TW201930656A - 粉體供給裝置及鍍覆系統 - Google Patents

粉體供給裝置及鍍覆系統 Download PDF

Info

Publication number
TW201930656A
TW201930656A TW107142970A TW107142970A TW201930656A TW 201930656 A TW201930656 A TW 201930656A TW 107142970 A TW107142970 A TW 107142970A TW 107142970 A TW107142970 A TW 107142970A TW 201930656 A TW201930656 A TW 201930656A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
powder
plating
supply device
cylindrical portion
plating solution
Prior art date
Application number
TW107142970A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI775994B (zh
Inventor
張紹華
藤方淳平
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201930656A publication Critical patent/TW201930656A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI775994B publication Critical patent/TWI775994B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/16Regeneration of process solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/71Feed mechanisms
    • B01F35/712Feed mechanisms for feeding fluids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/71Feed mechanisms
    • B01F35/717Feed mechanisms characterised by the means for feeding the components to the mixer
    • B01F35/7179Feed mechanisms characterised by the means for feeding the components to the mixer using sprayers, nozzles or jets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/75Discharge mechanisms
    • B01F35/754Discharge mechanisms characterised by the means for discharging the components from the mixer
    • B01F35/7549Discharge mechanisms characterised by the means for discharging the components from the mixer using distributing means, e.g. manifold valves or multiple fittings for supplying the discharge components to a plurality of dispensing places
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D15/00Electrolytic or electrophoretic production of coatings containing embedded materials, e.g. particles, whiskers, wires
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02Tanks; Installations therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • C25D21/14Controlled addition of electrolyte components
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/16Regeneration of process solutions
    • C25D21/18Regeneration of process solutions of electrolytes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Filling Or Emptying Of Bunkers, Hoppers, And Tanks (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本發明提供一種盡可能地防止粉末飛散的粉末供給裝置及鍍敷系統。提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向鍍覆液箱內投入粉末的投入配管;用於供給氣體的氣體供給管路;及構成為接收來自氣體供給管路的氣體、並在投入配管的內部生成朝向鍍覆液箱的螺旋氣流的螺旋氣流生成構件。

Description

粉體供給裝置及鍍覆系統
本發明涉及粉末供給裝置及鍍覆系統。
以往,進行在設於半導體晶片等基板表面的細微的佈線用槽、孔、或抗蝕層開口部中形成佈線、或在基板表面上形成與封裝的電極等電連接的凸塊(突起狀電極)的作業。作為形成該佈線及凸塊的方法,公知例如有電鍍法、蒸鍍法、印刷法、球狀凸塊形成法(ball bump method)等,但伴隨著半導體芯片的I/O數的增加、微間距化,大多使用可細微化且性能比較穩定的電鍍法。
在進行電鍍的裝置中,通常,在收納鍍覆液的鍍覆槽內相對向配置有陽極和基板,對陽極和基板施加有電壓。藉此,在基板表面上形成鍍覆膜。
以往,使用會溶解於鍍覆液的溶解陽極或不會溶解於鍍覆液的不溶解陽極作為在電鍍裝置中使用的陽極。在使用不溶解陽極來進行鍍覆處理的情況下,隨著鍍覆的進行會消耗鍍覆液中的金屬離子。因此,需要定期地向鍍覆液補充金屬離子,來調整鍍覆液中的金屬離子的濃度。於是,公知一種向與鍍覆槽不同的鍍覆液箱中收納的鍍覆液溶解金屬粉末並 將該鍍覆液向鍍覆槽供給的裝置(例如參照專利文獻1)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本特開2017-141503號公報
以往,在將金屬粉末向鍍覆液箱投入時,存在粉末向裝置外部飛散而污染潔淨室的隱患。為了防止污染潔淨室,以往的裝置被設置在與潔淨室不同的空間、例如潔淨室的樓下室等。但是,在無法準備與潔淨室不同的空間的情況等下,也會具有想要將裝置設置在潔淨室中的要求。另外,即使粉末的飛散止於裝置內部,也會具有飛散的粉末無法被投入到鍍覆液箱中而造成浪費的問題。
本發明是鑒於上述問題而完成的,其目的之一在於提供一種盡可能地防止粉末飛散的粉末供給裝置。
根據本發明的一個方式,提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向上述鍍覆液箱內投入上述粉末的投入配管;用於供給氣體的氣體供給管路;及構成為接收來自上述氣體供給管路的氣體、並在上述投入配管的內部生成朝向上述鍍覆液箱的螺旋氣流的螺旋氣流生成構件。
根據本發明的另一方式,提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向上述鍍覆液箱內投入上述粉末的投入配管;及以覆蓋上述投入配管的出口的方式生成筒狀的上述鍍覆液的液幕的液幕生成構件。
根據本發明的另一方式,提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;及收納上述粉末的料斗。上述料斗具有:用於將上述粉末向上述料斗內投入的投入口;及排出上述料斗內的氣體的排氣口。上述粉末供給裝置還具有:構成為防止上述粉末從上述投入口與用於向上述投入口投入上述粉末的投入噴嘴之間的間隙飛散的第一飛散防止構件;及構成為防止上述粉末從上述排氣口飛散的第二飛散防止構件。
根據本發明的另一方式,提供一種鍍覆系統。該鍍覆系統具有:上述其中任一個粉末供給裝置;用於對基板進行鍍覆的鍍覆槽;及從上述粉末供給裝置的上述鍍覆液箱向上述鍍覆槽延伸的鍍覆液供給管。
1‧‧‧鍍覆裝置
2‧‧‧鍍覆槽
5‧‧‧內槽
6‧‧‧外槽
8‧‧‧不溶解陽極
9‧‧‧陽極保持架
11‧‧‧被基板保持架
15‧‧‧鍍覆電源
17‧‧‧鍍覆控制部
18a、18b‧‧‧濃度測定器
19‧‧‧投入口
20‧‧‧粉末供給裝置
21‧‧‧粉末容器
22‧‧‧純水供給管路
23‧‧‧開閉閥
24‧‧‧密閉腔
25‧‧‧泵
26‧‧‧過濾器
27‧‧‧流量調節閥
28‧‧‧流量計
29‧‧‧投入配管
29a‧‧‧入口開口端部
29b‧‧‧出口開口端部
30‧‧‧送料器
30a‧‧‧螺旋
30b‧‧‧出口
31‧‧‧馬達
32‧‧‧動作控制部
33‧‧‧料斗
35‧‧‧鍍覆液箱
36‧‧‧鍍覆液供給管
36a‧‧‧四個分支管
36b‧‧‧分支管
37‧‧‧鍍覆液返回管
37a‧‧‧四個排出管
38‧‧‧流量計
39‧‧‧流量調節閥
41‧‧‧蓋
42‧‧‧排氣口
43‧‧‧包圍罩
43a‧‧‧開口
44‧‧‧惰性氣體供給管路
45‧‧‧容器主體
46‧‧‧粉末導管
46a‧‧‧噴嘴
48‧‧‧閥
49‧‧‧把手
50‧‧‧螺旋氣流生成構件
51‧‧‧筒狀構件
51a‧‧‧外表面
53‧‧‧第一端部
54‧‧‧第二端部
55‧‧‧槽
56‧‧‧周向層差部
57‧‧‧氣體注入口
58‧‧‧氣體流路
60‧‧‧液幕生成構件
61‧‧‧鍍覆液供給管路
62‧‧‧第一筒狀部分
63‧‧‧第二筒狀部分
63a‧‧‧斜面
64‧‧‧入口
65‧‧‧排出口
65a‧‧‧第一部分
65b‧‧‧第二部分
66‧‧‧第一周向流路
67‧‧‧軸向流路
68‧‧‧第二周向流路
69‧‧‧排出流路
70‧‧‧第二飛散防止構件
71‧‧‧固定構件
72‧‧‧過濾器
74‧‧‧第一飛散防止構件
75‧‧‧凸緣部
76‧‧‧固定螺釘
77‧‧‧筒狀構件
78‧‧‧開口
80‧‧‧中間噴嘴
81‧‧‧凸緣部
82‧‧‧噴嘴部
83‧‧‧孔
84‧‧‧螺栓
85‧‧‧固定板
W‧‧‧基板
第1圖是表示本實施方式的鍍覆系統整體的示意圖。
第2圖是表示能夠將氧化銅粉末保持於內部的粉末容器的側視圖。
第3圖是表示粉末供給裝置的一部分的側視圖。
第4圖是第3圖所示的包圍罩的內部的放大立體圖。
第5A圖是螺旋氣流生成構件的立體圖。
第5B圖是螺旋氣流生成構件的側剖視圖。
第6圖是表示本實施方式中的投入配管的出口開口端部的側視圖。
第7A圖是表示液幕生成構件的一個例子的立體圖。
第7B圖是第7A圖所示的液幕生成構件的側剖視圖。
第7C圖是表示液幕生成構件的排出口的形狀的概略圖。
第8A圖是表示液幕生成構件的其他例子的立體圖。
第8B圖是第8A圖所示的液幕生成構件的側剖視圖。
第9圖是料斗的蓋附近的放大側視圖。
第10圖是第二飛散防止構件的立體圖。
第11圖是第一飛散防止構件的立體圖。
第12圖是使第一飛散防止構件與料斗的投入口接觸之前的料斗的立體圖。
第13圖是使第一飛散防止構件與料斗的投入口接觸之後的料斗的立體圖。
以下參照附圖來說明本發明的實施方式。在以下說明的附圖中,對相同或相當的結構要素標注相同的附圖標記並省略重複的說明。第1圖是表示本實施方式的鍍覆系統整體的示意圖。鍍覆系統具有:設置在潔淨室內的鍍覆裝置1;及設置在樓下室中的粉末供給裝置20。本實施方式的粉末供給裝置20也可以與鍍覆裝置1同樣地設置在潔淨室內。
在本實施方式中,鍍覆裝置1是用於對晶片等基板電鍍銅等金屬的電鍍單元,粉末供給裝置20是用於向在鍍覆裝置1中使用的鍍覆液 供給至少包含金屬的粉末的裝置。在本實施方式中,說明使用氧化銅粉末作為至少包含金屬的粉末的例子。另外,本實施方式中的氧化銅粉末的平均粒徑例如為10微米到200微米。在本說明書中,“粉末”中包含有可能會飛散的任意形狀的物體,例如固體形狀的顆粒、成形而成的粒狀物、成形為顆粒狀的固態物、形成為小粒徑球體的固態球、將固體狀的金屬成形為條狀或縷狀的帶狀物、或者由它們其中的任一組合構成的混合物。
本實施方式的鍍覆裝置1具有四個鍍覆槽2。鍍覆裝置1能夠具有任意數量的鍍覆槽2。各鍍覆槽2具有內槽5和外槽6。在內槽5內配置有被陽極保持架9保持的不溶解陽極8。在鍍覆槽2中,在不溶解陽極8周圍配置有中性膜(未圖示)。內槽5被鍍覆液充滿,從內槽5溢出的鍍覆液流入到外槽6中。此外,在內槽5中能夠設置攪拌鍍覆液的未圖示的攪拌器。基板W被基板保持架11保持,與基板保持架11一起浸漬在內槽5內的鍍覆液中。另外,能夠使用半導體基板、印刷佈線板等作為基板W。
不溶解陽極8經由陽極保持架9而與鍍覆電源15的正極電連接,被基板保持架11保持的基板W經由基板保持架11而與鍍覆電源15的負極電連接。當藉由鍍覆電源15對浸漬在鍍覆液中的不溶解陽極8與基板W之間施加電壓後,會在收納於鍍覆槽2內的鍍覆液中發生電化學反應,在基板W的表面上析出銅。像這樣,基板W的表面被鍍銅。
鍍覆裝置1具有控制基板W的鍍覆處理的鍍覆控制部17。該鍍覆控制部17具有根據流過基板W的電流的累計值來計算出鍍覆槽2內的鍍覆液中包含的銅離子的濃度的功能。具體地說,隨著基板W被鍍覆,鍍覆液中的銅被消耗。銅的消耗量與流過基板W的電流的累計值成正 比。鍍覆控制部17能夠根據被投入到鍍覆液中的銅的量、和電流的累計值(銅的消耗量),來推算各個鍍覆槽2中的鍍覆液中的銅離子濃度。
粉末供給裝置20具有:密閉腔24、料斗33、送料器30、馬達31、鍍覆液箱35和動作控制部32。收納有氧化銅粉末的粉末容器21被搬入到密閉腔24中。料斗33收納從粉末容器21供給的氧化銅粉末。送料器30構成為搬送位於料斗33的下部的粉末。馬達31是送料器30的驅動源。鍍覆液箱35構成為收納鍍覆液、並接收送料器30搬送來的氧化銅粉末。動作控制部32控制馬達31的動作。
鍍覆裝置1和粉末供給裝置20藉由鍍覆液供給管36及鍍覆液返回管37而連接。更具體地說,鍍覆液供給管36從鍍覆液箱35延伸至鍍覆槽2的內槽5的底部。鍍覆液供給管36分支成四個分支管36a,四個分支管36a與四個鍍覆槽2的內槽5的底部分別連接。在四個分支管36a上分別設有流量計38及流量調節閥39。流量計38及流量調節閥39與鍍覆控制部17能夠通信地連接。鍍覆控制部17構成為基於由流量計38測定出的鍍覆液的流量來控制流量調節閥39的開度。因此,經由四個分支管36a而被供給到各個鍍覆槽2的鍍覆液的流量由設在各鍍覆槽2的上游側的各流量調節閥39控制,而使它們的流量大致相同。鍍覆液返回管37從鍍覆槽2的外槽6的底部延伸至鍍覆液箱35。鍍覆液返回管37具有與四個鍍覆槽2的外槽6的底部分別連接的四個排出管37a。
在鍍覆液供給管36上設有用於移送鍍覆液的泵25、和配置在泵25的下游側的過濾器26。在鍍覆裝置1中使用的鍍覆液經由鍍覆液返回管37而被輸送到粉末供給裝置20的鍍覆液箱35中。由粉末供給裝置 20添加了氧化銅粉末的鍍覆液經由鍍覆液供給管36而被輸送到鍍覆裝置1中。泵25能夠使鍍覆液常時在鍍覆裝置1與粉末供給裝置20之間循環。或者,也可以將預先確定量的鍍覆液間歇性地從鍍覆裝置1向粉末供給裝置20輸送,並使添加了氧化銅粉末的鍍覆液從粉末供給裝置20間歇性地返回到鍍覆裝置1中。
而且,為了向鍍覆液中補充純水(DIW:De-ionized Water,去離子水),而將純水供給管路22與鍍覆液箱35連接。在該純水供給管路22上配置有用於在停止了鍍覆裝置1時等停止純水供給的開閉閥23、用於測定純水的流量的流量計28、用於調節純水的流量的流量調節閥27。開閉閥23通常時打開。流量計28及流量調節閥27與鍍覆控制部17能夠通信地連接。構成為在鍍覆液中的銅離子濃度超過了設定值的情況下,為了稀釋鍍覆液,鍍覆控制部17控制流量調節閥27的開度而將純水向鍍覆液箱35供給。
鍍覆控制部17與粉末供給裝置20的動作控制部32能夠通信地連接。構成為當鍍覆液中的銅離子濃度比設定值低時,鍍覆控制部17將表示補給要求值的信號向粉末供給裝置20的動作控制部32發送。粉末供給裝置20接收該信號,並向鍍覆液中添加氧化銅粉末直至氧化銅粉末的添加量達到補給要求值。在本實施方式中,鍍覆控制部17及動作控制部32構成為不同的裝置,但在一個實施方式中,鍍覆控制部17及動作控制部32也可以構成為一個控制部。在該情況下,控制部可以是遵照程序而進行動作的計算機。該程序可以存儲在存儲介質中。
鍍覆裝置1也可以具有測定鍍覆液中的銅離子濃度的濃度 測定器18a。濃度測定器18a分別安裝在鍍覆液返回管37的四個排出管37a上。藉由濃度測定器18a得到的銅離子濃度的測定值被發送到鍍覆控制部17。鍍覆控制部17可以將根據電流的累計值推算出的鍍覆液中的銅離子濃度與上述設定值進行比較,或者也可以將由濃度測定器18a測定出的銅離子濃度與上述設定值進行比較。鍍覆控制部17也可以基於根據電流的累計值推算出的鍍覆液中的銅離子濃度(即銅離子濃度的推算值)、與由濃度測定器18a測定出的銅離子濃度(即銅離子濃度的測定值)的比較,對銅離子濃度的推算值進行校正。
另外,也可以對鍍覆液供給管36設置分支管36b,並在該分支管36b上設置濃度測定器18b來監視鍍覆液中的銅離子濃度。另外,也可以在該分支管36b上設置分析裝置(例如CVS裝置、比色計等),不僅對銅離子,還對各種化學成分的溶解度進行定量分析、並監視。藉此,能夠在向各個鍍覆槽2供給鍍覆液之前對存在於鍍覆液供給管36的鍍覆液中的化學成分、例如雜質的濃度進行分析。其結果為,能夠防止雜質對鍍覆性能造成影響,而進行精度更高的鍍覆處理。此外,也可以僅設置濃度測定器18a、18b中的任一方。
第2圖是表示能夠將氧化銅粉末保持於內部的粉末容器21的側視圖。如第2圖所示,粉末容器21具有:能夠在內部收納氧化銅粉末的容器主體45;與容器主體45連接的粉末導管46(相當於投入噴嘴的一個例子);及安裝在粉末導管46上的閥48。容器主體45由聚乙烯等合成樹脂構成。在容器主體45上形成有把手49,作業員能夠抓住把手49來搬運粉末容器21。
粉末導管46與容器主體45接合。該粉末導管46相對於鉛垂方向而以約30度的角度傾斜。當打開安裝在粉末導管46上的閥48時,氧化銅粉末能夠從粉末導管46通過,當關閉閥48時,氧化銅粉末無法從粉末導管46通過。第2圖顯示了閥48關閉的狀態。粉末導管46在其前端具有噴嘴46a。在噴嘴46a上安裝有帽47。
接下來,詳細地說明第1圖所示的粉末供給裝置20。第3圖是表示粉末供給裝置20的一部分的側視圖。粉末供給裝置20的密閉腔24在圖中被省略。如圖示所示,料斗33是粉末的貯存器,在其內部收納有從粉末容器21供給的氧化銅粉末。料斗33整體上具有圓臺形狀,氧化銅粉末容易向下方流動。料斗33的上端開口被蓋41覆蓋。蓋41具有投入口19和排氣口42,該投入口19供氧化銅粉末從上述粉末容器21投入。該排氣口42與料斗33的內部空間連通而與未圖示的負壓源連接。因此,料斗33經由排氣口42將料斗33內的氣體排出。
送料器30與設在料斗33的下部的開口連通。送料器30構成為從料斗33的下部的開口朝向後述的投入配管29(參照第4圖)供給粉末。在本實施方式中,送料器30為具有螺旋30a的螺旋送料器,但並不限於此,能夠採用任意的搬送裝置。馬達31與送料器30連結,構成為驅動送料器30。料斗33及送料器30固定在托架34上,並且托架34支承在重量測定器40上。亦即,重量測定器40構成為對料斗33、送料器30、馬達31及存在於料斗33和送料器30內部的氧化銅粉末的總重量進行測定。
送料器30的出口30b被包圍罩43包圍。當馬達31驅動送料器30時,料斗33內的氧化銅粉末藉由送料器30被搬送到包圍罩43的 內部並落到鍍覆液箱35內。送料器30的出口30b位於包圍罩43內。另外,粉末供給裝置20具有惰性氣體供給管路44(相當於氣體供給管路的一個例子)。惰性氣體(又稱非活性氣體)供給管路44從包圍罩43通過,與後述的螺旋氣流生成構件50(參照第4圖)連接。
重量測定器40與對馬達31的動作進行控制的動作控制部32能夠通信地連接。從重量測定器40輸出的重量的測定值能夠被發送到動作控制部32。動作控制部32接收從鍍覆裝置1(參照第1圖)發送來的表示補給要求值的信號,使馬達31動作直至氧化銅粉末的添加量達到補給要求值。馬達31驅動送料器30,送料器30將與補給要求值相對應的量的氧化銅粉末添加到鍍覆液箱35中。
在第3圖所示的粉末供給裝置20中,如上述那樣,送料器30的重量由重量測定器40測定。因此,送料器30的出口30b附近構成為不與包圍罩43接觸。亦即,在送料器30的出口30b附近與包圍罩43之間形成有間隙。在氧化銅粉末從送料器30的出口30b向鍍覆液箱35落下時,氧化銅粉末有可能從該間隙飛散。本實施方式的粉末供給裝置20具有抑制該飛散的結構。
第4圖是第3圖所示的包圍罩43的內部的放大立體圖。如第4圖所示,包圍罩43在其側方具有供送料器30插入的開口43a。由於送料器30與包圍罩43不接觸,所以氧化銅粉末有可能從該開口43a與送料器30之間的間隙飛散。粉末供給裝置20具有從包圍罩43的內部朝向第1圖及第3圖所示的鍍覆液箱35沿鉛垂方向延伸的投入配管29。投入配管29較佳的是由防止帶電的超高分子量聚乙烯材料構成。投入配管29具有 供粉末投入的入口開口端部29a、和供粉末排出的出口開口端部29b(參照後述的第6圖)。入口開口端部29a如第4圖所示那樣以向上方開口的方式配置。藉此,送料器30搬送來的氧化銅粉末從送料器30的出口30b落下,從投入配管29通過而被投入到鍍覆液箱35內。
在本實施方式中,為了抑制氧化銅粉末飛散,而具有構成為在投入配管29的內部生成螺旋氣流的螺旋氣流生成構件50。螺旋氣流生成構件50接收來自惰性氣體供給管路44的惰性氣體,以朝向鍍覆液箱35的方式生成螺旋氣流。
第5A圖是螺旋氣流生成構件50的立體圖。第5B圖是螺旋氣流生成構件50的側剖視圖。如第5A圖所示,螺旋氣流生成構件50安裝在投入配管29的入口開口端部29a。如第5A圖及第5B圖所示,螺旋氣流生成構件50具有:大致圓筒狀的筒狀構件51;及安裝在筒狀構件51上或與之一體地形成的環狀構件52。此外,在第5A圖中,環狀構件52和投入配管29以截面圖示。
如第5A圖所示,在螺旋氣流生成構件50被安裝於投入配管29的狀態下,筒狀構件51的外表面51a構成為與投入配管29的內表面接觸。筒狀構件51具有位於鍍覆液箱35側的第一端部53(圖中下側端部)、和與其相反的一側的第二端部54(圖中上側端部)。在本實施方式中,筒狀構件51被局部插入在投入配管29的內部,以第二端部54從投入配管29突出的方式配置。
筒狀構件51在其外表面51a上具有從第一端部53朝向第二端部54延伸的一個以上的槽55。換言之,槽55至少到達第一端部53, 可以到達第二端部54也可以不到達第二端部54。在本實施方式中,複數個槽55形成在外表面51a上。如圖示所示,槽55構成為相對於筒狀構件51的軸向傾斜。槽55各自構成為以彼此相同的角度傾斜。此外,期望槽55的角度、寬度及深度根據投入配管29的內徑或長度等而適當設定。當將筒狀構件51局部插入到投入配管29的內部後,通過筒狀構件51的槽55和投入配管29的內表面,劃分出相對於筒狀構件51的軸向傾斜的複數條流路。
而且,筒狀構件51具有沿周向延伸的周向層差部56。在本實施方式中,周向層差部56形成在筒狀構件51的第二端部54。藉此,通過筒狀構件51和環狀構件52,劃分出與槽55連通的周向的氣體流路58(參照第5B圖)。環狀構件52在其上表面(圖中上側的面)具有供惰性氣體供給管路44連接的氣體注入口57。氣體注入口57與筒狀構件51的周向的氣體流路58連通。
接下來,說明螺旋氣流生成構件50的功能。當從惰性氣體供給管路44向氣體注入口57供給惰性氣體時,惰性氣體從周向的氣體流路58通過並到達複數條槽55的各個槽。藉此,能夠使從槽55通過的惰性氣體的壓力均勻化。惰性氣體從槽55通過並被從筒狀構件51的第一端部53排出到投入配管29內。此時,由於槽55相對於筒狀構件51的軸向傾斜,所以通過惰性氣體在投入配管29內產生螺旋狀的氣流(螺旋氣流)。在投入配管29內產生的螺旋氣流一邊將包圍罩43內的空氣引入到投入配管29內,一邊被從投入配管29的出口開口端部29b(參照後述的第6圖)排出。藉此,能夠將存在於包圍罩43內的環境氣體的氧化銅粉末引入到投入 配管29內,從而能夠抑制氧化銅粉末飛散。另外,在投入配管29內產生的螺旋氣流能夠防止從投入配管29內部通過的氧化銅粉末與投入配管29的內壁面接觸。藉此,能夠防止氧化銅粉末附著於投入配管29的內壁面。
如以上說明那樣,在本實施方式中,藉由螺旋氣流生成構件50而能夠在投入配管29的內部生成螺旋氣流,因此能夠抑制包圍罩43內的粉末的飛散。另外,根據本實施方式,能夠抑制粉末附著於投入配管29內。
在本實施方式中,筒狀構件51在其外表面51a上具有槽55,藉由向該槽55供給氣體來產生螺旋氣流。因此,根據本實施方式的螺旋氣流生成構件50,能夠以非常簡單的結構產生螺旋氣流。另外,在本實施方式中,將惰性氣體供給管路44與氣體注入口57連接,惰性氣體經由螺旋氣流生成構件50而被直接供給到投入配管29內。在惰性氣體被供給到包圍罩43內的空間中的情況下,存在於包圍罩43內的環境氣體的粉末有可能會飛散。因此,在本實施方式中,與向包圍罩43內的空間供給惰性氣體的情況相比,能夠抑制包圍罩43內的粉末的飛散。
例如,在將螺旋氣流生成構件50設在投入配管29的長度方向中間部的情況下,在比螺旋氣流生成構件50靠入口開口端部29a側的投入配管29的內部不會產生螺旋氣流。在該情況下,粉末有可能會附著於比螺旋氣流生成構件50靠入口開口端部29a側的投入配管29的內壁。在本實施方式中,將螺旋氣流生成構件50設在投入配管29的入口開口端部29a。藉此,能夠在投入配管29的內部整體產生螺旋氣流,從而能夠抑制粉末附著於投入配管29的內部整體。
另外,在本實施方式中,將惰性氣體向投入配管29內供給。在鍍覆液箱35中蓄留的鍍覆液被維持在高溫(例如約45℃)的情況下,會從鍍覆液產生蒸氣。該蒸氣在投入配管29內上升並到達包圍罩43的內部,有可能會侵入到送料器30內。當蒸氣吸附於送料器30內的氧化銅粉末時,存在氧化銅粉末凝集而使送料器30封堵的隱患。於是,藉由將惰性氣體向投入配管29內供給,而能夠防止鍍覆液的蒸氣侵入到送料器30內。
接下來,說明抑制投入配管29的鍍覆液箱35側的端部附近的氧化銅粉末的飛散的結構。第6圖是表示本實施方式中的投入配管29的出口開口端部29b的側視圖。如第6圖所示,投入配管29具有出口開口端部29b。來自惰性氣體供給管路44的惰性氣體在從投入配管29的出口開口端部29b排出時,會由於投入配管29的內部與外部的壓力差而擴散。因此,被投入到投入配管29中的氧化銅粉末會由於惰性氣體的擴散而飛散,有可能附著於鍍覆液箱35的壁面。於是,在本實施方式中,如第6圖所示,具有以覆蓋投入配管29的出口的方式生成筒狀的鍍覆液的液幕的液幕生成構件60。在液幕生成構件60上連接有鍍覆液供給管路61,供給鍍覆液。鍍覆液供給管路61例如可以與第1圖所示的鍍覆液返回管37連接,也可以構成為利用泵等抽出鍍覆液箱35內的鍍覆液並將其向液幕生成構件60供給。
接下來,說明液幕生成構件60的詳細結構。第7A圖是表示液幕生成構件60的一個例子的立體圖。第7B圖是第7A圖所示的液幕生成構件60的側剖視圖。第7C圖是表示液幕生成構件60的排出口的形狀的概略圖。如第7A圖及第7B圖所示,液幕生成構件60作為整體為環 狀構件,構成為安裝在投入配管29的外周面。如第7B圖詳細所示,液幕生成構件60具有第一筒狀部分62、和位於第一筒狀部分62的外側的第二筒狀部分63。第二筒狀部分63具有用於向液幕生成構件60供給鍍覆液的入口64。另外,在第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間形成有將鍍覆液呈液幕狀排出的排出口65。此外,入口64也可以形成於第一筒狀部分62。
在入口64與排出口65之間,形成有供鍍覆液流動的流路。在本實施方式中,該流路由第一周向流路66、軸向流路67、第二周向流路68和排出流路69構成。第一周向流路66在周向範圍內形成於第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間,與入口64連通。軸向流路67與第一周向流路66連通。在本實施方式中,沿著液幕生成構件60的周向以大致相等間隔配置有複數條軸向流路67。第二周向流路68在周向範圍內形成於第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間,與各條軸向流路67連通。第二周向流路68構成為不僅使鍍覆液沿周向流動,還使其向徑向外側流動。排出流路69與第二周向流路68的徑向外側連通,將第二周向流路68和排出口65流體連通。此外,在此軸向是指第一筒狀部分62及第二筒狀部分63的中心軸方向。
如第7C圖所示,本實施方式的排出口65在第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間沿整個周向延伸。換言之,排出口65作為整體而具有大致環狀的截面。此外,第7C圖顯示了液幕生成構件60的與軸向正交的截面中的形狀。排出口65具有:第一部分65a,其具有第一徑向寬度;及第二部分65b,其具有比第一徑向寬度大的第二徑向寬度。具體地 說,第一部分65a的形狀為大致扇形狀,第二部分65b的形狀為大致圓形狀。此外,在此扇形狀是指由圓的兩條半徑和處於兩條半徑之間的兩個圓弧包圍而成的形狀。在本實施方式中,排出口65由複數個第一部分65a和複數個第二部分65b構成,作為整體而形成大致環狀的截面。換言之,排出口65構成為以大致扇形狀的第一部分65a將大致圓形的第二部分65b之間連接的方式配置。如第7C圖所示,較佳的是複數個第二部分65b沿周向以大致相等間隔配置。
說明第7A圖到第7C圖所示的液幕生成構件60的功能。當從第6圖所示的鍍覆液供給管路61將鍍覆液供給到液幕生成構件60的入口64時,鍍覆液從第一周向流路66通過而遍佈液幕生成構件60整周。遍佈整周的鍍覆液接著從多條軸向流路67通過而沿軸向移動。藉此,鍍覆液的流動方向發生變化。接著,從軸向流路67通過了的鍍覆液從第二周向流路68通過並再次遍佈液幕生成構件60整周。此時,鍍覆液的壓力在液幕生成構件60的整周範圍內大致均勻地分散。到達了第二周向流路68的鍍覆液從第二周向流路68通過並向周向及徑向外側流動,到達排出流路69。到達了排出流路69的鍍覆液從排出口65通過並生成大致筒狀的鍍覆液的液幕。
根據以上說明的液幕生成構件60,能夠以覆蓋投入配管29的出口的方式生成筒狀的鍍覆液的液幕。藉此,能夠防止氧化銅粉末在從投入配管29排出時,由於惰性氣體的擴散而飛散並附著於鍍覆液箱35的壁面。在本實施方式中,向投入配管29供給惰性氣體,但在沒有向投入配管29供給惰性氣體的情況下,從投入配管29排出的氧化銅粉末也有可能 會附著於鍍覆液箱35的壁面。具體地說,例如氧化銅粉末在與鍍覆液面碰撞時會與鍍覆液一起向周圍飛散,氧化銅粉末有可能附著於鍍覆液箱35的壁面。因此,根據本實施方式的液幕生成構件60,即使在沒有向投入配管29供給惰性氣體的情況下,也能夠抑制氧化銅粉末與鍍覆液面碰撞時的氧化銅粉末的飛散。
另外,液幕生成構件60具有包含第一部分65a和第二部分65b的排出口65。在排出口65為具有固定寬度的簡單環狀的情況下,難以生成連續的鍍覆液的液幕。另外,在沿周向隔開間隔地配置複數條軸向流路來構成排出口65的情況下,會排出噴淋狀的鍍覆液,而難以生成鍍覆液的液幕。由於本實施方式的排出口65包含第一部分65a和第二部分65b,所以能夠穩定地生成連續的鍍覆液的液幕。另外,排出口65沿周向以大致相等間隔具有複數個第二部分65b,藉此,能夠更加穩定地生成連續的鍍覆液的液幕。
本實施方式的液幕生成構件60具有第一周向流路66和軸向流路67,因此能夠一邊使從入口64供給的鍍覆液立刻遍佈液幕生成構件60的整周方向、一邊使其流動方向發生變化。另外,由於液幕生成構件60具有第二周向流路68,所以能夠沿整周均等地分散鍍覆液的壓力。
接下來,說明液幕生成構件60的變形例。第8A圖是表示液幕生成構件60的其他例子的立體圖。第8B圖是第8A圖所示的液幕生成構件60的側剖視圖。如第8A圖及第8B圖所示,本例的液幕生成構件60與第7A圖到第7C圖所示的液幕生成構件60同樣地作為整體為環狀構件,構成為安裝在投入配管29的外周面。如第8B圖詳細所示,液幕生成 構件60具有第一筒狀部分62、和位於第一筒狀部分62的外側的第二筒狀部分63。第二筒狀部分63具有用於向液幕生成構件60供給鍍覆液的入口64。另外,在第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間形成有將鍍覆液呈液幕狀排出的排出口65。入口64也可以形成於第一筒狀部分62。第一筒狀部分62與第二筒狀部分63相比在軸向上較長。具體地說,在液幕生成構件60被安裝於投入配管29的狀態下,第一筒狀部分62比排出口65更向鍍覆液箱35側(第8A圖、第8B圖中的下方向)延伸。
在入口64與排出口65之間形成有供鍍覆液流動的流路。在圖示的例子中,該流路由第一周向流路66、軸向流路67和排出流路69構成。第一周向流路66在周向範圍內形成於第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間,與入口64連通。軸向流路67與第一周向流路66連通。在圖示的例子中,沿著液幕生成構件60的周向以大致相等間隔配置有複數條軸向流路67,各條軸向流路67與第一周向流路66的徑向外側連通。排出流路69為將軸向流路67和排出口65流體連通的流路。
本實施方式的排出口65在第一筒狀部分62與第二筒狀部分63之間沿整周方向延伸。排出口65作為整體而具有大致環狀的截面,排出口65的徑向的寬度(環的厚度)大致固定。第二筒狀部分63在其內周面上具有以朝向排出口65而與第一筒狀部分62之間的距離變近的方式傾斜的斜面63a。另一方面,與第二筒狀部分63的斜面63a相對向的第一筒狀部分62的面具有固定的外徑。因此,排出流路69藉由第二筒狀部分63的斜面63a而構成為朝向排出口65逐漸變窄。
說明第8A圖及第8B圖所示的液幕生成構件60的功能。當 從第6圖所示的鍍覆液供給管路61將鍍覆液供給到液幕生成構件60的入口64時,鍍覆液從第一周向流路66通過並遍佈液幕生成構件60的整周。遍佈整周的鍍覆液接著從複數條軸向流路67通過而沿軸向移動。藉此,鍍覆液的流動方向發生變化。接著,從軸向流路67通過了的鍍覆液到達排出流路69。到達了排出流路69的鍍覆液通過朝向排出口65逐漸變窄的排出流路69而一邊流速上升一邊被從排出口65排出。從排出口65排出的鍍覆液通過逐漸變窄的排出流路69而被升壓,藉此,生成大致筒狀的鍍覆液的液幕。
根據以上說明的液幕生成構件60,能夠以覆蓋投入配管29的出口的方式生成筒狀的鍍覆液的液幕。藉此,能夠防止氧化銅粉末在從投入配管29排出時,由於惰性氣體的擴散而飛散並附著於鍍覆液箱35的壁面。在本實施方式中,向投入配管29供給惰性氣體,但在沒有向投入配管29供給惰性氣體的情況下,從投入配管29排出的氧化銅粉末也有可能會附著於鍍覆液箱35的壁面。具體地說,例如氧化銅粉末在與鍍覆液面碰撞時會與鍍覆液一起向周圍飛散,氧化銅粉末有可能附著於液箱35的壁面。因此,根據本實施方式的液幕生成構件60,即使在沒有向投入配管29供給惰性氣體的情況下,也能夠抑制氧化銅粉末與鍍覆液面碰撞時的氧化銅粉末的飛散。
另外,液幕生成構件60在第二筒狀部分63具有斜面63a,排出流路69朝向排出口65而逐漸變窄。藉此,在從排出流路69通過的鍍覆液中產生朝向第一筒狀部分62的外周面的方向的壓力,而能夠使鍍覆液的流速及壓力上升。另外,由於第一筒狀部分62比排出口65更向下方(鍍 覆液箱35側)延伸,所以從排出口65排出的鍍覆液沿著第一筒狀部分62的外周面流動。藉此,能夠穩定地生成沿周向連續的鍍覆液的液幕。
接下來,說明抑制料斗33的蓋41附近的氧化銅粉末飛散的結構。第9圖是料斗33的蓋41附近的放大側視圖。在從粉末容器21將氧化銅粉末向料斗33的投入口19投入時,氧化銅粉末有可能從粉末容器21的粉末導管46與投入口19之間的間隙向料斗33外飛散。另外,當氧化銅粉末被投入到料斗33內後,料斗33內部的氣體被從排氣口42排出,並且料斗33內的氧化銅粉末有可能從排氣口42向料斗33外部飛散。於是,在本實施方式中,如第9圖所示,粉末供給裝置20具有:用於防止氧化銅粉末從料斗33的投入口19與粉末導管46之間的間隙飛散的第一飛散防止構件74;及用於防止氧化銅粉末從料斗33的排氣口42飛散的第二飛散防止構件70。
如第9圖所示,本實施方式的粉末供給裝置20具有中間噴嘴80,該中間噴嘴80接收從粉末導管46的噴嘴46a投入的氧化銅粉末,並向料斗33的投入口19投入氧化銅粉末。在本實施方式中,第一飛散防止構件74設於中間噴嘴80。在其他實施方式中,也可以不設置中間噴嘴80而直接將氧化銅粉末從粉末容器21的粉末導管46向料斗33的投入口19投入。在該情況下,第一飛散防止構件74設於粉末導管46。
第10圖是第二飛散防止構件70的立體圖。如第10圖所示第二飛散防止構件具有關閉排氣口42的過濾器72、和將過濾器72固定在排氣口42上的固定構件71。在本實施方式中,能夠採用濾布過濾器等能夠捕捉氧化銅粉末的任意過濾器作為過濾器72。另外,在本實施方式中, 採用將過濾器72按壓在排氣口42上的大致筒狀的構件作為固定構件71。
第11圖是第一飛散防止構件74的立體圖。如第11圖所示,第一飛散防止構件74具有筒狀構件77、和從筒狀構件77沿徑向延伸的凸緣部75。筒狀構件77以與粉末導管46或中間噴嘴80嵌合的方式構成。第一飛散防止構件74藉由固定螺釘76而能夠被固定在粉末導管46或中間噴嘴80上。凸緣部75具有複數個開口。在本實施方式中,四個開口被設在凸緣部75上。這些複數個開口藉由過濾器72而被封閉。此外,在筒狀構件77的內部形成有開口78,在開口78中插入粉末導管46或中間噴嘴80。
接下來,說明從粉末容器21將氧化銅粉末投入到料斗33中的製程。第12圖是使第一飛散防止構件74與料斗33的投入口19接觸之前的料斗33的立體圖。第13圖是使第一飛散防止構件74與料斗33的投入口19接觸之後的料斗33的立體圖。如第12圖所示,粉末供給裝置20具有沿水平方向延伸的固定板85、和與固定板85螺合的複數個螺栓84。該固定板85是以對第3圖所示的重量測定器40不施加荷載的方式配置。
如第12圖所示,中間噴嘴80具有凸緣部81和從凸緣部81延伸的噴嘴部82(相當於投入噴嘴的一個例子)。第一飛散防止構件74安裝在中間噴嘴80的噴嘴部82。凸緣部81具有能夠供螺栓84通過的多個孔83。在第12圖所示的狀態下,複數個螺栓84從下方支承凸緣部81,第一飛散防止構件74的過濾器72(參照第11圖)不與料斗33的投入口19接觸。因此,在沒有將氧化銅粉末向料斗33投入時,由於安裝在中間噴嘴80上的第一飛散防止構件74不與料斗33接觸,所以不會對第3圖所示的重量 測定器40施加中間噴嘴80及第一飛散防止構件74的重量。
如第13圖所示,在將氧化銅粉末向料斗33投入時,首先,使中間噴嘴80沿周向旋轉預定角度,並使螺栓84從凸緣部81的孔83通過。中間噴嘴80朝向料斗33移動,第一飛散防止構件74與料斗33的投入口19接觸。藉此,第一飛散防止構件74的過濾器72防止氧化銅粉末從中間噴嘴80與料斗33的投入口19之間的間隙飛散。
此外,在沒有設置中間噴嘴80而是將第一飛散防止構件74設在粉末容器21的粉末導管46上的情況下,將粉末導管46插入到投入口19內直至第一飛散防止構件74的過濾器72與投入口19接觸,並打開閥48(參照第2圖)。藉此,第一飛散防止構件74的過濾器72會防止氧化銅粉末從粉末容器21的粉末導管46與料斗33的投入口19之間的間隙飛散。
另外,在其他實施方式中,第一飛散防止構件74也可以預先被安裝在料斗33的投入口19上。在該情況下,能夠將中間噴嘴80的噴嘴部82或粉末容器21的粉末導管46的噴嘴46a插入到安裝於投入口19的第一飛散防止構件74的筒狀構件77內而將氧化銅粉末投入到料斗33內。此外,在該情況下,預先對包含第一飛散防止構件74的重量在內的料斗33等的重量進行管理。
在上述實施方式中,說明了相對於鍍覆裝置另行設置的粉末供給裝置,但本發明在直接向鍍覆裝置所具有的鍍覆槽供給氧化銅粉末的情況下也能夠適用。另外,包含向鍍覆液供給的金屬的粉末並不限於氧化銅,也能夠包含鎳等各種金屬。
以上說明了本發明的實施方式,但上述發明的實施方式是為 了使本發明容易理解的實施方式,並非用來限定本發明的實施方式。本發明能夠不脫離其主旨的情形下進行變更、改進,並且在本發明中當然包含其等價物。另外,在能夠解決上述課題的至少一部分課題的範圍內、或達到至少一部分效果的範圍內,能夠進行權利要求書及說明書所記載的各結構要件的任意組合或省略。
以下記載本說明書揭示的幾個方式。
根據第1方式,提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向上述鍍覆液箱內投入上述粉末的投入配管;用於供給氣體的氣體供給管路;及構成為接收來自上述氣體供給管路的氣體、並在上述投入配管的內部生成朝向上述鍍覆液箱的螺旋氣流的螺旋氣流生成構件。
根據第2方式,在第1方式的粉末供給裝置中,上述螺旋氣流生成構件具有筒狀構件,該筒狀構件具有以與上述投入配管的內表面接觸的方式構成的外表面,上述筒狀構件具有上述鍍覆液箱側的第一端部、和與上述第一端部相反的一側的第二端部,在上述外表面上具有從上述第一端部朝向上述第二端部延伸的槽,構成為來自上述氣體供給管路的氣體從上述筒狀構件的上述槽通過。
根據第3方式,在第2方式的粉末供給裝置中,上述槽以相對於上述筒狀構件的軸向傾斜的方式形成。
根據第4方式,在第2或第3方式的粉末供給裝置中,上述螺旋氣流生成構件還具有沿周向延伸並與上述槽連通的空氣流路、和與上述氣體供給管路連接且與上述空氣流路連通的空氣注入口。
根據第5方式,在第1至第4方式的任一粉末供給裝置中,上述投入配管具有供上述粉末投入的入口開口端部、和供上述粉末排出的出口開口端部,上述螺旋氣流生成構件設在上述投入配管的上述入口開口端部。
根據第6方式,在第1至第5方式的任一粉末供給裝置中,具有:構成為收納上述粉末的料斗;及構成為從設在上述料斗的下部的開口朝向上述投入配管供給上述粉末的送料器。
根據第7方式,提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向上述鍍覆液箱內投入上述粉末的投入配管;及以覆蓋上述投入配管的出口的方式生成筒狀的上述鍍覆液的液幕的液幕生成構件。
根據第8方式,在第7方式的粉末供給裝置中,上述液幕生成構件具有第一筒狀部分、和位於上述第一筒狀部分的外側的第二筒狀部分,在上述第一筒狀部分與上述第二筒狀部分之間形成有排出上述鍍覆液的排出口,上述排出口在上述第一筒狀部分與上述第二筒狀部分之間沿整周方向延伸,在上述液幕生成構件的與軸向正交的截面中,具有:第一部分,其具有第一徑向寬度;及第二部分,其具有比上述第一徑向寬度大的第二徑向寬度。
根據第9方式,在第8方式的粉末供給裝置中,上述排出口具有複數個上述第二部分,複數個上述第2部分沿周向以大致相等間隔配置。
根據第10方式,在第7方式的粉末供給裝置中,上述液幕 生成構件具有:第一筒狀部分;位於上述第一筒狀部分的外側的第二筒狀部分;及形成在上述第一筒狀部分與上述第二筒狀部分之間的排出口,在上述第一筒狀部分與上述第二筒狀部分之間形成有與上述排出口連通並排出上述鍍覆液的排出流路,上述第二筒狀部分在其內周面上具有以朝向上述排出口而與上述第一筒狀部分之間的距離變近的方式傾斜的斜面,上述排出流路藉由上述第二筒狀部分的上述斜面而構成為朝向上述排出口逐漸變窄。
根據第11方式,在第10方式的粉末供給裝置中,上述第一筒狀部分比上述排出口更向上述鍍覆液箱側延伸。
根據第12方式,在第8至第11方式的任一粉末供給裝置中,上述液幕生成構件具有:上述鍍覆液的入口;及與上述入口連通、且在上述第一筒狀部分與上述第二筒狀部分之間沿周向延伸的第一周向流路。
根據第13方式,在第12方式的粉末供給裝置中,上述液幕生成構件具有與上述第一周向流路連通的複數條軸向流路。
根據第14方式,在第12方式的粉末供給裝置中,上述液幕生成構件具有與各條上述軸向流路連通,且在上述第一筒狀部分與第二筒狀部分之間沿周向延伸的第二周向流路,上述第二周向流路與上述排出口連通。
根據第15方式,在第13方式的粉末供給裝置中,上述複數條軸向流路與上述排出流路連通。
根據第16方式,在第7至第15方式的任一粉末供給裝置 中,具有用於向上述投入配管內供給氣體的氣體供給管路。
根據第17方式,提供一種將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給的粉末供給裝置。該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;及收納上述粉末的料斗,上述料斗具有用於將上述粉末向上述料斗內投入的投入口、和排出上述料斗內的氣體的排氣口,上述粉末供給裝置更具有:構成為防止上述粉末從上述投入口與用於向上述投入口投入上述粉末的投入噴嘴之間的間隙飛散的第一飛散防止構件;及構成為防止上述粉末從上述排氣口飛散的第二飛散防止構件。
根據第18方式,在第17方式的粉末供給裝置中,上述第一飛散防止構件包含濾布過濾器,被安裝在上述投入口或上述投入噴嘴。
根據第19方式,在第17或第18方式的粉末供給裝置中,上述第二飛散防止構件包含濾布過濾器,被安裝在上述排氣口。
根據第20方式,在第17至第19方式的任一粉末供給裝置中,上述投入噴嘴為收納粉末的粉末容器的噴嘴。
根據第21方式,在第17至第19方式的任一粉末供給裝置中,具有中間噴嘴,該中間噴嘴接收從收納粉末的粉末容器的噴嘴投入的上述粉末,並向上述料斗的投入口投入上述粉末,上述投入噴嘴為上述中間噴嘴。
根據第22方式,在第21方式的粉末供給裝置中,上述第一飛散防止構件安裝於上述中間噴嘴,構成為在將上述粉末向上述料斗投入時,上述第一飛散防止構件與上述料斗的上述投入口接觸。
根據第23方式,提供一種鍍覆系統。該鍍覆系統具有:第 1至第22方式的任一粉末供給裝置;用於對基板進行鍍覆的鍍覆槽;及從上述粉末供給裝置的上述鍍覆液箱向上述鍍覆槽延伸的鍍覆液供給管。

Claims (23)

  1. 一種粉末供給裝置,係將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給,該粉末供給裝置具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向前述鍍覆液箱內投入前述粉末的投入配管;用於供給氣體的氣體供給管路;及構成為接收來自前述氣體供給管路的氣體,並在前述投入配管的內部生成朝向前述鍍覆液箱的螺旋氣流的螺旋氣流生成構件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的粉末供給裝置,其中,前述螺旋氣流生成構件具有筒狀構件,該筒狀構件具有以與前述投入配管的內表面接觸的方式構成的外表面,前述筒狀構件具有前述鍍覆液箱側的第一端部、和與前述第一端部相反的一側的第二端部,且在前述外表面上具有從前述第一端部朝向前述第二端部延伸的槽,前述粉末供給裝置構成為來自前述氣體供給管路的氣體從前述筒狀構件的前述槽通過。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的粉末供給裝置,其中,前述槽以相對於前述筒狀構件的軸向傾斜的方式形成。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的粉末供給裝置,其中,前述螺旋氣流生成構件更具有沿周向延伸且與前述槽連通的空氣流路、和與前述氣體供給管路連接且與前述空氣流路連通的空氣注入口。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的粉末供給裝置,其中, 前述投入配管具有供前述粉末投入的入口開口端部、和供前述粉末排出的出口開口端部,前述螺旋氣流生成構件設在前述投入配管的前述入口開口端部。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的粉末供給裝置,更具有:構成為收納前述粉末的料斗;及構成為從設在前述料斗的下部的開口朝向前述投入配管供給前述粉末的送料器。
  7. 一種粉末供給裝置,係將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給者,具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;用於向前述鍍覆液箱內投入前述粉末的投入配管;及以覆蓋前述投入配管的出口的方式生成筒狀的前述鍍覆液的液幕的液幕生成構件。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的粉末供給裝置,其中,前述液幕生成構件具有第一筒狀部分、和位於前述第一筒狀部分的外側的第二筒狀部分,在前述第一筒狀部分與前述第二筒狀部分之間形成有排出前述鍍覆液的排出口,前述排出口在前述第一筒狀部分與前述第二筒狀部分之間沿整周方向延伸,而在前述液幕生成構件之與軸向正交的截面中,具有:第一部分,其具有第一徑向寬度;及第二部分,其具有比前述第一徑向寬度大的第二徑向寬度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的粉末供給裝置,其中, 前述排出口具有複數個前述第二部分,複數個前述第二部分沿周向以大致相等間隔配置。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的粉末供給裝置,其中,前述液幕生成構件具有:第一筒狀部分;位於前述第一筒狀部分的外側的第二筒狀部分;及形成在前述第一筒狀部分與前述第二筒狀部分之間的排出口,在前述第一筒狀部分與前述第二筒狀部分之間形成有與前述排出口連通並排出前述鍍覆液的排出流路,前述第二筒狀部分在其內周面上具有以朝向前述排出口而與前述第一筒狀部分之間的距離變近的方式傾斜的斜面,前述排出流路藉由前述第二筒狀部分的前述斜面而構成為朝向前述排出口逐漸變窄。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的粉末供給裝置,其中,前述第一筒狀部分比前述排出口更向前述鍍覆液箱側延伸。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的粉末供給裝置,其中,前述液幕生成構件具有:前述鍍覆液的入口;及與前述入口連通,且在前述第一筒狀部分與前述第二筒狀部分之間沿周向延伸的第一周向流路。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的粉末供給裝置,其中,前述液幕生成構件具有與前述第一周向流路連通的複數條軸向流路。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的粉末供給裝置,其中, 前述液幕生成構件具有與各條前述軸向流路連通,且在前述第一筒狀部分與第二筒狀部分之間沿周向延伸的第二周向流路,前述第二周向流路與前述排出口連通。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的粉末供給裝置,其中,前述液幕生成構件具有:前述鍍覆液的入口;與前述入口連通,且在前述第一筒狀部分與前述第二筒狀部分之間沿周向延伸的第一周向流路;及與前述第一周向流路連通的複數條軸向流路,前述複數條軸向流路與前述排出流路連通。
  16. 如申請專利範圍第7項所述的粉末供給裝置,其中,具有用於向前述投入配管內供給氣體的氣體供給管路。
  17. 一種粉末供給裝置,係將包含使用於鍍覆的金屬的粉末向鍍覆液供給者,具有:構成為收納鍍覆液的鍍覆液箱;及收納前述粉末的料斗,前述料斗具有用於將前述粉末向前述料斗內投入的投入口、和排出前述料斗內的氣體的排氣口,前述粉末供給裝置更具有:構成為防止前述粉末從前述投入口與用於向前述投入口投入前述粉末的投入噴嘴之間的間隙飛散的第一飛散防止構件;及構成為防止前述粉末從前述排氣口飛散的第二飛散防止構件。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的粉末供給裝置,其中,前述第一飛散防止構件包含濾布過濾器,該濾布過濾器被安裝在前述投入口或前述投入噴嘴。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的粉末供給裝置,其中,前述第二飛散防止構件包含濾布過濾器,該濾布過濾器被安裝在前述排氣口。
  20. 如申請專利範圍第17項所述的粉末供給裝置,其中,前述投入噴嘴為收納粉末的粉末容器的噴嘴。
  21. 如申請專利範圍第17項所述的粉末供給裝置,其中,具有中間噴嘴,該中間噴嘴接收從收納粉末的粉末容器的噴嘴投入的前述粉末,並向前述料斗的投入口投入前述粉末,前述投入噴嘴為前述中間噴嘴。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的粉末供給裝置,其中,前述第一飛散防止構件安裝在前述中間噴嘴,前述粉末供給裝置構成為在將前述粉末向前述料斗投入時,前述第一飛散防止構件與前述料斗的前述投入口接觸。
  23. 一種鍍覆系統,係具有:申請專利範圍第1至22項中任一項所述的粉末供給裝置;用於對基板進行鍍覆的鍍覆槽;及從前述粉末供給裝置的前述鍍覆液箱向前述鍍覆槽延伸的鍍覆液供給管。
TW107142970A 2017-12-28 2018-11-30 粉體供給裝置及鍍覆系統 TWI775994B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017253017A JP6932634B2 (ja) 2017-12-28 2017-12-28 粉体供給装置及びめっきシステム
JP2017-253017 2017-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201930656A true TW201930656A (zh) 2019-08-01
TWI775994B TWI775994B (zh) 2022-09-01

Family

ID=67058056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107142970A TWI775994B (zh) 2017-12-28 2018-11-30 粉體供給裝置及鍍覆系統

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11359304B2 (zh)
JP (3) JP6932634B2 (zh)
KR (1) KR102545450B1 (zh)
CN (3) CN115787054A (zh)
TW (1) TWI775994B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7472278B2 (ja) * 2019-10-29 2024-04-22 ビーエーエスエフ コーティングス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 固体原材料を補充及び移送するためのユニット
CN114534654B (zh) * 2022-02-21 2023-02-07 江苏道尔顿石化科技有限公司 一种聚甲醛粉体钝化和脱挥的后处理装置和方法
JP7525758B1 (ja) 2023-12-21 2024-07-30 株式会社荏原製作所 めっき液供給装置、めっきシステム、及びめっき液供給装置のメンテナンス方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS469403Y1 (zh) * 1967-11-30 1971-04-02
JPS6253242U (zh) * 1985-09-25 1987-04-02
JPH033579Y2 (zh) * 1986-07-16 1991-01-30
JP2855038B2 (ja) * 1992-12-25 1999-02-10 川崎製鉄株式会社 めっき用金属性原料の溶解方法および装置
JP3867176B2 (ja) * 1996-09-24 2007-01-10 アール・アイ・ディー株式会社 粉体質量流量測定装置、およびこれを適用した静電粉体塗装装置
KR19990013569U (ko) * 1997-09-27 1999-04-15 이구택 다단계 믹서 노즐이 장착된 분말 용해장치
JP2001025649A (ja) * 1999-07-16 2001-01-30 Taisei Kogyo Kk 粉体溶解装置
JP3869730B2 (ja) * 2002-01-16 2007-01-17 株式会社平間理化研究所 処理液調製供給方法及び装置
JP2004269956A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 金属粉末製造装置及び当該装置を用いた金属粉末の製造方法
JP2004292941A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Nippon Light Metal Co Ltd 金属溶湯の精製装置およびこれに用いる精製方法
JP4544449B2 (ja) * 2003-10-20 2010-09-15 株式会社 ワイ・エム・エス 螺旋気流による吸引式粉体輸送方法および装置
KR100718716B1 (ko) * 2005-12-28 2007-05-15 한국수자원공사 수처리장의 열풍형 분체 약품 투입장치
EP2458034A1 (en) * 2010-01-21 2012-05-30 Alstom Technology Ltd A method of ventilating an aluminium production electrolytic cell
JP5769955B2 (ja) * 2010-11-30 2015-08-26 ライト工業株式会社 粉体供給装置
JP2014118215A (ja) 2012-12-13 2014-06-30 Pgc Engineering Kk 粉粒体の切出し装置
KR101596240B1 (ko) * 2014-06-03 2016-02-22 (주)포인텍 분체의 용해 장치
CN104328475A (zh) * 2014-06-20 2015-02-04 商实企业有限公司 镀铜系统
CN205368533U (zh) * 2015-10-28 2016-07-06 东莞市希锐自动化科技股份有限公司 一种电镀用氧化铜粉自动添加系统
US20170226656A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-10 Ebara Corporation Apparatus and method for supplying plating solution to plating tank, plating system, powder container, and plating method
JP6767243B2 (ja) * 2016-02-10 2020-10-14 株式会社荏原製作所 めっき槽にめっき液を供給するための装置および方法、並びにめっきシステム
CN106835257B (zh) * 2017-01-19 2018-09-25 南京麦文环保设备工程有限责任公司 用于镀铜工艺的硫酸铜溶液全自动配制系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN115787054A (zh) 2023-03-14
KR20190080759A (ko) 2019-07-08
CN115874258A (zh) 2023-03-31
JP7127182B2 (ja) 2022-08-29
US20220243356A1 (en) 2022-08-04
CN109989093B (zh) 2022-12-16
TWI775994B (zh) 2022-09-01
JP2021120485A (ja) 2021-08-19
US11359304B2 (en) 2022-06-14
JP6932634B2 (ja) 2021-09-08
US20190203374A1 (en) 2019-07-04
CN109989093A (zh) 2019-07-09
JP7127181B2 (ja) 2022-08-29
JP2021120484A (ja) 2021-08-19
KR102545450B1 (ko) 2023-06-19
JP2019119894A (ja) 2019-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7127182B2 (ja) 粉体供給装置及びめっきシステム
KR102353054B1 (ko) 도금조에 도금액을 공급하기 위한 장치 및 방법, 도금 시스템, 분체 용기 및 도금 방법
US20170226656A1 (en) Apparatus and method for supplying plating solution to plating tank, plating system, powder container, and plating method
KR101936538B1 (ko) 기판 처리 장치
US10814455B2 (en) Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station
TWI692554B (zh) 氧化銅粉體、鍍覆基板的方法、以及管理鍍覆液的方法
JP5198187B2 (ja) 液処理装置および処理液供給方法
US20220074064A1 (en) Copper oxide solid for use in plating of a substrate, method of producing the copper oxide solid, and apparatus for supplying a plating solution into a plating tank
KR101348437B1 (ko) 액처리 장치 및 처리액 공급 방법
KR101665788B1 (ko) 분말 공급장치
JP6710553B2 (ja) 試料導入装置
JP2019069420A (ja) 薬液供給装置
US10503182B2 (en) Apparatus and method for metals free reduction and control of resistivity of deionized water
KR20170014776A (ko) 노즐유닛 및 이를 구비하는 세정장치
TWI689970B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
CN218241784U (zh) 一种晶圆循环清洗系统
TW202220741A (zh) 過濾系統和清洗過濾裝置的方法
KR20010048261A (ko) 화학기상 증착 장비의 가스 혼합 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent