TW201925919A - 曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係藉由排氣部開始排出處理室內之氣體，於自開始氣體之排出起經過預先規定之時間之後，藉由供氣部開始向處理室內供給惰性氣體。或者，藉由排氣部排出收容有基板之處理室內之氣體，藉由供氣部將惰性氣體供給至處理室內，使具有透光板之投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。藉由在處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，利用投光部對處理室內之基板照射真空紫外線，而將基板曝光。

Description

曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法
本發明係關於一種對基板進行曝光處理之曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法。
近年來，為了將形成於基板之圖案微細化，不斷推進利用嵌段共聚物之定向自組裝(DSA：Directed Self Assembly)之光微影技術之開發。於此種光微影技術中，藉由在對塗佈有嵌段聚合物之基板實施加熱處理之後，將基板之一面進行曝光而使嵌段聚合物改質。於該處理中，要求準確地調整基板之曝光量。
於日本專利特開2016-183990號公報中，記載有對基板上之包含定向自組裝材料之膜(DSA膜)進行曝光處理之曝光裝置。曝光裝置具有能夠出射剖面帶狀之真空紫外線之光出射部，且構成為能夠以基板橫穿來自光出射部之真空紫外線之路徑之方式自光出射部之前方位置移動至後方位置。於曝光處理前，藉由照度感測器預先檢測真空紫外線之照度，以照射所期望之曝光量之真空紫外線之方式，基於所檢測出之照度算出基板之移動速度。於曝光處理時，藉由使基板以所算出之移動速度移動，而將所期望之曝光量之真空紫外線照射至基板上之DSA膜。
於曝光處理時，若於照射至基板之真空紫外線之路徑存在氧氣，則受到真空紫外線之氧分子分離為氧原子並且所分離之氧原子與其他氧分子進行再結合，藉此產生臭氧。於該情形時，到達至基板之真空紫外線衰減。因此，於日本專利特開2016-183990號公報中，以曝光處理中之氧濃度變低至1%以下之方式排出曝光裝置之外殼內之氣體。然而，由於氧分子之排出需要較長時間，故而基板之曝光處理之效率下降。
本發明之目的在於提供一種能夠使基板之曝光處理之效率提高之曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法。
(1)本發明之一態樣之曝光裝置具備：處理室，其收容基板；載置部，其於處理室內載置基板；第1排氣部，其用以排出處理室內之氣體；第1供氣部，其用以將惰性氣體供給至處理室內；投光部，其出射真空紫外線；第1供氣控制部，其以如下方式控制第1供氣部，即，於自藉由第1排氣部開始排出處理室內之氣體起經過預先規定之第1時間之後，開始向處理室內供給惰性氣體；投光控制部，其以如下方式控制投光部，即，於處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，藉由對處理室內之基板照射真空紫外線而將基板曝光；及驅動部，其以於向處理室內搬入基板及向處理室外搬出基板時載置部位於處理室內之第1位置，於利用投光部對基板照射真空紫外線時載置部位於較第1位置更接近於投光部之第2位置的方式，使載置部移動至第1位置及第2位置。
於該曝光裝置中，藉由驅動部使載置部移動至處理室內之第1位置。於該狀態下，基板被搬入至處理室內，且載置於載置部。此處，藉由第1排氣部開始排出處理室內之氣體。於自開始氣體之排出起經過預先規定之第1時間之後，藉由第1供氣部開始向處理室內供給惰性氣體。於該情形時，處理室內之氣體被置換為惰性氣體，氧濃度下降。
於處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之情形時，藉由驅動部使載置部移動至較第1位置更接近於投光部之第2位置。又，藉由投光部對處理室內之基板照射真空紫外線。藉此，能夠幾乎不產生臭氧地將基板曝光。其後，藉由驅動部使載置部移動至第1位置，並自處理室內將基板搬出。
根據該構成，藉由使載置部移動至第1位置，能夠將基板不干涉投光部地於處理室內與外部之間容易地交接。又，於自投光部對基板照射真空紫外線時，藉由使載置部移動至第2位置，能夠於投光部與基板接近之狀態下將基板高效率地曝光。
進而，於自開始排出處理室內之氣體起經過第1時間之後，開始向處理室內供給惰性氣體。於該情形時，於供給惰性氣體之前，處理室內之氧氣與其他氣體一起被排出至處理室外。藉此，處理室內之壓力下降，並且氧氣之量下降。其後，將惰性氣體供給至處理室內，殘留於處理室內之少許量之氧氣與惰性氣體一起被排出至處理室外。因此，於將基板搬入至處理室內之後，於短時間內，處理室內之氣體中之氧濃度下降。因此，能夠自基板之搬入起於短時間內開始基板之曝光。其結果，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(2)亦可為，曝光裝置進而具備排氣控制部，該排氣控制部以如下方式控制第1排氣部，即，於自藉由第1供氣部開始向處理室內供給惰性氣體起經過預先規定之第2時間之後，停止處理室內之氣體之排出。於該情形時，於停止排出處理室內之氣體之狀態下進一步將惰性氣體供給至處理室內。藉此，能夠使處理室內之氣體中之氧濃度進一步下降，而更高效率地防止臭氧之產生。
(3)亦可為，投光部配置於載置部之上方，且朝下方出射真空紫外線，第2位置位於投光部之下方，第1位置位於第2位置之下方，驅動部使載置部於第1位置與第2位置之間升降。於該情形時，能夠於處理室內與外部之間高效率地交接基板。
(4)亦可為，驅動部以如下方式使載置部移動，即，於藉由第1排氣部排出處理室內之氣體時，載置部位於較第1位置更靠上方且較第2位置更靠下方之第3位置。於該情形時，由於第3位置處之載置部之上方及下方之空間相對較大，故而氧氣不易停滯。因此，能夠高效率地排出氧氣。
(5)亦可為，第1排氣部具有於處理室內排出氣體之排氣口，第1供氣部具有於處理室內供給惰性氣體之供氣口，排氣口配置於較第3位置更靠上方或下方之任一者，供氣口配置於較第3位置更靠上方或下方之任意另一者。於該情形時，於第3位置處之載置部之上方及下方之空間形成惰性氣體之流動。藉此，能夠更高效率地排出氧氣。
(6)亦可為，排氣口配置於較第3位置更靠下方，供氣口配置於較第3位置更靠上方。於該情形時，能夠直接將惰性氣體供給至較第3位置處之載置部更靠上方之空間。藉此，能夠更高效率地排出載置部與投光部之間之氧氣，而自基板之搬入起於短時間內開始基板之曝光。
(7)亦可為，排氣口與供氣口以隔著第3位置之方式配置。於該情形時，形成沿著第3位置處之載置部之周圍空間的惰性氣體之流動。藉此，能夠進而高效率地排出氧氣。
(8)亦可為，曝光裝置進而具備於處理室內沿上下方向延伸之複數個支持構件，且複數個支持構件之上端高於第1位置且低於第2位置，載置部具有能夠供複數個支持構件通過之複數個貫通孔，複數個支持構件於載置部位於第1位置時貫通載置部之複數個貫通孔。
於該情形時，複數個支持構件能夠將被搬入至處理室內之基板於高於第1位置且低於第2位置之上端支持。因此，藉由使載置部自第1位置上升，能夠將基板容易地載置於載置部。又，藉由使載置部自第2位置下降，能夠將基板支持於複數個支持構件之上端。藉此，能夠將基板自複數個支持構件之上端容易地搬出至處理室外。
(9)亦可為，曝光裝置進而具備壓力控制部，該壓力控制部以使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近之方式控制投光部內之壓力，且投光部具有透光性窗構件，並通過窗構件對處理室內之基板照射真空紫外線。
於該情形時，自投光部通過窗構件對處理室內之基板照射真空紫外線。此處，由於以使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近之方式控制投光部內之壓力，故而即使於在向處理室內供氣之前先進行處理室內之氣體之排出之情形時，亦幾乎不會產生處理室內與投光部內之壓力差。因此，能夠防止於窗構件產生應力。藉此，窗構件長壽命化。又，由於無需使窗構件之厚度變大，故而窗構件之透過率提高。其結果，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(10)亦可為，壓力控制部包含：第2排氣部，其用以排出投光部內之氣體；第2供氣部，其用以將惰性氣體供給至投光部內；及第2供氣控制部，其以如下方式控制第2供氣部，即，於自藉由第2排氣部開始排出投光部內之氣體起經過第1時間之後，開始向投光部內供給惰性氣體。於該情形時，能夠以簡單之控制使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。
(11)亦可為，壓力控制部包含：連結部，其將處理室之內部空間與投光部之內部空間連結；及第2供氣部，其將惰性氣體供給至投光部內。於該情形時，能夠藉由更簡單之控制使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。
(12)本發明之另一態樣之基板處理裝置具備：塗佈處理部，其藉由對基板塗佈處理液而於基板形成膜；熱處理部，其將藉由塗佈處理部而形成膜之基板進行熱處理；本發明之一態樣之曝光裝置，其將藉由熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及顯影處理部，其藉由對利用曝光裝置曝光後之基板供給溶劑，而將基板之膜顯影。
於該基板處理裝置中，藉由利用塗佈處理部對基板塗佈處理液而於基板形成膜。將藉由塗佈處理部而形成膜之基板利用熱處理部進行熱處理。將利用熱處理部進行熱處理後之基板利用上述曝光裝置進行曝光。藉由對利用曝光裝置曝光後之基板利用顯影處理部供給溶劑，而將基板之膜顯影。
於曝光裝置中，能夠將基板不干涉投光部地於處理室內與外部之間容易地交接，能夠於投光部與基板接近之狀態下將基板高效率地曝光。又，於將基板搬入至處理室內之後，於短時間內處理室內之氣體中之氧濃度下降。因此，能夠自基板之搬入起於短時間內開始基板之曝光。其結果，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(13)亦可為，處理液包含定向自組裝材料。於該情形時，藉由對塗佈有包含定向自組裝材料之處理液之基板進行熱處理，能夠於基板之一面上產生微相分離。又，將藉由微相分離而形成2種聚合物之圖案之基板曝光及顯影。藉此，2種聚合物中之一者被去除，能夠形成經微細化之圖案。
(14)本發明之又一態樣之曝光方法包括如下步驟：藉由驅動部使載置部移動至處理室內之第1位置；將基板搬入至處理室內，並載置於載置部；藉由第1排氣部，開始處理室內之氣體之排出；於自藉由第1排氣部開始排出處理室內之氣體起經過預先規定之第1時間之後，藉由第1供氣部開始向處理室內供給惰性氣體；於處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，藉由驅動部使載置部移動至較第1位置更接近於投光部之第2位置；藉由利用投光部對處理室內之基板照射真空紫外線而將基板曝光；藉由驅動部使載置部移動至第1位置；及自處理室內將基板搬出。
根據該曝光方法，能夠將基板不干涉投光部地於處理室內與外部之間容易地交接，能夠於投光部與基板接近之狀態下將基板高效率地曝光。又，於將基板搬入至處理室內之後，於短時間內處理室內之氣體中之氧濃度下降。因此，能夠自基板之搬入起於短時間內開始基板之曝光。其結果，能夠提高基板之曝光處理之效率。
(15)本發明之又一態樣之基板處理方法包括如下步驟：藉由利用塗佈處理部對基板之被處理面塗佈處理液，而於基板形成膜；將藉由塗佈處理部而形成膜之基板利用熱處理部進行熱處理；本發明之又一態樣之曝光方法，其係藉由曝光裝置將利用熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及藉由對利用曝光裝置曝光後之基板之被處理面利用顯影處理部供給溶劑，而將基板之膜顯影。
根據該基板處理方法，將形成膜後且顯影前之基板利用真空紫外線進行曝光。於曝光方法中，能夠將基板不干涉投光部地於處理室內與外部之間容易地交接，能夠於投光部與基板接近之狀態下將基板高效率地曝光。又，於將基板搬入至處理室內之後，於短時間內處理室內之氣體中之氧濃度下降。因此，能夠自基板之搬入起於短時間內開始基板之曝光。其結果，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(16)本發明之又一態樣之曝光裝置具備：處理室，其收容基板；投光部，其具有透光性窗構件，且用以通過窗構件將真空紫外線出射至處理室內之基板；第1排氣部，其用以排出處理室內之氣體；第1供氣部，其用以將惰性氣體供給至處理室內；壓力控制部，其以使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近之方式控制投光部內之壓力；及投光控制部，其以如下方式控制投光部，即，於處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，藉由對處理室內之基板照射真空紫外線而將基板曝光。
於該曝光裝置中，藉由第1排氣部排出收容有基板之處理室內之氣體。又，藉由第1供氣部將惰性氣體供給至處理室內。於該情形時，處理室內之氣體被置換為惰性氣體，氧濃度下降。此處，使具有透光性窗構件之投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。於處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之情形時，藉由投光部通過窗構件對處理室內之基板照射真空紫外線。藉此，幾乎不產生臭氧地將基板曝光。
根據該構成，即使於因排出處理室內之氣體及向處理室內供給惰性氣體而處理室內之壓力發生變化之情形時，亦使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近，故而幾乎不會產生處理室內與投光部內之壓力差。因此，防止於窗構件產生應力。於該情形時，由於無需使窗構件之厚度變大，故而窗構件之透過率提高。藉此，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(17)亦可為，曝光裝置進而具備第1供氣控制部，該第1供氣控制部以如下方式控制第1供氣部，即，於自藉由第1排氣部開始排出處理室內之氣體起經過預先規定之第1時間之後，開始向處理室內供給惰性氣體。
於該情形時，於供給惰性氣體之前，將處理室內之氧氣與其他氣體一起排出至處理室外。藉此，處理室內之壓力下降並且氧氣之量下降。於該情形時，投光部內之壓力亦與處理室內之壓力一致或接近。藉此，防止於窗構件產生應力。
又，其後，將惰性氣體供給至處理室內，殘留於處理室內之少許量之氧氣與惰性氣體一起被排出至處理室外。因此，於將基板搬入至處理室內之後，於短時間內處理室內之氣體中之氧濃度下降。因此，能夠自基板之搬入起於短時間內開始基板之曝光。其結果，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(18)亦可為，壓力控制部包含：第2排氣部，其用以排出投光部內之氣體；第2供氣部，其用以將惰性氣體供給至投光部內；及第2供氣控制部，其以如下方式控制第2供氣部，即，於自藉由第2排氣部開始排出投光部內之氣體起經過第1時間之後，開始向投光部內供給惰性氣體。於該情形時，能夠以簡單之控制使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。
(19)亦可為，曝光裝置進而具備第1排氣控制部，該第1排氣控制部以如下方式控制第1排氣部，即，於自藉由第1供氣部開始向處理室內供給惰性氣體起經過預先規定之第2時間之後，停止處理室內之氣體之排出，且壓力控制部進而包含第2排氣控制部，該第2排氣控制部以如下方式控制第2排氣部，即，於自藉由第2供氣部開始向投光部內供給惰性氣體起經過第2時間之後，停止投光部內之氣體之排出。
於該情形時，於停止處理室內之氣體之排出之狀態下，進一步將惰性氣體供給至處理室內。藉此，能夠使處理室內之氣體中之氧濃度進一步下降，而更高效率地防止臭氧之產生。又，能夠以簡單之控制使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。
(20)亦可為，壓力控制部包含：連結部，其將處理室之內部空間與投光部之內部空間連結；及第2供氣部，其將惰性氣體供給至投光部內。於該情形時，能夠以更簡單之控制使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近。
(21)亦可為，曝光裝置進而具備第1排氣控制部，該第1排氣控制部以如下方式控制第1排氣部，即，於自藉由第1供氣部開始向處理室內供給惰性氣體起經過預先規定之第2時間之後，停止處理室內之氣體之排出。於該情形時，於停止處理室內之氣體之排出之狀態下進一步將惰性氣體供給至處理室內。藉此，能夠使處理室內之氣體中之氧濃度進一步下降，而更高效率地防止臭氧之產生。
(22)亦可為，處理室具有開口，曝光裝置進而具備封閉部，該封閉部於向處理室內搬入基板及向處理室外搬出基板時將開口打開，於將基板搬入至處理室內之後將開口封閉，且壓力控制部包含：閥，其介插於連結部；及連結控制部，其以如下方式控制閥，即，於開口之打開時閥關閉，於開口之封閉時閥打開。根據該構成，能夠容易地防止於處理室之開口被打開之情形時，處理室外之氧氣通過處理室而流入至投光部內。
(23)亦可為，曝光裝置進而具備：載置部，其於處理室內載置基板；及驅動部，其以於向處理室內搬入基板及向處理室外搬出基板時載置部位於處理室內之第1位置，於利用投光部對基板照射真空紫外線時載置部位於較第1位置更接近投光部之第2位置的方式，使載置部移動至第1位置及第2位置。
於該情形時，藉由載置部移動至第1位置，能夠將基板不干涉投光部地於處理室內與外部之間容易地交接。又，藉由在自投光部對基板照射真空紫外線時，載置部移動至第2位置，能夠於投光部與基板接近之狀態下將基板高效率地曝光。
(24)亦可為，投光部配置於載置部之上方，並朝下方出射真空紫外線，第2位置位於投光部之下方，第1位置位於第2位置之下方，且驅動部使載置部於第1位置與第2位置之間升降。於該情形時，能夠於處理室內與外部之間高效率地交接基板。
(25)亦可為，曝光裝置進而具備於處理室內沿上下方向延伸之複數個支持構件，複數個支持構件之上端高於第1位置且低於第2位置，載置部具有能夠供複數個支持構件通過之複數個貫通孔，複數個支持構件於載置部位於第1位置時貫通載置部之複數個貫通孔。
於該情形時，複數個支持構件能夠將被搬入至處理室內之基板於高於第1位置且低於第2位置之上端支持。因此，藉由使載置部自第1位置上升，能夠將基板容易地載置於載置部。又，藉由使載置部自第2位置下降，能夠使基板支持於複數個支持構件之上端。藉此，能夠將基板自複數個支持構件之上端容易地搬出處理室外。
(26)亦可為，驅動部以如下方式使載置部移動，即，於藉由第1排氣部排出處理室內之氣體時，載置部位於較第1位置更靠上方且較第2位置更靠下方之第3位置。於該情形時，由於第3位置處之載置部之上方及下方之空間相對較大，故而氧氣不易停滯。因此，能夠高效率地排出氧氣。
(27)本發明之又一態樣之基板處理裝置具備：塗佈處理部，其藉由對基板塗佈處理液而於基板形成膜；熱處理部，其將藉由塗佈處理部而形成膜之基板進行熱處理；本發明之又一態樣之曝光裝置，其係將利用熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及顯影處理部，其藉由對利用曝光裝置曝光後之基板供給溶劑，而將基板之膜顯影。
於該基板處理裝置中，藉由利用塗佈處理部對基板塗佈處理液而於基板形成膜。將藉由塗佈處理部而形成膜之基板利用熱處理部進行熱處理。藉由上述曝光裝置將利用熱處理部進行熱處理後之基板曝光。藉由對利用曝光裝置曝光後之基板利用顯影處理部供給溶劑，而將基板之膜顯影。
於曝光裝置中，由於投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近，故而幾乎不會產生處理室內與投光部內之壓力差。因此，防止於窗構件產生應力。於該情形時，由於無需使窗構件之厚度變大，故而窗構件之透過率提高。藉此，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(28)亦可為，處理液包含定向自組裝材料。於該情形時，藉由將塗佈有包含定向自組裝材料之處理液之基板進行熱處理，而於基板之一面上產生微相分離。又，將藉由微相分離而形成2種聚合物之圖案之基板曝光及顯影。藉此，2種聚合物中之一者被去除，能夠形成經微細化之圖案。
(29)本發明之又一態樣之曝光方法包括如下步驟：藉由第1排氣部排出收容有基板之處理室內之氣體；藉由第1供氣部將惰性氣體供給至處理室內；使具有透光性窗構件之投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近；及藉由在處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，利用投光部通過窗構件對處理室內之基板照射真空紫外線，而將基板曝光。
根據該曝光方法，由於投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近，故而幾乎不會產生處理室內與投光部內之壓力差。因此，防止於窗構件產生應力。於該情形時，由於無需使窗構件之厚度變大，故而窗構件之透過率提高。藉此，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
(30)本發明之又一態樣之基板處理方法包括如下步驟：藉由利用塗佈處理部對基板之被處理面塗佈處理液，而於基板形成膜；將藉由塗佈處理部而形成膜之基板利用熱處理部進行熱處理；本發明之又一態樣之曝光方法，其係藉由曝光裝置將利用熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及藉由對利用曝光裝置曝光後之基板之被處理面利用顯影處理部供給溶劑，而將基板之膜顯影。
根據該基板處理方法，將形成膜後且顯影前之基板利用真空紫外線進行曝光。於曝光方法中，由於使投光部內之壓力與處理室內之壓力一致或接近，故而幾乎不會產生處理室內與投光部內之壓力差。因此，防止於窗構件產生應力。於該情形時，由於無需使窗構件之厚度變大，故而窗構件之透過率提高。藉此，能夠使基板之曝光處理之效率提高。
[1]第1實施形態 (1)曝光裝置之構成 以下，使用圖式對本發明之實施形態之曝光裝置、基板處理裝置、曝光方法及基板處理方法進行說明。再者，於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板或太陽電池用基板等。
圖1係表示本發明之第1實施形態之曝光裝置之構成的模式性剖視圖。如圖1所示，曝光裝置100包含控制部110、處理室120、封閉部130、升降部140、投光部150、排氣部160、170及供氣部180、190。控制部110自下述壓力計s1、氧濃度計s2、臭氧濃度計s3及照度計s4獲取計測值，並且控制封閉部130、升降部140、投光部150、排氣部160、170及供氣部180、190之動作。關於控制部110之功能將於下文敍述。
處理室120具有上部開口121及內部空間V1。藉由將下述投光部150之殼體151配置於處理室120之上部，而將處理室120之上部開口121封閉。於處理室120之側面，形成有用以於處理室120之內部與外部之間搬送處理對象之基板W之搬送開口122。再者，於本實施形態中，於處理對象之基板W形成有包含定向自組裝材料之膜(以下，稱為DSA(Directed Self Assembly)膜)。
又，於處理室120之底面，形成有供下述升降部140之連結構件142通過之開口部123。複數個(於本例中為3個)支持銷124設置為以包圍開口部123之方式自處理室120之底面朝上方延伸。於複數個支持銷124之上端部，能夠載置處理對象之基板W。
封閉部130包含擋板131、棒形狀之連結構件132及驅動裝置133。連結構件132將擋板131與驅動裝置133連結。驅動裝置133例如為步進馬達。驅動裝置133使擋板131於打開位置與封閉位置之間移動，該打開位置係擋板131將搬送開口122打開，該封閉位置係擋板131將搬送開口122封閉。
再者，於擋板131安裝有密封構件。於擋板131位於封閉位置之狀態下，藉由使密封構件密接於處理室120中之包圍搬送開口122之部分而將處理室120之內部密閉。此處，為了防止擋板131之密封構件與處理室120之摩擦，驅動裝置133於使擋板131在打開位置與封閉位置之間移動時，使擋板131於自處理室120離開之狀態下沿上下方向移動。
升降部140包含平板形狀之載置板141、棒形狀之連結構件142及驅動裝置143。載置板141於處理室120內以水平姿勢配置。於載置板141，形成有分別對應於複數個支持銷124之複數個貫通孔h1。
連結構件142以通過處理室120之開口部123沿上下延伸之方式配置，驅動裝置143配置於處理室120之下方。連結構件142將載置板141與驅動裝置143連結。再者，於連結構件142之外周面與開口部123之內周面之間，以連結構件142能夠於上下方向滑動之方式配置有密封構件。
驅動裝置143例如為步進馬達，使載置板141於處理位置、待機位置及排氣位置之間移動。此處，處理位置係較複數個支持銷124之上端部更靠上方之位置。待機位置係較複數個支持銷124之上端部更靠下方之位置。排氣位置係較處理位置更靠下方、且較待機位置更靠上方之位置。於載置板141位於待機位置之狀態下，複數個支持銷124分別插通於複數個貫通孔h1。於載置板141位於待機位置時，載置板141之下表面亦可與處理室120之底面接觸。
藉由使載置板141移動至待機位置，能夠將基板W不干涉投光部150地於處理室120內與外部之間容易地交接。又，藉由使載置板141移動至處理位置，於自投光部150向基板W照射真空紫外線時，能夠於投光部150與基板W接近之狀態下將基板W高效率地曝光。關於排氣位置之詳細情況將於下文敍述。
投光部150包含具有下部開口h2及內部空間V2之殼體151、透光板152、面狀之光源部153及電源裝置154。於本實施形態中，透光板152為石英玻璃板。作為透光板152之材料，亦可使用下述使真空紫外線透過之其他材料。如上所述，殼體151係以將處理室120之上部開口121封閉之方式配置於處理室120之上部。透光板152係以將殼體151之下部開口h2封閉之方式安裝於殼體151。處理室120之內部空間V1與殼體151之內部空間V2藉由透光板152而光學上能夠存取地隔開。
光源部153及電源裝置154收容於殼體151內。於本實施形態中，藉由將出射波長約120 nm以上且約230 nm以下之真空紫外線之複數個棒形狀之光源元件以特定之間隔水平地排列，而構成光源部153。各光源元件例如可為氙準分子燈，亦可為其他準分子燈或氘燈等。光源部153通過透光板152將具有大致均勻之光量分佈之真空紫外線出射至處理室120內。光源部153中之真空紫外線之出射面之面積大於基板W之被處理面之面積。電源裝置154對光源部153供給電力。
排氣部160包含配管p1、閥v1、v2及抽吸裝置c1。配管p1包含主管a1、a2及分支管b1、b2。分支管b1、b2係以將主管a1、a2間分支為2個流路之方式並列地配置。分支管b1之流路大於分支管b2之流路。於分支管b1、b2，分別介插有閥v1、v2。
主管a1連接於處理室120之排氣口125。此處，處理室120之排氣口125形成於較排氣位置更靠下方。主管a2連接於排氣設備。於主管a2，介插有抽吸裝置c1。抽吸裝置c1例如為噴射器。抽吸裝置c1通過配管p1排出處理室120內之氣體。藉由將閥v1、v2打開或關閉，而調整要被排出之氣體之流量。藉由抽吸裝置c1所排出之氣體係藉由排氣設備而無毒化。
排氣部170包含配管p2、閥v3、v4及抽吸裝置c2。配管p2包含主管a3、a4及分支管b3、b4。分支管b3、b4係以將主管a3、a4間分支為2個流路之方式並列地配置。分支管b3之流路大於分支管b4之流路。於分支管b3、b4，分別介插有閥v3、v4。
主管a3連接於殼體151之排氣口155。主管a4連接於上述排氣設備。於主管a4，介插有抽吸裝置c2。抽吸裝置c2通過配管p2排出殼體151內之氣體。藉由將閥v3、v4打開或關閉，而調整要被排出之氣體之流量。藉由抽吸裝置c2所排出之氣體係藉由排氣設備而無毒化。
供氣部180包含配管p3及2個閥v5、v6。配管p3包含主管a5、a6及分支管b5、b6。分支管b5、b6係以將主管a5與主管a6之間分支為2個流路之方式並列地配置。分支管b5之流路大於分支管b6之流路。於分支管b5、b6，分別介插有閥v5、v6。
主管a5連接於處理室120之供氣口126。此處，處理室120之供氣口126形成於較排氣位置更靠上方。主管a6連接於惰性氣體供給源。通過配管p3自惰性氣體供給源將惰性氣體供給至處理室120內。藉由將閥v5、v6打開或關閉，而調整供給至處理室120內之惰性氣體之流量。於本實施形態中，使用氮氣作為惰性氣體。
供氣部190包含配管p4及2個閥v7、v8。配管p4包含主管a7、a8及分支管b7、b8。分支管b7、b8係以將主管a7與主管a8之間分支為2個流路之方式並列地配置。分支管b7之流路大於分支管b8之流路。於分支管b7、b8，分別介插有閥v7、v8。
主管a7連接於殼體151之供氣口156。主管a8連接於上述惰性氣體供給源。通過配管p4自惰性氣體供給源將惰性氣體供給至殼體151內。藉由將閥v7、v8打開或關閉，而調整供給至殼體151內之惰性氣體之流量。
於處理室120內，設置有壓力計s1、氧濃度計s2、臭氧濃度計s3及照度計s4。壓力計s1、氧濃度計s2、臭氧濃度計s3及照度計s4分別通過設置於處理室120之連接埠口P1、P2、P3、P4而連接於控制部110。壓力計s1計測處理室120內之壓力。氧濃度計s2例如為賈法尼電池式氧感測器或氧化鋯式氧感測器，且計測處理室120內之氣體中之氧濃度。
臭氧濃度計s3計測處理室120內之氣體中之臭氧濃度。照度計s4包含光電二極體等受光元件，且對照射至受光元件之受光面之來自光源部153之真空紫外線之照度進行計測。此處，所謂照度係指照射至受光面之每單位面積之真空紫外線之功率。照度之單位例如以「W/m2 」表示。
(2)曝光裝置之概略動作 於曝光裝置100中，將基板W依序搬入至處理室120內，藉由通過透光板152自光源部153將真空紫外線照射至基板W而進行曝光處理。然而，於處理室120內及殼體151內之氣體中之氧濃度較高之情形時，氧分子吸收真空紫外線而分離為氧原子，並且所分離之氧原子與其他氧分子進行再結合，藉此產生臭氧。於該情形時，到達至基板W之真空紫外線衰減。真空紫外線之衰減與波長較約230 nm更長之紫外線之衰減相比較大。
因此，於曝光處理中，將處理室120內之氣體藉由排氣部160及供氣部180而置換為惰性氣體。又，將殼體151內之氣體藉由排氣部170及供氣部190而置換為惰性氣體。藉此，處理室120內及殼體151內之氣體中之氧濃度降低。於藉由氧濃度計s2所計測之氧濃度降低至預先規定之濃度(例如100 ppm)之情形時，自光源部153對基板W照射真空紫外線。
於照射至基板W之真空紫外線之曝光量達到預先規定之設定曝光量之情形時，停止真空紫外線之照射，而曝光結束。此處，所謂曝光量係指於曝光處理時照射至基板W之被處理面之每單位面積之真空紫外線的能量。曝光量之單位例如以「J/m2 」表示。因此，真空紫外線之曝光量係藉由利用照度計s4所計測之真空紫外線之照度之累計而獲取。
於曝光裝置100中，由於殼體151除了維護時以外被密閉，故而能夠將殼體151內始終維持為惰性氣體之氛圍。相對於此，關於處理室120，每當基板W之搬入及搬出時搬送開口122被打開，密閉被解除。因此，無法將處理室120內始終維持為惰性氣體之氛圍，每當各基板W之曝光處理時必須將處理室120內之氣體置換為惰性氣體。若該置換需要較長時間，則基板W之曝光處理之效率下降。
於本實施形態中，於將處理室120內之氣體置換為惰性氣體時，藉由排氣部160排出處理室120內之氣體。於藉由以一定時間進行氣體排出而使氧濃度下降至一定值以下之後，一面繼續進行氣體之排出，一面藉由供氣部180將惰性氣體供給至處理室120內。
於該情形時，於供給惰性氣體之前，將處理室120內之氧氣與其他氣體一起排出。藉此，處理室120內之壓力下降，並且於短時間內處理室120內之氧氣量下降。其後，將惰性氣體供給至處理室120內，殘留於處理室120內之少許量之氧氣與惰性氣體一起被排出。因此，能夠於短時間內使處理室120內之氣體中之氧濃度下降。
圖2係表示處理室120內之壓力及氧濃度之變化之概略圖。於圖2中，橫軸表示時間，縱軸表示處理室120內之壓力及氧濃度。又，以實線表示壓力之變化(自大氣壓之變化量)，以單點鏈線表示氧濃度之變化。如圖2所示，於初始時點，處理室120內被維持為大氣壓。又，處理室120內之氣體中之氧濃度為約2×105 ppm。
首先，使載置板141移動至排氣位置，並且將排氣部160之閥v1打開。藉此，排出處理室120內之氣體，如圖2所示般，處理室120內之壓力下降至較大氣壓低約30 kPa之值(時點T1)。其次，於時點T1，將供氣部180之閥v5打開。藉此，將惰性氣體供給至處理室120內，而一面使處理室120內之氣體中之氧濃度下降，一面使處理室120內之壓力上升至較大氣壓低約10 kPa之值。
繼而，於時點T2，將排氣部160之閥v1關閉。藉此，停止處理室120內之氣體之排出，而一面使處理室120內之氣體中之氧濃度進一步下降，一面使處理室120內之壓力上升至較大氣壓高出數kPa之值。其後，於時點T3，使處理室120內之氣體中之氧濃度下降至100 ppm。於該情形時，使載置板141移動至處理位置。此時，如下所述，基板W於載置於載置板141之狀態下接近於透光板152。此處，自光源部153通過透光板152而將真空紫外線照射至基板W。
於時點T4，照射至基板W之真空紫外線之曝光量達到設定曝光量。藉此，停止自光源部153之真空紫外線之出射，使載置板141移動至待機位置。又，藉由將搬送開口122打開，而處理室120內之壓力恢復為大氣壓。
藉由上述置換之順序，能夠以較高之效率將處理室120內之氣體置換為惰性氣體。然而，於一定時間之期間，處理室120內之壓力變得低於殼體151內之壓力，因此於設置於處理室120與殼體151之間之透光板152產生因壓力差所導致之應力。於該情形時，透光板152之壽命變短。
於本實施形態中，於將處理室120內之氣體置換為惰性氣體時，以處理室120內之壓力與殼體151內之壓力一致、或壓力之差變得小於一定值之方式控制殼體151內之壓力。於該情形時，防止於透光板152產生應力。藉此，能夠將透光板152長壽命化。又，由於無需使透光板152之厚度變大，故而透光板152之透過率提高。其結果，能夠使基板W之曝光處理之效率提高。
(3)控制部 圖3係表示圖1之控制部110之構成之功能方塊圖。如圖3所示，控制部110包含氧濃度獲取部A、排氣控制部B、C、供氣控制部D、E、開閉控制部F、升降控制部G、照度獲取部H、曝光量運算部I及投光控制部J。控制部110包含例如CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)(中央運算處理裝置)及記憶體。於控制部110之記憶體中，預先記憶有控制程式。藉由使控制部110之CPU執行記憶體中所記憶之控制程式，而實現控制部110之各部之功能。
氧濃度獲取部A基於圖1之氧濃度計s2之計測值，獲取處理室120內之氣體中之氧濃度。再者，如上所述，於本實施形態中，由於在供給惰性氣體之前以一定時間排出處理室120內之氣體，故而處理室120內之壓力變得低於大氣壓。於該狀態下，於藉由氧濃度計s2無法計測氧濃度之情形時，氧濃度獲取部A亦可基於圖1之壓力計s1之計測值而並非氧濃度計s2，獲取處理室120內之氣體中之氧濃度。
排氣控制部B控制圖1之排氣部160之閥v1、v2之動作。排氣控制部C控制圖1之排氣部170之閥v3、v4之動作。供氣控制部D控制圖1之供氣部180之閥v5、v6之動作。供氣控制部E控制圖1之供氣部190之閥v7、v8之動作。開閉控制部F以使圖1之擋板131於封閉位置與打開位置之間移動之方式控制驅動裝置133之動作。升降控制部G以使圖1之載置板141於待機位置與排氣位置與處理位置之間移動之方式控制驅動裝置143之動作。
照度獲取部H獲取藉由圖1之照度計s4所計測之真空紫外線之照度之值。曝光量運算部I基於藉由照度獲取部H所獲取之真空紫外線之照度、及圖1之光源部153之真空紫外線之出射時間，算出照射至基板W之真空紫外線之曝光量。
投光控制部J以如下方式控制圖1之電源裝置154之動作，即，基於藉由氧濃度獲取部A所獲取之氧濃度、及藉由曝光量運算部I所算出之曝光量，來切換自光源部153之真空紫外線之出射及出射之停止。於以下之說明中，將光源部153出射真空紫外線之狀態稱為出射狀態，將光源部153停止真空紫外線之出射之狀態稱為停止狀態。
圖4～圖9係用以說明圖3之控制部110對於曝光裝置100之各部之控制的圖。於圖4～圖9中，為了使處理室120內及殼體151內之構成容易理解，省略一部分構成要素之圖示，並且以單點鏈線表示處理室120及殼體151之輪廓。又，以細箭頭表示供給或排出之少量之惰性氣體或氣體之流動，以粗箭頭表示供給或排出之大量之惰性氣體或氣體之流動。
圖10係表示利用圖3之控制部110所進行之控制之時序的圖。圖10(a)～(d)表示排氣部160、排氣部170、供氣部180及供氣部190中之閥v1～v8之動作之切換之時序。此處，圖10(a)～(d)之「v1開」～「v8開」分別意指將閥v1～v8打開。圖10(a)～(d)之「關」意指將閥v1、v2之組、閥v3、v4之組、閥v5、v6之組及閥v7、v8之組分別關閉。
圖10(e)表示擋板131於打開位置與封閉位置之間移動之時序。圖10(f)表示載置板141於待機位置與排氣位置與處理位置之間移動之時序。圖10(g)表示光源部153之出射狀態與停止狀態之切換之時序。圖10(h)表示處理室120內及殼體151內之壓力之概略性變化。處理室120內之壓力之變化與殼體151內之壓力之變化大致相同。
以下，一面參照圖4～圖10，一面對利用控制部110所進行之曝光處理進行說明。再者，處理室120內之壓力及氧濃度係藉由圖1之壓力計s1及氧濃度計s2而始終或定期地分別進行計測。藉此，處理室120內之氣體中之氧濃度係藉由圖3之氧濃度獲取部A而始終或定期地獲取。
作為初始狀態，於時點t1，如圖4所示，擋板131位於打開位置，載置板141位於待機位置，光源部153處於停止狀態。藉此，能夠通過搬送開口122將處理對象之基板W載置於複數個支持銷124之上端部。於該狀態下，將排氣部160之閥v1、v2關閉，將供氣部180之閥v6打開，將排氣部170之閥v4打開，將供氣部190之閥v8打開。
於該情形時，利用供氣部180將少量之惰性氣體供給至處理室120內，但由於搬送開口122被打開，故而處理室120內被維持為大氣壓P0，處理室120內之氣體中之氧濃度與大氣中之氧濃度相等。又，藉由利用供氣部190將少量之惰性氣體供給至殼體151內，利用排氣部170排出殼體151內之少量之氣體，而殼體151內被維持為大氣壓P0，殼體151內之氣體被維持為惰性氣體。
其次，如圖5所示，藉由下述圖12之搬送裝置220將基板W載置於複數個支持銷124之上端部。其後，於時點t2，如圖6所示，使擋板131移動至封閉位置，使載置板141移動至排氣位置。又，排氣部160之閥v1被打開，供氣部180之閥v5、v6被關閉，排氣部170之閥v3被打開，供氣部190之閥v7、v8被關閉。
於該情形時，於將搬送開口122封閉且停止自供氣部180向處理室120內供給惰性氣體之狀態下，利用排氣部160排出處理室120內之大量之氣體。因此，將處理室120內之氧氣與其他氣體一起排出至處理室120外，藉此於短時間內使氧氣之量下降。又，利用排氣部170將殼體151內之大量之氣體排出。藉此，處理室120內及殼體151內之壓力下降至低於大氣壓P0之值Pa。
防止了於載置板141移動至排氣位置之狀態下，於載置板141與處理室120之底面之間、及載置板141與透光板152之間形成較窄之間隙。如此，由於排氣位置處之載置板141之上方及下方之空間相對較大，故而氧氣不易停滯。因此，能夠高效率地排出氧氣。再者，於圖6之例中，於排氣位置，基板W未載置於載置板141，但本發明並不限定於此。於排氣位置，基板W亦可載置於載置板141。
又，於本實施形態中，排氣部160之主管a1之排氣口(連接於圖1之處理室120之排氣口125的部分)配置於較排氣位置更靠下方。又，供氣部180中之主管a5之供氣口(連接於圖1之處理室120之供氣口126的部分)配置於較排氣位置更靠上方。此處，如本實施形態般，更佳為主管a1之排氣口與主管a5之供氣口以隔著排氣位置之方式配置。
根據該配置，直接將惰性氣體供給至較排氣位置處之載置板141更靠上方之空間。又，形成沿著排氣位置處之載置板141之周圍之空間的惰性氣體之流動。藉此，能夠高效率地排出氧氣，並且更高效率地排出載置板141與投光部150之間之氧氣。其結果，能夠於短時間內開始基板W之曝光。
於一定時間後，於時點t3，如圖7所示，將供氣部180之閥v5打開，將供氣部190之閥v7打開。於該情形時，藉由供氣部180將大量之惰性氣體供給至處理室120內。因此，殘留於處理室120內之少許量之氧氣與惰性氣體一起被排出至處理室120外。因此，於短時間內處理室120內之氣體中之氧濃度下降。又，藉由供氣部190將大量之惰性氣體供給至殼體151內。藉此，處理室120內及殼體151內之壓力上升至高於值Pa且低於大氣壓P0之值Pb。
繼而，於時點t4，如圖8所示，將排氣部160之閥v1、v2關閉，將排氣部170之閥v3、v4關閉。於該情形時，藉由供氣部180進一步將大量之惰性氣體供給至處理室120內，藉由供氣部190進一步將大量之惰性氣體供給至殼體151內。藉此，處理室120內及殼體151內之壓力上升至高於大氣壓P0之值Pc，處理室120內之氣體中之氧濃度繼續下降。
於時點t5，處理室120內之氣體中之氧濃度下降至一定值(例如100 ppm)以下。藉此，如圖9所示，載置板141移動至處理位置，光源部153變為出射狀態。於該情形時，基板W自複數個支持銷124被交接至載置板141，且接近透光板152。於該狀態下，自光源部153通過透光板152將真空紫外線照射至基板W，而將形成於被處理面之DSA膜曝光。
於時點t6，照射至基板W之真空紫外線之曝光量達到設定曝光量。藉此，與圖5之初始狀態同樣地，光源部153變為停止狀態，載置板141被移動至待機位置，擋板131被移動至打開位置。又，將供氣部180之閥v6打開，將排氣部170之閥v4打開，將供氣部190之閥v8打開。
於該情形時，處理室120內及殼體151內被維持為大氣壓P0，處理室120內之氣體中之氧濃度變得與大氣中之氧濃度相等。又，曝光後之基板W自載置板141被交接至複數個支持銷124。於本例中，藉由下述圖12之搬送裝置220將基板W自複數個支持銷124上搬出至處理室120之外部。
(4)曝光處理 圖11係表示藉由圖3之控制部110所進行之曝光處理之流程圖。以下，使用圖1及圖3對曝光處理進行說明。首先，開閉控制部F使擋板131移動至打開位置(步驟S1)。藉此，能夠通過搬送開口122將處理對象之基板W載置於複數個支持銷124之上端部。又，升降控制部G使載置板141移動至待機位置(步驟S2)。投光控制部J將光源部153切換為停止狀態(步驟S3)。
其次，排氣控制部B將排氣部160之閥v1、v2關閉(步驟S4)。排氣控制部C將排氣部170之閥v4打開(步驟S5)。供氣控制部D將供氣部180之閥v6打開(步驟S6)。供氣控制部E將供氣部190之閥v8打開(步驟S7)。步驟S1～S7係用以使曝光裝置100為初始狀態之處理，可任一者先被執行，亦可同時被執行。尤其是，步驟S4～S7較佳為同時被執行。
再者，本實施形態中之所謂「同時被執行」，不僅包含複數個處理完全地於同一時點被執行，而且包含於數秒左右之期間內依序執行、或伴隨數秒左右之延遲時間地被執行。於以下之說明中亦同樣。
繼而，開閉控制部F判定基板W是否已被搬入至處理室120內(步驟S8)。關於基板W是否已被搬入至處理室120內，例如藉由利用光電感測器等檢測下述圖12之搬送裝置220中之基板W之保持部是否已通過搬送開口122而判定。於基板W未被搬入之情形時，開閉控制部F待機直至基板W被搬入至處理室120內。
於基板W已被搬入至處理室120內之情形時，開閉控制部F使擋板131移動至封閉位置(步驟S9)。又，升降控制部G使載置板141移動至排氣位置(步驟S10)。排氣控制部B將排氣部160之閥v1打開(步驟S11)。排氣控制部C將排氣部170之閥v3打開(步驟S12)。供氣控制部D將供氣部180之閥v5、v6關閉(步驟S13)。供氣控制部E將供氣部190之閥v7、v8關閉(步驟S14)。步驟S9～S14可任一者先被執行，亦可同時被執行。尤其是，步驟S11～S14較佳為同時被執行。
其後，供氣控制部D判定是否已經過一定時間(步驟S15)。於未經過一定時間之情形時，供氣控制部D待機直至經過一定時間。於已經過一定時間之情形時，供氣控制部D將供氣部180之閥v5打開(步驟S16)。又，供氣控制部E將供氣部190之閥v7打開(步驟S17)。步驟S16、S17亦可任一者先被執行，但較佳為同時被執行。
其次，排氣控制部B判定是否已經過一定時間(步驟S18)。於未經過一定時間之情形時，排氣控制部B待機直至經過一定時間。於已經過一定時間之情形時，排氣控制部B將排氣部160之閥v1、v2關閉(步驟S19)。又，排氣控制部C將排氣部170之閥v3、v4關閉(步驟S20)。步驟S19、S20亦可任一者先被執行，但較佳為同時被執行。
繼而，升降控制部G判定處理室120內之氣體中之氧濃度是否已下降至一定值以下(步驟S21)。於氧濃度未下降至一定值以下之情形時，升降控制部G待機直至氧濃度下降至一定值以下。於氧濃度已下降至一定值以下之情形時，升降控制部G使載置板141移動至處理位置(步驟S22)。又，投光控制部J將光源部153切換為出射狀態(步驟S23)。步驟S22、S23可任一者先被執行，亦可同時被執行。
其後，曝光量運算部I判定基板W之曝光量是否已達到設定曝光量(步驟S24)。於曝光量未達到設定曝光量之情形時，曝光量運算部I待機直至曝光量達到設定曝光量。於曝光量達到設定曝光量之情形時，曝光量運算部I返回至步驟S1。藉此，重複進行步驟S1～S24。其結果，對複數個基板W依序進行曝光處理。
(5)基板處理裝置 圖12係表示具備圖1之曝光裝置100之基板處理裝置之整體構成的模式性方塊圖。於以下進行說明之基板處理裝置200中，進行利用嵌段共聚物之定向自組裝(DSA)之處理。具體而言，於基板W之被處理面上塗佈包含定向自組裝材料之處理液。其後，藉由定向自組裝材料所產生之微相分離而於基板W之被處理面上形成2種聚合物之圖案。將2種聚合物中之一者之圖案利用溶劑去除。
將包含定向自組裝材料之處理液稱為DSA液。又，將去除藉由微相分離而形成於基板W之被處理面上之2種聚合物之圖案中之一者的處理稱為顯影處理，將顯影處理中所使用之溶劑稱為顯影液。
如圖12所示，基板處理裝置200除了具備曝光裝置100以外，還具備控制裝置210、搬送裝置220、熱處理裝置230、塗佈裝置240及顯影裝置250。控制裝置210包含例如CPU及記憶體、或微電腦，且控制搬送裝置220、熱處理裝置230、塗佈裝置240及顯影裝置250之動作。又，控制裝置210將用以控制圖1之曝光裝置100之封閉部130、升降部140、投光部150、排氣部160、170及供氣部180、190之動作之指令賦予至控制部110。
搬送裝置220一面保持處理對象之基板W，一面將該基板W於曝光裝置100、熱處理裝置230、塗佈裝置240及顯影裝置250之間搬送。熱處理裝置230係於利用塗佈裝置240所進行之塗佈處理及利用顯影裝置250所進行之顯影處理之前後，進行基板W之熱處理。
塗佈裝置240藉由對基板W之被處理面供給DSA液，而進行膜之塗佈處理。於本實施形態中，使用包含2種聚合物之嵌段共聚物作為DSA液。作為2種聚合物之組合，例如可列舉：聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-PMMA)、聚苯乙烯-聚二甲基矽氧烷(PS-PDMS)、聚苯乙烯-聚二茂鐵基二甲基矽氧烷(PS-PFS)、聚苯乙烯-聚環氧乙烷(PS-PEO)、聚苯乙烯-聚乙烯吡啶(PS-PVP)、聚苯乙烯-聚羥基苯乙烯(PS-PHOST)、及聚甲基丙烯酸甲酯-聚甲基丙烯酸酯多面體寡聚矽倍半氧烷(PMMA-PMAPOSS)等。
顯影裝置250藉由對基板W之被處理面供給顯影液，而進行膜之顯影處理。作為顯影液之溶劑，例如可列舉：甲苯、庚烷、丙酮、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)、環己酮、乙酸、四氫呋喃、異丙醇(IPA)或氫氧化四甲基銨(TMAH)等。
圖13係表示利用圖12之基板處理裝置200所進行之基板W之處理之一例的模式圖。於圖13中，利用剖視圖表示每當進行處理時發生變化之基板W之狀態。於本例中，作為將基板W搬入至基板處理裝置200之前之初始狀態，如圖13(a)所示，以覆蓋基板W之被處理面之方式形成基底層L1，於基底層L1上形成有包含例如光阻劑之導引圖案L2。以下，使用圖12及圖13對基板處理裝置200之動作進行說明。
搬送裝置220將處理對象之基板W依序搬送至熱處理裝置230及塗佈裝置240。於該情形時，於熱處理裝置230中，基板W之溫度被調整為適於DSA膜L3之形成之溫度。又，於塗佈裝置240中，對基板W之被處理面供給DSA液，進行塗佈處理。藉此，如圖13(b)所示，於未形成導引圖案L2之基底層L1上之區域，形成包含2種聚合物之DSA膜L3。
其次，搬送裝置220將形成DSA膜L3之基板W依序搬送至熱處理裝置230及曝光裝置100。於該情形時，於熱處理裝置230中，藉由進行基板W之加熱處理，而於DSA膜L3產生微相分離。藉此，如圖13(c)所示，形成包含一聚合物之圖案Q1及包含另一聚合物之圖案Q2。於本例中，以沿著導引圖案L2之方式，指向性地形成線狀之圖案Q1及線狀之圖案Q2。
其後，於熱處理裝置230中，將基板W冷卻。又，於曝光裝置100中，對微相分離後之DSA膜L3之整體照射用以使DSA膜L3改質之真空紫外線，而進行曝光處理。藉此，一聚合物與另一聚合物之間之鍵結被切斷，圖案Q1與圖案Q2被分離。
繼而，搬送裝置220將利用曝光裝置100進行曝光處理後之基板W依序搬送至熱處理裝置230及顯影裝置250。於該情形時，於熱處理裝置230中，將基板W冷卻。又，於顯影裝置250中，對基板W上之DSA膜L3供給顯影液，進行顯影處理。藉此，如圖13(d)所示，圖案Q1被去除，最終於基板W上殘存圖案Q2。最後，搬送裝置220自顯影裝置250回收顯影處理後之基板W。
(6)效果 於本實施形態之曝光裝置100中，於自開始排出處理室120內之氣體起經過一定時間之後，開始向處理室120內供給惰性氣體。於該情形時，於供給惰性氣體之前，處理室120內之氧氣與其他氣體一起被排出至處理室120外。藉此，處理室120內之壓力下降，並且氧氣之量下降。其後，惰性氣體被供給至處理室120內，殘留於處理室120內之少許量之氧氣與惰性氣體一起被排出至處理室120外。因此，於將基板W搬入至處理室120內之後，於短時間內處理室120內之氣體中之氧濃度下降。因此，能夠自基板W之搬入起於短時間內開始基板W之曝光。其結果，能夠使基板W之曝光處理之效率提高。
又，於自開始向處理室120內供給惰性氣體起經過一定時間之後，停止處理室120內之氣體之排出。於該情形時，於停止處理室120內之氣體之排出之狀態下進一步將惰性氣體供給至處理室120內。藉此，能夠使處理室120內之氣體中之氧濃度進一步下降，而更高效率地防止臭氧之產生。
進而，於本實施形態之曝光裝置100中，藉由排出處理室120內之氣體及向處理室120內供給惰性氣體，而處理室120內之壓力發生變化。尤其是，於供給惰性氣體之前，處理室120內之氧氣與其他氣體一起被排出至處理室120外。因此，處理室120內之壓力下降，並且氧氣之量下降。
於此種情形時，亦使殼體151內之壓力與處理室120內之壓力一致或接近。因此，幾乎不會產生處理室120內與殼體151內之壓力差。因此，防止於透光板152產生應力。於該情形時，由於無需使透光板152之厚度變大，故而透光板152之透過率提高。藉此，能夠使基板W之曝光處理之效率提高。
[2]第2實施形態 關於第2實施形態之曝光裝置及基板處理裝置，對與第1實施形態之曝光裝置及基板處理裝置不同之方面進行說明。圖14係表示本發明之第2實施形態之曝光裝置之構成的模式性剖視圖。如圖14所示，曝光裝置100進而包含將處理室120與殼體151之間連結之連結管101。於連結管101介插有閥v9。
圖15係表示圖14之控制部110之構成之功能方塊圖。如圖15所示，控制部110進而包含控制圖14之閥v9之動作之連結控制部K。藉由將閥v9打開，而使理室120之內部空間V1與殼體151之內部空間V2通過連結管101而連通，於處理室120內與殼體151內之間氣體能夠移動。
圖16～圖21係用以說明圖15之控制部110對於曝光裝置100之各部之控制的圖。圖22係表示利用圖15之控制部110所進行之控制之時序的圖。圖22(i)表示連結管101中之閥v9之動作之切換的時序。以下，一面參照圖16～圖22，一面對利用本實施形態中之控制部110所進行之曝光處理進行說明。
再者，圖22中之排氣部160、供氣部180、擋板131、載置板141及光源部153之控制之時序與圖10中之排氣部160、供氣部180、擋板131、載置板141及光源部153之控制之時序分別相同。又，圖22中之處理室120內之壓力之變化與圖10中之處理室120內之壓力之變化相同。另一方面，圖22中之排氣部170及供氣部190之控制之時序與圖10中之排氣部170及供氣部190之控制之時序不同。
作為初始狀態，於時點t1，如圖16所示，擋板131位於打開位置，載置板141位於待機位置，光源部153處於停止狀態。又，將排氣部160之閥v1、v2關閉，將供氣部180之閥v6打開，將排氣部170之閥v4打開，將供氣部190之閥v8打開，將連結管101之閥v9關閉。
於該情形時，藉由供氣部180將少量之惰性氣體供給至處理室120內，但由於搬送開口122被打開，故而處理室120內被維持為大氣壓P0，處理室120內之氣體中之氧濃度與大氣中之氧濃度相等。又，藉由利用供氣部190將少量之惰性氣體供給至殼體151內，利用排氣部170排出殼體151內之少量之氣體，而將殼體151內維持為大氣壓P0，將殼體151內之氣體維持為惰性氣體。於該狀態下，由於閥v9被關閉，故而容易防止氧氣通過處理室120而流入至殼體151內。
其次，如圖17所示，藉由圖12之搬送裝置220將基板W載置於複數個支持銷124之上端部。其後，於時點t2，如圖18所示，使擋板131移動至封閉位置，使載置板141移動至排氣位置。又，將排氣部160之閥v1打開，將供氣部180之閥v5、v6關閉，將排氣部170之閥v3、v4關閉，將供氣部190之閥v7打開，將連結管101之閥v9打開。
於該情形時，於將搬送開口122封閉且停止自供氣部180向處理室120內供給惰性氣體之狀態下，利用排氣部160將處理室120內之大量之氣體排出。因此，藉由將處理室120內之氧氣與其他氣體一起排出至處理室120外，而於短時間內氧氣之量下降。又，處理室120內及殼體151內之壓力下降至低於大氣壓P0之值Pa。
此處，殼體151之內部空間與處理室120之內部空間通過連結管101而連通，處理室120內之壓力與殼體151內之壓力被維持為相等。又，由於在停止利用排氣部170排出殼體151內之氣體之狀態下，將大量之惰性氣體供給至殼體151內，故而殼體151內之氣體移動至處理室120內。氣體不會自處理室120內向殼體151內移動(逆流)。藉此，防止了包含氧氣之氣體流入至殼體151內。
於一定時間後，於時點t3，如圖19所示，將供氣部180之閥v5打開。於該情形時，藉由供氣部180將大量之惰性氣體供給至處理室120內。因此，殘留於處理室120內之少許量之氧氣與惰性氣體一起被排出至處理室120外。因此，於短時間內處理室120內之氣體中之氧濃度下降。又，處理室120內及殼體151內之壓力上升至高於值Pa且低於大氣壓P0之值Pb。
繼而，於時點t4，如圖20所示，將排氣部160之閥v1、v2關閉。於該情形時，藉由供氣部180進一步將大量之惰性氣體供給至處理室120內。藉此，處理室120內及殼體151內之壓力上升至高於大氣壓P0之值Pc，處理室120內之氣體中之氧濃度繼續下降。
於時點t5，處理室120內之氣體中之氧濃度下降至一定值(例如100 ppm)以下。藉此，如圖21所示，載置板141移動至處理位置，光源部153變為出射狀態。於該情形時，基板W自複數個支持銷124被交接至載置板141，且接近透光板152。於該狀態下，自光源部153通過透光板152將真空紫外線照射至基板W，而將形成於被處理面之DSA膜曝光。
於時點t6，照射至基板W之真空紫外線之曝光量達到設定曝光量。藉此，與圖17之初始狀態同樣地，光源部153變為停止狀態，載置板141被移動至待機位置，擋板131被移動至打開位置。又，將供氣部180之閥v6打開，將排氣部170之閥v4打開，將供氣部190之閥v8打開，將連結管101之閥v9關閉。
於該情形時，一面將殼體151之內部空間與處理室120之內部空間之連通遮斷，一面將處理室120內及殼體151內維持為大氣壓P0。處理室120內之氣體中之氧濃度變得與大氣中之氧濃度相等。又，將曝光後之基板W自載置板141交接至複數個支持銷124。於本例中，藉由圖12之搬送裝置220將基板W自複數個支持銷124上搬出至處理室120之外部。根據該構成，能夠以更簡單之控制使處理室120內之壓力與殼體151內之壓力一致、或使壓力之差小於一定值。
圖23係表示藉由圖15之控制部110所進行之曝光處理之流程圖。圖23之曝光處理與圖11之曝光處理於以下方面不同。於步驟S7、S8間執行步驟S7a。執行步驟S12a以代替步驟S12。執行步驟S14a以代替步驟S14。於步驟S14a、S15間執行步驟S14b。不執行步驟S17、S20。
於步驟S7a中，連結控制部K將連結管101之閥v9關閉。於步驟S12a中，排氣控制部C將閥v3、v4關閉。於步驟S14a中，供氣控制部E將供氣部190之閥v7打開。於步驟S14b中，連結控制部K將連結管101之閥v9打開。
步驟S1～S7、S7a係用以使曝光裝置100為初始狀態之處理，可任一者先被執行，亦可同時被執行。尤其是，步驟S4～S7、S7a較佳為同時被執行。步驟S9～S11、S12a、S13、S14a、S14b可任一者先被執行，亦可同時被執行。尤其是，步驟S11、S12a、S13、S14a、S14b較佳為同時被執行。
[3]其他實施形態 (1)於上述實施形態中，使用DSA液作為處理液，但本發明並不限定於此。亦可使用與DSA液不同之其他處理液。 (2)於上述實施形態中，真空紫外線之出射面大於基板W之被處理面，進行基板W之整面曝光，但本發明並不限定於此。真空紫外線之出射面亦可小於基板W之被處理面，亦可不出射面狀之真空紫外線。於該情形時，藉由使真空紫外線之出射面與基板W之被處理面相對移動，而對基板W之被處理面之整體照射真空紫外線。 (3)於上述實施形態中，於處理室120內之氣體中之氧濃度下降至100 ppm之情形時，開始基板W之曝光，但本發明並不限定於此。亦可於處理室120內之氣體中之氧濃度下降至高於100 ppm之濃度(例如1%)之情形時開始基板W之曝光。 (4)於上述實施形態中，排氣口125形成於較排氣位置更靠下方，供氣口126形成於較排氣位置更靠上方，但本發明並不限定於此。亦可為，排氣口125形成於較排氣位置更靠上方，供氣口126形成於較排氣位置更靠下方。或者，亦可為排氣口125及供氣口126之兩者形成於較排氣位置更靠上方，還可為排氣口125及供氣口126之兩者形成於較排氣位置更靠下方。因此，排氣口125與供氣口126亦可不以隔著排氣位置之方式形成。 (5)於上述實施形態中，於排出處理室120內之氣體時，使載置板141移動至排氣位置，但本發明並不限定於此。於在待機位置處之載置板141之周圍未形成較窄之間隙，而氧氣不易停滯之情形時，於排出處理室120內之氣體時亦可不使載置板141移動至排氣位置。 (6)於上述實施形態中，以使殼體151內之壓力與處理室120內之壓力一致或接近之方式控制殼體151內之壓力，但本發明並不限定於此。於透光板152具有充分之強度之情形時，亦可不以使殼體151內之壓力與處理室120內之壓力一致或接近之方式控制殼體151內之壓力。 (7)於上述實施形態中，於向處理室120內供給惰性氣體之前，先開始排出處理室120內之氣體，但本發明並不限定於此。於能夠將處理室120內之氧氣於足夠短之時間內排出之情形時，亦可不於向處理室120內供給惰性氣體之前，先開始處理室120內之氣體之排出。因此，亦可同時開始向處理室120內之惰性氣體之供給與處理室120內之氣體之排出。
[4]技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種要素。
於上述實施形態中，投光部150為投光部之例，載置板141為載置部之例，排氣部160、170分別為第1及第2排氣部之例，供氣部180、190分別為第1及第2供氣部之例。供氣控制部D、E分別為第1及第2供氣控制部之例，驅動裝置143為驅動部之例，排氣控制部B為排氣控制部之例，支持銷124為支持構件之例。
透光板152為窗構件之例，連結管101為連結部之例，塗佈裝置240為塗佈處理部之例，熱處理裝置230為熱處理部之例，顯影裝置250為顯影處理部之例，基板處理裝置200為基板處理裝置之例。搬送開口122為開口之例，閥v9為閥之例，排氣控制部B為排氣控制部之例，或者排氣控制部B、C分別為第1及第2排氣控制部之例。
於第1實施形態中，排氣部170、供氣部190及供氣控制部E為壓力控制部之例，或者排氣部170、供氣部190、排氣控制部C及供氣控制部E為壓力控制部之例。於第2實施形態中，連結管101及供氣部190為壓力控制部之例，或者連結管101、供氣部190、閥v9及連結控制部K為壓力控制部之例。
100‧‧‧曝光裝置
101‧‧‧連結管
110‧‧‧控制部
120‧‧‧處理室
121‧‧‧上部開口
122‧‧‧搬送開口
123‧‧‧開口部
124‧‧‧支持銷
125‧‧‧排氣口
126‧‧‧供氣口
130‧‧‧封閉部
131‧‧‧擋板
132‧‧‧連結構件
133‧‧‧驅動裝置
140‧‧‧升降部
141‧‧‧載置板
142‧‧‧連結構件
143‧‧‧驅動裝置
150‧‧‧投光部
151‧‧‧殼體
152‧‧‧透光板
153‧‧‧光源部
154‧‧‧電源裝置
155‧‧‧排氣口
156‧‧‧供氣口
160‧‧‧排氣部
170‧‧‧排氣部
180‧‧‧供氣部
190‧‧‧供氣部
200‧‧‧基板處理裝置
210‧‧‧控制裝置
220‧‧‧搬送裝置
230‧‧‧熱處理裝置
240‧‧‧塗佈裝置
250‧‧‧顯影裝置
A‧‧‧氧濃度獲取部
a1‧‧‧主管
a2‧‧‧主管
a3‧‧‧主管
a4‧‧‧主管
a5‧‧‧主管
a6‧‧‧主管
a7‧‧‧主管
a8‧‧‧主管
B‧‧‧排氣控制部
b1‧‧‧分支管
b2‧‧‧分支管
b3‧‧‧分支管
b4‧‧‧分支管
b5‧‧‧分支管
b6‧‧‧分支管
b7‧‧‧分支管
b8‧‧‧分支管
C‧‧‧排氣控制部
c1‧‧‧抽吸裝置
c2‧‧‧抽吸裝置
D‧‧‧供氣控制部
E‧‧‧供氣控制部
F‧‧‧開閉控制部
G‧‧‧升降控制部
H‧‧‧照度獲取部
h1‧‧‧貫通孔
h2‧‧‧下部開口
I‧‧‧曝光量運算部
J‧‧‧投光控制部
K‧‧‧連結控制部
L1‧‧‧基底層
L2‧‧‧導引圖案
L3‧‧‧DSA膜
P1、P2、P3、P4‧‧‧連接埠口
P0‧‧‧大氣壓
Pa‧‧‧值
Pb‧‧‧值
Pc‧‧‧值
p1‧‧‧配管
p2‧‧‧配管
p3‧‧‧配管
p4‧‧‧配管
Q1‧‧‧圖案
Q2‧‧‧圖案
s1‧‧‧壓力計
s2‧‧‧氧濃度計
s3‧‧‧臭氧濃度計
s4‧‧‧照度計
T1‧‧‧時點
T2‧‧‧時點
T3‧‧‧時點
T4‧‧‧時點
t1‧‧‧時點
t2‧‧‧時點
t3‧‧‧時點
t4‧‧‧時點
t5‧‧‧時點
t6‧‧‧時點
V1‧‧‧內部空間
V2‧‧‧內部空間
v1‧‧‧閥
v2‧‧‧閥
v3‧‧‧閥
v4‧‧‧閥
v5‧‧‧閥
v6‧‧‧閥
v7‧‧‧閥
v8‧‧‧閥
v9‧‧‧閥
W‧‧‧基板
圖1係表示本發明之第1實施形態之曝光裝置之構成的模式性剖視圖。 圖2係表示處理室內之壓力及氧濃度之變化之概略圖。 圖3係表示圖1之控制部之構成之功能方塊圖。 圖4係用以說明圖3之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖5係用以說明圖3之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖6係用以說明圖3之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖7係用以說明圖3之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖8係用以說明圖3之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖9係用以說明圖3之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖10(a)～(h)係表示利用圖3之控制部所進行之控制之時序的圖。 圖11係表示藉由圖3之控制部所進行之曝光處理之流程圖。 圖12係表示具備圖1之曝光裝置之基板處理裝置之整體構成的模式性方塊圖。 圖13(a)～(d)係表示利用圖12之基板處理裝置所進行之基板之處理之一例的模式圖。 圖14係表示本發明之第2實施形態之曝光裝置之構成的模式性剖視圖。 圖15係表示圖14之控制部之構成之功能方塊圖。 圖16係用以說明圖15之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖17係用以說明圖15之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖18係用以說明圖15之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖19係用以說明圖15之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖20係用以說明圖15之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖21係用以說明圖15之控制部對於曝光裝置之各部之控制的圖。 圖22(a)～(i)係表示利用圖15之控制部所進行之控制之時序的圖。 圖23係表示藉由圖15之控制部所進行之曝光處理之流程圖。

Claims (22)

  1. 一種曝光裝置，其具備： 處理室，其收容基板； 載置部，其於上述處理室內載置基板； 第1排氣部，其用以排出上述處理室內之氣體； 第1供氣部，其用以將惰性氣體供給至上述處理室內； 投光部，其出射真空紫外線； 第1供氣控制部，其以如下方式控制上述第1供氣部，即，於自藉由上述第1排氣部開始排出上述處理室內之氣體起經過預先規定之第1時間之後，開始向上述處理室內供給惰性氣體； 投光控制部，其以如下方式控制上述投光部，即，藉由在上述處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，對上述處理室內之基板照射真空紫外線，而將基板曝光；及 驅動部，其係以於向上述處理室內搬入基板及向上述處理室外搬出基板時上述載置部位於上述處理室內之第1位置，於利用上述投光部對基板照射真空紫外線時上述載置部位於較上述第1位置更接近於上述投光部之第2位置的方式，使上述載置部移動至上述第1位置及上述第2位置。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其進而具備排氣控制部，該排氣控制部以如下方式控制上述第1排氣部，即，於自藉由上述第1供氣部開始向上述處理室內供給惰性氣體起經過預先規定之第2時間之後，停止上述處理室內之氣體之排出。
  3. 如請求項1或2之曝光裝置，其中上述投光部配置於上述載置部之上方，且朝下方出射真空紫外線， 上述第2位置位於上述投光部之下方，上述第1位置位於上述第2位置之下方， 上述驅動部使上述載置部於上述第1位置與上述第2位置之間升降。
  4. 如請求項3之曝光裝置，其中上述驅動部以如下方式使上述載置部移動，即，於藉由上述第1排氣部排出上述處理室內之氣體時，上述載置部位於較上述第1位置更靠上方且較上述第2位置更靠下方之第3位置。
  5. 如請求項4之曝光裝置，其中上述第1排氣部具有於上述處理室內排出氣體之排氣口， 上述第1供氣部具有於上述處理室內供給惰性氣體之供氣口， 上述排氣口配置於較上述第3位置更靠上方或下方之任一者， 上述供氣口配置於較上述第3位置更靠上方或下方之任意另一者。
  6. 如請求項3之曝光裝置，其進而具備於上述處理室內沿上下方向延伸之複數個支持構件， 上述複數個支持構件之上端高於上述第1位置且低於上述第2位置， 上述載置部具有能夠供上述複數個支持構件通過之複數個貫通孔， 上述複數個支持構件於上述載置部位於上述第1位置時貫通上述載置部之上述複數個貫通孔。
  7. 如請求項1或2之曝光裝置，其進而具備壓力控制部，該壓力控制部係以上述投光部內之壓力與上述處理室內之壓力一致或接近之方式控制上述投光部內之壓力， 上述投光部具有透光性窗構件，且通過上述窗構件對上述處理室內之基板照射真空紫外線。
  8. 如請求項7之曝光裝置，其中上述壓力控制部包含： 第2排氣部，其用以排出上述投光部內之氣體； 第2供氣部，其用以將惰性氣體供給至上述投光部內；及 第2供氣控制部，其以如下方式控制上述第2供氣部，即，於自藉由上述第2排氣部開始排出上述投光部內之氣體起經過上述第1時間之後，開始向上述投光部內供給惰性氣體。
  9. 如請求項7之曝光裝置，其中上述壓力控制部包含： 連結部，其將上述處理室之內部空間與上述投光部之內部空間連結；及 第2供氣部，其將惰性氣體供給至上述投光部內。
  10. 一種基板處理裝置，其具備： 塗佈處理部，其藉由對基板塗佈處理液而於基板形成膜； 熱處理部，其將藉由上述塗佈處理部而形成膜之基板進行熱處理； 如請求項1或2之曝光裝置，其將利用上述熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及 顯影處理部，其藉由對利用上述曝光裝置曝光後之基板供給溶劑而將基板之膜顯影。
  11. 一種曝光方法，其包括如下步驟： 藉由驅動部使載置部移動至處理室內之第1位置； 將基板搬入至上述處理室內，並載置於上述載置部； 藉由第1排氣部開始上述處理室內之氣體之排出； 於自藉由上述第1排氣部開始上述處理室內之氣體之排出起經過預先規定之第1時間之後，藉由第1供氣部開始向上述處理室內供給惰性氣體； 於上述處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，藉由上述驅動部使上述載置部移動至較上述第1位置更接近於投光部之第2位置； 藉由利用上述投光部對上述處理室內之基板照射真空紫外線而將基板曝光； 藉由上述驅動部使上述載置部移動至上述第1位置；及 自上述處理室內將基板搬出。
  12. 一種基板處理方法，其包括如下步驟： 藉由利用塗佈處理部對基板之被處理面塗佈處理液而於基板形成膜； 將藉由上述塗佈處理部而形成膜之基板利用熱處理部進行熱處理； 如請求項11之曝光方法，其係藉由曝光裝置將利用上述熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及 藉由對利用上述曝光裝置曝光後之基板之被處理面利用顯影處理部供給溶劑，而將基板之膜顯影。
  13. 一種曝光裝置，其具備： 處理室，其收容基板； 投光部，其具有透光性窗構件，且用以通過上述窗構件而將真空紫外線出射至上述處理室內之基板； 第1排氣部，其用以排出上述處理室內之氣體； 第1供氣部，其用以將惰性氣體供給至上述處理室內； 壓力控制部，其以上述投光部內之壓力與上述處理室內之壓力一致或接近之方式控制上述投光部內之壓力；及 投光控制部，其以如下方式控制上述投光部，即，藉由在上述處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，對上述處理室內之基板照射真空紫外線，而將基板曝光。
  14. 如請求項13之曝光裝置，其進而具備第1供氣控制部，該第1供氣控制部以如下方式控制上述第1供氣部，即，於自藉由上述第1排氣部開始排出上述處理室內之氣體起經過預先規定之第1時間之後，開始向上述處理室內供給惰性氣體。
  15. 如請求項14之曝光裝置，其中上述壓力控制部包含： 第2排氣部，其用以排出上述投光部內之氣體； 第2供氣部，其用以將惰性氣體供給至上述投光部內；及 第2供氣控制部，其以如下方式控制上述第2供氣部，即，於自藉由上述第2排氣部開始排出上述投光部內之氣體起經過上述第1時間之後，開始對上述投光部內供給惰性氣體。
  16. 如請求項15之曝光裝置，其進而具備第1排氣控制部，該第1排氣控制部以如下方式控制上述第1排氣部，即，於自藉由上述第1供氣部開始向上述處理室內供給惰性氣體起經過預先規定之第2時間之後，停止上述處理室內之氣體之排出，且 上述壓力控制部進而包含第2排氣控制部，該第2排氣控制部以如下方式控制上述第2排氣部，即，於自藉由上述第2供氣部開始對上述投光部內供給惰性氣體起經過上述第2時間之後，停止上述投光部內之氣體之排出。
  17. 如請求項13或14之曝光裝置，其中上述壓力控制部包含： 連結部，其將上述處理室之內部空間與上述投光部之內部空間連結；及 第2供氣部，其將惰性氣體供給至上述投光部內。
  18. 如請求項17之曝光裝置，其進而具備第1排氣控制部，該第1排氣控制部以如下方式控制上述第1排氣部，即，於自藉由上述第1供氣部開始向上述處理室內供給惰性氣體起經過預先規定之第2時間之後，停止上述處理室內之氣體之排出。
  19. 如請求項17之曝光裝置，其中上述處理室具有開口， 上述曝光裝置進而具備封閉部，該封閉部係於向上述處理室內搬入基板及向上述處理室外搬出基板時將上述開口打開，於將基板搬入至上述處理室內之後將上述開口封閉， 上述壓力控制部包含： 閥，其介插於上述連結部；及 連結控制部，其以如下方式控制上述閥，即，於將上述開口打開時上述閥關閉，於將上述開口封閉時上述閥打開。
  20. 一種基板處理裝置，其具備： 塗佈處理部，其藉由對基板塗佈處理液而於基板形成膜； 熱處理部，其將藉由上述塗佈處理部而形成膜之基板進行熱處理； 如請求項13至16中任一項之曝光裝置，其將利用上述熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及 顯影處理部，其藉由對利用上述曝光裝置曝光後之基板供給溶劑而將基板之膜顯影。
  21. 一種曝光方法，其包括如下步驟： 藉由第1排氣部排出收容有基板之處理室內之氣體； 藉由第1供氣部將惰性氣體供給至上述處理室內； 使具有透光性窗構件之投光部內之壓力與上述處理室內之壓力一致或接近；及 藉由在上述處理室內之氣體中之氧濃度下降至預先規定之濃度之狀態下，利用上述投光部通過上述窗構件對上述處理室內之基板照射真空紫外線，而將基板曝光。
  22. 一種基板處理方法，其包括如下步驟： 藉由利用塗佈處理部對基板之被處理面塗佈處理液，而於基板形成膜； 將藉由上述塗佈處理部而形成膜之基板利用熱處理部進行熱處理； 如請求項21之曝光方法，其係藉由曝光裝置將利用上述熱處理部進行熱處理後之基板曝光；及 藉由對利用上述曝光裝置曝光後之基板之被處理面利用顯影處理部供給溶劑，而將基板之膜顯影。
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