TW201933553A - 扇出型感測器封裝 - Google Patents

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Abstract

一種扇出型感測器封裝包括：基板，在所述基板中形成有貫穿孔且配線層的部分自絕緣層暴露；影像感測器，具有主動面，所述主動面具有感測區以及連接墊，所述感測區配置於所述基板的所述貫穿孔下方，所述連接墊配置於所述感測區附近；光學構件，配置於所述影像感測器的所述主動面上；擋壩構件，配置於所述感測區附近；以及包封體，包封所述基板及所述影像感測器，其中所述第三配線層與所述連接墊藉由連接構件電性連接至彼此。

Description

扇出型感測器封裝
本揭露是有關於一種扇出型感測器封裝。
由於半導體技術根據各種電子裝置的使用的爆炸式增長而發展，已出現了精確且複雜的電子裝置。具體而言，根據相關技術，已將光場廣泛應用至使用成像技術的各種感測器組件。
此外，為了實現對安裝於可攜式裝置中的光學指紋感測器的薄化，近來已使用利用嵌入有電子組件的基板的製造方法。然而，為了在外部暴露出結合至影像感測器的上部的光學構件，需要複雜的製程，且存在感光性將因由異物的滲透導致的光學構件的損害而減小的風險。
因此，需要開發一種結構，所述結構能夠簡化製程，增大入射至影像感測器的光的路徑，並減小施加至光學構件的應力。
本揭露的態樣可提供一種扇出型感測器封裝，在所述扇出型感測器封裝中，可藉由增大入射至影像感測器的光的路徑而增大感測區域，且可藉由減小在熱衝擊時施加至光學構件的應力而提高光學構件的可靠性。
根據本揭露的態樣，一種扇出型感測器封裝可包括：基板，在所述基板中形成有貫穿孔且配線層的部分自絕緣層暴露；影像感測器，具有主動面，所述主動面具有感測區以及連接墊，所述感測區配置於所述基板的所述貫穿孔下方，所述連接墊配置於所述感測區附近；光學構件，配置於所述影像感測器的所述主動面上；擋壩構件，配置於所述感測區附近；以及包封體，包封所述基板及所述影像感測器，其中所述配線層與所述連接墊藉由連接構件電性連接至彼此。
所述光學構件的側表面可被配置成與所述貫穿孔的內壁間隔開。
所述光學構件的側表面可暴露至外部空氣。
所述扇出型感測器封裝可更包括被動元件，所述被動元件配置於所述影像感測器的附近且包封在所述包封體中，所述被動元件的部分暴露在外部。
所述扇出型感測器封裝可更包括電性連接結構，所述電性連接結構包封在所述包封體中，所述電性連接結構的部分暴露在外部。
所述基板可包括第一基板及第二基板，在所述第一基板中形成有第一貫穿孔，在所述第二基板中形成有第二貫穿孔，所述影像感測器配置於所述第二貫穿孔中。
所述第一基板與所述第二基板可藉由由導電材料形成的連接構件而電性連接至彼此，且在所述第一基板與所述第二基板之間可配置有密封構件。
所述第二基板的連接墊可被配置成自所述包封體暴露在外部。
所述扇出型感測器封裝可更包括電性連接結構，所述電性連接結構配置於所述影像感測器的附近且自所述包封體突出。
所述扇出型感測器封裝可更包括金屬棒，所述金屬棒配置於所述影像感測器的附近，且被配置成使得所述金屬棒的一端自所述包封體暴露。
所述包封體可包封所述影像感測器，且所述影像感測器的下表面可暴露在外部。
在所述基板中可形成有多個配線層。
根據本揭露的另一態樣，一種扇出型感測器封裝可包括：基板，在所述基板中形成有貫穿孔且配線層的部分自絕緣層暴露；影像感測器，具有主動面，所述主動面具有感測區以及連接墊，所述感測區配置於所述基板的所述貫穿孔下方，所述連接墊配置於所述感測區附近；光學構件，配置於所述影像感測器的所述主動面上；以及包封體，包封所述基板及所述影像感測器，其中所述配線層與所述連接墊藉由連接構件電性連接至彼此。
所述包封體可填充在位於所述光學構件的側表面與所述貫穿孔的內壁之間的空間中。
所述扇出型感測器封裝可更包含透明材料，所述透明材料填充在位於所述光學構件的側表面與所述貫穿孔的內壁之間的空間中。
在下文中，將參照所附圖式詳細闡述本揭露的各例示性實施例。在所附圖式中，為清晰起見，可誇大或風格化各組件的形狀、尺寸等。
然而，本揭露可以許多不同的形式舉例說明，並且不應該被解釋為限於在此闡述的具體實施例。確切而言，提供該些實施例是為了讓本揭露內容徹底且完整，並向熟習此項技術者充分傳達本揭露的範圍。
本文中所使用的用語「例示性實施例」並不意指同一例示性實施例，而是提供來強調與另一例示性實施例的特定特徵或特性不同的特定特徵或特性。然而，本文中所提供的例示性實施例被認為能夠藉由彼此整體地或部分地組合而實現。舉例而言，即使並未在另一例示性實施例中說明在特定例示性實施例中說明的一個元件，然而除非在另一例示性實施例中提供了相反或矛盾的說明，否則所述元件亦可被理解為與另一例示性實施例相關的說明。
在說明中，組件與另一組件的「連接」的意義包括經由第三組件的間接連接以及兩個組件之間的直接連接。另外，「電性連接」意為包括物理連接及物理斷接的概念。可理解，當以「第一」及「第二」來指稱元件時，所述元件不受限於此。使用「第一」及「第二」可能僅用於將所述元件與其他元件區分開的目的，且可不限制所述元件的順序或重要性。在一些情形中，在不背離本文中所提出的申請專利範圍的範圍的條件下，第一元件可被稱作第二元件。相似地，第二元件亦可被稱作第一元件。
在本文中，以所附圖式來決定上部、下部、上側面、下側面、上表面、下表面等。舉例而言，第一連接構件配置在高於重佈線層的水平高度上。然而，申請專利範圍並非僅限於此。另外，垂直方向意指上述向上方向及向下方向，且水平方向意指與上述向上方向及向下方向垂直的方向。在此種情形中，垂直剖面意指沿垂直方向上的平面截取的情形，且垂直剖面的實例可為圖式中所示的剖面圖。另外，水平剖面意指沿水平方向上的平面截取的情形，且水平剖面的實例可為圖式中所示的平面圖。
本文中所使用的用語僅為說明例示性實施例使用，而非限制本揭露。在此情況下，除非在上下文中另有解釋，否則單數形式包括多數形式。電子裝置
圖1為示出電子裝置系統的實例的方塊示意圖。
參照圖1，電子裝置1000中可容置主板1010。主板1010可包括物理連接至或電性連接至主板1010的晶片相關組件1020、網路相關組件1030以及其他組件1040等。該些組件可連接至以下將闡述的其他組件以形成各種訊號線1090。
晶片相關組件1020可包括：記憶體晶片，例如揮發性記憶體（例如動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，DRAM））、非揮發性記憶體（例如唯讀記憶體（read only memory，ROM））、快閃記憶體等；應用處理器晶片，例如中央處理器（例如中央處理單元（central processing unit，CPU））、圖形處理器（例如圖形處理單元（graphics processing unit，GPU））、數位訊號處理器、密碼處理器（cryptographic processor）、微處理器、微控制器等；以及邏輯晶片，例如類比至數位轉換器（analog-to-digital converter，ADC）、應用專用積體電路（application-specific integrated circuit，ASIC）等。然而，晶片相關組件1020並非僅限於此，而是亦可包括其他類型的晶片相關組件。另外，晶片相關組件1020可彼此組合。
網路相關組件1030可包括例如以下的協定：無線保真（wireless fidelity，Wi-Fi）（電氣及電子工程師學會（Institute of Electrical And Electronics Engineers，IEEE）802.11家族等）、全球互通微波存取（worldwide interoperability for microwave access，WiMAX）（IEEE 802.16家族等）、IEEE 802.20、長期演進（long term evolution，LTE）、僅支援資料的演進（evolution data only，Ev-DO）、高速封包存取+（high speed packet access +，HSPA+）、高速下行封包存取+（high speed downlink packet access +，HSDPA+）、高速上行封包存取+（high speed uplink packet access +，HSUPA+）、增強型資料GSM環境（enhanced data GSM environment，EDGE）、全球行動通訊系統（global system for mobile communications，GSM）、全球定位系統（global positioning system，GPS）、通用封包無線電服務（general packet radio service，GPRS）、分碼多重存取（code division multiple access，CDMA）、分時多重存取（time division multiple access，TDMA）、數位增強型無線電訊（digital enhanced cordless telecommunications，DECT）、藍芽、3G協定、4G協定、5G協定以及繼上述協定之後指定的任何其他無線協定及有線協定。然而，網路相關組件1030並非僅限於此，而是亦可包括多種其他無線標準或協定或者有線標準或協定。另外，網路相關組件1030可與上文所描述的晶片相關組件1020一起彼此組合。
其他組件1040可包括高頻電感器、鐵氧體電感器（ferrite inductor）、功率電感器（power inductor）、鐵氧體珠粒（ferrite beads）、低溫共燒陶瓷（low temperature co-fired ceramic，LTCC）、電磁干擾（electromagnetic interference，EMI）濾波器、多層陶瓷電容器（multilayer ceramic capacitor，MLCC）等。然而，其他組件1040並非僅限於此，而是亦可包括用於各種其他目的的被動組件等。另外，其他組件1040可與上文所描述的晶片相關組件1020或網路相關組件1030一起彼此組合。
視電子裝置1000的類型，電子裝置1000可包括可物理連接至或電性連接至主板1010的其他組件，或可不物理連接至或不電性連接至主板1010的其他組件。該些其他組件可包括例如照相機模組1050、天線1060、顯示器裝置1070、電池1080、音訊編解碼器（未繪示）、視訊編解碼器（未繪示）、功率放大器（未繪示）、羅盤（未繪示）、加速度計（未繪示）、陀螺儀（未繪示）、揚聲器（未繪示）、大容量儲存單元（例如硬碟驅動機）（未繪示）、光碟（compact disk，CD）驅動機（未繪示）、數位多功能光碟（digital versatile disk，DVD）驅動機（未繪示）等。然而，該些其他組件不限於此，而是亦可包括取決於電子裝置1000的類型等用於各種目的的其他組件。
電子裝置1000可為智慧型電話、個人數位助理（personal digital assistant，PDA）、數位攝影機、數位照相機（（digital still camera）、網路系統、電腦、監視器、平板個人電腦（tablet PC）、膝上型個人電腦、隨身型易網機個人電腦（netbook PC）、電視、視訊遊戲機（video game machine）、智慧型手錶或汽車組件等。然而，電子裝置1000並非僅限於此，而是亦可為處理資料的任何其他電子裝置。
圖2為示出電子裝置的實例的立體示意圖。
參照圖2，電子裝置可為例如智慧型電話1100。主板1110可容置於智慧型電話1100的本體1101中，且各種電子組件1120（例如半導體封裝1121）可物理連接至或電性連接至主板1110。另外，可物理連接至或電性連接至主板1110或可不物理連接至或不電性連接至主板1110的其他組件（例如照相機模組1130）可容置於本體1101中。照相機模組1130可包括影像感測器封裝，且根據本揭露的扇出型感測器封裝可用於智慧型電話中。同時，其中使用根據本揭露的扇出型感測器封裝的電子裝置並非僅限於智慧型電話1100。亦即，根據本揭露的扇出型感測器封裝也可用於其他電子裝置中。半導體封裝
根據本揭露的扇出型感測器封裝可使用半導體封裝的技術來製造。一般而言，在半導體中整合有許多精密的電路。然而，半導體自身可能無法充當已完成的半導體產品，且可能因外部物理性或化學性影響而受損。因此，半導體無法單獨使用，但可封裝於電子裝置等中且在電子裝置等中以封裝狀態使用。
此處，由於半導體與電子裝置的主板之間存在電性連接方面的電路寬度差異，因而需要半導體封裝。詳言之，半導體的連接墊的大小及半導體的連接墊之間的間隔極為精密，但主板的組件安裝墊的大小及主板的組件安裝墊之間的間隔顯著大於半導體的連接墊的大小及間隔。因此，可能難以將半導體直接安裝於主板上，而需要用於緩衝半導體與主板之間的電路寬度差異的封裝技術。
視半導體封裝的結構及目的而定，由封裝技術製造的半導體封裝可分類為扇入型半導體封裝或扇出型半導體封裝。
在下文中將參照圖式更詳細地闡述扇入型半導體封裝及扇出型半導體封裝。扇入型 半導體封裝
圖3A及圖3B為示出扇入型半導體封裝在封裝前及封裝後狀態的剖面示意圖。
圖4為示出扇入型半導體封裝的封裝製程的剖面示意圖。
參照圖3及圖4，半導體晶片2220可例如是處於裸露狀態下的積體電路（integrated circuit，IC），半導體晶片2220包括：本體2221，包括矽（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等；連接墊2222，形成於本體2221的一個表面上且包括例如鋁（Al）等導電材料；以及鈍化層2223，其例如是氧化物層或氮化物層等，且形成於本體2221的一個表面上且覆蓋連接墊2222的至少部分。在此種情形中，由於連接墊2222可為顯著小的，因此可能難以將積體電路（IC）安裝於中級印刷電路板（printed circuit board，PCB）上以及電子裝置的主板等上。
因此，可視半導體晶片2220的尺寸，在半導體晶片2220上形成連接構件2240以對連接墊2222進行重佈線。連接構件2240可藉由以下步驟來形成：利用例如感光成像介電（photoimagable dielectric，PID）樹脂等絕緣材料在半導體晶片2220上形成絕緣層2241，形成敞開連接墊2222的通孔孔洞2243h，並接著形成配線圖案2242及通孔2243。接著，可形成保護連接構件2240的鈍化層2250，可形成開口2251，並可形成凸塊下金屬層2260等。亦即，可藉由一系列製程來製造包括例如半導體晶片2220、連接構件2240、鈍化層2250及凸塊下金屬層2260的扇入型半導體封裝2200。
如上所述，扇入型半導體封裝可具有半導體的所有連接墊（例如輸入/輸出（input/output，I/O）端子）均配置於半導體內的一種封裝形式，且可具有優異的電性特性並可以低成本進行生產。因此，已經以扇入型半導體封裝形式製造出安裝於智慧型電話中的許多元件。詳細而言，已開發出安裝於智慧型電話中的許多元件以在具有小型尺寸的同時實施快速訊號傳遞。
然而，由於所有輸入/輸出端子都需要配置於扇入型半導體封裝的半導體內部，因此扇入型半導體封裝具有顯著的空間限制。因此，難以將此結構應用於具有大量輸入/輸出端子的半導體或具有較小尺寸的半導體。另外，由於上述缺點，扇入型半導體封裝可能無法在電子裝置的主板上直接安裝並使用。原因在於即使藉由重佈線製程增大半導體的輸入/輸出端子的尺寸及半導體的各輸入/輸出端子之間的間隔，在此情況下，半導體的輸入/輸出端子的尺寸及半導體的各輸入/輸出端子之間的間隔可能仍不足以使扇入型半導體封裝直接安裝於電子裝置的主板上。
圖5為示出扇入型半導體封裝安裝於球柵陣列（BGA）基板上且最終安裝於電子裝置的主板上之情形的剖面示意圖。
圖6為示出扇入型半導體封裝嵌入球柵陣列基板中且最終安裝於電子裝置的主板上之情形的剖面示意圖。
參照圖5及圖6，在扇入型半導體封裝2200中，半導體晶片2220的連接墊2222（亦即，輸入/輸出端子）可經由球柵陣列基板2301重佈線，且扇入型半導體封裝2200可在其安裝於球柵陣列基板2301上的狀態下最終安裝於電子裝置的主板2500上。在此情況下，可藉由底部填充樹脂2280等來固定焊球2270等，且半導體晶片2220的外側面可以模製材料2290等覆蓋。或者，扇入型半導體封裝2200可嵌入單獨的球柵陣列基板2302中，半導體晶片2220的連接墊2222（亦即，輸入/輸出端子）可在扇入型半導體封裝2200嵌入球柵陣列基板2302中的狀態下，由球柵陣列基板2302進行重佈線，且扇入型半導體封裝2200可最終安裝於電子裝置的主板2500上。
如上所述，可能難以直接在電子裝置的主板上安裝並使用扇入型半導體封裝。因此，扇入型半導體封裝可安裝於單獨的球柵陣列基板上，並接著藉由封裝製程安裝於電子裝置的主板上，或者扇入型半導體封裝可在扇入型半導體封裝嵌入球柵陣列基板中的狀態下在電子裝置的主板上安裝並使用。扇出型 半導體封裝
圖7為示出扇出型半導體封裝的剖面示意圖。
參照圖7，在扇出型半導體封裝2100中，舉例而言，半導體晶片2120的外側面可由包封體2130保護，且半導體晶片2120的連接墊2122可藉由連接構件2140而朝半導體晶片2120之外進行重佈線。在此情況下，可在連接構件2150上進一步形成鈍化層2150，且可在鈍化層2150的開口中進一步形成凸塊下金屬層2160。可在凸塊下金屬層2160上進一步形成焊球2170。半導體晶片2120可為包括本體2121、連接墊2122、鈍化層（未繪示）等的積體電路（IC）。連接構件2140可包括絕緣層2141、形成於絕緣層2141上的重佈線層2142以及將連接墊2122與重佈線層2142彼此電性連接的通孔2143。
如上所述，扇出型半導體封裝可具有其中半導體的輸入/輸出端子藉由形成於半導體上的連接構件朝半導體之外進行重佈線並配置的形式。如上所述，在扇入型半導體封裝中，半導體的所有輸入/輸出端子都需要配置於半導體內。因此，當半導體的尺寸減小時，須減小球的尺寸及間距，進而使得標準化球佈局（standardized ball layout）可能無法在扇入型半導體封裝中使用。另一方面，扇出型半導體封裝具有其中半導體的輸入/輸出端子藉由形成於半導體上的連接構件朝半導體之外進行重佈線並配置的形式，如上所述。因此，即使在半導體的尺寸減小的情況下，標準化球佈局亦可照樣用於扇出型半導體封裝中，使得扇出型半導體封裝無須使用單獨的球柵陣列基板即可安裝於電子裝置的主板上，如下所述。
圖8為示出扇出型半導體封裝安裝於電子裝置的主板上之情形的剖面示意圖。
參照圖8，扇出型半導體封裝2100可經由焊球2170等安裝於電子裝置的主板2500上。亦即，如上所述，扇出型半導體封裝2100包括連接構件2140，連接構件2140形成於半導體晶片2120上且能夠將連接墊2122重佈線至半導體晶片2120的尺寸之外的扇出區，進而使得標準化球佈局照樣可在扇出型半導體封裝2100中使用。因此，扇出型半導體封裝2100無須使用單獨的球柵陣列基板等即可安裝於電子裝置的主板2500上。
如上所述，由於扇出型半導體封裝無須使用單獨的球柵陣列基板即可安裝於電子裝置的主板上，因此扇出型半導體封裝可在其厚度小於使用球柵陣列基板的扇入型半導體封裝的厚度的情況下實施。因此，可使扇出型半導體封裝小型化且薄化。另外，扇出型電子組件封裝具有優異的熱特性及電性特性，進而使得扇出型電子組件封裝尤其適合用於行動產品。因此，扇出型電子組件封裝可被實施成較使用印刷電路板（PCB）的一般疊層封裝（package-on-package，POP）類型更緊湊的形式，且可解決因翹曲（warpage）現象出現而產生的問題。
同時，扇出型半導體封裝意指如上所述用於將半導體安裝於電子裝置的主板等上且保護半導體免受外部影響的一種封裝技術，且其與例如球柵陣列基板等的印刷電路板（PCB）在概念上是不同的，印刷電路板具有與扇出型半導體封裝不同的規格及目的等，且有扇入型半導體封裝嵌入其中。
根據本揭露的扇出型感測器封裝可利用上述的扇出型半導體封裝技術進行製造。以下將參照圖式闡述根據本揭露的扇出型感測器封裝。
圖9為示出根據本揭露中的第一例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖9，作為示例，根據本揭露中的第一例示性實施例的扇出型感測器封裝100可包括基板110、影像感測器120、包封體130、擋壩構件135、光學構件140、被動元件150以及電性連接結構160。
同時，作為示例，根據第一例示性實施例的扇出型感測器封裝100可用作電子裝置中使用的指紋識別模組。然而，扇出型感測器封裝100並非僅限於此，而是可用於各種目的。
可例如在基板110的中心部分中形成貫穿孔111。作為示例，基板110可包括絕緣層112以及形成於絕緣層112中的配線層113。作為示例，配線層113可為單層。同時，貫穿孔111可具有與光學構件140的形狀對應的形狀，且可具有較光學構件140大的大小使得光學構件140可配置於貫穿孔111中。
此外，配線層113的部分可自絕緣層112暴露。亦即，配線層113的部分可自絕緣層112暴露，以電性連接基板110與影像感測器120。
影像感測器120可具有主動面123，主動面123具有感測區121以及連接墊122，感測區121配置於基板110的貫穿孔111下方，連接墊122配置於所述感測區附近。作為示例，影像感測器120可為互補金屬氧化物半導體（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）影像感測器（CMOS image sensor，CIS），但其並非僅限於此。影像感測器120可以主動晶圓為基礎形成。在此情形下，影像感測器的本體的基礎材料（base material）可為矽（Si）、鍺（Ge）或砷化鎵（GaAs）等。在本體上可形成各種電路。連接墊122可將影像感測器120電性連接至其他組件。各個連接墊122的材料可為例如鋁（Al）等導電材料。
本文中所使用的用語「附近」是指緊鄰特別界定的特徵或結構但不與另一界定的特徵或結構交疊的區域，所述區域的一般大小是基於結構的設計參數而確定。舉例而言，結構或特徵的「附近」可為以下區域，所述區域的寬度為緊靠所述結構或特徵的區域外部的結構或特徵的特性尺寸的約10%、約15%、約20%或該些百分比之間的任意數目。因此，在一些實施例中，結構的附近可為與所述結構的面積相等、為所述結構的面積的兩倍、四倍、八倍、九倍、十六倍或該些數目中的任兩者之間的任意其他倍數的區域。因此，若連接墊具有10微米´10微米的大小，則附近可為環繞所述連接墊具有約15微米´15微米、20微米´20微米、25微米´25微米、30微米´30微米或40微米´40微米的大小的區域。另一方面，大小為500微米´500微米的感測器元件的「附近」可為例如環繞所述感測器元件的50微米、60微米、75微米或100微米寬的條帶。必須注意，「附近」延伸的程度是由例如所界定的結構或特徵之間的距離等設計參數而確定的。舉例而言，若兩個大小各自為10微米´10微米的相鄰連接墊以20微米的邊緣至邊緣（edge-to-edge）距離分隔開，則「附近」可為在所述每一連接墊的所有邊緣周圍具有2微米寬度的條帶。另一方面，對於大小為500微米´500微米的感測器元件而言，若感測區是大小為400微米´400微米的感測器元件的中心部分，則「附近」可為環繞感測區且寬度為約50微米、約60微米、約75微米或約100微米的條帶。
同時，配線層113與連接墊122可藉由連接構件124電性連接至彼此。作為示例，連接構件124中的每一者可由凸塊形成。
包封體130可包封基板110以及影像感測器120。作為示例，包封體130可用以保護影像感測器120。包封體130的包封形式不受特別限制，但可為包封體130環繞影像感測器120的至少部分的形式。舉例而言，包封體130可覆蓋基板110以及影像感測器120的至少部分。
包封體130的材料不受特定限制。舉例而言，可使用絕緣材料作為包封體130的材料。在此種情形中，絕緣材料可為：熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺；將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜（Ajinomoto Build up Film，ABF）、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪（Bismaleimide Triazine，BT）、感光成像介電（photoimagable dielectric，PID）樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物（epoxy molding compound，EMC）等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
擋壩構件135可配置於感測區121附近。因此，擋壩構件135可用以防止包封體130被引入感測區121。作為示例，擋壩構件135可由與包封體130不同的材料形成。亦即，可使用與用作包封體130的材料的絕緣材料不同的絕緣材料作為擋壩構件135的材料。作為示例，與包封體130的材料類似，用作擋壩構件135的材料的絕緣材料可為熱固性樹脂（例如，環氧樹脂）、熱塑性樹脂（例如，聚醯亞胺樹脂）、將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪、感光成像介電樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
光學構件140可配置於影像感測器120的上表面上。作為示例，光學構件140可配置於影像感測器120的感測區121上。此外，光學構件140的側表面可被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，且可暴露至外部空氣。
此外，由於光學構件140的側表面被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，因此可進一步確保光的入射路徑，且可因此增大影像感測器120的光識別區。
同時，由於光學構件140被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，因此可減小在熱衝擊時施加至光學構件140的應力，以改善光學構件140的可靠性。
作為示例，光學構件140可由選自由以下組成的群組中的至少一者形成：藍寶石、玻璃、強化玻璃、塑膠、聚碳酸酯（PC）以及聚醯胺（PI）。此外，光學構件140可為例如透鏡，所述透鏡的光學特性（例如，折射率、導磁率等）被設計為處於所需的範圍內。光學構件140可於晶圓上形成於影像感測器120的主動面上，並與影像感測器120相整合。
被動元件150可配置於影像感測器120附近。同時，被動元件150可安裝於基板110的下表面上，且可包封於包封體130中使得被動元件150的部分暴露在外部。亦即，被動元件150可電性連接至主板（未繪示），且可包括設置於其一個表面上的連接部152，以將被動元件150與主板彼此電性連接。此外，被動元件150的連接部152可自包封體130暴露在外部。
電性連接結構160中的每一者可由例如焊料等導電材料形成。然而，此僅為舉例說明，且電性連接結構160中的每一者的材料並不特別以此為限。電性連接結構160中的每一者可為接腳（land）、球、引腳或凸塊等。電性連接結構160可形成為多層結構或單層結構。當電性連接結構160形成為多層結構時，電性連接結構160可包含銅（Cu）柱及焊料。當電性連接結構160形成為單層結構時，電性連接結構160可包含錫-銀焊料或銅（Cu）。然而，此僅為實例，且電性連接結構160並非僅限於此。電性連接結構160的數量、間隔、配置形式等不受特別限制，而是可由熟習此項技術者端視設計特定細節而進行充分地修改。舉例而言，電性連接結構160可根據影像感測器120的連接墊122的數量而設置為數十至數千的數量，亦或可設置為數十至數千或更多的數量或是數十至數千或更少的數量。電性連接結構160中的至少一者可配置在扇出區中。所述扇出區指影像感測器120所配置的區之外的區。亦即，根據例示性實施例的扇出型感測器封裝100可為扇出型封裝。扇出型封裝相較於扇入型封裝而言可具有優異的可靠性，並可實施多個輸入/輸出（I/O）端子，且可有利於三維（3D）內連線。另外，相較於球柵陣列（BGA）封裝、接腳柵陣列（land grid array，LGA）封裝等而言，扇出型封裝無須單獨的板即可安裝於電子裝置上。因此，扇出型封裝可被製造成具有小的厚度，且可具有價格競爭力。
如上所述，光學構件140的側表面可被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，且可因此進一步確保光的入射路徑。因此，可增大影像感測器120的光識別區。
此外，由於光學構件140被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，因此可減小在熱衝擊時施加至光學構件140的應力，以改善光學構件140的可靠性。
以下將參照圖式闡述製造根據本揭露中的第一例示性實施例的扇出型感測器封裝的方法。
圖10至圖14是示出製造根據本揭露中的第一例示性實施例的扇出型感測器封裝的方法的製程的圖式。
首先，如在圖10中所示，可於基板110的中心部分中形成貫穿孔111，且可將擋壩構件135形成為配置於基板110的下表面上，亦即位於貫穿孔111附近。擋壩構件135的材料可為絕緣材料。作為示例，與包封體130的材料類似，用作擋壩構件135的材料的絕緣材料可為熱固性樹脂（例如，環氧樹脂）、熱塑性樹脂（例如，聚醯亞胺樹脂）、將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪、感光成像介電（PID）樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
同時，可在影像感測器120的感測區121上形成光學構件140，且可在影像感測器120的連接墊122上形成連接構件124，連接構件124用於在影像感測器120的連接墊122與基板110之間進行電性連接。
作為示例，光學構件140可由選自由以下組成的群組中的至少一者形成：藍寶石、玻璃、強化玻璃、塑膠、聚碳酸酯（PC）以及聚醯胺（PI）。
然後，如在圖11中所示，可將基板110與影像感測器120彼此連接。在此種情形中，光學構件140可配置於基板110的貫穿孔111中。此外，光學構件140的側表面可被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，且可暴露至外部空氣。
此外，影像感測器120的連接墊122可經由連接構件124電性連接至基板110的配線層113。
然後，如在圖12中所示，可將被動元件150安裝於基板110的下表面上，且可在基板110的下表面上形成電性連接結構160。可將被動元件150以及電性連接結構160配置於影像感測器120附近。
此外，亦可將被動元件150以及電性連接結構160連接至基板110的配線層113。
然後，如在圖13中所示，可將影像感測器120、被動元件150以及電性連接結構160包封於包封體130中。作為示例，包封體130可由與擋壩構件135不同的材料形成。包封體130的材料可為絕緣材料。作為示例，絕緣材料可為：熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺樹脂；將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪、感光成像介電樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
然後，如在圖14中所示，可藉由移除包封體130的部分而暴露被動元件150的部分（亦即，連接部152）以及電性連接結構160的部分。
如上所述，可藉由省略複雜的製程（例如，焊線接合製程）並將影像感測器120直接安裝於基板110上而改善扇出型感測器封裝的製造良率。
此外，由於光學構件140的側表面可被配置成暴露至外部空氣，因此可進一步確保光的入射路徑。因此，可增大影像感測器120的光識別區。
此外，由於光學構件140被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，因此可減小在熱衝擊時施加至光學構件140的應力，以改善光學構件140的可靠性。
以下將參照圖式闡述根據本揭露中的其他例示性實施例的扇出型感測器封裝。
圖15為示出根據本揭露中的第二例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖15，作為示例，根據本揭露中的第二例示性實施例的扇出型感測器封裝200可包括基板210、影像感測器120、包封體230以及光學構件140。
同時，由於影像感測器120以及光學構件140對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
基板210可包括第一基板212以及第二基板214，在第一基板212中形成有第一貫穿孔211，且在第二基板214中形成有第二貫穿孔213。影像感測器120可配置於第二貫穿孔213中。
作為示例，第一貫穿孔211可形成於第一基板212的中心部分中。作為示例，第一基板212可包括第一絕緣層212a以及形成於第一絕緣層212a中的第一配線層212b。作為示例，第一配線層212b可為單層。
同時，第一貫穿孔211可具有與光學構件140的形狀對應的形狀，且可具有較光學構件140大的大小使得光學構件140可配置於第一貫穿孔211中。
第二基板214可配置於第一基板212下方。此外，第二貫穿孔213可配置於第一貫穿孔211下方，且可具有與影像感測器120的形狀對應的形狀。同時，連接墊214a可配置於第二基板214的上表面及下表面上，且用於將連接墊214a連接至彼此的通孔214b可配置於第二基板214中。
此外，第一基板212與第二基板214可藉由連接構件216電性連接至彼此，且在第一基板212與第二基板214之間可配置有密封構件218。
包封體230可包封影像感測器120以及第二基板214。亦即，包封體230可填充在第二基板214的第二貫穿孔213中。作為示例，包封體230的材料不受特定限制。舉例而言，可使用絕緣材料作為包封體230的材料。在此種情形中，絕緣材料可為：熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺；將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪、感光成像介電樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
同時，第二基板214的連接墊214a可自包封體230暴露在外部且可經由焊料等連接至主板（未繪示）。
如上所述，基板210可包括第一基板212以及第二基板214以改善配線密度。
此外，光學構件140的側表面可被配置成與第一貫穿孔211間隔開，且可因此進一步確保光的入射路徑。因此，可增大影像感測器120的光識別區。
此外，由於光學構件140的側表面被配置成與第一貫穿孔211間隔開，因此可減小在熱衝擊時施加至光學構件140的應力，以改善光學構件140的可靠性。
圖16為示出根據本揭露中的第三例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖16，作為示例，根據本揭露中的第三例示性實施例的扇出型感測器封裝300可包括基板110、影像感測器120、包封體130、光學構件140以及電性連接結構360。
同時，由於基板110、影像感測器120、包封體130以及光學構件140對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
電性連接結構360可形成於基板110的下表面上，且可具有較影像感測器120的厚度大的厚度。此外，作為示例，電性連接結構360中的每一者的下端部可自包封體130突出。作為示例，電性連接結構360中的每一者可由例如焊料等導電材料形成。然而，此僅為舉例說明，且電性連接結構360中的每一者的材料並不特別以此為限。電性連接結構360中的每一者可為接腳或球等。電性連接結構360可形成為多層結構或單層結構。當電性連接結構360形成為多層結構時，電性連接結構360可包含銅（Cu）柱及焊料。當電性連接結構360形成為單層結構時，電性連接結構360可包括錫-銀焊料或銅（Cu）。然而，此僅為舉例說明，且電性連接結構360不限於此。電性連接結構360的數量、間隔、配置形式等不受特別限制，而是可由熟習此項技術者端視設計特定細節而進行充分地修改。此外，電性連接結構360可連接至主板（未繪示），使得基板110與主板可彼此電性連接。
如上所述，電性連接結構360可自包封體130突出，且可因此省略移除包封體130以暴露電性連接結構360的單獨的製程。
因此，可改善扇出型感測器封裝的製造良率。
此外，光學構件140的側表面可被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，且可因此進一步確保光的入射路徑。因此，可增大影像感測器120的光識別區。
此外，由於光學構件140被配置成與貫穿孔111的內壁間隔開，因此可減小在熱衝擊時施加至光學構件140的應力，以改善光學構件140的可靠性。
圖17為示出根據本揭露中的第四例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖17，作為示例，根據本揭露中的第四例示性實施例的扇出型感測器封裝400可包括基板110、影像感測器120、包封體130、光學構件140以及金屬棒460。
同時，由於基板110、影像感測器120、包封體130以及光學構件140對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
金屬棒460可配置於影像感測器120的附近，且可被配置成使得金屬棒460的一端自包封體130暴露。作為示例，金屬棒460的另一端可連接至基板110的配線層113，且金屬棒460的一端可如上所述自包封體130暴露在外部。
金屬棒460可為用於將主板（未繪示）與基板110彼此電性連接的組件，且當形成金屬棒460時，可改善導電性。
圖18為示出根據本揭露中的第五例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖18，作為示例，根據本揭露中的第五例示性實施例的扇出型感測器封裝500可包括基板110、影像感測器120、包封體530、光學構件140以及電性連接結構160。
同時，由於基板110、影像感測器120、光學構件140以及電性連接結構160對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
包封體530可包封影像感測器120以及基板110，且可具有使影像感測器120的下表面暴露在外部的厚度。
此外，包封體530的材料不受特定限制。舉例而言，可使用絕緣材料作為包封體530的材料。在此種情形中，絕緣材料可為：熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺；將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪、感光成像介電樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
如上所述，當包封體530的厚度減小使得影像感測器120的下表面暴露在外部時，扇出型感測器封裝500的整體厚度可減小，使得可實現扇出型感測器封裝的薄化。
圖19為示出根據本揭露中的第六例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖19，作為示例，根據本揭露中的第六例示性實施例的扇出型感測器封裝600可包括基板610、影像感測器120、包封體130、光學構件140以及電性連接結構160。
同時，由於影像感測器120、包封體130、光學構件140以及電性連接結構160對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
可在基板610的中心部分中形成貫穿孔611。作為示例，基板610可包括絕緣層612以及形成於絕緣層612中的配線層613。作為示例，配線層613可為多個層。同時，貫穿孔611可具有與光學構件140的形狀對應的形狀，且可具有較光學構件140大的大小使得光學構件140可配置於貫穿孔611中。
如上所述，配線層613可被形成為多個層，且可因此改善基板610的設計自由度。
圖20為示出根據本揭露中的第七例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖20，作為示例，根據本揭露中的第七例示性實施例的扇出型感測器封裝700可包括基板110、影像感測器120、包封體730、光學構件140以及電性連接結構160。
同時，由於基板110、影像感測器120、光學構件140以及電性連接結構160對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
包封體730可包封影像感測器120以及基板110。此外，包封體730亦可填充在由光學構件140的側表面與貫穿孔111的內壁形成的的空間中。
同時，包封體730的材料不受特定限制。舉例而言，可使用絕緣材料作為包封體730的材料。在此種情形中，絕緣材料可為：熱固性樹脂，例如環氧樹脂；熱塑性樹脂，例如聚醯亞胺；將例如無機填料等增強材料浸入熱固性樹脂及熱塑性樹脂中的樹脂，例如，味之素構成膜、FR-4、雙馬來醯亞胺三嗪、感光成像介電樹脂等。此外，亦可使用諸如環氧模製化合物等任意已知的模製材料。或者，亦可使用將熱固性樹脂或熱塑性樹脂與無機填料一起浸入於例如玻璃纖維（或玻璃布，或玻璃纖維布）等核心材料中的樹脂作為絕緣材料。
因此，可增大扇出型感測器封裝700的剛性。
圖21為示出根據本揭露中的第八例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。
參照圖21，作為示例，根據本揭露中的第八例示性實施例的扇出型感測器封裝800可包括基板110、影像感測器120、包封體130、光學構件140、被動元件150、電性連接結構160以及透明材料870。
同時，由於基板110、影像感測器120、包封體130、光學構件140、被動元件150、以及電性連接結構160對應於以上所述的組件，因此對其不再予以贅述。
透明材料870可填充在位於光學構件140的側表面與貫穿孔111的內壁之間的空間中。因此，可防止將異物引入影像感測器120中，且可確保光的入射路徑。
如上所述，根據本揭露中的例示性實施例，可藉由增大入射至影像感測器的光的路徑而增大感測區域，且可藉由減小在熱衝擊時施加至光學構件的應力而提高光學構件的可靠性。
儘管以上已示出並闡述了例示性實施例，然而對於熟習此項技術者而言將顯而易見的是，在不背離由隨附申請專利範圍所界定的本發明的範圍的條件下，可作出修改及變型。
100‧‧‧扇出型感測器封裝
110‧‧‧基板
111‧‧‧貫穿孔
112‧‧‧絕緣層
113‧‧‧配線層
120‧‧‧影像感測器
121‧‧‧感測區
122‧‧‧連接墊
123‧‧‧主動面
124‧‧‧連接構件
130‧‧‧包封體
135‧‧‧擋壩構件
140‧‧‧光學構件
150‧‧‧被動元件
152‧‧‧連接部
160‧‧‧電性連接結構
200‧‧‧扇出型感測器封裝
210‧‧‧基板
211‧‧‧第一貫穿孔
212‧‧‧第一基板
212a‧‧‧第一絕緣層
212b‧‧‧第一配線層
213‧‧‧第二貫穿孔
214‧‧‧第二基板
214a‧‧‧連接墊
214b‧‧‧通孔
216‧‧‧連接構件
218‧‧‧密封構件
230‧‧‧包封體
300‧‧‧扇出型感測器封裝
360‧‧‧電性連接結構
400‧‧‧扇出型感測器封裝
460‧‧‧金屬棒
500‧‧‧扇出型感測器封裝
530‧‧‧包封體
600‧‧‧扇出型感測器封裝
610‧‧‧基板
611‧‧‧貫穿孔
612‧‧‧絕緣層
613‧‧‧配線層
700‧‧‧扇出型感測器封裝
730‧‧‧包封體
800‧‧‧扇出型感測器封裝
870‧‧‧透明材料
1000‧‧‧電子裝置
1010‧‧‧主板
1020‧‧‧晶片相關組件
1030‧‧‧網路相關組件
1040‧‧‧其他組件
1050‧‧‧照相機模組
1060‧‧‧天線
1070‧‧‧顯示器裝置
1080‧‧‧電池
1090‧‧‧訊號線
1100‧‧‧智慧型電話
1101‧‧‧本體
1110‧‧‧主板
1120‧‧‧電子組件
1121‧‧‧半導體封裝
1130‧‧‧照相機模組
2100‧‧‧扇出型半導體封裝
2120‧‧‧半導體晶片
2121‧‧‧本體
2122‧‧‧連接墊
2130‧‧‧包封體
2140‧‧‧連接構件
2141‧‧‧絕緣層
2142‧‧‧重佈線層
2143‧‧‧通孔
2150‧‧‧鈍化層
2160‧‧‧凸塊下金屬層
2170‧‧‧焊球
2200‧‧‧扇入型半導體封裝
2220‧‧‧半導體晶片
2221‧‧‧本體
2222‧‧‧連接墊
2223‧‧‧鈍化層
2240‧‧‧連接構件
2241‧‧‧絕緣層
2242‧‧‧配線圖案
2243‧‧‧通孔
2243h‧‧‧通孔孔洞
2250‧‧‧鈍化層
2251‧‧‧開口
2260‧‧‧凸塊下金屬層
2270‧‧‧焊球
2280‧‧‧底部填充樹脂
2290‧‧‧模製材料
2301、2302‧‧‧球柵陣列基板
2500‧‧‧主板
根據以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本揭露的上述及其他態樣、特徵及優點，在所附圖式中： 圖1為示出電子裝置系統的實例的方塊示意圖。 圖2為示出電子裝置的實例的立體示意圖。 圖3A及圖3B為示出扇入型半導體封裝在封裝前及封裝後狀態的剖面示意圖。 圖4為示出扇入型半導體封裝的封裝製程的剖面示意圖。 圖5為示出扇入型半導體封裝安裝於球柵陣列（ball grid array，BGA）基板上且最終安裝於電子裝置的主板上之情形的剖面示意圖。 圖6為示出扇入型半導體封裝嵌入球柵陣列基板中且最終安裝於電子裝置的主板上之情形的剖面示意圖。 圖7為示出扇出型半導體封裝的剖面示意圖。 圖8為示出扇出型半導體封裝安裝於電子裝置的主板上之情形的剖面示意圖。 圖9為示出根據本揭露中的第一例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖10至圖14是示出製造根據本揭露中的第一例示性實施例的扇出型感測器封裝的方法的製程的圖式。 圖15為示出根據本揭露中的第二例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖16為示出根據本揭露中的第三例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖17為示出根據本揭露中的第四例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖18為示出根據本揭露中的第五例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖19為示出根據本揭露中的第六例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖20為示出根據本揭露中的第七例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。 圖21為示出根據本揭露中的第八例示性實施例的扇出型感測器封裝的剖面示意圖。

Claims (19)

  1. 一種扇出型感測器封裝，包括： 基板，在所述基板中形成有貫穿孔且配線層的部分自絕緣層暴露； 影像感測器，具有主動面，所述主動面具有感測區以及連接墊，所述感測區配置於所述基板的所述貫穿孔下方，所述連接墊配置於所述感測區附近； 光學構件，配置於所述影像感測器的所述主動面上； 擋壩構件，配置於所述感測區附近；以及 包封體，包封所述基板及所述影像感測器， 其中所述配線層與所述連接墊藉由連接構件電性連接至彼此。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述光學構件的側表面被配置成與所述貫穿孔的內壁間隔開。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述光學構件的側表面暴露至外部空氣。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，更包括被動元件，所述被動元件配置於所述影像感測器的附近且包封在所述包封體中，所述被動元件的部分暴露在外部。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的扇出型感測器封裝，更包括電性連接結構，所述電性連接結構包封在所述包封體中，所述電性連接結構的部分暴露在外部。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述基板包括第一基板及第二基板，在所述第一基板中形成有第一貫穿孔，在所述第二基板中形成有第二貫穿孔，所述影像感測器配置於所述第二貫穿孔中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的扇出型感測器封裝，其中所述第一基板與所述第二基板藉由由導電材料形成的連接構件而電性連接至彼此，且在所述第一基板與所述第二基板之間配置有密封構件。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的扇出型感測器封裝，其中所述第二基板的連接墊被配置成自所述包封體暴露在外部。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，更包括電性連接結構，所述電性連接結構配置於所述影像感測器的附近且自所述包封體突出。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，更包括金屬棒，所述金屬棒配置於所述影像感測器的附近，且被配置成使得所述金屬棒的一端自所述包封體暴露。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中所述包封體包封所述影像感測器，且所述影像感測器的下表面暴露在外部。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的扇出型感測器封裝，其中在所述基板中形成有多個配線層。
  13. 一種扇出型感測器封裝，包括： 基板，在所述基板中形成有貫穿孔且配線層的部分自絕緣層暴露； 影像感測器，具有主動面，所述主動面具有感測區以及連接墊，所述感測區配置於所述基板的所述貫穿孔中，所述連接墊配置於所述感測區附近； 光學構件，配置於所述影像感測器的所述主動面上；以及 包封體，包封所述基板及所述影像感測器， 其中所述配線層與所述連接墊藉由連接構件電性連接至彼此。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的扇出型感測器封裝，其中所述包封體填充在位於所述光學構件的側表面與所述貫穿孔的內壁之間的空間中。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的扇出型感測器封裝，更包括透明材料，所述透明材料填充在位於所述光學構件的側表面與所述貫穿孔的內壁之間的空間中。
  16. 一種扇出型感測器封裝，包括： 影像感測器，具有主動面，所述主動面具有感測區且包括連接墊，所述連接墊配置於所述感測區外部的主動區域上； 光學構件，配置於所述主動面上，且覆蓋所述感測區但不覆蓋所述連接墊； 第一基板，包括絕緣層、自所述絕緣層的第一表面暴露的配線層、以及位於所述絕緣層中的貫穿孔，所述第一基板配置於所述影像感測器上使得所述光學構件配置於所述貫穿孔中且所述第一表面面向所述主動面； 包封體，包封所述第一基板及所述影像感測器中的每一者的至少部分；以及 連接構件，將所述影像感測器的所述連接墊電性連接至所述配線層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的扇出型感測器封裝，更包括：第二基板，具有第二貫穿孔，所述第二貫穿孔配置於所述基板下方使得所述影像感測器配置於所述第二貫穿孔中。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的扇出型感測器封裝，更包括：擋壩構件，配置於所述第一基板上且環繞所述貫穿孔使得防止所述包封體接觸所述感測區。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的扇出型感測器封裝，更包括被動組件，所述被動組件鄰近所述影像感測器配置使得所述被動組件的部分經由所述包封體暴露。
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