CN1731496B - 驱动多个光发射器件的电路和方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于一组并联连接的光发射器件的高效驱动电路,其中每个器件由相应的偏置电流源来串联驱动。确定经偏置的光发射器件组中的最大电压降,并且作为响应,产生以该LED组的最低有效电压来驱动所有光发射器件的控制电压。
Description
技术领域
本公开内容涉及用于驱动多个诸如光发射二极管的光发射器件的电路和方法,更具体来说,涉及用于调节驱动多个光发射器件的电压的新颖电路和方法,其中产生有效驱动所有光发射器件的最低电压。
背景技术
白光发射二极管(LED)被广泛用于手持设备的显示,如PDA(个人数字助理)和蜂窝电话。白LED的特性之一是它们相对高的正向电压降,而事实上,白LED的正向电压降相对接近于电池电压。因此,对于例如在手持应用中延长电池寿命来说,驱动白LED的效率是重要的因素。
用于驱动手持应用中的白LED的现代技术通常采用两种类型调节器之一:电荷泵和基于电感器的升压(boost)转换器。两种类型的调节器都将输入电压(例如,锂离子电池)“逐步升高(step-up)”到偏置LED所需的更高电压。在等于输入电压乘以“逐步升高”量的输出电压处,电荷泵实现其最高效率。在白LED应用中,如果驱动白LED所必要的电压小于实现最高效率的输出电压时,由电荷泵产生的附加电压表示有效效率损失。由于这个原因,白LED应用中电荷泵的有效效率具有对输入电压的强依赖性(其随1/Vin变化)。多模式电荷泵以附加电路和成本为代价来改进有效效率。另一方面,已知基于电感器的DC-DC转换器可达到比包括多模式电荷泵的电荷泵可实现的性能水平更高的性能水平。在基于电感器的DC-DC转换器中,在输入和输出电压范围方面,降压-升压(buck-boost)DC-DC转换器被认为是最鲁棒的。
在实施白LED显示的过程中,例如,多个白LED串联或者并联连接到调节器的输出。尽管提供了完美的电流匹配,多个LED的串联连接仍需要所述调节器产生高得多的输出电压来驱动白LED。该方案具有需要较昂贵的组件来经受较高电压的缺点。此外,在采用基于电感器的DC-DC转换器的情况中,在较高输出输入电压比率处的效率被降低。串联连接还具有众所周知的“圣诞树灯问题”。一个组件中的故障影响整个串。另一方面,驱动并联的多个LED消除了高电压问题并且可获得较高的效率,但是需要镇流(ballasting)来实现好的电流匹配。
发明内容
所公开的主题在驱动多个并联连接的诸如白光发射二极管(LED)的光发射器件时通过产生最低有效驱动电压来使功率效率最大化。
所公开的主题还提供一种电路,其包括被配置和选择用于当驱动多个并联连接的光发射器件时使功率效率最大化的元件。
在本公开内容的一个方面,驱动电路控制调节器,该调节器用于调节待提供到多个光发射器件所并联连接的供电节点的供电电压。偏置电路与相应的光发射器件串联连接。所述驱动电路可包括检测电路,其被配置用于接收来自相应偏置电路的信号,并且作为响应,基于该信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降。该驱动电路还包括控制电路,其耦合到所述检测电路并且被配置用于产生控制信号以控制该调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的基本上最低的电压。
在一个实施例中,所述信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压。在所述节点中,承载最高电压的对应节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降。所述检测电路可被配置用于检测所述最高电压,并且可包含OR电路,该OR电路包括多个NPN晶体管,其基极分别接收来自偏置电路的信号以输出对应于所述最高电压的电压。
所述控制电路可被配置用于比较由所述检测电路检测到的最高电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号。该控制电路可以是第一跨导放大器,其被配置用于基于所述最高电压和基准电压之间的差来供应(sourcing)或者汲取(sinking)电流作为控制信号。所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的基本上最低的输出电压。
所述驱动电路可包括第二跨导放大器,其被配置用于当输出节点处的输出电压超过预定电压时汲取从第一跨导放大器供应的预定量电流。
作为选择,所述检测电路可被配置用于当所述节点中承载最低电压的对应节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降时检测所述最低电压。在该情况中,所述检测电路可包含OR电路,该OR电路包括多个PNP-晶体管,其基极分别接收来自偏置电路的信号以输出对应于所述最低电压的电压。
所述控制电路还可以被配置用于比较由所述检测电路检测到的最低电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号。所述基准电压以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的基本上最低的输出电压。
所述驱动电路可进一步包括选择器,其连接在所述检测电路和控制电路之间,用于比较来自所述检测电路的最低电压与通过在输出节点处按比例降低所述输出电压而获得的按比例降低的电压,从而选择最高电压。所述控制电路可被配置用于比较由所述选择器选择的最高电压与所述基准电压。
在本公开内容的另一个方面,提供了一种检测器电路,其包含输入节点和检测电路。所述输入节点被设置用于分别接收来自与多个光发射器件串联连接的偏置电路的信号,其中所述光发射器件并联连接到供电节点。所述检测电路响应于输入节点上的信号以便于检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降。
在本公开内容的再一个方面,提供了一种用于驱动多个光发射器件的方法,所述光发射器件并联连接到供电节点并且其每个串联连接到用于偏置光发射器件的相应偏置电路。将施加到供电节点的供电电压被调节。来自相应偏置电路的信号被接收,并且随后基于该信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降。作为响应,产生控制调节步骤的控制信号以便于使供电电压达到有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低电压。
根据下列详细描述,对于本领域的技术人员来说本发明另外的优点将变得很明显,其中只是简单借助于对实现本发明所预期的最佳模式的说明来示出和描述本发明的优选实施例。正如将会认识到的,本发明可以有其它的和不同的实施例,并且其几个细节能够在各种明显的方面加以修改,所有这些都不背离本发明。因此,附图和说明书在本质上应被认为是说明性的而不是限制性的。
附图说明
为了举例而不是限制,在附图中说明了本发明,并且其中相似的参考数字指的是类似的元件,并且其中:
图1是块图,示出了用于驱动多个LED的驱动电路的基本配置。
图2是用于偏置每个LED的低跌落(dropout)电流源的电路图。
图3是图1所示驱动电路的详细电路图。
图4是详细电路图,示出了图3所示的最大电压检测器和跨导放大器。
图5是电路图,示出了所述驱动电路的可替换实施例。
具体实施方式
图1示出了用于驱动多个LED,如白LED的驱动电路的基本配置。驱动电路10包括调节器12,其调节待施加到输出节点14的输出电压,多个LED D1-Dn并联连接到所述节点。LED D1-Dn中的每个可与用于控制LED D1-Dn电流的诸如电流源(ISRC1,...,ISRCn)的镇流串联连接。
由于正常的制造变化或者不等的电流偏置,LED D1-Dn的每个上的正向电压降可能彼此不同。因此调节器12必须以维持高功率效率的尽可能低的大小来产生高到足以偏置所有LED D1-Dn的输出电压。在本公开内容中所采用的原理是通过确定哪一个被偏置的LED D1-Dn具有最高正向电压降来获得最高的功率效率并基于具有最高正向电压降的那个LED来控制所有LED D1-Dn。
在图1中,控制器16确定被偏置的多个LED D1-Dn中的哪一个具有最高正向电压降。然后,控制器16产生用于闭合这样的特定LED上的调节环(regulation loop)的控制信号。控制器16控制调节器12以使有效驱动具有最高正向电压降的LED的最低输出电压施加到输出节点14。该最低输出电压代表尽可能低然而又高到足够有效驱动(偏置)所有LED D1-Dn的驱动电压的大小。
所描述的实施例实现与LED D1-Dn中的每一个串联的常规的、镇流的电流源,用于提供驱动电流给每个器件。举例来说,图2示出电流源ISRCn的实施例,其用于控制到LED D1的电流。电流源ISRCn可包括n-型MOS晶体管T1和T2以及放大器A,它们一起构成用于偏置LED D1的电流镜。
晶体管T1的漏极连接到放大器A的非反相输入,晶体管T2的漏极连接到放大器A的反相输入,而放大器A的输出连接到系在一起的晶体管T1和T2的栅极。电阻器RGATE为了稳定性而被包括,并且不影响电流源ISRCn的DC工作。
基准电流Iref通过晶体管T1和T2以增益K来镜像从而使程序电流(program current)KIref流过LED D1。放大器A伺服晶体管T1的栅电压从而保持其偏置在基准电流Iref上,并且使晶体管T1的漏电压匹配晶体管T2的漏电压。这允许晶体管T2在三极管或者线性区中以低绝对漏电压来工作,同时仍然匹配晶体管T1的漏电流。如本领域技术人员所理解的,因子K是晶体管T1,T2几何结构的函数。
该电流源ISRCn被特别设计用于低跌落工作,因为它使晶体管T2能够以低绝对漏电压来工作。通过将该电流源与本公开内容中的解决方案组合,可通过将该电流源上的电压维持在尽可能低但是又大到足以控制其LED在额定水平发光来实现高效驱动电压调节。
在本实施例中,如所描述的,使用MOS晶体管来形成特定电流镜电路。然而,对于本领域的技术人员来说明显的是,可以例如通过采用双极晶体管,或者使用不同的电路技术来实现具有不同配置的电流镜。
图3是图1中所示驱动电路10的示例性实施例的较详细图解。参考图3,控制电路16被配置为接收来自相应的电流源ISRC1-ISRCn的信号,每个所述电流源具有与图2中所示的电流源ISRCn相同的配置。如上所述,控制电路16首先确定LED D1-Dn中的哪一个具有最高正向电压降。对于这样的确定,由于漏和栅电压分别为LED正向电压降的线性和倒数函数,所以可以监视这些晶体管的漏电压或者栅电压。在所描述的实施例中,控制电路16接收相应电流源ISRC1到ISRCn中的晶体管T2的栅电压GATE1-GATEn以检测哪一个LED具有最高正向电压降。由于电流源ISRC1-ISRCn中的每个都以相同的基准电流Iref来偏置,所以在栅电压GATE1-GEATEn中,最高栅电压对应于任何电流源ISRC1-ISRCn中的晶体管T2的最低对应(counterpart)漏电压。这又辨识了哪一个LED具有最高正向电压降。例如,典型的漏电压为50-100mV。
将理解,被实施用来确定哪一个LED具有最高正向电压降的检测电路不限于上述配置。根据例如所采用的电流源的拓扑,其它配置是可能的。
为了进行最大栅电压确定,控制器16可包括最大电压检测器(或选择器)20以及跨导放大器22和24。最大电压检测器20被配置用于接收来自相应电流源ISRC1-ISRCn的栅电压GATE1-GATEn,并检测栅电压GATE1-GATEn中的最高者。最大电压检测器20输出对应于所检测到的最高栅电压的电压GATEmax。来自最大电压检测器20的电压GATEmax被提供到跨导放大器22的非反相输入,其中反相输入接收基准电压Vref1。跨导放大器22的输出在节点30连接到电容器C1。连接在节点30和地之间的电容器C1是用于调节环的补偿电容器并且提供控制电压Vc到降压-升压DC-DC转换器12a,该转换器进行对用于提供给LED D1-Dn的电压VOUT的调节。
基准电压Vref1被选择以便于控制调节环产生有效驱动具有最高电压降的LED D1-Dn之一的基本上最低的输出电压。在采用电流源ISRC1-ISRCn的情形中,可以基于电流源ISRC1-ISRCn的每个中的放大器A的内部特性来确定基准电压Vref1。如上所述,电压GATEmax对应于电流源ISRC1-ISRCn的任何一个中的晶体管T1和T2当中的最低漏电压。换句话说,栅电压越高,则漏电压越低。因此,当电压GATEmax等于基准电压Vref1时,在放大器A能够在其高增益共模范围,即激活区内工作的条件下,最高可能电压可被选择为基准电压Vref1。否则,电流源ISRC1-ISRCn的每个不能使晶体管T2在匹配晶体管T1的漏电流的同时能够以低绝对漏电压来工作。理想的是设置基准电压Vref1以使放大器A可在其输出共模范围内的较高区中工作。
调节环将节点14处的输出电压VOUT伺服为一个电压以使电压GATEmax等于基准电压Vref1。当电压GATEmax高于基准电压Vref1时,跨导放大器22向节点30供应电流。另一方面,当电压GATEmax低于基准电压Vref1时,跨导放大器22从节点30汲取电流。因此用于降压-升压DC-DC电路12a的控制电压Vc依赖于跨导放大器22的供应和汲取电流而变化。
驱动电路10可进一步包括跨导放大器24,其作为有源钳位(activeclamp)被提供以防止输出电压失控,如果LED D1-Dn中的任何一个成为开路,则可发生这种情况。跨导放大器24具有耦合到电阻器R1和R2的结的反相输入以及耦合到基准电压Vref2的非反相输入。跨导放大器24可被设计为使得当电压VOUT升到[Vref2(R2+R1)/R1]时,该放大器开始汲取电流,其大小相当于放大器22在一个或多个LED开路时将供应的最大电流。[Vref2(R2+R1)/R1]的电平被适当地设置得远离预期的LED正向电压以便放大器24不干扰正常的工作。基准电压Vref2和电阻器R1和R2可被确定成与为驱动电路10而采纳的条件一致。
降压-升压DC-DC转换器12a被供以跨导放大器22所控制的控制电压Vc从而产生用于具有最高正向电压降的那个特定LED的最低驱动电压。一般来说,降压-升压DC-DC转换器工作于降压模式、升压模式或者降压-升压模式。在降压模式中,转换器调节小于输入电压的输出电压。在升压模式中,调节器调节大于输入电压的输出电压。在降压和升压模式中,少于全部的内部开关被切换为ON和OFF以调节输出电压,从而节约功率。在降压-升压模式中,所有开关切换为ON和OFF以将输出电压调节为大于、小于或者等于输入电压的值。降压-升压DC-DC转换器被详细公开在美国专利No.6,166,527中,其在此引入作为参考。当然,其它类型的基于电感器的DC-DC转换器以及电荷泵可取代降压-升压DC-DC转换器而被采纳用于驱动电路10。
此外,驱动电路10可包括连接在节点14和地之间的电阻器C2,其用作保持DC输出电压的输出旁路电容器。当降压-升压DC-DC转换器12a不递送电流时,电容器C2递送电流给负载,即LED D1-Dn。
图4示出最大电压检测器20以及跨导放大器22和24的电路配置的例子,它们被提供在供电电压Vcc和GND之间。
最大电压检测器20包含OR电路,其包括多个NPN晶体管QG1-QG12。在图4中,在有12个电流源的假定下配置最大电压检测器20。晶体管QG1-QG12的所有基极分别系于潜在(potentially)不同的电压,即来自相应电流源ISRC1-ISRCn的栅电压GATE1-GATEn。晶体管QG1-QG12的所有发射极系在一起。在最大电压检测器20中,最高的晶体管QG1-QG12中的那一个的那个基极电压将是确定所连接的发射极处的电压的那个电压(图3中所示的GATEmax)。例如,当晶体管QG1的基极具有在大小上比其它基极高100mV的电压时,晶体管QG1将传导电流I3,并且其它晶体管被基本上关断。因此,可以获得DC电平移位的最高栅电压,GATEmax。
跨导放大器22由NPN差动对晶体管Q1和Q2来实施,并且跨导放大器24由具有尾电流I2的NPN差动对晶体管Q3和Q4来类似地实施。
由图4中的最大电压检测器20产生的DC电平移位的GATEmax电压被耦合到跨导放大器22的非反相输入。在图4中,GATEmax电压由晶体管QG1-QG12中接收最高栅电压的一个来进行电平移位,即GATEmax=VIN-VBE。因此,用电流源I4偏置的晶体管QGREF将基准电压Vref1电平移位至(Vref1-VBE),使得GATEmax电压和基准电压Vref1被跨导放大器22适当地比较。
晶体管对M1-M2,M3-M4和M5-M6构成电流镜,用于对节点30处的电流执行适当求和,以便于产生降压-升压DC-DC转换器12a的控制电压Vc。晶体管Q1的集电极电流由晶体管M1和M2以单位增益(unity gain)来镜像,其表示到节点30的供应电流。晶体管Q2的集电极电流由晶体管M3和M4以单位增益来镜像,并且由晶体管M5和M6以单位增益再次镜像,其表示来自节点30的汲取电流。当供应到节点30的电流M2等于从节点30汲取的电流M6时获得平衡点。在这样的情形中,晶体管Q1和Q2的集电极电流相等,因此GATEmax电压和基准电压Vref1相等。在该条件下,驱动LED D1-Dn的最低电压由降压-升压DC-DC转换器12a施加到输出节点14。
如上所述,驱动电路10基于具有最高正向电压降的那个特定LED来驱动LED D1-Dn。驱动电路10将输出电压控制为有效驱动具有最高正向电压降的这样的特定LED的最低电压。尽管该电压对于那个特定LED来说是最低电压,但是该电压高到足以驱动所有并联连接的LED。因此,用于驱动多个LED的功率效率提高,这是因为驱动所有LED的最低有效驱动电压被施加到输出节点14。另外,通过采用降压-升压DC-DC转换器和图2中所示的低跌落电流源,功率效率可被最大化。
可替换实施例
图5示出了驱动电路10的可替换实施例,为了同样的目的,其利用电流源ISRCn-ISRCn内的晶体管T1和T2的漏电压而不是栅电压。如所说明的,电流源ISRC1-ISRCn中的最低漏电压辨识哪一个被偏置的LED D1-Dn具有最高正向电压降。
参看图5,驱动电路40包括最小电压检测器(或选择器)42,以检测图2中电流源ISRCn的相应晶体管T1和T2中的漏电压DRAIN1-DRAINn的最低者。因此,从最小电压检测器42输出对应于最低漏电压的电压DRAINmin。可通过使用包括多个PNP-晶体管的OR电路来实现最小电压检测器42,其与图4中所示的最大电压检测器20的配置是互补的配置。
驱动电路40进一步包括最大电压检测器44,其接收来自最小电压检测器42的电压DRAINmin以及通过在形成分压器的电阻器R3和R4处划分输出电压VOUT而获得的按比例降低的电压。最大电压检测器44检测或者选择电压DRAINmin和该按比例降低的电压中的较高者。如下面更详细说明的,该最大电压检测器44充当有源钳位。最大电压检测器44的输出被提供给跨导放大器46的反相输入,该放大器的非反相输入耦合到基准电压Vref3。类似于图3和图4中的放大器22,跨导放大器46根据基准电压Vref3和来自最大电压检测器44的输出之间的差来提供电流给节点30,以控制降压-升压DC-DC转换器12a。
基准电压Vref3被选择以便于控制调节环产生有效驱动具有最高正向电压降的那个LED的基本上最低的输出电压。在采用电流源ISRC1-ISRCn的情形中,可基于电流源ISRC1-ISRCn的每个中的放大器A的内部特性来确定基准电压Vref3。漏电压越低,则驱动具有最高正向电压降的LED所必要的驱动电压越低。因此,当来自最大电压检测器44的输出电压(电压DRAINmin或者所述按比例下降的电压)变得等于基准电压Vref3时,在放大器A能够在其高增益共模范围,即激活区内工作的条件下,最低可能电压可被选择为基准电压Vref3。否则,电流源ISRC1-ISRCn不能使晶体管T2在匹配晶体管T1的漏电流的同时以低绝对漏电压来工作。理想的是设置基准电压Vref3以使放大器A可在其输入共模范围内的较低范围中工作。
最大电压检测器44防止过量的电压施加到输出节点14。当LEDD1-Dn之一是开路时,漏电压DRAIN1-DRAINn中对应的一个下跌(collapse)到地,并且作为响应,来自最小电压检测器42的电压DRAINmin将处于地电压。如果地电压被输入到跨导放大器46,则该放大器供应较多的电流给节点30。这导致来自降压-升压DC-DC转换器12a的输出增加。然而,即使电压DRAIN1-DRAINn之一下跌到地,最大电压检测器44也选择所述按比例降低的电压而不是具有地电压的电压DRAINmin。因此,所述按比例降低的电压被输入到跨导放大器46,使得调节环被适当地维持。
如上所述,驱动电路40使用两个不同的调节环。基于来自最小电压检测器42的电压DRAINmin来控制第一调节环。基于输入到最大电压检测器44的所述按比例降低的电压来控制第二调节环。
将理解,为了适当地调节所述调节环,可根据基准电压Vref3来选择形成分压器的电阻器R3和R4。
此外,在上述实施例中,所述驱动电路是在驱动多个LED,如白LED的情况下描述的。然而,所公开的主题不限于白LED,而是可被应用于驱动任何种类的光发射器件,包括但不限于红和蓝LED。
在本公开内容中仅示出和描述了本发明的优选实施例及其通用性的几个例子。应理解本发明能够在各种其它组合和环境中使用并且能够在本文中所表达的发明概念的范围内进行改变和修改。
Claims (38)
1.一种用于驱动连接到输出节点的多个并联耦合的光发射器件的电路,其中每个光发射器件由相应的偏置电路来偏置,所述用于驱动连接到输出节点的多个并联耦合的光发射器件的电路包括:
调节器,其被配置用于调节将施加到所述输出节点的输出电压;
检测电路,其被配置用于接收来自所述相应偏置电路的信号,并且作为响应,检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
控制电路,其耦合到所述检测电路,并且被配置用于产生控制信号以控制所述调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最高电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,并且
所述检测电路被配置用于检测所述最高电压,
所述控制电路被配置用于比较由所述检测电路检测到的最高电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号,
所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,以及
所述控制电路包含第一跨导放大器,其被配置用于根据所述最高电压和基准电压之间的差来供应或汲取电流作为所述控制信号;和
第二跨导放大器,被配置用于当所述输出节点处的输出电压超过预定电压时汲取预定量的从第一跨导放大器供应的电流。
2.如权利要求1的电路,其中
所述检测电路包含OR电路,该OR电路包括多个NPN晶体管,其基极接收来自所述偏置电路的信号,其集电极一起连接至电压供给,并且其发射极连接在一起,从而输出对应于所述最高电压的电压。
3.如权利要求1的电路,其中
所述第二跨导放大器用于防止过量的电压施加到所述输出节点。
4.一种用于驱动连接到输出节点的多个并联耦合的光发射器件的电路,其中每个光发射器件由相应的偏置电路来偏置,所述用于驱动连接到输出节点的多个并联耦合的光发射器件的电路包括:
调节器,其被配置用于调节将施加到所述输出节点的输出电压;
检测电路,其被配置用于接收来自所述相应偏置电路的信号,并且作为响应,检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
控制电路,其耦合到所述检测电路,并且被配置用于产生控制信号以控制所述调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最高电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,
所述检测电路被配置用于检测所述最高电压,
所述控制电路被配置用于比较由所述检测电路检测到的最高电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号,
所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,
所述偏置电路的每个包括用于构成电流镜的MOS晶体管和放大器,其中基准电流通过所述晶体管以K的增益来镜像从而使电流流过连接到所述输出节点的光发射器件,所述晶体管的漏极连接到所述放大器的相应输入,所述放大器的输出连接到所述晶体管的栅极,并且所述放大器维持所述晶体管之一的漏极电压和栅极电压等于另一个的漏极电压和栅极电压,并且
所述基准电压被设置成使每个偏置电路中的放大器能够在其高增益共模范围内工作的最高可能电压。
5.如权利要求4的电路,其中
所述对应节点被提供所述晶体管的栅极电压。
6.一种用于驱动连接到输出节点的多个并联耦合的光发射器件的电路,其中每个光发射器件由相应的偏置电路来偏置,所述用于驱动连接到输出节点的多个并联耦合的光发射器件的电路包括:
调节器,其被配置用于调节将施加到所述输出节点的输出电压;
检测电路,其被配置用于接收来自所述相应偏置电路的信号,并且作为响应,检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
控制电路,其耦合到所述检测电路,并且被配置用于产生控制信号以控制所述调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最低电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,以及
所述检测电路被配置用于检测所述最低电压,
所述偏置电路的每个包括用于构成电流镜的MOS晶体管和放大器,其中基准电流通过所述晶体管以K的增益来镜像从而使电流流过连接到所述输出节点的光发射器件,所述晶体管的漏极连接到所述放大器的相应输入,所述放大器的输出连接到所述晶体管的栅极,所述放大器维持所述MOS晶体管之一的漏极电压和栅极电压等于另一个的漏极电压和栅极电压,所述光发射器件连接到所述MOS晶体管之一的漏极上,所述MOS晶体管之一的源极接地。
7.如权利要求6的电路,其中
所述检测电路包含OR电路,该OR电路包括多个PNP晶体管,其基极接收来自所述偏置电路的信号,其集电极一起连接至电压供给,并且其发射极连接在一起,以输出对应于所述最低电压的电压。
8.如权利要求7的电路,其中
所述控制电路被配置用于比较由所述检测电路检测到的最低电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号,并且
所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压。
9.如权利要求8的电路,进一步包含:
选择器,其连接在所述检测电路和所述控制电路之间,用于比较来自所述检测电路的最低电压与在所述输出节点处通过按比例降低所述输出电压而获得的按比例降低的电压,从而选择最高电压,其中
所述控制电路被配置用于比较由所述选择器选择的最高电压与所述基准电压。
10.如权利要求9的电路,其中
所述基准电压被设置成使每个偏置电路中的放大器能够在其高增益共模范围内工作的最低可能电压。
11.如权利要求10的电路,其中
所述对应节点被提供所述晶体管的漏极电压。
12.如权利要求6的电路,其中
所述光发射器件是光发射二极管。
13.如权利要求12的电路,其中
所述光发射二极管是白光发射二极管。
14.如权利要求6的电路,其中
所述调节器是基于电感器的DC-DC转换器。
15.如权利要求14的电路,其中
所述基于电感器的DC-DC转换器是降压-升压DC-DC转换器。
16.一种用于控制调节器的电路,该调节器用于调节待提供到多个光发射器件所并联连接的输出节点的输出电压,其中每个光发射器件由相应的偏置电路来偏置,所述用于控制调节器的电路包含:
检测电路,其被配置用于接收来自相应偏置电路的信号,并且作为响应,基于该信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
控制电路,其耦合到所述检测电路并且被配置用于产生控制信号以控制所述调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最高电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,
所述检测电路被配置用于检测所述最高电压,
所述控制电路被配置用于比较由所述检测电路检测的最高电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号,
所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,以及
所述控制电路包含第一跨导放大器,其被配置用于根据所述最高电压和所述基准电压之间的差来供应或汲取电流作为控制信号,以及第二跨导放大器,其被配置用于当所述输出节点处的输出电压超过预定电压时汲取预定量的从第一跨导放大器供应的电流。
17.如权利要求16的电路,其中
所述检测电路包含OR电路,该OR电路包括多个NPN晶体管,其基极接收来自所述偏置电路的信号,其集电极一起连接至电压供给,并且其发射极连接在一起,从而输出对应于所述最高电压的电压。
18.如权利要求16的电路,其中
所述第二跨导放大器用于防止过量的电压施加到所述输出节点。
19.一种用于控制调节器的电路,该调节器用于调节待提供到多个光发射器件所并联连接的输出节点的输出电压,其中每个光发射器件由相应的偏置电路来偏置,所述用于控制调节器的电路包含:
检测电路,其被配置用于接收来自相应偏置电路的信号,并且作为响应,基于该信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
控制电路,其耦合到所述检测电路并且被配置用于产生控制信号以控制所述调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最高电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,
所述检测电路被配置用于检测所述最高电压,
所述控制电路被配置用于比较由所述检测电路检测的最高电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号,
所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,
所述偏置电路的每个包括用于构成电流镜的MOS晶体管和放大器,其中基准电流通过所述晶体管以K的增益来镜像从而使电流流过连接到所述输出节点的光发射器件,所述晶体管的漏极连接到所述放大器的相应输入,所述放大器的输出连接到所述晶体管的栅极,并且所述放大器维持所述晶体管之一的漏极电压和栅极电压等于另一个的漏极电压和栅极电压,并且
所述基准电压被设置成使每个偏置电路中的放大器能够在其高增益共模范围内工作的最高可能电压。
20.如权利要求19的电路,其中
所述对应节点被提供所述晶体管的栅极电压。
21.一种用于控制调节器的电路,该调节器用于调节待提供到多个光发射器件所并联连接的输出节点的输出电压,其中每个光发射器件由相应的偏置电路来偏置,所述用于控制调节器的电路包含:
检测电路,其被配置用于接收来自相应偏置电路的信号,并且作为响应,基于该信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
控制电路,其耦合到所述检测电路,并且被配置用于产生控制信号以控制所述调节器产生有效驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最低电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,
所述检测电路被配置用于检测所述最低电压,
所述偏置电路的每个包括用于构成电流镜的MOS晶体管和放大器,其中基准电流通过所述晶体管以K的增益来镜像从而使电流流过连接到所述输出节点的光发射器件,所述晶体管的漏极连接到所述放大器的相应输入,所述放大器的输出连接到所述晶体管的栅极,所述放大器维持所述MOS晶体管之一的漏极电压和栅极电压等于另一个的漏极电压和栅极电压,所述光发射器件连接到所述MOS晶体管之一的漏极上,所述MOS晶体管之一的源极接地。
22.如权利要求21的电路,其中
所述检测电路包含OR电路,该OR电路包括多个PNP晶体管,其基极接收来自所述偏置电路的信号,其集电极一起连接至电压供给,并且其发射极连接在一起,以输出对应于所述最低电压的电压。
23.如权利要求21的电路,其中
所述控制电路被配置用于比较由所述检测电路检测的最低电压与预定的基准电压,并且作为响应,产生所述控制信号,并且
所述基准电压被选择以便于控制所述调节器产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压。
24.如权利要求23的电路,进一步包含:
选择器,其连接在所述检测电路和控制电路之间,用于比较来自所述检测电路的最低电压与在所述输出节点处通过按比例降低所述输出电压而获得的按比例降低的电压,从而选择最高电压,其中
所述控制电路被配置用于比较由所述选择器选择的最高电压与所述基准电压。
25.如权利要求23的电路,其中
所述基准电压被设置成使每个偏置电路中的放大器能够在其高增益共模范围内工作的最低可能电压。
26.如权利要求25的电路,其中
所述对应节点被提供所述晶体管的漏极电压。
27.如权利要求21的电路,其中
所述光发射器件是光发射二极管。
28.如权利要求27的电路,其中
所述光发射二极管是白光发射二极管。
29.如权利要求21的电路,其中
所述调节器是基于电感器的DC-DC转换器。
30.如权利要求29的电路,其中
所述基于电感器的DC-DC转换器是降压-升压DC-DC转换器。
31.一种用于控制电路来驱动多个光发射器件的方法,所述光发射器件并联连接到输出节点并且其每个串联连接到用于偏置所述光发射器件的相应偏置电路,该方法包括如下步骤:
调节将施加到所述输出节点的输出电压;
接收来自所述相应偏置电路的信号,
基于所述信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
产生控制信号来控制所述调节步骤,以便于使所述输出电压达到驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最高电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,并且
所述检测步骤检测所述最高电压,
所述方法进一步包含下列步骤
比较在所述检测步骤中检测到的最高电压与预定的基准电压,该基准电压被选择以便于产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,
其中所述产生步骤基于所述最高电压与基准电压之间的差来产生所述控制信号,
所述产生步骤包括基于所述最高电压和基准电压之间的差来供应或汲取电流作为控制信号,
确定所述输出节点处的输出电压是否超过预定电压,并且
当所述输出电压超过预定电压时汲取预定量的由所述产生步骤供应的电流。
32.一种用于控制电路来驱动多个光发射器件的方法,所述光发射器件并联连接到输出节点并且其每个串联连接到用于偏置所述光发射器件的相应偏置电路,该方法包括如下步骤:
调节将施加到所述输出节点的输出电压;
接收来自所述相应偏置电路的信号,
基于所述信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
产生控制信号来控制所述调节步骤,以便于使所述输出电压达到驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最高电压的节点指示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,并且
所述检测步骤检测所述最高电压,
该方法进一步包含下列步骤
比较在所述检测步骤中检测到的最高电压与预定的基准电压,该基准电压被选择以便于产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,
其中所述产生步骤基于所述最高电压与基准电压之间的差来产生所述控制信号,以及
所述偏置电路的每个包括用于构成电流镜的MOS晶体管和放大器,其中基准电流通过所述晶体管以K的增益来镜像从而使电流流过连接到所述输出节点的光发射器件,所述晶体管的漏极连接到所述放大器的相应输入,所述放大器的输出连接到所述晶体管的栅极,并且所述放大器维持所述晶体管之一的漏极电压和栅极电压等于另一个的漏极电压和栅极电压,
将使每个偏置电路中的放大器能够在其高增益共模范围内工作的最高可能电压设置为基准电压。
33.如权利要求32的方法,其中
所述接收步骤从每个所述偏置电路获得所述晶体管的栅极电压。
34.一种用于控制电路来驱动多个光发射器件的方法,所述光发射器件并联连接到输出节点并且其每个串联连接到用于偏置所述光发射器件的相应偏置电路,该方法包括如下步骤:
调节将施加到所述输出节点的输出电压;
接收来自所述相应偏置电路的信号,
基于所述信号来检测哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降;以及
产生控制信号来控制所述调节步骤,以便于使所述输出电压达到驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低电压,其中
来自所述相应的偏置电路中的信号的每个指示每个偏置电路中的对应节点处的电压,并且在所述对应节点中,承载最低电压的节点表示哪一个被偏置的光发射器件具有最高正向电压降,
所述检测步骤检测所述最低电压,
所述偏置电路的每个包括用于构成电流镜的MOS晶体管和放大器,其中基准电流通过所述晶体管以K的增益来镜像从而使电流流过连接到所述输出节点的光发射器件,所述晶体管的漏极连接到所述放大器的相应输入,所述放大器的输出连接到所述晶体管的栅极,所述放大器维持所述MOS晶体管之一的漏极电压和栅极电压等于另一个的漏极电压和栅极电压,所述光发射器件连接到所述MOS晶体管之一的漏极上,所述MOS晶体管之一的源极接地。
35.如权利要求34的方法,进一步包含下列步骤:
比较所述检测步骤中检测到的最低电压与基准电压,该基准电压被选择以便于产生驱动具有最高正向电压降的那一个光发射器件的最低的输出电压,
其中所述产生步骤基于所述基准电压和所述最低电压之间的差来产生所述控制信号。
36.如权利要求35的方法,进一步包含下列步骤
在所述输出节点处按比例降低输出电压以获得按比例降低的电压;以及
比较在所述检测步骤中检测到的最低电压与所述按比例降低的电压从而选择较高的一个,其中
所述控制步骤通过比较所述较高的一个与基准电压来产生所述控制信号。
37.如权利要求35的方法,其中
该方法进一步包含下列步骤
将使每个偏置电路中的放大器能够在其高增益共模范围内工作的最低可能电压设置为基准电压。
38.如权利要求37的方法,其中
所述接收步骤从每个所述偏置电路获得所述晶体管的漏极电压。
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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Address after: California, USA Patentee after: LINEAR TECHNOLOGY Corp. Address before: California, USA Patentee before: LINEAR TECHNOLOGY Corp. |
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TR01 | Transfer of patent right | ||
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Effective date of registration: 20211229 Address after: Limerick Patentee after: ANALOG DEVICES INTERNATIONAL UNLIMITED Co. Address before: California, USA Patentee before: LINEAR TECHNOLOGY Corp. |