TW201917180A - 高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法 - Google Patents

Abstract

一種低成本與高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，能夠在低溫或高溫空氣中燒結，藉由卑金屬鋁有最高還原電位，銅其次，貴金屬銀則有較低低還原電位，使金屬鋁粉表面包覆大約幾十奈米至幾微米厚度之銅顆粒，使其導電率提高，另外也可以再藉由銀還原銅顆粒覆膜在鋁顆粒之表面，使金屬鋁粉表面包覆大約幾十奈米至幾微米厚度之銀顆粒，得到高導電率之銀包鋁粉體，如果為奈米銀包鋁，則其燒結溫度可降低至350°C左右；藉此，本發明可以取代PCB電鍍銅電極克服需要黃光顯影昂貴製程與電鍍液污染問題，並可以取代太陽能基板、LED基板、被動元件基板使用網版印刷（screen printing）金屬銀電極材料昂貴或是網版印刷金屬銅電極需要還原氣氛下製程昂貴等問題，進而達到大幅降低材料成本並能有效應用於PCB基板或陶瓷基板。

Description

高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法

本發明係有關於一種高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，尤指涉及一種卑金屬電極厚膜材料，特別係指以銀或銅覆膜鋁顆粒可以在空氣中與低溫下燒結仍可以得到高導電率之卑金屬導電膏為目標者。

金屬導電率最佳為銀，其次為銅、金及鋁；然而銀的價格較銅為高，排名第三的金價格也比銀、銅更高，因此取前兩名之金屬─銀與銅來做為導線材料最適合。銅導體係十多年較受歡迎之材料，由於銅具有低成本、低電阻率、與基板有良好黏著性、優異的焊接熔蝕抵抗能力、低擴散性、及高抗電致遷移性等性質。惟銅具有很強之氧化位能，在製備及應用過程中易發生氧化，使其導電性能降低，故需在氧氣分壓低於10ppm之氮氣下製備，且銅電極導電率會隨著燒結（sintering）溫度升高而增加。 表一說明了兩種高低溫燒結之金屬銀、銅導體厚膜膏特性與應用。對一般厚膜卑金屬銅膏而言，不管燒結溫度高低，金屬銅顆粒在空氣中容易發生氧化，所以必須在還原氣氛下燒結來避免銅氧化問題，且要高燒結溫度下燒結才可以得到高導電率，雖然一般厚膜銀膏可以在空氣下燒結得到高導電率，但是銀屬於貴金屬價格昂貴且不穩定。若以低溫燒結銅膏或銀膏（paste），則因含部份不導電樹酯而有導致其導電率大幅降低之缺點。 表一 由於銀是貴金屬，以貴金屬銀粉為主要導體材料，導致材料成本昂貴，容易受價格起伏不定的影響，為了降低材料成本所以選擇卑金屬銅為材料，但銅膏如果需要在還原氣氛下燒結勢必增加製程之成本，而且低溫燒結銅膏或銀膏係利用高分子樹脂連結更導致導電性不高之缺點；再退而求其次選擇排名第四的鋁，鋁雖然材料成本較低並且屬於高導電金屬，然而鋁金屬容易在表面形成一層薄的氧化鋁來避免鋁金屬進一步再氧化，而這也導致厚膜鋁膏因金屬鋁球表面之氧化層影響金屬鋁球與鋁球之接觸，所以厚膜鋁膏導電率遠低於一般厚膜銀膏或是銅膏。故，ㄧ般習用者係無法符合使用者於實際使用時改善厚膜金屬鋁膏導電性之所需。

本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提供一種以銀或銅覆膜鋁顆粒可以在空氣中與低溫下燒結仍可以得到高導電率之卑金屬導電膏為目標之高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法。 本發明之次要目的係在於，提供一種能夠在低溫或高溫空氣中燒結，藉由卑金屬鋁有最高還原電位，銅其次，貴金屬銀則有較低低還原電位，使金屬鋁粉表面包覆大約幾十奈米至幾微米厚度之銅顆粒，使其導電率提高，另外也可以再藉由銀還原銅顆粒覆膜在鋁顆粒之表面，使金屬鋁粉表面包覆大約幾十奈米至幾微米厚度之銀顆粒，得到高導電率之銀包鋁粉體，如果為奈米銀包鋁，則其燒結溫度可降低至350°C左右，可大幅降低材料成本並適用於PCB基板或陶瓷基板之低成本與高導電率之卑金屬厚膜導電膏之製備方法。 為達以上之目的，本發明係一種高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，在一銅包鋁粉實施例中，其至少包含下列步驟：（Ａ）將一金屬銅粉溶解成金屬銅溶液；（Ｂ）將一前處理後金屬鋁粉與該金屬銅溶液混合形成第一金屬混合溶液，並在該第一金屬混合溶液中進行化學置換反應（Displacement Reaction），使該金屬銅所游離之銅離子往該被前處理金屬鋁粉表面移動，而在該被前處理金屬鋁粉表面上形成一銅層，其中該銅層之包覆厚度介於幾十奈米至幾微米之間；（Ｃ）將該第一金屬混合溶液過濾乾燥後，取得銅包鋁粉末；以及（Ｄ）將該銅包鋁粉末在空氣中進行燒結，獲得銅包鋁厚膜膏。 於本發明上述實施例中，該步驟（Ｄ）係在一低溫環境下完成燒結，該低溫環境係小於220°C。 於本發明上述實施例中，該銅包鋁厚膜膏係由黏結劑、銅包鋁粉末及添加物所組成，且該黏結劑為高分子樹脂，而該添加物係為分散劑或流變調整劑。 於本發明上述實施例中，該銅包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-5 W·cm。 於本發明上述實施例中，該銅包鋁厚膜膏適用於膜片開關（Membrane Switch）、觸控面板（Touch Panel）、及無線射頻識別（Radio Frequency Identification, RFID）。 於本發明上述實施例中，該步驟（Ｄ）係在一高溫環境下完成燒結，該高溫環境為係小於600°C。 於本發明上述實施例中，該銅包鋁厚膜膏係由銅包鋁粉末、添加物及玻璃（Frit）所組成，且該添加物係為分散劑或流變調整劑。 於本發明上述實施例中，該銅包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-6 W·cm。 於本發明上述實施例中，該銅包鋁厚膜膏適用於被動元件、LED散熱基板，及矽基太陽電池。 本發明係一種高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，在一銀包鋁粉實施例中，其至少包含下列步驟：（Ａ１）將上述所提之銅包鋁粉末蝕洗；（Ｂ１）將被蝕洗銅包鋁粉末溶解於乙二醇中形成銅包鋁粉溶液，另將一金屬銀粉溶解於乙二醇中形成金屬銀溶液；（Ｃ１）將該銅包鋁粉溶液與該金屬銀溶液混合形成第二金屬混合溶液，並在該第二金屬混合溶液中進行化學置換反應，使該金屬銀所游離之銀離子往該被蝕洗銅包鋁粉末表面移動，並還原成微米或奈米銀之型態而在該被蝕洗銅包鋁粉末表面上形成一層微米或奈米銀，其中該微米或奈米銀之包覆厚度介於幾十奈米至幾微米之間；（Ｄ１）將該第二金屬混合溶液過濾乾燥後，取得微米或奈米銀包鋁粉末；以及（Ｅ１）將該微米或奈米銀包鋁粉末在空氣中進行燒結，獲得微米或奈米銀包鋁厚膜膏。 於本發明上述實施例中，該步驟（Ｅ１）係在一低溫環境下完成燒結，該低溫環境係小於300°C。 於本發明上述實施例中，該微米銀包鋁厚膜膏係由黏結劑、銀包鋁粉末及添加物所組成，且該黏結劑為高分子樹脂，而該添加物係為分散劑或流變調整劑。 於本發明上述實施例中，該奈米銀包鋁厚膜膏係由銀包鋁粉末及添加物所組成，且以覆膜之奈米銀作為黏結劑，而該添加物係為分散劑或流變調整劑。 於本發明上述實施例中，該微米銀包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-5 W·cm；該奈米銀包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-6 W·cm。 於本發明上述實施例中，該微米銀包鋁厚膜膏適用於膜片開關（Membrane Switch）、觸控面板（Touch Panel）、及無線射頻識別（Radio Frequency Identification, RFID）；該奈米銀包鋁厚膜膏適用於高功率印刷電路板、被動元件、LED散熱基板，及矽基太陽電池。 於本發明上述實施例中，該步驟（Ｅ１）係在一高溫環境下完成燒結，該高溫環境為係小於600°C。 於本發明上述實施例中，該微米或奈米銀包鋁厚膜膏係由微米或奈米銀包鋁粉末、添加物及玻璃所組成，且該添加物係為分散劑或流變調整劑。 於本發明上述實施例中，該微米或奈米銀包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-6 W·cm。 於本發明上述實施例中，該微米或奈米銀包鋁厚膜膏適用於被動元件 、LED散熱基板，及矽基太陽電池。

請參閱『第１圖～第６圖』所示，係分別為本發明銅包鋁粉體與銀包鋁粉體相較鋁粉體之外觀示意圖、本發明銅包鋁粉與銀包鋁粉相較鋁粉之熱分析圖、本發明銅包鋁粉之製作流程示意圖、本發明之銅包覆金屬鋁粉表面SEM圖、本發明銀包鋁粉之製作流程示意圖、及本發明之銀包覆金屬鋁粉表面SEM圖。如圖所示：本發明係一種高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，係開發以銀或銅覆膜鋁顆粒可以在空氣中與低溫下燒結仍可以得到高導電率之卑金屬導電膏為目標。 為了改善厚膜金屬鋁膏之導電性，本發明係以高導電率之銅或銀覆膜在鋁金屬球表面，如此一來可以避免氧化鋁生成在金屬鋁粉表面，又可以維持覆膜銅或銀之金屬鋁粉之高導電率。鋁粉體、銅包鋁粉體與銀包鋁粉體外觀如第１圖由左至右所示，將這些粉體高壓壓成直徑1公分與厚度3.5mm銀、鋁、銅包鋁與銀包鋁錠，量測其電阻值如表二，明顯地，鋁錠因鋁粉體表面有一層氧化層阻隔金屬鋁粉與鋁粉接觸，所以鋁錠電阻值係銀錠電阻值50～100倍以上。然而經過表面鋁粉覆膜銅膜或銀膜之銅包鋁錠與銀包鋁錠其電阻值與銀錠相當接近。意謂銅包鋁粉或銀包鋁粉彼此之接觸電阻可以大幅改進。 表二 第２圖由左至右分別為金屬鋁粉、銅包鋁粉與銀包鋁粉之重量變化熱分析結果，其中金屬鋁粉因表面有氧化鋁膜保護，雖然溫度持續升高但因氧化反應沒發生所以重量不會變化。另一方面銅包鋁粉，當溫度升高到220°C以上重量升高，意謂氧化反應發生，至於銀包鋁粉，因鋁表面有銀膜在保護，所以隨溫度持續升高氧化反應也不會發生。 本發明所提高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，係利用低成本化學置換法，藉由金屬還原電位依序是鋁（Al）＞鋅（Zn）＞鐵（Fe）＞鎳（Ni）＞錫（Sn）＞鉛（Pb）＞銅（Cu）＞銀（Ag）＞鉑（Pt）＞金（Au）之特性，而在金屬鋁粉外覆膜銅或是銀。 在一銅包鋁粉實施例中，本方法流程如第３圖所示，至少包含下列步驟： 步驟s11，將一金屬銅粉，如硫酸銅粉末２ａ溶解在一溶液２１中混合成硫酸銅溶液２２。接著於步驟s12，將一前處理後金屬鋁粉１與該硫酸銅溶液２２混合形成第一金屬混合溶液３１，並在該第一金屬混合溶液３１中進行化學置換反應（Displacement Reaction），利用鋁金屬活性比銅金屬高之特性，使第一金屬混合溶液３１中之鋁與銅發生置換，鋁顆粒解離進第一金屬混合溶液３１，銅離子析出長在鋁顆粒外表上。本發明在所需置換溫度及時間內進行化學置換反應，使該金屬銅所游離之銅離子往該被前處理金屬鋁粉１表面移動，而在該被前處理金屬鋁粉１表面上形成一銅層２。步驟s13，將該第一金屬混合溶液３１過濾乾燥後，取得銅包鋁粉末３ａ；以及於步驟s14，將該銅包鋁粉末３ａ在空氣中進行燒結，獲得銅包鋁厚膜膏３，其中該銅包鋁厚膜膏３之銅層２之包覆厚度介於幾十奈米至幾微米之間。 於一具體實施例中，本發明利用伽凡尼置換反應製備銅包鋁粉末並可以取代金屬銅粉製作成高溫高導電率或低燒結溫度低導電率之厚膜導電膏，實驗流程如第３圖所示，藉由表面生成之銅層２做為金屬鋁粉１接觸之黏著劑，以降低金屬鋁粉接觸電阻。由第４圖可見，銅層２之包覆厚度大約在200～1000，且在金屬鋁粉１表面均勻包覆。 在一銀包鋁粉實施例中，本方法流程如第５圖所示，至少包含下列步驟： 步驟s21，將上述銅包鋁粉末３ａ蝕洗；並於步驟s22，將被蝕洗銅包鋁粉末３ｂ溶解於乙二醇３２中形成銅包鋁粉溶液３３，另將一金屬銀粉，如硝酸銀粉末４ａ溶解於乙二醇４１中形成硝酸銀溶液４２。接著於步驟s23，將該銅包鋁粉溶液３３與該硝酸銀溶液４２混合形成第二金屬混合溶液５１，並在該第二金屬混合溶液５１中進行化學置換反應，利用銅金屬活性比銀金屬高之特性，使第二金屬混合溶液５１中之銅與銀發生置換，銅顆粒解離進第二金屬混合溶液５１，銀離子析出長在銅包鋁顆粒外表上。本發明在所需置換溫度及時間內進行化學置換反應，使該金屬銀所游離之銀離子往該被蝕洗銅包鋁粉末表面移動，並還原成微米或奈米銀之型態而在該被蝕洗銅包鋁粉末３ｂ表面上形成一層微米或奈米銀４。於步驟s24，將該第二金屬混合溶液５１過濾乾燥後，取得微米或奈米銀包鋁粉末６ａ；以及於步驟s25，將該微米或奈米銀包鋁粉末６ａ在空氣中進行燒結，獲得微米或奈米銀包鋁厚膜膏６，其中該微米或奈米銀４之包覆厚度介於幾十奈米至幾微米之間。 於一具體實施例中，本發明利用伽凡尼置換反應製備銀包鋁粉末並製作成高溫高導電率與低燒結溫度低導電率之導電膏，實驗流程如第５圖所示，藉由表面生成之微米或奈米銀４做為金屬鋁粉１接觸之黏著劑，以降低金屬鋁粉接觸電阻。由第６圖可見，銀之包覆厚度大約在200～1000nm，且在金屬鋁粉１表面均勻包覆。 綜合以上討論，若利用前處理將金屬鋁粉之表面氧化鋁清除，因銅之還原電位低於鋁之特性，再利用化學置換反應把銅析出長在鋁顆粒上 ，就能使以銅包鋁粉製備之導電膏具有以下優點：1.整體之導電率上升、2.內部的鋁不會形成氧化鋁在表面、3.成本比原本只使用銅來的低、4.抗電遷移性佳、5.鋁被銅包覆住後，混合低溫樹脂就能夠取代低溫樹脂銅膏在低溫空氣下燒結。 另一方面，因銀之還原電位低於銅，所以又可以將銅包鋁之金屬球再利用化學置換反應把銀析出在金屬鋁粉表面，形成銀包鋁之金屬球，此銀包鋁粉製備之導電膏具有以下優點：1.整體之導電率上升、2.內部的鋁不會形成氧化鋁在表面、3.成本比原本只使用銀來的低、4.抗電遷移性佳、5.鋁被銀包覆住後，混合低溫樹脂就能夠取代低溫樹脂銀膏在低溫空氣下燒結，混合玻璃就可以在空氣高溫下燒結取代高溫厚膜銀膏。 表三係銅包鋁分別添加樹脂或玻璃做成厚膜銅包鋁膏在低溫空氣下燒結（＜220°C），或高溫在氮氣下燒結之電性特性與應用領域，此銅包鋁粉可以取代市面銅粉來開發厚膜膏低溫導電膏。另一方面，銀包鋁膏分別添加樹酯或玻璃做成厚膜銀包鋁膏在低溫空氣下燒結，或高溫在空氣下燒結之電性特性與應用領域，此銀包鋁粉可以取代市面銀粉來開發厚膜膏低溫導電膏。 表三 如果覆膜的銀在鋁表面為奈米銀，在300°C燒結下，由於覆膜於鋁顆粒之奈米銀融化後當鋁與鋁顆粒之間之黏結劑，使得即使在低溫下燒結其微結構仍非常緻密，此緻密微結構也反應到片電阻值之量測結果 ，在200～350°C持溫15分鐘下奈米銀包鋁有非常低之片電阻值，將此片電阻值轉換成電阻率，其值與目前商業化奈米銀膏之電阻率是相當。這意謂本發明已經成功開發可以在空氣中燒結且擁有高導電率之（微米或奈米）銀包鋁膏，此開發新鋁膏係克服目前低溫銅膏在經由低溫熱處理後之低導電率問題，也因鋁外表包覆微米銀或奈米銀，可以直接在空氣中進行燒結得到與銀膏相當的高導電率。 本發明所提方法將突破造成目前工業界電極材料使用上之一大革命，可以取代印刷電路板（PCB）電鍍銅電極克服需要黃光顯影昂貴製程與電鍍液污染問題，可以取代太陽能基板、LED基板、被動元件基板使用網版印刷（screen printing）金屬銀電極材料昂貴或是網版印刷金屬銅電極需要還原氣氛下製程昂貴之問題。 綜上所述，本發明係一種低成本與高導電率之卑金屬厚膜導電膏之製備方法，能夠在低溫或高溫空氣中燒結，可有效改善習用之種種缺點，藉由卑金屬鋁有最高還原電位，銅其次，貴金屬銀則有較低低還原電位，使金屬鋁粉表面包覆大約幾十奈米至幾微米厚度之銅顆粒，使其導電率提高，另外也可以再藉由銀還原銅顆粒覆膜在鋁顆粒之表面，使金屬鋁粉表面包覆大約幾十奈米至幾微米厚度之銀顆粒，得到高導電率之銀包鋁粉體，如果為奈米銀包鋁，則其燒結溫度可降低至350°C左右，可大幅降低材料成本並適用於PCB基板或陶瓷基板，進而使本發明之産生能更進步、更實用、更符合使用者之所須，確已符合發明專利申請之要件，爰依法提出專利申請。 惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

１‧‧‧金屬鋁粉

２‧‧‧銅層

２ａ‧‧‧硫酸銅粉末

２１‧‧‧溶液

２２‧‧‧硫酸銅溶液

３‧‧‧銅包鋁厚膜膏

３ａ、３ｂ‧‧‧銅包鋁粉末

３１‧‧‧金屬混合溶液

３２‧‧‧乙二醇

３３‧‧‧銅包鋁粉溶液

４‧‧‧微米或奈米銀

４ａ‧‧‧硝酸銀粉末

４１‧‧‧乙二醇

４２‧‧‧硝酸銀溶液

５１‧‧‧第二金屬混合溶液

６‧‧‧銀包鋁厚膜膏

６ａ‧‧‧銀包鋁粉末

s11～s14‧‧‧步驟

s21～s25‧‧‧步驟

第１圖，係本發明銅包鋁粉體與銀包鋁粉體相較鋁粉體之外觀示意圖。　 第２圖，係本發明銅包鋁粉與銀包鋁粉相較鋁粉之熱分析圖。 第３圖，係本發明銅包鋁粉之製作流程示意圖。 第４圖，係本發明之銅包覆金屬鋁粉表面SEM圖。 第５圖，係本發明銀包鋁粉之製作流程示意圖。 第６圖，係本發明之銀包覆金屬鋁粉表面SEM圖。

Claims (19)

1. 一種高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，其至少包含下列步 驟： （Ａ）將一金屬銅粉溶解成金屬銅溶液； （Ｂ）將一前處理後金屬鋁粉與該金屬銅溶液混合形成第一金屬混合溶液，並在該第一金屬混合溶液中進行化學置換反應（Displacement Reaction），使該金屬銅所游離之銅離子往該被前處理金屬鋁粉表面移動，而在該被前處理金屬鋁粉表面上形成一銅層，其中該銅層之包覆厚度介於幾十奈米至幾微米之間； （Ｃ）將該第一金屬混合溶液過濾乾燥後，取得銅包鋁粉末；以及 （Ｄ）將該銅包鋁粉末在空氣中進行燒結，獲得銅包鋁厚膜膏。
2. 依申請專利範圍第１項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備 方法，其中，該步驟（Ｄ）係在一低溫環境下完成燒結，該低溫環境係小於220°C。
3. 依申請專利範圍第１或２項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該銅包鋁厚膜膏係由黏結劑、銅包鋁粉末及添加物所組成，且該黏結劑為高分子樹脂，而該添加物係為分散劑或流變調整劑。
4. 依申請專利範圍第１或２項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該銅包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-5 W·cm。
5. 依申請專利範圍第１或２項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該銅包鋁厚膜膏適用於膜片開關（Membrane Switch）、觸控面板（Touch Panel）、及無線射頻識別（Radio Frequency Identification, RFID）。
6. 依申請專利範圍第１項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備 方法，其中，該步驟（Ｄ）係在一高溫環境下完成燒結，該高溫環境為係小於600°C。
7. 依申請專利範圍第１或６項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該銅包鋁厚膜膏係由銅包鋁粉末、添加物及玻璃（Frit）所組成，且該添加物係為分散劑或流變調整劑。
8. 依申請專利範圍第１或６項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該銅包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-6 W·cm。
9. 依申請專利範圍第１或６項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該銅包鋁厚膜膏適用於被動元件、LED散熱基板，及矽基太陽電池。
10. 一種高導電率卑金屬厚膜導電膏之製備方法，其至少包含下列步 驟： （Ａ１）將申請專利範圍第１項所述之銅包鋁粉末蝕洗； （Ｂ１）將被蝕洗銅包鋁粉末溶解於乙二醇中形成銅包鋁粉溶液，另將一金屬銀粉溶解於乙二醇中形成金屬銀溶液； （Ｃ１）將該銅包鋁粉溶液與該金屬銀溶液混合形成第二金屬混合溶液，並在該第二金屬混合溶液中進行化學置換反應，使該金屬銀所游離之銀離子往該被蝕洗銅包鋁粉末表面移動，並還原成微米或奈米銀之型態而在該被蝕洗銅包鋁粉末表面上形成一層微米或奈米銀，其中該微米或奈米銀之包覆厚度介於幾十奈米至幾微米之間； （Ｄ１）將該第二金屬混合溶液過濾乾燥後，取得微米或奈米銀包鋁粉末；以及 （Ｅ１）將該微米或奈米銀包鋁粉末在空氣中進行燒結，獲得微米或奈米銀包鋁厚膜膏。
11. 依申請專利範圍第１０項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該步驟（Ｅ１）係在一低溫環境下完成燒結，該低溫環境係小於300°C。
12. 依申請專利範圍第１０或１１項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該微米銀包鋁厚膜膏係由黏結劑、銀包鋁粉末及添加物所組成，且該黏結劑為高分子樹脂，而該添加物係為分散劑或流變調整劑。
13. 依申請專利範圍第１０或１１項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該奈米銀包鋁厚膜膏係由銀包鋁粉末及添加物所組成，且以覆膜之奈米銀作為黏結劑，而該添加物係為分散劑或流變調整劑。
14. 依申請專利範圍第１０或１１項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該微米銀包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-5 W·cm；該奈米銀包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-6 W·cm。
15. 依申請專利範圍第１０或１１項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該微米銀包鋁厚膜膏適用於膜片開關（Membrane Switch）、觸控面板（Touch Panel）、及無線射頻識別（Radio Frequency Identification, RFID）；該奈米銀包鋁厚膜膏適用於高功率印刷電路板、被動元件、LED散熱基板，及矽基太陽電池。
16. 依申請專利範圍第１０項所述之高導電率卑金屬厚膜導電膏之 製備方法，其中，該步驟（Ｅ１）係在一高溫環境下完成燒結，該高溫環境為係小於600°C。
17. 依申請專利範圍第１０或１５項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該微米或奈米銀包鋁厚膜膏係由微米或奈米銀包鋁粉末、添加物及玻璃所組成，且該添加物係為分散劑或流變調整劑。
18. 依申請專利範圍第１０或１５項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該微米或奈米銀包鋁厚膜膏之電阻率係小於1x10^-6 W·cm。
19. 依申請專利範圍第１０或１５項所述之高導電率卑金屬厚膜導 電膏之製備方法，其中，該微米或奈米銀包鋁厚膜膏適用於被動元件、LED散熱基板，及矽基太陽電池。