TW201909408A - 顯示裝置 - Google Patents
顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201909408A TW201909408A TW106122988A TW106122988A TW201909408A TW 201909408 A TW201909408 A TW 201909408A TW 106122988 A TW106122988 A TW 106122988A TW 106122988 A TW106122988 A TW 106122988A TW 201909408 A TW201909408 A TW 201909408A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal common
- type
- light
- display device
- common electrode
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一種顯示裝置，包括一驅動基板、多個發光元件以及多個金屬共電極。發光元件分散地配置於驅動基板上，且每一發光元件包括一磊晶結構層以及配置於磊晶結構層上的一第一型電極與一第二型電極。金屬共電極分散地配置於驅動基板上，且接觸每一發光元件的部分第二型電極以形成歐姆接觸。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種以發光二極體做為顯示畫素的顯示裝置。
一般的顯示面板中，共電極與發光二極體皆會配置於顯示區域中，其中發光二極體位於每一畫素區且電性連接至共電極，藉著共電極與發光二極體之間的電壓差而使得顯示介質層的狀態改變而進行顯示。目前在發光二極體的製作上，大都會選擇4.5eV-5.3eV的高功函數且性質穩定又透光的氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）來作為電極材料。目前的共電極亦採用相同的材料，即氧化銦錫（ITO）來製作，然而氧化銦錫（ITO）材質較不具延展性及韌性，易增加顯示面板共電極製程的難度因而減低顯示面板的良率。
本發明提供一種顯示裝置，其具較佳的製作良率。
本發明的顯示裝置，其包括一驅動基板、多個發光元件以及多個金屬共電極。發光元件分散地配置於驅動基板上，且每一發光元件包括一磊晶結構層以及配置於磊晶結構層上的一第一型電極與一第二型電極。金屬共電極分散地配置於驅動基板上，且接觸每一發光元件的部分第二型電極以形成歐姆接觸。
在本發明的一實施例中，上述的金屬共電極接觸每一第二型電極的一上表面的接觸面積與每一第二型電極的上表面的面積的比值小於等於0.5。
在本發明的一實施例中，上述的金屬共電極包括多個第一型金屬共電極與多個第二型金屬共電極，其中第一型金屬共電極與第二型金屬共電極的材料相異。
在本發明的一實施例中，上述的第一型金屬共電極的材質包括金、鍺、鎳或上述材質的合金，而第二型金屬共電極的材質包括鈦、鋁或上述材質的合金。
在本發明的一實施例中，上述的第一型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為具有一第一主要發光波長，而第二型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為具有一第二主要發光波長，第一主要發光波長大於第二主要發光波長。
在本發明的一實施例中，上述的第一型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為一紅光發光元件，而第二型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為一藍光發光元件或一綠光發光元件。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括多個接合墊，配置於驅動基板上，且位於每一發光元件的第一型電極與驅動基板之間。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括一絕緣層，配置於驅動基板上，且覆蓋接合墊與每一發光元件的磊晶結構層與第一型電極。金屬共電極覆蓋在絕緣層上。絕緣層的厚度小於每一發光元件的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間，而第一型電極與第一型半導體層電性連接，且第二型電極與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的金屬共電極覆蓋每一發光層的一側面。
在本發明的一實施例中，上述的每一金屬共電極在垂直剖面上具有一第一垂直高度，而每一金屬共電極與驅動基板在垂直剖面上具有一第二垂直高度，且第一垂直高度與第二垂直高度的比值介於0.3至1。
在本發明的一實施例中，上述的金屬共電極覆蓋每一發光元件的一側面。
在本發明的一實施例中，上述的每一金屬共電極包括一第一金屬共電極與一第二金屬共電極。第一金屬共電極與第二金屬共電極分別覆蓋每一發光元件的兩側面。
在本發明的一實施例中，上述的金屬共電極覆蓋每一發光元件的四周。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括一透明導電層，配置於金屬共電極上，且至少覆蓋金屬共電極以及發光元件。
基於上述，在本發明的顯示裝置中，透過延展性及韌性較佳的金屬共電極接觸每一發光元件的部分第二型電極，且藉由金屬共電極可提供高功函數介面而增加歐姆接觸的效率，因為金屬共電極只覆蓋部分第二型電極，故發光元件仍可保有出光率。簡言之，本發明的顯示裝置可具有良好的元件特性與較佳製作良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。圖1B繪示為圖1A的顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖1A與圖1B，在本實施例中，顯示裝置100a包括一驅動基板110、多個發光元件120以及多個金屬共電極130a。發光元件120分散地配置於驅動基板110上，且每一發光元件120包括一磊晶結構層122以及配置於磊晶結構層122上的一第一型電極124與一第二型電極126。金屬共電極130a分散地配置於驅動基板110上，且接觸每一發光元件120的部分第二型電極126以形成歐姆接觸。
詳細來說，本實施例的驅動基板110例如是一互補式金屬氧化物(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)半導體基板、一矽基液晶(Liquid Crystal on Silicon, LCOS)基板、一薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)基板或是一具有一工作電路的基板，於此並不加以限制。發光元件120呈矩陣排列的方式分散地配置於驅動基板110上，其中發光元件120與驅動基板110電性連接且透過驅動基板110的驅動而發光。發光元件120的磊晶結構層122具體化包括一第一型半導體層122a、一發光層122b以及一第二型半導體層122c，其中發光層122b位於第一型半導體層122a與第二型半導體層122c之間。第一型電極124與第二型電極126分別位於磊晶結構層122的相對兩側，其中第一型電極124與第一型半導體層122a電性連接，而第二型電極126與第二型半導體層122c電性連接。
如圖1B所示，本實施例的發光元件120具體化為垂直式微型發光二極體(micro LED)，最大寬度約介於1至100微米之間，較佳為介於3至50微米之間。此處，磊晶結構層122的剖面形狀呈現正梯形，且整體厚度約介於1至6微米之間。此處，第一型半導體層122a例如為N型半導體層，第二型半導體層122c例如為P型半導體層，但並不以此為限。而第一型半導體層122a的厚度大於第二型半導體層122c的厚度，第一型電極124例如為N型電極，而第二型電極126例如為P型電極，但並不以此為限。第二型電極126的材質包括一透明導電材料或一半透明導電材料，如具有4.5eV-5.3eV的高功函數且性質穩定又透光的氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO），以使發光層122b所產生的光線可經由第二型電極126而出光。特別說明的是，顯示裝置100a具有多個畫素單元(未繪示)，其中每一畫素單元(未繪示)可包括至少三個不同波長的發光元件120，但並不以此為限。
再者，本實施例的金屬共電極130a接觸每一發光元件120的部分第二型電極126而形成歐姆接觸，其中金屬共電極130a的材料為金屬且不同於第二型電極126，因此相對於習知採用氧化銦錫（ITO）作為共電極的材料而言，本實施例可有效增加歐姆接觸的效果。較佳地，金屬共電極130a接觸每一第二型電極126的上表面126b的接觸面積與每一第二型電極126的上表面126b的面積的比值小於等於0.5。若面積的比值超過0.5，則可能會造成出光的遮蔽，較佳地，面積的比值小於等於0.25且大於等於0.05，可避免因為接觸的面積不夠而導致導電電阻值太大而影響歐姆接觸效率，亦可保有出光效率。此處，每一第二型電極126的上表面126b的面積例如為8微米X 25微米，或7微米X 20微米，而金屬共電極130a接觸每一第二型電極126的上表面126b的接觸面積，例如為2微米X 25微米或1微米X 20微米，在此並不限制。
如圖1A與圖1B所示，金屬共電極130a具體化覆蓋每一發光元件120的一側面S1，且金屬共電極130a同時接觸第二型電極126的一側面126a與部分上表面126b，可增加金屬共電極130a接觸第二型電極126的面積，以增加電流傳導效率。由於金屬共電極130a暴露出發光元件120的第二型電極126的部分上表面126b，因此發光元件120仍保有出光率。金屬共電極130a的材料例如是金、鍺、鎳、鋁、鈦、上述材料的合金或上述材料的組合，可依據發光元件120的出光顏色而完全相同、完全互異或不完全相同，於此並不加以限制。
於另一實施例中，請參閱圖1C，此處顯示裝置100a1的金屬共電極130a的材料可不相同。這些金屬共電極130a可以包括第一型金屬共電極130a1與第二型金屬共電極130a2，第一型金屬共電極130a1的材料可包括金、鍺、鎳或上述材質的合金，且對應接觸的發光元件120a1可為具有一第一主要發光波長。而第二型金屬共電極130a2的材料可包括鈦、鋁或上述材質的合金，且對應接觸的發光元件120a2可為具有一第二主要發光波長，其中第一主要發光波長大於第二主要發光波長。更具體而言，第一主要發光波長例如是大於等於610奈米且小於700奈米，亦即第一型金屬共電極130a1對應接觸的發光元件120a1為紅光發光元件，第二主要發光波長例如是大於等於430奈米且小於等於570奈米，亦即第二型金屬共電極130a2對應接觸的發光元件120a2為藍光發光元件或綠光發光元件，因此，相較於習知不同發光波長的發光元件與皆連接至同一種材質的共電極而產生電流不穩定的問題而言，本發明的顯示裝置可有更佳的顯示效果。
此外，本實施例的顯示裝置100a可包括多個接合墊140，其中接合墊140分散地配置於驅動基板110上，且位於每一發光元件120的第一型電極124與驅動基板110之間，使每一發光元件120與驅動基板110電性連接，且可吸收發光元件120與驅動基板110接合時的應力。另外，本實施例的顯示裝置100a還包括一絕緣層150，配置於驅動基板110上，且覆蓋接合墊140與每一發光元件120的磊晶結構層122與第一型電極124避免金屬共電極130a與發光層122b、第一型半導體層122a接觸，造成短路令顯示裝置100a失效。換言之，本實施例的金屬共電極130a不會直接接觸發光元件120的磊晶結構層122及第一型電極124。特別是，絕緣層150的厚度小於每一發光元件120的厚度，且絕緣層150的厚度例如是介於1微米至3微米，可使顯示裝置100a具有較小的體蹟。
相較於習知使用材料延展性差的氧化銦錫（ITO）做為共電極，本實施例的金屬共電極130a的材料為富有延展性的金屬，因此金屬共電極130a可爬覆於絕緣層150上且沿著絕緣層150而與每一發光元件120的第二型電極126電性連接。如此一來，可增加電流傳輸效率及顯示裝置100a的製作良率。較佳地，每一金屬共電極130a在垂直剖面上具有一第一垂直高度H1，而每一金屬共電極130a與驅動基板110在垂直剖面上具有一第二垂直高度H2，且第一垂直高度H1與第二垂直高度H2的比值介於0.3至1。其中第二垂直高度H2為每一金屬共電極130a與驅動基板110在垂直剖面上的最大垂直高度。較佳地，第一垂直高度H1與第二垂直高度H2的比值介於0.5至1，使金屬共電極130a可增加覆蓋發光元件120的側面S1的面積。更佳的，金屬共電極130a完全覆蓋發光層122b的一側面，由於本實施例的金屬共電極130a的材料為金屬，因此可有效地反射發光層122b所發出的側出光，藉此可增加發光元件120的正面出光效率。此處，H1例如介於1至10微米，H2例如介於2至10微米，但不以此為限。
簡言之，在本實施例的顯示裝置100a中，使用材料延展性佳的金屬共電極130a直接接觸每一發光元件120的第二型電極126部分上表面126b而形成歐姆接觸，相較於習知採用材料延展性差的氧化銦錫（ITO）作為共電極的材料而言，本實施例可有效增加歐姆接觸的效果。此外，由於金屬共電極130a沒有完全覆蓋第二型電極126的上表面126b，因此發光元件120仍可保有其出光率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2A繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。圖2B繪示為圖2A的顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖1A、圖1B、圖2A與圖2B，本實施例的顯示裝置100b與圖1A及圖1B的顯示裝置100a相似，兩者的差異在於：本實施例的每一金屬共電極130b包括一第一金屬共電極130b1與一第二金屬共電極130b2，其中第一金屬共電極130b1與第二金屬共電極130b2分別覆蓋第二型電極126的側面126a、126c與部分上表面126b。也就是說，金屬共電極130b具體化覆蓋每一發光元件120的相對二側面S1、S2，且暴露出第二型電極126的部分上表面126b與部分絕緣層150。於未繪出的實施例中，第一金屬共電極與第二金屬共電極分別覆蓋第二型電極126的至少任意兩側面，在此並不為限。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。請同時參考圖1A與圖3，本實施例的顯示裝置100c與圖1A的顯示裝置100a相似，兩者的差異在於：本實施例的金屬共電極130c具體化覆蓋每一發光元件120的四周S，且暴露出第二型電極126的部分上表面126b與部分絕緣層150。
圖4繪示為本發明的另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參考圖1B與圖4，本實施例的顯示裝置100d與圖1B的顯示裝置100a相似，兩者的差異在於：本實施例的更包括一透明導電層160，配置於金屬共電極130a上，且至少覆蓋金屬共電極130a與發光元件120。此處，透明導電層160設置的目的在於電流均勻傳導，也可保護金屬共電極130a與發光元件120，甚至於可幫助改善發光元件120的光取出效率。
綜上所述，在本發明的顯示裝置中，透過延展性及韌性佳的金屬共電極接觸每一發光元件的部分第二型電極而形成歐姆接觸，且藉由金屬共電極可提供高功函數介面而增加歐姆接觸的效率，因為金屬共電極只覆蓋部分第二型電極，故發光元件仍可保有出光率。簡言之，本發明的顯示裝置可具有良好的元件特性與較佳的製作良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a、100a1、100b、100c、100d‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧驅動基板
120、120a1、120a2‧‧‧發光元件
122‧‧‧磊晶結構層
122a‧‧‧第一型半導體層
122b‧‧‧發光層
122c‧‧‧第二型半導體層
124‧‧‧第一型電極
126‧‧‧第二型電極
126a、126c‧‧‧側面
126b‧‧‧上表面
130a、130b、130c‧‧‧金屬共電極
130a1‧‧‧第一型金屬共電極
130a2‧‧‧第一型金屬共電極
130b1‧‧‧第一金屬共電極
130b2‧‧‧第二金屬共電極
140‧‧‧接合墊
150‧‧‧絕緣層
160‧‧‧透明導電層
S‧‧‧四周
S1、S2‧‧‧側面
H1‧‧‧第一垂直高度
H2‧‧‧第二垂直高度
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。 圖1B繪示為圖1A的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖1C繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。 圖2A繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。 圖2B繪示為圖2A的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖3繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部俯視示意圖。 圖4繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部剖面示意圖。
Claims (15)
- 一種顯示裝置，包括： 一驅動基板； 多個發光元件，分散地配置於該驅動基板上，且各該發光元件包括一磊晶結構層以及配置於該磊晶結構層上的一第一型電極與一第二型電極；以及 多個金屬共電極，分散地配置於該驅動基板上，且接觸各該發光元件的部分該第二型電極以形成歐姆接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該些金屬共電極接觸各該第二型電極的一上表面的接觸面積與各該第二型電極的該上表面的面積的比值小於等於0.5。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該些金屬共電極包括多個第一型金屬共電極與多個第二型金屬共電極，各該第一型金屬共電極與各該第二型金屬共電極的材料相異。
- 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中該第一型金屬共電極的材質包括金、鍺、鎳或上述材質的合金，而該第二型金屬共電極的材質包括鈦、鋁或上述材質的合金。
- 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中該第一型金屬共電極對應接觸的各該發光元件具有一第一主要發光波長，而該第二型金屬共電極對應接觸的各該發光元件具有一第二主要發光波長，該第一主要發光波長大於該第二主要發光波長。
- 如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中該第一型金屬共電極對應接觸的各該發光元件為一紅光發光元件，而該第二型金屬共電極對應接觸的各該發光元件為一藍光發光元件或一綠光發光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括： 多個接合墊，配置於該驅動基板上，且位於各該發光元件的該第一型電極與該驅動基板之間。
- 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，更包括： 一絕緣層，配置於該驅動基板上，且覆蓋該些接合墊與各該發光元件的該磊晶結構層與該第一型電極，而該些金屬共電極覆蓋在該絕緣層上，其中該絕緣層的厚度小於各該發光元件的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該磊晶結構層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間，而該第一型電極與該第一型半導體層電性連接，且該第二型電極與該第二型半導體層電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中該些金屬共電極覆蓋各該發光層的一側面。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該金屬共電極在垂直剖面上具有一第一垂直高度，而各該金屬共電極與該驅動基板在垂直剖面上具有一第二垂直高度，且該第一垂直高度與該第二垂直高度的比值介於0.3至1。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該些金屬共電極覆蓋各該發光元件的一側面。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該金屬共電極包括一第一金屬共電極與一第二金屬共電極，該第一金屬共電極與該第二金屬共電極分別覆蓋各該發光元件的兩側面。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該些金屬共電極覆蓋各該發光元件的四周。
- 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括： 一透明導電層，配置於該些金屬共電極上，且至少覆蓋該些金屬共電極以及該些發光元件。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106122988A TWI641128B (zh) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | 顯示裝置 |
| US15/869,090 US10121772B1 (en) | 2017-07-10 | 2018-01-12 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106122988A TWI641128B (zh) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | 顯示裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI641128B TWI641128B (zh) | 2018-11-11 |
| TW201909408A true TW201909408A (zh) | 2019-03-01 |
Family
ID=63963932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106122988A TWI641128B (zh) | 2017-07-10 | 2017-07-10 | 顯示裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10121772B1 (zh) |
| TW (1) | TWI641128B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI728583B (zh) * | 2019-12-03 | 2021-05-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型元件結構與微型元件顯示裝置 |
| TWI730616B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-06-11 | 薩摩亞商美科米尚技術有限公司 | 在發光二極體的頂表面上形成導電區域的方法和用於發光二極體的電性接觸結構 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2484713A (en) | 2010-10-21 | 2012-04-25 | Optovate Ltd | Illumination apparatus |
| GB201705365D0 (en) | 2017-04-03 | 2017-05-17 | Optovate Ltd | Illumination apparatus |
| GB201705364D0 (en) | 2017-04-03 | 2017-05-17 | Optovate Ltd | Illumination apparatus |
| TWI632675B (zh) * | 2017-07-10 | 2018-08-11 | 錼創科技股份有限公司 | 顯示面板 |
| GB201718307D0 (en) | 2017-11-05 | 2017-12-20 | Optovate Ltd | Display apparatus |
| GB201800574D0 (en) | 2018-01-14 | 2018-02-28 | Optovate Ltd | Illumination apparatus |
| GB201803767D0 (en) | 2018-03-09 | 2018-04-25 | Optovate Ltd | Illumination apparatus |
| US10437402B1 (en) | 2018-03-27 | 2019-10-08 | Shaoher Pan | Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding |
| US10325894B1 (en) | 2018-04-17 | 2019-06-18 | Shaoher Pan | Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding |
| GB201807747D0 (en) | 2018-05-13 | 2018-06-27 | Optovate Ltd | Colour micro-LED display apparatus |
| TW202102883A (zh) | 2019-07-02 | 2021-01-16 | 美商瑞爾Ｄ斯帕克有限責任公司 | 定向顯示設備 |
| CN114616498A (zh) | 2019-08-23 | 2022-06-10 | 瑞尔D斯帕克有限责任公司 | 定向照明设备和防窥显示器 |
| CN114730044A (zh) | 2019-09-11 | 2022-07-08 | 瑞尔D斯帕克有限责任公司 | 定向照明设备和隐私显示器 |
| WO2021050918A1 (en) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | Reald Spark, Llc | Switchable illumination apparatus and privacy display |
| CN114729730A (zh) | 2019-10-03 | 2022-07-08 | 瑞尔D斯帕克有限责任公司 | 包括无源光学纳米结构的照明设备 |
| KR20220077913A (ko) | 2019-10-03 | 2022-06-09 | 리얼디 스파크, 엘엘씨 | 수동형 광학 나노구조를 포함하는 조명 장치 |
| US11881546B2 (en) * | 2019-12-05 | 2024-01-23 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Device with light-emitting diode |
| CN115136065A (zh) | 2020-02-20 | 2022-09-30 | 瑞尔D斯帕克有限责任公司 | 照明和显示设备 |
| WO2024099544A1 (en) * | 2022-11-09 | 2024-05-16 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelectronic device and method for manufacturing |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282478A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-10-03 | Sony Corp | 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法 |
| KR100891403B1 (ko) * | 2002-08-01 | 2009-04-02 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법과 그것을 이용한 발광장치 |
| US8653542B2 (en) * | 2011-01-13 | 2014-02-18 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Micro-interconnects for light-emitting diodes |
| WO2012153370A1 (ja) * | 2011-05-12 | 2012-11-15 | ウェーブスクエア，インコーポレイテッド | Iii族窒化物半導体縦型構造ｌｅｄチップおよびその製造方法 |
| US9159700B2 (en) * | 2012-12-10 | 2015-10-13 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix emissive micro LED display |
| TWI523267B (zh) * | 2013-03-08 | 2016-02-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體陣列的製作方法以及發光二極體顯示裝置的製作方法 |
| KR102192592B1 (ko) * | 2013-07-22 | 2020-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102318382B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2021-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102561113B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2023-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102458864B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2022-10-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
-
2017
- 2017-07-10 TW TW106122988A patent/TWI641128B/zh active
-
2018
- 2018-01-12 US US15/869,090 patent/US10121772B1/en active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI730616B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-06-11 | 薩摩亞商美科米尚技術有限公司 | 在發光二極體的頂表面上形成導電區域的方法和用於發光二極體的電性接觸結構 |
| TWI728583B (zh) * | 2019-12-03 | 2021-05-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型元件結構與微型元件顯示裝置 |
| US11329202B2 (en) | 2019-12-03 | 2022-05-10 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro component structure and micro component display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI641128B (zh) | 2018-11-11 |
| US10121772B1 (en) | 2018-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI641128B (zh) | 顯示裝置 | |
| TWI643328B (zh) | 顯示裝置 | |
| TWI635630B (zh) | 微型發光二極體及顯示面板 | |
| KR102146070B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| TW201836129A (zh) | 微型發光二極體及顯示面板 | |
| TW201703283A (zh) | 發光二極體晶片 | |
| US9443904B1 (en) | Light-emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| TWI660496B (zh) | 微型發光元件及顯示裝置 | |
| KR102645419B1 (ko) | 발광 표시 장치 | |
| CN108666337B (zh) | 微型发光二极管及显示面板 | |
| TWI533062B (zh) | 光源模組、其製造方法以及包含上述的背光單元 | |
| TWI734157B (zh) | 微型發光二極體顯示面板及其製作方法 | |
| US11387387B2 (en) | Micro light emitting device display apparatus | |
| CN109244100B (zh) | 显示装置 | |
| TWI736455B (zh) | 微型發光二極體顯示器 | |
| TWI619271B (zh) | 發光元件 | |
| JP2020085938A (ja) | 照明装置及び表示装置 | |
| TWI709222B (zh) | 微型發光元件顯示裝置 | |
| JP2021117357A (ja) | 表示装置 | |
| TWI833265B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
| US20230055323A1 (en) | Micro light-emitting diode display device | |
| TWI622167B (zh) | 顯示裝置 | |
| JP7423706B2 (ja) | マイクロ発光ダイオード表示装置 | |
| TWI784592B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
| TWI589027B (zh) | 發光元件 |