KR20220004833A - 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성 결정 - Google Patents

광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성 결정 Download PDF

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Abstract

광학 시스템에서 하나 이상의 광의 특성을 결정하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 시스템은 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하고, 제1 검출기(들)에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성된 상기 제1 검출기(들)를 포함한다. 또한, 시스템은 제1 출력에 기초하여 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성된 제어 서브시스템을 포함한다.

Description

광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성 결정
본 발명은 일반적으로 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
다음 설명 및 예는 이 섹션에 포함되어 있기 때문에 선행 기술이라고 인정되는 것은 아니다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것은 일반적으로 반도체 디바이스의 다양한 피처 및 다중 레벨을 형성하기 위해 다수의 반도체 제조 공정을 사용하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리하는 것을 포함한다. 예를 들어, 리소그래피는 포토마스크로부터의 패턴을 반도체 웨이퍼 상에 배열된 레지스트로 전사하는 것을 포함하는 반도체 제조 공정이다. 반도체 제조 공정의 추가 예에는 화학 기계적 연마(chemical-mechanical polishing, CMP), 에칭, 증착 및 이온 주입이 포함되지만 이에 국한되지 않는다. 다수의 반도체 디바이스는 단일 반도체 웨이퍼 상에 배열(arrangement)로 제조된 다음, 개별 반도체 디바이스로 분리될 수 있다.
193nm 이머전 리소그래피의 성능이 그 한계에 도달하고 멀티-패터닝 리소그래피 공정과 관련된 상당히 높은 비용 및 수율 문제로 인해 극자외선(extreme ultraviolet, EUV) 리소그래피가 광범위하게 개발되어 왔으며 차세대 리소그래피(next generation lithography, NGL) 기술에 사용되어, 무어의 법칙을 확장하여, 컴퓨터 칩을 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적으로 만든다.
웨이퍼 상에 인쇄된 패턴을 정의하는 EUV 포토마스크의 불량 제어는 공정 수율 관리 관점에서 중요한 역할을 한다. 그러나, 그것은 화학(actinic) EUV 포토마스크 또는 필요한 해상도로 포토마스크를 검사할 수 있는 고 처리량 하전 입자 빔 검사 툴의 부족으로 인해 EUV 리소그래피 개발의 고위험 영역 중 하나로서 간주되어 왔다. 현재 시장에는 비교적 고속의 화학 EUV 패턴 마스크 검사를 제공하는 제품이 몇 개 있지만 이러한 검사기는 더 긴 파장에서 마스크 검사의 요인이 아닌 여러 가지 이유로 비교적 복잡하다.
EUV 마스크의 기하학적 구조는 EUV 리소그래피에서 이러한 마스크로 제조된 집적 회로의 성능 저하를 일으킬 수 있는 결함 피처를 해결하기 위해 비교적 높은 이미지 충실도(image fidelity)와 실질적으로 낮은 검출 노이즈를 갖는 검사 시스템을 필요로 한다. 그러나, EUV 스펙트럼 범위는 단파장, 에너지 광자, 실험실(즉, 상대적으로 컴팩트한) EUV 방사선 소스의 낮은 광도(radiation)(밝기)로 인해 검사 툴의 광학 및 시스템 설계에 많은 새로운 과제를 제시한다. 마스크에서 조명 필드 내 공간 입사 강도 분포에 대한 정확한 지식은 검사 툴에서 이미지 분석에 필수적이다.
EUV 마스크 검사를 위한 기존 기준 보정(reference correction) 방법은 다음 절차 중 하나를 기반으로 한다. 일부 기준 보정 방법은 동공 내의 하나 또는 여러 위치에서 공간적으로 통합된 소스 전력을 모니터링하는 것을 포함한다. 다른 기준 보정 방법은 조명 빔 경로에서 기준 픽업(reference pick-up)으로 소스를 이미징함으로써 2차원 소스/조명 밝기 분포를 모니터링하는 것을 포함한다.
그러나 이전에 사용된 EUV 기준 보정 방법 및 시스템에는 여러 가지 단점이 있다. 예를 들어, 공간적으로 통합된 소스 전력은 조명 강도의 공간 분포 변화에 대한 정보를 제공하지 않는다. 본질적으로 불안정하고 떨리는(jittering) 소스로 작업할 때는 소스 전력만 모니터링하는 것만으로는 충분하지 않다. 다른 예에서 조명 빔 경로에 픽업 광학 기기를 배치하면 표본(specimen)에서 조명 프로파일의 왜곡과 불확실성이 발생한다. 그것은 또한 검사에 사용할 수 있는 전체 광자 플럭스를 줄인다. 또한 더 긴 파장 시스템과 달리 EUV 시스템에 사용할 수 있는 효율적인 빔 스플리터가 없으므로 이는 픽업 광학 기기 구성을 복잡하게 한다.
따라서, 전술한 단점들 중 하나 이상을 갖지 않는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 시스템 및/또는 방법을 개발하는 것이 유리할 것이다.
다양한 실시 예의 다음 설명은 어떤 식으로든 첨부된 청구범위의 대상(subject matter)을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
일 실시 예는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 시스템은 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하고, 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성된 상기 하나 이상의 제1 검출기를 포함한다. 또한, 시스템은 제1 출력에 기초하여 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성된 제어 서브시스템을 포함한다. 시스템은 본 명세서에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다.
다른 실시 예는 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 시스템은 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 생성하도록 구성된 광원을 포함한다. 시스템은 또한 하나 이상의 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 광을 검출하고 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 제1 검출기를 포함한다. 또한, 시스템은 하나 이상의 제1 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제2 각도에서 광원으로부터 방출된 광을 수집하고, 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광을 표본으로 지향시키며, 표본으로부터의 광에 응답하여 제2 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 제2 검출기로 표본으로부터의 광을 지향시키도록 구성된 하나 이상의 제2 광학 요소를 포함한다. 시스템은 제2 출력에 기초하여 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성된 컴퓨터 서브시스템을 더 포함한다. 시스템은 또한 제1 출력에 기초하여 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광의 경로 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하고, 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 정보를 결정하기 위하여 광원의 하나 이상의 파라미터, 하나 이상의 제2 광학 요소의 하나 이상의 파라미터, 하나 이상의 제2 검출기의 하나 이상의 파라미터, 및 컴퓨터 서브시스템에 의해 사용되는 하나 이상의 파라미터 중 적어도 하나를 변경하도록 구성된 제어 서브시스템을 포함한다. 시스템은 본 명세서에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다.
다른 실시 예는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하는 하나 이상의 제1 검출기로 하나 이상의 제1 각도 에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 제1 각도는 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도와 상호 배타적이다. 방법은 제1 출력에 기초하여 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하는 단계를 더 포함한다.
위에 설명된 방법의 각 단계는 본 명세서에 추가로 설명된 대로 수행될 수 있다. 또한, 위에 설명된 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 또한, 위에서 설명된 방법은 본 명세서에 설명된 시스템 중 임의의 시스템에 의해 수행될 수 있다.
추가적인 실시 예는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 컴퓨터 구현 방법은 위에서 설명한 방법의 단계를 포함한다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 본 명세서에 기재된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다. 컴퓨터 구현 방법의 단계는 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 또한, 프로그램 명령어들이 실행 가능한 컴퓨터 구현 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 다음의 상세한 설명을 읽고 첨부 도면을 참조하면 명백해질 것이다.
도 1 및 도 4는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템의 실시 예의 측면도를 예시하는 개략도이다.
도 2는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템의 실시 예의 사시도를 예시하는 개략도이다.
도 3은 본 명세서에 기술된 바와 같이 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하는 가능성을 보여주는 본 발명자들에 의해 생성된 상이한 조명 프로파일의 예를 포함한다.
도 5는 본 명세서에 설명된 컴퓨터 구현 방법 중 하나 이상을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체의 일 실시 예를 예시하는 블록도이다.
본 발명은 다양한 수정 및 대안적인 형태가 가능하지만, 그의 특정 실시 예는 도면에 예시로서 도시되어 있고 본 명세서에서 상세하게 설명될 것이다. 그러나 도면 및 이에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태로 제한하려는 것이 아니라, 반대로 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정, 균등물 및 대안을 포괄하는 것임을 이해해야 한다.
이제 도면으로 돌아가서, 도면이 축척에 맞게 그려지지 않았음을 주목한다. 특히, 도면의 일부 요소의 축척은 요소의 특성을 강조하기 위해 크게 과장되어 있다. 또한 도면이 동일한 축척으로 그려지지 않았음을 주목한다. 유사하게 구성될 수 있는 하나보다 많은 도면에 도시된 요소는 동일한 참조 번호를 사용하여 표시되었다. 본 명세서에서 달리 언급되지 않는 한, 설명되고 도시된 임의의 요소는 임의의 적합한 상업적으로 사용 가능한 요소를 포함할 수 있다.
본 명세서에 설명된 실시 예는 일반적으로 극자외선(EUV) 마스크 검사 시스템과 같은 광학 시스템에서 기준 보정을 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 반도체 포토마스크(또는 "레티클"), 특히 EUV 리소그래피에 사용되는 마스크의 검사와 관련하여 일부 실시 예가 본 명세서에서 설명되지만, 실시 예는 이러한 용도로 제한되지 않는다. 실시 예가 EUV 마스크 검사기에게 제공하는 본 명세서에 설명된 이점은 본 명세서에 설명된 다른 시스템에도 이점이 될 것이다.
EUV 마스크 상의 기하학적 구조는 EUV 스캐너에서 이러한 마스크로 제조된 집적 회로의 성능 저하를 일으킬 수 있는 결함 피처를 해결하기 위해 상당히 높은 이미지 충실도와 상당히 낮은 검출 노이즈를 갖는 검사 시스템을 필요로 한다. 이러한 검사 툴은 바람직하게는 스캐너에서 마스크를 이미징하는 데 사용되는 동일한 파장에서 작동한다. EUV 스펙트럼 범위는 짧은 파장, 에너지 광자, 실험실(즉, 상대적으로 컴팩트한) EUV 방사선 소스의 상대적으로 낮은 광도(밝기)로 인해 검사 툴의 광학 및 시스템 설계에 많은 문제를 제시한다. 마스크에서 조명 필드 내 입사 강도의 공간 분포에 대한 정확한 지식은 검사 툴에서 이미지 분석에 필수적이다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 EUV 마스크의 검사(기준 보정)에 사용되는 이미지 데이터에서 광원의 밝기의 불균일에 대한 조명 필드 내의 입사 강도 공간 분포를 모니터링하고 보정하는 방법을 제공한다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시 예는 광학 기기 및 방사선 소스의 비용 또는 복잡성의 등가 증가 없이 이미지 충실도 및 따라서 검사 시스템의 성능을 증가시키는 방법을 제공한다.
일 실시 예는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 일 실시 예에서, 광은 극자외선(EUV) 광이다. 다른 실시 예에서, 광은 진공 자외선(vacuum ultraviolet, VUV) 광이다. 추가 실시 예에서, 광은 소프트 x-레이이다. 예를 들어, 광은 약 13.5 nm의 파장, 약 10 nm 내지 약 124 nm 범위의 하나 이상의 파장, 또는 약 5 nm 내지 약 30 nm 범위의 하나 이상의 파장을 갖는 EUV 광, 190 nm 미만의 하나 이상의 파장을 갖는 또 다른 VUV 광(광이 대기에 의해 흡수되는 것을 방지하기 위해 광학 시스템이 진공에서 작동되어야 함을 의미함), 또는 약 0.12 nm 내지 약 5 nm의 파장을 갖는 소프트 x-레이일 수 있다. 광원은 이들 파장 중 하나 이상에서 광을 방출할 수 있는 당업계에 공지된 임의의 적합한 광원을 포함할 수 있다. 이러한 광원에는 레이저 유도 플라즈마 소스, 방전 유도 플라즈마 소스, 캐소드/애노드 타입 소스 등이 포함되지만 이에 국한되지 않는다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시 예는 예를 들어 검사, 계측, 결함 리뷰 및 리소그래피와 같이 본 명세서에 추가로 설명된 하나 이상의 애플리케이션에 사용되는, 광을 비교적 넓은 각도 범위로 방출하는 임의의 광원(예를 들어, 플라즈마 기반)과 사용될 수 있다.
시스템은 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하고, 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성된 상기 하나 이상의 제1 검출기를 포함한다. 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템의 일 실시 예가 도 1에 도시되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 시스템은 광원(100)으로부터의 광(104)을 제1 검출기(들)(106)로 지향(또는 이미징)하도록 구성된 하나 이상의 제1 광학 요소(102)를 포함할 수 있다. 제1 검출기(들)가 광원 구획(미도시)에 설치될 수 있다. 하나 이상의 제1 광학 요소(102)가 단일의 오목 반사성 광학 요소로서 도 1에 도시되어 있지만, 실제로, 제1 광학 요소(들)(102)는 임의의 적절한 수 및 구성의 반사성 및/또는 다른 광학 요소를 포함할 수 있다. 또한, 제1 검출기(들)(106)가 도 1에 단일 검출기로서 도시되어 있지만, 제1 검출기(들)는 임의의 적절한 수의 검출기(들), 예를 들어 1 개의 검출기, 2 개의 검출기, 3 개의 검출기 등을 포함할 수 있고, 각각은 동일하거나 상이한 구성을 가질 수 있다. 제1 검출기(들)가 하나보다 많은 검출기를 포함한다면, 검출기 각각은 이미지 평면으로 지향되는 광의 상이한 부분을 개별적으로 검출하기 위해 동일한 이미지 평면에 그러나 이미지 평면 내의 상이한 위치에 위치될 수 있다. 하나보다 많은 제1 검출기의 이러한 구성은 예를 들어 이미징 평면에서 조명 필드의 치수(dimensions), 표본의 특성 및 제2 검출기(들)의 구성을 기반으로 결정될 수 있고, 이 모두는 본 명세서에서 더 설명된다.
다른 실시 예에서, 하나 이상의 제1 검출기는 하나 이상의 2차원(2D) 검출기를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 제1 검출기는 전하 결합 소자(charge coupled device, CCD) 카메라 또는 TDI(time delay integration) 카메라와 같은 하나 이상의 기준 2D 검출기를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 하나 이상의 제1 검출기는 이미지 평면 내의 위치의 함수로서 광을 검출할 수 있다. 2D 검출기가 본 명세서에 기술된 실시 예에서 사용하기에 특히 적합할 수 있지만, 다른 타입의 검출기 또한 사용하는 것이 가능할 수 있다. 예를 들어, 알려진 안정적인 조명 프로파일/소스 이미지가 있는 경우 2D 검출기 대신 위치 감지 검출기(들)가 하나 이상의 제1 검출기로서 사용될 수 있다.
검출기(들)는 또한 비-이미징(non-imaging) 검출기(들) 또는 이미징(imaging) 검출기(들)를 포함할 수 있다. 제1 검출기(들)가 비-이미징 검출기(들)인 경우, 검출기(들) 각각은 강도와 같은 광의 특정 특성을 검출하도록 구성될 수 있지만 이미징 평면 내의 위치의 함수로서 그러한 특성을 검출하도록 구성되지 않을 수 있다. 이와 같이, 각각의 검출기(들)에 의해 생성되는 출력은 신호 또는 데이터일 수 있지만, 이미지 신호 또는 이미지 데이터는 아닐 수 있다. 그러한 경우에, 컴퓨터 서브시스템(126)과 같은 컴퓨터 서브시스템은 검출기(들)의 비-이미징 출력으로부터의 정보에 기초하여 표본의 이미지를 보정하도록 구성될 수 있다. 그러나, 다른 경우에, 검출기(들)는 이미징 신호 또는 이미지 데이터를 생성하도록 구성된 이미징 검출기(들)로서 구성될 수 있다. 따라서, 시스템은 많은 방식으로 본 명세서에 설명된 출력 및/또는 이미지를 생성하도록 구성될 수 있다.
시스템이 광원으로부터의 광을 하나 이상의 제1 검출기로 지향시키도록 구성된 하나 이상의 제1 광학 요소를 포함하는 것으로 도 1(및 본 명세서에 추가로 설명된 다른 도면)에 도시되어 있지만, 시스템은 하나 이상의 제1 광학 요소를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 단순화된 경우, 예를 들어 총 전력만 관심 있는 경우, 도 1에 도시된 제1 광학 요소(들)(102)는 검출기 자체 또는 검출기에 적용된 스펙트럼 박막 필터일 수 있다. 소스 이미징이 필요한 경우 핀홀 카메라가 짧은 EUV/소프트 x-레이 파장 범위에서 충분히 잘 작동할 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 광학 요소(들)(102)는 거울일 필요가 없고 대신에 하나 이상의 제1 검출기일 수 있다.
기준 신호는 조명 빔 경로 밖의 각도로 수집된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 제1 광학 요소(102)는 각도 θ1의 범위에서 광원(100)으로부터 방출된 광을 수집할 수 있고, 각도 θ2의 범위에서 광원으로부터 방출된 광이 표본(120)의 조명을 위해 수집될 수 있다. 따라서, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 제1 검출기(들)(106)에 의해 검출된 광은 표본의 조명을 위해 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도 θ2 밖에 있는 하나 이상의 제1 각도 θ1에서 수집된다. 따라서 본 명세서에 설명된 실시 예는 본 명세서에 설명된 파장의 광을 생성할 수 있는 광원으로부터 방출된 광의 상대적으로 넓은 각도 확산을 이용한다. 또한, EUV 기준 보정을 위해 이전에 사용된 시스템 및 방법과 달리, 본 명세서에 설명된 실시 예는 오프 조명 경로 이미지로부터 조명 광학 기기를 통해 보여지는 이미지의 재구성을 위해 구성된다.
일 실시 예에서, 광원과 하나 이상의 제1 검출기 사이의 광의 광 경로는 광원과 표본 사이의 광의 광 경로와 공간적으로 일치하지 않는다. 다시 말해서, 제1 검출기(들)에 의해 검출된 광은 표본의 조명에 사용된 광과 동일한 경로를 따라 이동하지 않고, 이는 표본 조명을 위해 수집된 광의 일부를 픽오프(pick off)하는 현재 사용되는 일부 EUV 기준 보정 시스템 및 방법과 상이하다. 또한, 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출되는 광의 경로와 표본의 조명에 사용되는 광의 경로에는 공통 요소가 없다. 예를 들어, 기준 모니터링 및 보정 목적을 위해 표본의 조명을 위해 수집된 광의 일부를 픽오프하는 현재 사용되는 시스템과 달리, 본 명세서에 설명된 실시 예에서 기준 보정 및 모니터링을 위해 검출된 광은 광원으로부터 광을 수집하고 표본으로 지향시키는 임의의 광학 요소에 의해 영향을 받지 않는다. 기준 모니터링 및 보정과 관련된 광학 요소는 표본 조명과 관련된 광학 요소와 상호 배타적이기 때문에 본 명세서에 설명된 시스템 실시 예의 광학 요소의 전체 구성은 현재 사용되는 시스템 및 방법의 광학 요소보다 간단할 수 있다.
다른 실시 예에서, 광원은 하나 이상의 제1 각도 및 하나 이상의 제2 각도에서 동시에 광을 방출하도록 구성된다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시 예는 비교적 넓은 각도 범위에서 동시에(예를 들어, 적어도 제1 각도(들) 및 제2 각도(들)에서 동시에) 광을 방출하는 광원과 함께 사용하기에 특히 적합하다. 따라서, 실시 예는 표본의 조명과 기준 모니터링 및 보정 사이에서 광을 변조하는 광학 요소를 포함하지 않는다. 특히, 광원이 비교적 넓은 각도 범위에서 광을 방출하는 경우, 본 명세서에 설명된 실시 예에 의해 수행되는 기준 보정 및 모니터링은 소위 "낭비된" 광, 즉 광원에 의해 방출되지만 임의의 다양한 이유로 표본 조명을 위해 수집되지 않는 광을 사용할 수 있다. 따라서 기준 모니터링 및 보정에 사용되는 광은 조명을 위해 광이 수집되고 표본으로 지향됨과 동시에 수집되고 검출될 수 있다.
추가 실시 예에서, 하나 이상의 제1 검출기는 하나 이상의 제1 각도에서 광을 검출하도록 구성되는 반면, 광학 시스템은 하나 이상의 제2 각도에서 광을 수집하고 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광을 표본의 조명을 위해 표본으로 지향시킨다. 예를 들어, 시스템은 실시간으로(노출 대 노출 또는 스캐닝 TDI 모드에서) 하나 이상의 제1 검출기 상에 광을 지향시키도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 본 명세서에 설명된 실시 예는 TDI 스캐닝과 함께 실시간 광원 모니터링을 제공한다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시 예는 모든 노출 동안 표본 상의 투영된 픽셀 영역에 걸쳐 EUV 도즈(dose)를 측정하도록 구성될 수 있다.
일부 실시 예에서, 하나 이상의 제1 각도 및 하나 이상의 제2 각도는 광원의 대칭축에 대해 거울 대칭을 갖는다. 다른 실시 예에서, 하나 이상의 제1 각도 및 하나 이상의 제2 각도는 광원의 대칭축에 대해 거울 대칭을 갖지 않는다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 각도(들) θ1 및 제2 각도(들) θ2는 광원(100)의 대칭 축(108)에 대해 거울 대칭을 가질 수 있다. 그러나, 제1 각도 및 제2 각도(들)는 축(108)에 관하여 거울 대칭을 가질 필요가 없다. 예를 들어, 제1 및 제2 각도(들)가 광원의 대칭축에 관하여 거울 대칭을 갖는다면, 본 명세서에 더 설명된 제어 서브시스템에 의해 수행되는 단계는 제1 및 제2 각도(들)가 거울 대칭을 갖지 않는 경우보다 더 간단할 수 있다. 그러나 제1 및 제2 각도(들)와 대칭 축 사이의 공간 관계는 제어 서브시스템에 의해 수행되는 단계(들)에서 설명될 수 있다.
도 2는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템의 다른 실시 예를 도시한다. 이 실시 예에서, 시스템은 표본(도 2에 미도시)의 조명을 위해 광학 시스템(도 2에 미도시)에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도(도 2에 미도시)를 상호 배제한 하나 이상의 제1 각도(도 2에 미도시)에서 광원(200)으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하고, 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성된 상기 하나 이상의 제1 검출기(206)를 포함한다.
시스템의 이 실시 예는 제1 광학 요소(202 및 204)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 광학 요소(202)는 하나 이상의 제1 각도에서 광원(200)으로부터 광을 수집하고 광을 광학 요소(204)로 지향시킨다. 시스템은 Si3N4/Zr 필터(또는 화학 마스크 검사 또는 리뷰 애플리케이션의 경우 13.5 nm 파장에 적합한 다른 필터)와 같은 필터가 광원과 광학 요소(202) 사이의 광 경로에 위치된 애퍼처(미도시)를 포함할 수 있다. 광학 요소(202)는 다층 평면 거울일 수 있다. 광학 요소(204)는 광을 제1 검출기(들)(206)로 지향시킨다. 광학 요소(204)는 다층 구면 거울일 수 있다. 검출기(206)는 증착된 Ce:Y3Al5O12(Ce:YAG) 신틸레이터 또는 Gd2O2S:Tb(P43) 형광체 스크린을 갖는 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 이미지 센서 또는 CCD 카메라일 수 있다. 제1 광학 요소(202 및 204) 및 제1 검출기(206)는 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다.
도 2에 도시된 요소들 사이의 광학 경로 길이, 예를 들어, 광원(200)과 광학 요소(202) 사이의 길이 L1, 광학 요소(202)와 광학 요소(204) 사이의 길이 L2, 및 광학 요소(204)와 검출기(206) 사이의 길이 L3은 광원, 광학 요소 및 검출기의 구성에 기초하여 결정될 수 있다. 도 2에 도시된 시스템은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 요소를 포함할 수 있다.
본 명세서에 추가로 설명된 일부 실시 예에서 시스템은 표본을 조명하고 표본으로부터 광을 검출할 수 있도록 구성된 요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 시스템의 실시 예는 제2 각도(들) θ2에서 광원(100)으로부터 방출된 광을 수집하고 제2 각도(들)에서 수집된 광을 표본(120)으로 지향시키도록 구성되고 표본으로부터의 광에 응답하여 제2 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 제2 검출기(124)로 표본으로부터의 광을 지향시키도록 구성된 하나 이상의 제2 광학 요소를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 실시 예에서, 제2 광학 요소(들)는 광학 요소(112, 118, 122) 및 가능하게는 균질화기(114)를 포함한다. 광학 요소(112)는 제2 각도(들)에서 광원(100)으로부터 광을 수집하고, 중간 필드 평면(116)에 위치된 선택적 균질화기(114)를 통해 광학 요소(118)로 광을 지향시키도록 구성된다. 광학 요소(118)는 광학 요소(112)에 의해 수집되고 가능하게는 선택적 균질화기(114)를 빠져나가는 광을 표본(120)으로 지향시키도록 구성된다. 표본(120)으로부터의 광은 표본으로부터의 광을 하나 이상의 제2 검출기(124)로 지향시키는 광학 요소(122)에 의해 수집된다.
광학 요소(112, 118, 122) 각각이 단일의 오목 반사 광학 요소로서 도 1에 도시되어 있지만, 이들 광학 요소 각각은 임의의 적절한 구성을 갖는 임의의 적절한 수의 광학 요소를 포함할 수 있다. 선택적 균질화기(114)는 또한 당업계에 공지된 임의의 적절한 구성을 가질 수 있다. 광학 요소(112)가 광원으로부터 광을 수집하는 각도(들)는 광원의 특성, 표본의 특성 및 표본 조명의 목적에 따라 달라질 수 있다. 또한, 광학 요소(118)가 광을 표본(120)으로 지향시키는 각도(들)는 유사한 변수에 기초하여 변할 수 있다. 예를 들어, 시스템이 표본(120)으로부터 다른 표본으로 패턴이 전사되고 있는 리소그래피를 위해 구성된다면, 시스템은 시스템이 표본(120)의 검사, 계측 또는 결함 리뷰를 위해 구성된 경우보다 상이한 각도에서의 광으로 표본(120)을 조명하도록 구성될 수 있다. 또한, 광학 요소(122)가 표본(120)으로부터 광을 수집하고 광을 하나 이상의 제2 검출기(124)로 지향시키거나 이미징하는 각도(들)는 표본의 특성 및 조명을 위해 표본에 지향되는 광에 따라 다를 수 있고, 이는 표본에서 나오는 광의 특성 및 어떤 종류의 광(예를 들어, 산란, 정반사 등)이 하나 이상의 제2 검출기로 지향되고 있는지와 같은 시스템의 구성에 영향을 미칠 것이다. 제2 광학 요소(들)에 의해 수집되는 표본으로부터의 광은 산란광, 정반사광, 회절광 등 또는 이들의 일부 조합을 포함할 수 있다.
시스템은 또한 광이 표본 위에 스캔되게 하도록 구성된 스캐닝 서브시스템(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 시스템은 표본(120)이 배치되는 스테이지(미도시)를 포함할 수 있다. 스캐닝 서브시스템은 광이 표본 위에서 스캔될 수 있도록 표본을 이동하도록 구성될 수 있는 임의의 적절한 기계적 및/또는 로봇 어셈블리(스테이지를 포함함)를 포함할 수 있다. 추가로, 또는 대안적으로, 시스템은 하나 이상의 제2 광학 요소가 표본 위에 광의 일부 스캐닝을 수행하도록 구성될 수 있다. 광은 임의의 적절한 방식으로 표본 위에 스캔될 수 있다.
하나 이상의 제2 검출기는 본 명세서에 기재된 것을 포함하여 당업계에 공지된 임의의 적합한 검출기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 하나 이상의 제2 검출기는 CCD 카메라 또는 TDI와 같은 이미징 검출기(들)일 수 있지만 비-이미징 검출기도 사용될 수 있다. 또한, 제2 검출기(들)(124)가 도 1에 단일 검출기로 도시되어 있지만, 제2 검출기(들)는 임의의 적절한 수의 검출기(들), 예를 들어 1 개의 검출기, 2 개의 검출기, 3 개의 검출기 등을 포함할 수 있고, 각각은 동일하거나 상이하게 구성될 수 있다. 제2 검출기(들)가 둘 이상의 검출기를 포함하는 경우, 검출기 각각은 이미지 평면으로 지향되는 광의 상이한 부분을 개별적으로 검출하기 위해 동일한 이미지 평면에 그러나 이미지 평면 내의 상이한 위치에 위치될 수 있다. 둘 이상의 제2 검출기의 이러한 구성은 예를 들어, 이미징 평면에서 조명된 필드의 치수, 표본의 특성, 및 제2 검출기(들)의 구성에 기초하여 결정될 수 있다.
본 명세서에 추가로 설명된 도 2 및 4뿐 아니라 도 1이 제공되어 본 명세서에 설명된 시스템 실시 예에 포함될 수 있는 광학 요소 및 검출기의 일부 구성을 일반적으로 예시한다는 것을 주목한다. 분명히, 본 명세서에 설명된 광학 요소 및 검출기 구성은 상용 시스템을 설계할 때 일반적으로 수행되는 시스템의 성능을 최적화하도록 변경될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 시스템은 화학 EUV 패턴 마스크 검사 툴 ACTIS A150과 같은 기존 광학 시스템을 사용하여(예를 들어, 기존 광학 시스템에 본 명세서에 설명된 하나 이상의 제1 검출기 및 기타 기능을 추가함으로써) 구현될 수 있고, 이는 일본 요카하마 소재의 레이저텍 코포레이션(Lasertec Corporation)으로부터 상업적으로 입수가능하다. 이러한 일부 시스템의 경우, 본 명세서에 설명된 실시 예는 (예를 들어, 시스템의 다른 기능에 추가하여) 기존 시스템의 선택적 기능으로서 제공될 수 있다. 대안적으로, 본 명세서에 설명된 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하기 위해 "처음부터(from scratch)" 설계될 수 있다.
시스템은 또한 제1 출력에 기초하여 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성된 제어 서브시스템을 포함한다. 따라서, 본 명세서에 설명된 실시 예는 광학 시스템의 동공 및/또는 필드에서 광 분포와 같은 광의 하나 이상의 특성을 예측하기 위해 표본 조명에 사용되는 컬렉터 입체각 밖에 있는 하나 이상의 각도에서 캡처된 제1 출력(예를 들어, 소스 이미지)을 사용할 수 있고, 이는 모델링 및 캘리브레이션(calibration) 측정과 함께 제1 출력을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 시스템은 제1 검출기(들)(106)에 결합된 제어 서브시스템(110)을 포함할 수 있다. 제어 서브시스템은 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템 및 가능하게는 펌웨어, 서보 루프, 및 당업계에 공지된 임의의 다른 적절한 제어기 타입 요소와 같은 본 명세서에 기술된 다른 요소를 포함할 수 있다.
제어 서브시스템(110)은 제어 서브시스템이 제1 검출기(들)에 의해 생성된 출력, 이미지 등을 수신할 수 있도록 (예를 들어, "유선" 및/또는 "무선" 전송 매체를 포함할 수 있는 하나 이상의 전송 매체를 통해) 임의의 적절한 방식으로 하나 이상의 제1 검출기에 결합될 수 있다. 제어 서브시스템(110)은 본 명세서에 설명된 바와 같은 제1 검출기(들)의 출력, 이미지 등 및 본 명세서에 추가로 설명되는 임의의 다른 기능을 사용하여 다수의 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 이 제어 서브시스템은 본 명세서에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다.
제어 서브시스템은 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하는 것과 같은 제어 서브시스템의 하나 이상의 기능을 수행하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함할 수 있다. 제어 서브시스템의 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템(및 본 명세서에 설명된 다른 컴퓨터 서브시스템)은 또한 본 명세서에서 컴퓨터 시스템(들)으로 지칭될 수 있다. 본 명세서에 설명된 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들) 각각은 개인용 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 기기, 인터넷 기기, 또는 기타 디바이스를 포함하는 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, "컴퓨터 시스템"이라는 용어는 메모리 매체로부터 명령어들을 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 또한 병렬 프로세서와 같이 당업계에 알려진 임의의 적절한 프로세서를 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 독립형 또는 네트워킹된 툴로서 고속 처리 및 소프트웨어를 갖춘 컴퓨터 플랫폼을 포함할 수 있다.
시스템이 하나보다 많은 컴퓨터 서브시스템을 포함한다면, 상이한 컴퓨터 서브시스템은 이미지, 데이터, 정보, 명령어들 등이 본 명세서에 추가로 설명되는 바와 같이 컴퓨터 서브시스템 간에 전송될 수 있도록 서로에 결합될 수 있다. 예를 들어, 제어 서브시스템(110)의 컴퓨터 서브시스템은 당업계에 공지된 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 전송 매체를 포함할 수 있는 임의의 적절한 전송 매체(미도시)에 의해 컴퓨터 서브시스템(126)에 결합될 수 있다. 그러한 컴퓨터 서브시스템 중 2개 이상은 또한 공유 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(미도시)에 의해 효과적으로 결합될 수 있다.
일부 실시 예에서, 제어 서브시스템은 단층 촬영 기법 및 광학 시스템의 광학 모델을 사용하여 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성된다. 예를 들어, 제1 출력(예를 들어, 기록된 2D 소스 이미지(투영))이 단층 촬영 기법 및 광학 시스템 대칭을 사용함으로써 방출된 방사선의 공간 분포를 재구성하는 데 사용될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템은 그 후 조명 프로파일을 예측하기 위해 광학 시스템의 광학 모델을 통해 공간 분포를 전파할 수 있다. 이러한 방식으로, 제어 서브시스템은 기준 검출기 신호(제1 검출기(들) 출력)를 표본에 매핑할 수 있으며, 이는 조명 필드 또는 시스템 내의 임의의 다른 이미징 평면 내의 임의의 소스 유도 변동을 실질적으로 빠르게 보상하는 데 사용할 수 있다. 이러한 방식으로, 본 명세서에 설명된 실시 예는 표본 강도 분포를 교정(calibrate)하고 예측(모니터링)하기 위해 조명기의 광학 모델과 결합된 단층 촬영 알고리즘을 사용할 수 있다.
이러한 일부 실시 예에서, 소스 이미지(즉, 제1 검출기(들)에 의해 생성된 이미지 또는 제1 검출기(들)에 의해 생성된 출력을 사용하는 이미지)로부터의 조명 매핑은 소스 모델을 생성하고/하거나 소스 모델을 교정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 초기 소스 모델은 제1 검출기(들)에 의해 검출될 이미지(투영)를 시뮬레이션하는 데 사용될 수 있다. 광원의 이미지는 또한 제1 검출기(들)를 사용한 실험에서도 얻어질 수 있다. 시뮬레이션되고 실험적으로 획득된 이미지는 소스 모델을 생성하고/하거나 분포(예를 들어, 가우시안)와 같은 소스의 다양한 파라미터 및 직경, 길이 등과 같은 다양한 소스 치수를 설명할 수 있는 기존 소스 모델의 하나 이상의 파라미터를 설정(setup) 또는 교정하는 데 사용될 수 있다. 생성되거나 교정된 소스 모델은 그 후 동공(균질화기용) 또는 필드(임계 조명용)와 같은 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에 이미지를 매핑하는 데 사용할 수 있다. 이러한 방식으로 제어 서브시스템은 맵 생성을 위한 모델링 및 교정 실험의 조합을 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 매핑은 광원 대칭의 경우에 고유한 수학적 솔루션을 가질 것이지만, 이러한 대칭은 본 명세서에 설명된 실시 예에서 요구되지 않는다.
다른 실시 예에서, 하나 이상의 특성은 표본에서 조명 필드 내의 공간 입사 강도 분포를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 제1 검출기는 광원의 이미지(광원의 플라즈마)를 캡처할 수 있다. 그런 다음, 제어 서브시스템은 이미지를 필드 전력 분포로 계산적으로 변환할 수 있다. 예를 들어, 제어 서브시스템은 광학 시스템의 소스 이미지 및 전달 행렬(transfer matrix)(모델)로부터 얻은 레이 분포 함수를 사용하여 수치 레이 트레이싱(ray tracing)(매핑)을 수행할 수 있다. 특히, 광학 시스템의 레이 전달을 시뮬레이션하는 것은 레이 분포를 출력할 광학 시스템의 각 광학 요소에 대한 ABCD 레이 전달 행렬에 레이 분포를 입력하는 것을 포함할 수 있다. 그런 다음, 제어 서브시스템은 광학 시스템의 필드 평면(표본 평면에서의 조명 필드) 및/또는 동공 평면에서의 강도 분포를 추정(예측)할 수 있다. 임계 조명의 경우 소스 이미지가 충분하다. 다른 조명 방식의 경우, 설계 선택과 조명 광학 기기의 복잡성에 따라 방출 각도 분포에 대한 지식도 고려할 수 있다. 각도 분포는 더 안정적일 것으로 예상되며 교정의 일부로서 별도로 측정될 수 있다(예를 들어, 본 명세서에 설명된 하나 이상의 교정 검출기를 사용하여 수행될 수 있다). 또한 개별 광학 기기의 진동 및 드리프트가 영향을 미칠 수 있으므로 모니터링되고 (예를 들어, 전달 행렬의 변화로서) 설명될 수 있다.
추가 실시 예에서, 하나 이상의 특성을 결정하는 단계는 광원의 3차원(3D) 공간 입사 강도 분포를 결정하는 단계 및 3D 공간 입사 강도 분포로부터 표본에서 하나 이상의 특성을 결정하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 제1 출력(예를 들어, 기록된(recorded) 2D 소스 이미지(투영))은 단층 촬영 기법 및 광학 시스템 대칭을 사용하여 3D로 방출된 방사선의 공간 분포를 재구성하는 데 사용될 수 있다. 그 다음, 컴퓨터 서브시스템은 검사 시스템의 광학 모델을 통해 3D 분포를 전파하여 조명 프로파일을 예측할 수 있다. 이러한 방식으로, 제어 서브시스템은 기준 검출기 신호(제1 검출기(들) 출력)를 조명 필드 내에서 임의의 소스 유도 변동의 실질적으로 빠른 보상에 사용될 수 있는 표본에 매핑할 수 있다.
3D 재구성 및 플라즈마 기반 광원의 경우 제어 서브시스템에 의해 결정될 수 있는 특성 중 하나는 플라즈마가 이동하는 방식에 응답하는 특성이다. 이러한 특성을 결정하는 데 어려움 중 하나는 광원의 이미징이 하나의 공간 치수(깊이)를 파괴한다는 것이다. 이 어려움을 완화하기 위한 한 가지 솔루션은 회전 대칭을 가정하여 하나의 공간 치수를 사소하게(trivial) 만드는 것이다. 그 후 투영은 X · β = y가 될 수 있고, 여기서 X는 투영 행렬, β = 계수(프로파일 픽셀 밝기), y = 검출기 평면에서의 이미지이다. 도 3은 이러한 3D 재구성을 예시하기 위해 본 발명자들에 의해 생성된 다양한 결과를 포함한다. 프로파일(300)은 인공 테스트 프로파일(즉, xy 평면에서 시뮬레이션된 프로파일)이다. 프로파일(302)은 카메라 평면에 대한 투영이다(축에서 5°). 다시 말해서, 프로파일(302)은 하나 이상의 제1 검출기에 의해 생성될 수 있다. 그 프로파일이 주어지면, 제어 서브시스템은 선형 최소 자승(linear least squares) 최소화와 같은 기법에 의해 피팅된 프로파일(304)을 재구성할 수 있다. 이러한 방식으로, 하나 이상의 제1 검출기에 의해 생성된 출력은 임의의 각도에서 광원의 하나 이상의 특성을 계산하기 위해 제어 서브시스템에 의해 사용될 수 있다.
추가 실시 예에서, 하나 이상의 특성은 하나 이상의 공간 및 시간 특성을 포함한다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 2D 광원 밝기 분포를 모니터링하면 시간 및 공간 도메인에서 조명 프로파일의 변화에 대한 보정이 가능하다. 특히, 제1 검출기(들)는 (간헐적으로든 연속적으로든) 상이한 시점에서 그리고 표본의 조명에 대해 상이한 시점에서(예를 들어, 표본의 조명 전, 표본의 조명 동안 및/또는 표본의 조명 후) 출력을 생성할 수 있다. 보다 구체적으로, 하나 이상의 제1 검출기는 광학 시스템의 성능에 영향을 미치지 않으면서 제1 각도(들)에서 수집된 광에 응답하여 출력을 생성하기 때문에, 제1 검출기는 광원의 시간 및 공간 특성 모두에 응답하는 출력을 생성할 수 있다. 그 구성은 제어 서브시스템이 제1 출력으로부터 광원의 공간 및 시간 특성(들)을 결정할 수 있게 하고, 이는 그 후 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터에 대한 공간 및 시간 변화 모두를 결정하는 데 사용될 수 있다.
일부 실시 예에서, 제어 서브시스템은 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 서브시스템(110)은 펌웨어(미도시) 및 서보 루프(servo loop)(미도시)를 포함할 수 있다. 펌웨어 및 서보 루프는 결정된 하나 이상의 특성을 결정된 하나 이상의 특성에 대한 값의 미리 결정된 범위와 비교한 다음, 광원, 하나 이상의 제2 광학 요소, 및/또는 이에 응답하는 하나 이상의 제2 검출기 중 적어도 하나의 파라미터를 변경하는데 적합한 당업계에 공지된 임의의 적합한 구성을 가질 수 있다. 하나의 그러한 예에서, 하나 이상의 결정된 특성은 계산된 필드 전력 분포를 포함할 수 있고, 제어 서브시스템은 예상으로부터 계산된 필드 전력 분포의 임의의 변화에 기초하여 광학 시스템에 보정을 적용함으로써 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경하도록 구성될 수 있다.
제어 서브시스템에 의해 변경되는 광학 시스템의 파라미터(들)는 광학 시스템의 하나 이상의 평면에서 광의 특성(들)의 변경을 초래할 수 있는 임의의 파라미터를 포함할 수 있고, 그 일부 예는 본 명세서에 추가로 설명되며 광학 시스템의 구성에 따라 달라질 수 있다. 광학 시스템의 파라미터(들)에 대한 변경은 임의의 적절한 타입의 제어 루프, 알고리즘, 방법, 기능(function) 등을 사용하여 임의의 적절한 방식으로(예를 들어, 실험적으로 또는 이론적으로) 결정될 수 있다.
제어 서브시스템에 의해 변경되는 광학 시스템의 파라미터(들)는 또한 광학 시스템의 검출기(들)의 출력을 사용하여 기능 또는 단계를 수행하는 임의의 요소의 임의의 파라미터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 변경된 파라미터(들)는 컴퓨터 서브시스템(예를 들어, 도 1에 도시된 컴퓨터 서브시스템(126))의 하나 이상의 파라미터 또는 하나 이상의 제2 검출기(124)에 의해 생성되는 출력에 대하여 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행되는 방법, 단계, 알고리즘, 공정 등의 하나 이상의 파라미터를 포함할 수 있다. 이러한 파라미터(들)는 광원의 임의의 변화에 대해 제2 검출기(들)에 의해 생성된 이미지를 보정하기 위해 수행된 이미지 처리의 파라미터(들)를 포함할 수 있다. 하나의 그러한 예에서, 광의 결정된 하나 이상의 특성은 표본 평면에서 광의 밝기의 공간 및 시간 특성일 수 있다. 그러한 특성(들)이 시간 변화를 보인다면, 제어 서브시스템은 시간 변화가 표본 이미지에 미치는 영향을 완화하기 위해 컴퓨터 서브시스템에 의해 수행되는 이미지 처리에서 수행될 수 있는 표본 이미지에 대한 하나 이상의 보정을 결정할 수 있다. 따라서, 결정된 특성(들)에 응답하여 제어되는 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터는 광학 파라미터 및/또는 이미지 처리 파라미터일 수 있다.
본 명세서에 설명된 대로 결정된 모든 정보는 소스 조건(크기, 위치, 밝기 등)을 모니터링하고 제어하는 데 사용할 수 있다. 이 기능을 위해 동일한 광학 요소(예를 들어, 제1 검출기(들) 및 가능하게는 제1 광학 요소(들))를 공유하고 광학 시스템에서 광의 특성(들)을 결정하면, 광학 시스템에서 필요한 센서와 모니터의 수가 줄어든다. 또한, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 실시 예는 매 노광(exposure) 동안 표본 상의 투영된 픽셀 영역에 걸쳐 EUV 도즈를 측정하도록 구성될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 실시 예는 하나 이상의 제2 검출기의 각 픽셀(TDI 열의 각 픽셀)에 대한 보정 인자를 제공할 수 있다. 일부 EUV 마스크 검사 시스템은 다중 검출기(하나 이상의 제2 검출기(124)로 도 1에 일반적으로 표시됨)를 사용하여 마스크 상의 여러 서브필드를 이미징한다(즉, 제1 검출기는 제1 서브필드를 이미징하고, 제2 검출기는 제2 서브필드를 이미징한다). 따라서 일부 시스템에서는 표본 상의 여러 서브필드에 대한 광 분포의 추정치가 필요하다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 상대적으로 넓은 각도 범위에서 광원으로부터 방출된 광을 수집하고 검출할 수 있고 광학 시스템의 다양한 평면에서 광의 공간 분포를 예측할 수 있기 때문에, 본 명세서에 설명된 실시 예는 광학 시스템에 의해 이미징되는 표본 상의 다양한 서브필드 각각에 대한 픽셀 레벨 정보를 제공할 수 있다.
다른 실시 예에서, 제어 서브시스템은 결정된 하나 이상의 특성을 광학 시스템의 컴퓨터 서브시스템에 출력하도록 구성되고, 컴퓨터 서브시스템은 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경하도록 구성된다. 예를 들어, 제어 서브시스템 자체가 광학 시스템에 대한 보정(correction) 및/또는 변경(alteration)을 반드시 결정하지는 않을 수 있다. 대신에, 제어 서브시스템은 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터에 대한 변경을 결정하고 그 결정에 기초하여 하나 이상의 파라마티를 변경하는 컴퓨터 서브시스템(126)과 같은 다른 시스템 또는 방법으로, 결정된 하나 이상의 특성을 임의의 적절한 방식 및 임의의 적절한 포맷으로 간단히 출력할 수 있다. 다시 말해서, 광의 결정된 하나 이상의 특성에 기초한 광학 시스템의 제어는 제어 서브시스템 및 컴퓨터 서브시스템과 같은 다수의 서브시스템에 걸쳐 분산될 수 있다. 그러나, 제어 서브시스템은 컴퓨터 서브시스템의 일부일 수도 있고 그 반대일 수도 있으므로 한 서브시스템이 광의 특성(들)을 결정하고 또한 특성(들)에 기초하여 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경한다. 컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에 추가로 설명된 바와 같이 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경할 수 있다.
추가 실시 예에서, 시스템은 또한 하나 이상의 제2 각도에서 수집되고 광학 시스템에 의해 표본으로 지향되는 광을 검출하도록 구성된 하나 이상의 교정 검출기(calibration detector)를 포함하고, 제어 서브시스템은 하나 이상의 교정 검출기에 의해 검출된 광에 기초하여 하나 이상의 제1 검출기의 출력을 교정하도록 구성된다. 예를 들어, 하나 이상의 제1 검출기(예를 들어, 획득된 2D 맵)의 출력은 표본 평면에서의 임의의 왜곡을 제1 검출기(들) 출력의 임의의 왜곡과 연관시킴으로써 표본에서의 별도로 측정된 강도 분포와 관련하여 교정될 수 있다. 따라서 본 명세서에 설명된 실시 예는 본 명세서에 설명된 실시 예가 조명 프로파일의 모니터링 및 교정을 위해 별도로 획득된 소스 이미지를 사용할 수 있다는 점에서, EUV 기준 보정을 위해 이전에 사용된 방법 및 시스템과 상이하다.
교정 검출기(들)는 표본 평면에서 시스템에 포함될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 표본(120)은 예를 들어 표본을 하나 이상의 교정 검출기로 교체(swap out)함으로써 하나 이상의 교정 검출기(미도시)로 대체될 수 있다. 표본 및 교정 검출기(들)는 임의의 적절한 방법으로 교체될 수 있다. 따라서, 표본 또는 교정 검출기(들)가 조명되고 있는지 여부에 따라, 도 1에 도시된 요소(120)는 표본 또는 교정 검출기(들)일 수 있다. 교정 검출기(들)는 임의의 적절한 구성으로 본 명세서에 설명된 임의의 검출기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 교정 검출기(들)는 동일한 이미징 평면의 상이한 위치에 위치된 다중 2D 검출기를 포함할 수 있다. 교정 검출기(들) 출력은 당업계에 공지된 임의의 적절한 교정 기법을 사용하여 제1 출력을 교정하는 데 사용될 수 있다.
유사한 방식으로 표본은 기준(reference)(즉, 기점(fiducial))으로 교체될 수 있다. 예를 들어, 시스템은 일부 알려진 반사, 산란, 회절 등의 특성을 갖는 재료, 구조, 비패터닝 또는 패터닝 등을 포함할 수 있는 일부 알려진 광학 특성을 갖는 기준으로 표본(120)을 대체하도록 구성될 수 있다. 따라서 기준은 표본이 기준으로 대체될 때 도 1에서 요소(120)로 나타내어진다. 하나 이상의 제2 광학 요소에 의해 기준으로부터 수집되고 하나 이상의 제2 검출기(124)로 지향되는 광은 다양한 방식으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 기준은 광학 시스템 정렬 목적을 위해 하나 이상의 제2 검출기에서 검출될 수 있는 하나 이상의 피처를 포함할 수 있다. 기준은 또한 교정 표준으로서 사용하기에 적합하도록 만드는 하나 이상의 재료 또는 구조를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 하나 이상의 제2 검출기에 의해 검출된 기준으로부터의 광은 광학 시스템 및 가능하게는 또한 하나 이상의 제1 광학 요소, 하나 이상의 제1 검출기, 및 제어 서브시스템의 교정을 위해 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 교정은 광학 시스템과 기준 모니터링 및 보정 서브시스템 모두에 대한 기준을 사용하여 수행될 수 있다.
일부 실시 예에서, 시스템은 하나 이상의 제1 각도 및 하나 이상의 제2 각도를 상호 배제한 하나 이상의 추가적인 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 광을 검출하고, 하나 이상의 추가적인 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 추가적인 제1 출력을 생성하도록 구성된 상기 하나 이상의 추가적인 제1 검출기를 포함하고, 제어 서브시스템은 제1 출력 및 추가적인 제1 출력에 기초하여 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성된다. 다시 말해서, 시스템은 기준 보정 광학 기기의 둘 이상의 세트를 포함할 수 있으며, 각각은 표본 조명을 위해 광이 수집되는 각도를 상호 배제하고 기준 보정 광학 기기의 다른 세트(들)와 상이한 각도에서 방출된 광을 검출하도록 구성된다.
하나의 그러한 실시 예가 도 4에 도시되어 있다. 이 실시 예에서, 시스템은 하나 이상의 제1 각도 θ1 및 하나 이상의 제2 각도 θ2를 상호 배제한 하나 이상의 추가적인 제1 각도 θ'1에서 광원(100)으로부터 방출된 광을 검출하고 하나 이상의 추가적인 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 추가적인 제1 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 추가적인 제1 검출기(402)를 포함한다. 제어 서브시스템(110)은 제어 서브시스템이 하나 이상의 추가적인 제1 검출기에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록 본 명세서에 추가로 설명되는 바와 같이 하나 이상의 추가적인 제1 검출기(402)에 결합될 수 있다. 추가적인 기준 보정 광학 기기는 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 시스템은 하나 이상의 추가적인 제1 각도에서 광원(100)으로부터 방출된 광을 수집하고 수집된 광을 하나 이상의 추가적인 제1 검출기(402)로 지향시키도록 구성된 하나 이상의 추가적인 제1 광학 요소(400)를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 각각의 요소는 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있다.
제어 서브시스템은 조합된 제1 출력 및 추가적인 제1 출력에 기초하여 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제어 서브시스템은 광학 시스템 내의 각 광학 요소에 대한 ABCD 레이 전달 행렬에 대한 입력으로서 제1 검출기(들) 및 추가적인 제1 검출기(들) 모두에 의해 측정된 레이 분포를 사용할 수 있으므로, 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 레이 분포를 출력할 수 있다. 본 명세서에 설명된 다른 계산은 유사한 방식으로, 예를 들어 입력으로서 제1 검출기(들) 및 추가적인 제1 검출기(들)로부터의 출력 둘다를 사용하여 수행될 수 있다.
제1 검출기(들) 및 추가적인 제1 검출기(들)의 출력은 또한 또는 대안적으로 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위해 별도로 사용될 수 있고, 상이한 검출기로부터의 출력을 사용하여 결정된 하나 이상의 특성은 동일한 특성 또는 상이한 특성일 수 있다. 예를 들어, 제1 검출기(들)로부터의 출력은 하나 이상의 평면에서 광의 제1 특성을 결정하는 데 더 적합할 수 있고, 추가적인 제1 검출기(들)로부터의 출력은 하나 이상의 평면에서 제1과 상이한 제2 특성을 결정하는 데 더 적합할 수 있다. 유사한 방식으로, 상이한 검출기로부터의 출력은 광학 시스템 내의 상이한 평면(예를 들어, 동공 평면 대 조명 평면)에서 광의 동일하거나 상이한 특성을 결정하는 데 다소 적합할 수 있다. 더욱이, 상이한 검출기들에 의해 생성된 출력은 광학 시스템 내의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위해 제어 서브시스템에 의해 별도로 사용될 수 있고, 그 다음 별도로 결정된 특성은 평면에서 광의 다른 특성을 결정하기 위해 어떤 방식으로 결합될 수 있다. 일반적으로, 상이한 방출 각도에서 광원으로부터 방출된 광을 개별적으로 검출하는 것은 검출기의 출력으로부터 광학 시스템에서 광에 관하여 결정될 수 있는 정보를 증가시키고/시키거나 개선할 수 있다.
일부 예에서, 시스템은 또한 하나 이상의 다른 광학 요소(미도시) 및/또는 하나 이상의 제2 광학 요소에 의해 수집된 광의 일부를 검출하도록 구성된 하나 이상의 다른 검출기(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 시스템은 중간 이미지 평면(116)에 위치된 픽오프 미러(미도시)를 포함할 수 있으며, 이는 중간 이미지 평면에서 광의 비교적 작은 부분을 조명 경로로부터 하나 이상의 다른 광학 요소 및/또는 광을 검출하도록 구성된 하나 이상의 다른 검출기로 반사하도록 구성된다. 다른 광학 요소 및 다른 검출기는 당업계에 공지된 임의의 적절한 구성을 가질 수 있으며, 그 일부 예는 Kohyama 등의 미국 특허 출원 공개 번호 2018/0276812(및 2017년 12월 20일에 공표된 해당 일본 특허 번호 6249513)에 설명되어 있고, 이는 본 명세서에 완전히 설명된 것처럼 참조로 포함된다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 이 간행물에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다. 이들 검출기에 의해 검출된 광에 응답하는 하나 이상의 다른 검출기에 의해 생성된 출력은 하나 이상의 제2 광학 요소에 의해 수집된 광의 경로 내의 하나 이상의 평면에서(예를 들어, 표본 평면, 중간 이미지 평면, 검출기 평면 등에서) 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위해 하나 이상의 제1 검출기에 의해 생성된 출력과 조합하여 사용될 수 있다.
본 명세서에 기술된 실시 예는 본 명세서에 기술된 파장 범위의 광을 방출하는 광원을 모니터링하고 제어하기 위한 다른 방법 및 시스템에 비해 많은 이점을 갖는다. 예를 들어, 2D 소스 밝기 분포를 모니터링하면 시간 및 공간 도메인에서 조명 프로파일의 변화를 보정할 수 있으므로, 불안정하고 떨리는 소스로 작업할 때 이미지 충실도가 크게 향상된다. 또한, 기준 픽업(제1 검출기(들) 및 그에 결합된 임의의 광학 요소)을 광학 시스템의 조명 빔 경로 밖에 배치하면, 조명 빔이 흐려지는 것(obscuration)을 방지하고 표본에서 조명 프로파일의 왜곡을 줄인다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 또한 광학 시스템의 에텐듀 내에서 검사에 사용할 수 있는 전체 광자 플럭스를 증가시킨다. 또한, 본 명세서에 설명된 실시 예는 동일한 센서가 광원을 모니터링하고 제어하는 데 사용될 수 있기 때문에 필요한 모니터링 센서의 수를 감소시킨다. 더욱이, 본 명세서에 설명된 실시 예는 EUV 마스크 검사 및 본 명세서에 설명된 다른 시스템의 성능을 최적화할 수 있다.
일 실시 예에서, 표본은 레티클이다. 레티클은 VUV 리소그래피 공정, EUV 리소그래피 공정, 또는 소프트 x-레이 리소그래피 공정에서 사용하도록 구성된 임의의 레티클을 포함하는 반도체 분야에 공지된 임의의 레티클을 포함할 수 있다. 레티클은 또한 190 nm 미만의 파장에서 본 명세서에 설명된 공정(예를 들어, 검사, 계측, 결함 리뷰) 중 하나를 수행하는 데 약간의 이점이 있는 경우 또 다른 리소그래피 공정(예를 들어, 193 nm 리소그래피)에 사용하기 위한 레티클일 수 있다. 다른 실시 예에서, 표본은 웨이퍼이다. 웨이퍼는 반도체 분야에 공지된 임의의 웨이퍼를 포함할 수 있다. 일부 실시 예는 레티클과 관련하여 본 명세서에서 설명될 수 있지만, 실시 예는 그들이 사용될 수 있는 표본에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 실시 예는 평판, 개인용 컴퓨터(PC) 보드 및 기타 반도체 표본과 같은 표본에 사용될 수 있다.
일 실시 예에서, 광학 시스템은 검사 시스템으로서 구성된다. 예를 들어, 광학 시스템은 표본 상의 결함을 검출하는 데 적합한 출력을 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 실시 예에서, 도 1에 도시된 컴퓨터 서브시스템(126)은 제2 검출기(들)(124)에 의해 생성된 출력에 결함 검출 방법을 적용함으로써 표본(120) 상의 결함을 검출하도록 구성될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(126)은 제2 검출기(들)에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록 본 명세서에 추가로 설명된 제2 검출기(들)(124)에 결합될 수 있다. 표본 상의 결함 검출은 임의의 적절한 결함 검출 방법 및/또는 알고리즘으로 당업계에 공지된 임의의 적절한 방식(예를 들어, 결함 검출 임계값을 출력에 적용하고 임계값을 초과하는 값을 갖는 임의의 출력이 결함(또는 잠재적 결함)에 대응한다고 결정함)으로 수행될 수 있다. 검사 중인 표본이 레티클이라면, 레티클을 조명하는 데 사용되는 광의 파장(들)은 리소그래피 공정에서 레티클이 사용될 광의 파장(들)과 동일할 수 있다. 다시 말해서, 검사 시스템은 비-화학선(non-actinic) 레티클 검사를 위해 추가적으로 또는 대안적으로 구성될 수 있지만, 화학선 레티클 검사 시스템으로서 구성될 수 있다. 광학 시스템이 검사를 위해 구성된 실시 예에서, 실시 예는 2010년 7월 1일 발행된 Sewell 등에 의한 미국 특허 출원 공개 번호 2010/0165310, 2015년 7월 9일 발행된 Kvamme에 의한 2015/0192459, 2015년 9월 10일 발행된 Terasawa 등에 의한 2015/0253658. 및 2019년 10월 31일 발행된 Ebstein에 의한 2019/0331611에 설명된 바와 같이 추가로 구성될 수 있고, 이들은 마치 본 명세서에 완전히 설명된 것처럼 참조로 통합된다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 이러한 간행물에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다.
또 다른 실시 예에서, 광학 시스템은 계측 시스템으로서 구성된다. 추가 실시 예에서, 광학 시스템은 결함 리뷰 시스템으로서 구성된다. 특히, 본 명세서에 설명되고 도 1 및 도 4에 도시된 시스템의 실시 예는 사용될 애플리케이션에 따라 상이한 이미징 능력을 제공하기 위해 하나 이상의 파라미터에서 수정될 수 있다. 하나의 그러한 예에서, 도 1에 도시된 광학 시스템은 검사보다는 계측에 사용되는 경우 더 높은 해상도를 갖도록 구성될 수 있다. 다시 말해서, 도 1 및 도 4에 도시된 광학 시스템의 실시 예는 상이한 애플리케이션에 다소 적합한 상이한 이미징 능력을 갖는 시스템을 생성하기 위해 당업자에게 명백할 다수의 방식으로 맞춤화될 수 있는 광학 시스템에 대한 어떤 일반적이고 다양한 구성을 설명한다.
이러한 방식으로, 광학 시스템은 결함 리뷰 시스템의 경우 표본 상의 결함을 재검출하고 계측 시스템의 경우 표본의 하나 이상의 특성을 측정하기에 적합한 출력을 생성하도록 구성될 수 있다. 결함 리뷰 시스템 실시 예에서, 도 1에 도시된 컴퓨터 서브시스템(126)은 제2 검출기(들)(124)에 의해 생성된 출력에 결함 재검출 방법을 적용하고 가능하면 제2 검출기(들)에 의해 생성된 출력을 사용하여 재검출된 결함에 대해 추가 정보를 결정함으로써 표본(120) 상의 결함을 재검출하도록 구성될 수 있다. 계측 시스템 실시 예에서, 도 1에 도시된 컴퓨터 서브시스템(126)은 제2 검출기(들)에 의해 생성된 출력을 사용하여 표본(120)의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성될 수 있다. 두 경우 모두에서, 컴퓨터 서브시스템(126)은 제2 검출기(들)에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록 본 명세서에 추가로 설명되는 바와 같이 제2 검출기(들)(124)에 결합될 수 있다.
결함 리뷰는 일반적으로 검사 공정에 의해 그 자체로 검출된 결함을 재검출하고, 예를 들어 고배율 모드에서 본 명세서에 설명된 광학 시스템을 사용하여 더 높은 해상도에서 결함에 관한 추가 정보를 생성하는 것을 포함한다. 따라서 결함 리뷰는 검사에 의해 결함이 검출된 표본 상의 개별 위치에서 수행된다. 결함 리뷰에 의해 생성된 결함에 대한 더 높은 해상도의 데이터는 일반적으로 프로파일, 거칠기, 보다 정확한 크기 정보 등과 같은 결함의 속성을 결정하는 데 더 적합하다. 컴퓨터 서브시스템(126)은 당업계에 공지된 임의의 적합한 방식으로 표본 상의 결함에 대한 그러한 정보를 결정하도록 구성될 수 있다.
계측 공정은 공정을 모니터링하고 제어하기 위해 반도체 제조 공정 중 다양한 단계들에서 사용된다. 계측 공정은 표본 상에서 결함이 검출되는 검사 공정과 달리 현재 사용되는 검사 툴을 사용하여 결정될 수 없는 표본의 하나 이상의 특성을 측정하는 데 계측 공정이 사용된다는 점에서 검사 공정과 상이하다. 예를 들어, 계측 공정은 공정의 성능이 하나 이상의 특성으로부터 결정될 수 있도록 공정 동안 표본 상에 형성된 피처의 치수(예를 들어, 선 폭, 두께 등)와 같은 표본의 하나 이상의 특성을 측정하는 데 사용된다. 또한, 표본의 하나 이상의 특성이 허용될 수 없다면(예를 들어, 특성(들)에 대해 미리 결정된 범위를 벗어난다면), 공정에 의해 제조된 추가 표본이 허용 가능한 특성(들)을 갖도록 표본의 하나 이상의 특성 측정을 사용하여 공정의 하나 이상의 파라미터를 변경할 수 있다.
계측 공정은 검사에 의해 검출된 결함을 결함 리뷰에서 다시 방문하는 결함 리뷰 공정과 달리 결함이 검출되지 않은 위치에서 계측 공정을 수행할 수 있다는 점에서 결함 리뷰 공정과도 상이하다. 다시 말해서, 결함 리뷰와 달리 표본 상에서 계측 공정이 수행되는 위치는 표본에 대해 수행된 검사 공정의 결과와 무관할 수 있다. 특히, 계측 공정이 수행되는 위치는 검사 결과와 독립적으로 선택될 수 있다. 또한, 계측이 수행되는 표본 상의 위치가 검사 결과와 독립적으로 선택될 수 있기 때문에, 결함 리뷰가 수행되어야 하는 표본 상의 위치가 표본에 대한 검사 결과가 생성되어 사용 가능하게 될 때까지 결정될 수 없는 결함 리뷰와 달리, 계측 공정이 수행되는 위치가 검사 공정이 표본에 대해 수행되기 전에 결정될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(126)은 당업계에 알려진 임의의 적절한 방식으로 표본에 대한 임의의 적절한 특성을 결정하도록 구성될 수 있다.
추가 실시 예에서, 광학 시스템은 리소그래피 툴로서 구성된다. 리소그래피에서 기준 보정(reference correction)은 본 명세서에 설명된 다른 광학 시스템에서와 동일한 형태로 존재하지 않는다. 그러나 리소그래피에서는 웨이퍼/포토레지스트에서 노광 도즈(및 균일성)를 예측하고 제어할 필요성이 또한 있으며, 이는 일반적으로 "도즈 제어(dose control)"라고 지칭될 수 있다. 도즈 제어를 위해 사용될 수 있는 데이터는 본 명세서에 설명된 실시 예를 사용하여 얻을 수 있다.
광학 시스템이 리소그래피 툴로서 구성된 실시 예에서, 표본(120)은 레티클 또는 마스크일 수 있고, 리소그래피 공정에서 패터닝되고 있는 웨이퍼 또는 다른 표본은 도 1에 도시된 제2 검출기(들)(124)의 위치에 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 일반적인 사용에서 리소그래피 툴은 제2 검출기(들)를 포함하지 않을 수 있지만 해당 위치에 표본을 포함할 것이다. 다시 말해서, 광학 시스템이 리소그래피 툴로서 구성되는 시스템의 실시 예에서, 도 1에 도시된 요소(124)는 본 명세서에 설명된 하나 이상의 제2 검출기보다 패터닝되고 있는 표본일 것이다.
일부 리소그래피 툴에서, 하나 이상의 검출기는 레티클 또는 마스크의 정렬, 리소그래피 툴 광학 기기의 정렬, 레티클 또는 마스크에 패터닝되고 있는 표본의 정렬, 광원 또는 다른 리소그래피 툴 광학 요소의 모니터링, 광원 또는 다른 리소그래피 툴 광학 기기의 제어 등과 같은 하나 이상의 기능을 위해 패터닝되고 있는 표본의 평면에 배치될 수 있다. 일부 이러한 툴에서, 패터닝되고 있는 표본은 본 명세서에 기술된 하나 이상의 제2 검출기(들)와 같은 하나 이상의 검출기로 대체될 수 있거나, 그러한 검출기(들)는 패터닝되고 있는 표본을 지지하고 이동시키는 스테이지(미도시)와 같은 리소그래피 툴의 하나 이상의 요소에 결합될 수 있다.
이러한 툴에서, 본 명세서에 설명된 기준 보정 및 제어 시스템(예를 들어, 본 명세서에 설명된 하나 이상의 제1 검출기 및 제어 서브시스템)은 이러한 다른 제어 서브시스템과 조합하여 사용될 수 있고, 이러한 다른 제어 서브시스템 내에 통합될 수 있으며, 이러한 다른 제어 서브시스템 등을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 본 명세서에 설명된 실시 예는 추가적인 광학 시스템 모니터링 및 제어를 제공하기 위해 리소그래피 툴의 임의의 기존 제어 서브시스템과 함께 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 본 명세서에 설명된 실시 예는 네덜란드 펠트호번 소재 ASML 네덜란드 B.V.에서 상업적으로 입수 가능한 것과 같은 기존 리소그래피 툴 및 2016년 11월 3일 공개된 Lu 등에 의한 미국 특허출원 공개 번호 2016/0320708, 2020년 4월 2일에 공개된 Tong 등에 의한 미국 특허출원 공개 번호 2020/0107428, 2020년 4월 16일 공개된 Liu 등에 의한 미국 특허출원 공개 번호 2020/0117102, 2020년 4월 23일 공개된 Nijmeijer 등에 의한 미국 특허출원 공개 번호 2020/0124995, 및 2020년 5월 7일 공개된 Staals 등에 의한 미국 특허출원 공개 번호 2020/0142324에 설명된 툴 내에 통합될 수 있고, 이들은 마치 본 명세서에 완전히 설명된 것처럼 참조로 포함된다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 이러한 간행물에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다.
본 명세서에 설명된 임의의 시스템 실시 예에서, 도 1에 도시된 컴퓨터 서브시스템(126)은 가능하게는 컴퓨터 서브시스템에 의해 생성된 임의의 다른 출력과 함께 제2 출력에 기초하여 적어도 표본에 대해 결정된 정보를 포함하는 결과를 생성하도록 구성될 수 있다. 결과는 임의의 적절한 포맷을 가질 수 있다(예를 들어, 캘리포니아주 밀피타스 소재 KLA Corp.에서 상업적으로 이용 가능한 툴에 의해 사용되는 독점 파일 포맷인 KLARF 파일, KLA에서 상업적으로 이용 가능한 툴인 클래리티(Klarity)에 의해 생성된 결과 파일, 로트(lot) 결과 등). 또한, 본 명세서에 설명된 모든 실시 예는 실시 예의 하나 이상의 단계의 결과를 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장하도록 구성될 수 있다. 결과는 본 명세서에 기재된 임의의 결과를 포함할 수 있고 당업계에 공지된 임의의 방식으로 저장될 수 있다. 저장 매체는 본 명세서에 기재된 임의의 저장 매체 또는 당업계에 공지된 임의의 다른 적합한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과가 저장된 후, 결과는 저장 매체에서 액세스될 수 있고 본 명세서에 설명된 방법 또는 시스템 실시 예 중 임의의 것에 의해 사용될 수 있고, 사용자에게 디스플레이하기 위해 포맷되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 의해 사용되어, 표본 또는 다른 표본에 대해 하나 이상의 기능을 수행할 수 있다.
이러한 기능은 피드백, 피드포워드, 현장(in-situ) 방식 등으로 표본에 수행되었거나 수행될 제조 공정 또는 단계와 같은 공정 변경을 포함하지만 이에 국한되지는 않는다. 예를 들어, 컴퓨터 서브시스템은 검출된 결함(들) 및/또는 기타 결정된 정보를 기반으로 표본에 대해 수행되었거나 수행될 공정에 대한 하나 이상의 변화를 결정하도록 구성될 수 있다. 공정에 대한 변화는 공정의 하나 이상의 파라미터에 대한 임의의 적절한 변화를 포함할 수 있다. 예를 들어, 결정된 정보가 표본 상에서 검출된 결함이라면, 컴퓨터 서브시스템은 수정된 공정이 수행되는 다른 표본 상의 결함이 감소되거나 방지될 수 있고, 표본에 대해 수행되는 다른 공정에서 표본 상의 결함이 보정되거나 제거될 수 있고, 표본에 대해 수행되는 다른 공정에서 결함이 보상될 수 있도록, 그러한 변화를 결정하는 것이 바람직하다. 컴퓨터 서브시스템은 당업계에 알려진 임의의 적절한 방식으로 이러한 변화를 결정할 수 있다.
그런 다음 이러한 변화는 컴퓨터 서브시스템 및 반도체 제조 시스템 모두에 액세스 가능한 반도체 제조 시스템(미도시) 또는 저장 매체(도 1에 미도시)로 전송될 수 있다. 반도체 제조 시스템은 본 명세서에 설명된 시스템 실시 예의 일부일 수도 있고 아닐 수도 있다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 시스템은 예를 들어 하우징, 전원 공급 장치, 표본 처리 디바이스 또는 메커니즘 등과 같은 하나 이상의 공통 요소를 통해 반도체 제조 시스템에 결합될 수 있다. 반도체 제조 시스템은 리소그래피 툴, 에칭 툴, 화학-기계적 연마(CMP) 툴, 증착 툴 등과 같은 당업계에 공지된 임의의 반도체 제조 시스템을 포함할 수 있다.
다른 실시 예는 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성되는 시스템에 관한 것이다. 시스템은 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 생성하도록 구성된 광원, 예를 들어 도 1에 도시된 광원(100)을 포함한다. 시스템은 또한 하나 이상의 제1 각도, 예를 들어 도 1에 도시된 θ1에서 광원으로부터 방출된 광을 검출하고 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 제1 검출기, 예를 들어 도 1에 도시된 제1 검출기(들)(106)를 포함한다. 또한, 시스템은 하나 이상의 제1 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제2 각도, 예를 들어 도 1에 도시된 θ2에서 광원으로부터 방출된 광을 수집하고, 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광을 표본, 예를 들어 도 1에 도시된 표본(120)으로 지향시키고, 표본으로부터의 광에 응답하여 제2 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 제2 검출기, 예를 들어 도 1에 도시된 제2 검출기(들)(124)로 표본으로부터의 광을 지향시키도록 구성된 하나 이상의 제2 광학 요소, 예를 들어 도 1에 도시된 제2 광학 요소(들)(112, 118, 122)를 포함한다.
시스템은 제2 출력에 기초하여 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성된 컴퓨터 서브시스템, 예를 들어 도 1에 도시된 컴퓨터 서브시스템(126)을 더 포함한다. 시스템은 또한 제1 출력에 기초하여 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광의 경로 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하고, 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 정보를 결정하기 위하여 광원의 하나 이상의 파라미터, 하나 이상의 제2 광학 요소의 하나 이상의 파라미터, 하나 이상의 제2 검출기의 하나 이상의 파라미터, 및 컴퓨터 서브시스템에 의해 사용되는 하나 이상의 파라미터 중 적어도 하나를 변경하도록 구성된 제어 서브시스템, 예를 들어 도 1에 도시된 제어 서브시스템(110)을 포함한다. 시스템의 이 실시 예는 또한 본 명세서에 설명된 대로 추가로 구성될 수 있다.
위에서 설명된 시스템의 실시 예 각각은 본 명세서에 설명된 임의의 다른 실시 예(들)에 따라 추가로 구성될 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시 예는 또한 Wack 등의 미국 특허 번호 8,842,272 및 Wald 등의 미국 특허 번호 9,671,548에 설명된 대로 구성될 수 있으며, 이는 본 명세서에 완전히 기술된 것처럼 참조로 포함된다.
다른 실시 예는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 관한 것이다. 방법은 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하는 하나 이상의 제1 검출기로 하나 이상의 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 제1 각도는 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도와 상호 배타적이다. 방법은 또한 제1 출력에 기초하여 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하는 단계를 포함한다.
방법의 각 단계는 본 명세서에 추가로 기술된 바와 같이 수행될 수 있다. 방법은 또한 본 명세서에 설명된 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수 있다. 방법의 단계는 본 명세서에 설명된 시스템에 의해 수행될 수 있으며, 이는 본 명세서에 설명된 임의의 실시 예에 따라 구성될 수 있다.
추가적인 실시 예는 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 그러한 일 실시 예가 도 5에 도시되어 있다. 특히, 도 5에 도시된 바와 같이, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체(500)는 컴퓨터 시스템(504) 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들(502)을 포함한다. 컴퓨터 구현 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 명세서에 설명된 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어들(502)은 컴퓨터 판독 가능 매체(500)에 저장될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능 매체는 자기 또는 광 디스크, 자기 테이프, 또는 당업계에 알려진 임의의 다른 적절한 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체와 같은 저장 매체일 수 있다.
프로그램 명령어들은 무엇보다도 절차 기반 기법, 컴포넌트 기반 기법 및/또는 객체 지향 기법을 포함하는 임의의 다양한 방식으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 프로그램 명령어들은 원하는 대로 ActiveX 컨트롤, C++ 객체, JavaBeans, MFC(Microsoft Foundation Classes), SSE(Streaming SIMD Extension) 또는 기타 기술이나 방법론을 사용하여 구현될 수 있다.
컴퓨터 시스템(504)은 본 명세서에 설명된 실시 예들 중 임의의 것에 따라 구성될 수 있다.
본 발명의 다양한 측면의 추가적인 수정 및 대안적인 실시 예는 이 설명을 고려하여 당업자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 따라서, 이 설명은 단지 예시적인 것으로 해석되어야 하며 본 발명을 수행하는 일반적인 방식을 당업자에게 교시할 목적을 위한 것이다. 본 명세서에 도시되고 설명된 본 발명의 형태는 현재 선호되는 실시 예로 간주되어야 함을 이해해야 한다. 요소 및 재료는 본 명세서에 예시되고 설명된 것을 대체할 수 있고, 부품 및 공정은 역전될 수 있으며, 본 발명의 특정 특징은 독립적으로 활용될 수 있으며, 이는 모두 본 발명의 이 설명의 이점을 얻은 후 당업자에게 명백할 것이다. 다음 청구범위에 기술된 바와 같은 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않고 본 명세서에 기술된 요소에 변화가 이루어질 수 있다.

Claims (27)

  1. 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템에 있어서,
    표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제1 각도에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하고, 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성되는 상기 하나 이상의 제1 검출기; 및
    상기 제1 출력에 기초하여 상기 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 상기 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 제어 서브시스템
    을 포함하는, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광원과 상기 하나 이상의 제1 검출기 사이의 광의 광 경로는 상기 광원과 상기 표본 사이의 광의 광 경로와 공간적으로 일치하지 않는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광원은 상기 하나 이상의 제1 각도 및 상기 하나 이상의 제2 각도에서 동시에 광을 방출하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 검출기는 또한, 상기 광학 시스템이 상기 표본의 조명을 위해 상기 하나 이상의 제2 각도에서 상기 광을 수집하고 상기 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광을 상기 표본으로 지향시키는 동안, 상기 하나 이상의 제1 각도에서 광을 검출하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 각도 및 상기 하나 이상의 제2 각도는 상기 광원의 대칭축에 대해 거울 대칭을 갖는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 각도 및 상기 하나 이상의 제2 각도는 상기 광원의 대칭축에 대해 거울 대칭을 갖지 않는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 각도 및 상기 하나 이상의 제2 각도를 상호 배제한 하나 이상의 추가적인 제1 각도에서 상기 광원으로부터 방출된 광을 검출하고, 하나 이상의 추가적인 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 추가적인 제1 출력을 생성하도록 구성되는 상기 하나 이상의 추가적인 제1 검출기를 더 포함하고, 상기 제어 서브시스템은 또한 상기 제1 출력 및 상기 추가적인 제1 출력에 기초하여 상기 하나 이상의 평면에서 상기 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제1 검출기는 하나 이상의 2차원 검출기를 포함하는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제어 서브시스템은 또한, 단층 촬영 기법 및 상기 광학 시스템의 광학 모델을 사용하여 상기 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 특성은 상기 표본에서 조명 필드 내의 공간 입사 강도 분포를 포함하는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 특성을 결정하는 것은 상기 광원의 3차원 공간 입사 강도 분포를 결정하는 것 및 상기 3차원 공간 입사 강도 분포로부터 상기 표본에서 상기 하나 이상의 특성을 결정하는 것을 포함하는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 특성은 하나 이상의 공간 및 시간 특성을 포함하는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제어 서브시스템은 또한, 상기 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 상기 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제어 서브시스템은 또한, 상기 결정된 하나 이상의 특성을 상기 광학 시스템의 컴퓨터 서브시스템에 출력하도록 구성되고, 상기 컴퓨터 서브시스템은 상기 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 상기 광학 시스템의 하나 이상의 파라미터를 변경하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 제2 각도에서 수집되고 상기 광학 시스템에 의해 상기 표본으로 지향되는 광을 검출하도록 구성된 하나 이상의 교정 검출기를 더 포함하고, 상기 제어 서브시스템은 또한, 상기 하나 이상의 교정 검출기에 의해 검출된 광에 기초하여 상기 하나 이상의 제1 검출기의 출력을 교정하도록 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 광은 극자외선 광인 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 광은 진공 자외선 광인 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 광은 소프트 x-레이인 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 표본은 레티클인 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 표본은 웨이퍼인 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 검사 시스템으로서 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 계측 시스템으로서 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 결함 리뷰 시스템으로서 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 리소그래피 툴로서 구성되는 것인, 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하도록 구성되는 시스템.
  25. 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성되는 시스템에 있어서,
    190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 생성하도록 구성되는 광원;
    하나 이상의 제1 각도에서 상기 광원으로부터 방출된 광을 검출하고 하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하도록 구성되는 상기 하나 이상의 제1 검출기;
    상기 하나 이상의 제1 각도를 상호 배제한 하나 이상의 제2 각도에서 상기 광원으로부터 방출된 광을 수집하고, 상기 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광을 표본으로 지향시키며, 상기 표본으로부터의 광에 응답하여 제2 출력을 생성하도록 구성된 하나 이상의 제2 검출기로 상기 표본으로부터의 광을 지향시키도록 구성되는 하나 이상의 제2 광학 요소;
    상기 제2 출력에 기초하여 상기 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성되는 컴퓨터 서브시스템; 및
    상기 제1 출력에 기초하여 상기 하나 이상의 제2 각도에서 수집된 광의 경로내의 하나 이상의 평면에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하고, 상기 결정된 하나 이상의 특성에 기초하여 상기 정보를 결정하기 위하여 상기 광원의 하나 이상의 파라미터, 상기 하나 이상의 제2 광학 요소의 하나 이상의 파라미터, 상기 하나 이상의 제2 검출기의 하나 이상의 파라미터, 및 상기 컴퓨터 서브시스템에 의해 사용되는 하나 이상의 파라미터 중 적어도 하나를 변경하도록 구성되는 제어 서브시스템
    을 포함하는, 표본에 대한 정보를 결정하도록 구성되는 시스템
  26. 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 있어서, 상기 컴퓨터 구현 방법은:
    하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하는 하나 이상의 제1 검출기로 하나 이상의 제1 각도 - 상기 하나 이상의 제1 각도는 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도와 상호 배타적임 - 에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하는 단계; 및
    상기 제1 출력에 기초하여 상기 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 상기 광의 하나 이상의 특성을 결정하는 단계
    를 포함하는 것인, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체.
  27. 광학 시스템에서 광의 하나 이상의 특성을 결정하기 위한 컴퓨터 구현 방법에 있어서,
    하나 이상의 제1 검출기에 의해 검출된 광에 응답하여 제1 출력을 생성하는 하나 이상의 제1 검출기로 하나 이상의 제1 각도 - 상기 하나 이상의 제1 각도는 표본의 조명을 위해 광학 시스템에 의해 광원으로부터 광이 수집되는 하나 이상의 제2 각도와 상호 배타적임 - 에서 광원으로부터 방출된 190 nm보다 짧은 하나 이상의 파장을 갖는 광을 검출하는 단계; 및
    상기 제1 출력에 기초하여 상기 광학 시스템 내의 하나 이상의 평면에서 상기 광의 하나 이상의 특성을 결정하는 단계
    를 포함하는, 컴퓨터 구현 방법.
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