TW201905972A - 電漿處理裝置 - Google Patents

電漿處理裝置

Info

Publication number
TW201905972A
TW201905972A TW107121808A TW107121808A TW201905972A TW 201905972 A TW201905972 A TW 201905972A TW 107121808 A TW107121808 A TW 107121808A TW 107121808 A TW107121808 A TW 107121808A TW 201905972 A TW201905972 A TW 201905972A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
plasma processing
vacuum container
output terminal
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW107121808A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI677907B (zh
Inventor
関谷一成
田名部正治
井上忠
笹本浩
佐藤辰憲
土屋信昭
Original Assignee
日商佳能安內華股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2017/023603 external-priority patent/WO2019003309A1/ja
Priority claimed from PCT/JP2017/023611 external-priority patent/WO2019003312A1/ja
Application filed by 日商佳能安內華股份有限公司 filed Critical 日商佳能安內華股份有限公司
Publication of TW201905972A publication Critical patent/TW201905972A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI677907B publication Critical patent/TWI677907B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438—Electrodes other than cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • H03H7/425—Balance-balance networks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

電漿處理裝置，係具備： 　　具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫； 　　真空容器； 　　與前述真空容器絕緣，且被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極；及 　　與前述真空容器絕緣，且被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極， 　　前述第2電極，係被配置成為將前述第1電極遍及全周長而包圍。

Description

電漿處理裝置
本發明是有關電漿處理裝置。
有藉由在2個的電極之間施加高頻來產生電漿，藉由該電漿來處理基板的電漿處理裝置。如此的電漿處理裝置是可藉由2個的電極的面積比及/或偏壓來作為濺射裝置動作，或作為蝕刻裝置動作。構成為濺射裝置的電漿處理裝置是具有：保持標靶的第1電極，及保持基板的第2電極，在第1電極與第2電極之間施加高頻，在第1電極與第2電極之間(標靶與基板之間)產生電漿。藉由電漿的生成，在標靶的表面產生自偏置電壓，藉此離子會衝突於標靶，構成此的材料的粒子會從標靶放出。
在專利文獻1是記載有具備平衡不平衡變換器的電漿表面處理裝置。此電漿表面處理裝置是具備：高頻電源、電力放大器、阻抗匹配器、同軸電纜、真空容器、放電氣體混合箱、非接地電極、接地電極、及變壓器型平衡不平衡變器。放電氣體混合箱、非接地電極、接地電極及變壓器型平衡不平衡變換器是被配置於真空容器之中。非接地電極是經由絕緣物支撐材及放電氣體混合箱來配置於真空容器。接地電極是支撐基板。並且，接地電極是被電性連接至真空容器。高頻電源的輸出是經由電力放大器、阻抗匹配器、同軸電纜及變壓器型平衡不平衡變換器來供給至非接地電極與接地電極之間。若根據專利文獻1，則經由被連接至接地電極的真空容器的構件來流動的同相電流Ix是藉由變壓器型平衡不平衡變換器所遮斷。
在專利文獻1記載的電漿表面處理裝置，由於接地電極與真空容器被電性連接，因此除了接地電極以外，真空容器可作為陽極機能。自偏置電壓是依據可作為陰極機能的部分的狀態及可作為陽極機能的部分的狀態而變化。因此，除了基板保持電極以外，真空容器也作為陽極機能時，自偏置電壓會也依真空容器之中作為陽極機能的部分的狀態而變化。自偏置電壓的變化會帶來電漿電位的變化，電漿電位的變化會例如對被形成的膜的特性造成影響等，影響基板的處理。
若藉由濺射裝置在基板形成膜，則在真空容器的內面也會形成有膜。藉此，真空容器之中可作為陽極機能的部分的狀態會變化。因此，若繼續使用濺射裝置，則自偏置電壓會依被形成於真空容器的內面的膜而變化，電漿電位也會變化。因此，以往長期使用濺射裝置的情況，難以將被形成於基板上的膜的特性維持於一定。
同樣，在蝕刻裝置長期被使用的情況，也是自偏置電壓會依被形成於真空容器的內面的膜而變化，藉此電漿電位也會變化，因此難以將基板的蝕刻特性維持於一定。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-302566號公報
本發明是根據上述的課題認識所研發者，提供一種在長期間的使用中為了使電漿電位安定而有利的技術。 　　本發明的第1形態係有關電漿處理裝置，前述電漿處理裝置，係具備： 　　具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫； 　　真空容器； 　　與前述真空容器絕緣，且被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極；及 　　與前述真空容器絕緣，且被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極， 　　前述第2電極，係被配置成為將前述第1電極遍及全周長而包圍。
以下，一邊參照附圖，一邊經由其例示的實施形態來說明本發明。
在圖1中模式性地表示本發明的第1實施形態的電漿處理裝置1的構成。第1實施形態的電漿處理裝置1是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。電漿處理裝置1是具備：巴倫(平衡不平衡變換電路)103、真空容器110、第1電極106、第2電極111及基板保持部132。或，電漿處理裝置1是具備巴倫103及本體10，本體10亦可理解為具備：真空容器110、第1電極106、第2電極111及基板保持部132。本體10是具有第1端子251及第2端子252。第1電極106是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分)，或亦可配置於真空容器110之中。第2電極111是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分)，或亦可配置於真空容器110之中。
巴倫103是具有：第1輸入端子201、第2輸入端子202、第1輸出端子211及第2輸出端子212。在巴倫103的第1輸入端子201及第2輸入端子202的側是連接有不平衡電路，在巴倫103的第1輸出端子211及第2輸出端子212的側是連接有平衡電路。真空容器110的至少一部分是可以導體所構成。真空容器110是可包含被接地的部分。在一例中，構成真空容器110的至少一部分的導體是被接地，但在其他的例子中，構成真空容器110的至少一部分的導體是可經由電感器來對於接地電性連接。第1電極106及第2電極111是與真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)絕緣。在圖1所示的例子中，第1電極106及第2電極111是藉由絕緣體131來與真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)絕緣。
在第1實施形態中，第1電極106是陰極，保持標靶109。標靶109是例如可為絕緣體材料或導電體材料。並且，在第1實施形態中，第2電極111是陽極。第1電極106是被電性連接至第1輸出端子211，第2電極111是被電性連接至第2輸出端子212。第1電極106與第1輸出端子211被電性連接是意思以電流能流動於第1電極106與第1輸出端子211之間的方式，在第1電極106與第1輸出端子211之間構成有電流路徑。同樣，在此說明書中，a與b被電性連接是意思以電流能流動於a與b之間的方式，在a與b之間構成有電流路徑。
上述的構成亦可理解為第1電極106被電性連接至第1端子251，第2電極111被電性連接至第2端子252，第1端子251被電性連接至第1輸出端子211，第2端子252被電性連接至第2輸出端子212的構成。
第1電極106及第2電極111是被配置成為對向於基板保持部132(藉由基板保持部132所保持的基板112)的側的空間。第2電極111是可被配置成為將第1電極106遍及全周長而包圍。第2電極111是可例如具有筒形狀。第1電極106及第2電極111是最好具有同軸構造。在一例中，第1電極106是具有以假想軸作為中心的圓柱形狀，第2電極111是具有以該假想軸作為中心的圓筒形狀。
上述般的第1電極106及第2電極111的構成是有利於為了使第1電極106與第2電極111之間的阻抗降低，這是有利於為了使從巴倫103的輸出側流至接地的電流，亦即同相電流降低。使同相電流降低，是意思使真空容器110難作為陽極機能。在真空容器110的內壁是隨著往基板112的膜的形成而會形成有非意圖的膜，但藉由使真空容器110難作為陽極機能，可對於真空容器110的內壁的狀態來使電漿電位形成鈍感。這有利於為了在電漿處理裝置1的長期間的使用中使電漿電位安定。在其他的觀點中，第1電極106與第2電極111之間的阻抗是比第1電極106與真空容器110之間的阻抗小為理想。這是有利於為了使上述的同相電流降低。
第1電極106與第2電極111的距離(間隙的大小)是德拜長度以下為理想。這有效於為了抑制電漿進入至第1電極106與第2電極111的間隙。
出現於第2電極111的電壓是依據第2輸出端子212與第2電極111之間的阻抗而變化。於是，最好縮短第2輸出端子212與第2電極111的電路徑長。或，最好將連接第1輸出端子211與第1電極106的電路徑和連接第2輸出端子212與第2電極111的電路徑形成同軸構造。
在第1實施形態中，第1電極106與第1輸出端子211(第1端子251)會經由阻塞電容器104來電性連接。阻塞電容器104是遮斷流動於第1輸出端子211與第1電極106之間(或第1輸出端子211與第2輸出端子212之間)的直流電流。亦可取代阻塞電容器104，以後述的阻抗匹配電路102會流動於第1輸入端子201與第2輸入端子202之間的直流電流之方式構成。或，阻塞電容器104是亦可被配置於第2電極111與第2輸出端子212之間的電路徑。
電漿處理裝置1是可更具備：高頻電源101、及被配置於高頻電源101與巴倫103之間的阻抗匹配電路102。高頻電源101是經由阻抗匹配電路102來供給高頻(高頻電流、高頻電壓、高頻電力)至巴倫103的第1輸入端子201與第2輸入端子202之間。換言之，高頻電源101是經由阻抗匹配電路102、巴倫103及阻塞電容器104來供給高頻(高頻電流、高頻電壓、高頻電力)至第1電極106與第2電極111之間。或，高頻電源101是亦可理解為經由阻抗匹配電路102及巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。
在真空容器110的內部空間是經由被設在真空容器110之未圖示的氣體供給部來供給氣體(例如Ar、Kr或Xe氣體)。並且，在第1電極106與第2電極111之間是經由阻抗匹配電路102、巴倫103及阻塞電容器104來藉由高頻電源101供給高頻。藉此，產生電漿，在標靶109的表面產生自偏置電壓，電漿中的離子會衝突於標靶109的表面，從標靶109放出構成那個的材料的粒子。然後，藉由此粒子來形成膜於基板112上。
在圖2A是表示巴倫103的一構成例。被表示於圖2A的巴倫103是具有連接第1輸入端子201與第1輸出端子211的第1線圈221、及連接第2輸入端子202與第2輸出端子212的第2線圈222。第1線圈221及第2線圈222是同一捲數的線圈，共有鐵芯。
在圖2B是表示巴倫103的其他的構成例。被表示於圖2B的巴倫103是具有：連接第1輸入端子201與第1輸出端子211的第1線圈221、及連接第2輸入端子202與第2輸出端子212的第2線圈222。並且，被表示於圖2B的巴倫103是可更具有：與第1線圈221共有鐵芯而與第1線圈221磁性結合的第3線圈223、及與第2線圈222共有鐵芯而與第2線圈222磁性結合的第4線圈224。第1輸出端子211與第2輸出端子212是藉由由第3線圈223及第4線圈224所成的串聯電路來連接。第1線圈221、第2線圈222、第3線圈223及第4線圈224是具有同一捲數的線圈，共有鐵芯。
在圖3是模式性地表示本發明的第2實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第2實施形態未說明的事項是可按照第1實施形態。第2實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112的蝕刻裝置動作。在第2實施形態中，第1電極106是陰極，保持基板112。並且，在第2實施形態中，第2電極111是陽極。真空容器110的至少一部分是可以導體所構成。真空容器110是可包含被接地的部分。在一例中，構成真空容器110的至少一部分的導體是可被接地。在其他的例子中，構成真空容器110的至少一部分的導體是可經由電感器來對於接地電性連接。第1電極106及第2電極111是可與真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)絕緣。在圖3所示的例子中，第1電極106及第2電極111是藉由絕緣體131來與真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)絕緣。
在第2實施形態的電漿處理裝置1中，第1電極106與第1輸出端子211可經由阻塞電容器104來電性連接。換言之，在第2實施形態的電漿處理裝置1中，阻塞電容器104會被配置於第1電極106與第1輸入端子211之電性的連接路徑。亦可取代設置阻塞電容器104，而構成為阻抗匹配電路102會遮斷流動於第1輸入端子201與第2輸入端子202之間的直流電流。或，阻塞電容器104是亦可配置於第2電極111與第2輸出端子212之間。
本發明是不限於上述實施形態，不脫離本發明的精神及範圍，可實施各種的變更及變形。因此，為了將本發明的範圍公諸於世，而附上以下的請求項。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧本體
101‧‧‧高頻電源
102‧‧‧阻抗匹配電路
103‧‧‧巴倫
104‧‧‧阻塞電容器
106‧‧‧第1電極
107、108‧‧‧絕緣體
109‧‧‧標靶
110‧‧‧真空容器
111‧‧‧第2電極
112‧‧‧基板
132‧‧‧基板保持部
201‧‧‧第1輸入衡端子
202‧‧‧第2輸入端子
211‧‧‧第1輸出端子
212‧‧‧第2輸出端子
251‧‧‧第1端子
252‧‧‧第2端子
221‧‧‧第1線圈
222‧‧‧第2線圈
223‧‧‧第3線圈
224‧‧‧第4線圈
圖1是模式性地表示本發明的第1實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 　　圖2A是表示巴倫的構成例的圖。 　　圖2B是表示巴倫的其他的構成例的圖。 　　圖3是模式性地表示本發明的第2實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。

Claims (11)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵係具備： 　　具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫； 　　真空容器； 　　與前述真空容器絕緣，且被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極； 　　與前述真空容器絕緣，且被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極， 　　前述第2電極，係被配置成為將前述第1電極遍及全周長而包圍。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第2電極，係具有筒形狀。
  3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，其中，前述第1電極及前述第2電極，係被配置成為構成同軸構造。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第1電極與前述第2電極的距離為德拜長以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述真空容器，係包含被接地的部分。
  6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第1電極為陰極，前述第2電極為陽極。
  7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第1電極與前述第2電極之間的阻抗為比前述第1電極與前述真空容器之間的阻抗小。
  8. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第1輸出端子與前述第1電極係經由阻塞電容器來電性連接。
  9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，作為蝕刻裝置來構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，作為濺射裝置來構成。
  11. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更具備： 　　高頻電源；及 　　被配置於前述高頻電源與前述巴倫之間的阻抗匹配電路。
TW107121808A 2017-06-27 2018-06-26 電漿處理裝置 TWI677907B (zh)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??PCT/JP2017/023611 2017-06-27
WOPCT/JP2017/023603 2017-06-27
WOPCT/JP2017/023611 2017-06-27
??PCT/JP2017/023603 2017-06-27
PCT/JP2017/023603 WO2019003309A1 (ja) 2017-06-27 2017-06-27 プラズマ処理装置
PCT/JP2017/023611 WO2019003312A1 (ja) 2017-06-27 2017-06-27 プラズマ処理装置
JP2018-017549 2018-02-02
JP2018017549 2018-02-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201905972A true TW201905972A (zh) 2019-02-01
TWI677907B TWI677907B (zh) 2019-11-21

Family

ID=64741824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107121808A TWI677907B (zh) 2017-06-27 2018-06-26 電漿處理裝置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20200126763A1 (zh)
EP (1) EP3648553B1 (zh)
JP (2) JP6564556B2 (zh)
KR (1) KR102327136B1 (zh)
CN (1) CN110800378B (zh)
PL (1) PL3648553T3 (zh)
SG (1) SG11201912655XA (zh)
TW (1) TWI677907B (zh)
WO (1) WO2019004183A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3648552B1 (en) * 2017-06-27 2022-04-13 Canon Anelva Corporation Plasma treatment device
CN114666965A (zh) 2017-06-27 2022-06-24 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
PL3648550T3 (pl) * 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
PL3648554T3 (pl) * 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
WO2020003557A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体
US11535532B1 (en) * 2020-07-17 2022-12-27 Dmitry Medvedev System and method of water purification and hydrogen peroxide generation by plasma

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE806098A (fr) * 1973-03-28 1974-02-01 Siemens Ag Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure
US4887005A (en) * 1987-09-15 1989-12-12 Rough J Kirkwood H Multiple electrode plasma reactor power distribution system
US4871421A (en) * 1988-09-15 1989-10-03 Lam Research Corporation Split-phase driver for plasma etch system
JPH02156080A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156081A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156083A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
US5354413A (en) * 1993-03-18 1994-10-11 Advanced Micro Devices, Inc. Electrode position controller for a semiconductor etching device
US5989999A (en) * 1994-11-14 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Construction of a tantalum nitride film on a semiconductor wafer
DE19615735A1 (de) * 1996-04-20 1997-10-23 Ruediger Haaga Gmbh Vorrichtung zum Sterilisieren der Innenflächen von druckempfindlichen Behältern
JPH10134997A (ja) * 1996-10-24 1998-05-22 Samsung Electron Co Ltd ２次電位による放電を除去したプラズマ処理装置
KR100252210B1 (ko) * 1996-12-24 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 건식식각장치
GB9714142D0 (en) * 1997-07-05 1997-09-10 Surface Tech Sys Ltd An arrangement for the feeding of RF power to one or more antennae
JP3148177B2 (ja) * 1998-04-27 2001-03-19 ニチメン電子工研株式会社 プラズマ処理装置
US6818103B1 (en) * 1999-10-15 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems
US6677167B2 (en) * 2002-03-04 2004-01-13 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method
US7445690B2 (en) * 2002-10-07 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
DE10306347A1 (de) * 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
JP3575011B1 (ja) * 2003-07-04 2004-10-06 村田 正義 プラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法
JP4658506B2 (ja) * 2004-03-31 2011-03-23 浩史 滝川 パルスアークプラズマ生成用電源回路及びパルスアークプラズマ処理装置
JP2006319043A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JPWO2008032627A1 (ja) * 2006-09-11 2010-01-21 株式会社アルバック ドライエッチング方法
TWI440405B (zh) * 2007-10-22 2014-06-01 New Power Plasma Co Ltd 電容式耦合電漿反應器
JP5294669B2 (ja) * 2008-03-25 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2008294465A (ja) * 2008-07-31 2008-12-04 Masayoshi Murata 電流導入端子と、該電流導入端子を備えたプラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法
JP4547711B2 (ja) * 2008-10-10 2010-09-22 村田 正義 高周波プラズマｃｖｄ装置及び高周波プラズマｃｖｄ法
JP2010255061A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Canon Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング処理方法
JP2009302566A (ja) 2009-09-16 2009-12-24 Masayoshi Murata トランス型平衡不平衡変換装置を備えたプラズマ表面処理装置
CN102549725B (zh) * 2009-09-29 2016-06-01 株式会社爱发科 等离子蚀刻装置
US20130017315A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling power distribution in substrate processing systems
JP2013098177A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Semes Co Ltd 基板処理装置及びインピーダンスマッチング方法
US20130337657A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
JP2014049541A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法
JP2013139642A (ja) * 2013-04-02 2013-07-18 Canon Anelva Corp スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置
KR101768928B1 (ko) * 2013-12-25 2017-08-17 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판 가공 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
GB201502453D0 (en) * 2015-02-13 2015-04-01 Spts Technologies Ltd Plasma producing apparatus
JP6473974B2 (ja) * 2016-09-30 2019-02-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6524536B2 (ja) * 2016-11-09 2019-06-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
PL3648554T3 (pl) * 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200018656A (ko) 2020-02-19
JP2019194986A (ja) 2019-11-07
EP3648553B1 (en) 2021-05-19
PL3648553T3 (pl) 2021-09-13
CN110800378B (zh) 2021-12-28
SG11201912655XA (en) 2020-01-30
US20200126763A1 (en) 2020-04-23
WO2019004183A1 (ja) 2019-01-03
EP3648553A1 (en) 2020-05-06
KR102327136B1 (ko) 2021-11-15
JP6564556B2 (ja) 2019-08-21
EP3648553A4 (en) 2020-06-24
TWI677907B (zh) 2019-11-21
CN110800378A (zh) 2020-02-14
JPWO2019004183A1 (ja) 2019-11-07
JP6714127B2 (ja) 2020-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI677907B (zh) 電漿處理裝置
TWI704844B (zh) 電漿處理裝置
TW201947660A (zh) 用於基座的射頻(rf)接地配置
TWI693863B (zh) 電漿處理裝置
TWI750525B (zh) 電漿處理裝置
TWI693860B (zh) 電漿處理裝置
TWI699140B (zh) 電漿處理裝置
JP2019009099A (ja) プラズマ処理装置
TWI279169B (en) Plasma processing apparatus capable of performing uniform plasma treatment by preventing drift in plasma discharge current
TWI690244B (zh) 電漿處理裝置
JP7114368B2 (ja) スパッタリング装置
TWI693864B (zh) 電漿處理裝置
JP2003217900A (ja) プラズマ処理装置