與圖1所示之成膜裝置10相同的構件，因此對相同構件賦予相同符號，而主要對不同的部位進行說明。

在圖4所示之成膜裝置40中，長條基材Z藉由傳送輥42及傳送輥46沿長邊方向（圖中的箭頭x方向）傳送。再者，可以代替傳送輥而使用傳送輥對。
成膜部14A的殼體30A為下表面開放之矩形的框體。又，激振裝置34以與殼體30A一同夾住基材Z之方式配置在基材Z的下方。殼體30A在基材Z的傳送方向上設置在傳送輥42與傳送輥46之間。因此，在成膜裝置40中，傳送輥42及傳送輥46成為基材Z的支撐手段。

在成膜裝置40中，一邊藉由傳送輥42及傳送輥46沿長邊方向傳送具有親撥圖案之基材Z，一邊在通過殼體30A的下方時對其供給氣霧A而進行成膜。
較佳為基材Z藉由配置在殼體30A的下方之激振裝置34振動。藉此，能夠進行更高精度地圖案化之成膜，且能夠提高成膜速度。
如上所述，RtoR中，作為激振裝置34，能夠較佳地利用向基材Z送風而使其振動之送風手段及揚聲器等向基材Z照射音波而使其振動之手段。又，可以藉由使作為支撐手段之傳送輥42和/或傳送輥46振動，而使基材Z振動。

再者，如上所述，在開始氣霧A的供給之前，開始基材Z的振動為較佳。
因此，在利用RtoR之圖示例的成膜裝置40中，激振裝置34從比殼體30A更靠上游開始使基材Z振動為較佳，具體而言，從上游側的傳送輥42的正下游開始使基材Z振動為較佳。

如上所述，本發明的成膜方法在具有親撥圖案之基材Z上進行藉由氣膠沉積法圖案化之成膜。
其中，將本發明利用於RtoR時，可以在殼體30A的上游設置形成親撥圖案之裝置，並藉由RtoR連續地進行親撥圖案（撥液區域Za及親液區域Zb）的形成及藉由氣膠沉積法進行之成膜。

例如，如示意地示於圖5，在成膜裝置40（殼體30A）的上游設置撥水圖案轉印裝置54，進而，在撥水圖案轉印裝置54的上游設置UV臭氧處理裝置52。又，作為原料液M的溶劑使用水。
此時，一邊沿長邊方向（箭頭x方向）傳送基材Z，一邊首先藉由UV臭氧處理裝置52在基材Z的整個表面實施UV臭氧處理，而使基材Z的整個表面親水化。接著，將藉由微觸印刷等形成之撥水圖案藉由撥水圖案轉印裝置54從轉印輥54a轉印到整個表面經親水化之基材Z的表面。藉此，在基材Z的表面形成親撥圖案。
之後，一邊傳送基材Z，一邊藉由進行本發明的成膜方法之成膜裝置40在形成該種親水區域及撥水區域的圖案之基材Z上進行成膜。藉此，能夠僅在親水區域進行圖案化而附著氣霧A，圖案化成膜材料而成膜。

再者，如圖5所示之製造方法中，亦能夠利用於由如下成膜裝置40進行成膜之製造方法中：一邊使用傳送帶及輥式輸送機等傳送手段，沿傳送方向排列複數片如圖1所示之單片型（切片狀）基材Z，並由傳送手段對其進行傳送，一邊對傳送之基材Z依序進行基於UV臭氧處理裝置52之親水化處理、基於撥水圖案轉印裝置54之撥水圖案的轉印，從而進行本發明的成膜方法。

以上，對本發明的成膜方法進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述的例子，當然亦可以在不脫離本發明的技術思想的範圍內，進行各種改良或變更。
[實施例]

以下，舉實施例對本發明的特徵進一步具體地進行說明。但是，本發明的範圍不應該藉由以下所示之具體例而進行限定性解釋。

[實施例1]
製備下述組成的原料液。
所製備之原料液的密度為0.93g/cm³ 、表面張力為24mN/m。再者，原料液的密度以JIS Z 8804:2012為基準進行了測量。又，原料液的表面張力藉由懸滴法（pendant drop method）測量。
――――――――――――――――――――――――――――――――
･聚合性液晶化合物（LC-1-1） 80質量份
･聚合性液晶化合物（LC-2） 20質量份
･光聚合起始劑（Ciba Japan,Inc.製、IRGACURE907） 3質量份
･配向控制劑FP2 1質量份
･配向助劑FP3 0.4質量份
･甲基乙基酮 193質量份
･環己酮 50質量份
――――――――――――――――――――――――――――――――

聚合性液晶化合物（LC-1-1）
[化學式1]

聚合性液晶化合物（LC-2）
[化學式2]

配向控制劑FP2
[化學式3]

配向助劑FP3
[化學式4]

準備厚度100μm的PET膜（TOYOBO CO.,LTD.製、COSMOSHINE A4100）。將該PET膜切割成50×50mm作為基材。
使用Jelight公司製UVO清潔器144X（28mW/cm² ）向基材的表面照射10秒鐘UV臭氧，而在基材的整個表面進行了親水化處理。

準備了圖3所示之凹凸原版。凹凸原版具有直線狀的凹部和凸部在與長邊方向正交之方向上交替地平行排列之條紋狀凹凸圖案。凹凸原版中，凸部的寬度設為1μm，凹部的寬度設為3μm（亦即凹凸的1個間距為4μm），凹部的深度設為2μm。
在該凹凸原版的凹凸形成面蒸鍍了撥水劑（DAIKIN INDUSTRIES,Ltd.製、OPTOOL DSX）。撥水劑的膜厚為30nm。

對基材的親水化處理面按壓將撥水劑成膜而得之凹凸原版，而將成膜於凸部的前端面之撥水劑轉印到了基材。
藉此，在基材的表面形成了撥液區域的寬度亦即撥液區域的最大內接圓的直徑為1μm，且凹部的寬度亦即親液區域的寬度為3μm之線與空間（條紋狀）的親撥圖案。

將形成有親撥圖案之基材承載於如圖1所示之成膜裝置的成膜部的支撐體。
成膜部的激振裝置使用了AR BROWN CO.,LTD.製LW139.141-75。藉由該激振裝置，使基材（支撐體）以頻率500Hz、振動速度2mm/秒鐘進行了振動。
又，成膜部的支撐體使用加熱板加熱到基材的表面（被成膜面）成為100℃。
開始基材的振動及加熱之後，使氣霧生成部的超音波振子以1.7MHz振動，而開始了原料液的氣霧化。超音波振子使用了SEIKO GIKEN INC.製IM4-36D。

將空氣用作載流氣體，從原料容器經由引導配管向成膜室傳送了所生成之氣霧。載流氣體的流速設為2.8×10^-3 m³ /分鐘。
在該種條件下，向基材供給氣霧，而進行了60秒鐘成膜。

進行60秒鐘成膜之後，從成膜部取出基材，並吹送60秒鐘溫度60℃、風速2m/分鐘的熱風而進行了加熱。
之後，放置於30℃的加熱板上，並在氧濃度300ppm的氛圍下藉由UV照射器（Fusion UV systems JAPAN KK公司製、無電機燈“D閥門”、照度60mW/cm² ）照射6秒鐘UV，固定液晶層而形成了液晶膜。
所形成之液晶膜的厚度為3.5μm。再者，液晶膜的膜厚藉由反射分光膜厚儀（OTSUKA ELECTRONICS CO.,LTD製、FE3000）測量了親液區域的膜厚。關於該點與其他例子相同。
又，由上述式（D=0.68[（π*σ）/（ρ*f² ）]^1/2 ）計算氣霧的直徑之結果為2μm。

[實施例2～實施例4]
在凹凸原版中，除了將凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為2μm（實施例2）、3μm（實施例3）及4μm（實施例4）之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。

[實施例5]
除了將超音波振子的頻率變更為0.7MHz之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。
由上述式計算氣霧的直徑之結果為3.7μm。
[實施例6]
除了將超音波振子的頻率變更為0.6MHz，且將凹凸原版中的凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為8μm之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。
由上述式計算氣霧的直徑之結果為4.1μm。

[實施例7]
除了不進行基材的加熱，且將凹凸原版中的凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為4μm之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。
[實施例8]
除了不進行基材的振動，且將凹凸原版中的凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為4μm之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。
[實施例9]
除了不進行基材的加熱及振動，且將凹凸原版中的凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為4μm之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。

[比較例1]
除了將凹凸原版中的凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為8μm，且未進行基材的振動及加熱之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。
[比較例2]
除了將凹凸原版中的凸部的寬度亦即撥液區域的寬度變更為8μm之外，與實施例1相同地形成了液晶膜。

[評價]
藉由顯微鏡觀察及拍攝所製作之液晶膜，圖像分析觀察圖像，並計算在撥液區域（撥水區域）中液晶所佔之面積，而算出了液晶附著率。
圖像分析使用為免費公開之軟體（開源軟體）之ImageJ，在撥液區域中，藉由包圍液晶部的圖像的輪廓自動運算面積，求出在撥液區域內液晶所佔之面積的比例，並設為液晶附著率。
液晶附著率小於1%時評價為非常良好，
液晶附著率為1%以上且5%以下時評價為良好，
液晶附著率大於5%且10%以下時評價為稍微良好，
液晶附著率大於10%時評價為不良。
將結果示於下述表。

[表1]

如表1所示，依撥液區域的寬度L與氣霧的直徑D滿足“D≥L/2”之本發明的成膜方法，能夠大幅抑制附著於撥液區域之氣霧亦即成膜於撥液區域之成膜材料的量，而將以高精度圖案化之圖案膜成膜。尤其，在撥液區域的寬度L與氣霧的直徑D滿足“D≥L”之實施例1、實施例2及實施例5中，非常較佳地抑制了附著於撥液區域之液晶（成膜材料）的量，撥水區域中的液晶附著率大致為0%。
從實施例7～9及其他實施例的比較可知，藉由一邊使基材振動一邊供給氣霧，又，藉由一邊加熱基材一邊供給氣霧，能夠進一步防止氣霧（成膜材料）附著於撥液區域，從而進行高精度的圖案化。
相對於此，在撥液區域的寬度L與氣霧的直徑D不滿足“D≥L/2”之比較例中，導致大多數氣霧亦即成膜材料附著於撥液區域，從而無法將高精度地圖案化之圖案膜成膜。
[產業上之可利用性]

例如，能夠較佳地利用於光學元件的製造、半導體元件的製造、電氣元件的製造及太陽電池的製造等中。

10，40‧‧‧成膜裝置

12‧‧‧氣霧生成部

14、14A‧‧‧成膜部

16‧‧‧引導配管

20‧‧‧原料容器

24‧‧‧容器

26‧‧‧超音波振子

28‧‧‧氣體供給手段

28a‧‧‧氣體供給管

30、30A‧‧‧殼體

30a‧‧‧排出口

32‧‧‧支撐體

34‧‧‧激振裝置

36‧‧‧凹凸原版

36a‧‧‧凸部

36b‧‧‧凹部

42、46‧‧‧傳送輥

52‧‧‧UV臭氧處理裝置

54‧‧‧撥水圖案轉印裝置

A‧‧‧氣霧

M‧‧‧原料液

W‧‧‧水

Z‧‧‧基材

Za‧‧‧撥液區域

Zb‧‧‧親液區域

H‧‧‧撥水劑

L、Lb‧‧‧寬度

D‧‧‧直徑

x‧‧‧方向

圖1係用於說明本發明的成膜方法的一例之示意圖。

圖2係用於說明本發明的成膜方法的一例之示意圖。

圖3係用於說明在基材形成撥液區域及親液區域之方法的一例之示意圖。

圖4係用於說明本發明的成膜方法的另一例之示意圖。

圖5係用於說明本發明的成膜方法的另一例之示意圖。

Claims (6)

1. 一種成膜方法，其特徵在於，氣霧化包含成膜材料之原料液，向基材供給該氣霧，而將該成膜材料成膜於該基材书䋿ఀ㰀戀爀 ⼀㸀 ₊牗逸偗⢈ꭢႁ鲗扑睧ॶ於該原料液為撥液性的撥液區域及相履벊牓齥饭뉰몉ꩭ뉠❶蒉ꩭ뉓䁗�ఀ㰀戀爀 ⼀㸀 ⁜ފ牤ꕭ뉓䁗�葛Ꚋ⵰먀䳿౜ފ牬⎗❶葶醊⵰먀䑦䋿౮ﾍ댰ఀ䐢攀䰀⼀㈰。
2. 如申請專利範坻Ⰰ㆘բ䂏䭢ႁ鱥륬헿౑癎ⴀ㰀戀爀 ⼀㸀 ⁎詏羊牗逸偣⽒헿౎詔ᆊ牗逸偏魽暊牬⎗✰Ȁ㰀⼀挀氀愀椀洀㸀㰀挀氀愀椀洀 漀爀最一愀洀攀㴀≻Ⰰ㎘Ԁ∀㹙艵㎊쭜ࡒ⥻쑗第1項或第2項所述之成膜方法，其中 一邊加熱該基材，一邊向該基材供給該氣霧。
3. 如申請專利範坻Ⰰ㎘բ䂏䭢ႁ鱥륬헿౑癎ⴀ㰀戀爀 ⼀㸀 ⁜ފ牗逸偒ꁱ녢ႊ牗逸偶蒈梗扮ꭞꙢၰ먀㄀　〡͎。
4. 如申請專利範坻Ⰰ㎘բ䂏䭢ႁ鱥륬헿౑癎ⴀ㰀戀爀 ⼀㸀 ⁓Ք⭥벊牓齥饭뉎䭮뙒酢ᙒ٥捚鉶葬뢞�먀㄀　〡͎ରȀ㰀⼀挀氀愀椀洀㸀㰀挀氀愀椀洀 漀爀最一愀洀攀㴀≻Ⰰ㚘Ԁ∀㹙艵㎊쭜ࡒ⥻쑗第4項所述之成膜方法，其中 包含於該原料液之溶劑或分散媒的沸點為100℃以下。
5. 如申請專利範坻Ⰰ㆘բᙻⰀ㊘բ䂏䭢ႁ鱥륬헿౑癎ⴀ㰀戀爀 ⼀㸀 ₊牗逸偶蒊犉ꩭ뉓䁗�쪊牤ꕭ뉓䁗�슅쥵ㅜ該基材的被成膜面的整個表面進行親液化處理之後，形成岊牓齥饭뉑睧।ꕭ뉠❎䭗ᙨ䢀౟扢ႀ԰Ȁ㰀⼀挀氀愀椀洀㸀㰀挀氀愀椀洀 漀爀最一愀洀攀㴀≻Ⰰ㢘Ԁ∀㹙艵㎊쭜ࡒ⥻쑗第1項或第2項所述之成膜方法，其滿足「D≥L〰Ȁ㰀⼀挀氀愀椀洀㸀㰀挀氀愀椀洀 漀爀最一愀洀攀㴀≻Ⰰ㦘Ԁ∀㹙艵㎊쭜ࡒ⥻쑗第1項或第2項所述之成膜方法，其中 該親液區域及該撥液區域形成配線圖案。
6. 如申請專利範坻Ⰰ㦘բ䂏䭢ႁ鱥륬헿౑癎ⴀ㰀戀爀 ⼀㸀 ₊犑䵽�ᙨ䡏쉽�ݺ窕鍶蒑䵽�ᙨ䠰Ȁ㰀⼀挀氀愀椀洀㸀㰀挀氀愀椀洀 漀爀最一愀洀攀㴀≻Ⰰ㄀㆘Ԁ∀㹙艵㎊쭜ࡒ⥻쑗第1項或第2項所述之成膜方法，其中 該成膜材料為導電性材料。