TW201905224A - 沉積oled之方法 - Google Patents
沉積oled之方法Info
- Publication number
- TW201905224A TW201905224A TW107119677A TW107119677A TW201905224A TW 201905224 A TW201905224 A TW 201905224A TW 107119677 A TW107119677 A TW 107119677A TW 107119677 A TW107119677 A TW 107119677A TW 201905224 A TW201905224 A TW 201905224A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- starting material
- storage
- mass
- storage element
- deposited
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 121
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 66
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 28
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 22
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 14
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 14
- 239000008259 solid foam Substances 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本發明係有關於用於將層沉積在基板(5)上之一種裝置及一種方法,其中,在準備步驟中將起始材料之第一質量沉澱在儲存元件(1)之儲存面上,並且在塗佈步驟中將起始材料自儲存面蒸發,並且藉由載氣(C)將起始材料之經測定的質量輸入製程室(2),在該處,在基板(5)上將具有起始材料或起始材料之反應產物的層沉積在基板(5)上。在準備步驟中將大於所測定質量最多百分之10的質量,但較佳剛好將所測定質量,沉澱在儲存面上,在塗佈步驟中透過加熱將該質量蒸發。
Description
本發明係有關於一種將層沉積在基板上之方法,其中,在準備步驟中將起始材料之第一質量沉澱在儲存元件之儲存面上,並且在塗佈步驟中將該起始材料自該等儲存面蒸發,並且藉由載氣將該起始材料之經測定的質量運輸進製程室,在該處在基板上將具有該起始材料或該起始材料之反應產物的層沉積在該基板上。
WO 2012/175128、WO 2012/175126及WO 2012/175124 A1揭露過一種同類型的方法。固態發泡體以其開孔型氣孔之壁部構成儲存面,在準備步驟中,將事先經蒸發之有機起始材料沉澱在此等儲存面上。在塗佈步驟中,將此固態發泡體加熱至保持恆定的蒸發溫度。將載氣流穿過儲存元件,在此儲存元件中,以保持恆定的蒸發率饋送經蒸發的起始材料。將以上述措施產生之在時間上恆定的蒸汽流饋送入沉積反應器之製程室,在此製程室中,基板處於經冷卻的基板架上。將起始材料或此起始材料之反應產物沉積在此基板之表面上。
US 7,238,389描述過一種裝置,其具有用來蒸發粉末之粉末蒸發器,此粉末蒸發器將蒸汽饋送入用作蒸汽源之固態發泡體。
DE 10 2011 051 260 A1描述過一種用於由所儲存的有 機起始材料產生氣膠之氣膠發生器。藉由載氣將此氣膠饋送入由固態發泡體構成之蒸發器,自外部為此固態發泡體輸送蒸發能,從而在此固態發泡體之面上蒸發氣膠粒子。將如此產生之蒸汽饋送入佈置有待塗佈基板之製程室。
本發明之目的在於,改良同類型的方法以利其使用,特別是提供可用來簡化對起始材料之被饋送入製程室的經精確測定的質量進行調節之措施。
該目的透過申請專利範圍所給出之發明而達成,其中,附屬項不僅為獨立項所給出之發明的有利改良方案,亦為該目的之獨創解決方案。申請專利範圍之各特徵可與其他申請專利範圍之各特徵任意組合。
本發明之方法首先且實質上透過如下方式改良:在該準備步驟中,將該起始材料之預設質量沉澱在該等儲存面上。該質量可剛好為在該塗佈步驟中被沉積之質量。該起始材料之沉澱在該等儲存面上的總質量可略大於在該塗佈步驟中被重新蒸發之質量,其中,該質量差為最大百分之10,較佳最大百分之1。儲存器之某種程度的「過量裝料」的優點在於,可將具有大體恆定的長度或恆定的能量之保持不變的能量脈衝用於進行蒸發,且該塗佈步驟可極為短暫。出於技術方面的原因,蒸汽發生率在能量施加結束時近似呈指數減小,從而在僅還有少於百分之10的儲存質量存在於儲存面上的情況下將蒸汽發生停止。較佳在少於百分之1的儲存質量存在於儲存面上的情況下將蒸發過程停止。儘管如此,用於蒸發起始材料之能量施加的時間與習知方法相比並非關鍵,因為蒸發率在 蒸發步驟結束時呈指數減小,且所散發的質量易於保持在公差範圍內。若該儲存元件已經歷相關製程並且在其儲存面上承載有少量起始材料,則可剛好將該起始材料之所測定質量沉澱在儲存面上。在塗佈步驟中,將起始材料之沉積在儲存面上的質量完全蒸發直至上述處於公差範圍內的剩餘量,並且饋送入製程室。
在採用本發明之將層沉積在基板上之方法的情況下,藉由載氣將粉末之經精確測定的量作為蒸汽量輸入製程室。在該處將層沉積在基板上。在先前技術中,透過如下方式測定該蒸汽量:蒸汽發生器首先進入工作狀態,其在該工作狀態下產生保持恆定的蒸汽率。隨後,載氣流將起始材料之在時間上保持恆定的質量流輸入製程室。在定義的時間期內測定該量,在該時間期內,將該在時間上恆定的質量流饋送入製程室。根據本發明,用該起始材料之經精確測定的量為儲存元件裝料。此點可在同樣用來實施塗佈步驟之同一裝置中實施。透過輸送管將載氣-蒸汽混合物饋送入透氣的儲存元件中,但將其冷凝面保持在較低溫度,特別是保持在室溫。儲存元件之溫度較佳低於起始材料之冷凝溫度至少20℃。可以多種方式產生蒸汽狀的起始材料以便為儲存元件裝料,例如可稱出起始材料之量並且將其在坩鍋中完全蒸發,並且將該蒸汽冷凝在儲存元件之儲存面上。但作為替代方案,可產生氣膠或粒子流,將該氣膠或該粒子流在蒸發器中蒸發,其中,產生穩定的蒸汽流並且透過氣相沉積之時間來確定儲存在儲存面上之起始材料的量。亦可將氣膠或粒子流之固態或液態的成分直接沉澱在儲存元件之儲存面上。在此透過氣膠施加之時間期來測定沉澱在儲存面上之材料。在採用該種方法的情況下,若蒸發率或氣膠發生率之時間平均值不發 生變化,則起始材料在蒸發器或氣膠發生器中之蒸發率或氣膠發生率可在時間上完全改變。此外,本發明之方法可將該準備步驟與該塗佈步驟在時間上隔開。存在如下方案:各用該起始材料之一經精確測定的質量同時為數個儲存元件裝料,或者將裝有經精確測定的質量之儲存元件儲存起來並且按需要加以應用。在塗佈步驟中,對該儲存元件施加能量脈衝。此點可透過通電,即透過饋送電能來實施。在進行能量施加後,儲存元件之溫度持續上升,直至達到最高溫度,該最高溫度高於起始材料之冷凝溫度或蒸發溫度,但低於該起始材料發生化學或物理轉化之溫度。該起始材料係指在製造OLED時所應用之有機起始材料。在將較冷的儲存元件自室溫或低於冷凝溫度之更高溫度加熱至最高溫度時,儲存面之溫度持續上升。在一定程度上形成溫度斜坡。故蒸汽發生率在塗佈步驟期間有所變化。該蒸汽發生率自零上升並且達到最大值。在儲存在儲存元件中之全部起始材料被蒸發後,蒸發率在最大值後重新下降回零。藉由本發明,以較高的材料效率及該材料之短暫的停留時間期在較熱的蒸發器中將可重複的材料量蒸發。在進行批量生產時,依次實施數個沉澱步驟,其中,亦可依次實施數個循環來沉積層,在該等循環中,首先為該儲存元件裝料,隨後,將該起始材料蒸發,其中,該起始材料之受儲存元件承載的全部質量可略大於該塗佈步驟所需之質量。重要的是,在進行裝料時,始終將相同量的起始材料送至儲存面,較佳在隨後的塗佈步驟中僅將該量自儲存面蒸發。如此便能確保將可重複的質量的有機材料蒸發,其中該公差易於遵循,因為隨著蒸發量增加,特別是在至少百分之90的儲存質量被蒸發的情況下,蒸汽發生率呈指數減小。因此,較佳在塗佈步驟中將離散 定義的材料量、即剛好用於塗佈步驟之材料量沉澱在較冷的蒸發器上。該蒸發器之溫度僅需低於蒸發溫度。在準備步驟結束後(該準備步驟在一定程度上指由儲存元件構成之蒸發器的裝料步驟)可開始塗佈步驟,具體方式為:用能量脈衝將該蒸發器加熱,使得沉澱在儲存面上之材料大體完全蒸發,即蒸發至技術上可接受之餘量。該塗佈步驟可短於該準備步驟。可在幾秒內將儲存在儲存面上之材料大體完全蒸發。隨後,將該蒸發器、即該儲存元件重新冷卻並且在達到低於蒸發溫度之溫度後重新為其裝料。在裝料期間,即在準備步驟期間,可在製程室內進行基板更換。較佳透過將作為蒸汽運輸之有機起始材料冷凝來為儲存元件裝料,使得該儲存元件構成冷凝液載體。
1‧‧‧儲存元件
2‧‧‧製程室
3‧‧‧氣體入口構件
4‧‧‧基板架
5‧‧‧基板
6‧‧‧輸送通道
7‧‧‧輸送管
C‧‧‧載氣
H‧‧‧熱功率
Q‧‧‧量
V‧‧‧蒸汽
t‧‧‧時間
下面根據附圖闡述本發明之實施例。其中:圖1為用於為儲存元件1裝料之裝置,如圖2示意性所示,該裝置可為塗佈設備之部分,但亦可與其在空間上隔開,圖2為塗佈裝置,圖3為先前技術(WO 2012/175128)中之蒸汽源的蒸汽發生率的時間曲線,以及圖4為本發明之蒸汽源的蒸汽發生率。
圖1示出用於為實施冷凝液載體之功能的儲存元件1裝料之裝置,將該冷凝液載體用作為用於儲存有機起始材料之經精確測定的量的儲存介質。此外,儲存元件1具有蒸發器之功能。如WO 2012/175128或US 7,238,389中所描述的那般,該蒸發器由導電 的固態發泡體構成。
在用有機起始材料為儲存元件1裝料之準備步驟期間,儲存元件1之溫度低於該有機起始材料之冷凝溫度。可將儲存元件1冷卻,以便散發冷凝熱。但該儲存元件亦可具有足夠低的溫度,使其在以蒸汽形式被饋送入圖1所示裝置之起始材料冷凝時不會達到蒸發溫度。
圖1所示裝置具有輸送管7,載氣C透過該輸送管運輸有機起始材料之事先產生的蒸汽V。在輸送管7之擴展橫截面的區域內設有由導電的固態發泡體構成之儲存元件1。可將其開孔的氣室壁構成供蒸汽V冷凝之儲存面。
可藉由一裝置產生被饋送入輸送管7之蒸汽,此點在開篇所引用的先前技術中有所揭露。特別是可設有用來產生氣膠流之氣膠發生器,在上游的另一蒸發器中將該氣膠流蒸發。但亦可稱出有機起始材料之預設的質量並且在坩鍋中加熱,並且透過輸送管7將由此產生之蒸汽V朝儲存元件1導引,隨後,所產生的蒸汽V完全冷凝在儲存元件之儲存面上。但亦可透過撒上粉末或使得液體凝固來為儲存元件1裝料。在採用用於蒸汽發生之較佳方法時,透過輸送管7流動之全部蒸汽V皆冷凝在儲存元件1之儲存面上。
可將此種裝有有機起始材料之經精確測定的量的儲存元件1儲存起來供之後使用。但特別是在同樣用來產生蒸汽之同一裝置內用有機材料為儲存元件1裝料,將該蒸汽饋送入製程室2以沉積層。
圖2示出此種裝置。在緊接著準備步驟之塗佈步驟期間,透過輸送通道6饋送不存在蒸汽之載氣流。載氣流C穿過儲存元 件1,透過饋送熱能H將該儲存元件加熱。在此過程中,儲存元件1之溫度持續發生變化,直至高於有機起始材料之蒸發溫度。可透過將電流穿過導電的儲存元件1來饋送熱功率H。
儲存元件1中之蒸發率隨溫度升高而升高,直至達到某個溫度後,蒸發率達到最大值(參閱圖4)。隨著儲存在儲存元件1中之材料逐漸耗盡,在有機起始材料之儲存在儲存元件1中的質量近似被完全蒸發且冷凝液在儲存面上之覆蓋率低於百分之50或百分之20的情況下,蒸發率下降至近似零。亦即,蒸發率大體隨時間呈指數減小。在蒸發率僅相當於最大蒸發率之百分之一的情況下,能量輸送停止。
因此,塗佈步驟可在材料流持續變化的情況下產生穿過輸送通道6流動之蒸汽流。
輸送通道6將儲存元件1與氣體入口構件3連接在一起,該氣體入口構件佈置在製程室2內並且保持在高於蒸汽之冷凝溫度的溫度上,使得在儲存元件1中產生並且透過輸送通道6所運輸之蒸汽完全貫穿氣體入口構件3。氣體入口構件3在朝向基板架4之排氣面上具有數個呈篩網狀佈置之噴嘴。自呈蓮蓬頭形之氣體入口構件3排出且運輸蒸汽之載氣C將蒸汽V朝佈置在經冷卻的基板架4上之基板5方向運輸,該蒸汽之可重複的部分在該處作為層而冷凝或發生反應,從而將反應產物作為層沉積在基板5上。
圖4示出由本發明之蒸汽源、即儲存元件1產生之蒸汽發生率,而圖3示出先前技術中之蒸汽源的蒸汽發生率。在蒸汽發生率急劇變化之穩定時間後,該蒸汽發生率達到穩定狀態,在該狀態下,蒸汽發生率在時間上不再發生變化。饋送入製程室2之量Q 由饋送時間定義,在該饋送時間期間,將穩定的蒸汽流饋送入製程室2。
在本發明之方法(圖4)中,有機起始材料之沉澱在儲存元件1之儲存面上的儲存質量、特別是冷凝液質量形成饋送入製程室2之量Q。
需要沉積在基板上之層特別是以數個疊層狀的單層形式存在,其中,以如下方式沉積每個單層:首先在準備步驟中用起始材料為儲存元件1裝料,其中,總是將相同的質量沉澱在儲存元件1之儲存面上,其中,該質量與在準備步驟之後的塗佈步驟中重新被儲存元件1蒸發之質量大體相同,使得在每個塗佈步驟後,在儲存面上保留有近似相同的剩餘質量,其中,該剩餘質量較佳僅部分地覆蓋儲存面。在塗佈步驟中,將儲存元件1清空至某個程度,使得用起始材料覆蓋儲存面之覆蓋率低於百分之20,且其中,用起始材料覆蓋儲存面之覆蓋率在塗佈步驟前為百分之100。
前述實施方式係用於說明本申請整體所包含之發明,該等發明至少透過以下特徵組合分別獨立構成相對於先前技術之改良方案,其中亦可將此等特徵組合中的兩個、數個或所有相互組合,亦即:
一種方法,其特徵在於:在該準備步驟中將大於該所測定質量最多百分之10的質量,但較佳剛好將該所測定質量,沉澱在該等儲存面上,在該塗佈步驟中將該質量蒸發。
一種方法,其特徵在於:在該起始材料之蒸發率在時間上有所變化的情況下,透過將該儲存元件1加熱來將該起始材料自該等儲存面蒸發。
一種方法,其特徵在於:該儲存元件1在該準備步驟中具有低於該起始材料之冷凝溫度、特別是低於該冷凝溫度至少20℃之溫度,並且在該塗佈步驟中自該溫度加熱至高於該起始材料之冷凝溫度的溫度,其中,該儲存元件1之溫度持續上升。
一種方法,其特徵在於:將固態發泡體用作儲存元件1,該固態發泡體具有導電性並且透過通電來加熱該儲存元件1。
一種方法,其特徵在於:為了將該儲存在該等儲存面上之起始材料蒸發,對該儲存元件1施加能量脈衝。
一種方法,其特徵在於:該準備步驟中,載氣C將該起始材料作為粒子流、氣膠或在蒸汽狀的狀態下朝該儲存元件1輸送。
一種方法,其特徵在於:在數個接續進行的步驟中,在準備步驟中分別將該起始材料之一預設質量沉澱在該等儲存面上,並且隨後透過能量施加在該塗佈步驟中將相同的質量蒸發,其中,特別是在該塗佈步驟後,在該塗佈步驟開始前被沉澱在該等儲存面上之質量的最多百分之10還存在於該等儲存面上。
一種方法,其特徵在於:應用預設的能量來進行蒸發。
所有已揭露特徵(作為單項特徵或特徵組合)皆為發明本質所在。故本申請之揭露內容亦包含相關/所附優先權檔案(在先申請副本)所揭露之全部內容,該等檔案所述特徵亦一併納入本申請之申請專利範圍。附屬項以其特徵對本發明針對先前技術之改良方案的特徵予以說明,其目的主要在於在該等請求項基礎上進行分案申請。此外,在每個請求項中給出之發明可具有在前文描述中揭示的、特別是用元件符號表示及/或在元件符號列表中給出的特徵中 的一或多個。本發明亦涵蓋未實現前述特徵中之個別特徵的實施方案,特別是在此等特徵對於具體用途而言並非不可或缺或可被其他等效手段替代的情況下。
Claims (10)
- 一種將層沉積在基板(5)上之方法,其中,在準備步驟中將起始材料之第一質量沉澱在儲存元件(1)之儲存面上,並且在塗佈步驟中將該起始材料自該等儲存面蒸發,並且藉由載氣(C)將該起始材料之經測定的質量輸入製程室(2),在該處,在基板(5)上將具有該起始材料或該起始材料之反應產物的層沉積在該基板(5)上,其特徵在於:在該準備步驟中將大於該所測定質量最多百分之10的質量沉澱,在該塗佈步驟中將該質量蒸發。
- 如請求項1之方法,其中,在該準備步驟中剛好將該所測定質量沉澱在該等儲存面上,在該塗佈步驟中將該質量蒸發。
- 如請求項1或2之方法,其中,在該起始材料之蒸發率在時間上有所變化的情況下,透過將該儲存元件(1)加熱來將該起始材料自該等儲存面蒸發。
- 如請求項1或2之方法,其中,該儲存元件(1)在該準備步驟中具有低於該起始材料之冷凝溫度、特別是低於該冷凝溫度至少20℃之溫度,並且在該塗佈步驟中自該溫度加熱至高於該起始材料之冷凝溫度的溫度,其中,該儲存元件(1)之溫度持續上升。
- 如請求項1或2之方法,其中,將固態發泡體用作儲存元件(1),該固態發泡體具有導電性並且透過通電來加熱該儲存元件(1)。
- 如請求項1或2之方法,其中,為了將該儲存在該等儲存面上之起始材料蒸發,對該儲存元件(1)施加能量脈衝。
- 如請求項1或2之方法,其中,該準備步驟中,載氣(C)將該起始材料作為粒子流、氣膠或在蒸汽狀的狀態下朝該儲存元件(1)輸送。
- 如請求項1或2之方法,其中,在數個接續進行的步驟中,在準備步驟中分別將該起始材料之一預設質量沉澱在該等儲存面上,並且隨後透過能量施加在該塗佈步驟中將相同的質量蒸發。
- 如請求項8之方法,其中,在該塗佈步驟後,在該塗佈步驟開始前被沉澱在該等儲存面上之質量的最多百分之10還存在於該等儲存面上。
- 如請求項1或2之方法,其中,應用預設的能量來進行蒸發。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102017112668.6 | 2017-06-08 | ||
DE102017112668.6A DE102017112668A1 (de) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | Verfahren zum Abscheiden von OLEDs |
??102017112668.6 | 2017-06-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201905224A true TW201905224A (zh) | 2019-02-01 |
TWI791534B TWI791534B (zh) | 2023-02-11 |
Family
ID=62567643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107119677A TWI791534B (zh) | 2017-06-08 | 2018-06-07 | 沉積oled之方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102652774B1 (zh) |
DE (1) | DE102017112668A1 (zh) |
TW (1) | TWI791534B (zh) |
WO (1) | WO2018224454A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019129176A1 (de) * | 2019-10-29 | 2021-04-29 | Apeva Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden organischer Schichten |
DE102020103822A1 (de) | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Apeva Se | Vorrichtung zum Verdampfen eines organischen Pulvers |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0585848A1 (de) * | 1992-09-02 | 1994-03-09 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung dünner Schichten |
DE10048759A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Aixtron Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
US7238389B2 (en) | 2004-03-22 | 2007-07-03 | Eastman Kodak Company | Vaporizing fluidized organic materials |
CN102171377A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 蒸镀装置、蒸镀方法以及存储有程序的存储介质 |
TWI539631B (zh) * | 2009-09-15 | 2016-06-21 | 無限科技全球公司 | 製造發光、光伏或其它電子裝置及系統的方法 |
DE102011051261A1 (de) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu |
DE102011051263B4 (de) * | 2011-06-22 | 2022-08-11 | Aixtron Se | Vorrichtung zur Aerosolerzeugung und Abscheiden einer lichtemittierenden Schicht |
DE102011051260A1 (de) | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs |
EP2723912B1 (en) | 2011-06-22 | 2018-05-30 | Aixtron SE | Vapor deposition material source and method for making same |
JP5848822B2 (ja) | 2011-06-22 | 2016-01-27 | アイクストロン、エスイー | 気相蒸着システム及び供給ヘッド |
EP2723914B1 (en) | 2011-06-22 | 2018-09-26 | Aixtron SE | Method and apparatus for vapor deposition |
-
2017
- 2017-06-08 DE DE102017112668.6A patent/DE102017112668A1/de active Pending
-
2018
- 2018-06-05 KR KR1020197037993A patent/KR102652774B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-05 WO PCT/EP2018/064676 patent/WO2018224454A1/de active Application Filing
- 2018-06-07 TW TW107119677A patent/TWI791534B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018224454A1 (de) | 2018-12-13 |
TWI791534B (zh) | 2023-02-11 |
KR102652774B1 (ko) | 2024-03-28 |
DE102017112668A1 (de) | 2018-12-13 |
KR20200016276A (ko) | 2020-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5989107B2 (ja) | 有機出発物質の堆積方法、蒸発装置および堆積装置 | |
KR102003527B1 (ko) | Oled들을 증착하기 위한 방법 및 그 장치 | |
JP6752199B2 (ja) | Cvdまたはpvd装置のための蒸気発生装置および蒸気発生方法 | |
TWI683019B (zh) | 用數種液態或固態起始材料為cvd裝置或pvd裝置產生蒸汽之裝置及方法 | |
US20110262650A1 (en) | Vaporizing or atomizing of electrically charged droplets | |
US10066287B2 (en) | Direct liquid deposition | |
KR910002567B1 (ko) | 열적으로 조절된 클러스터들용 캐리어 가스 클러스터 원 | |
TW201905224A (zh) | 沉積oled之方法 | |
CN107075660B (zh) | 具有在多个位置处进料的稀释气体流的经调温的导气管 | |
JPH05214537A (ja) | 固体昇華用の気化器 | |
TW201718917A (zh) | 使用電漿作為間接加熱媒介之氣相沉積裝置及方法 | |
JPH04120270A (ja) | クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置 | |
JP2003332327A (ja) | 気化供給方法 | |
CN102839352A (zh) | 一种薄膜沉积装置及方法 | |
TW202229587A (zh) | 時間上恆定之蒸汽流的產生方法以及用於產生蒸汽之裝置之工作點的設定方法 | |
Matsuzaki et al. | Study of Cs-Te photocathode for rf electron gun | |
CN102776479A (zh) | 一种薄膜制备装置和方法 | |
KR20190080062A (ko) | 수분 제거가 용이한 페럴린 성막 장치 | |
WO2012146828A2 (en) | Process and apparatus for coating |