TW201924767A

TW201924767A - 氣體處理用構件

Info

Publication number: TW201924767A
Application number: TW107140887A
Authority: TW
Inventors: 村木勇三; 高山嘉也; 中村知洋; 阿部悠一
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2017-11-17
Filing date: 2018-11-16
Publication date: 2019-07-01
Also published as: WO2019098336A1; JP2019093384A; JP7016788B2

Abstract

本發明之氣體處理用構件具備由雙面黏著帶構成之基材、配置於基材上之氣體處理劑、及以覆蓋氣體處理劑之方式配置於基材上之具有透氣性之保護層，且保護層具有接合於上述雙面黏著帶之黏著劑層之接合部，氣體處理劑配置於由接合部包圍而成之區域中之上述雙面黏著帶之黏著劑層與保護層之間的空間。本發明之氣體處理用構件適於小型化。

Description

氣體處理用構件

本發明係關於一種具備具有吸濕性、吸脫濕性等之氣體處理劑之氣體處理用構件。

已知有具備氣體處理劑之氣體處理用構件。於氣體處理用構件之一例中，有具備吸收氣體中所包含之水分(水蒸氣)之氣體處理劑(吸濕劑或吸脫濕劑)之吸濕構件及吸脫濕構件。再者，吸脫濕劑係能夠於特定之條件下、例如乾燥氣體氛圍下，將濕潤氣體氛圍下吸收之水分再次釋放之處理劑。藉由滿足上述特定之條件，吸脫濕劑之吸濕性恢復。吸濕構件及吸脫濕構件例如安裝於相機等電子設備、精密設備、電子零件等之內部使用。藉由該構件之安裝，例如能夠抑制於該等製品之內部產生冷凝。

於專利文獻1中，揭示一種氣體處理用構件，該氣體處理用構件包含將選自特定之氣體成分及微粒子之至少一種去除之處理劑、及將處理劑與外部氣體氛圍隔開之壁材，且壁材具有包含氟樹脂膜或含有氟樹脂膜之積層體之氣體透過區域。又，如圖5所示，於專利文獻1中，記載有一種形態，該形態具有於重疊之狀態下將周端部相互接合之氟樹脂膜102及支持材101之壁材，且將處理劑103包容於由該壁材形成之袋狀之容器內。於專利文獻1中，作為支持材101之材料，揭示有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等。
先前技術文獻
專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2001-198429號公報

[發明所欲解決之問題]

近年來，安裝氣體處理用構件之製品之小型化得到發展。存在為了應對小型化之製品，亦對氣體處理用構件要求小型化之狀況。然而，專利文獻1之氣體處理用構件未必適於小型化。為使氣體處理用構件小型化，必須使該構件之厚度及/或大小(尺寸)變小。然而，將安裝氣體處理用構件所需之黏著劑較薄且均一地塗佈於面積較小之支持材101之露出面並不容易。又，為使尺寸變小而期望氟樹脂膜102與支持材101之接合部之寬度變小。然而，若使接合部之寬度變小，則因支持材101上之處理劑103之分佈之偏集，導致應力集中於接合部之一部分，因此存在接合部之接合之可靠性下降之情況。

鑒於以上之事項，本發明之目的在於提供一種適於小型化之氣體處理用構件。
[解決問題之技術手段]

本發明提供一種氣體處理用構件，其具備由雙面黏著帶構成之基材、配置於上述基材上之氣體處理劑、及以覆蓋上述氣體處理劑之方式配置於上述基材上之具有透氣性之保護層，且
上述保護層具有接合於上述雙面黏著帶之黏著劑層之接合部，
上述氣體處理劑配置於由上述接合部包圍而成之區域中之上述雙面黏著帶之上述黏著劑層與上述保護層之間的空間。

根據另一態樣，本發明提供一種設備，其具備殼體，且
將上述本發明之氣體處理用構件收容於上述殼體之內部。
[發明之效果]

於本發明之氣體處理用構件中，將氣體處理劑配置於雙面黏著帶之黏著劑層上。藉此，將保護層與基材接合時之氣體處理劑之位置偏移、或使用中之氣體處理劑之位置偏移得到抑制。由於能夠抑制氣體處理劑相對於基材之位置偏移，故而即便於使保護層與基材之接合部之寬度變小之情形時，亦容易確保接合部之可靠性。

又，於本發明之氣體處理用構件中，將保護層接合於作為基材之雙面黏著帶之黏著劑層。於該接合中，能夠避免有時產生於熱熔接及接著劑之接合中之接合時保護層之收縮。藉此，即便於使保護層之尺寸變小之情形時，亦容易確保接合部之可靠性。

因此，本發明之氣體處理用構件適於小型化。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。本發明並不限定於以下之實施形態。

[氣體處理用構件]
於圖1A及圖1B中，示出本發明之氣體處理用構件之一例。於圖1B中，示出自保護層4之側觀察之氣體處理用構件1。於圖1A中，示出圖1B所示之剖面I-I。

如圖1A及圖1B所示，氣體處理用構件1具備基材2、配置於基材2上之由氣體處理劑形成之氣體處理層3、及以覆蓋氣體處理層3之方式配置於基材2上之具有透氣性之保護層4。基材2包含雙面黏著帶構成。保護層4具有接合於基材2之黏著劑層之接合部11。氣體處理層3配置於由接合部11包圍之區域中之雙面黏著帶之黏著劑層與保護層4之間的空間。於圖1A及圖1B所示之例中，接合部11對應於保護層4之外周緣部。

由於由雙面黏著帶構成基材2，故而例如即便於將構件1安裝在相對於水平方向傾斜之面(垂直面等)時，亦能夠抑制基材2上之氣體處理劑之分佈之偏集。亦考慮到若於小型化之構件1中氣體處理劑之分佈偏集，導致氣體處理層3之厚度變得不均一，則因不均一之程度，基材2與保護層4之接合破壞，或者氣體處理劑脫落。構件1適於抑制氣體處理劑之位置偏移，維持上述接合之可靠性。

氣體處理用構件1例如可安裝於電子設備等之內部。更具體而言，可對位於電子設備之殼體之內部之表面、例如電子設備之殼體之內面及/或收容於殼體之內部之各種構成構件之表面安裝構件1。對於構件1之安裝，可利用基材2之黏著劑層(與配置有氣體處理劑之側之面為相反側之面的黏著劑層)。安裝前之構件1亦可具有覆蓋該黏著劑層之隔片。隔片中可使用公知之隔片。隔片係安裝構件1時被剝離。

氣體處理用構件1、及該構件1所具備之基材2、氣體處理劑(例如氣體處理層3)及保護層4之形狀並無限定。於構件1中，如上所述，將保護層4與基材2接合時之氣體處理劑之位置偏移、或使用中之氣體處理劑之位置偏移得到抑制。由於能夠抑制氣體處理劑相對於基材2之位置偏移，故而即便於使保護層4與基材2之接合部11之寬度變小之情形時，亦容易確保接合部11之可靠性。因此，構件1可採用保護層4與基材2之接合相對複雜之形狀。因此，適於小型化，並且構件1可採用之形狀之自由度較高。

為了確認本發明之氣體處理用構件適於小型化，而如以下般製作於具有透氣性並且不具有黏著劑層之袋狀體之內部收容有吸脫濕層之氣體處理用構件(吸脫濕構件)。

首先，準備於利用熱熔接將外周緣部接合後成為收容氣體處理劑之袋狀體之2片支持層(尺寸10 mm×10 mm)。準備之支持層係PTFE(Polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)多孔質膜(厚度10 μm)與具有PET/PE(polyethylene terephthalate/polyethylene，聚對苯二甲酸乙二酯/聚乙烯)之芯鞘結構之複合纖維之不織布(單位面積重量30 g/m² )的熱層壓品(厚度120 μm、厚度方向之Gurley透氣度0.2秒/100 mL、對於5 N/10 mm之拉伸應力之拉伸伸長率於MD方向上為2.0%，於TD方向上為4.8%)。又，準備吸脫濕層，作為收容於袋狀體之氣體處理劑，該吸脫濕層係具有5 mm×5 mm之尺寸之正方形，且包含聚丙烯酸酯系纖維之不織布(單位面積重量378 g/m² 、40～60%RH(相對濕度)下之厚度0.8 mm)。再者，該吸脫濕層係以於製作吸脫濕構件之一般之濕度氣體氛圍下之吸濕狀態(吸濕率30～50%左右之吸濕狀態)時的厚度為基準，吸濕率100%時呈現30～40%左右之厚度之增加。另一方面，長度方向及寬度方向之大小即便上述吸濕率之變動，基本上亦不變化。

繼而，將吸脫濕層配置於一支持層之上。吸脫濕層係以使支持層之中心與吸脫濕層之中心對齊並且支持層之邊與吸脫濕層之邊相互平行的方式配置。繼而，以覆蓋吸脫濕層之方式配置另一支持層，藉由熱熔接將兩個支持層於外周緣部接合，獲得包容吸脫濕層之袋狀體。另一支持層係以兩個支持層之外周相互一致之方式配置。支持層之接合部之寬度設為1.5 mm。吸脫濕層之端部與支持層之端部之距離設為2.5 mm。繼而，將上述製作而成之袋狀體配置於具有10 mm×10 mm之尺寸之正方形之雙面黏著帶(日東電工製、No.5000NS、厚度160 μm)的黏著劑層之上，製作吸脫濕構件。再者，袋狀體係以袋狀體之外周與雙面黏著帶之外周一致之方式配置。關於製作之吸脫濕構件，下述吸濕率為95%，且未觀察到吸濕時之接合部(支持層之熱熔接部)之剝離。

繼而，將2片支持層之尺寸變更為7 mm×7 mm，並且將支持層之接合部之寬度設為0.8 mm，除此以外，與上述同樣地嘗試吸脫濕構件之製作。然而，因將支持層之外周緣部熱熔接時支持層熱縮而產生支持層與吸脫濕層之位置偏移，吸脫濕構件之製作較為困難。已確認於具有透氣性並且不具有黏著劑層之袋狀體之內部收容有吸脫濕層之上述吸脫濕構件未必適於小型化。

於圖1A及圖1B所示之例中，自與基材2之主面垂直之方向觀察，氣體處理用構件1、基材2、氣體處理層3及保護層4之形狀(以下，構件1及構成構件1之各層之形狀設為自與基材2之主面垂直之方向觀察時之形狀)為正方形。但，構件1、基材2、氣體處理層3及保護層4之形狀並不限定於上述例，亦可相互獨立為圓(包含大致圓)、橢圓(包含大致橢圓)、及包括長方形及正方形在內之多邊形。自與基材2之主面垂直之方向觀察時之氣體處理層3之面積(以下，構件1及構成構件1之各層之面積設為自與基材2之主面垂直之方向觀察時之面積)通常小於基材2的面積。保護層4之形狀及/或面積亦可與基材2之形狀及/或面積相同。構件1之形狀及面積亦可與基材2之形狀及面積相同。

氣體處理用構件1及/或基材2之面積例如為2500 mm² 以下。根據構件1之構成，該面積亦可為100 mm² 以下，50 mm² 以下，25 mm² 以下，進而1 mm² 以下。該面積之下限並無限定，例如為0.01 mm² 以上。

氣體處理用構件1之厚度例如為5 mm以下。構件1之厚度亦可為1 mm以下，0.5 mm以下，進而0.1 mm以下。構件1之厚度之下限並無限定，例如為0.01 mm以上。於構件1之厚度處於該等範圍之情形時，對例如內部之容積受到限定之小型化之電子設備等的安裝變得容易。

基材2係包含雙面黏著帶。基材2中可使用公知之雙面黏著帶。雙面黏著帶可為具有基材層之附基材之膠帶，亦可為不具有基材層之無基材膠帶。附基材之膠帶之基材層例如為包含PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)、PE(polyethylene，聚乙烯)及PP(polypropylene，聚丙烯)等聚烯烴、或纖維素酯等樹脂之膜、不織布、發泡體(發泡體)等。構成該膠帶之黏著劑層之黏著劑中使用丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑等各種黏著劑。再者，於雙面黏著帶之基材層為不織布、發泡體等相對柔軟之層，或者雙面黏著帶為無基材膠帶之情形時，即便於使用構件1時氣體處理劑膨脹之情形時，亦能夠更確實地維持與保護層4之接合。

基材2之厚度例如為0.005～5 mm。基材2之厚度亦可為0.01～1 mm，進而0.05～0.5 mm。於基材2之厚度處於該等範圍之情形時，能夠保持作為氣體處理用構件1所期望之強度、剛性等，並且減小構件1之厚度。藉由構件1之厚度之減小，對例如內部之容積受到限定之小型化之電子設備等的安裝變得容易。又，於基材2之厚度處於該等範圍之情形時，能夠確保構件1之安裝性。

氣體處理劑例如為將透過保護層4之氣體(典型為空氣)中所包含之物質吸收之吸收劑、及/或將物質釋放至該氣體中之釋放劑。物質之吸收可為化學吸收，亦可為物理吸收。氣體處理劑亦可具有吸收氣體中所包含之物質之功能、及於特定之條件下將吸收之物質再次釋放至氣體中之功能。氣體處理劑例如為吸收氣體中所包含之水分(水蒸氣)之吸濕劑；吸收氣體中所包含之水分，並於特定之條件下將吸收之水分再次釋放之吸脫濕劑；吸收氣體中所包含之臭氣物質之除臭劑；吸收氣體中所包含之酸、鹼、腐蝕性氣體等之吸著劑。氣體處理層3亦可包含吸濕劑或吸脫濕劑。但，氣體處理劑並不限定於上述例。

氣體處理劑可具有與氣體之處理相關之單一之功能，亦可具有與氣體之處理相關之複數種功能。例如，氣體處理劑亦可具有吸脫濕功能及除臭功能。

氣體處理層3可包含單一之氣體處理劑，亦可包含2種以上之氣體處理劑。又，氣體處理層3可具有單層構造，亦可具有2層以上之層之積層構造。於包含2種以上之氣體處理劑之氣體處理層3中，各材料可具有與氣體之處理相關之不同之功能。於具有2層以上之層之積層構造之氣體處理層3中，各層可具有與氣體之處理相關之不同之功能。只要能夠獲得本發明之效果，則氣體處理層3亦可包含任意之層及/或材料。

吸濕劑或吸脫濕劑即氣體處理劑例如為矽膠、沸石、黏土、生石灰、及氯化鈣、碳酸鈣、氯化鎂等金屬化合物之類的無機吸濕(吸脫濕)劑；及具有吸脫濕性之丙烯酸纖維、藉由接枝聚合導入有親水性基(羧基、磺酸基、四級銨基、或該等之鹽等)之聚烯烴或聚酯等有機高分子之纖維等有機吸濕(吸脫濕)劑。作為構成吸濕層或吸脫濕層即氣體處理層3之材料，並不限於上述例，可採用公知之吸濕劑及/或吸脫濕劑。除臭劑例如為矽膠、活性碳、沸石等。作為構成除臭層即氣體處理層3之材料，並不限於上述例，可採用公知之除臭劑。該等材料亦可含浸於不織布或者混練於黏合劑中使用。

吸脫濕劑即氣體處理劑亦可包含具有吸脫濕性之丙烯酸纖維。具有吸脫濕性之丙烯酸纖維係單位重量之飽和吸濕量較高，吸濕性能優異。又，僅置於乾燥氣體氛圍，便容易且有效率地進行脫濕。因此，於氣體處理劑包含具有吸脫濕性之丙烯酸纖維之情形時，獲得被小型化並且呈現較高吸脫濕性能之氣體處理用構件1。丙烯酸纖維係由具有(甲基)丙烯酸酯單元作為結構單元之丙烯酸系樹脂構成之纖維。作為具有吸脫濕性之丙烯酸纖維，已知有交聯聚丙烯酸鈉鹽系纖維等聚丙烯酸酯系纖維、表面進行水解處理所得之丙烯酸纖維等各種纖維。包含具有吸脫濕性之丙烯酸纖維之氣體處理劑(例如氣體處理層3)可包含織布、不織布等該纖維之加工層，亦可由織布、不織布等該纖維之加工層構成。

氣體處理劑亦可為藉由吸收經由保護層4自外部透過配置有氣體處理劑之空間之物質而膨脹之處理劑。於氣體處理用構件1中，如上所述，將保護層4與基材2接合時之氣體處理劑之位置偏移、或使用中之氣體處理劑之位置偏移得到抑制。由於能夠抑制氣體處理劑相對於基材2之位置偏移，故而即便於使保護層4與基材2之接合部之寬度變小之情形時，亦容易確保接合部11之可靠性。因此，於氣體處理劑為上述膨脹之處理劑，且因物質之吸收而膨脹之情形時，保護層4與基材2之接合之維持亦更為確實。因此，於構件1中，可進行小型化，並且採用上述膨脹之氣體處理劑。上述膨脹之氣體處理劑例如包含具有吸脫濕性之丙烯酸纖維。

保護層4為具有透氣性之層。保護層4之透氣性只要為氣體處理劑進行處理之物質能夠自外部透過配置有氣體處理劑之上述空間之程度以上即可。再者，藉由保護層4之透氣性，例如能夠抑制氣體處理用構件1中之物質之處理速度。

構成保護層4之材料例如為PE及PP等聚烯烴；PET等聚酯；聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏二氟乙烯(PVdF)、聚醯胺。

保護層4之形態並無限定，例如為透氣性膜、織布、不織布、網紗、多孔質膜。保護層4之平均孔徑或網眼較佳為小於氣體處理劑之平均粒徑、平均纖維徑等。於該情形時，能夠抑制來源於氣體處理劑之粉末、粒子、粉塵、微細纖維等對安裝有氣體處理用構件1之空間之飛散。

保護層4之平均孔徑或網眼例如亦可為1 mm以下，0.01 mm以下，進而0.001 mm以下。保護層4之平均孔徑或網眼之下限例如為0.001 μm以上。

保護層4亦可包含將含有PTFE粒子之膏狀擠出物或流延膜延伸及煅燒而形成之多孔質膜(PTFE多孔質膜)。保護層4可為包含PTFE多孔質膜之層，亦可具有PTFE多孔質膜與其他透氣性層之積層構造。其他透氣性層亦可為透氣性膜、織布、不織布、網紗、多孔質膜等。

包含PTFE多孔質膜之保護層4具有較高之透氣性，並且防止氣體以外之物質之透過之性能較高。因此，例如能夠抑制來源於氣體處理劑之粉末、粒子、粉塵、微細纖維等對安裝氣體處理用構件1之空間之飛散。又，例如，於因吸濕而於氣體處理劑之表面產生水層之情形時，亦能夠抑制水滴向安裝有構件1之空間之飛散。進而，PTFE多孔質膜與不織布等相比，構成自身之材料之飛散性(發塵性)非常低。因此，可藉由以PTFE多孔質膜面向安裝有構件1之空間之方式，將保護層4接合於基材2，而抑制構成保護層4之材料向該空間飛散。再者，於具有吸脫濕性之丙烯酸纖維中，因吸濕而於表面產生水層。因此，於氣體處理劑包含具有吸脫濕性之丙烯酸纖維之情形時，保護層4較佳為包含PTFE多孔質膜。

保護層4較佳為伸長特性優異。具體而言，保護層4亦可為對於至少1個面內方向上所施加之5 N/10 mm之拉伸應力，於該方向上呈現5%以上之拉伸伸長率的層。上述拉伸伸長率亦可為6%以上，20%以上，進而100%以上。呈現上述範圍之拉伸伸長率之保護層4係伸長特性優異，較為柔軟。因此，於氣體處理劑為上述膨脹之處理劑之情形時，亦能夠藉由自身可結合氣體處理劑之膨脹進行伸展，而更確實地確保保護層4與基材2之接合部11之可靠性。又，能夠抑制可能因氣體處理劑之膨脹受到限制而產生之處理層3之性能下降。包含PTFE多孔質膜之保護層4、尤其由PTFE多孔質膜所構成之保護層4能夠呈現上述範圍之拉伸伸長率。

保護層4亦可進行撥液處理。於該情形時，例如於因吸濕而於氣體處理劑之表面產生水層之情形時，亦能夠更確實地抑制水滴向安裝構件1之空間之飛散。撥液處理可基於公知之方法實施。

保護層4之透氣性(厚度方向之透氣性)設為依據日本工業標準(JIS)L1096中規定之透氣性測定B法(Gurley形法)測定所得之透氣度(Gurley透氣度)，例如為500秒/100 mL以下，亦可為50秒/100 mL以下，進而1秒/100 mL以下。再者，於保護層4之尺寸未滿上述Gurley形法中之試片之尺寸(約50 mm×50 mm)之情形時，藉由測定治具之使用亦可實現上述Gurley透氣度之評價。測定治具之一例係將貫通孔(具有直徑1 mm或2 mm之圓形之剖面)設置於中央之厚度2 mm、直徑47 mm之聚碳酸酯製圓板。使用該測定治具之Gurley透氣度之測定可如以下般實施。

以覆蓋貫通孔之開口之方式，將作為評價對象之保護層固定於測定治具之一面。固定係以如下方式進行，即，Gurley透氣度之測定中，空氣僅通過開口及作為評價對象之保護層之有效試驗部(自與固定之保護層之主面垂直之方向觀察時與開口重複之部分)，且固定部分不阻礙保護層之有效試驗部中之空氣之通過。對於保護層之固定，可利用於中心部沖裁具有與開口之形狀一致之形狀之透氣口的雙面黏著帶。雙面黏著帶只要以透氣口之周與開口之周一致的方式配置於測定治具與保護層之間即可。繼而，將固定有保護層之測定治具以保護層之固定面成為測定時之空氣流之下游側的方式設置於Gurley形透氣性試驗機，測定Gurley透氣度。繼而，可藉由式t＝{(測定値)×(保護層之有效試驗部之面積[mm² ])/642[mm² ]}將測定之Gurley透氣度換算為JIS L1096之透氣性測定B法(Gurley形法)所規定之單位有效面積642[mm² ]之值t，並將所獲得之換算值t設為保護層之Gurley透氣度。

保護層4之構成只要具有透氣性，則並不限定於上述例。

氣體處理用構件1只要獲得本發明之效果，則可具備上述以外之任意之層、及/或構件。

氣體處理用構件1例如可將氣體處理劑(例如氣體處理層3)配置於雙面黏著帶即基材2之上，以覆蓋氣體處理劑之方式配置保護層4，並以接合部11包圍氣體處理劑之方式將保護層4接合於基材2之黏著劑層而形成。

關於作為氣體處理劑之一種之吸濕劑及吸脫濕劑，可藉由吸濕率對其吸濕性能進行評價。吸濕率可藉由將乾燥之吸濕劑或吸脫濕劑置於濕潤氣體氛圍特定之時間時吸濕劑或吸脫濕劑吸收之氣體中之水分的量來評價。具體而言，吸濕率可藉由以下之式自放置於設定溫度80℃以上之乾燥機內1小時以上而乾燥之吸濕劑或吸脫濕劑之重量(乾燥時重量)W1(g)、及將乾燥後之吸濕劑或吸脫濕劑放置於35℃、90%RH之濕潤氣體氛圍6小時後之重量(吸濕時重量)W2(g)來求出。
式：吸濕率(%)＝(W2－W1)/W1×100

吸濕劑及吸脫濕劑之吸濕率例如為80%以上，亦可為85%以上，90%以上，進而95%以上。

氣體處理用構件1例如能夠以配置於單片狀之基底膜上之形態、配置於帶狀之基底膜上且捲繞於輥或卷軸之形態供給。氣體處理用構件1之對基底膜之配置中，可利用基材2之黏著劑層。亦可於基底膜中之配置氣體處理用構件1之面形成使該構件1自基底膜之剝離變得容易之剝離層。基底膜中例如可使用高分子膜、紙、金屬膜、及該等複合膜等。將基底膜上配置有構件1之狀態之一例示於圖2。圖2所示之例係介隔基材2之黏著劑層將構件1配置於基底膜21上。

氣體處理用構件1可安裝於任意之空間。氣體處理用構件1例如可安裝於電子設備、光學設備等各種設備之內部使用。光學設備亦可為不具有電子電路者、即並非為電子設備者。於電子設備中包含精密設備、電子零件等。構件1例如可對位於該等設備之殼體之內部之表面，作為更具體之例，對殼體之內面及/或收容於殼體之內部之各種構成構件之表面進行安裝。構件1之安裝中，可利用基材2之黏著劑層(與配置有氣體處理劑之側之面為相反側之面的黏著劑層)。該等設備之具體例為相機、鏡頭等攝像設備、車載用雷達等感測設備、相機、鏡頭、透鏡蓋等光學設備、光感測器等光學電子零件。但，可安裝氣體處理用構件1之設備並不限定於上述例。於安裝吸濕構件或吸脫濕構件即氣體處理用構件1之情形時，例如能夠抑制安裝之空間、及/或面向該空間之表面中之冷凝之產生。

氣體處理用構件1較佳為安裝於殼體之內部中之應防止冷凝之部位。應防止冷凝之部位例如為具有將光折射、反射、或者使光透過等之光學功能之光學構件，尤其該光學構件之表面。光學構件及其表面上之冷凝存在損及具備光學構件之設備之功能及/或性能之情況。光學構件之例為透鏡、稜鏡等折射構件、反射鏡、半反射鏡等反射構件、光學濾光器、透光窗、透光性保護膜等透射構件、導光片等導光構件、相位差膜、光干涉片等干涉構件、發光二極體(LED)、液晶元件及顯示器(LCD)、有機電致發光(OEL)元件及顯示器(OLED)等發光構件。但，光學構件並不限定於上述例。又，構件1於光學構件及其表面之安裝存在損及光學構件之功能及/或性能之情況。於此種情形時，亦可將構件1安裝於殼體之內部中之應防止冷凝之部位的附近。換言之，構件1亦可安裝於殼體之內部中之應防止冷凝之部位或該部位的附近。再者，於本說明書中，所謂「附近」係指相對於成為對象之部位，位於例如10 mm以下，較佳為5 mm以下，更佳為1 mm以下之間隔之位置。間隔亦可為0(零) mm。

應防止冷凝之部位可為電路基板等電子零件，亦可為殼體之內部中之可能產生冷凝之部分(被冷凝部)。被冷凝部典型而言，係於殼體中因外界氣溫之變動所產生之溫度變化較大，且所面向之空間之相對濕度容易上升之部分。被冷凝部之具體例為鏡頭之鏡筒之內面、殼體之薄壁部、及於殼體中包含金屬之部位。為被冷凝部例如可作為實施使放置於保持為特定之溫度及相對濕度(例如25℃及60%RH)之第1氣體氛圍特定之時間(例如6小時)以上之設備移動至溫度更低之第2氣體氛圍(例如-15℃)之試驗時產生冷凝的部分而確認。於該試驗中，為了藉由防止向第2氣體氛圍移動時殼體之內部之水蒸氣向外部擴散，而使冷凝更確實地產生以便確認上述部分，亦可於向第2氣體氛圍移動時將殼體設為密閉狀態。

[設備]
將本發明之設備之一例示於圖4。於圖4中，示出作為電子設備及光學設備之一種之相機31。相機31具備機身32及鏡頭33。於機身32之殼體43之內部收容有攝像元件35、電路基板36、外部顯示器37、及電子取景器38。又，於殼體43設置有將透過鏡頭33之光45向攝像元件35導入之開口34、及將來自電子取景器38之光46向外部導入之取景器窗39。於殼體43中，收容可傾斜之外部顯示器37之部分成為與其他部分相比厚度被削減之薄壁部。於鏡頭33之殼體44固定有透鏡40、41、42。於相機31之內部，更具體而言於相機31(機身32及/或鏡頭33)之殼體之內部收容有選自氣體處理用構件1A～1I之至少1個。該至少1個氣體處理用構件為本發明之氣體處理用構件1，典型而言，藉由該構件所具備之基材2之黏著劑層(雙面黏著帶中之與配置有氣體處理劑之側之面為相反側之面的黏著劑層)對殼體43及/或位於殼體44之內部之表面進行安裝。相機31中之安裝有氣體處理用構件1之位置係殼體43及/或殼體44之內部中之應防止冷凝之部位或其附近。具體而言，上述位置為透鏡40中之殼體44側之面之附近、透鏡42中之殼體44側之面之附近、攝像元件35之附近、電路基板36之附近、殼體43之薄壁部之表面、取景器窗39中之殼體43側之面之附近。

本發明之設備並不限定於圖4所示之例。本發明之設備及該設備中之應防止冷凝之部位之例如上所述。
[實施例]

以下，利用實施例更具體地對本發明進行說明。本發明並不限定於以下所示之實施例。

最初，示出於本實施例中製作之氣體處理用構件(吸脫濕構件)之評價方法。

[吸濕率]
藉由該構件配備於內部之吸脫濕層之吸濕率對製作之吸脫濕構件之吸濕性能進行評價。評價方法如下。

最初，將組入至吸脫濕構件之吸脫濕層放置於乾燥機(設定溫度80℃以上)內1小時以上而使其乾燥，並對乾燥時重量W1(g)進行測定。繼而，使用該吸脫濕層製作吸脫濕構件，將製作之吸脫濕構件放置於上述乾燥機內1小時以上而使其乾燥，並對該構件之乾燥時重量W3(g)進行測定。繼而，將乾燥後之吸脫濕構件放置於35℃、90%RH之濕潤氣體氛圍6小時而使其吸收空氣中之水分，並對該構件之吸濕時重量W4(g)進行測定。藉由以下之式自測定之W1、W3及W4求出吸脫濕層之吸濕率。
式：吸濕率(%)＝(W4－W3)/W1×100

[吸濕時之接合部之剝離之有無]
於將製作之吸脫濕構件放置於35℃、90%RH之濕潤氣體氛圍6小時而使其吸收空氣中之水分之後，藉由目測確認是否不存在接合部中之保護層自基材之剝離。

[對於拉伸應力之拉伸伸長率]
對於用於吸脫濕構件之製作之保護層，藉由拉伸試驗測定對於5 N/10 mm之拉伸應力之拉伸伸長率。拉伸試驗係使用島津製作所製自動立體測圖儀AG-1，於夾頭間距離20 mm、拉伸速度200 mm/分鐘、及試驗溫度25℃之條件下實施。樣品形狀設為寬度10 mm、長度100 mm之短條狀。試驗係將保護層所包含之PTFE多孔質膜之MD方向或TD方向作為拉伸方向(上述樣品之長度方向)，對所有方向實施。

(實施例1)
準備具有10 mm×10 mm之尺寸之正方形之雙面黏著帶(日東電工製、No.5000NS、厚度160 μm)作為基材。又，準備具有10 mm×10 mm之尺寸之正方形之保護層(厚度120 μm)。準備之保護層具有由PTFE多孔質膜(厚度10 μm)與具有PET/PE之芯鞘結構之複合纖維之不織布(單位面積重量30 g/m² )之利用熱層壓所得的積層構造。保護層之透氣性由Gurley透氣度表示為0.2秒/100 mL。保護層之對於5 N/10 mm之拉伸應力之拉伸伸長率於MD方向上為2.0%，於TD方向上為4.8%。

準備吸脫濕層，該吸脫濕層係具有5 mm×5 mm之尺寸之正方形，且包含聚丙烯酸酯系纖維之不織布(單位面積重量378 g/m² 、40～60%RH下之厚度0.8 mm)。再者，該吸脫濕層係以製作吸脫濕構件之一般之濕度氣體氛圍即40～60%RH下之吸濕狀態(吸濕率30～50%左右之吸濕狀態)時的厚度為基準，吸濕率100%時呈現30～40%左右之厚度之增加。另一方面，長度方向及寬度方向之大小即便因上述吸濕率之變動，基本上亦不產生變化。

繼而，將吸脫濕層配置於基材之黏著劑層上。吸脫濕層係以使基材之中心與吸脫濕層之中心對齊，並且基材之邊與吸脫濕層之邊相互平行的方式配置(參照圖3)。繼而，以覆蓋吸脫濕層之方式配置保護層，且於保護層之外周緣部將基材之黏著劑層與保護層接合，製作吸脫濕構件。保護層係以基材之外周與保護層之外周一致之方式配置。基材與保護層之接合部22之寬度L1設為1.5 mm。吸脫濕層之端部24與基材及保護層之端部23之距離L2為2.5 mm。對於製作而成之吸脫濕構件，吸濕率為98%，未觀察到吸濕時之接合部之剝離。

(實施例2)
將基材及保護層之尺寸變更為7 mm×7 mm，並且將保護層變更為單層之PTFE多孔質膜(厚度80 μm、Gurley透氣度1.0秒/100 mL)，除此以外，可與實施例1同樣地製作吸脫濕構件。保護層之對於5 N/10 mm之拉伸應力之拉伸伸長率於PTFE多孔質膜之MD方向上為17.3%，於TD方向上為25.0%以上。基材與保護層之接合部22之寬度L1設為0.8 mm。吸脫濕層之端部24與基材及保護層之端部23之距離L2為1.0 mm。關於製作之吸脫濕構件，吸濕率為95%，未觀察到吸濕時之接合部之剝離。

(實施例3)
將保護層變更為另一單層之PTFE多孔質膜(厚度80 μm、Gurley透氣度3.0秒/100 mL)，除此以外，可與實施例2同樣地製作吸脫濕構件。保護層之對於5 N/10 mm之拉伸應力之拉伸伸長率於PTFE多孔質膜之MD方向上為7.5%，於TD方向上為25.0%以上。關於製作之吸脫濕構件，吸濕率為96%，未觀察到吸濕時之接合部之剝離。

(實施例4)
將基材及保護層之尺寸及形狀變更為6 mm×22 mm之長方形，將吸脫濕層之尺寸及形狀變更為4 mm×20 mm之長方形，並且將保護層變更為單層之PTFE多孔質膜(厚度80 μm、Gurley透氣度1.0秒/100 mL)，除此以外，可與實施例1同樣地製作吸脫濕構件。保護層之對於5 N/10 mm之拉伸應力之拉伸伸長率於PTFE多孔質膜之MD方向上為17.3%，於TD方向上為25.0%以上。基材與保護層之接合部22之寬度L1設為0.8 mm。吸脫濕層之端部24與基材及保護層之端部23之距離L2為1.0 mm。關於製作之吸脫濕構件，吸濕率為95%，未觀察到吸濕時之接合部之剝離。吸脫濕構件製作2個。

繼而，準備內容積50 mL之有底圓筒狀之玻璃容器(玻璃製樣品瓶、直徑約32 mm、高度約65 mm)，藉由貼附隔熱膜而將該容器之側面隔熱。對隔熱膜使用雙面黏著帶(日東電工製No.57115B、厚度0.15 mm、基材層為PE發泡體)與PET膜(東麗製Lumirror、厚度100 μm)之積層品，且使用雙面黏著帶之黏著劑層將上述隔熱膜貼附於容器之整個側面(外側面)。再者，對於該容器之底面，不實施隔熱膜之貼附。繼而，對上述容器內之底面附近之側面(內側面)以各者之一長邊成為與上述底面隔開約0.2 mm之位置，且各者之長邊方向成為容器之圓周方向之方式，又，以相互不重複之方式安裝上述製作之2個吸脫濕構件。對於安裝，使用基材之黏著劑層。繼而，將容器以不關閉蓋(PE製)之狀態放置於25℃及60%RH之環境下6小時以上，之後，將蓋關閉並立即使容器移動至-15℃之環境。於自移動起經過5分鐘之時點藉由目測確認是否於容器之底面產生冷凝，結果未產生冷凝。

(參考例)
對上述容器內之開口附近之側面(內側面)以各者之一長邊成為與上述開口隔開約0.2 mm之位置，且各者之長邊方向成為容器之圓周方向之方式，又，以相互不重複之方式安裝上述製作之2個吸脫濕構件。對於安裝，使用基材之黏著劑層。繼而，將容器以不關閉蓋(PE製)之狀態放置於25℃及60%RH之環境下6小時以上，之後，將蓋關閉並立即使容器移動至-15℃之環境。於自移動起經過5分鐘之時點藉由目測確認是否於容器之底面產生冷凝，結果於底面產生冷凝。

本發明只要不脫離其意圖及本質上之特徵，則可應用於其他實施形態。本說明書中所揭示之實施形態於所有方面為說明性者，並不限定於此。本發明之範圍係由添附之申請專利範圍來表示，而非上述說明，與申請專利範圍均等之含義及處於範圍內之所有變更包含於其中。
[產業上之可利用性]

本發明之氣體處理用構件例如安裝於電子設備、精密設備、電子零件等之內部，可用於該內部之空間之氣體處理。

1‧‧‧氣體處理用構件

1A‧‧‧氣體處理用構件

1B‧‧‧氣體處理用構件

1C‧‧‧氣體處理用構件

1D‧‧‧氣體處理用構件

1E‧‧‧氣體處理用構件

1F‧‧‧氣體處理用構件

1G‧‧‧氣體處理用構件

1H‧‧‧氣體處理用構件

1I‧‧‧氣體處理用構件

2‧‧‧基材

3‧‧‧氣體處理層

4‧‧‧保護層

11‧‧‧接合部

21‧‧‧基底膜

22‧‧‧接合部

23‧‧‧端部

24‧‧‧端部

31‧‧‧相機

32‧‧‧機身

33‧‧‧鏡頭

34‧‧‧開口

35‧‧‧攝像元件

36‧‧‧電路基板

37‧‧‧外部顯示器

38‧‧‧電子取景器

39‧‧‧取景器窗

40‧‧‧透鏡

41‧‧‧透鏡

42‧‧‧透鏡

43‧‧‧殼體

44‧‧‧殼體

45‧‧‧光

46‧‧‧光

101‧‧‧支持材

102‧‧‧氟樹脂膜

103‧‧‧處理劑

L1‧‧‧寬度

L2‧‧‧距離

圖1A係模式性地表示本發明之氣體處理用構件之一例之剖視圖。

圖1B係自保護層之側觀察圖1A所示之氣體處理用構件所得之俯視圖。

圖2係模式性地表示本發明之氣體處理用構件之另一例之剖視圖。

圖3係用以說明實施例中製作之吸脫濕構件之圖。

圖4係模式性地表示本發明之設備之一例之剖視圖。

圖5係模式性地表示先前之氣體處理用構件之一例之剖視圖。

Claims

一種氣體處理用構件，其具備：由雙面黏著帶構成之基材、配置於上述基材上之氣體處理劑、及以覆蓋上述氣體處理劑之方式配置於上述基材上之具有透氣性之保護層，且上述保護層具有接合於上述雙面黏著帶之黏著劑層之接合部，上述氣體處理劑配置於由上述接合部包圍而成之區域中之上述雙面黏著帶之上述黏著劑層與上述保護層之間的空間。
如請求項1之氣體處理用構件，其中上述氣體處理劑包含吸濕劑及/或吸脫濕劑。
如請求項2之氣體處理用構件，其中上述吸脫濕劑包含具有吸脫濕性之丙烯酸纖維。
如請求項1至3中任一項之氣體處理用構件，其中上述氣體處理劑因吸收自外部經由上述保護層透過上述空間之物質而膨脹。
如請求項1至4中任一項之氣體處理用構件，其中上述保護層包含聚四氟乙烯(PTFE)多孔質膜。
如請求項1至5中任一項之氣體處理用構件，其中上述保護層對於至少1個面內方向上所施加之5 N/10 mm之拉伸應力，於該方向上呈現5%以上之拉伸伸長率。
一種設備，其具備殼體，且將如請求項1至6中任一項之氣體處理用構件收容於上述殼體之內部。
如請求項7之設備，其中藉由上述雙面黏著帶中之與配置有上述氣體處理劑之側之面為相反側之面的黏著劑層，對於位於上述殼體之內部之表面安裝上述氣體處理用構件。
如請求項7或8之設備，其中將上述氣體處理用構件安裝於上述殼體之內部中之應防止冷凝之部位或該部位之附近。
如請求項7至9中任一項之設備，其係電子設備或光學設備。