TW201926758A - Oled發光裝置 - Google Patents

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Abstract

這裡揭示了一種OLED發光裝置，其可達到改善可靠性及降低製造成本。此OLED發光裝置包含封裝層設置於緩衝層上活性區域和非活性區域，使設置於緩衝層上非活性區域的墊片藉由封裝層接合可以穩定地固定。因此，當附有覆晶薄膜膠帶的FPCB基板與柱電極捲帶式自動接合，COF膠帶沒有直接接觸墊片，而是接觸到與墊片相接的柱電極，特別是設置於封裝層上的柱電極的連接端子，從而建立了可撓性印刷電路板基板與柱電極的電性連接。由此，柱電極的連接端子藉由覆晶薄膜膠電連接到可撓性印刷電路板基板，使得來自外界的訊號可以被施加到與柱電極相接的墊片。

Description

OLED發光裝置
本發明係關於一種有機發光二極體（OLED）發光裝置。
螢光燈與白熾燈是目前主要的發光裝置。白熾燈儘管有高演色指數，但具有低能量效率的問題。螢光燈儘管有好的能量效率，但具有低演色指數以及含汞造成環境汙染的問題。
因此，發光二極體（LEDs）被認為可以作為取代螢光燈或白熾燈的發光裝置。此發光二極體是由無機發光材料形成，其發光效能在藍色波段有最大值，並且向具有最高可見度的紅色波段與綠色波段減小。因此，藉由結合紅色LED與綠色LED和藍色LED來獲得白光的方法具有發光效能降低的問題。此方法也具有因各LED發射峰寬度小而降低演色性的問題。
為了克服這些問題，這裡提供了一種發光裝置，其配置為藉由藍色LED與黃色磷光材料的結合來發射白光，而不是紅色LED與綠色LED和藍色LED的結合來發射白光。這是因為藉由高發光效能的藍色LED與被藍色LED的藍光照射而發出黃光的螢光材料的結合以發出白光的方法，比使用低發光效能的綠色LED更有效率。
然而，此配置為藉由藍色LED與黃色螢光材料結合以發出白光的發光裝置，因黃色螢光材料的低發光效能，使發光效能受限。
為了解決發光效率降低的問題，這裡提出了一種使用有機發光元件的OLED發光裝置，此有機發光元件由有機發光材料形成。通常，在綠色及紅色的波長範圍中有機發光元件相較於無機發光元件有較好的發光效能。此外，與無機發光元件相比，此有機發光元件因在藍色、紅色和綠色的波長範圍中有相對較寬的發射峰，而表現出改善的演色性，因此可以發射出更接近太陽光的光。
本發明的一實施例的目標在於提供一種OLED發光裝置，其可以達到改善可靠性並降低製造成本。
為此，根據本發明的OLED發光裝置省略了基板，取而代之的是具有設置於緩衝層上的活性區域及非活性區域上方的封裝層。
因此，根據本發明實施例的OLED發光裝置包含柱電極，柱電極穿過封裝層與墊片連接，從而改善有機發光元件的可靠性且達到製造成本的降低。
根據本發明的實施例，OLED發光裝置包含封裝層，封裝層設置於緩衝層上的活性區域和非活性區域的上方，以覆蓋第二電極及墊片。
此外，OLED發光裝置包含柱電極，柱電極穿過在非活性區域中的封裝層並與墊片連接。
柱電極可包含：穿透部，設置於非活性區域且穿過封裝層、墊片及緩衝層而與墊片連接；以及連接端子，設置於非活性區域中的封裝層的上表面，且與穿透部連接。
根據一實施例的OLED發光裝置，因封裝層設置於緩衝層上的活性區域及非活性區域的上方，設置於緩衝層上的非活性區域的墊片可以藉由與封裝層接合而穩定地被固定。
因此，根據一實施例的OLED發光裝置，當附有覆晶薄膜（COF）膠帶的可撓性印刷電路板（FPCB）基板與柱電極之間以捲帶式自動接合，覆晶薄膜膠帶沒有直接接觸墊片，而是接觸到與墊片相接的柱電極，特別是設置於封裝層上表面的柱電極的連接端子，從而建立了可撓性印刷電路板基板與柱電極的電連接。
因此，根據一實施例的OLED發光裝置，柱電極的連接端子藉由覆晶薄膜膠電連接到可撓性印刷電路板基板，使得來自外界的訊號可以被施加到與柱電極相接的墊片。
因此，根據本發明，OLED發光裝置包含封裝層，其設置於緩衝層上的活性區域及非活性區域的上方，使得在非活性區域中設置於緩衝層上的墊片可以藉由與封裝層接合而穩定地被固定。
此外，當附有覆晶薄膜膠帶的可撓性印刷電路板基板與柱電極捲帶式自動接合，覆晶薄膜膠帶沒有直接接觸墊片，而是接觸到與墊片相接的柱電極，特別是設置於封裝層上表面的柱電極的連接端子，從而建立了可撓性印刷電路板基板與柱電極的電連接。
通過這種方式，柱電極的連接端子藉由覆晶薄膜膠電連接到可撓性印刷電路板基板，因此來自外界的訊號可以被施加到與柱電極相接的墊片。
再者，根據本發明一實施例的OLED發光裝置，因捲帶式自動接合於設置於緩衝層的非活性區域的墊片被封裝層穩定地固定之後才進行，可以省略由聚醯亞胺（PI）透明膜形成且被設置於緩衝層下面的基板，以此降低製造成本。
再者，因根據本發明的OLED發光裝置不需要基板，可以在超過350℃的高溫下執行形成輔助導線、有機發光元件等的方法，從而提高有機發光元件的可靠性。
再者，根據本發明的OLED發光裝置，在超過350°C的高溫下緩衝層以無機層如矽氧化物（SiOx ）或矽氮化物（SiNx ）的形式形成，因此可改善強度和硬度方面的性能。
在另一實施例中，OLED發光裝置具有活性區域和非活性區域，OLED發光裝置包括緩衝層；封裝層設置於緩衝層上；墊片連接到有機發光元件的第一電極和第二電極並設置於非活性區域中；以及連接端子設置於非活性區域的封裝層的上表面上，其中墊片與連接端子連接。
在另一實施例中，OLED發光裝置具有活性區域和非活性區域，OLED發光裝置包括緩衝層；輔助導線設置於緩衝層上；有機發光元件包含第一電極，第一電極設置於輔助導線上並與輔助導線和有機發光層連接，以及第二電極堆疊在第一電極上；封裝層設置於緩衝層上並具有一開口。
以下，將參考附圖詳細描述本發明的實施例。本發明不限於以下實施例並且可以不同方式實施，實施例提供本發明完整的揭露以提供本領域具有通常知識者能完全了解。會不必要地模糊本發明申請標的的已知功能和結構的描述將會被省略。在說明書中，相同的元件會以相同的標號表示。
現在，將會參考附圖詳細描述本發明第一實施例的OLED發光裝置。
圖1為根據本發明的第一實施例的OLED發光裝置的平面圖，以及圖2為圖1沿線II-II’截取的剖面圖。
參考圖1及圖2，根據第一實施例的OLED發光裝置100包含設置於基板110上的緩衝層115以及設置於緩衝層115上的有機發光元件E。
有機發光元件E包含設置於緩衝層115上的第一電極130，設置於第一電極130上的有機發光層140，以及設置於有機發光層140上的第二電極150。在具有這種結構的OLED發光裝置100中，當訊號施加到有機發光元件E的第一電極130和第二電極150時，有機發光層140會發射光，因此整個基板110發光可以被實現。
這裡，輔助導線120以矩陣形式排列在基板110上。輔助導線120由導電性良好的金屬形成，以讓均勻的電壓施加在位於基板110的整個區域上的第一電極130，因此OLED發光裝置100即使應用為大型發光裝置也能以均勻的亮度發光。輔助導線120可以設置於緩衝層115和第一電極130之間，以直接接觸第一電極130。
第一電極130由透明導電材料形成，如氧化銦錫（ITO），且可以有利地傳輸發射光。然而，第一電極130具有比金屬高很多的電阻的缺陷。因此，當OLED發光裝置應用為大型發光裝置時，在寬廣活性區域AA中電流分布會因透明導電材料的高電阻而不均勻。這種不均勻的電流分布會使大型OLED發光裝置100難以以均勻的亮度發光。
輔助導線120可以以具有小線寬的矩陣、網格、六邊形、八邊形或圓形的形式排列在整個基板110上，進而允許均勻的電壓被施加到整個基板110上的第一電極130，使得大型OLED發光裝置100可以以均勻的亮度發光。
雖然輔助導線120顯示為設置於第一電極130的下表面，應了解本發明不限於此，輔助導線120可以被設置在第一電極130的上表面。輔助導線120可以由選自鋁（Al）、金（Au）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）、鉻（Cr）以及其合金中的任何一種所形成。輔助導線120可以具有單層結構或多層結構。
基板110可以被排列成矩陣形式的輔助導線120分成複數個單位像素。因為輔助導線120有比第一電極130低很多的電阻，第一電極130的電壓透過輔助導線120施加到第一電極130，而不是透過第一墊片172直接施加到第一電極130。在這種方式中，形成於整個基板110上的第一電極130可以被輔助導線120分成複數個單位像素。
雖然輔助導線120的線寬可能依據作為輔助導線材料的金屬、OLED發光裝置100的面積、像素的大小等而有變化，輔助導線120的線寬可大約為30微米（µm）至大約70微米（µm）。
此外，基板110上的墊片170與第一電極130及第二電極150連接，且接收來自外部的電壓。為此，墊片170可以包含與第一電極130連接的第一墊片172和與第二電極150連接的第二墊片174。第一墊片172和第二墊片174可以通過第一連接導線176和第二連接導線178分別電連接第一電極130和第二電極150。
雖然在圖1中墊片170顯示為設置於基板110的一邊，但應理解本發明不限於此，墊片170的位置及數量是可以變化的。例如，墊片170可以設置於基板110相反的兩邊或基板110的四邊。例如，第一墊片172和第二墊片174可以設置於可以設置於基板110相反的兩邊或基板110的四邊。
這裡，墊片170可以包含墊電極170a和墊電極端子170b。墊電極170a與輔助導線120設置於同一層且由與輔助導線120相同的材料形成。墊電極端子170b設置於墊電極170a上且由與第一電極130相同的材料形成。
保護層125設置於第一電極130上。詳細來說，保護層125設置於第一電極130上以覆蓋輔助導線120。
因輔助導線120是由不透明金屬形成，光不從形成有輔助導線120的區域發出。因此，保護層125只設置於下方有輔助導線120的第一電極130的部分的上表面，因此光可以僅從像素的發光區域發射。
在一實施例中，保護層125可以設置於第一電極130和有機發光層140之間以覆蓋輔助導線120。
此外，保護層125可以形成並覆蓋輔助導線120以減少輔助導線120造成的階梯覆蓋，使得有機發光層140和第二電極150得以以穩定的方式依序堆疊不中斷。
為此，保護層125可以由無機材料形成，例如矽氧化物（SiOx ）或矽氮化物（SiNx ）。或者，保護層125可以由有機材料所形成，例如光丙烯，或可以由包含無機層和有機層的複數層所形成。
有機發光層140和第二電極150依序設置於第一電極130和保護層125上。
有機發光層140可以由發射白光的有機發光材料形成。例如，有機發光層140可以包含藍色有機發光層、紅色有機發光層以及綠色有機發光層。或者，有機發光層140可以具有串聯結構包含藍色發光層和黃綠色發光層。然而，本發明不限於此，有機發光層140可以以各種方式配置。
雖然沒有顯示在圖示中，有機發光元件E可以更包含：電子注入層和電洞注入層，其分別將電子和電洞注入有機發光層140；電子傳輸層和電洞傳輸層，其傳輸注入的電子和電洞到有機發光層140；以及電荷生成層，其生成電荷如電子和電洞。
有機發光層140可以由接收分別來自電洞傳輸層和電子傳輸層的電子和電洞的材料形成，藉由電子和電洞的再結合在可見光區域發出光。特別是對於螢光或磷光具有好的量子效率的材料是優選的。材料可以是包含8-羥基喹啉鋁（8-hydroxyquinoline aluminum complex ，Alq3）、咔唑化合物（carbazole compound）、二聚苯乙烯基化合物（dimerized styryl compound）、BAlq（Bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum）、10-羥基苯並喹啉-金屬化合物（10-hydroxybenzoquinoline-metal compound）、苯并噁唑（benzoxazole）、苯並噻唑（benzthiazole）、苯并咪唑化合物（benzimidazole compounds）、或聚對位苯基乙烯（poly(p-phenylene vinylene ，PPV），但不限於此。
第二電極150可以是由金屬形成，例如鈣（Ca）、鋇（Ba）、鎂（Mg）、鋁（Al）、或銀（Ag）或其合金。這裡，基板110在非活性區域NAA設置有第二墊片174，其連接到第二電極150以施加電壓到第二電極150。
第一電極130、有機發光層140及第二電極150構成有機發光元件E。這裡，第一電極130是有機發光元件E的陽極，第二電極150是有機發光元件E的陰極。當電壓施加到第一電極130和第二電極150之間，電子和電洞分別從第二電極150和第一電極130被注入到有機發光層140，因此在有機發光層140產生激子。當激子衰退，有機發光層140的最低未佔分子軌道（LUMO）和最高佔有分子軌道（HOMO）間的能量所對應的光被產生並向基板110發射。
圖3為圖2中A部分的部分放大圖。
參考圖2和圖3，封裝層160設置於基板110上形成有機發光元件E的活性區域AA中，且封裝層160覆蓋有機發光元件E的第二電極150。
封裝層160可包含附著層162和設置於附著層162上的基層164。通過這種方式，包含附著層162和基層164的封裝層160設置於基板110具有有機發光元件E的活性區域AA中，因此OLED發光裝置100可以被附有附著層162的基層164所密封。
這裡，附著層162可由光固化附著劑或熱固化附著劑形成。基層164用以阻止從外界滲透的水分及空氣，且基層164可由任何可執行此功能的材料形成。例如，基層164可以由高分子材料形成，如聚乙烯對苯二甲酸酯（PET），或金屬材料，如鋁箔、鐵鎳合金或鐵鎳鈷合金。
在第一實施例中，封裝層160被設置為只覆蓋基板110上活性區域AA，以便露出設置於非活性區域NAA的墊片170，墊片170得以連接到可撓性印刷電路板基板300，因此外界來的訊號通過可撓性印刷電路板基板300藉由墊片170可被施加到每個第一電極130和每個第二電極150。
因此，設置於基板110上活性區域AA的有機發光元件E被封裝層160密封，且設置於基板110上非活性區域NAA的墊片170被露出在外。通過這種方式，露出在封裝層160外的墊片170藉由覆晶薄膜膠帶305連接到可撓性印刷電路板基板300。
這裡，可撓性印刷電路板基板300藉由覆晶薄膜膠帶305捲帶式自動接合電連接到墊片170。在第一實施例中，因封裝層160沒有設置於有墊片170的基板110的非活性區域NAA，緩衝層115下的基板110用以穩定地支撐墊片170。因此，根據第一實施例的OLED發光裝置100必須需要彈性聚合材料所形成的基板110。
根據第一實施例的OLED發光裝置100，其使用有機發光材料形成的有機發光元件，相比於使用無機發光元件的發光裝置，在綠色及紅色的波長範圍具有較好的發光效能，且因在藍色、紅色和綠色的波長範圍中有相對較寬的發射峰，而表現出改善的演色性，因此可以發射出接近太陽光的光。
然而，對於根據第一實施例的OLED發光裝置100，基板110由透明、軟性及彈性聚合材料形成，如塑膠材料，以提供彈性給OLED發光裝置。
因此，如圖二所示根據第一實施例的OLED發光裝置100製造於載體基板10上，接著經由雷射光的照射從載體基板10分離基板110， 也就是OLED發光裝置100。這裡，由矽膠形成的犧牲層5設置於載體基板10與基板110之間以便於經由雷射光的照射而分離基板110。
根據第一實施例的OLED發光裝置100中，在彈性聚合材料中，具有好的耐熱性的聚醯亞胺（PI）薄膜用來作為基板110的材料。然而這種聚醯亞胺薄膜相較於其他聚合材料比較昂貴，造成製造成本增加。
再者，因為聚醯亞胺薄膜可能在超過其耐熱溫度350°C的高溫下受到損壞，形成輔助導線120、有機發光元件E等的方法在受限的條件下進行，也就是低於350°C，因此造成有機發光元件E的可靠性惡化。
為了解決這個問題，根據第二實施例的OLED發光裝置省略了基板而是包含：封裝層設置於於整個緩衝層上包含活性區域及非活性區域；柱電極穿過封裝層以電連接到墊片，因此可改善有機發光元件的可靠性而降低製造成本。
接著，根據本發明的第二實施例的OLED發光裝置將會參考附圖描述。
圖4為根據本發明的第二實施例的OLED發光裝置的平面圖，其可達成改善可靠性及降低製造成本，圖5為圖4沿線V-V'截取的剖面圖。
參考圖4和圖5，根據第二實施例的OLED發光裝置200包含：緩衝層215；輔助導線220；有機發光元件E；墊片270；封裝層260以及柱電極280。
緩衝層215有活性區域AA和非活性區域NAA。緩衝層215用以阻擋水氣和空氣從下方滲透。為此，緩衝層215可以由無機材料例如矽氧化物（SiOx ）或矽氮化物（SiNx ）形成。特別是，根據第二實施例的OLED發光裝置200省略了設置於緩衝層215下方的基板，因此允許執行超過350°C的形成輔助導線220、有機發光元件E等的方法，因此改善有機發光元件E的可靠性而降低成本。再者，因由無機材料如矽氧化物（SiOx ）或矽氮化物（SiNx ）形成的緩衝層215，暴露於超過350°C的高溫，緩衝層215可以展現強度和硬度方面的性能改善。
輔助導線220設置於緩衝層215上的活性區域AA中。輔助導線220可以以具有較小線寬的矩陣、網格、六邊形、八邊形或圓形的形式排列在緩衝層215的活性區域AA中，以允許均勻的電壓施加到第一電極230，因此當應用為大型發光裝置時OLED發光裝置200可以以均勻的亮度發光。
雖然輔助導線220顯示為設置於第一電極230下表面，但可理解本發明不限於此，輔助導線220可以設置於第一電極230的上表面。輔助導線220可以由選自鋁（Al）、金（Au）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）、鉻（Cr）以及其合金中的任何一種形成。輔助導線220可以具有單層結構或多層結構。
緩衝層215可以被排列成矩陣形式的輔助導線220分成複數個單位像素。因為輔助導線220有比第一電極230低很多的電阻，第一電極230的電壓透過輔助導線220施加到第一電極230，而不是透過第一墊片272直接施加到第一電極230。因此，形成於整個緩衝層215上的第一電極230可以被輔助導線220分成複數個單位像素。
輔助導線220的線寬可大約為30微米（µm）至大約70微米（µm），儘管輔助導線220的線寬可能依據作為輔助導線材料的金屬、OLED發光裝置200的面積、像素的大小等而有變化。
有機發光元件E設置於輔助導線220上。有機發光元件E包含第一電極230設置於輔助導線220上並與輔助導線220連接，有機發光層240設置於第一電極230上，以及第二電極250設置於有機發光層240上。
有機發光層240可以由發射白光的有機發光材料形成。例如，有機發光層240可以包含藍色有機發光層、紅色有機發光層以及綠色有機發光層。或者，有機發光層240可以具有包含藍色發光層和黃綠色發光層的串聯結構。然而，本發明不限於此，有機發光層240可以以各種方式配置。
雖然沒有顯示在圖示中，有機發光元件E可以更包含：電子注入層和電洞注入層，其分別將電子和電洞注入有機發光層240；電子傳輸層和電洞傳輸層，其傳輸注入的電子和電洞到有機發光層240；以及電荷生成層，其生成電荷如電子和電洞。
有機發光層240可以由接收分別來自電洞傳輸層和電子傳輸層的電子和電洞的材料形成，藉由電子和電洞的再結合在可見光區域發出光。特別是對於螢光或磷光具有好的量子效率的材料是優選的。材料可以是包含8-羥基喹啉鋁（8-hydroxyquinoline aluminum complex ，Alq3）、咔唑化合物（carbazole compound）、二聚苯乙烯基化合物（dimerized styryl compound）、BAlq（Bis(8-hydroxy-2-methylquinoline)-(4-phenylphenoxy)aluminum）、10-羥基苯並喹啉-金屬化合物（10-hydroxybenzoquinoline-metal compound）、苯并噁唑（benzoxazole）、苯並噻唑（benzthiazole）、苯并咪唑化合物（benzimidazole compounds）、聚對位苯基乙烯（poly(p-phenylene vinylene ，PPV），但不限於此。
此外，根據第二實施例的OLED發光裝置200可以更包含保護層225，設置於第一電極230和有機發光層240之間以覆蓋輔助導線220。保護層225可以形成在第一電極230上以圍繞輔助導線220，以減少輔助導線220造成的高度差。因此，有機發光層240和第二電極250得以以穩定的被堆疊在保護層225上而不中斷。
為此，保護層225可以由無機材料形成，例如矽氧化物（SiOx ）或矽氮化物（SiNx ）。或者，保護層225可以由有機材料形成，例如光丙烯，或可以由包含無機層和有機層的複數層所形成。
墊片270連接第一電極230和第二電極250且設置於非活性區域NAA。也就是說，墊片270電連接到第一電極230和第二電極250並接收來自外界的電壓。為此，墊片270可以包含與第一電極230連接的第一墊片272和與第二電極250連接的第二墊片274。第一墊片272和第二墊片274可以通過第一連接導線276和第二連接導線278分別電連接第一電極230和第二電極250。
雖然在圖4中墊片270顯示為設置於緩衝層215的一邊，但本發明不限於此，墊片270的位置及數量是可以變化的。例如，墊片270可以設置於緩衝層215相反的兩邊或緩衝層215的四邊。例如，第一墊片272和第二墊片274可以設置於緩衝層215相反的兩邊或緩衝層215的四邊。
這裡，墊片270可以包含墊電極270a和墊電極端子270b，墊電極270a與輔助導線220設置於同一層且由與輔助導線220相同的材料形成，墊電極端子270b設置於墊電極270a上且由與第一電極230相同的材料形成。這裡，墊電極端子270b設置於墊電極270a上表面及側表面以環繞墊電極270a的上表面及側表面。
在第二實施例中，封裝層260設置於緩衝層215上活性區域AA及非活性區域NAA的上方，以覆蓋第二電極250及墊片270。也就是說，封裝層260可以具有與緩衝層215相同的區域，以覆蓋緩衝層215上具有墊片270及有機發光元件E形成其上的全部活性區域AA和非活性區域NAA。
通過這種方式，封裝層260設置於緩衝層215上活性區域AA和非活性區域NAA的上方，因此在緩衝層215上非活性區域NAA中設置的墊片270可以藉由與封裝層260接合而穩定地被固定。因此，根據第二實施例的OLED發光裝置可以省略本應設置於緩衝層215下的基板。
封裝層260可以包含附著層262和設置於附著層262上的基層264。通過這種方式，包含附著層262和基層264的封裝層260設置於緩衝層215中具有有機發光元件E的活性區域AA中，因此OLED發光裝置200可以被附有附著層262的基層264所密封。
這裡，附著層262可由光固化附著劑或熱固化附著劑形成。基層264用以阻止從外界滲透的水分及空氣，且基層264可由任何可執行此功能的材料形成。例如，基層264可以由高分子材料形成，如聚乙烯對苯二甲酸酯（PET），或金屬材料，如鋁箔、鐵鎳合金或鐵鎳鈷合金。
柱電極280在非活性區域NAA中穿過封裝層260與墊片270相接。
柱電極280包含穿透部280a和連接端子280b。
柱電極280的穿透部280a設置於非活性區域NAA中穿過封裝層260、墊片270及緩衝層215，以電連接到墊片270。因此，柱電極280的穿透部280a電連接到墊片270，以橫向接觸結構連接墊片270的中心處。
柱電極280的連接端子280b設置於非活性區域NAA中封裝層260的上表面以連接柱電極280的穿透部280a。因此，柱電極280的連接端子280b設置於封裝層260的上表面以暴露在外。
柱電極280較佳地由具有好的導電性的金屬材料形成。例如柱電極280可以由選自銀（Ag）、鋁（Al）、銅（Cu）和金（Au）中的至少一種金屬膏形成。
圖6為圖5中B部分的部分放大圖，將會結合圖5描述。
參考圖5及圖6，根據第二實施例的OLED發光裝置200可更包含保護膜290，保護膜290設置於緩衝層215下以保護緩衝層215。應理解的是設置於緩衝層215下的保護膜290不是必須被提供的結構，如果必要的話可被省略。
因保護膜290是在有機發光元件E形成後才附著在緩衝層215的下表面，保護膜290不會接觸到高溫過程。因此，保護膜290不需要由昂貴的聚醯亞胺薄膜形成。
例如，保護膜290可以由聚乙烯對苯二甲酸酯（PET）、聚甲基丙烯酸甲脂（PMMA）、聚2,6萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚酯（PE）、聚碳酸酯（PC）及聚醚碸（PES）中的至少一種形成。
特別是，根據第二實施例的OLED發光裝置200中，封裝層260設置於緩衝層215上活性區域AA和非活性區域NAA的上方，且在非活性區域NAA中柱電極280穿過封裝層260以電連接到墊片270。
在第一實施例中，如圖3所示因封裝層160沒有設置在墊片170所在的基板110的非活性區域NAA，基板110是必要的以穩定支撐墊片170。
在第二實施例中，如圖5及圖6所示封裝層260設置於緩衝層215上活性區域AA和非活性區域NAA的上方，在緩衝層215上非活性區域NAA中設置的墊片270可以藉由與封裝層260接合而穩定地被固定。
因此，當附有覆晶薄膜膠帶305的可撓性印刷電路板基板300與柱電極280進行捲帶式自動接合，覆晶薄膜膠帶305沒有直接接觸墊片270，而是接觸到與墊片270相接的柱電極280，特別是設置於封裝層260上的柱電極280的連接端子280b，從而建立了可撓性印刷電路板基板300與柱電極280的電性連接。這裡，柱電極280與可撓性印刷電路板基板300的電連接，可以由柱電極280的連接端子280b與覆晶薄膜膠帶305之間的捲帶式自動接合達成。經由這種方式，柱電極280的連接端子280b經由覆晶薄膜膠帶305電連接到可撓性印刷電路板基板300，因此來自外界的訊號可以施加於與柱電極280連接的墊片270。
因可以在設置於緩衝層215非活性區域NAA的墊片270被封裝層260穩定地固定之後，執行捲帶式自動接合，省略設置於緩衝層215下方由昂貴的聚醯亞胺薄膜所形成的基板是可行的，以此降低製造成本。
此外，因這樣的基板可被省略，可以在超過350°C高溫下進行形成輔助導線220、有機發光元件E等的方法，以此改善有機發光元件E的可靠性。再者，因在超過350°C的高溫下緩衝層215以無機層如矽氧化物（SiOx）或矽氮化物（SiNx）的形式形成，緩衝層215可在強度和硬度方面的性能呈現改善。
接下來，根據本發明第二實施例的OLED發光裝置的製造方法將會參考附圖描述。
圖7到圖11為根據本發明的第二實施例的OLED發光裝置的製造方法剖面圖。
參考圖7，緩衝層215形成於具有犧牲層5的載體基板10上。當無機材料如矽氧化物（SiOx）或矽氮化物（SiNx）用於作為緩衝層215時，緩衝層215可以由濺鍍方法形成，以及當有機材料如光丙烯用於作為緩衝層215時，緩衝層215可以由旋轉塗佈方法形成。
接下來，輔助導線220形成於緩衝層215上活性區域AA。輔助導線220以具有小線寬的矩陣、網格、六邊形、八邊形或圓形的形式排列在整個緩衝層215上的活性區域AA，以允許均勻的電壓施加到隨後製造的第一電極230，使得大型OLED發光裝置可以以均勻的亮度發光。
為此，輔助導線220可以由選自鋁（Al）、金（Au）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）、鉻（Cr）以及其合金中的任何一種形成。輔助導線220可以具有單層結構或多層結構。
接下來，第一電極230形成在輔助導線220上，接著形成保護層225在第一電極230上。這裡，第一電極230可以設置於整個活性區域AA。第一電極230可以由透明導電材料形成，如氧化銦錫（ITO）。保護層225可以形成於第一電極230上以圍繞輔助導線220，以此減少輔助導線220造成的表面粗糙。保護層225可以由無機層形成，如矽氧化物（SiOx）或矽氮化物（SiNx）。或者，保護層225可以由有機層形成，如光丙烯，或可以由複數層形成，包含有機層及無機層。
參考圖8，有機發光層240形成在保護層225和第一電極230上，接著第二電極250形成在有機發光層240上。這裡，有機發光層240可以由氣相沉積法形成，且第二電極250可以由濺鍍方法形成，但不限於此。
接下來，封裝層260設置於形成有第二電極250的緩衝層215上活性區域AA及非活性區域NAA的上方。這裡，封裝層260可以藉由熱壓接合附在具有有機發光元件E的緩衝層215。
封裝層260可以包含附著層262和設置於附著層262上的基層264。通過這種方式，包含附著層262和基層264的封裝層260設置於緩衝層215設置有機發光元件E的活性區域AA中，此OLED發光裝置可以被透過附著層262附著的基層264所密封。
這裡，附著層262可由光固化附著劑或熱固化附著劑形成。基層264用以阻止從外界滲透的水分及空氣，且基層264可由任何可執行此功能的材料形成。例如，基層264可以由高分子材料形成，如聚乙烯對苯二甲酸酯（PET），或金屬材料，如鋁箔、鐵鎳合金或鐵鎳鈷合金。
如上述，在第二實施例中，封裝層260設置於活性區域AA和非活性區域NAA上方，其中非活性區域NAA中緩衝層215可以被穩定地附著。因此，省略應設置於緩衝層215下方的基板是可行的。
接下來，藉由雷射光從具有犧牲層5的載體基板10的下方照射，具有犧牲層5的載體基板10從緩衝層215被移除。
參考圖9，穿過非活性區域NAA中的封裝層260、墊片270及緩衝層215的一個通孔TH被形成。通孔TH可以由封裝層260上表面至緩衝層215以微衝孔方式形成。
雖然通孔TH形成於墊片270中間較佳，通孔TH也可以形成穿過墊片270的邊緣。通孔TH的形成允許墊片270的中央內部表面暴露在外。
參考圖10，保護膜290附在緩衝層215的下表面，緩衝層215具有穿過其所形成的通孔（圖9中的TH）。這裡，保護膜290設置於緩衝層215下方不是必要的，且如果需要可以省略。
因保護膜290在有機發光元件E形成後附著在緩衝層215的下面，保護膜290不會接觸到高溫過程。因此，保護膜290不需要由昂貴的聚醯亞胺薄膜形成。
例如，保護膜290可以由聚乙烯對苯二甲酸酯（PET）、聚甲基丙烯酸甲脂（PMMA）、聚2,6萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚酯（PE）、聚碳酸酯（PC）及聚醚碸（PES）中的至少一種形成。
接下來，通孔TH被具有好的導電性的金屬膏填滿，接著固化金屬膏形成柱電極280。金屬膏可以包含選自銀（Ag）、鋁（Al）、銅（Cu）和金（Au）中的至少一種。
柱電極280在非活性區域NAA中穿過封裝層260連接墊片270。
這裡，柱電極280包含穿透部280a和連接端子280b。
柱電極280的穿透部280a設置於非活性區域NAA中穿過封裝層260、墊片270及緩衝層215，並電連接到墊片270。因此，柱電極280的穿透部280a電連接到墊片270，以橫向接觸結構連接墊片270的中心處。
柱電極280的連接端子280b設置於非活性區域NAA中封裝層260的上表面並與柱電極280的穿透部280a連接。因此，柱電極280的連接端子280b設置於封裝層260的上表面以暴露在外。
參考圖11，柱電極280連接到可撓性印刷電路板基板300。因此，來自可撓性印刷電路板基板300的外部訊號可以通過柱電極280施加到墊片270。
這裡，柱電極280與可撓性印刷電路板基板300間的電連接，可以由柱電極280的連接端子280b與覆晶薄膜膠帶305之間的捲帶式自動接合達成。藉此，柱電極280的連接端子280b經由覆晶薄膜膠帶305電連接到可撓性印刷電路板基板300，因此來自外界的訊號可以施加於與柱電極280連接的墊片270。
雖然這裡描述了一些實施例，本領域的人應該了解這些實施例僅用於說明，且本發明不限於此。此外，在不脫離本發明的精神和範圍，本領域的人可以做各種修改、變化及變更。
5‧‧‧犧牲層
10‧‧‧載體基板
100‧‧‧OLED發光裝置
110‧‧‧基板
115‧‧‧緩衝層
120‧‧‧輔助導線
125‧‧‧保護層
130‧‧‧第一電極
140‧‧‧有機發光層
150‧‧‧第二電極
160‧‧‧封裝層
162‧‧‧附著層
164‧‧‧基層
170‧‧‧墊片
170a‧‧‧墊電極
170b‧‧‧墊電極端子
172‧‧‧第一墊片
174‧‧‧第二墊片
176‧‧‧第一連接導線
178‧‧‧第二連接導線
200‧‧‧OLED發光裝置
215‧‧‧緩衝層
220‧‧‧輔助導線
225‧‧‧保護層
230‧‧‧第一電極
240‧‧‧有機發光層
250‧‧‧第二電極
260‧‧‧封裝層
262‧‧‧附著層
264‧‧‧基層
270‧‧‧墊片
270a‧‧‧墊電極
270b‧‧‧墊電極端子
272‧‧‧第一墊片
274‧‧‧第二墊片
280‧‧‧柱電極
280a‧‧‧穿透部
280b‧‧‧連接端子
290‧‧‧保護膜
300‧‧‧可撓性印刷電路板基板
305‧‧‧覆晶薄膜膠帶
E‧‧‧有機發光元件
AA‧‧‧活性區域
NAA‧‧‧非活性區域
TH‧‧‧通孔
從結合以下實施例的描述與附圖，本發明的上述內容及其他方面、特徵及優點將變得明顯： 圖1為根據本發明的第一實施例的OLED發光裝置的平面圖。 圖2為圖1沿線II-II’截取的剖面圖。 圖3為圖2中A部分的部分放大圖。 圖4為根據本發明的第二實施例的OLED發光裝置的平面圖。 圖5為圖4沿線V-V’截取的剖面圖。 圖6為圖5中B部分的部分放大圖。 圖7到圖11為根據本發明的第二實施例的OLED發光裝置的製造方法剖面圖。

Claims (16)

  1. 一種OLED發光裝置，具有一活性區域和一非活性區域，包含： 一緩衝層； 一輔助導線，設置於該緩衝層上； 一有機發光元件，包含一第一電極，設置於該輔助導線上並連接該輔助導線與一有機發光層，以及一第二電極，疊在該第一電極上； 複數個墊片，分別連接該第一電極和該第二電極並設置於該非活性區域；以及 一封裝層，設置於該緩衝層上方並覆蓋住該第二電極與該些墊片。
  2. 如請求項1所述之OLED發光裝置，更包含一柱電極，穿過位在該非活性區域中的該封裝層而與該些墊片其中之一連接。
  3. 如請求項1所述之OLED發光裝置，其中該些墊片設置於該緩衝層的至少一側。
  4. 如請求項1所述之OLED發光裝置，其中該些墊片各包含： 一墊電極，與該輔助導線設置於同一層，且由與該輔助導線相同的材料形成；以及 一墊電極端子，設置於該墊電極上，且由與該第一電極相同的材料形成。
  5. 如請求項4所述之OLED發光裝置，其中該墊電極端子置於該墊電極的上面和側面，以圍繞該墊電極的上面和側面。
  6. 如請求項1所述之OLED發光裝置，其中該封裝層覆蓋了該活性區域和該非活性區域。
  7. 如請求項2所述之OLED發光裝置，其中該柱電極包含： 一穿透部，設置於該非活性區域，且穿過該封裝層、該些墊片其中之一和該緩衝層，該穿透部與該墊片連接；以及 一連接端子，設置在該非活性區域中且設置於該封裝層上方，該連接端子與該穿透部連接。
  8. 如請求項7所述之OLED發光裝置，其中該柱電極可以通過一連接端子連接一驅動電路。
  9. 如請求項1所述之OLED發光裝置，更包含： 一保護層，設置於該第一電極和該有機發光層之間，以覆蓋該輔助導線。
  10. 如請求項9所述之OLED發光裝置，更包含： 一保護膜，設置於該緩衝層下方以保護該緩衝層。
  11. 如請求項9所述之OLED發光裝置，其中該保護層被形成以覆蓋該輔助導線，以減少該輔助導線造成的階梯覆蓋。
  12. 如請求項1所述之OLED發光裝置，其中該有機發光層具有一串聯結構。
  13. 一種OLED發光裝置，具有一活性區域和一非活性區域，包含： 一緩衝層； 一封裝層，設置於該緩衝層之上； 一墊片，設置於該非活性區域中，且連接有機發光元件的一第一電極和一第二電極；以及 一連接端子，設置於該非活性區域中且設置於該封裝層的上表面， 其中該墊片連接該連接端子。
  14. 如請求項13所述之OLED發光裝置，其中該墊片藉由一穿透部連接該連接端子，該穿透部穿過該封裝層和該墊片，該穿透部與該墊片相連接。
  15. 如請求項13所述之OLED發光裝置，其中該穿透部接觸該穿透部穿過的該墊片的側面的至少一部分。
  16. 一種OLED發光裝置，具有一活性區域和一非活性區域，包含： 一緩衝層； 一輔助導線，設置於該緩衝層上； 一有機發光元件，包含設置於該輔助導線上並連接該輔助導線與一有機發光層連接的一第一電極，以及疊在該第一電極上的一第二電極； 一封裝層，設置於該緩衝層之上並具有一開口。
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