TW201834193A - 轉置圖章與應用其之轉移方法 - Google Patents
轉置圖章與應用其之轉移方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201834193A TW201834193A TW106107400A TW106107400A TW201834193A TW 201834193 A TW201834193 A TW 201834193A TW 106107400 A TW106107400 A TW 106107400A TW 106107400 A TW106107400 A TW 106107400A TW 201834193 A TW201834193 A TW 201834193A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- head
- transposed
- stamp
- transposition
- density
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 79
- 230000017105 transposition Effects 0.000 claims description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- -1 aluminum-nickel-cobalt Chemical compound 0.000 claims description 13
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CLBRCZAHAHECKY-UHFFFAOYSA-N [Co].[Pt] Chemical compound [Co].[Pt] CLBRCZAHAHECKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GOECOOJIPSGIIV-UHFFFAOYSA-N copper iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni].[Cu] GOECOOJIPSGIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WBWJXRJARNTNBL-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Cr].[Co] Chemical compound [Fe].[Cr].[Co] WBWJXRJARNTNBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CUSDLVIPMHDAFT-UHFFFAOYSA-N iron(3+);manganese(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Mn+2].[Fe+3].[Fe+3] CUSDLVIPMHDAFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCIREHBGYFWXKH-UHFFFAOYSA-N iron oxocobalt Chemical compound [Fe].[Co]=O PCIREHBGYFWXKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000604 Ferrochrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017110 Fe—Cr—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical class [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQHONKDTTOGZPR-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[Mn+2].[Fe+2] Chemical compound [O-2].[O-2].[Mn+2].[Fe+2] WQHONKDTTOGZPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- BCDWXIPZSYBYCG-UHFFFAOYSA-N chromium iron manganese Chemical compound [Mn][Cr][Fe] BCDWXIPZSYBYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000777 cunife Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Sealing Using Fluids, Sealing Without Contact, And Removal Of Oil (AREA)
Abstract
一種轉置圖章包含本體與複數個磁性物質。本體具有基底部與轉置頭。基底部具有表面，轉置頭沿著第一方向突出於基底部的表面，且轉置頭沿著第一方向具有相對的第一側面與第二側面。第一側面與第二側面連接表面。磁性物質置於轉置頭中。磁性物質鄰近第一側面的密度大於鄰近第二側面的密度。
Description
本發明是有關於一種轉置圖章，特別是一種藉由局部磁力提高轉印良率的轉置圖章。
微型發光二極體陣列(Micro Light-Emitting Diode Array)為將尺寸微小(小於100微米)的微型發光二極體以陣列方式排列設置於具有畫素電路的陣列基板上。透過定址化驅動技術，每個微型發光二極體可以定址控制、單獨驅動點亮，因而可以作為點畫素，於是，微型發光二極體陣列將能發揮顯示器之功能。
除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反應時間快等特點，微型發光二極體陣列更具節能、結構簡易、體積小、薄型等優勢。比起同樣是自發光的有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode)顯示器，微型發光二極體陣列有較佳的材料穩定性、壽命長、且無影像烙印等問題。為了改善微型發光二極體陣列的各項特性，相關領域莫不費盡心思開發。如何能提供一種具有較佳特性的微型發光二極體陣列與其相關製程，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需 改進的目標。
本發明提供一種轉置圖章，包含本體與複數個磁性物質。本體具有基底部與轉置頭。基底部包含表面，轉置頭沿著第一方向突出於基底部的表面，且轉置頭沿著第一方向具有相對的第一側面與第二側面。第一側面與第二側面連接基底部的表面。磁性物質置於轉置頭中。磁性物質鄰近第一側面的密度大於鄰近第二側面的密度。
在一或多個實施例中，磁性物質於轉置頭中的密度沿著第二方向遞減，第二方向垂直於第一方向。
在一或多個實施例中，轉置頭沿第一方向具有對稱面。轉置頭包含對稱於對稱面的第一部分與第二部分，且位於第一部分的磁性物質的密度大於位於第二部分的磁性物質的密度。
在一或多個實施例中，轉置頭包含上部分與下部分，上部分與下部分沿著第一方向排列。上部分置於下部分與基底部之間，且上部分於基底部的垂直投影面積大於下部分於基底部的垂直投影面積。
在一或多個實施例中，磁性物質置於轉置頭的下部分。
在一或多個實施例中，轉置頭的下部分沿著第二方向具有一寬度，且自第一側面為起點的25%前述寬度的區域內的磁性物質的密度大於自第二側面為起點的25%前述寬度 的區域內的磁性物質的密度。
在一或多個實施例中，磁性物質的材質為四氧化三鐵、氧化錳鐵、氧化鈷鐵、鋁鎳鈷合金、鐵鉻鈷合金、鐵鉻錳合金、鐵鋁碳合金、稀土元素-鈷合金、稀土元素-鐵合金、鉑鈷合金、錳鋁碳合金、銅鎳鐵合金、鋁錳銀合金或其組合。
本發明另提供一種轉置圖章，包含本體與複數個磁性物質。本體具有基底部與轉置頭。基底部具有表面，轉置頭沿著第一方向突出於基底部的表面，且轉置頭包含第一部分與第二部分，第一部分與第二部分相互連接。磁性物質置於轉置頭中。磁性物質於第一部分具有第一密度，磁性物質於第二部分具有第二密度，且第一密度不等於第二密度。
在一或多個實施例中，第一密度大於該第二密度。
在一或多個實施例中，轉置頭的第一部分與轉置頭的第二部分分別設置於基底部的表面上。
在一或多個實施例中，第一部分的尺寸與第二部分的尺寸實質上相同。
本發明另提供一種微元件的轉移方法，包含藉由轉置圖章提取至少一微元件。轉置圖章以轉置頭接觸至少一微元件，且複數個磁性物質設置於轉置頭中。藉由轉置圖章將至少一微元件放置於接收基板上。自接收基板下方提供與磁性物質排斥的磁力至轉置圖章的磁性物質，以分離轉置頭與至少一微元件。
在一或多個實施例中，轉置頭包含第一部分與第 二部分，第一部分與第二部分沿著一方向排列。磁性物質於第一部分的密度大於磁性物質於第二部分的密度，且轉移方法更包含沿著該方向移動磁力。
在一或多個實施例中，提供磁力的步驟包含通電一電磁鐵以產生磁力。
上述各實施例的轉置圖章包含磁性物質，且這些磁性物質鄰近第一側面的密度大於鄰近第二側面的密度，因此在當分離轉置頭與微元件時，只要於微元件下方施加與磁性物質相斥的磁力，即可在轉置頭與微元件形成裂口，以減弱轉置頭與微元件之間的接著力，增加轉移微元件的良率。
100‧‧‧轉置圖章
110‧‧‧本體
112‧‧‧基底部
112a‧‧‧第一表面
112b‧‧‧第二表面
114‧‧‧轉置頭
115‧‧‧第一側面
116‧‧‧第二側面
122‧‧‧第一部分
124‧‧‧第二部分
132‧‧‧上部分
134‧‧‧下部分
150‧‧‧磁性物質
200‧‧‧基板
210‧‧‧機械手臂
300‧‧‧微元件
302‧‧‧裂口
310‧‧‧第一電極
320‧‧‧第二電極
400‧‧‧接收基板
402‧‧‧訊號線
410‧‧‧主動元件
411‧‧‧閘極
413‧‧‧源極
415‧‧‧汲極
417‧‧‧半導體層
420‧‧‧導電層
430、455‧‧‧貫穿結構
440‧‧‧黏合層
450‧‧‧第一導線
460‧‧‧第二導線
470‧‧‧圖案化層
500‧‧‧平台
510‧‧‧磁鐵
2-2、7-7、9-9‧‧‧線段
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
S‧‧‧切割面
W‧‧‧寬度
X‧‧‧長度
第1圖為本發明一實施例的轉置圖章的底視圖。
第2圖為沿第1圖的線段2-2的剖面圖。
第3圖為第1圖的轉置圖章的局部立體圖。
第4圖為本發明另一實施例的轉置圖章的剖面圖。
第5圖至第7圖為一種微元件的轉移方法於各階段的示意圖。
第8圖為微元件、接收基板與第一導線的上視圖。
第9圖為沿第8圖的線段9-9的剖面圖。
第10圖為微元件、接收基板、第一導線與第二導線的上視圖。
第11圖為沿第10圖的線段11-11的剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明的複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電連接。
第1圖為本發明一實施例的轉置圖章100的底視圖，第2圖為沿第1圖的線段2-2的剖面圖，且第3圖為第1圖的轉置圖章100的局部立體圖。在本實施例中，轉置圖章100包含本體110與複數個磁性物質150。本體110具有基底部112與轉置頭114。基底部112具有相對的第一表面112a與第二表面112b。轉置頭114沿著第一方向D1(在此處可為基底部112的第一表面112a的法線方向)突出於基底部112的第一表面112a，亦即轉置頭114置於基底部112的第一表面112a上，且 轉置頭114沿著第一方向D1具有相對的第一側面115與第二側面116。第一側面115與第二側面116連接第一表面112a。磁性物質150置於轉置頭114中。磁性物質150鄰近第一側面115的密度大於鄰近第二側面116的密度。也就是說，磁性物質150鄰近第一側面115的磁力大於鄰近第二側面116的磁力。
本實施例的轉置圖章100藉由磁性物質150可提高微元件的轉印良率。具體而言，在一些製程過程中，微元件需從一基板轉移至另一基板，因此可使用轉置圖章100自一基板提取微元件，再將微元件置於另一基板上。轉置圖章100利用轉置頭114接觸微元件，使得微元件吸附於轉置頭114上，因此轉置圖章100便可提取微元件，再將微元件放置於另一基板上。然而若轉置頭114與微元件之間的接著力大於微元件與所放置的另一基板的吸附力，則微元件便無法順利地放置於另一基板上，而是仍被吸附於轉置頭114上。不過，在本實施例中，因轉置頭114中具有磁性物質150，因此可額外施加磁力，使得轉置頭114產生微量的內部形變以分離微元件。另外，因磁性物質150鄰近第一側面115的密度大於鄰近第二側面116的密度，因此當磁力作用於磁性物質150上時，會在轉置頭114與微元件之間產生裂口，此裂口即為破裂起始點，能夠讓微元件容易自轉置頭114上剝離。
在一些實施例中，轉置圖章100的本體110包含一個基底部112與一個轉置頭114，轉置頭114自基底部112的第一表面112a突出。然而在另一些實施例中，本體110包含一個基底部112與複數個轉置頭114，如第1圖所示。這些轉置頭114 排列於基底部112的第一表面112a上，可依照欲轉移的微元件的排列方式來決定轉置頭114的放置方式。舉例而言，若微元件呈矩陣排列，則轉置頭114亦呈矩陣排列，因此轉置頭114分別對應微元件，使得轉置圖章100能夠提取每一微元件。
請一併參照第1圖與第2圖。在本實施例中，每一轉置頭114皆為矩形凸塊為範例，因此有四個沿著第一方向D1延伸的側面，其中第一側面115相對於第二側面116。然而在其他的實施例中，轉置頭114投影於基底部112之形狀，不限於矩形，也可為其它適合的形狀；此外，轉置頭114可為多邊形體，只要磁性物質150在鄰近轉置頭114的相對兩側面具有不同的密度，即在本發明的範疇中。
在本實施例中，至少一轉置頭114包含第一部分122與第二部分124。第一部分122與第二部分124沿著第二方向D2排列且相互連接。第二方向D2垂直於第一方向D1。第一部分122與第二部分124分別置於基底部112的表面上。在本實施例中，轉置頭114沿第一方向D1具有切割面S，亦即切割面S沿著第一方向D1延伸(如第2圖所示)。切割面S將轉置頭114分為第一部分122與第二部分124。換言之，由第2圖來看，切割面S沿著第一方向D1將轉置頭114分成左半部(亦即第一部分122)與右半部(亦即第二部分124)。第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸實質上相同。應瞭解到，「實質上」係用以修飾可些微變化的關係，但這種些微變化並不會改變其本質。舉例來說，第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸實質上相同，此一描述除了第一部分122的尺寸與第二部分124 的尺寸確實相同外，在其他實施方式中，第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸也可以略為不同。在本文中，只要第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸相差在10%的範圍內，即稱為實質上相同。若第一部分122的尺寸與第二部分124的尺寸相差0%，則切割面S為第一部分122與第二部分124的對稱面，亦即第一部分122與第二部分124對稱於切割面S。
在本實施例中，位於第一部分122的磁性物質150於第一部分122的密度不同於位於第二部分124的磁性物質150於第二部分124的密度。例如，位於第一部分122的磁性物質150於第一部分122的密度大於位於第二部分124的磁性物質150於第二部分124的密度。亦即，磁性物質150在轉置頭114的第一部分122中的數量大於磁性物質150在轉置頭114的第二部分124中的數量。換言之，當第一部分122與第二部分124實質上具有相同的體積之下，包含磁性物質150的第一部分122的重量大於包含磁性物質150的第二部分124的重量。也就是說，磁性物質150於轉置頭114的第一部分122的磁力大於轉置頭114的第二部分124的磁力。在一些實施例中，磁性物質150僅置於轉置頭114的第一部分122中，而不置於轉置頭114的第二部分124中。而在又一些實施例中，磁性物質150於轉置頭114的密度沿著第二方向D2遞減，如第4圖所示。在第4圖中，磁性物質150置於第一部分122與第二部分124中，但磁性物質150在第一部分122中的數量大於磁性物質150在第二部分124中的數量。磁性物質150沿著第二方向D2分佈的長度X大於0.1微米。
請回到第1圖至第3圖。在一些實施例中，轉置頭114包含上部分132與下部分134，上部分132與下部分134沿著第一方向D1排列。上部分132置於下部分134與基底部112之間，且上部分132於基底部112的垂直投影面積大於下部分134於基底部112的垂直投影面積(如第1圖所示)。在本實施例中，上部分132與下部分134皆為長方體，然而在其他的實施例中，上部分132與下部分134可為多邊形柱狀體，本發明不以此為限。
在本實施例中，下部分134的下表面(或稱為外表面或者物體接觸面)為接觸微元件的面，而磁性物質150置於轉置頭114的下部分134，因此當磁力作用於磁性物質150上時，下部分134可產生微量形變，將下部分134的下表面局部提起，以於轉置頭114與微元件之間形成裂口。在一些實施例中，下部分134沿著第二方向D2具有寬度W，且自第一側面115為起點的25%寬度W(即0.25W)的區域內的磁性物質150的密度(或數量)大於自第二側面116為起點的25%寬度W(即0.25W)的區域內的磁性物質150的密度(或數量)。
在一些實施例中，本體110的基底部112與轉置頭114為一體成型，例如可使用一模具以形成本體110。另外磁性物質150可先置於模具中，因此當本體110的材料置入模具中時，本體110即可包覆磁性物質150。再者，因轉置頭114包含上部分132與下部分134，因此可讓轉置圖章100較容易自模具中分離。
在一些實施例中，本體110的材料可為聚合物， 例如為聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)、聚醯亞胺(polyimide)、柔性環氧樹脂、苯乙烯(styrenic)、聚醯胺(polyamide)、天然或合成橡膠(rubber)、聚丁二烯(polybutadiene)、聚氨酯(polyurethanes)、聚氯平(polychloroprene)、矽膠(silicone)或其它合適的材料、或前述至少二者之組合。本體110的材料可具有低楊氏模量(Young's Modulus)，以與待轉移的微元件之間具有共形接觸(conformal contact)，其可增加轉置圖章100與待轉移的微元件之間的接著力，然而本發明不以此為限。
另外，磁性物質150的材質可為四氧化三鐵(Fe3O4)、氧化錳鐵(MnFe2O4)、氧化鈷鐵(CoFe2O4)、鋁鎳鈷合金(AlNi(Co))、鐵鉻鈷合金(FeCr(Co))、鐵鉻錳合金(FeCrMo)、鐵鋁碳合金(FeAlC)、鐵鈷(錳)(鎢)合金(FeCo(V)(W))、稀土元素-鈷合金(Re-Co)、稀土元素-鐵合金(Re-Fe)、鉑鈷合金(PtCo)、錳鋁碳合金(MnAlC)、銅鎳鐵合金(CuNiFe)、鋁錳銀合金(AlMnAg)、或其它合適的材料、或前述至少二者之組合。
請參照第2圖。在一些實施例中，轉置圖章100的本體110可固定於基板200上，例如以基底部112的第二表面112b接觸基板200。基板200的硬度可大於本體110的硬度，基板200的材質例如可為石英玻璃、蘇打石灰(soda lime)玻璃、青板玻璃或白玻璃。基板200可提供轉置圖章100足夠的硬度，以防止轉置圖章100過度變形。
請一併參照第5圖至第7圖，其為一種微元件的轉 移方法於各階段的示意圖。請先參照第5圖，藉由轉置圖章100提取微元件300，例如轉置圖章100可放置於機械手臂210上，再利用機械手臂210移動轉置圖章100，以接觸並提取放置於一基板(未繪示)的微元件300。具體而言，轉置圖章100以其轉置頭114接觸微元件300，藉由轉置頭114與微元件300之間的接著力以提取微元件300。在本實施例中，微元件300可以是微型發光二極體(micro LED)為範例，其包含第一電極310與第二電極320。當於第一電極310與第二電極320通以電流時，微型發光二極體便可發光。再者，本實施例之第一電極310與第二電極320係以水平排列於微元件的同一表面上為範例，但不限於此，亦可第一電極310與第二電極320係以垂直排列於微元件的不同平面上，且第一電極310與第二電極320相分隔，以避免微元件300短路。不過，微元件300也可為晶片、感應元件或其他裝置。另外，轉置圖章100可包含複數個轉置頭114，每一轉置頭114對應一微元件300，因此轉置圖章100可一次提取多個微元件300。
接著請參照第6圖。藉由轉置圖章100將微元件300放置於接收基板400上。接收基板400可為陣列基板，其包含複數個主動元件410；或者接收基板400可為具有線路的驅動電路，不過在本實施例以陣列基板為例。主動元件410可為電晶體，例如為薄膜電晶體(Thin Film Transistor)。舉例而言，主動元件410包含閘極411、源極413、汲極415與半導體層417。閘極411置於半導體層417之上，源極413與汲極415分別電性連接半導體層417於範例，但不限於此。於其它實施 例中，閘極411置於半導體層417之下，源極413與汲極415分別電性連接半導體層417。另外，源極413可與訊號線402(例如資料線)連接。接收基板400更包含複數個導電層420，分別置於主動元件410上，並例如藉由貫穿結構430而電性連接主動元件410的汲極415。接收基板400更包含黏合層440，置於導電層420上，而微元件300可藉由黏合層440而固定於導電層420上。在一些實施例中，接收基板400可置於一平台500上。另外，黏合層440的材質可為光阻、矽膠、環氧樹脂、導電材料、或其它合適的材料、或其組合，本發明不以此為限。於其它實施例中，亦可選擇性不存在黏合層440。接收基板400另包含圖案化介電層470，置於導電層420周圍，亦即圖案化介電層470圍繞導電層420。在一些實施例中，圖案化層470的材質可為無機介電材料或有機介電材料。
轉置圖章100將微元件300放置於黏合層440上，且置於導電層420上方。在一些實施例中，每一導電層420上方可放置一或多個微元件300，例如在第6圖中，每一導電層420上放置二個微元件300，然而本發明不以此為限。
接著請參照第7圖。在接收基板400下方產生與磁性物質150相斥的磁力，以將轉置圖章100的轉置頭114推離微元件300。具體而言，可於接收基板400下方(例如在平台500中)放置一磁性元件，例如：磁鐵510，其可例如為電磁鐵或永久磁鐵，在此以電磁鐵作說明。當電磁鐵通電時即可產生磁力，此磁力與磁性物質150相斥。更進一步的，磁鐵510可沿著第二方向D2移動，因此轉置頭114的第一部分122會較第二 部分124先剝離微元件300，以產生一裂口302。當裂口302產生後，轉置頭114與微元件300之間的接著力會減弱，因此轉置頭114可輕易地與微元件300分離。而在磁鐵510往第二方向D2移動時，沿第二方向D2排列的轉置頭114會依序與對應的微元件300分離，因此當磁鐵510從轉置圖章100的一側移動到另一側後，所有的轉置頭114皆可與微元件300分離。在一些實施例中，磁性物質150沿著第二方向D2分佈的長度X(如第2圖所示)大於0.1微米，因此產生的裂口302的深度大於0.1微米，如此一來可有效地減弱轉置頭114與微元件300之間的接著力。依照第3圖至第5圖的步驟，即可將微元件300自一基板轉移至另一基板(在本實施例中為接收基板400)。
接著描述完成微元件300於接收基板400上的佈線步驟。請一併參照第8圖與第9圖，其中第8圖為微元件300、接收基板400與第一導線450的上視圖，而第9圖為沿第8圖的線段9-9的剖面圖。形成複數個第一導線450於黏合層440上，以電性連接微元件300的第一電極310與導電層420。舉例而言，可藉由貫穿結構455而電性連接第一導線450與導電層420。另外，在第8圖中，每一第一導線450連接至兩個微元件300，亦即這兩個微元件300皆由同一主動元件410所控制，但不以此為限。
接著請一併參照第10圖與第11圖，其中第10圖為微元件300、接收基板400、第一導線450與第二導線460的上視圖，而第11圖為沿第10圖的線段11-11的剖面圖。形成複數個第二導線460於黏合層440上，第二導線460電性連接微元件 300的第二電極320。在一實施例中，第二導線460電性連接於一共通電極(未繪示)，以提供微元件300的第二電極320一定電位，且第一導線450與第二導線460相分隔，以避免微元件300短路。在一些實施例中，若第一電極310與第二導線460之間可能會互相接觸，則可形成一保護層(未繪示)於第一電極310與第二導線460之間，更可以隔絕第一電極310與第二導線460。如此一來，即可完成微元件300與接收基板400之間的佈線製程。再者，本實施例前述的接收基板400皆以平面為範例，來形成平面元件，但不限於此。於其它實施例中，接收基板400可具有弧面、球面等曲面上，來形成曲面元件，同樣地，轉移圖章100之基板200亦可選用柔性基板，以配合接收基板400之曲面來將微元件300轉移至接收基板400上。於再一實施例中，接收基板400亦可為不規則的表面。
綜合上述，因本發明各實施例的轉置圖章包含磁性物質，且這些磁性物質鄰近第一側面的密度大於鄰近第二側面的密度，因此在當分離轉置頭與微元件時，只要於微元件下方施加與磁性物質相斥的磁力，即可在轉置頭與微元件形成裂口，以減弱轉置頭與微元件之間的接著力，增加轉移微元件的良率。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (14)
- 一種轉置圖章，包含：一本體，具有一基底部與一轉置頭，其中該基底部具有一表面，該轉置頭沿著一第一方向突出於該基底部的該表面，且該轉置頭沿著該第一方向具有相對的一第一側面與一第二側面，該第一側面與該第二側面連接該基底部的該表面；以及複數個磁性物質，置於該轉置頭中，其中該些磁性物質鄰近該第一側面的密度大於鄰近該第二側面的密度。
- 如請求項1的轉置圖章，其中該些磁性物質於該轉置頭中的密度沿著一第二方向遞減，該第二方向垂直於該第一方向。
- 如請求項1的轉置圖章，其中該轉置頭沿該第一方向具有一對稱面，該轉置頭包含對稱於該對稱面的一第一部分與一第二部分，且位於該第一部分的該些磁性物質的密度大於位於該第二部分的該些磁性物質的密度。
- 如請求項1的轉置圖章，其中該轉置頭包含一上部分與一下部分，該上部分與該下部分沿著該第一方向排列，該上部分置於該下部分與該基底部之間，且該上部分於該基底部的一垂直投影面積大於該下部分於該基底部的一垂直投影面積。
- 如請求項4的轉置圖章，其中該些磁性物質置於該轉置頭的該下部分。
- 如請求項5的轉置圖章，其中該轉置頭的該下部分沿著該第二方向具有一寬度，且自該第一側面為起點的25%該寬度的區域內的該些磁性物質的密度大於自該第二側面為起點的25%該寬度的區域內的該些磁性物質的密度。
- 如請求項1的轉置圖章，其中該些磁性物質的材質為四氧化三鐵、氧化錳鐵、氧化鈷鐵、鋁鎳鈷合金、鐵鉻鈷合金、鐵鉻錳合金、鐵鋁碳合金、稀土元素-鈷合金、稀土元素-鐵合金、鉑鈷合金、錳鋁碳合金、銅鎳鐵合金、鋁錳銀合金或其組合。
- 一種轉置圖章，包含：一本體，具有一基底部與一轉置頭，其中該基底部具有一表面，該轉置頭沿著一第一方向突出於該基底部的該表面，且該轉置頭包含一第一部分與一第二部分，該第一部分與該第二部分相互連接；以及複數個磁性物質，置於該轉置頭中，其中該些磁性物質於該第一部分具有一第一密度，該些磁性物質於該第二部分具有一第二密度，且該第一密度不等於該第二密度。
- 如請求項8的轉置圖章，其中該第一密度大於該第二密度。
- 如請求項8的轉置圖章，其中該轉置頭的該第一部分與該轉置頭的該第二部分分別設置於該基底部的該表面上。
- 如請求項8的轉置圖章，其中該第一部分的尺寸與該第二部分的尺寸實質上相同。
- 一種微元件的轉移方法，包含：藉由一轉置圖章提取至少一微元件，其中該轉置圖章以一轉置頭接觸該至少一微元件，且複數個磁性物質設置於該轉置頭中；藉由該轉置圖章將該至少一微元件放置於一接收基板上；以及自該接收基板下方提供與該些磁性物質排斥的一磁力至該轉置圖章的該些磁性物質，以分離該轉置頭與該至少一微元件。
- 如請求項12的轉移方法，其中該轉置頭包含一第一部分與一第二部分，該第一部分與該第二部分沿著一方向排列，該些磁性物質於該第一部分的密度大於該些磁性物質於該第二部分的密度，且該轉移方法更包含沿著該方 向移動該磁力。
- 如請求項12的轉移方法，其中提供該磁力的步驟包含通電一電磁鐵以產生該磁力。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106107400A TWI649855B (zh) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | 轉置圖章與應用其之轉移方法 |
| CN201710292097.1A CN106941090B (zh) | 2017-03-07 | 2017-04-28 | 转置图章与应用其的转移方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106107400A TWI649855B (zh) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | 轉置圖章與應用其之轉移方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201834193A true TW201834193A (zh) | 2018-09-16 |
| TWI649855B TWI649855B (zh) | 2019-02-01 |
Family
ID=59464423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106107400A TWI649855B (zh) | 2017-03-07 | 2017-03-07 | 轉置圖章與應用其之轉移方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106941090B (zh) |
| TW (1) | TWI649855B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI742490B (zh) * | 2019-02-12 | 2021-10-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 微小構造體移載裝置、模板頭單元、微小構造體移載用模板零件及微小構造體積體零件的移載方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107425101B (zh) * | 2017-07-11 | 2019-03-01 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法 |
| US11227787B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-01-18 | Industrial Technology Research Institute | Transfer support and transfer module |
| CN109256354B (zh) * | 2017-07-14 | 2021-01-12 | 财团法人工业技术研究院 | 转移支撑件及转移模块 |
| US10431483B2 (en) * | 2017-07-14 | 2019-10-01 | Industrial Technology Research Institute | Transfer support and transfer module |
| CN107681039A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-09 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led芯片的封装结构以及封装方法 |
| CN107808835B (zh) * | 2017-10-20 | 2020-07-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 导磁板及器件转移装置 |
| CN107768397B (zh) * | 2017-10-20 | 2020-08-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 器件阵列基板及其制作方法 |
| CN107783331B (zh) * | 2017-10-20 | 2020-12-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 器件转移装置及其转移器件的方法、器件转移板 |
| CN107863433A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示器件及显示面板 |
| TWI647742B (zh) * | 2018-04-19 | 2019-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070006885A (ko) * | 2004-03-31 | 2007-01-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 장치 제조과정 동안 전도성 부품을 운반하기 위한장치 및 방법 |
| US7943491B2 (en) * | 2004-06-04 | 2011-05-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp |
| US8506867B2 (en) * | 2008-11-19 | 2013-08-13 | Semprius, Inc. | Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer |
| US9209059B2 (en) * | 2009-12-17 | 2015-12-08 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques |
| US20110151588A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques |
| TWI581355B (zh) * | 2015-11-06 | 2017-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 轉置微元件的方法 |
-
2017
- 2017-03-07 TW TW106107400A patent/TWI649855B/zh active
- 2017-04-28 CN CN201710292097.1A patent/CN106941090B/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI742490B (zh) * | 2019-02-12 | 2021-10-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 微小構造體移載裝置、模板頭單元、微小構造體移載用模板零件及微小構造體積體零件的移載方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106941090B (zh) | 2019-08-27 |
| TWI649855B (zh) | 2019-02-01 |
| CN106941090A (zh) | 2017-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI649855B (zh) | 轉置圖章與應用其之轉移方法 | |
| JP7432625B2 (ja) | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール | |
| CN111009562B (zh) | 可拉伸显示面板和装置及该可拉伸显示装置的制造方法 | |
| CN111199993B (zh) | 可拉伸显示装置 | |
| US20210110761A1 (en) | Driving backplane, display panel and method for manufacturing the same | |
| US10707431B2 (en) | Stretchable display panels and manufacturing methods thereof | |
| US10749093B2 (en) | Interconnection by lateral transfer printing | |
| CN112310116B (zh) | 可拉伸显示装置 | |
| CN111492488B (zh) | 使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法 | |
| CN103811529A (zh) | 显示面板、薄膜覆晶及包括该面板和薄膜覆晶的显示装置 | |
| JP2011053651A (ja) | 表示装置 | |
| CN110416122B (zh) | 发光元件的转移方法、显示面板及其制备方法、基板 | |
| US20220302340A1 (en) | Micro light emitting diode panel | |
| CN111554783B (zh) | 一种led阵列基板的制备方法、led阵列基板、面板及设备 | |
| TW200923871A (en) | Integrated display module | |
| CN117594625A (zh) | 显示像素用半导体发光器件封装及包括其的显示装置 | |
| US20230275199A1 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
| TW202102913A (zh) | 元件基板及其製造方法 | |
| KR20210081017A (ko) | 자성 도전볼을 포함하는 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 표시 장치 | |
| EP4394873A1 (en) | Led based display device and method of manufacturing the same | |
| US20230207573A1 (en) | Display device including a wiring pad and method for manufacturing the same | |
| US20210134897A1 (en) | Display device | |
| KR20220097742A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 | |
| KR20240120455A (ko) | 자가조립도너 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 | |
| KR20240120454A (ko) | 스탬프 도너 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |