TW201926798A - 天線裝置、天線系統、及計測系統 - Google Patents

天線裝置、天線系統、及計測系統 Download PDF

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Abstract

[課題]抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且，提升遮斷性能，也得到良好的增益。 　　[解決手段]天線裝置(1)具備導波管本體(5)以及連接器(50)；該導波管本體具備：同軸導波管變換部(6)，其係利用六面體所構成，具備：貫通在第1面與第2面之間而形成之內部空間(8)、以及連通形成在與第1面及第2面正交的第3面和內部空間之間之同軸連接器插通用的連接器安裝孔(22)；以及閉塞構件(30)，其係閉塞內部空間的第2面側的開口；該連接器具備：連接器本體(51)，其係從內部空間朝向外側並被安裝在連接器安裝孔，且內端部不突出到內部空間內；中心導體(60)，其係貫通連接器本體的中心部在軸方向上，並使末端部從連接器本體的內端部突出特定長度到內部空間內；以及輻射器(54b)，其係利用中心導體的末端部(60a)所構成，使末端部的突出長度適合到特定的頻率帶。

Description

天線裝置、天線系統、及計測系統
本發明有關適合數位調變機器的測定之天線裝置、天線系統、及計測系統。
最近幾年，作為攜帶式電話機或智慧型電話等的移動體終端，數位調變機器正為普及，為了接近或是緊接這些被測定物來進行電波的發送或是接收並測定針對被測定物的高頻之各項特性，利用有耦合器天線。 　　在這樣用途的耦合器天線的情況下，為了對應到測定對象的頻率帶，採用了在平板狀的介電質基板的其中一面形成了複數個元件的圖案之貼片型天線。
例如，在這樣習知的貼片型天線的前部面安裝了漏斗之漏斗形天線是廣為人知的。把對這樣的漏斗形天線進行了3種類的測定之結果表示於圖27(a)～(c)。 　　圖27(a)為表示了把漏斗形天線配置在自由空間之際的反射損耗特性(return loss)之繪製圖。 　　圖27(b)為表示在使1對漏斗形天線彼此對向，結合在結合距離0mm的情況下測定出的耦合器結合特性(通過振幅特性)之繪製圖。 　　在測定出了耦合器結合特性(通過振幅特性)的情況下，在成為目的之頻率帶(23GHz～29GHz)中，作為陡峭的波形的紊亂，例如-30db以上的位準變動係不規則產生。 　　圖27(c)為表示在用金屬板覆蓋了漏斗形天線的整個面之情況下所測定出在全反射下的反射損耗特性(返回漏失)之繪製圖。 　　在測定出反射損耗特性(返回漏失)之情況下，經由全反射在帶域內，陡峭的波形的紊亂係不規則產生。
有關這樣的貼片型天線係被專利文獻1所揭示。 　　在專利文獻1，發送天線及複數個接收天線包含：具有介電性之基板；被配置在基板的主面之圓偏振波的天線元件；形成在基板的背面之接地層；包圍天線元件並配置在基板的主面之條狀導體；以及從基板的主面中形成條狀導體的區域，形成往基板的背面貫通且以特定的間隔排列之複數個貫通孔，透過各貫通孔電性連接接地層與條狀導體之複數個連接導體。條狀導體的內緣係揭示出比起各貫通孔的內壁更突出到天線元件側之構成。揭示出經由這樣的構成，做出可以抑制在發送天線及接收天線的基板主面上產生表面波，並讓各天線的放射特性得到期望的安定之形狀。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-258762號專利公報
[發明欲解決之課題]
在習知的貼片型天線的情況下，具有僅配置複數個具有與目的之頻率相合之特定的圖案之元件在基板上之構造。 　　為此，產生各元件的特性變動、或各元件彼此的相互干涉，是有產生如圖28(b)表示般在帶域內的通過振幅特性的不規則的紊亂、或如圖28(c)表示般在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的不規則的紊亂之問題。 　　而且，具有特定的圖案之元件被配置在基板上的緣故，排除基板的背面、或從周圍所飛來的電波是有困難，是有所需的遮斷性能下降之問題。 　　本發明係有鑑於上述而為之創作，其目的是提供一種天線裝置，其係可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的EVM值。 [解決課題之手段]
為了解決上述課題，請求項1記載的發明，具備導波管本體以及連接器；該導波管本體具備：同軸導波管變換部，其係利用由導電材料所製成的六面體所構成，具備：貫通在對向的第1面與第2面之間而形成之內部空間、以及連通形成在與前述第1面及前述第2面正交的第3面和前述內部空間之間之同軸連接器插通用的連接器安裝孔；以及導電性的閉塞構件，其係閉塞前述內部空間的前述第2面側的開口；該連接器具備：導電性的連接器本體，其係從前述內部空間朝向外側並被安裝在前述連接器安裝孔，且內端部不突出到前述內部空間內；中心導體，其係被配置成貫通該連接器本體的中心部在軸方向上，並使末端部從前述連接器本體的內端部突出特定長度到前述內部空間內；以及輻射器，其係利用突出到前述內部空間內的前述中心導體的末端部所構成，使該末端部的突出長度適合到特定的頻率帶，來把來自前述中心導體的電波輻射到前述內部空間內。 [發明效果]
根據本發明，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的EVM值。
以下，利用把本發明表示在圖面之實施方式，進行詳細說明。 　　本發明係為了可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的增益，具有以下的構成。 　　亦即，本發明的天線裝置1，具備導波管本體以及連接器；該導波管本體具備：同軸導波管變換部，其係利用由導電材料所製成的六面體所構成，具備：貫通在對向的第1面與第2面之間而形成之內部空間、以及連通形成在與第1面及第2面正交的第3面和內部空間之間之同軸連接器插通用的連接器安裝孔；以及導電性的閉塞構件30，其係閉塞內部空間的第2面側的開口；該連接器具備：導電性的連接器本體，其係從內部空間朝向外側並被安裝在連接器安裝孔，且內端部不突出到內部空間內；中心導體，其係被配置成貫通該連接器本體的中心部在軸方向上，並使末端部從連接器本體的內端部突出特定長度到內部空間內；以及輻射器，其係利用突出到內部空間內的中心導體的末端部所構成，使該末端部的突出長度適合到特定的頻率帶，來把來自中心導體的電波輻射到內部空間內。 　　經由具備以上的構成，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的EVM值。 　　關於上述記載的本發明的特徵，使用以下的圖面詳細解說之。但是，被記載在該實施方式之構成要件、種類、組合、形狀、其相對配置等並不限於特定的記載，並非僅把該發明的範圍限定於此之主旨，只不過是單純的說明例。 　　關於上述的本發明的特徵，以下，使用圖面詳細說明之。
接著，有關本發明的實施方式，參閱圖面說明之。 ＜天線裝置的構造＞ 　　圖1(a)為表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的構造之前視圖，(b)為(a)的A-A剖視圖，(c)為右側視圖，(d)為俯視圖，(e)為仰視圖，(f)為後視圖，(g)為(a)的B-B剖視圖。圖2(a)及(b)為表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的構造之立體圖。圖3(a)及(b)為表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的構造之爆炸圖。圖4(a)、(b)及(c)為有關本發明的一實施方式之連接器的仰視圖、剖視圖、俯視圖。 　　以下，把圖1(a)表示的前視圖作為基本的座標系統，把從紙面左到右方向作為x軸方向，把在紙平面與x軸方向正交的方向作為y軸方向，把與x軸方向及y軸方向正交的(垂直方向)作為z軸方向，進行說明。
該天線裝置1大致上具有：導波管本體5，其係具備內部空間8，該內部空間係貫通形成在2個對向的第1及第2面M1、M2的中央部，而且閉塞第2面側開口；連接器50，其係被配置在從與形成了內部空間8的面相異的外周圍圍面(第3面M3)貫通形成到內部空間8之間的連接器安裝孔22內，使設在其中一端部的輻射器露出到內部空間8內；直線偏振波型漏斗部200A，其係被連接到導波管本體5的內部空間8的第1面M1側(非閉塞面側)；取代直線偏振波型漏斗部200A，有圓偏振波型偏振波部100(圖5)；或者是介隔著圓偏振波型偏振波部100連接到內部空間的非閉塞面側之圓偏振波型漏斗部200B。
導波管本體5係大致上利用以下所構成：具有特定的均一厚度之四角塊狀體狀的同軸導波管變換部6；以及閉塞貫通形成到同軸導波管變換部6的內部空間8的其中一方的開口之薄板狀的閉塞構件30。 　　同軸導波管變換部6及閉塞構件30，皆是利用銅、鐵、鋁、黃銅、超材料(metamaterial)、或是施以金屬鍍覆到塑膠等的導電性材料所構成。 　　同軸導波管變換部6係利用由導電材料製成的六面體所構成，具有相互對向的第1面M1及第2面M2、相互對向的第3面M3及第4面M4、以及相互對向的第5面M5及第6面M6。
同軸導波管變換部6具備：第1導波管構件10，其係把成為內部空間8的凹陷部11具備在其中一面6a；以及第2導波管構件20，其係被自由裝卸地安裝在第1導波管構件10的其中一面，經此，閉塞凹陷部11的其中一面側，以形成內部空間8。 　　圖3(a)、(b)中，構成：在第1導波管構件10的其中一面6a，在把凹陷部11包挾在中間之處分別形成有圓形螺絲孔13，在與第2導波管構件20的各螺絲孔13整合(對應)的位置，形成與內部空間8的z軸方向平行延伸的長孔24，透過各長孔24可以把螺絲25螺固到各螺絲孔。在已把各螺絲25螺固到各螺絲孔13的狀態下，第2導波管構件20係在長孔24的縱長方向(z軸方向)長度的範圍內，相對於第2導波管構件20可以變位(改變位置)。本例中，長方形狀的第2導波管構件20的外側面(第3面M3)的縱長方向中央部成為凹處，在該凹處內形成連接器安裝孔22。各長孔24被形成在位在該凹處兩側的凸處。 　　可以安裝成把與第1導波管構件10的其中一面6a對向的第2導波管構件20的位置可以微調整在長孔24的長度的範圍內，經此，可以微調整天線裝置1的電性特性。其結果，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生。
成為內部空間8的凹陷部11，乃是被形成在第1導波管構件10的長方形狀的其中一面6a的縱長方向中央部之內部面為相互地正交之三個面所構成的溝，構成利用螺絲25可以自由裝卸細長的板狀的第2導波管構件20在其中一面6a。把第2導波管構件20固定在其中一面6a而閉塞凹陷部11，經此，形成內部空間8。 　　藉由組裝第2導波管構件20到第1導波管構件10所形成之同軸導波管變換部6，係如前述，成為由六個面亦即第1面M1乃至第6面M6所構成的長方體、或者是立方體。 　　內部空間8係貫通在同軸導波管變換部6之對向的第1面M1與第2面M2之間所形成。而且，在與第1面及第2面正交的第3面M3，貫通形成與內部空間8連通的同軸連接器插通用的連接器安裝孔22。本例中，連接器安裝孔22被貫通形成在第2導波管構件20。 　　內部空間8係利用導電性的閉塞構件閉塞(熔接)第2面側開口，經此，僅開放第1面M1側。 　　在閉塞構件30，形成與設在第1導波管構件10的外部面之螺絲孔10a對應的孔30a，在連通各螺絲孔10a與各孔30a的狀態下插通螺絲31並螺固，經此，閉塞構件30緊接到第1導波管構件10的外部面，被固定成沒有間隙。
＜連接器＞ 　　如圖1乃至圖4表示，連接器50具備：導電性的連接器本體51，其係被安裝在連接器安裝孔22從內部空間8朝向外側，以內端部56a不突出到內部空間8內的狀態做露出配置；中心導體60，其係貫通在該連接器本體的中心部並配置在y軸方向，使末端部60a從連接器本體的內端部56a僅突出特定長度L到內部空間8內；以及輻射器54b，其係由突出到內部空間8內之中心導體的末端部60a所構成，使該末端部的突出長度L(圖4)適合特定的頻率帶，經此，把來自中心導體的電波輻射到內部空間8內。在連接器本體51的其中一端外周圍形成公螺紋。連接器本體與中心導體的關係，係介隔著絕緣材料而被一體化。 　　尚且，如上述說明了輻射器54b輻射電波，但是，此乃是發送時的作用，在接收時，輻射器54b係吸收電波(電力接收)。
如圖4表示，有關本例的連接器50的連接器本體51，係大致具備有：中空筒狀的連接器插座部52，其係由導電體及絕緣體所製成；凸緣部53，其係被一體化在連接器插座部52的其中一端；中心導體60，其係朝軸方向貫通配置在連接器插座部52內；中心導體支撐部55，其係把中心導體60的適當處固定支撐在連接器插座部52的內周；以及絕緣體56，其係為了填埋中心導體60與連接器插座部52的內周之間的空間而填充。 　　在中心導體60的外側端部設有連接器插座接點部54a，在中心導體的內側端部設有元件也就是輻射器54b。輻射器54b乃是把中心導體60的末端部從連接器插座部52的內側端面突出了特定長度之部位，經由調整元件的長度L，使其同調在期望的頻率帶。 　　使連接器50的中心導體60從內端部56a突出之y軸方向的長度L，乃是對特定的頻率帶的波長的1/4，乘上特定的縮短率0.79後的長度。尚且，特定的頻率帶為可以被利用在第5世代終端(5G)之23GHz～29GHz。 　　經此，可以設計出可以特化並同調在特定的頻率帶之長度L。 　　如圖3(a)表示，本例中，在第2導波管構件20的內側面(第3面M3的相反側面)形成用於嵌合連接器的凸緣部53的凹處23。尺寸設定成：在把連接器的連接器插座部52插入到連接器安裝孔22而凸緣部53嵌合就位到凹處23內之際，凸緣部53的端面與第2導波管構件20的內側面成為同一面。 　　如此，天線裝置1係用導電性的閉塞構件30閉塞由導電材料製成的同軸導波管變換部6的內部空間8的第2面側開口，並且於輻射器54b，使突出到內部空間8內的中心導體60的末端部60a的突出長度適合於特定的頻率帶的緣故，可以讓在帶域內的通過振幅特性或反射損耗特性同調於帶域內，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的EVM值。
在內部空間8的第1面M1側的開口部，換言之在非閉塞面側，連接配置有以下任一者：把從輻射器54b輻射出的電波轉換成直線偏振波或是圓偏振波之圓偏振波型偏振波部100，或者是，提升增益並且遮斷從外部飛來的電波之直線偏振波型漏斗部200A。 　　尚且，如圖10(d)表示，也有圓偏振波型漏斗部200B介隔著圓偏振波型偏振波部100連接到內部空間8之情況。 　　經此，經由圓偏振波型偏振波部100可以容易得到圓偏振波特性，或是，經由漏斗部200可以遮斷從外部到來的電波並且提升增益。
＜圓偏振波型偏振波部＞ 　　圖5(a)、(b)及(c)為本發明之有關一個實施方式之圓偏振波型偏振波部的前視圖，俯視圖及後視圖；圖6(a)及(b)為偏向板的前視圖及側視圖；圖7(a)、(b)及(c)為圖5(a)的C-C、D-D及E-E的剖視圖；圖7(d)及(e)為圖7(b)的F-F、G-G剖視圖。而且，圖8(a)及(b)為圓偏振波型偏振波部的正面側外觀立體圖，及背面側外觀立體圖。
圓偏振波型偏振波部100被連接配置在內部空間8的第1面M1側的開口部。 　　圓偏振波型偏振波部100，乃是在利用銅、鐵、鋁、黃銅、超材料、或是施以金屬鍍覆鍍覆到塑膠等的導電材料所製成的長方體(長方體，或者是立方體)的塊狀體101內貫通形成有導波空間110者。亦即，貫通該塊狀體101之對向的2個面N1與N2，形成導波空間110。 　　本例中，把塊狀體101的深度長度L1為22mm、高度L2為14mm、寬度L3為24mm者作為其中一例，進行說明。 　　該導波空間110係第1面N1側的開口為圓形，另一方面，第2面N2側的開口為橫長的長方形。 　　亦即，導波空間110係從第1面N1的開口部側一直進入10mm到內部的部位為止成為相同直徑(φ8.24mm)的圓筒狀。把該圓筒狀的導波空間部分稱為圓形導波管部位120。在圓形導波管部位120內，用傾斜的姿勢，把利用鐵氟龍(註冊商標)(介電質)等所製成之0.5mm厚度的四角形的偏向板140，通過圓形的中心部而傾斜固定。亦即，偏向板140的長度相當於圓形導波管部位120的直徑。
而且，導波空間110係從第2面N2的開口部側一直進入12mm到內部的部位為止為略四角柱體狀的空間，把該導波空間部分稱為方形導波管部位130。 　　圓形導波管部位120的內側部側開口與方形導波管部位130的內側部側開口，係以各個中心軸A1、A2一致成直線狀的狀態連通。 　　而且，圓形導波管部位120的內側部側的圓形的開口部(周緣部121a)係不延伸超過方形導波管部位130的內側部側的圓形的開口部(周緣部131a，132a)，在方形導波管部位130的內側部側的開口部的位置為終端。從而，圓形導波管部位120的內側部側的圓形的開口部(周緣部121a)、以及方形導波管部位130的內側部側的圓形的開口部(周緣部131a，132a)，係成為形狀為一致的圓形。 　　從而，偏向板140停留在圓形導波管部位120的軸方向長內，不會延伸超過方形導波管部位130的內側部側的開口部。
方形導波管部位130的第2面N2(外側)的開口部為長方形狀，但是，其內側部側的開口部形狀係與圓形導波管部位120的內側部側開口(圓形)為同等的形狀、尺寸的圓形。亦即，方形導波管部位130的外側開口部之2個對向的短邊131(4.3mm)係在外側開口部為直線，但是，在內側部131a是與圓形導波管部位120的內側部側開口(圓形：φ8.24mm)的周緣部121a整合成圓弧狀。亦即，各短邊131的圓弧狀的內側部131a係在圓形導波管部位120的內側部側開口(圓形)的周緣為終端。 　　如圖5、圖7、圖8等表示，各短邊131之間的間隔L4(8.6mm)，係比起圓形導波管部位120的內側部側開口的直徑(φ8.24mm)還大若干程度的緣故，越朝向內側部，短邊之間的間隔遞減(縮小)成推拔狀，最後，短邊的內側部131a係與圓形導波管部位120的內側部側開口(圓形)的周緣整合。
另一方面，方形導波管部位130的外側開口部之2個對向的長邊132之間的間隔L5(4.3mm)係比起圓形導波管部位120的內側部側開口的直徑還小的緣故，越朝向內側部，長邊之間的間隔L5遞增(擴開)成推拔狀，最後，長邊的內側部132a係與圓形導波管部位120的內側部側開口(圓形)的周緣整合。 　　各短邊131的內側部131a以及各長邊132的內側部132a被連接設置成圓形，經此，形成與圓形導波管部位120的內側部側開口吻合之圓形形狀。 　　而且，除了長方形的外側開口部以外的方形導波管部位130的內部側的內壁133，係如圖7、圖8等表示，成為曲面狀。 　　形成以上般的圓偏振波型偏振波部100，係連接到第1導波管構件10的內部空間8的非閉塞面側(開口面側)，把從輻射器54b輻射出的電波轉換成圓偏振波。
＜直線偏振波型漏斗部200A＞ 　　直線偏振波型漏斗部200A被連接配置在內部空間8的第1面M1側的開口部。 　　如圖1～圖3表示，直線偏振波型漏斗部200A乃是把銅、鐵、鋁、黃銅、超材料、或是施以金屬鍍覆鍍覆到塑膠等的板材構成如圖示般的漏斗形狀者，本例中，把梯形狀的4片板材201a～201d(圖3)的側端邊彼此固定成一體化，經此，其中一端開口為小口徑的四角形，另一端開口為大口徑的四角形。 　　直線偏振波型漏斗部200A係利用截頂四角錐狀的漏斗來決定直線偏振波。尚且，所謂截頂，係意味著，從四角錘的頂部，把特定長度的部位，用與中心軸A1、A2正交的面切斷了的狀態、形狀。 　　如此，漏斗部200係以利用截頂四角錐狀的直線偏振波型漏斗部200A決定直線偏振波的方式，可以容易得到具有指向特性的直線偏振波特性，而且可以遮斷從指向方向外到來的電波，並且可以提升增益。
＜圓偏振波型漏斗部200B＞ 　　圖9(a)為表示與本發明的另一實施方式(16mm漏斗)有關的天線裝置的圓偏振波型漏斗部200B之外觀立體圖，(b)為前視圖，(c)為側視圖，(d)為後視圖。圖9(e)、(f)及(g)為與本發明的另一實施方式(15mm漏斗)有關的天線裝置的圓偏振波型漏斗部200B的前視圖、側視圖、及後視圖。 　　圓偏振波型漏斗部200B為截頂圓錐狀，被連接配置在圓偏振波型偏振波部100的第1面N1側的圓形開口。 　　圓偏振波型漏斗部200B的小口徑的圓形開口部係做成與圓偏振波型偏振波部100的第1面N1側的開口為同形狀，經由熔接等而被固定。 　　圓偏振波型漏斗部200B係利用截頂圓錐狀的漏斗來決定圓偏振波。尚且，所謂截頂，係意味著，從圓錐的頂部，把特定長度的部位，用與中心軸A1、A2正交的面切斷了的狀態、形狀。 　　如此，漏斗部200係以利用截頂圓錐狀的圓偏振波型漏斗部200B決定圓偏振波的方式，可以容易得到具有指向特性的圓偏振波特性，而且可以遮斷從指向方向外到來的電波，並且可以提升增益。
＜天線裝置的變形例＞ 　　圖10(a)～(d)為表示與本發明的一實施方式有關的天線裝置的變形例之側視圖。圖11為表示出表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的變形例的構成之圖表之圖。 　　圖10(a)係表示具備了同軸導波管變換部6以及連接器50之直線偏振波耦合器1A的構成。詳細地說，同軸導波管變換部6具備：第1導波管構件10、第2導波管構件20、以及閉塞構件30。 　　圖10(b)係表示具備了轉換成圓偏振波的圓偏振波型偏振波部100、同軸導波管變換部6、以及連接器50之圓偏振波耦合器1B的構成。 　　圖10(c)係表示具備了直線偏振波型漏斗部200A、同軸導波管變換部6、以及連接器50之直線偏振波高增益高隔離耦合器1C的構成。 　　圖10(d)係表示具備了圓偏振波型漏斗部200B、圓偏振波型偏振波部100、同軸導波管變換部6、以及連接器50之圓偏振波高增益高隔離耦合器1D的構成。
＜天線裝置的各變形例的性能＞ 　　把天線裝置的各變形例中的通過振幅特性、反射損耗特性、EVM值、增益、VSWR表示在以下的表。
關於第1導波管構件10，使用頻率帶域為21.7GHz～33.0GHz，內部空間8的內徑尺寸為8.636mm×4.318mm，滿足EIA規範的WR-34之方形導波管。 　　如此，直線偏振波耦合器1A係從自天線裝置放射出的電波的通過振幅特性為涵蓋特定的頻率帶而變動幅度在5dB以內的緣故，可以得到良好的電波的通過振幅特性以及EVM值。 　　而且，從各耦合器(天線裝置)放射出的電波的全反射中的反射損耗特性係涵蓋特定的頻率帶而變動幅度在10dB以內的緣故，可以得到良好的EVM值。
在直線偏振波高增益高隔離耦合器1C、圓偏振波高增益高隔離耦合器1D的情況下，作為實際的效果，表現遮蔽從外部飛來的電波之隔離性良好，即便在被測定物也就是攜帶式電話器上的2處配置本天線進行試驗，也可以防止2個天線之間的干擾。 　　同軸導波管變換部6、圓偏振波型偏振波部100及漏斗部200的材質係利用銅、鐵、鋁、黃銅、超材料、施以金屬鍍覆到塑膠者、或是施以金屬塗布到塑膠或樹脂者所製成，藉此，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且具有指向特性藉此可以提升指向方向外的遮斷性能，更進一步，也可以得到良好的EVM值。 　　尚且，作為施以金屬塗布到塑膠或樹脂的手法，CVD法(化學的蒸鍍法)、PVD法(物理的蒸鍍法)、金屬線熔射法、金屬粉末熔射法等是廣為人知的。
＜天線系統、及計測系統＞ 　　圖12(a)為表示使用了有關本發明的一實施方式的天線裝置之天線系統、及計測系統之方塊圖，圖12(b)為表示使用在該計測系統的校正之校正套件之立體圖。 　　表示在圖12(a)的天線系統300，係將直線偏振波耦合器1A、圓偏振波耦合器1B、直線偏振波高增益高隔離耦合器1C、圓偏振波高增益高隔離耦合器1D中任1者具備1對作為天線裝置，把各天線裝置作為第1天線裝置301及第2天線裝置303，利用與第1天線裝置301的放射方向對向而配置之第2天線裝置303，接收從第1天線裝置301放射出的電波。
計測系統310具備網路分析器305以及監視器313，在網路分析器305的端子P1與第1天線裝置301的連接器之間連接同軸纜線307，在端子P2與第2天線裝置303的連接器之間連接同軸纜線309。 　　更進一步，在網路分析器305的監視器端子305m與監視器313的端子313m之間連接監視器纜線311。尚且，關於網路分析器305，例如使用安立股份有限公司製的MS46322B。 　　天線裝置係接近(緊接)配置到被測定物，例如用於測定從被測定物放射出的電波。作為被測定物，係把攜帶式電話器、行動式終端等產生電磁波者作為對象，例如，把利用23GHz～29GHz的頻率帶之次世代攜帶式電話(5G)作為對象。 　　計測系統310係適用於測定在天線系統300所具備之第1天線裝置301與第2天線裝置303之間的結合特性、反射損耗特性。
如此，天線裝置1係相對於被測定物配置在期望的位置，或是做密接配置，接收從被測定物放射出的電波。從而抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，可以得到良好的EVM值。 　　而且，天線裝置1係相對於被測定物配置在期望的位置，或是密接來使用，放射電波到被測定物。從而抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，可以放射良好的電波到被測定物。 　　而且，利用與第1天線裝置301的放射方向對向而配置之第2天線裝置303接收從第1天線裝置301放射出的電波，藉此，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，也可以得到良好的EVM值。 　　更進一步，把被測定物配置在第1天線裝置301與第2天線裝置303之間，藉此，在從被測定物放射出的電波，或是用被測定物接收的情況下，可以測定被測定物所致之影響程度。
在圖12(a)表示的計測系統310中，把圖12(b)表示的校正套件320使用在校正。 　　關於校正套件320，具備：連接器320S(SHORT)、連接器320o(OPEN)、連接器320L(LOAD)、連接器320T(THRU)之4個連接器。尚且，關於校正套件320，例如使用安立股份有限公司製的TOSLKF50A-40。
＜測定系統的校正程序＞ 　　圖13為表示在圖12表示的測定系統的校正程序之流程。詳細地說，示出先進行天線裝置1的反射損耗特性、結合特性的測定之測定系統310的校正程序。 　　在步驟S5，對網路分析器305輸入測定頻率(例如20GHz～30GHz)。 　　在步驟S10，對網路分析器305設定成校正CAL模式。 　　在步驟S15，在連接到網路分析器305的端子P1之同軸纜線307的末端，連接校正套件的連接器320S，把同軸纜線307的末端設為短路狀態(SHORT)。 　　在步驟S20，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。 　　在步驟S25，在連接到網路分析器305的端子P1之同軸纜線307的末端，連接校正套件的連接器320o，把同軸纜線307的末端設為開放狀態(OPEN)。 　　在步驟S30，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。 　　在步驟S35，在連接到網路分析器305的端子P1之同軸纜線307的末端，連接校正套件的連接器320L，設成在同軸纜線307的末端連接了負載(例如50Ω)之負載狀態(LOAD)。 　　在步驟S40，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。
在步驟S45，在連接到網路分析器305的端子P2之同軸纜線309的末端，連接校正套件的連接器320S，把同軸纜線309的末端設為短路狀態(SHORT)。 　　在步驟S50，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。 　　在步驟S55，在連接到網路分析器305的端子P2之同軸纜線309的末端，連接校正套件的連接器320o，把同軸纜線309的末端設為開放狀態(OPEN)。 　　在步驟S60，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。 　　在步驟S65，在連接到網路分析器305的端子P2之同軸纜線309的末端，連接校正套件的連接器320L，設成在同軸纜線309的末端連接了負載(例如50Ω)之負載狀態(LOAD)。 　　在步驟S70，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。
在步驟S75，在連接到網路分析器305的端子P1、P2之同軸纜線307、309的末端，連接校正套件的連接器320T，把同軸纜線307、309的末端彼此設為通過狀態(THRU)。 　　在步驟S70，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算。 　　其結果，可以對含有網路分析器305、同軸纜線307、309之測定系統，在已被設定的頻率帶中，把振幅特性、反射損耗特性、相位特性等校正到平穩的狀態。
＜反射損耗測定程序＞ 　　圖14為表示在圖12表示的計測系統中進行的反射損耗測定程序之流程。 　　在步驟S105，在連接到網路分析器305的端子P1之同軸纜線307的末端，連接第1天線裝置301的連接器，設成可以測定的狀態。 　　在步驟S110，對應使用者的操作，網路分析器305進行測定器內演算，在監視器313顯示反射損耗。此時，從網路分析器305的端子P1輸出的頻率帶的掃描中的電力，被第1天線裝置301反射，測定從第1天線裝置301回來的電力。
＜剛組裝完後的代表特性、調整後的代表特性＞ 　　圖15(a)、(b)為表示剛組裝完直線偏振波耦合器1A後的代表特性、調整後的代表特性之繪製圖。 　　在圖15(a)表示的剛組裝直線偏振波耦合器1A完後的代表特性的情況下，於25GHz～29GHz的頻率帶域內，反射損耗特性值集中到-10dB附近的位準，在23GHz附近產生-35dB以下之較強的共振。 　　在此，安裝成與第1導波管構件10的其中一面6a對向並可以微調整第2導波管構件20的位置，藉此，可以微調整突出到內部空間8內的中心導體60的末端部60a的位置。其結果，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生。 　　其結果，在圖15(b)表示的直線偏振波耦合器1A的調整後的代表特性的情況下，於25GHz～29GHz的頻率帶域內，反射損耗特性值被改善到-15dB附近的位準，較強的共振也改善到-30dB的位準。
＜結合損失特性的測定程序＞ 　　圖16為表示在圖12表示的計測系統中進行的結合損失特性的測定程序之流程。 　　在步驟S155，在連接到網路分析器305的端子P1之同軸纜線307的末端，連接第1天線裝置301的連接器，設成可以測定的狀態。 　　在步驟S160，網路分析器305進行測定器內演算，在監視器313顯示第1天線裝置301的反射損耗(圖17(a))。 　　在步驟S165，在連接到網路分析器305的端子P2之同軸纜線309的末端，連接第2天線裝置303的連接器，設成可以測定的狀態。 　　在步驟S170，網路分析器305進行測定器內演算，在監視器313顯示第2天線裝置303的反射損耗(圖17(d))。 　　在步驟S175，把第1天線裝置301與第2天線裝置303對向接近(密接)。 　　在步驟S180，網路分析器305進行測定器內演算，把第1天線裝置301與第2天線裝置303之間的結合特性(圖17(b))及反射損耗(圖17(c))顯示在監視器313。
＜反射損耗特性，結合特性的測定結果＞ 　　圖17(a)～(d)為表示計測系統中進行的反射損耗特性、結合特性的測定結果之繪製圖。 　　在圖17(a)表示的第1天線裝置301的反射損耗特性的情況下，於23GHz～29GHz的頻率帶，產生-10dB以下的位準。 　　在圖17(d)表示的第2天線裝置303的反射損耗特性的情況下，於23GHz～29GHz的頻率帶，產生-10dB以下的位準。 　　相對於此，在圖17(b)表示的第1天線裝置301與第2天線裝置303之間的結合特性的第1天線裝置側的情況下，於23GHz～29GHz的頻率帶，變動幅度被抑制在3dB以內左右的位準差，表現出極為平穩的結合特性。 　　另一方面，在圖17(c)表示的第1天線裝置301與第2天線裝置303之間的結合特性的第2天線裝置側的情況下，於23GHz～29GHz的頻率帶，變動幅度被抑制在3dB以內左右的位準差，表現出極為平穩的反射損耗特性。
＜與EVM測定有關的天線系統、及計測系統＞ 　　圖18為表示與使用了有關本發明的一實施方式的天線裝置之EVM測定有關的天線系統、及計測系統之方塊圖。 　　表示在圖18的天線系統300，係具備1對直線偏振波耦合器1A、圓偏振波耦合器1B、直線偏振波高增益高隔離耦合器1C、圓偏振波高增益高隔離耦合器1D中任1者作為天線裝置，把各天線裝置作為第1天線裝置301及第2天線裝置303，利用與第1天線裝置301的放射方向對向而配置之第2天線裝置303，接收從第1天線裝置301放射出的電波。
計測系統340具備向量訊號產生器325、虛擬發送機327、訊號分析器329、個人電腦PC331，在向量訊號產生器325的端子325a與虛擬發送機327的端子327a之間連接同軸纜線335，在向量訊號產生器325的端子325b與虛擬發送機327的端子327b之間連接同軸纜線333。尚且，關於向量訊號產生器325、訊號分析器329，例如分別使用安立股份有限公司製的MG3710A、MS2850A。 　　在虛擬發送機327的端子327c與第1天線裝置301的連接器之間連接同軸纜線321。 　　在第2天線裝置303的連接器與訊號分析器329的端子329a之間連接同軸纜線323。 　　更進一步，在訊號分析器329的端子329b的USB端子329m與個人電腦PC331的USB端子331a之間連接USB纜線137。 　　天線裝置係接近(緊接)配置到被測定物，例如用於測定從被測定物放射出的電波。作為被測定物，係把攜帶式電話器、行動式終端等產生電磁波者作為對象，例如，把利用23GHz～29GHz的頻率帶之次世代攜帶式電話(5G)作為對象。 　　計測系統340係適用於測定在天線系統300所具備的第1天線裝置301與第2天線裝置303之間、以及被測定物與第2天線裝置303之間的EVM特性。
＜EVM測定的校正程序＞ 　　圖19為在圖18表示的計測系統中進行的校正程序之流程。 　　在步驟S205，把連接到虛擬發送機327的端子327c之同軸纜線321連接到第1天線裝置301，把連接到第2天線裝置303的連接器之同軸纜線323連接到訊號分析器329的端子329a。 　　在步驟S210，作為向量訊號產生器325的設定，分別設定頻率為28.5GHz，帶域寬度為100MHz，調變為Pre-Standard CP-OFDM Downlink。 　　在步驟S215，調整向量訊號產生器325的輸出位準。 　　在步驟S220，調整訊號分析器329的輸入位準。 　　尚且，在步驟S215及步驟S220，調整在個人電腦PC331的監視器所顯示的訊號分析器329的Total EVM(rms)值(圖21)為最小。 　　尚且，於該天線裝置彼此的結合所致之EVM測定中，有必要把EVM值設成1％以下(越接近0％越好)。實際上，為了讓測定出第5世代終端(5G)的EVM值之際的測常數值具有可靠性，要是超過1％的話就會毫無可靠性。 　　為此，天線裝置彼此的結合特性的波形為平的，結合時的EVM值為1％以下，天線裝置的全反射時的波形沒有紊亂的狀態是有必要的。
＜EVM測定程序＞ 　　圖20為表示在圖18表示的計測系統中進行的EVM測定程序之流程。 　　在步驟S255，把連接到虛擬發送機327的端子327c之同軸纜線321連接到第1天線裝置301。 　　在步驟S260，把連接到第2天線裝置303的連接器之同軸纜線323連接到訊號分析器329的端子329a。 　　在步驟S265，把第1天線裝置301與第2天線裝置303對向接近(密接)。 　　在步驟S270，在訊號分析器329的監視器顯示EVM值(圖21)。 　　在此，圖21為表示了顯示出在圖18表示的計測系統中測定出的EVM值之監視器畫面之圖。 　　在此，所謂EVM，指的是調變精度，是計算出相對於理想標記點(未圖示)實際的訊號的標記點到底產生了多少的偏離並以％表示者。在數位通訊進行多位元調變的話標記數會變多，調變精度的要求更嚴格。調變精度不好，亦即指的是EVM值不好的話標記點(圖21，元件符號340)紊亂而數位通訊的通訊品質不好，最壞的情況下，無法通訊。
＜直線偏振波耦合器的自由空間下的反射損耗特性＞ 　　圖22(a)為表示在計測系統中進行了直線偏振波耦合器的自由空間下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖。 　　在圖22(a)表示的直線偏振波耦合器1A的自由空間下的反射損耗特性的情況下，於作為目的的23GHz～29GHz的頻率帶中為-10dB以下，作為執行力值為-15dB以下。
＜直線偏振波耦合器的耦合器結合特性＞ 　　圖22(b)為表示在計測系統中進行了直線偏振波耦合器的耦合器結合特性(通過振幅特性)的測定結果之繪製圖。 　　1對直線偏振波耦合器1A彼此在-10dB前後被結合，通過振幅特性係在作為目的之23GHz～29GHz的頻率帶中，進入到5dB左右的變動範圍內，沒有習知般的陡峭的波形的紊亂(圖27(b))，表現出極為平穩的結合特性。
＜直線偏振波耦合器的全反射下的反射損耗特性＞ 　　圖23(a)為表示在計測系統中進行了直線偏振波耦合器的全反射下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖。 　　在把直線偏振波耦合器1A的開口部的整個面用金屬板做了覆蓋的情況下，於作為目的之23GHz～29GHz的頻率帶中，反射損耗特性係變動幅度落在10dB左右的範圍內，沒有習知般的陡峭的波形的紊亂(圖23(c))，表現出極為平穩的反射損耗特性。
＜直線偏振波耦合器的EVM值＞ 　　圖23(b)為表示在計測系統中進行了直線偏振波耦合器的EVM值的測定結果之繪製圖。 　　在把1對直線偏振波耦合器1A彼此結合在結合距離0mm的情況下，例如於28.5GHz的頻率中，表現出EVM (rms)1％以下的良好的EVM值。
＜直線偏振波高增益高隔離耦合器的自由空間下的反射損耗特性＞ 　　圖24(a)為表示在計測系統中進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的自由空間下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖。 　　在圖24(a)表示的直線偏振波高增益高隔離耦合器1C的自由空間下的反射損耗特性的情況下，於作為目的的23GHz～29GHz的頻率帶中為-10dB以下，作為執行力值為-13dB以下。
＜直線偏振波高增益高隔離耦合器的耦合器結合特性＞ 　　圖24(b)為表示在計測系統中進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的耦合器結合特性(通過振幅特性)的測定結果之繪製圖。 　　在直線偏振波高增益高隔離耦合器1C與直線偏振波高增益高隔離耦合器1C之間，在-10dB前後被結合，通過振幅特性係在作為目的之23GHz～29GHz的頻率帶中，落在5dB左右的範圍內，沒有習知般的陡峭的波形的紊亂(圖27(b))，表現出極為穩平的結合特性。
＜直線偏振波高增益高隔離耦合器的全反射下的反射損耗特性＞ 　　圖25(a)為表示在計測系統中進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的全反射下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖。 　　在把直線偏振波高增益高隔離耦合器1C的開口部的整個面用金屬板做了覆蓋的情況下，於作為目的之23GHz～29GHz的頻率帶中，反射損耗特性的變動幅度落在10dB左右的範圍內，沒有習知般的陡峭的波形的紊亂(圖27(c))，表現出極為平穩的反射損耗特性。
＜直線偏振波高增益高隔離耦合器的EVM值＞ 　　圖25(b)為表示在計測系統中進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的EVM值的測定結果之繪製圖。 　　在把1對直線偏振波高增益高隔離耦合器1C彼此結合在結合距離0mm的情況下，例如於28.5GHz的頻率中，表現出EVM(rms)1％以下的良好的EVM值。
＜調整後的直線偏振波高增益高隔離耦合器的全反射下的反射損耗特性＞ 　　圖26(a)為表示微調整後，在計測系統中進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的全反射下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖。 　　在把直線偏振波高增益高隔離耦合器1C的開口部的整個面用金屬板做了覆蓋的情況下，於23GHz～43GHz的頻率帶中，反射損耗特性的變動幅度落在15dB左右的範圍內，沒有習知般的陡峭的波形的紊亂(圖27(c))，表現出極為平穩的反射損耗特性。
＜調整後的直線偏振波高增益高隔離耦合器的VSWR特性＞ 　　圖26(b)為表示在微調整後的計測系統中進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的VSWR特性的測定結果之繪製圖。 　　在把0dBm的掃描訊號輸入到了直線偏振波高增益高隔離耦合器1C的情況下，於23GHz～43GHz的頻率帶中，VSWR特性落在1.8以下的範圍內，表現出極為良好的VSWR特性。
＜調整後的直線偏振波高增益高隔離耦合器的耦合器結合特性＞ 　　圖26(c)係表示在微調整後的計測系統進行了直線偏振波高增益高隔離耦合器的耦合器結合特性(通過振幅特性)的測定結果之繪製圖。 　　在直線偏振波高增益高隔離耦合器1C與直線偏振波高增益高隔離耦合器1C之間，在-10dB前後被結合，通過振幅特性係在23GHz～43GHz的頻率帶中，落在5dB左右的範圍內，沒有習知般的陡峭的波形的紊亂(圖27(b))，表現出極為穩平的結合特性。
＜本實施方式的樣態例的作用、效果的總結＞ ＜第1樣態＞ 　　亦即，本樣態的天線裝置1，具備導波管本體5以及連接器50；該導波管本體具備：同軸導波管變換部6，其係利用由導電材料所製成的六面體所構成，具備：貫通在對向的第1面M1與第2面M2之間而形成之內部空間8、以及，連通(貫通)形成在與第1面M1及第2面M2正交的第3面M3與內部空間8之間之同軸連接器插通用的連接器安裝孔22；以及導電性的閉塞構件30，其係閉塞內部空間8的第2面側的開口；該連接器具備：導電性的連接器本體51，其係從內部空間朝向外側並被安裝在連接器安裝孔22，且內端部不突出到內部空間8內；中心導體60，其係被配置成貫通該連接器本體51的中心部在軸方向上，並使末端部從連接器本體51的內端部突出特定長度到內部空間8內；以及輻射器54b，其係利用突出到內部空間8內的中心導體60的末端部60a所構成，使該末端部60a的突出長度適合到特定的頻率帶，來把來自中心導體的電波輻射到內部空間8內。 　　根據本樣態，用導電性的閉塞構件30閉塞由導電材料所製成的同軸導波管變換部6的內部空間8的第2面側開口，並且，於輻射器54b，使突出到內部空間8內的中心導體60的末端部60a的突出長度適合到特定的頻率帶。 　　經此，可以把在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或反射損耗特性同調到帶域內，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的EVM值。
＜第2樣態＞ 　　本樣態的天線裝置1，具備圓偏振波型偏振波部100或是漏斗部200；該圓偏振波型偏振波部係被連接到同軸導波管變換部6的內部空間8的非閉塞面側(開口面側)，把從輻射器54b輻射出的電波轉換成圓偏振波；該漏斗部係直接或者是介隔著圓偏振波型偏振波部100連接到內部空間8的非閉塞面側(開口面側)，遮斷從外部到來的電波。 　　根據本樣態，利用圓偏振波型偏振波部100把從輻射器54b輻射出的電波轉換成圓偏振波，或是，介隔著圓偏振波型偏振波部100連接到漏斗部200，以具有指向特性的方式，遮斷從指向方向外到來的電波。 　　經此，經由圓偏振波型偏振波部100可以容易得到圓偏振波特性，或是，經由漏斗部200具有指向特性來藉此遮斷從指向方向外到來的電波並且提升增益。
＜第3樣態＞ 　　本樣態的漏斗部200，係利用截頂四角錐狀的直線偏振波型漏斗部200A決定直線偏振波，或是利用截頂圓錐狀的圓偏振波型漏斗部200B決定圓偏振波。 　　根據本樣態，利用直線偏振波型漏斗部200A決定直線偏振波，或是利用圓偏振波型漏斗部200B決定圓偏振波，藉此，可以容易得到直線偏振波特性或是圓偏振波特性，而且可以具有指向特性，遮斷從指向方向外到來的電波並且提升增益。
＜第4樣態＞ 　　本樣態的同軸導波管變換部6具備：第1導波管構件10，其係把成為內部空間8的凹陷部11具備在其中一面6a；以及第2導波管構件20，其係被自由裝卸地安裝在第1導波管構件10的其中一面，經此，閉塞凹陷部11的其中一面側，以形成內部空間8；構成如下：在第1導波管構件10的其中一面，在把凹陷部11包挾在中間之處分別形成螺絲孔；在與第2導波管構件20的各螺絲孔13整合(對應)的位置，形成與內部空間8的軸方向平行延伸的長孔24，透過該各長孔24可以把螺絲螺固到各螺絲孔13。 　　根據本樣態，構成透過與內部空間8的軸方向平行延伸的各長孔24可以把螺絲螺固到各螺絲孔13，藉此，可以微調整與各長孔24相對之各螺絲孔13的位置。其結果，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生。
＜第5樣態＞ 　　本樣態的同軸導波管變換部6係安裝成：與第1導波管構件10的其中一面6a對向並可以微調整第2導波管構件20的位置。 　　根據本樣態，安裝成與第1導波管構件10的其中一面6a對向並可以微調整第2導波管構件20的位置，藉此，可以微調整突出到內部空間8內的中心導體60的末端部60a的位置。其結果，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生。
＜第6樣態＞ 　　使本樣態的同軸連接器的中心導體60從內端部56a突出之軸方向的長度L，乃是對特定的頻率帶的波長的1/4，乘上特定的縮短率0.79後的長度。 　　根據本樣態，可以設計出可以特化並同調在特定的頻率帶之長度L。
＜第7樣態＞ 　　本樣態的漏斗部200具備：高度為4.3mm且寬度為8.6mm之第1內部空間8、以及高度為15mm～16mm且寬度為15mm～16mm之第2內部空間8。 　　根據本樣態，可以作成漏斗部，其係具備高度為4.3mm且寬度為8.6mm之第1內部空間8、以及高度為15mm～16mm且寬度為15mm～16mm之第2內部空間8，藉此，可以特化在特定的頻率帶之23GHz～29GHz，可以得到良好的增益。
＜第8樣態＞ 　　本樣態的同軸導波管變換部6、圓偏振波型偏振波部100及漏斗部200的材質，係利用銅、鐵、鋁、黃銅、超材料、施以金屬鍍覆到塑膠者、或是施以金屬塗布到塑膠或樹脂者所製成。 　　根據本樣態，同軸導波管變換部6、圓偏振波型偏振波部100及漏斗部200的材質係利用銅、鐵、鋁、黃銅、超材料、施以金屬鍍覆到塑膠者、或是施以金屬塗布到塑膠或樹脂者所製成，藉此，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或是在帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且可以提升遮斷性能，更進一步也可以得到良好的EVM值。
＜第9樣態＞ 　　本樣態的直線偏振波耦合器1A(天線裝置)係從自天線裝置放射出的電波的通過振幅特性為涵蓋特定的頻率帶而變動幅度在5dB以內。 　　根據本樣態，從自天線裝置放射出的電波的通過振幅特性為涵蓋特定的頻率帶而變動幅度在5dB以內的緣故，可以得到良好的電波的通過振幅特性。
＜第10樣態＞ 　　從本樣態的天線裝置1放射出的電波的全反射中的反射損耗特性的變動幅度，係涵蓋特定的頻率帶為10dB以內，而且為和緩的波形。 　　根據本樣態，從天線裝置1放射出的電波的全反射中的反射損耗特性，係涵蓋特定的頻率帶在10dB以內，而且為和緩的波形的緣故，可以得到良好的電波的反射損耗特性。
＜第11樣態＞ 　　本樣態的特定的頻率帶為23GHz～29GHz。 　　根據本樣態，特定的頻率帶為23GHz～29GHz的緣故，可以特化在該頻率帶，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，而且可以提升遮斷性能，更進一步可以得到良好的EVM值。
＜第12樣態＞ 　　本樣態的天線裝置1係相對於被測定物被配置在期望的位置，接收從被測定物放射出的電波。 　　根據本樣態，天線裝置1係相對於被測定物被配置在期望的位置，抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，經此，可以密接到被測定物，可以確實接收從被測定物放射出的電波，可以以良好的EVM值做測定。而且具有指向特性，藉此，可以提升來自指向方向外的遮斷性能，更進一步也可以得到良好的增益。
＜第13樣態＞ 　　本樣態的天線裝置1係相對於被測定物被配置在期望的位置，放射電波到被測定物。 　　根據本樣態，天線裝置1係相對於被測定物被配置在期望的位置，抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，經此，可以得到良好的EVM值，可以密接到被測定物而放射電波。而且，以具有指向特性的方式，可以僅在指向方向放射電波。
＜第14樣態＞ 　　本樣態的天線系統300係具備1對如第1樣態乃至第10樣態中任一項記載的天線裝置1，把各天線裝置1作為第1天線裝置301及第2天線裝置303，利用與第1天線裝置301的放射方向對向而配置之第2天線裝置303，接收從第1天線裝置301放射出的電波。 　　根據本樣態，可以抑制在帶域內的通過振幅特性的紊亂、或在全反射所致之帶域內的反射損耗特性的紊亂的產生，利用與第1天線裝置301的放射方向對向而配置之第2天線裝置303，接收從第1天線裝置301放射出的電波，藉此，可以得到良好的EVM值。
＜第15樣態＞ 　　本樣態的計測系統340，係在第11樣態記載的天線系統300所具備之第1天線裝置301與第2天線裝置303之間，配置被測定物。 　　根據本樣態，把被測定物配置在第1天線裝置301與第2天線裝置303之間，藉此，在從被測定物放射出的電波，或是用被測定物接收的情況下，可以測定被測定物所致之影響程度。
1‧‧‧天線裝置
1A‧‧‧直線偏振波耦合器
1B‧‧‧圓偏振波耦合器
1C‧‧‧直線偏振波高增益高隔離耦合器
1D‧‧‧圓偏振波高增益高隔離耦合器
5‧‧‧導波管本體
6‧‧‧同軸導波管變換部
8‧‧‧內部空間
10‧‧‧第1導波管構件
10a‧‧‧螺絲孔
11‧‧‧凹陷部
13‧‧‧螺絲孔
20‧‧‧導波管構件
22‧‧‧連接器安裝孔
23‧‧‧凹處
24‧‧‧長孔
25‧‧‧螺絲
30‧‧‧閉塞構件
30a‧‧‧孔
31‧‧‧螺絲
50‧‧‧連接器
51‧‧‧連接器本體
52‧‧‧連接器插座部
53‧‧‧凸緣部
54a‧‧‧連接器插座接點部
54b‧‧‧輻射器
55‧‧‧中心導體支撐部
56‧‧‧絕緣體
56a‧‧‧內端部
60‧‧‧中心導體
60a‧‧‧末端部
100‧‧‧圓偏振波型偏振波部
110‧‧‧導波空間
120‧‧‧圓形導波管部位
121a‧‧‧周緣部
130‧‧‧方形導波管部位
131‧‧‧短邊
131a‧‧‧周緣部
132‧‧‧長邊
132a‧‧‧內側部
133‧‧‧內壁
140‧‧‧偏向板
200‧‧‧漏斗部
200A‧‧‧直線偏振波型漏斗部
200B‧‧‧圓偏振波型漏斗部
201a‧‧‧板材
[圖1](a)為表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的構造之前視圖，(b)為(a)的A-A剖視圖，(c)為右側視圖，(d)為俯視圖，(e)為仰視圖，(f)為後視圖，(g)為(a)的B-B剖視圖。 　　[圖2](a)及(b)為表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的構造之立體圖。 　　[圖3](a)及(b)為表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的構造之爆炸圖。 　　[圖4](a)、(b)及(c)為有關本發明的一實施方式之連接器的仰視圖、剖視圖、俯視圖。 　　[圖5](a)、(b)及(c)為有關本發明的一個實施方式之圓偏振波型偏振波部的前視圖、俯視圖、及後視圖。 　　[圖6](a)及(b)為有關本發明之一的實施方式之偏向板的前視圖、及側視圖。 　　[圖7](a)、(b)及(c)為圖5(a)的C-C、D-D、及E-E的剖視圖；(d)及(e)為圖7(b)的F-F、G-G剖視圖。 　　[圖8](a)及(b)為圓偏振波型偏振波部的正面側外觀立體圖，及背面側外觀立體圖。 　　[圖9](a)為表示有關本發明的另一實施方式(16mm漏斗)之天線裝置的圓偏振波型漏斗部200B之外觀立體圖；(b)為前視圖，(c)為側視圖，(d)為後視圖；(e)(f)及(g)為有關本發明之另一實施方式(15mm漏斗)之天線裝置的圓偏振波型漏斗部200B的前視圖、側視圖、及後視圖。 　　[圖10](a)～(d)為有關本發明的一實施方式之天線裝置的變形例之側視圖。 　　[圖11]為表示出表示有關本發明的一實施方式之天線裝置的變形例的構成之圖表之圖。 　　[圖12](a)為表示使用了有關本發明的一實施方式的天線裝置之天線系統、及計測系統之方塊圖，(b)為表示使用在該計測系統的校正之校正套件之立體圖。 　　[圖13]為表示在圖12表示的測定系統的校正程序之流程。 　　[圖14]為表示在圖12表示的計測系統中進行的反射損耗測定程序之流程。 　　[圖15](a)、(b)為表示剛組裝完直線偏振波耦合器後的代表特性、調整後的代表特性之繪製圖。 　　[圖16]為表示在圖12表示的計測系統中進行的結合損失特性的測定程序之流程。 　　[圖17](a)～(d)為表示計測系統中進行的反射損耗特性、結合特性的測定結果之繪製圖。 　　[圖18]為表示與使用了有關本發明的一實施方式的天線裝置之EVM測定有關的天線系統、及計測系統之方塊圖。 　　[圖19]為在圖18表示的計測系統中進行的校正程序之流程。 　　[圖20]為表示在圖18表示的計測系統中進行的EVM測定程序之流程。 　　[圖21]為表示了顯示出在圖18表示的計測系統中測定出的EVM值之監視器畫面之圖。 　　[圖22](a)為表示在計測系統中進行的直線偏振波耦合器的自由空間下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖，(b)為表示在計測系統中進行的直線偏振波耦合器的耦合器結合特性(通過振幅特性)的測定結果之繪製圖。 　　[圖23](a)為表示在計測系統中進行的直線偏振波耦合器的全反射下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖，(b)為表示在計測系統中進行的直線偏振波耦合器的EVM值的測定結果之繪製圖。 　　[圖24](a)為表示在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的自由空間下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖，(b)為表示在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的耦合器結合特性(通過振幅特性)的測定結果之繪製圖。 　　[圖25](a)為表示在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的全反射下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖，(b)為表示在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的EVM值的測定結果之繪製圖。 　　[圖26](a)為表示在微調整後，在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的全反射下的反射損耗特性的測定結果之繪製圖，(b)為表示在微調整後，在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的VSWR特性的測定結果之繪製圖，(c)為表示在微調整後，在計測系統中進行的直線偏振波高增益高隔離耦合器的耦合器結合特性(通過振幅特性)的測定結果之繪製圖。 　　[圖27](a)為表示把漏斗形天線配置在自由空間之際的反射損耗特性(返回漏失)之繪製圖，(b)為表示在使1對漏斗形天線彼此對向，結合在結合距離0mm的情況下測定出的耦合器結合特性(通過振幅特性)之繪製圖，(c)為表示在用金屬板覆蓋漏斗形天線的整個面的情況下測定出的全反射下的反射損耗特性(返回漏失)之繪製圖。

Claims (15)

  1. 一種天線裝置，具備導波管本體以及連接器； 　　該導波管本體具備： 　　同軸導波管變換部，其係利用由導電材料所製成的六面體所構成，具備：貫通在對向的第1面與第2面之間而形成之內部空間、以及連通形成在與前述第1面及前述第2面正交的第3面和前述內部空間之間之同軸連接器插通用的連接器安裝孔；以及 　　導電性的閉塞構件，其係閉塞前述內部空間的前述第2面側的開口； 　　該連接器具備： 　　導電性的連接器本體，其係從前述內部空間朝向外側並被安裝在前述連接器安裝孔，且內端部不突出到前述內部空間內；中心導體，其係被配置成貫通該連接器本體的中心部在軸方向上，並使末端部從前述連接器本體的內端部突出特定長度到前述內部空間內；以及輻射器，其係利用突出到前述內部空間內的前述中心導體的末端部所構成，使該末端部的突出長度適合到特定的頻率帶，來把來自前述中心導體的電波輻射到前述內部空間內。
  2. 如請求項1的天線裝置，其中， 　　具備偏振波部或是漏斗部；該偏振波部係被連接到前述同軸導波管變換部的前述內部空間的非閉塞面側，把從前述輻射器輻射出的電波轉換成圓偏振波；該漏斗部係直接或者是介隔著前述偏振波部連接到前述內部空間的非閉塞面側，遮斷從外部到來的電波。
  3. 如請求項1的天線裝置，其中， 　　前述漏斗部，係利用截頂四角錐狀的漏斗決定直線偏振波，或是利用截頂圓錐狀的漏斗決定圓偏振波。
  4. 如請求項1的天線裝置，其中， 　　前述同軸導波管變換部具備：第1導波管構件，其係把成為前述內部空間之凹陷部具備在其中一面；以及第2導波管構件，其係被自由裝卸地安裝在前述第1導波管構件的其中一面，經此，閉塞前述凹陷部的其中一面側，以形成前述內部空間； 　　構成如下： 　　在前述第1導波管構件的前述其中一面，在把前述凹陷部包挾在中間之處分別形成有螺絲孔； 　　在與前述第2導波管構件的前述各螺絲孔整合的位置，形成與前述內部空間的前述軸方向平行延伸的長孔，透過該各長孔可以把螺絲螺固到前述各螺絲孔。
  5. 如請求項3的天線裝置，其中， 　　前述同軸導波管變換部係安裝成： 　　與前述第1導波管構件的其中一面對向並可以微調整前述第2導波管構件的位置。
  6. 如請求項1的天線裝置，其中， 　　使前述同軸連接器的中心導體從前述內端部突出之前述軸方向的長度，乃是對前述特定的頻率帶的波長的1/4，乘上特定的縮短率後的長度。
  7. 如請求項1的天線裝置，其中， 　　前述漏斗部具備：高度為4.3mm且寬度為8.6mm之第1內部空間、以及高度為15mm～16mm且寬度為15mm～16mm之第2內部空間。
  8. 如請求項2乃至6中任一項的天線裝置，其中， 　　前述同軸導波管變換部、前述偏振波部、及前述漏斗部的材質，係利用銅、鐵、鋁、黃銅、超材料、施以金屬鍍覆到塑膠者、或是施以金屬塗布塑膠或樹脂者所製成。
  9. 如請求項1乃至7中任一項的天線裝置，其中， 　　從自天線裝置放射出的電波的通過振幅特性，係涵蓋到前述特定的頻率帶為0～3db。
  10. 如請求項1乃至7中任一項的天線裝置，其中， 　　從自天線裝置放射出的電波的全反射中的反射損耗特性，係涵蓋到前述特定的頻率帶為10dB以內的變動幅度。
  11. 如請求項1乃至7中任一項的天線裝置，其中， 　　前述特定的頻率帶為23GHz～29GHz。
  12. 如請求項1乃至7中任一項的天線裝置，其中， 　　相對於被測定物被配置在期望的位置，接收從前述被測定物放射出的電波。
  13. 如請求項1乃至7中任一項的天線裝置，其中， 　　相對於被測定物被配置在期望的位置，放射電波到前述被測定物。
  14. 一種天線系統，係： 　　具備1對如請求項1乃至10中任一項記載的天線裝置； 　　把各天線裝置作為第1天線裝置及第2天線裝置； 　　利用與前述第1天線裝置的放射方向對向而配置之前述第2天線裝置，接收從前述第1天線裝置放射出的電波。
  15. 一種計測系統，係 　　在於請求項14記載的天線系統所具備之前述第1天線裝置與前述第2天線裝置之間，配置被測定物。
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