CN109036489A - 电压系统及其操作方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种DRAM的电压系统及其操作方法。该电压系统包含一第一调节器、一第二调节器与一控制单元。该控制单元基于该DRAM经指示操作的一操作模式而判定所需要的调节器的数量，以及基于该判定，使能该第一调节器与该第二调节器的一或多个调节器并且禁能剩余的调节器。该一或多个使能的调节器的数量等于经判定所需要调节器的数量。该一或多个使能的调节器提供一电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流。本公开的电压系统可以提高能源效率。

Description

电压系统及其操作方法

技术领域

本公开涉及一种电压系统，更特别地，涉及一种包含多个调节器的电压系统。

背景技术

电压调节器(voltage regulator，VR)通常用于电力传送应用，其中输入电压需要以小于1(unity)至大于1(unity)的比率范围转换成输出电压。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种DRAM的电压系统。该电压系统包含一第一调节器、一第二调节器与一控制单元。该控制单元基于该DRAM经指示操作的一操作模式而判定所需要的调节器的数量，以及基于该判定，使能该第一调节器与该第二调节器的一或多个调节器并且禁能剩余的调节器。该一或多个使能的调节器的数量等于经判定所需要调节器的数量。该一或多个使能的调节器提供一电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流。

在本公开的一些实施例中，当该操作模式是一第一操作模式时，该控制单元基于该第一操作模式，使能该第一调节器与该第二调节器，以及该第一调节器与该第二调节器分别对于该储存库提供一第一电流与一第二电流。当该操作模式不同于该第一操作模式的一第二操作模式时，该控制单元基于该第二操作模式，使能该第一调节器并且禁能该第二调节器，以及该第一调节器对于该储存库提供该第一电流，并且该第二调节器对于该储存库不提供该第二电流。

在本公开的一些实施例中，该第二操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。

在本公开的一些实施例中，在该第二操作模式中，该第一调节器提供的该第一电流的大小满足该DRAM的一规格的该第二操作模式中所述的一操作电流的大小。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以接收一第二指令，其代表该DRAM经指示于该第二模式操作，以及该第二调节器经配置以响应该第二指令而不提供该第二电流。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第二操作模式操作且当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，禁能该第二调节器。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该第二调节器经配置以响应该第二指令与该启动指令而不提供该第二电流。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以接收一第一指令，其代表该DRAM经指示于该第一操作模式操作，以及该第二调节器经配置以响应该第一指令而提供该第二电流。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第一操作模式操作且当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，使能该第二调节器。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该第二调节器经配置以响应该第一指令与该启动指令而提供该第二电流。

在本公开的一些实施例中，该第一调节器与该第二调节器整合在一起。

本公开的一些实施例提供一种DRAM的电压系统。当该DRAM经指示于一第一操作模式操作时，该调节器通过使能而提供电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流，以及当该DRAM经指示于一第二操作模式操作时，该调节器不提供该电流，该第二操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。

在本公开的一些实施例中，该电压系统另包含一控制单元，经配置以接收一第二指令，其代表该DRAM经指示于该第二操作模式操作，以及该调节器经配置以响应该第二指令而不提供该电流。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第二操作模式操作且当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，禁能该调节器。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该调节器经配置以响应该第二指令与该启动指令而不提供该电流。

在本公开的一些实施例中，该电压系统，另包括一控制单元，经配置以接收一第一指令，其代表该DRAM经指示于该第一操作模式操作，以及该调节器经配置以响应该第一调节器而提供该电流。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第一操作模式操作以及当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，使能该调节器。

在本公开的一些实施例中，该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该调节器经配置以响应该第一指令与该启动指令而提供该电流。

本公开的一些实施例提供一种DRAM的电压系统的操作方法。该操作方法包含基于该DRAM经指示操作的一操作模式，判定所需要的该电压系统的调节器的数量；基于该判定，使能该电压系统的一或多个调节器并且禁能该电压系统的剩余的调节器；以及通过该使能的一或多个调节器，提供一电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流。

在本公开的一些实施例中，该操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。

在本公开实施例DRAM中，当该DRAM经指示于该第二操作模式下操作时，该储存库不需要该调节器提供操作电流，即可禁能该调节器。因此，该DRAM的功率使用相对有效率。

相对地，在比较实施例的DRAM中，一旦该DRAM的储存库经指示被启动，则尽管该储存库不需要该调节器提供操作电流，该DRAM的调节器仍对于该储存库提供操作电流。即便在该DRAM的一些操作模式中，可能不需要该调节器提供的操作电流；然而，该调节器仍被使能。当该调节器被使能时，为了使得该调节器工作，需要一些偏压电压与一些偏压电流，造成比较实施例的DRAM的功率使用没有效率。

再者，在本公开实施例的DRAM中，通过该控制单元可基于一指令而判定所需要调节器的数量，该指令代表该DRAM经指示于该第二操作模式操作。基于该判定，该DRAM使能一个调节器(第一调节器)并且禁能剩余的调节器(第二调节器)。虽然该第二调节器禁能，然而仅由该第一调节器提供的电流仍足以满足规格中所描述的该第二操作模式的需求。因此，在本公开实施例的DRAM中，功率使用相对有效率。

相对地，在比较实施例的DRAM中，一旦DRAM的一储存库经指示而被启动，该DRAM的一第一调节器与一第二调节器结合对该储存库提供操作电流，尽管该第一调节器与该第二调节器提供的电流总和大小超过该DRAM的规格中所述的一操作模式的一操作电流大小。当该第一调节器与该第二调节器使能时，为使该第一调节器与该第二调节器工作，需要一些偏压电压与偏压电流。因此，造成比较实施例DRAM没有效率的功率使用。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅详细说明与权利要求结合考量附图时，可得以更全面了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。

图1为示意图，例示包含电压系统的比较动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory，DRAM)。

图2为示意图，例示本公开实施例的包含电压系统的DRAM。

图3为示意图，例示本公开实施例图2所示的DRAM的第一操作模式。

图4为示意图，例示本公开实施例图2所示的DRAM的第二操作模式。

图5为示意图，例示包含电压系统的比较DRAM。

图6为示意图，例示图5所示的比较DRAM的操作。

图7为示意图，例示本公开实施例的包含电压系统的DRAM。

图8为示意图，例示本公开实施例图7的DRAM的第一操作模式。

图9为示意图，例示本公开实施例图7的DRAM的第二操作模式。

图10为流程图，例示本公开实施例的电压系统的操作方法。

附图标记说明：

10 动态随机存取存储器

12 电压系统

20 动态随机存取存储器

22 电压系统

50 动态随机存取存储器

52 电压系统

70 动态随机存取存储器

72 电压系统

120 调节器

140 储存库

200 控制单元

220 调节器

520 第一调节器

522 第二调节器

700 控制单元

Bact 启动指令

Vref0 参考电压电平

Vs 供应电压

Int1 第一指令

Int2 第二指令

I1 第一电流

I2 第二电流

Vref1 第一参考电压电平

Vref2 第二参考电压电平

具体实施方式

附图所示的公开内容的实施例或范例是以特定语言描述。应理解此非意图限制本公开的范围。所述实施例的任何变化或修饰以及本公开所述原理任何进一步应用，对于本公开相关技艺中具有通常技术者而言为可正常发生。元件符号可重复于各实施例中，但即使它们具有相同的元件符号，实施例中的特征并非必定用于另一实施例。

应理解当称元件为“连接至”或“耦合至”另一元件时，其可直接连接或耦合至另一元件，或是有中间元件存在。

应理解虽然在本文中可使用第一、第二、第三等用语描述各种元件、组件、区域、层或区段，然而，这些元件、组件、区域、层或区段应不受限于这些用语。这些用语仅用于区分一元件、组件、区域、层或区段与另一区域、层或区段。因此，以下所述的第一元件、组件、区域、层或区段可被称为第二元件、组件、区域、层或区段，而仍不脱离本公开发明概念的启示内容。

本公开所使用的语词仅用于描述特定例示实施例的目的，并非用以限制本发明概念。如本文所使用，单数形式“一”与“该”亦用以包含多个形式，除非本文中另有明确指示。应理解说明书中所使用的“包括”一词专指所称特征、整数、步骤、操作、元件或组件的存在，但不排除一或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其群的存在。

图1为包含电压系统12的比较动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory，DRAM)10的示意图。参阅图1，除了电压系统12之外，DRAM10另包含储存库140。储存库140包含多个记忆单元(未示出)，用以储存数据。为清楚说明，储存库140经便是且说明为单一元件。然而，储存库140或可代表包含多个储存库140的组件。

电压系统12包含调节器120。调节器120经配置以当调节器120使能时提供电流与供应电压Vs，分别作为储存库140的操作电流与操作电压。更详细而言，调节器120使能响应启动指令Bact，其代表储存库140经指示被启动。储存库140经指示被启动，以于储存库140进行例如读取操作、存写操作、更新操作、或其他合适的操作。

再者，调节器120通过比较供应电压Vs的电压电平与参考电压电平Vref0而维持供应电压Vs稳定。更详细而言，当调节器120使能时，调节器120充电电容器(未示出)，借此增加供应电压Vs的电压电平。当供应电压Vs的增加的电压电平大于参考电压电平Vref0时，调节器120停止充电该电容器。而后，供应电压Vs的电压电平可能降低。当供应电压Vs的降低的电压电平小于参考电压电平Vref0时，调节器120再次开始充电该电容器。通过这些重复的比较，电压电平Vs的电压电平维持在所欲的电压电平。

一旦储存库140经指示被启动，则调节器120对于储存库140提供操作电流，无论储存库140是否需要该操作电流。在DRAM 10的一些操作模式中，可能不需要操作电流。然而，调节器120仍使能。当调节器120使能时，为使调节器120工作，需要一些偏压电压与一些偏压电流，造成功率使用没有效率。

图2为示意图，例示本公开实施例的包含电压系统22的DRAM 20。DRAM 20的操作模式包含的一操作模式与第二操作模式。在第一操作模式中，储存库140需要操作电流。在第二操作模式中，储存库140不需要操作电流。在一实施例中，第二操作模式包含DRAM 20的IDD3P的工作状态。DRAM的工作状态在该技艺为公知的；例如2003年发表的公开文献《Technical Note,DDR2tCKE Power-Down Requirement》，该文献全文并入本公开作为参考。在该文献中，IDD3P是指切断电源(power down)模式之一，特别涉及启动的切断电源模式。

参阅图2，电压系统22类似于图1所示与所述的电压系统12，差别在于例如电压系统12另包含控制单元200与调节器220。

控制单元200接收启动指令Bact，其代表储存库140经指示被启动以于储存库140进行例如读取操作、存写操作、更新操作、或其他合适的操作。再者，控制单元200接收第一指令Int1，其代表DRAM 20经指示于第一操作模式操作，并且响应第一指令Int1与启动指令Bact使能调节器220；或者，控制单元200接收第二指令Int2，其代表DRAM 20经指示于第二操作模式操作，并且响应第二指令Int2与启动指令Bact禁能调节器220。

调节器220经配置以通过被使能而提供电流，作为储存库140的操作电流，并且通过被禁能而不提供该电流。

在操作中，如前所述，DRAM 20包含两种操作模式，即第一操作模式与第二操作模式。在第一操作模式中，控制单元200接收启动指令Bact与第一指令Int1。由于接收第一指令Int1替代第二指令Int2，控制单元200使启动指令Bact通过至调节器220。在此情况下，调节器220使能以响应启动指令Bact，其将详述于图3相关说明中。

在第二操作模式中，控制单元200接收启动指令Bact与第二指令Int2。由于接收第二指令Int2替代第一指令Int1，控制单元200未使启动指令Bact通过至调节器220。在此情况下，调节器220未对于储存库140提供电流以响应启动指令Bact与第二指令Int2，其将详述于图4相关说明中。因此，在不需要操作电流的情况下，调节器不再使能。因此，DRAM 20的功率使用相对有效率。

图3为示意图，例示本公开实施例图2所示的DRAM 20的第一操作模式。参阅图3，控制单元200接收启动指令Bact以及第一指令Int1替代第二指令Int2。控制单元200使启动指令Bact通过至调节器220。调节器20被使能且对于储存库140提供电流I1，其作为储存库140的操作电流以响应启动指令Bact与第一指令Int1。

图4为示意图，例示本公开实施例图2所示的DRAM 20的第二操作模式。参阅图4，控制单元200接收启动指令Bact以及第二指令Int2替代第一指令Int1。控制单元200为使启动指令Bact通过至调节器220，借此禁能调节器220。调节器220禁能以响应启动指令Bact与第二指令Int2。

在本公开中，当DRAM 20经指示以于第二操作模式下操作时，可禁能调节器220，其中如前所述，不需要储存库140的操作电流。因此，DRAM20的功率使用相对有效率。

图5为包含电压系统52的比较DRAM 50的示意图。参阅图5，电压系统52类似于图1所述与所示的电压系统12，差别在于例如电压系统52包含第一调节器520与第二调节器522。为便于说明，图1的调节器120重新命名与重新编号成为第一调节器520；以及参考电压电平Vref0重新命名为第一参考电压电平Vref1。操作中的第二调节器522与第一调节器520相同，差别在于例如第二调节器522通过比较供应电压Vs的电压电平与第二参考电压电平Vref2而维持供应电压Vs稳定。因此，此处省略一些详细的操作。

当第一与第二调节器520与522使能时，第一与第二调节器520与522各自用以提供电流，作为储存库14的操作电流。更详细而言，第一与第二调节器520与522接收启动指令Bact，其代表储存库140经指示被启动，并且据以使能以响应启动指令Bact，其细节如图6所述与所示。

图6为说明图5所示的比较DRAM 50的操作的示意图。参阅图6，第一调节器520提供第一电流I1作为储存库140的操作电流的第一部分。同样地，第二调节器522提供第二电流I2作为储存库140的操作电流的第二部分。

一旦储存库140经指示被启动，尽管电流I1与I2的总和大小超过DRAM 50规格所述的操作模式的操作电流大小，第一调节器520与第二调节器522对于储存库140提供电流I1与I2。例如，DRAM 50的规格声称操作模式中的操作电流为1毫安培(mA)。亦即，当DRAM 50经指示于操作模式下操作时，仅需要1mA。再者，第一调节器520与第二调节器522各自经设计以提供1mA。在此情况下，当第一调节器520与第二调节器522使能时，第一调节器520与第二调节器522通常提供2mA，其超过1mA。为了使第一调节器520与第二调节器522工作以提供2mA，需要一些偏压电压与一些偏压电流，造成功率使用没有效率。增加有效功率使用的可能方式为当DRAM 50经指示于操作模式下操作时，关闭第一调节器520与第二调节器522其中之一。

图7为示意图，例示本公开实施例的包含电压系统72的DRAM 70。参阅图7，电压系统72类似于图8所示与所述的电压系统52，差别在于例如电压系统72包含控制单元700。

操作中的控制单元700类似于图2至4所示与所述的控制单元200，差别在于控制单元700另经配置以基于DRAM 70经指示操作的操作模式而判定所需要的调节器数量，并且基于该判定使能所述调节器，其中该使能调节器的数量等于经判定的所需要调节器的数量，将详述于图8与图9的相关说明。通过控制单元700，DRAM 70的功率使用相对有效率，将详述于图8与图9的相关说明。

再者，第一调节器520经配置以提供第一电流I1作为储存库140的操作电流，以及第二调节器522经配置以提供第二电流I2作为储存库的操作电流。在一实施例中，第一调节器520与第二调节器522彼此独立。在另一实施例中，第一调节器520与第二调节器522整合在一起。

图8为示意图，例示本公开实施例图7的DRAM 70的第一操作模式。参阅图8，控制单元200接收启动指令Bact以及第一指令Int1替代第二指令Int2。控制单元700基于第一指令Int1判定所需要的调节器的数量，该第一指令Int1代表DRAM 70经指示以于第一操作模式下操作。例如，控制单元700包含查询表。控制单元700以第一指令Int1索引查询表而判定所需要的调节器的数量。为进一步说明，假设第一调节器520与第二调节器522各自提供1毫安培(mA)。再者，DRAM 70的规格声明第一操作模式的操作电流为2mA。因此，控制单元700判定所需要的调节器的数量为二。在此情况下，控制单元700使启动指令Bact通过至第一调节器520与第二调节器522，因而使能两个调节器，即第一调节器520与第二调节器522。响应启动指令Bact与第一指令Int1，第一调节器520与第二调节器522对于储存库140提供第一电流I1与第二电流I2作为储存库140的操作电流。

应注意虽然描述第二调节器520的输出与输入之间的路径(或第一调节器522的输出与输入之间的路径)，然而这不表示第一电流I1与第二电流I2经此路径传导。此路径用以传送电压信号。并非用于传送任何电流。亦即，第一电流I1与第二电流I2完全流入储存库140中。

图9为示意图，例示本公开实施例图7的DRAM 70的第二操作模式。在一实施例中，第二操作模式包含DRAM 70的IDD3P的工作状态。参阅图9，控制单元700接收启动指令Bact以及第二指令Int2替代第一指令Int1。控制单元700基于第二指令Int2而判定所需要的调节器的数量，第二指令Int2代表DRAM 70经指示以于第二操作模式操作。为进一步说明，假设第一调节器520与第二调节器522各自提供1mA。再者，DRAM 70的规格声明在第二操作模式的操作电流为1mA。因此，控制单元700判定所需要的调节器的数量为一。在此情况下，控制单元700使启动指令Bact通过至第一调节器520与第二调节器522其中之一(在本实施例中，仅至第一调节器520)，因而使能一个调节器，即第一调节器520，并且禁能剩余的调节器，即第二调节器522。响应启动指令Bact与第二指令Int2，第二调节器522被禁能。实际上，由第一调节器520提供的第一电流I1的大小满足在DRAM70规格的第二操作模式中描述的工作电流的大小。

在本实施例中，控制单元700仅使能一个调节器。然而，本公开并不以此为限。例如，若判定所需要的调节器的数量为二，则DRAM 70使能第一调节器520与第二调节器522，并且禁能电压系统72的剩余调节器(未示出)。

在本公开中，通过控制单元700，可基于DRAM 70经指示操作的操作模式而判定所需要的调节器的数量。因此，DRAM 70的功率使用相对有效率。特别的，当DRAM 70于IDD3P经指示时，仅第一调节器520被使能。因此，DRAM 70的功率使用在IDD3P模式是有效率的。

图10为流程图，例示本公开的电压系统的操作方法110。参阅图10，方法110包含操作112、114与116。方法110始于操作112，其中基于DRAM经指示操作的操作模式而判定所需要的调节器的数量。而后，方法110继续操作114，其中基于该判定，使能DRAM的一或多个调节器，并且禁能DRAM的剩余调节器。而后，方法110进行至操作116，其该一或多个使能的调节器对于DRAM的储存库提供操作电流。

在本公开实施例的DRAM 20中，当DRAM 20经指示于第二操作模式下操作时，储存库140不需要调节器120提供操作电流，即可禁能调节器120。因此，DRAM 20的功率使用相对有效率。

相对地，在比较实施例的DRAM 50中，一旦DRAM 10的储存库140经指示被启动，则尽管储存库140不需要调节器520提供操作电流，DRAM50的调节器520仍对于储存库140提供操作电流。在DRAM 50的一些操作模式中，可能不需要调节器520提供的操作电流；然而，调节器520仍被使能。当调节器520被使能时，为了使得调节器520工作，需要一些偏压电压与一些偏压电流，造成DRAM 50的功率使用没有效率。

在本公开实施例的DRAM 70中，通过控制单元700基于第二指令Int2，可判定所需要的调节器的数量，第二指令Int2代表DRAM 70经指示以于第二操作模式操作。DRAM 70基于该判定而使能一个调节器(第一调节器520)，并且禁能剩余的调节器(第二调节器522)。虽然第二调节器522被禁能，然而仅由第一调节器520提供的电流足以满足规格中所描述的第二操作模式的需求。因此，在本公开实施例DRAM 70中，DRAM 70的功率使用相对有效率。

相对地，在比较实施例的DRAM 50中，一旦储存库140经指示被启动，则尽管电流I1与I2的总和大小超过DRAM 50规格中描述的操作模式的操作电流大小，第一调节器520与第二调节器522仍对于储存库140提供电流I1与I2。为了使第一调节器520与第二调节器522工作，需要一些偏压电压与一些偏压电流，造成比较实施例DRAM 50的功率使用没有效率。

本公开的一些实施例提供一种DRAM的电压系统。该电压系统包含一第一调节器、一第二调节器与一控制单元。基于该DRAM经指示操作的一操作模式，该控制单元判定所需要的调节器的数量，以及基于该判定，使能该第一调节器与该第二调节器的一或多个调节器并且禁能剩余的调节器。该一或多个使能调节器的数量等于经判定所需要调节器的数量。该一或多个使能的调节器提供电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流。

本公开的一些实施例提供一DRAM的一电压系统。当该DRAM经指示于一第一操作模式操作时，该调节器通过使能而提供电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流，以及当该DRAM经指示于一第二操作模式操作时，该调节器不提供该电流，该第二操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。

本公开的一些实施例提供一种DRAM的电压系统的操作方法。该方法包含基于该DRAM经指示操作的一操作模式，判定所需要的该电压系统的调节器的数量；基于该判定，使能该电压系统的一或多个调节器并且禁能该电压系统的剩余的调节器；以及通过该使能的一或多个调节器，提供一电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的构思与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多制程，并且以其他制程或其组合替代上述的许多制程。

再者，本公开的范围并不受限于说明书中所述的制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的公开内容理解可根据本公开而使用与本文所述的对应实施例具有相同功能或是达到实质相同结果的现存或是未来发展的制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤。据此，这些制程、机械、制造、物质组成物、手段、方法、或步骤包含于本公开的权利要求内。

Claims (20)

1.一种DRAM的电压系统，包括：

一第一调节器；

一第二调节器；以及

一控制单元，经配置以基于该DRAM经指示操作的一操作模式，判定所需要调节器的数量，以及基于该判定，使能该第一调节器与该第二调节器的一或多个调节器并且禁能剩余的调节器；

其中该一或多个使能的调节器的数量等于该判定的所需要调节器的数量；

其中该一或多个使能的调节器提供一电流，作为该DRAM的一储存库的一操作电流。

2.如权利要求1所述的电压系统，其中当该操作模式是一第一操作模式时，该控制单元基于该第一操作模式而使能该第一调节器与该第二调节器，以及该第一调节器与该第二调节器分别对于该储存库提供一第一电流与一第二电流；

其中当该操作模式是不同于该第一操作模式的一第二操作模式时，该控制单元基于该第二操作模式，使能该第一调节器并且禁能该第二调节器，以及该第一调节器对于该储存库提供该第一电流，并且该第二调节器对于该储存库不提供该第二电流。

3.如权利要求2所述的电压系统，其中该第二操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。

4.如权利要求2所述的电压系统，其中在该第二操作模式中，该第一调节器提供的该第一电流的大小满足该DRAM的一规格的该第二操作模式中所述的一操作电流的大小。

5.如权利要求2所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以接收一第二指令，其代表该DRAM经指示于一第二模式操作，以及该第二调节器经配置以响应该第二指令而不提供该第二电流。

6.如权利要求5所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第二操作模式操作且当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，禁能该第二调节器。

7.如权利要求6所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该第二调节器经配置以响应该第二指令与该启动指令而不提供该第二电流。

8.如权利要求2所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以接收一第一指令，其代表该DRAM经指示于该第一操作模式操作，以及该第二调节器经配置以响应该第一指令而提供该第二电流。

9.如权利要求8所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第一操作模式操作且当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，使能该第二调节器。

10.如权利要求9所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该第二调节器经配置以响应该第一指令与该启动指令而提供该第二电流。

11.如权利要求1所述的电压系统，其中该第一调节器与该第二调节器整合在一起。

12.一种DRAM的电压系统，包括：

一调节器，经配置以当该DRAM经指示于一第一操作模式操作时，提供一电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流，并且当该DRAM经指示于一第二操作模式操作时，该调节器不提供该电流，其中该第二操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。

13.如权利要求12所述的电压系统，另包括：

一控制单元，经配置以接收一第二指令，其代表该DRAM经指示于该第二操作模式操作，以及该调节器经配置以响应该第二指令而不提供该电流。

14.如权利要求13所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第二操作模式操作且当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，禁能该调节器。

15.如权利要求14所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该调节器经配置以响应该第二指令与该启动指令而不提供该电流。

16.如权利要求12所述的电压系统，另包括：

一控制单元，经配置以接收一第一指令，其代表该DRAM经指示于该第一操作模式操作，以及该调节器经配置以响应该调节器而提供该电流。

17.如权利要求16所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以当该DRAM经指示于该第一操作模式操作以及当该DRAM的该储存库经指示而被启动时，使能该调节器。

18.如权利要求17所述的电压系统，其中该控制单元另经配置以接收一启动指令，其代表该储存库经指示而被启动，以及该调节器经配置以响应该第一指令与该启动指令而提供该电流。

19.一种DRAM的电压系统的操作方法，包括：

基于该DRAM经指示操作的一操作模式，判定所需要的该电压系统的调节器的数量；

基于该判定，使能该电压系统的一或多个调节器并且禁能该电压系统的剩余的调节器；以及

通过该使能的一或多个调节器，提供一电流作为该DRAM的一储存库的一操作电流。

20.如权利要求19所述的操作方法，其中该操作模式包含该DRAM的IDD3P的一工作状态。