TW201915499A - 包括電容測量電路的半導體設備 - Google Patents

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Abstract

半導體設備可以包括電容測量電路。電容測量電路可以包括被配置為輸出恆定電流的恆定電流電路。電容測量電路可以包括電壓轉換電路，該電壓轉換電路被配置為將恆定電流轉換為檢測電壓，並且補償由於電壓轉換電路的內部洩漏電流引起的檢測電壓的變化。電容測量電路可以包括代碼產生電路，該代碼產生電路被配置為將透過檢測在檢測電壓增加到參考電壓時所經過的時間而獲得的值產生為代碼信號。

Description

包括電容測量電路的半導體設備
各種實施例整體而言關於一種半導體電路，並且更具體地，關於一種包括在半導體設備中的電容測量電路。
半導體設備可以由複數個具有電容的裝置（諸如電晶體和電容器）來構成。
在製造過程中上述裝置的電容偏離目標值的情況下，可能對相應的半導體設備的操作性能產生實質影響。
因此，需要能夠精確測量構成半導體設備的裝置的電容的電路結構。
在一個實施例中，可以提供一種包括電容測量電路的半導體設備。電容測量電路可以包括被配置為輸出恆定電流的恆定電流電路。電容測量電路可以包括電壓轉換電路，該電壓轉換電路被配置為將恆定電流轉換為檢測電壓，並且補償由於電壓轉換電路的內部洩漏電流引起的檢測電壓的變化。電容測量電路可以包括代碼產生電路，該代碼產生電路被配置為將透過檢測在檢測電壓增加到參考電壓時所經過的時間而獲得的值產生為代碼信號。
在一個實施例中，可以提供一種包括電容測量電路和被測裝置的半導體設備。電容測量電路可以包括被配置為產生恆定電流的電流源。電容測量電路可以包括第一開關電路，該第一開關電路被配置為根據測試模式信號來將恆定電流供給到被測裝置，該被測裝置將充電電壓輸出為檢測電壓。電容測量電路可以包括第二開關電路，該第二開關電路被配置為將透過其輸出檢測電壓的節點的電壓位準重置為接地端子的位準。電容測量電路可以包括比較器，該比較器被配置為透過將參考電壓與檢測電壓進行比較來產生比較信號。電容測量電路可以包括計數器，該計數器被配置為透過將比較信號作為振盪信號進行計數來輸出代碼信號。
相關申請案的交叉引用： 本申請案請求於2017年9月19日向韓國智慧財產局提交的申請號為10-2017-0120619的韓國專利申請案的優先權，其透過引用整體併入本文。
各種實施例可以針對包括在半導體設備中的電容測量電路，並且電容測量電路能夠精確地測量包括在半導體設備中的裝置的電容。
作為參考，可以提供包括附加組件的實施例。此外，指示信號或電路的啟動狀態的高位準配置或低位準配置可以根據實施例而改變。此外，可以修改實現相同功能所需的電晶體的配置。即，根據具體情況，PMOS電晶體的配置和NMOS電晶體的配置可以彼此替換。如果需要，可以應用各種電晶體來實現這些配置。
作為參考，可以提供包括附加組件的實施例。此外，指示信號或電路的啟動狀態的高位準配置或低位準配置可以根據實施例而改變。此外，可以修改實現相同功能或操作所需的一個邏輯閘或複數個邏輯閘的配置。即，根據具體情況，一種類型的操作的邏輯閘配置和用於相同類型的操作的另一個邏輯閘配置可以彼此替換。如果需要，可以應用各種邏輯閘來實現這些配置。
此外，信號的邏輯位準可以與所描述的不同或相反。例如，被描述為具有邏輯「高」位準的信號可以可選地具有邏輯「低」位準，而被描述為具有邏輯「低」位準的信號可以可選地具有邏輯「高」位準。
在下文中，下面將參考圖式透過實施例的各種示例來描述包括電容測量電路的半導體設備。
如圖1所示，根據一個實施例的半導體設備1可以包括電容測量電路100、命令處理電路10和被測裝置（device under test, DUT）101。
命令處理電路10可以透過對從外部測試設備2提供的命令CMD進行解碼來產生複數個測試模式信號TM＜1:N＞。
電容測量電路100可以根據複數個測試模式信號TM＜1:N＞來將透過測量被測裝置101的電容而產生的代碼信號COUT提供給測試設備2。
被測裝置101可以是半導體設備1中的各種電路組件中的任意一種，並且例如可以是包括在記憶體單元中的電容器。
如圖2所示，根據一個實施例的電容測量電路100可以包括恆定電流電路200、電壓轉換電路300和代碼產生電路400。
作為用於產生恆定電流（即，直流（DC）電流）的電流源的恆定電流電路200可以根據參考電壓VREF來產生具有不同電流量的複數個電流，可以根據複數個測試模式信號TM＜1:N＞之中的測試模式信號TM＜1:4＞來選擇複數個電流中的一個電流作為恆定電流IOUT，並且可以將恆定電流IOUT輸出到內部或外部。
根據複數個測試模式信號TM＜1:N＞之中的測試模式信號TM＜5:6＞，電壓轉換電路300可以產生根據恆定電流IOUT和被測裝置101的電容而增加的檢測電壓VOUT，並且可以補償內部洩漏電流引起的檢測電壓VOUT的變化。
檢測電壓VOUT可以根據時間和電流來線性增加，並且其斜率可以與恆定電流IOUT成比例而與被測裝置101的電容成反比。
根據複數個測試模式信號TM＜1:N＞之中的測試模式信號TM＜6:8＞，代碼產生電路400可以將透過檢測在檢測電壓VOUT增加到參考電壓VREF並最終等於參考電壓VREF值時所經過的時間而獲得的值產生為代碼信號COUT。
如圖3所示，恆定電流電路200可以包括比較器210、電流鏡220、第一開關電路250和第二開關電路260。
比較器210可以放大並輸出反饋電壓VFB與參考電壓VREF的差值。
根據測試模式信號TM＜1:4＞，電流鏡220可以從根據比較器210的輸出而鏡像的電流I1和電流I2中選擇一個電流，並且將選中的一個電流輸出為恆定電流IOUT。
電流鏡220可以包括第一電晶體221至第三電晶體223以及電阻器R。
第一電晶體221可以具有與電源端子電耦接的源極、與電阻器R電耦接的汲極以及接收比較器210的輸出的閘極。
反饋電壓VFB可以由從第一電晶體221的汲極流過電阻器R的第一電流I1來產生。
第二電晶體222可以具有與電源端子電耦接的源極、與第二開關電路260電耦接的汲極以及接收比較器210的輸出的閘極。
第二電晶體222可以被設計為與第一電晶體221相同，並且可以具有與第一電晶體221相同的電流驅動能力。
因此，與第一電晶體221中的量相同的第一電流I1可以流過第二電晶體222。
第三電晶體223可以具有與電源端子電耦接的源極、與第一開關電路250電耦接的汲極以及接收比較器210的輸出的閘極。
第三電晶體223可以被設計為與第一電晶體221不同，並且可以具有與第一電晶體221不同的電流驅動能力。
因此，與第一電晶體221中的量不同的第二電流I2可以流過第三電晶體223。
根據測試模式信號TM＜1:2＞，第一開關電路250可以將第一電流I1和第二電流I2中的一個電流輸出為恆定電流IOUT。
根據測試模式信號TM＜3:4＞，第二開關電路260可以經由焊盤270將第一電流I1和第二電流I2中的一個電流輸出到半導體設備1的外部。
該實施例示出了配置電流鏡220以將第一電流I1和第二電流I2鏡像的簡單示例，並且可以實現為根據需要來將增加數量的電流鏡像。就此而言，應該注意，配置電流鏡220的電晶體或/和電阻器的數量以及它們之中的電耦接關係可以根據配置的改進而改變。
焊盤270可以是半導體設備1的數據輸入/輸出焊盤（DQ）之中的一個。
圖3所示的恆定電流電路200的操作如下。
首先，儘管根據實施例的電容測量不是必要的，但是為了允許精確地執行電容測量，可以查驗從恆定電流電路200實際提供的電流量是否對應於目標量。
在一個實施例中，在第一開關電路250的所有開關透過使用測試模式信號TM＜1:2＞而被關斷的狀態下，透過使用測試模式信號TM＜3:4＞來導通第二開關電路260的一個開關，第一電流I1和第二電流I2中的一個電流可以經由焊盤270被輸出到測試設備2。
因此，透過使用測試設備2，可以查驗在第一電流I1和第二電流I2之間被選中的任意一個電流的電流量是否對應於目標量。
在上述電流量查驗完成之後，透過使用測試模式信號TM＜3:4＞來關斷第二開關電路260的所有開關並且透過使用測試模式信號TM＜1:2＞來控制第一開關電路250的開關，可以將在第一電流I1和第二電流I2中選中的任意一個電流提供給電壓轉換電路300。
如圖4所示，電壓轉換電路300可以包括第一開關電路310至第三開關電路330。
第一開關電路310可以電耦接在恆定電流IOUT的線（即，用於傳輸恆定電流IOUT的電源線）與被測裝置101之間。
根據測試模式信號TM＜5＞，第一開關電路310可以將恆定電流IOUT充電至被測裝置101。
被測裝置101可以將透過對恆定電流IOUT進行充電而產生的電壓輸出為檢測電壓VOUT。
第二開關電路320可以電耦接在恆定電流IOUT的線與接地端子之間。
根據測試模式信號TM＜6＞，第二開關電路320可以將恆定電流IOUT透過接地端子放電。
第三開關電路330可以電耦接在電源端子與恆定電流IOUT的線之間。
圖4所示的電壓轉換電路300的操作如下。
電壓轉換電路300可以操作為將從圖3的恆定電流電路200供應的恆定電流IOUT轉換成電壓形式，即，檢測電壓VOUT。
在將恆定電流IOUT轉換成檢測電壓VOUT之前，需要將檢測電壓VOUT的節點重置為初始位準（例如，0V）的過程。
透過使用邏輯高的測試模式信號TM＜6＞來導通第二開關電路320，可以將檢測電壓VOUT的節點重置為初始位準（例如，0V）。
此後，當第二開關電路320透過使用測試模式信號TM＜6＞而被關斷以轉換為邏輯低時，恆定電流IOUT被供給到檢測電壓VOUT的節點，並且因此，檢測電壓VOUT線性增加。
第三開關電路330保持關斷狀態而不被單獨控制。
第三開關電路330可以具有與第二開關電路320相同的特性。
第一開關電路310至第三開關電路330中的每一個開關電路可以由諸如電晶體的開關裝置來配置。在諸如電晶體的裝置的關斷狀態下，可能會引起洩漏電流。
在一個實施例中，第二開關電路320在檢測電壓VOUT的節點被重置之後保持關斷狀態，並且在第二開關電路320的關斷狀態下可能發生洩漏電流到接地端子。因此，透過保持關斷狀態的第三開關電路330的洩漏電流來補償與在第二開關電路320中產生的洩漏電流相對應的電流，可以補償電容測量中的誤差。
如圖5所示，代碼產生電路400可以包括開關電路410、比較器420、控制邏輯430、振盪器440、邏輯閘450和計數器460。
比較器420可以透過放大第一輸入端子+與第二輸入端子-的電壓差來產生比較信號CMP。
開關電路410可以根據測試模式信號TM＜7:8＞來將檢測電壓VOUT和參考電壓VREF中的任意一個輸入到比較器420的第一輸入端子+，而將檢測電壓VOUT和參考電壓VREF中的另一個輸入到第二輸入端子-。
在測試模式信號TM＜7:8＞是低位準的情況下，開關電路410可以將檢測電壓VOUT和參考電壓VREF分別輸入到比較器420的第一輸入端子+和第二輸入端子-。
在測試模式信號TM＜7：8＞是高位準的情況下，開關電路410可以將檢測電壓VOUT和參考電壓VREF分別輸入到比較器420的第二輸入端子-和第一輸入端子+。
控制邏輯430可以透過將比較信號CMP和測試模式信號TM＜6:8＞組合來產生振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN。
振盪器440可以在振盪致能信號OSC_EN的啟動時段內產生振盪信號OSC。
邏輯閘450可以對振盪信號OSC和計數致能信號CNT_EN執行反及邏輯功能，並且輸出輸出信號。
計數器460可以在計數致能信號CNT_EN的啟動時段內將比較信號CMP作為振盪信號OSC進行計數，並輸出代碼信號COUT。
即，計數器460可以將透過對邏輯閘450的輸出信號的下降邊緣進行計數而獲得的值作為代碼信號COUT經由焊盤470輸出到半導體設備1的外部。
焊盤470可以是半導體設備1的數據輸入/輸出焊盤（DQ）之中的一個。
如圖6所示，控制邏輯430可以包括邏輯閘431和設置-重置（set-reset, SR）鎖存器432。
邏輯閘431可以將對比較信號CMP和測試模式信號TM＜7：8＞執行XOR功能的結果輸出為重置信號RST。
在測試模式信號TM＜7:8＞為低位準的情況下，當比較信號CMP從低位準轉換為高位準時，邏輯閘431可以將重置信號RST啟動為高位準。
在測試模式信號TM＜7:8＞為高位準的情況下，當比較信號CMP從高位準轉換為低位準時，邏輯閘431可以將重置信號RST啟動為高位準。
根據測試模式信號TM＜6＞的下降邊緣，SR鎖存器432可以將振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN啟動為高位準。
隨著重置信號RST被啟動，SR鎖存器432可以將振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN止動至低位準。
以下，將描述根據一個實施例的半導體設備1的電容測量操作。
在一個實施例中，在第一開關電路310透過使用測試模式信號TM＜5＞而被關斷的情況下，由於對被測裝置101的電流供應被切斷，因此可以不測量被測裝置101的電容，而是測量電容測量電路100本身的電容，即，寄生電容（為了便於解釋，由Cpar表示）。
在第一開關電路310被導通的情況下，可以測量總電容（為了便於解釋，由Ctot表示）作為寄生電容Cpar和被測裝置101的電容（為了便於解釋，由Cdut表示）的總和。
因此，滿足表達式Cdut = Ctot-Cpar。
結果，透過在第一開關電路310被關斷的狀態下執行初級電容測量，然後在第一開關電路310被導通的狀態下執行次級電容測量，可以僅計算被測裝置101的電容Cdut。
首先，其中第一開關電路310被關斷時僅測量電容測量電路100本身的電容的初級電容測量可以如下執行。
透過在預定時間內將測試模式信號TM＜6＞保持在高位準來導通第二開關電路320，可以將檢測電壓VOUT的節點重置為初始位準（例如，0V）。
當測試模式信號TM＜6＞從高位準轉換為低位準時，控制邏輯430啟動振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN。
當振盪致能信號OSC_EN被啟動時，振盪器440產生振盪信號OSC。
當測試模式信號TM＜6＞轉換為低位準時，第二開關電路320被關斷並且恆定電流IOUT被供給到檢測電壓VOUT的節點，並且相應地，檢測電壓VOUT線性增加。
此時，由於第一開關電路310處於關斷狀態，所以恆定電流IOUT對被測裝置101的供應被切斷。
根據測試模式信號TM＜7:8＞，檢測電壓VOUT和參考電壓VREF可以分別被輸入到比較器420的第一輸入端子+和第二輸入端子-。
在檢測電壓VOUT低於參考電壓VREF的情況下，比較器420輸出在低位準的比較信號CMP。
在計數致能信號CNT_EN被啟動的時段內，計數器460透過對經由邏輯閘450反相的振盪信號OSC的下降邊緣進行計數來增加代碼信號COUT的值。
如果檢測電壓VOUT上升並且變得等於或高於參考電壓VREF，則比較器420輸出在高位準的比較信號CMP，並且相應地，振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN被重置為低位準。
因此，由於邏輯閘450的輸出被保持在高位準，所以計數器460保持代碼信號COUT的當前值。
結果，由於代碼信號COUT的值可以根據電容測量電路100本身的電容是大還是小而不同，因此代碼信號COUT的值可以作為電容測量值。
由於比較器420可以具有基本偏移，所以對第一輸入端子+和第二輸入端子-的輸入透過使用測試模式信號TM＜7:8＞而被顛倒。換言之，在將參考電壓VREF輸入到第一輸入端子+並且將檢測電壓VOUT輸入到第二輸入端子-之後，重複用於產生代碼信號COUT的上述過程。
透過計算在檢測電壓VOUT和參考電壓VREF分別被輸入到比較器420的第一輸入端子+和第二輸入端子-的狀態下產生的代碼信號COUT的值與透過顛倒輸入產生的代碼信號COUT的值的平均值，可以消除由比較器420本身的偏移引起的電容測量的誤差。
接下來，可以如下執行第一開關電路310被導通的狀態下的次級電容測量。
透過在預定時間內將測試模式信號TM＜6＞保持在高位準來導通第二開關電路320，可以將檢測電壓VOUT的節點重置為初始位準（例如，0V）。
當測試模式信號TM＜6＞從高位準轉換為低位準時，控制邏輯430啟動振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN。
當振盪致能信號OSC_EN被啟動時，振盪器440產生振盪信號OSC。
當測試模式信號TM＜6＞轉換為低位準時，第二開關電路320被關斷，並且與此同時或者在預定時間之後，第一開關電路310透過使用測試模式信號TM＜5＞而被導通。
當第一開關電路310被導通時，恆定電流IOUT開始被充電至被測裝置101（參見圖4），並且，當恆定電流IOUT被供給到檢測電壓VOUT的節點時，檢測電壓VOUT線性增加。
根據測試模式信號TM＜7:8＞，檢測電壓VOUT和參考電壓VREF可以分別被輸入到比較器420的第一輸入端子+和第二輸入端子-。
在檢測電壓VOUT低於參考電壓VREF的情況下，比較器420輸出在低位準的比較信號CMP。
因此，計數器460透過對由邏輯閘450反相的振盪信號OSC的下降邊緣進行計數來增加代碼信號COUT的值。
如果檢測電壓VOUT上升並且變得等於或高於參考電壓VREF，則比較器420輸出在高位準的比較信號CMP，並且相應地，振盪致能信號OSC_EN和計數致能信號CNT_EN被重置為低位準。
因此，由於邏輯閘450的輸出被保持在高位準，所以計數器460保持代碼信號COUT的當前值。
結果，由於代碼信號COUT的值可以根據被測裝置101的電容和電容測量電路100本身的電容是大還是小而不同，所以可以使用代碼信號COUT的值作為電容測量值。
由於比較器420可以具有基本偏移，所以對第一輸入端子+和第二輸入端子-的輸入透過使用測試模式信號TM＜7:8＞而被顛倒。換言之，在將參考電壓VREF輸入到第一輸入端子+而將檢測電壓VOUT輸入到第二輸入端子-之後，重複用於產生代碼信號COUT的上述過程。
透過計算在檢測電壓VOUT和參考電壓VREF分別被輸入到比較器420的第一輸入端子+和第二輸入端子-的狀態下產生的代碼信號COUT的值與透過顛倒輸入產生的代碼信號COUT的值的平均值，可以消除由比較器420本身的偏移引起的電容測量誤差。
雖然以上已經描述了各種實施例，但是本領域技術人員將會理解，所描述的實施例僅是示例。因此，本文中所描述的半導體設備的電容測量電路不應該基於所描述的實施例進行限制。
1‧‧‧半導體設備
10‧‧‧命令處理電路
100‧‧‧電容測量電路
101‧‧‧被測裝置
2‧‧‧測試設備
200‧‧‧恆定電流電路
210‧‧‧比較器
220‧‧‧電流鏡
221~223‧‧‧第一電晶體至第三電晶體
250‧‧‧第一開關電路
260‧‧‧第二開關電路
270‧‧‧焊盤
300‧‧‧電壓轉換電路
310~330‧‧‧第一開關電路至第三開關電路
400‧‧‧代碼產生電路
410‧‧‧開關電路
420‧‧‧比較器
430‧‧‧控制邏輯
431‧‧‧邏輯閘
432‧‧‧設置-重置鎖存器
440‧‧‧振盪器
450‧‧‧邏輯閘
460‧‧‧計數器
470‧‧‧焊盤
CMD‧‧‧命令
CMP‧‧‧比較信號
CNT_EN‧‧‧計數致能信號
COUT‧‧‧代碼信號
DUT‧‧‧被測裝置
I1‧‧‧電流
I2‧‧‧電流
IOUT‧‧‧恆定電流
OSC‧‧‧振盪信號
OSC_EN‧‧‧振盪致能信號
R‧‧‧電阻器
RST‧‧‧重置信號
TM＜1:N＞‧‧‧測試模式信號
VFB‧‧‧反饋電壓
VOUT‧‧‧檢測電壓
VREF‧‧‧參考電壓
圖1是示出根據一個實施例的半導體設備1的配置的示例性代表的示圖。 圖2是示出根據一個實施例的半導體設備中包括的電容測量電路100的配置的示例性代表的示圖。 圖3是示出圖2所示的恆定電流電路200的配置的示例性代表的示圖。 圖4是示出圖2所示的電壓轉換電路300的配置的示例性代表的示圖。 圖5是示出圖2所示的代碼產生電路400的配置的示例性代表的示圖。 圖6是示出圖5所示的控制邏輯430的配置的示例性代表的示圖。
無

Claims (17)

  1. 一種半導體設備，包括： 電容測量電路，其包括： 恆定電流電路，其被配置為輸出恆定電流； 電壓轉換電路，其被配置為將恆定電流轉換成檢測電壓，並且補償由於電壓轉換電路的內部洩漏電流引起的檢測電壓的變化；以及 代碼產生電路，其被配置為將透過檢測在檢測電壓增加到參考電壓時所經過的時間而獲得的值產生為代碼信號。
  2. 如請求項1所述的半導體設備，還包括： 被測裝置， 其中，電壓轉換電路基於從恆定電流電路接收的恆定電流和被測裝置的電容來將恆定電流轉換為檢測電壓以產生檢測電壓。
  3. 如請求項1所述的半導體設備，其中，恆定電流電路被配置為根據參考電壓來產生複數個電流，並且將所述複數個電流之中的一個電流輸出為恆定電流。
  4. 如請求項1所述的半導體設備，其中，恆定電流電路包括： 比較器，其被配置為放大並輸出反饋電壓與參考電壓的差值； 電流鏡，其被配置為根據比較器的輸出來產生具有不同電流量的所述複數個電流；以及 第一開關電路，其被配置為透過選擇所述複數個電流之中的一個電流來輸出恆定電流。
  5. 如請求項4所述的半導體設備，其中，恆定電流電路還包括： 第二開關電路，其被配置為經由焊盤將所述複數個電流中的一個電流輸出到半導體設備的外部。
  6. 如請求項1所述的半導體設備，還包括： 被測裝置， 其中，電壓轉換電路包括： 第一開關電路，其電耦接在恆定電流線與被測裝置之間； 第二開關電路，其電耦接在恆定電流線與接地端子之間；以及 第三開關電路，其電耦接在電源端子與恆定電流線之間。
  7. 如請求項6所述的半導體設備，其中，第三開關電路被配置為保持關斷狀態而不被單獨控制。
  8. 如請求項1所述的半導體設備，其中，代碼產生電路包括： 比較器，其被配置為透過放大檢測電壓與參考電壓的電壓差來產生比較信號； 控制邏輯，其被配置為根據比較信號來產生振盪致能信號和計數致能信號； 振盪器，其被配置為在振盪致能信號的啟動時段內產生振盪信號； 邏輯閘，其被配置為透過將振盪信號和計數致能信號組合來輸出輸出信號；以及 計數器，其被配置為將透過對邏輯閘的輸出信號進行計數而獲得的值輸出為代碼信號。
  9. 如請求項8所述的半導體設備，還包括： 被測裝置， 其中，控制邏輯包括： 邏輯閘，其被配置為根據比較信號來產生重置信號；以及 設置-重置(set-reset, SR )鎖存器，其被配置為根據用於控制恆定電流被供給到被測裝置的時間的測試模式信號和重置信號來產生振盪致能信號和計數致能信號。
  10. 如請求項8所述的半導體設備，其中，代碼產生電路還包括： 開關電路，其被配置為將檢測電壓和參考電壓中的任意一個輸入到比較器的第一輸入端子，而將檢測電壓和參考電壓中的另一個輸入到第二輸入端子。
  11. 如請求項8所述的半導體設備，其中，計數器經由焊盤將代碼信號輸出到半導體設備的外部。
  12. 一種半導體設備，包括： 被測裝置；以及 電容測量電路，其包括： 電流源，其被配置為產生恆定電流； 第一開關電路，其被配置為根據測試模式信號來將恆定電流供給到被測裝置，所述被測裝置將充電電壓輸出為檢測電壓； 第二開關電路，其被配置為將透過其輸出檢測電壓的節點的電壓位準重置為接地端子的位準； 比較器，其被配置為透過將參考電壓與檢測電壓進行比較來產生比較信號；以及 計數器，其被配置為透過將比較信號作為振盪信號進行計數來輸出代碼信號。
  13. 如請求項12所述的半導體設備，其中，電流源被配置為產生具有不同電流量的複數個電流，並且透過選擇所述複數個電流中的一個電流來輸出恆定電流。
  14. 如請求項12所述的半導體設備，還包括： 第三開關電路，其電耦接在電源端子與透過其輸出檢測電壓的節點之間，並且被配置為將與在第二開關電路中產生的洩漏電流相對應的電流洩漏到透過其輸出檢測電壓的節點。
  15. 如請求項14所述的半導體設備，還包括： 第四開關電路，其被配置為將檢測電壓和參考電壓中的任意一個輸入到比較器的第一輸入端子，而將檢測電壓和參考電壓中的另一個輸入到比較器的第二輸入端子。
  16. 如請求項12所述的半導體設備，還包括： 控制邏輯，其被配置為根據測試模式信號和比較信號來產生振盪致能信號；以及 振盪器，其被配置為在振盪致能信號的啟動時段內產生振盪信號。
  17. 如請求項16所述的半導體設備，其中，控制邏輯包括： 邏輯閘，其被配置為根據比較信號來產生重置信號；以及 SR鎖存器，其被配置為根據測試模式信號和重置信號來產生振盪致能信號。
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