TW201903758A

TW201903758A - 電壓系統及其操作方法

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Publication number: TW201903758A
Application number: TW106127034A
Authority: TW
Inventors: 許庭碩
Original assignee: 南亞科技股份有限公司
Priority date: 2017-06-12
Filing date: 2017-08-10
Publication date: 2019-01-16
Also published as: CN109036489A; TWI668701B; US10049719B1

Abstract

本揭露係關於一種DRAM的電壓系統及其操作方法。該電壓系統包含一第一調節器、一第二調節器與一控制元件。該控制元件基於該DRAM經指示操作的一操作模式而判定所需要之調節器的數量，以及基於該判定，致能該第一調節器與該第二調節器之一或多個調節器並且禁能剩餘的調節器。該一或多個致能的調節器的數量等於經判定所需要調節器的數量。該一或多個致能的調節器提供一電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。

Description

電壓系統及其操作方法

本揭露係關於一種電壓系統，更特別地，本揭露係關於一種包含複數個調節器的電壓系統。

電壓調節器(voltage regulator，VR)通常用於電力傳送應用，其中輸入電壓需要以小於1(unity)至大於1(unity)的比率範圍轉換成輸出電壓。上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。

本揭露的實施例提供一種DRAM的電壓系統。該電壓系統包含一第一調節器、一第二調節器與一控制元件。該控制元件基於該DRAM經指示操作的一操作模式而判定所需要之調節器的數量，以及基於該判定，致能該第一調節器與該第二調節器的一或多個調節器並且禁能剩餘的調節器。該一或多個致能的調節器的數量等於經判定所需要調節器的數量。該一或多個致能的調節器提供一電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。在本揭露的一些實施例中，當該操作模式係一第一操作模式時，該控制元件基於該第一操作模式，致能該第一調節器與該第二調節器，以及該第一調節器與該第二調節器分別對於該儲存庫提供一第一電流與一第二電流。當該操作模式係不同於該第一操作模式的一第二操作模式時，該控制元件基於該第二操作模式，致能該第一調節器並且禁能該第二調節器，以及該第一調節器對於該儲存庫提供該第一電流，並且該第二調節器對於該儲存庫不提供該第二電流。在本揭露的一些實施例中，該第二操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。在本揭露的一些實施例中，在該第二操作模式中，該第一調節器提供的該第一電流的大小滿足該DRAM的一規格之該第二操作模式中所述之一操作電流的大小。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以接收一第二指令，其代表該DRAM經指示於該第二模式操作，以及該第二調節器經配置以響應該第二指令而不提供該第二電流。在本揭露的一些實施例中，該控制單元另經配置以當該DRAM經指示於該第二操作模式操作且當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，禁能該第二調節器。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該第二調節器經配置以響應該第二指令與該啟動指令而不提供該第二電流。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以接收一第一指令，其代表該DRAM經指示於該第一操作模式操作，以及該第二調節器經配置以響應該第一指令而提供該第二電流。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以當該DRAM經指示於該第一操作模式操作且當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，致能該第二調節器。在本揭露的一些實施例中，該控制單元另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該第二調節器經配置以響應該第一指令與該啟動指令而提供該第二電流。在本揭露的一些實施例中，該第一調節器與該第二調節器整合在一起。本揭露的一些實施例提供一種DRAM的電壓系統。當該DRAM經指示於一第一操作模式操作時，該調節器藉由致能而提供電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流，以及當該DRAM經指示於一第二操作模式操作時，該調節器不提供該電流，該第二操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。在本揭露的一些實施例中，該電壓系統另包含一控制單元，經配置以接收一第二指令，其代表該DRAM經指示於該第二操作模式操作，以及該調節器經配置以響應該第二指令而不提供該電流。在本揭露的一些實施例中，該控制單元另經配置以當該DRAM經指示於該第二操作模式操作且當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，禁能該調節器。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該調節器經配置以響應該第二指令與該啟動指令而不提供該電流。在本揭露的一些實施例中，該電壓系統，另包括一控制元件，經配置以接收一第一指令，其代表該DRAM經指示於該第一操作模式操作，以及該調節器經配置以響應該第一調節器而提供該電流。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以當該DRAM經指示於該第一操作模式操作以及當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，致能該調節器。在本揭露的一些實施例中，該控制元件另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該調節器經配置以響應該第一指令與該啟動指令而提供該電流。本揭露的一些實施例提供一種DRAM的電壓系統的操作方法。該操作方法包含基於該DRAM經指示操作的一操作模式，判定所需要之該電壓系統的調節器的數量；基於該判定，致能該電壓系統之一或多個調節器並且禁能該電壓系統之剩餘的調節器；以及藉由該致能的一或多個調節器，提供一電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。在本揭露的一些實施例中，該操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。在本揭露實施例DRAM中，當該DRAM經指示於該第二操作模式下操作時，該儲存庫不需要該調節器提供操作電流，即可禁能該調節器。因此，該DRAM的功率使用相對有效率。相對地，在比較實施例的DRAM中，一旦該DRAM的儲存庫經指示被啟動，則儘管該儲存庫不需要該調節器提供操作電流，該DRAM的調節器仍對於該儲存庫提供操作電流。即便在該DRAM的一些操作模式中，可能不需要該調節器提供的操作電流；然而，該調節器仍被致能。當該調節器被致能時，為了使得該調節器工作，需要一些偏壓電壓與一些偏壓電流，造成比較實施例的DRAM的功率使用沒有效率。再者，在本揭露實施例的DRAM中，藉由該控制元件可基於一指令而判定所需要調節器的數量，該指令代表該DRAM經指示於該第二操作模式操作。基於該判定，該DRAM致能一個調節器(第一調節器)並且禁能剩餘的調節器(第二調節器)。雖然該第二調節器禁能，然而僅由該第一調節器提供的電流仍足以滿足規格中所描述之該第二操作模式的需求。因此，在本揭露實施例的DRAM中，功率使用相對有效率。相對地，在比較實施例的DRAM中，一旦DRAM的一儲存庫經指示而被啟動，該DRAM的一第一調節器與一第二調節器結合對該儲存庫提供操作電流，儘管該第一調節器與該第二調節器提供的電流總和大小超過該DRAM之規格中所述的一操作模式的一操作電流大小。當該第一調節器與該第二調節器致能時，為使該第一調節器與該第二調節器工作，需要一些偏壓電壓與偏壓電流。因此，造成比較實施例DRAM沒有效率的功率使用。上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。

圖式所示之揭露內容的實施例或範例係以特定語言描述。應理解此非意圖限制本揭露的範圍。所述實施例的任何變化或修飾以及本案所述原理任何進一步應用，對於本揭露相關技藝中具有通常技術者而言為可正常發生。元件符號可重複於各實施例中，但即使它們具有相同的元件符號，實施例中的特徵並非必定用於另一實施例。應理解當稱元件為「連接至」或「耦合至」另一元件時，其可直接連接或耦合至另一元件，或是有中間元件存在。應理解雖然在本文中可使用第一、第二、第三等用語描述各種元件、組件、區域、層或區段，然而，這些元件、組件、區域、層或區段應不受限於這些用語。這些用語僅用於區分一元件、組件、區域、層或區段與另一區域、層或區段。因此，以下所述之第一元件、組件、區域、層或區段可被稱為第二元件、組件、區域、層或區段，而仍不脫離本揭露發明概念之教示內容。本揭露所使用的語詞僅用於描述特定例示實施例之目的，並非用以限制本發明概念。如本文所使用，單數形式「一」與「該」亦用以包含複數形式，除非本文中另有明確指示。應理解說明書中所使用的「包括」一詞專指所稱特徵、整數、步驟、操作、元件或組件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件或其群組的存在。圖1為包含電壓系統12之比較動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory，DRAM)10的示意圖。參閱圖1，除了電壓系統12之外，DRAM 10另包含儲存庫140。儲存庫140包含複數個記憶胞(未繪示)，用以儲存資料。為清楚說明，儲存庫140經便是且說明為單一元件。然而，儲存庫140或可代表包含複數個儲存庫140的組件。電壓系統12包含調節器120。調節器120經配置以當調節器120致能時提供電流與供應電壓Vs，分別作為儲存庫140的操作電流與操作電壓。更詳細而言，調節器120致能響應啟動指令Bact，其代表儲存庫140經指示被啟動。儲存庫140經指示被啟動，以於儲存庫140進行例如讀取操作、存寫操作、更新操作、或其他合適的操作。再者，調節器120藉由比較供應電壓Vs的電壓位準與參考電壓位準Vref0而維持供應電壓Vs穩定。更詳細而言，當調節器120致能時，調節器120充電電容器(未繪示)，藉以增加供應電壓Vs的電壓位準。當供應電壓Vs之增加的電壓位準大於參考電壓位準Vref0時，調節器120停止充電該電容器。而後，供應電壓Vs的電壓位準可能降低。當供應電壓Vs之降低的電壓位準小於參考電壓位準Vref0時，調節器120再次開始充電該電容器。藉由這些重複的比較，電壓位準Vs的電壓位準維持在所欲之電壓位準。一旦儲存庫140經指示被啟動，則調節器120對於儲存庫140提供操作電流，無論儲存庫140是否需要該操作電流。在DRAM 10的一些操作模式中，可能不需要操作電流。然而，調節器120仍致能。當調節器120致能時，為使調節器120工作，需要一些偏壓電壓與一些偏壓電流，造成功率使用沒有效率。圖2為示意圖，例示本揭露實施例之包含電壓系統22的DRAM 20。DRAM 20的操作模式包含的一操作模式與第二操作模式。在第一操作模式中，儲存庫140需要操作電流。在第二操作模式中，儲存庫140不需要操作電流。在一實施例中，第二操作模式包含DRAM 20的IDD3P的工作狀態。DRAM的工作狀態在該技藝為公知的；例如2003年發表的公開文獻「Technical Note, DDR2 tCKE Power-Down Requirement」，該文獻全文併入本案作為參考。在該文獻中，IDD3P係指切斷電源(power down)模式之一，特別係指啟動的切斷電源模式。參閱圖2，電壓系統22類似於圖1所示與所述之電壓系統12，差別在於例如電壓系統12另包含控制元件200與調節器220。控制元件200接收啟動指令Bact，其代表儲存庫140經指示被啟動以於儲存庫140進行例如讀取操作、存寫操作、更新操作、或其他合適的操作。再者，控制元件200接收第一指令Int1，其代表DRAM 20經指示於第一操作模式操作，並且響應第一指令Int1與啟動指令Bact致能調節器220；或者，控制元件200接收第二指令Int2，其代表DRAM 20經指示於第二操作模式操作，並且響應第二指令Int2與啟動指令Bact禁能調節器220。調節器220經配置以藉由被致能而提供電流，作為儲存庫140的操作電流，並且藉由被禁能而不提供該電流。在操作中，如前所述，DRAM 20包含兩種操作模式，即第一操作模式與第二操作模式。在第一操作模式中，控制元件200接收啟動指令Bact與第一指令Int1。由於接收第一指令Int1替代第二指令Int2，控制元件200使啟動指令Bact通過至調節器220。在此情況下，調節器220致能以響應啟動指令Bact，其將詳述於圖3相關說明中。在第二操作模式中，控制元件200接收啟動指令Bact與第二指令Int2。由於接收第二指令Int2替代第一指令Int1，控制元件200未使啟動指令Bact通過至調節器220。在此情況下，調節器220未對於儲存庫140提供電流以響應啟動指令Bact與第二指令Int2，其將詳述於圖4相關說明中。因此，在不需要操作電流的情況下，調節器不再致能。因此，DRAM 20的功率使用相對有效率。圖3為示意圖，例示本揭露實施例圖2所示之DRAM 20的第一操作模式。參閱圖3，控制元件200接收啟動指令Bact以及第一指令Int1替代第二指令Int2。控制元件200使啟動指令Bact通過至調節器220。調節器20被致能且對於儲存庫140提供電流I1，其作為儲存庫140的操作電流以響應啟動指令Bact與第一指令Int1。圖4為示意圖，例示本揭露實施例圖2所示之DRAM 20的第二操作模式。參閱圖4，控制元件200接收啟動指令Bact以及第二指令Int2替代第一指令Int1。控制元件200為使啟動指令Bact通過至調節器220，藉以禁能調節器220。調節器220禁能以響應啟動指令Bact與第二指令Int2。在本揭露中，當DRAM 20經指示以於第二操作模式下操作時，可禁能調節器220，其中如前所述，不需要儲存庫140的操作電流。因此，DRAM 20的功率使用相對有效率。圖5為包含電壓系統52之比較DRAM 50的示意圖。參閱圖5，電壓系統52類似於圖1所述與所示之電壓系統12，差別在於例如電壓系統52包含第一調節器520與第二調節器522。為便於說明，圖1的調節器120重新命名與重新編號成為第一調節器520；以及參考電壓位準Vref0重新命名為第一參考電壓位準Vref1。操作中的第二調節器522係與第一調節器520相同，差別在於例如第二調節器522藉由比較供應電壓Vs的電壓位準與第二參考電壓位準Vref2而維持供應電壓Vs穩定。因此，此處省略一些詳細的操作。當第一與第二調節器520與522致能時，第一與第二調節器520與522各自用以提供電流，作為儲存庫14的操作電流。更詳細而言，第一與第二調節器520與522接收啟動指令Bact，其代表儲存庫140經指示被啟動，並且據以致能以響應啟動指令Bact，其細節如圖6所述與所示。圖6為說明圖5所示之比較DRAM 50之操作的示意圖。參閱圖6，第一調節器520提供第一電流I1作為儲存庫140之操作電流的第一部分。同樣地，第二調節器522提供第二電流I2作為儲存庫140之操作電流的第二部分。一旦儲存庫140經指示被啟動，儘管電流I1與I2的總和大小超過DRAM 50規格所述之操作模式的操作電流大小，第一調節器520與第二調節器522對於儲存庫140提供電流I1與I2。例如，DRAM 50的規格聲稱操作模式中的操作電流為1毫安培(mA)。亦即，當DRAM 50經指示於操作模式下操作時，僅需要1 mA。再者，第一調節器520與第二調節器522各自經設計以提供1 mA。在此情況下，當第一調節器520與第二調節器522致能時，第一調節器520與第二調節器522通常提供2 mA，其超過1 mA。為了使第一調節器520與第二調節器522工作以提供2 mA，需要一些偏壓電壓與一些偏壓電流，造成功率使用沒有效率。增加有效功率使用的可能方式為當DRAM 50經指示於操作模式下操作時，關閉第一調節器520與第二調節器522其中之一。圖7為示意圖，例示本揭露實施例之包含電壓系統72的DRAM 70。參閱圖7，電壓系統72類似於圖8所示與所述之電壓系統52，差別在於例如電壓系統72包含控制元件700。操作中的控制元件700類似於圖2至4所示與所述之控制元件200，差別在於控制元件700另經配置以基於DRAM 70經指示操作的操作模式而判定所需要的調節器數量，並且基於該判定至能該等調節器，其中該致能調節器的數量等於經判定之所需要調節器之數量，將詳述於圖8與圖9之相關說明。藉由控制元件700，DRAM 70的功率使用相對有效率，將詳述於圖8與圖9之相關說明。再者，第一調節器520經配置以提供第一電流I1作為儲存庫140的操作電流，以及第二調節器522經配置以提供第二電流I2作為儲存庫的操作電流。在一實施例中，第一調節器520與第二調節器522彼此獨立。在另一實施例中，第一調節器520與第二調節器522整合在一起。圖8為示意圖，例示本揭露實施例圖7之DRAM 70的第一操作模式。參閱圖8，控制元件200接收啟動指令Bact以及第一指令Int1替代第二指令Int2。控制元件700基於第一指令Int1判定所需要之調節器的數量，該第一指令Int1代表DRAM 70經指示以於第一操作模式下操作。例如，控制元件700包含查詢表。控制元件700以第一指令Int1索引查詢表而判定所需要之調節器的數量。為進一步說明，假設第一調節器520與第二調節器522各自提供1毫安培(mA)。再者，DRAM 70的規格聲明第一操作模式的操作電流為2 mA。因此，控制元件700判定所需要之調節器的數量為二。在此情況下，控制元件700使啟動指令Bact通過至第一調節器520與第二調節器522，因而致能兩個調節器，即第一調節器520與第二調節器522。響應啟動指令Bact與第一指令Int1，第一調節器520與第二調節器522對於儲存庫140提供第一電流I1與第二電流I2作為儲存庫140的操作電流。應注意雖然描述第二調節器520的輸出與輸入之間的路徑(或第一調節器522的輸出與輸入之間的路徑)，然而這不表示第一電流I1與第二電流I2經此路徑傳導。此路徑用以傳送電壓訊號。並非用於傳送任何電流。亦即，第一電流I1與第二電流I2完全流入儲存庫140中。圖9為示意圖，例示本揭露實施例圖7之DRAM 70的第二操作模式。在一實施例中，第二操作模式包含DRAM 70的IDD3P之工作狀態。參閱圖9，控制元件700接收啟動指令Bact以及第二指令Int2替代第一指令Int1。控制元件700基於第二指令Int2而判定所需要之調節器的數量，第二指令Int2代表DRAM 70經指示以於第二操作模式操作。為進一步說明，假設第一調節器520與第二調節器522各自提供1 mA。再者，DRAM 70的規格聲明在第二操作模式的操作電流為1 mA。因此，控制元件700判定所需要之調節器的數量為一。在此情況下，控制元件700使啟動指令Bact通過至第一調節器520與第二調節器522其中之一(在本實施例中，僅至第一調節器520)，因而致能一個調節器，即第一調節器520，並且禁能剩餘的調節器，即第二調節器522。響應啟動指令Bact與第二指令Int2，第二調節器522被禁能。實際上，由第一調節器520提供的第一電流I1的大小滿足在DRAM 70規格的第二操作模式中描述的工作電流的大小。在本實施例中，控制元件700僅致能一個調節器。然而，本揭露並不以此為限。例如，若判定所需要之調節器的數量為二，則DRAM 70致能第一調節器520與第二調節器522，並且禁能電壓系統72之剩餘調節器(未繪示)。在本揭露中，藉由控制元件700，可基於DRAM 70經指示操作的操作模式而判定所需要之調節器的數量。因此，DRAM 70的功率使用相對有效率。特別的，當DRAM 70於IDD3P經指示時，僅第一調節器520被致能。因此，DRAM 70的功率使用在IDD3P模式係有效率的。圖10為流程圖，例示本揭露之電壓系統的操作方法110。參閱圖10，方法110包含操作112、114與116。方法110始於操作112，其中基於DRAM經指示操作的操作模式而判定所需要之調節器的數量。而後，方法110繼續操作114，其中基於該判定，致能DRAM的一或多個調節器，並且禁能DRAM的剩餘調節器。而後，方法110進行至操作116，其該一或多個致能的調節器對於DRAM的儲存庫提供操作電流。在本揭露實施例的DRAM 20中，當DRAM 20經指示於第二操作模式下操作時，儲存庫140不需要調節器120提供操作電流，即可禁能調節器120。因此，DRAM 20的功率使用相對有效率。相對地，在比較實施例的DRAM 50中，一旦DRAM 10的儲存庫140經指示被啟動，則儘管儲存庫140不需要調節器520提供操作電流，DRAM 50的調節器520仍對於儲存庫140提供操作電流。在DRAM 50的一些操作模式中，可能不需要調節器520提供的操作電流；然而，調節器520仍被致能。當調節器520被致能時，為了使得調節器520工作，需要一些偏壓電壓與一些偏壓電流，造成DRAM 50的功率使用沒有效率。在本揭露實施例的DRAM 70中，藉由控制元件700基於第二指令Int2，可判定所需要之調節器的數量，第二指令Int2代表DRAM 70經指示以於第二操作模式操作。DRAM 70基於該判定而致能一個調節器(第一調節器520)，並且禁能剩餘的調節器(第二調節器522)。雖然第二調節器522被禁能，然而僅由第一調節器520提供的電流足以滿足規格中所描述之第二操作模式的需求。因此，在本揭露實施例DRAM 70中，DRAM 70的功率使用相對有效率。相對地，在比較實施例的DRAM 50中，一旦儲存庫140經指示被啟動，則儘管電流I1與I2的總和大小超過DRAM 50規格中描述的操作模式之操作電流大小，第一調節器520與第二調節器522仍對於儲存庫140提供電流I1與I2。為了使第一調節器520與第二調節器522工作，需要一些偏壓電壓與一些偏壓電流，造成比較實施例DRAM 50的功率使用沒有效率。本揭露的一些實施例提供一種DRAM的電壓系統。該電壓系統包含一第一調節器、一第二調節器與一控制元件。基於該DRAM經指示操作的一操作模式，該控制元件判定所需要之調節器的數量，以及基於該判定，致能該第一調節器與該第二調節器之一或多個調節器並且禁能剩餘的調節器。該一或多個致能調節器的數量等於經判定所需要調節器的數量。該一或多個致能的調節器提供電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。本揭露的一些實施例提供一DRAM的一電壓系統。當該DRAM經指示於一第一操作模式操作時，該調節器藉由致能而提供電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流，以及當該DRAM經指示於一第二操作模式操作時，該調節器不提供該電流，該第二操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。本揭露的一些實施例提供一種DRAM的電壓系統之操作方法。該方法包含基於該DRAM經指示操作的一操作模式，判定所需要的該電壓系統的調節器之數量；基於該判定，致能該電壓系統之一或多個調節器並且禁能該電壓系統之剩餘的調節器；以及藉由該致能的一或多個調節器，提供一電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。

10‧‧‧動態隨機存取記憶體

12‧‧‧電壓系統

20‧‧‧動態隨機存取記憶體

22‧‧‧電壓系統

50‧‧‧動態隨機存取記憶體

52‧‧‧電壓系統

70‧‧‧動態隨機存取記憶體

72‧‧‧電壓系統

120‧‧‧調節器

140‧‧‧儲存庫

200‧‧‧控制元件

220‧‧‧調節器

520‧‧‧第一調節器

522‧‧‧第二調節器

700‧‧‧控制元件

Bact‧‧‧啟動指令

Vref0‧‧‧參考電壓位準

Vs‧‧‧供應電壓

Int1‧‧‧第一指令

Int2‧‧‧第二指令

I1‧‧‧第一電流

I2‧‧‧第二電流

Vref1‧‧‧第一參考電壓位準

Vref2‧‧‧第二參考電壓位準

參閱詳細說明與申請專利範圍結合考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。圖1為示意圖，例示包含電壓系統的比較動態隨機存取記憶體(dynamic random access memory，DRAM)。圖2為示意圖，例示本揭露實施例之包含電壓系統的DRAM。圖3為示意圖，例示本揭露實施例圖2所示之DRAM的第一操作模式。圖4為示意圖，例示本揭露實施例圖2所示之DRAM的第二操作模式。圖5為示意圖，例示包含電壓系統的比較DRAM。圖6為示意圖，例示圖5所示之比較DRAM的操作。圖7為示意圖，例示本揭露實施例之包含電壓系統的DRAM。圖8為示意圖，例示本揭露實施例圖7之DRAM的第一操作模式。圖9為示意圖，例示本揭露實施例圖7之DRAM的第二操作模式。圖10為流程圖，例示本揭露實施例之電壓系統的操作方法。

Claims

一種DRAM的電壓系統，包括：一第一調節器；一第二調節器；以及一控制元件，經配置以基於該DRAM經指示操作的一操作模式，判定所需要調節器的數量，以及基於該判定，致能該第一調節器與該第二調節器之一或多個調節器並且禁能剩餘的調節器；其中該一或多個致能的調節器的數量等於該判定的所需要調節器的數量；其中該一或多個致能的調節器提供一電流，作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。
如請求項1所述之電壓系統，其中當該操作模式係一第一操作模式時，該控制元件基於該第一操作模式而致能該第一調節器與該第二調節器，以及該第一調節器與該第二調節器分別對於該儲存庫提供一第一電流與一第二電流；其中當該操作模式係不同於該第一操作模式的一第二操作模式時，該控制元件基於該第二操作模式，致能該第一調節器並且禁能該第二調節器，以及該第一調節器對於該儲存庫提供該第一電流，並且該第二調節器對於該儲存庫不提供該第二電流。
如請求項2所述之電壓系統，其中該第二操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。
如請求項2所述之電壓系統，其中在該第二操作模式中，該第一調節器提供的該第一電流的大小滿足該DRAM的一規格之該第二操作模式中所述之一操作電流的大小。
如請求項2所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以接收一第二指令，其代表該DRAM經指示於該第二模式操作，以及該第二調節器經配置以響應該第二指令而不提供該第二電流。
如請求項5所述之電壓系統，其中該控制單元另經配置以當該DRAM經指示於該第二操作模式操作且當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，禁能該第二調節器。
如請求項6所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該第二調節器經配置以響應該第二指令與該啟動指令而不提供該第二電流。
如請求項2所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以接收一第一指令，其代表該DRAM經指示於該第一操作模式操作，以及該第二調節器經配置以響應該第一指令而提供該第二電流。
如請求項8所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以當該DRAM經指示於該第一操作模式操作且當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，致能該第二調節器。
如請求項9所述之電壓系統，其中該控制單元另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該第二調節器經配置以響應該第一指令與該啟動指令而提供該第二電流。
如請求項1所述之電壓系統，其中該第一調節器與該第二調節器整合在一起。
一種DRAM的電壓系統，包括：一調節器，經配置以當該DRAM經指示於一第一操作模式操作時，提供一電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流，並且當該DRAM經指示於一第二操作模式操作時，該調節器不提供該電流，其中該第二操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。
如請求項12所述之電壓系統，另包括：一控制單元，經配置以接收一第二指令，其代表該DRAM經指示於該第二操作模式操作，以及該調節器經配置以響應該第二指令而不提供該電流。
如請求項13所述之電壓系統，其中該控制單元另經配置以當該DRAM經指示於該第二操作模式操作且當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，禁能該調節器。
如請求項14所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該調節器經配置以響應該第二指令與該啟動指令而不提供該電流。
如請求項12所述之電壓系統，另包括：一控制元件，經配置以接收一第一指令，其代表該DRAM經指示於該第一操作模式操作，以及該調節器經配置以響應該第一調節器而提供該電流。
如請求項16所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以當該DRAM經指示於該第一操作模式操作以及當該DRAM的該儲存庫經指示而被啟動時，致能該調節器。
如請求項17所述之電壓系統，其中該控制元件另經配置以接收一啟動指令，其代表該儲存庫經指示而被啟動，以及該調節器經配置以響應該第一指令與該啟動指令而提供該電流。
一種DRAM的電壓系統之操作方法，包括：基於該DRAM經指示操作的一操作模式，判定所需要之該電壓系統的調節器的數量；基於該判定，致能該電壓系統之一或多個調節器並且禁能該電壓系統之剩餘的調節器；以及藉由該致能的一或多個調節器，提供一電流作為該DRAM的一儲存庫的一操作電流。
如請求項19所述之操作方法，其中該操作模式包含該DRAM的IDD3P的一工作狀態。