TW201923811A - 電子束之產生及測量 - Google Patents

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Abstract

一種平頂雷射束用於利用可包含一鹼金屬鹵化物之一光電陰極以產生一電子束。可使用一光學陣列來產生該平頂輪廓。該雷射束可被分成多個雷射束或小光束，該等雷射束或小光束之各者可具有該平頂輪廓。可使一螢光幕成像，以判定該電子束之空間電荷效應或電子能量。

Description

電子束之產生及測量
本發明係關於電子束之產生及測量。
半導體製造產業之發展對良率管理及特定言之計量及檢測系統之需求愈來愈大。關鍵尺寸繼續縮減，但產業需要縮減達成高良率、高值生產之時間。最小化從偵測一良率問題至解決該問題之總時間決定一半導體製造商之投資報酬率。
製造半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量製程來處理一半導體晶圓以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。例如，微影係涉及將一圖案自一倍縮光罩轉印至配置於一半導體晶圓上之一光阻劑的一半導體製程。半導體製程之額外實例包含但不限於化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。可在一單一半導體晶圓上之一配置中製造多個半導體裝置，且接著將其等分離成個別半導體裝置。
在半導體製造期間之各個步驟使用檢測程序偵測晶圓上之缺陷以促進製程中之較高良率且因此較高利潤。檢測始終為製造半導體裝置(諸如積體電路(IC))之一重要部分。然而，隨著半導體裝置尺寸之減小，檢測對於成功地製造可接受半導體裝置變得甚至更為重要，此係因為較小缺陷可引起裝置發生故障。例如，隨著半導體裝置尺寸之減小，對大小減小的缺陷之偵測已成為必要，此係因為甚至相對較小缺陷仍可引起半導體裝置中之不想要的像差。
在半導體製造期間，電子束通常用於檢測及其他目的。通常測量一電子束之發射度，尤其是對於加速器及微影應用。電子束發射度可用於判定電子束之亮度。大多數發射度實施方案使光點在距一電子束源不同距離處成像。例如，光點可在距電子束源一距離之範圍內成像，該距離在幾毫米至超過1 cm之範圍內。一些此等實施方案切割電子束並使其通過一狹縫或一胡椒罐而在一距離處成像。此等實施方案之其他者基於電子束之聚焦影像來推斷發射度。
此等先前發射度測量技術係基於使光點尺寸在一距離處成像。此可包含使電子束在長距離之間成像，此可引起問題或需要複雜的電子束光學件。使用此等長距離通常遇到像差及解析度困難。
因此，需要改良系統及方法來產生及測量電子束。
在一第一實施例中，提供一種系統。該系統包含產生一雷射束之一雷射源、該雷射束之一路徑中之一光電陰極、及安置於該雷射源與該光電陰極之間之該雷射束之該路徑中之一光學陣列。用該雷射束照明時該光電陰極產生一電子束。該光學陣列經組態以將一平頂輪廓提供至該雷射束。
該雷射源可提供泛光照明。該光電陰極可包含一鹼金屬鹵化物。
該雷射束可具有於該光電陰極之一表面上方之一均勻分佈。
在一例項中，該系統進一步包含與該光電陰極流體連通之一真空腔室、安置於該真空腔室中距該光電陰極之一表面達一非零距離之該電子束之一路徑中之一螢光幕、及經組態以使該螢光幕成像之一攝影機。該螢光幕包含螢光粉。該攝影機可經安置於該真空腔室之外部。
一晶圓檢測系統可包含該第一實施例之該系統。
在一第二實施例中，提供一種系統。該系統包含產生一雷射束之一雷射源、經組態以將該雷射束分成複數個小光束之該雷射束之一路徑中之一光學陣列、及該等小光束之一路徑中之一光電陰極。該等小光束之各者經組態以具有一平頂輪廓。該光電陰極產生用該小光束照明時之一電子束。
該雷射源可提供泛光照明。該光電陰極可包含一鹼金屬鹵化物。
該等小光束可具有於該光電陰極之一表面上方之一均勻分佈。
在一例項中，該系統進一步包含與該光電陰極流體連通之一真空腔室、安置於該真空腔室中距該光電陰極之一表面達一非零距離之該電子束之一路徑中之一螢光幕、及經組態以使該螢光幕成像之一攝影機。該螢光幕包含螢光粉。該攝影機可經安置於該真空腔室之外部。
一晶圓檢測系統可包含該第二實施例之該系統。
在一第三實施例中，提供一種方法。該方法包含將一雷射束導引於一光電陰極處。該光電陰極可包含一鹼金屬鹵化物。使用該雷射束之一路徑中之一光學陣列來將該雷射束轉換成具有一平頂輪廓。當具有平頂輪廓之該雷射束照明該光電陰極時產生一電子束。
可用一雷射源產生雷射束。
在一例項中，使用該光學陣列來將該雷射束分成複數個雷射束。該等雷射束之各者可具有該平頂輪廓。
在一例項中，該電子束被導引於一螢光幕處。使用一攝影機來使該螢光幕成像。
在一例項中，該電子束被導引於一半導體晶圓處。偵測自該半導體晶圓之一表面返回之電子。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張於2017年10月10日申請且讓渡之美國申請案第62/570,438號之臨時專利申請案之優先權，該案之揭示內容特此以引用的方式併入。
儘管將依據特定實施例描述所主張之標的，然其他實施例(包含未提供本文中闡述之全部優點及特徵之實施例)亦在本發明之範疇內。可在不脫離本發明之範疇之情況下進行各種結構、邏輯、程序步驟及電子改變。因此，本發明之範疇僅參考隨附發明申請專利範圍定義。
本文中揭示之系統及方法實施例可用於測量提取場處之橫向電子能量，其中通常發生最顯著橫向能量擴展效應。測量可包含空間電荷效應。接近陰極表面之附近提取場可用於最大化電子束發射度測量之解析度。
圖1係一系統100之一方塊圖。系統100包含一電子束源101及一真空腔室105。電子束源101可在真空腔室105中，或可與真空腔室105流體連通。
電子源101包含一陰極102及一提取器103。陰極102可為一熱場發射器、一冷場發射器或一光電陰極。陰極102亦可為一攝影機或微通道板之部分。
電子源101產生至少一個電子束104。電子束104可具有特定電子束性質(諸如電子電流密度、角度電流密度、能量擴展或束能量(KeV))。
一螢光幕106經安置於真空腔室105中、在電子束104之一路徑中。螢光幕106經定位於距陰極102之一表面達一非零距離。例如，距離可為微米至毫米之等級。距離可接近發射器表面。此允許對發射之本質及外在因素成像。
螢光幕106可包含螢光粉。可使用低能量螢光。螢光粉末可具有自2至5微米之一平均尺寸。
一攝影機107經組態以使螢光幕106成像。攝影機107可經定位於真空腔室105之外部，或可經定位於真空腔室105上或中。微距透鏡108可經組態以搭配攝影機107操作。
在一例項中，攝影機107包含一電荷耦合裝置(CCD)。具有攝影機107之微距透鏡108可將螢光幕106之影像投影至具有一所欲空間解析度之一CCD。
攝影機107可與一處理器(未繪示)連接。處理器可經組態以基於來自攝影機107之影像來判定電子束104之電子能量或空間電荷效應。
一平移機構109可使真空腔室105中之螢光幕106相對於陰極102之表面移動。例如，可使用平移機構109使螢光幕106沿方向110移動，該平移機構109可包含一致動器。例如，距離110可在微米至毫米之等級。
螢光幕106亦可經安置於經組態以固持一晶圓之一置物台上。置物台可作為提供移動之一提取器或致動器。
一電壓源111可與螢光幕106電子通訊。螢光幕106可被偏壓。例如，偏壓可自幾百伏特至幾千伏特。偏壓可幫助區分不同發射度生長機制(諸如本質發射度、Childs-Langmuir篩濾或空間電荷)。
雖然僅繪示一個電子束104，但可使用一單一電子源101或多個電子源101來產生多個電子束104。螢光幕106可經安置於產生之電子束104之各者之路徑中。在另一實施例中，存在產生之電子束104之各者之一單一螢光幕106。
圖2係展示一方法200之一流程圖。在201處，用一電子束源產生至少一個電子束。在202處，電子束被導引於一螢光幕處。螢光幕經安置於距電子束源中之一陰極之一表面達一距離(z)。螢光幕可被偏壓。
使用一攝影機在203處使螢光幕成像。例如，可藉由真空腔室外部之一攝影機及微距透鏡而使螢光幕成像。所得影像可描述光點之擴展。
使用攝影機之螢光幕之影像可用於判定例如電子束之電子能量或空間電荷效應。一處理器可用於判定此等參數。例如，橫向電子能量可由影像之尺寸判定。在另一實例中，改變電子通量可幫助判定空間電荷效應。
所得影像之解析度可受攝影機或成像系統之其他組件影響。若在螢光幕中使用一螢光粉末，則螢光粉末之尺寸亦可影響所得影像之解析度。螢光粉末之晶粒尺寸可為可偵測之最小光點尺寸。
在成像期間，可改變至陰極之電壓(V)，同時螢光幕與陰極表面之間之距離被固定。一可變提取場可基於所得影像來判定橫向擴展。
在成像器件，可改變螢光幕及陰極表面之間之距離，同時至陰極之電壓被固定。改變距離可幫助測量一特定總電子能量之橫向能量擴展。
方法200可使用提取場及最終電子束能量係低的之一方案。當縱向速度低時，具有橫向能量Et 之一電子束立即在陰極表面之後之空間中將係多樣的。電子束x(t)基於以下方程式在橫向方向生長。
在上文方程式中，z係縱向方向，V係與電子能量相關之提取電壓，eV係電子伏特，及d係陰極與提取器之間之距離。
如圖6中所示，當電子束之縱向能量低時，歸因於橫向能量之電子束之光點尺寸發散最大。在圖6中，電子能量係1kV，提取電壓距離係1 mm，及橫向能量擴展係0.1 eV。
對於圖7中所示之相同參數，光點尺寸x(z)將增加。
方法200可藉由使束在距平面陰極表面達一短距離處成像而實施，其中光點尺寸中之改變係最大的。此可再現圖7並測量橫向能量擴展，且因此正規化發射度。
當電子恰在陰極之後時，系統100及方法200可使用光點尺寸之快速增加。解決發射度不需要長距離或精細聚焦方案。
系統100及方法200可用作具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓檢測系統中之一電子源、具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓再檢測系統、或具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓計量系統。系統100及方法200亦可用於使用具有單一或多個電子束之電子源以產生用於晶圓或倍縮光罩檢測、計量或再檢測之x射線之系統中。
在一實施例中，一照明方案用於提供一高亮度多個電子束源。雷射激發對低發射度、高亮度光電陰極有一影響。雷射激發可包含波長及束輪廓兩者。
最小化高亮度高能量電子脈衝之縱向及橫向能量擴展(發射度)之努力可在空間及時間兩者上使用平頂雷射脈衝。此可避免半高斯雷射束輪廓之空間電荷及穩定性問題。
可使用用於鹼金屬鹵化物光電陰極或包含其他材料之光電陰極之一泛光平頂照明方案，該等光電陰極可驅動一低發射度多柱連續波(CW)電子束系統。對於各個別小光束，通過穿過一光學陣列之泛光照明或藉由形成個別平頂雷射小光束施加一平頂束形狀雷射輪廓。一均勻照明(平頂)產生較少空間電荷，且每個單元面積可封包更多電流，從而在不損害發射度之情況下增加亮度。此亦可提供更長光電陰極壽命，更佳電子穩定性及更低電子束之雜訊，因為相同電子可自一更大有效區域提取，其中歸因於表面上之更佳輪廓功率而損壞陰極之可能性更小。
一平頂雷射束具有在大部分覆蓋區域上平坦之一強度輪廓。例如，跨覆蓋區域之振幅變化可自1%至5%。此與高斯束不同，其中高斯束之強度自束軸上之其最大值平滑地衰減至零。平頂雷射束可提供一恆定強度。
圖3係一系統300之一方塊圖。系統300包含產生一雷射束302之一雷射源301。雷射源301可提供泛光照明。可使用任何雷射源，且下游光學件可使輪廓平坦。
一光電陰極305經定位於雷射束302之一路徑中。光電陰極305可包含一鹼金屬鹵化物或其他材料，並可當由雷射束304照明時產生一電子束306。
一光學陣列303經安置於雷射源301與光電陰極305之間之雷射束302之路徑中。光學陣列303經組態以將一平頂輪廓提供至雷射束302，此可導致具有平頂輪廓之雷射束304。光學陣列303可操作為一遮罩。
具有平頂輪廓之雷射束304可具有於光電陰極305之一表面上方之一均勻分佈。
雷射束302可被分成多個雷射束(例如，小光束)。各小光束可具有一平頂輪廓。雷射束302可在光學陣列303與光電陰極305之間分裂。在光學陣列303可需要多個光學陣列303之前分裂雷射束302。
圖4係一系統400之一方塊圖。系統300包含產生一雷射束302之一雷射源301。雷射源301可提供泛光照明。
光學陣列401經放置於雷射束302之一路徑中。光學陣列401將雷射束302分成小光束402。小光束402之各者經組態以具有一平頂輪廓。
光學陣列303或光學陣列401可包含非球面透鏡或繞射光學件。非球面透鏡可提供束平坦度(具有低殘留漣波)及一高功率效率。在一例項中，光學陣列303或光學陣列401包含繞射光學元件(DOE)。
一光電陰極305經定位於雷射束402之一路徑中。光電陰極305包含一鹼金屬鹵化物或其他材料，並可當由小光束402照明時產生電子束306。
具有平頂輪廓之小光束402可具有於光電陰極305之一表面上方之一均勻分佈。
系統300或系統400可搭配系統100使用。
圖5係展示一方法500之一流程圖。在501處，一雷射束被導引於一光電陰極處。光電陰極可包含一鹼金屬鹵化物或其他材料。雷射束可用一雷射源產生。在502處，雷射束被轉換成具有一平頂輪廓。例如，一高斯輪廓可被轉換成一平頂輪廓。在503處，當具有平頂輪廓之雷射束照明光電陰極時產生一電子束。
可使用雷射束之一路徑中之一光學陣列來將雷射束轉換成具有一平頂輪廓。
方法500可包含多個雷射束(即，小光束)。因此，方法500可包含使用光學陣列來將雷射束分成多個雷射束。雷射束之各者可具有一平頂輪廓。
在一例項中，電子束或束被導引於一螢光幕處，且使用一攝影機來使螢光幕成像。使用一處理器，可自螢光幕之影像判定電子束之電子能量或空間電荷效應。
此實施例之變體可用作具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓檢測系統中之一電子源、具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓再檢測系統、或具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓計量系統。此實施例之變體亦可用於使用具有單一或多個電子束之電子源以產生用於晶圓或倍縮光罩檢測、計量或再檢測之x射線之系統中。
在另一實施例中，可使用一偏壓基板來連續地測量或以其他方式監測發射之光電流，同時在用一特定相關波長之照明下生長光電陰極膜。偏壓基板可用於在用一相關波長之照明下在光電陰極之沈積期間監測誘發之光電流。此可實現厚度最佳化以最大限度地吸收特定波長並識別基板/光電陰極薄膜阱。先前技術在沈積期間不具有一連續光電流之監測方法，且不監測界面阱。可藉由針對一特定波長及熱負載來調整光電陰極之厚度而提供熱負載管理及壽命最佳化。可最佳化沈積參數以獲得最大量子效率(QE)。
在透射模式中之光電陰極之光照明下，可需要將光電陰極之所欲厚度調整至照明波長以獲得最大吸收及最大QE。每個光電陰極厚度吸收之功率量可由比爾-蘭伯特定律判定。在以上等式中，Pout 係離開材料而不被吸收之光功率，Pin 係光電陰極之輸入功率，a(λ)係光電陰極材料之吸收係數，其強烈地取決於波長，且x係光電陰極膜之厚度。
較長波長可需要較厚膜來吸收。例如，可見光及近紅外光可需要大約1微米。紫外及深紫外波長可經吸收於基板/光電陰極界面之數個奈米內。
在後一情況中，歸因於在基板/光電陰極界面附近啟動之阱而存在光產生之電子之損失，及歸因於在朝向發射表面行進期間光電陰極本體中之散射而存在電子之損失。此等兩種損失因素促成熱產生、縮減光電陰極壽命並減少量子效率。
藉由監測在生長期間發射之電流，可能最佳化用於一特定波長之厚度。此亦可最佳化陰極上之熱負載。可調整沈積參數以提供用於光電陰極沈積之一最佳化配方。當一收集之光電流處於一最大值處時，可停止生長。
當在沈積期間監測發射之電流時，通常不生長光電陰極薄膜。通常存在厚度監測方法(諸如石英晶體微量天平(QCM))，且沈積配方係由先前厚度最佳化評估判定。存在針對負電子親和性(NEA)光電陰極開發之當前監測技術需要用Cs、Cs/O或Cs/NF3 層罩蓋，但此等係在光電陰極表面上提供負電子親和性而不是光吸收機制之層。因此，此等技術不決定由光電陰極吸收之光子。
此實施例可包含用於塑形雷射束輪廓之光學件，其在光電陰極之一大面積上方具有一均勻分佈。此實施例亦可包含一遮罩，以將光輪廓至具有均勻分佈之個別小光束。
在光電陰極/基板之界面處之對於相關波長透明之一正偏壓金屬接點(諸如釕)可用於陰極以透射模式操作。
因此，此實施例可在沈積期間提供光電陰極之一QE效能監測器，且在沈積期間連續監測光電陰極之厚度及熱負載最佳化。電子束源可針對倍縮光罩及晶圓檢測系統或針對其他應用最佳化。例如，發射器可針對QE、熱控制及壽命最佳化，以用於特定應用中。此實施例之變體可用作具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓檢測系統中之一電子源，具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓再檢測系統，或具有單一或多個電子源之倍縮光罩及晶圓計量系統。此實施例之變體亦可用於使用具有單一或多個電子束之電子源以產生用於晶圓或倍縮光罩檢測、計量或再檢測之x射線之系統中。
圖8係一系統600之一實施例之一方塊圖。系統600包含經組態以產生一晶圓604之影像之一晶圓檢測系統(其包含電子柱601)。
晶圓檢測系統包含包含至少一能源及一偵測器之一輸出獲取子系統。輸出獲取子系統可為一基於電子束之輸出獲取子系統。例如，在一項實施例中，導引至晶圓604之能量包含電子，且自晶圓604偵測到的能量包含電子。以此方式，能源可為一電子束源。在圖8中展示之一項此實施例中，輸出獲取子系統包含電子柱601，該電子柱601耦合至電腦子系統602。一卡盤(未繪示)可固持晶圓604。
系統600可包含系統100或本文中揭示之其他實施例。
亦如圖8中所示，電子柱601包含經組態以產生電子之一電子束源603，該等電子由一或多個元件605聚焦至晶圓604。一或多個元件605可包含例如一槍透鏡、一陽極、一束限制孔隙、一閘閥、一束流選擇孔隙、一物鏡及一掃描子系統，其等所有可包含技術中已知之任何此等適合元件。電子束源及/或元件605可包含系統300或系統400之實施例。
自晶圓604返回之電子(例如，二次電子)可由一或多個元件606聚焦至偵測器607。一或多個元件606可包含例如一掃描子系統，其可為包含於(若干)元件605中之相同掃描子系統。
電子柱亦可包含此項技術中已知之任何其他適合元件(包含系統100)。
儘管圖8中所示之電子柱601經組態使得電子按一傾斜入射角導引至晶圓604且按另一傾斜角自晶圓604散射，然電子束可按任何適合角度導引至晶圓604且自晶圓604散射。另外，基於電子束之輸出獲取子系統可經組態以使用多個模式產生晶圓604之影像(例如，運用不同照明角度、收集角度等)。基於電子束之輸出獲取子系統之多個模式可在輸出獲取子系統之任何影像產生參數方面不同。
電腦子系統602可經耦合至偵測器607，使得電腦子系統602與偵測器607或晶圓檢測系統之其他組件電子通訊。偵測器607可偵測自晶圓604之表面返回之電子，藉此形成具有電腦子系統602之晶圓604之電子束影像。電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統602包含一處理器608及一電子資料儲存單元609。處理器608可包含一微處理器、一微控制器或其他裝置。
應注意本文中提供圖8以大體上繪示可用於本文中所描述之實施例中之一基於電子束之輸出獲取子系統之一組態。本文中所描述之基於電子束之輸出獲取子系統組態可經變更以最佳化輸出獲取子系統之效能，如在設計一商用輸出獲取系統時所通常執行。此外，本文中所描述之系統可使用一現有系統(例如，藉由將本文中所描述之功能性添加至一現有系統)實施。對於一些此等系統，本文中所描述之方法可提供為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)。或者，本文中所描述之系統可被設計為一全新系統。
電腦子系統602可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，其可包含有線及/或無線傳輸媒體)耦合至系統600或系統100(例如，攝影機107)之組件，使得處理器608可接收輸出。處理器608可經組態以使用輸出來執行若干功能。晶圓檢測系統可接收來自處理器608之指令或其他資訊。處理器608及/或電子資料儲存單元609視情況可與另一晶圓檢測系統、一晶圓計量工具或一晶圓再檢測工具(未繪示)電子通訊以接收額外資訊或發送指令。
本文中所描述之電腦子系統602、(若干)其他系統或(若干)其他子系統可為各種系統之部分，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路器具、網際網路器具或其他裝置。(若干)子系統或(若干)系統亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器，諸如一平行處理器。另外，(若干)子系統或(若干)系統可包含具有高速處理及軟體之一平台，其作為一獨立工具或一網路連接工具。
處理器608及電子資料儲存單元609可經安置或以其他方式於系統600或另一裝置之部分中。在一實例中，處理器608及電子資料儲存單元609可為一獨立控制單元之部分或在一集中式品質控制單元中。可使用多個處理器608或電子資料儲存單元609。
實際上，可藉由硬體、軟體及韌體之任何組合而實施處理器608。再者，如本文中描述之其之功能可由一個單元執行或在不同組件當中劃分，繼而可藉由硬體、軟體及韌體之任何組合實施各組件之功能。處理器608實施各種方法及功能之程式碼或指令可儲存於可讀儲存媒體(諸如電子資料儲存單元609中之一記憶體或其他記憶體)中。
圖8之系統600僅係可使用系統100之一系統之一項實例。系統100之實施例可為一缺陷再檢測系統、一檢測系統、一計量系統或一些其他類型之系統之部分。因此，本文中揭示之實施例描述可以若干方式定製以用於具有或多或少適用於不同應用之不同能力之系統之一些組態。
可如本文中描述般執行方法之步驟之各者。方法亦可包含可由本文中描述之處理器及/或(若干)電腦子系統或(若干)系統執行之任何其他(若干)步驟。該等步驟可由一或多個電腦系統執行，該一或多個電腦系統可根據本文中描述之實施例之任一者組態。另外，可藉由本文中描述之系統實施例之任一者來執行上文描述之方法。
儘管已關於一或多個特定實施例描述本發明，然將瞭解，可在不脫離本發明之範疇之情況下進行本發明之其他實施例。因此，本發明被視為僅受限於隨附發明申請專利範圍及其等之合理解釋。
100‧‧‧系統
101‧‧‧電子束源/電子源
102‧‧‧陰極
103‧‧‧提取器
104‧‧‧電子束
105‧‧‧真空腔室
106‧‧‧螢光幕
107‧‧‧攝影機
108‧‧‧微距透鏡
109‧‧‧平移機構
110‧‧‧方向/距離
111‧‧‧電壓源
200‧‧‧方法
300‧‧‧系統
301‧‧‧雷射源
302‧‧‧雷射束
303‧‧‧光學陣列
304‧‧‧雷射束
305‧‧‧光電陰極
306‧‧‧電子束
400‧‧‧系統
401‧‧‧光學陣列
402‧‧‧雷射束/小光束
500‧‧‧方法
600‧‧‧系統
601‧‧‧電子柱
602‧‧‧電腦子系統
603‧‧‧電子束源
604‧‧‧晶圓
605‧‧‧元件
606‧‧‧元件
607‧‧‧偵測器
608‧‧‧處理器
609‧‧‧電子資料儲存單元
為更全面理解本發明之性質及目的，應結合隨附圖式參考以下詳細描述，其中： 圖1係根據本發明之一系統實施例之一方塊圖； 圖2係展示根據本發明之一方法之一實施例之一流程圖； 圖3係根據本發明之另一系統實施例之一方塊圖； 圖4係根據本發明之另一系統實施例之一方塊圖； 圖5係展示根據本發明之一方法之另一實施例之一流程圖； 圖6係展示橫向光點尺寸依據一電子束之輸送距離而變化之一圖； 圖7係展示立即在陰極表面之後之光點尺寸半徑與輸送距離之一圖；及 圖8係根據本發明之一系統之一實施例之一方塊圖。

Claims (20)

  1. 一種系統，其包括： 一雷射源，其產生一雷射束； 一光電陰極，其在該雷射束之一路徑中，其中在用該雷射束照明時該光電陰極產生一電子束；及 一光學陣列，其經安置於該雷射源與該光電陰極之間之該雷射束之該路徑中，其中該光學陣列經組態以將一平頂輪廓提供至該雷射束。
  2. 如請求項1之系統，其中該雷射源提供泛光照明。
  3. 如請求項1之系統，其中該雷射束具有於該光電陰極之一表面上方之一均勻分佈。
  4. 如請求項1之系統，其進一步包括： 一真空腔室，其與該光電陰極流體連通； 一螢光幕，其經安置於該真空腔室中、在距該光電陰極之一表面達一非零距離之該電子束之一路徑中，其中該螢光幕包含螢光粉；及 一攝影機，其經組態以使該螢光幕成像。
  5. 如請求項4之系統，其中該攝影機經安置於該真空腔室之外部。
  6. 如請求項1之系統，其中該光電陰極包含一鹼金屬鹵化物。
  7. 一種包含如請求項1之系統之晶圓檢測系統。
  8. 一種系統，其包括： 一雷射源，其產生一雷射束； 一光學陣列，其在該雷射束之一路徑中，該雷射束經組態以將該雷射束分成複數個小光束，其中該等小光束之各者經組態以具有一平頂輪廓；及 一光電陰極，其在該等小光束之一路徑中，其中在用該等小光束照明時該光電陰極產生電子束。
  9. 如請求項8之系統，其中該雷射源提供泛光照明。
  10. 如請求項8之系統，其中該等小光束具有於該光電陰極之一表面上方之一均勻分佈。
  11. 如請求項8之系統，其中該光電陰極包含一鹼金屬鹵化物。
  12. 如請求項8之系統，其進一步包括： 一真空腔室，其與該光電陰極流體連通； 一螢光幕，其經安置於該真空腔室中、在距該光電陰極之一表面達一非零距離之該電子束之一路徑中，其中該螢光幕包含螢光粉；及 一攝影機，其經組態以使該螢光幕成像。
  13. 如請求項12之系統，其中該攝影機經安置於該真空腔室之外部。
  14. 一種包含如請求項8之系統之晶圓檢測系統。
  15. 一種方法，其包括： 將一雷射束導引於一光電陰極處； 使用該雷射束之一路徑中之一光學陣列來將該雷射束轉換成具有一平頂輪廓；及 當具有該平頂輪廓之該雷射束照明該光電陰極時產生一電子束。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包括用於一雷射源產生該雷射束。
  17. 如請求項15之方法，其中該光電陰極包含一鹼金屬鹵化物。
  18. 如請求項15之方法，其進一步包括使用該光學陣列來將該雷射束分成複數個雷射束，其中該等雷射束之各者具有該平頂輪廓。
  19. 如請求項15之方法，其進一步包括： 將該電子束導引於一螢光幕處；及 使用一攝影機來使該螢光幕成像。
  20. 如請求項15之方法，其進一步包括： 將該電子束導引於一半導體晶圓處；及 偵測自該半導體晶圓之一表面返回之電子。
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