CN106941090B - 转置图章与应用其的转移方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种转置图章与应用其的转移方法，该转置图章包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。本发明能够增加转移微元件的良率。
Description
技术领域
本发明是有关于一种转置图章，特别是一种藉由局部磁力提高转印良率的转置图章与应用其的转移方法。
背景技术
微型发光二极管阵列(Micro Light-Emitting Diode Array)为将尺寸微小(小于100微米)的微型发光二极管以阵列方式排列设置于具有像素电路的阵列基板上。通过定址化驱动技术，每个微型发光二极管可以定址控制、单独驱动点亮，因而可以作为点像素，于是，微型发光二极管阵列将能发挥显示器的功能。
除了具有高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，微型发光二极管阵列还具有节能、结构简易、体积小、薄型等优势。比起同样是自发光的有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode)显示器，微型发光二极管阵列有较佳的材料稳定性、寿命长、且无影像烙印等问题。为了改善微型发光二极管阵列的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的微型发光二极管阵列与其相关制造工艺，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
发明内容
本发明提供一种转置图章与应用其的转移方法，以增加转移微元件的良率。
本发明提供一种转置图章，包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部包含表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头沿着第一方向具有相对的第一侧面与第二侧面。第一侧面与第二侧面连接基底部的表面。磁性物质置于转置头中。磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度。
在一个或多个实施例中，磁性物质于转置头中的密度沿着第二方向递减，第二方向垂直于第一方向。
在一个或多个实施例中，转置头沿第一方向具有对称面。转置头包含对称于对称面的第一部分与第二部分，且位于第一部分的磁性物质的密度大于位于第二部分的磁性物质的密度。
在一个或多个实施例中，转置头包含上部分与下部分，上部分与下部分沿着第一方向排列。上部分置于下部分与基底部之间，且上部分于基底部的垂直投影面积大于下部分于基底部的垂直投影面积。
在一个或多个实施例中，磁性物质置于转置头的下部分。
在一个或多个实施例中，转置头的下部分沿着第二方向具有一宽度，且自第一侧面为起点的25％前述宽度的区域内的磁性物质的密度大于自第二侧面为起点的25％前述宽度的区域内的磁性物质的密度。
在一个或多个实施例中，磁性物质的材质为四氧化三铁、氧化锰铁、氧化钴铁、铝镍钴合金、铁铬钴合金、铁铬锰合金、铁铝碳合金、稀土元素-钴合金、稀土元素-铁合金、铂钴合金、锰铝碳合金、铜镍铁合金、铝锰银合金或其组合。
本发明另提供一种转置图章，包含本体与多个磁性物质。本体具有基底部与转置头。基底部具有表面，转置头沿着第一方向突出于基底部的表面，且转置头包含第一部分与第二部分，第一部分与第二部分相互连接。磁性物质置于转置头中。磁性物质于第一部分具有第一密度，磁性物质于第二部分具有第二密度，且第一密度不等于第二密度。
在一个或多个实施例中，第一密度大于该第二密度。
在一个或多个实施例中，转置头的第一部分与转置头的第二部分分别设置于基底部的表面上。
在一个或多个实施例中，第一部分的尺寸与第二部分的尺寸实质上相同。
本发明另提供一种微元件的转移方法，包含藉由转置图章提取至少一微元件。转置图章以转置头接触至少一微元件，且多个磁性物质设置于转置头中。藉由转置图章将至少一微元件放置于接收基板上。自接收基板下方提供与磁性物质排斥的磁力至转置图章的磁性物质，以分离转置头与至少一微元件。
在一个或多个实施例中，转置头包含第一部分与第二部分，第一部分与第二部分沿着一方向排列。磁性物质于第一部分的密度大于磁性物质于第二部分的密度，且转移方法还包含沿着该方向移动磁力。
在一个或多个实施例中，提供磁力的步骤包含通电一电磁铁以产生磁力。
上述各实施例的转置图章包含磁性物质，且这些磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度，因此在当分离转置头与微元件时，只要于微元件下方施加与磁性物质相斥的磁力，即可在转置头与微元件形成裂口，以减弱转置头与微元件之间的接着力，增加转移微元件的良率。
附图说明
图1为本发明一实施例的转置图章的仰视图。
图2为沿图1的线段2-2的剖面图。
图3为图1的转置图章的局部立体图。
图4为本发明另一实施例的转置图章的剖面图。
图5至图7为一种微元件的转移方法于各阶段的示意图。
图8为微元件、接收基板与第一导线的俯视图。
图9为沿图8的线段9-9的剖面图。
图10为微元件、接收基板、第一导线与第二导线的俯视图。
图11为沿图10的线段11-11的剖面图。
符号说明：
100：转置图章 402：信号线
110：本体 410：主动元件
112：基底部 411：栅极
112a：第一表面 413：源极
112b：第二表面 415：漏极
114：转置头 417：半导体层
115：第一侧面 420：导电层
116：第二侧面 430、455：贯穿结构
122：第一部分 440：粘合层
124：第二部分 450：第一导线
132：上部分 460：第二导线
134：下部分 470：图案化层
150：磁性物质 500：平台
200：基板 510：磁铁
210：机械手臂 2-2、7-7、9-9：线段
300：微元件 D1：第一方向
302：裂口 D2：第二方向
310：第一电极 S：切割面
320：第二电极 W：宽度
400：接收基板 X：长度
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电连接。
图1为本发明一实施例的转置图章100的仰视图，图2为沿图1的线段2-2的剖面图，且图3为图1的转置图章100的局部立体图。在本实施例中，转置图章100包含本体110与多个磁性物质150。本体110具有基底部112与转置头114。基底部112具有相对的第一表面112a与第二表面112b。转置头114沿着第一方向D1(在此处可为基底部112的第一表面112a的法线方向)突出于基底部112的第一表面112a，亦即转置头114置于基底部112的第一表面112a上，且转置头114沿着第一方向D1具有相对的第一侧面115与第二侧面116。第一侧面115与第二侧面116连接第一表面112a。磁性物质150置于转置头114中。磁性物质150邻近第一侧面115的密度大于邻近第二侧面116的密度。也就是说，磁性物质150邻近第一侧面115的磁力大于邻近第二侧面116的磁力。
本实施例的转置图章100藉由磁性物质150可提高微元件的转印良率。具体而言，在一些制造工艺过程中，微元件需从一基板转移至另一基板，因此可使用转置图章100自一基板提取微元件，再将微元件置于另一基板上。转置图章100利用转置头114接触微元件，使得微元件吸附于转置头114上，因此转置图章100便可提取微元件，再将微元件放置于另一基板上。然而若转置头114与微元件之间的接着力大于微元件与所放置的另一基板的吸附力，则微元件便无法顺利地放置于另一基板上，而是仍被吸附于转置头114上。不过，在本实施例中，因转置头114中具有磁性物质150，因此可额外施加磁力，使得转置头114产生微量的内部形变以分离微元件。另外，因磁性物质150邻近第一侧面115的密度大于邻近第二侧面116的密度，因此当磁力作用于磁性物质150上时，会在转置头114与微元件之间产生裂口，此裂口即为破裂起始点，能够让微元件容易自转置头114上剥离。
在一些实施例中，转置图章100的本体110包含一个基底部112与一个转置头114，转置头114自基底部112的第一表面112a突出。然而在另一些实施例中，本体110包含一个基底部112与多个转置头114，如图1所示。这些转置头114排列于基底部112的第一表面112a上，可依照欲转移的微元件的排列方式来决定转置头114的放置方式。举例而言，若微元件呈矩阵排列，则转置头114亦呈矩阵排列，因此转置头114分别对应微元件，使得转置图章100能够提取每一微元件。
请一并参照图1与图2。在本实施例中，每一转置头114皆为矩形凸块为范例，因此有四个沿着第一方向D1延伸的侧面，其中第一侧面115相对于第二侧面116。然而在其他的实施例中，转置头114投影于基底部112的形状，不限于矩形，也可为其它适合的形状；此外，转置头114可为多边形体，只要磁性物质150在邻近转置头114的相对两侧面具有不同的密度，即在本发明的范畴中。
在本实施例中，至少一转置头114包含第一部分122与第二部分124。第一部分122与第二部分124沿着第二方向D2排列且相互连接。第二方向D2垂直于第一方向D1。第一部分122与第二部分124分别置于基底部112的表面上。在本实施例中，转置头114沿第一方向D1具有切割面S，亦即切割面S沿着第一方向D1延伸(如图2所示)。切割面S将转置头114分为第一部分122与第二部分124。换言之，由图2来看，切割面S沿着第一方向D1将转置头114分成左半部(亦即第一部分122)与右半部(亦即第二部分124)。第一部分122的尺寸与第二部分124的尺寸实质上相同。应了解到，“实质上”是用以修饰可些微变化的关系，但这种些微变化并不会改变其本质。举例来说，第一部分122的尺寸与第二部分124的尺寸实质上相同，此一描述除了第一部分122的尺寸与第二部分124的尺寸确实相同外，在其他实施方式中，第一部分122的尺寸与第二部分124的尺寸也可以略为不同。在本文中，只要第一部分122的尺寸与第二部分124的尺寸相差在10％的范围内，即称为实质上相同。若第一部分122的尺寸与第二部分124的尺寸相差0％，则切割面S为第一部分122与第二部分124的对称面，亦即第一部分122与第二部分124对称于切割面S。
在本实施例中，位于第一部分122的磁性物质150于第一部分122的密度不同于位于第二部分124的磁性物质150于第二部分124的密度。例如，位于第一部分122的磁性物质150于第一部分122的密度大于位于第二部分124的磁性物质150于第二部分124的密度。亦即，磁性物质150在转置头114的第一部分122中的数量大于磁性物质150在转置头114的第二部分124中的数量。换言之，当第一部分122与第二部分124实质上具有相同的体积之下，包含磁性物质150的第一部分122的重量大于包含磁性物质150的第二部分124的重量。也就是说，磁性物质150于转置头114的第一部分122的磁力大于转置头114的第二部分124的磁力。在一些实施例中，磁性物质150仅置于转置头114的第一部分122中，而不置于转置头114的第二部分124中。而在又一些实施例中，磁性物质150于转置头114的密度沿着第二方向D2递减，如图4所示。在图4中，磁性物质150置于第一部分122与第二部分124中，但磁性物质150在第一部分122中的数量大于磁性物质150在第二部分124中的数量。磁性物质150沿着第二方向D2分布的长度X大于0.1微米。
请回到图1至图3。在一些实施例中，转置头114包含上部分132与下部分134，上部分132与下部分134沿着第一方向D1排列。上部分132置于下部分134与基底部112之间，且上部分132于基底部112的垂直投影面积大于下部分134于基底部112的垂直投影面积(如图1所示)。在本实施例中，上部分132与下部分134皆为长方体，然而在其他的实施例中，上部分132与下部分134可为多边形柱状体，本发明不以此为限。
在本实施例中，下部分134的下表面(或称为外表面或者物体接触面)为接触微元件的面，而磁性物质150置于转置头114的下部分134，因此当磁力作用于磁性物质150上时，下部分134可产生微量形变，将下部分134的下表面局部提起，以于转置头114与微元件之间形成裂口。在一些实施例中，下部分134沿着第二方向D2具有宽度W，且自第一侧面115为起点的25％宽度W(即0.25W)的区域内的磁性物质150的密度(或数量)大于自第二侧面116为起点的25％宽度W(即0.25W)的区域内的磁性物质150的密度(或数量)。
在一些实施例中，本体110的基底部112与转置头114为一体成型，例如可使用一模具以形成本体110。另外磁性物质150可先置于模具中，因此当本体110的材料置入模具中时，本体110即可包覆磁性物质150。再者，因转置头114包含上部分132与下部分134，因此可让转置图章100较容易自模具中分离。
在一些实施例中，本体110的材料可为聚合物，例如为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)、聚酰亚胺(polyimide)、柔性环氧树脂、苯乙烯(styrenic)、聚酰胺(polyamide)、天然或合成橡胶(rubber)、聚丁二烯(polybutadiene)、聚氨酯(polyurethanes)、聚氯平(polychloroprene)、硅胶(silicone)或其它合适的材料、或前述至少二者的组合。本体110的材料可具有低杨氏模量(Young's Modulus)，以与待转移的微元件之间具有共形接触(conformal contact)，其可增加转置图章100与待转移的微元件之间的接着力，然而本发明不以此为限。
另外，磁性物质150的材质可为四氧化三铁(Fe3O4)、氧化锰铁(MnFe2O4)、氧化钴铁(CoFe2O4)、铝镍钴合金(AlNi(Co))、铁铬钴合金(FeCr(Co))、铁铬锰合金(FeCrMo)、铁铝碳合金(FeAlC)、铁钴(锰)(钨)合金(FeCo(V)(W))、稀土元素-钴合金(Re-Co)、稀土元素-铁合金(Re-Fe)、铂钴合金(PtCo)、锰铝碳合金(MnAlC)、铜镍铁合金(CuNiFe)、铝锰银合金(AlMnAg)、或其它合适的材料、或前述至少二者的组合。
请参照图2。在一些实施例中，转置图章100的本体110可固定于基板200上，例如以基底部112的第二表面112b接触基板200。基板200的硬度可大于本体110的硬度，基板200的材质例如可为石英玻璃、苏打石灰(soda lime)玻璃、青板玻璃或白玻璃。基板200可提供转置图章100足够的硬度，以防止转置图章100过度变形。
请一并参照图5至图7，其为一种微元件的转移方法于各阶段的示意图。请先参照图5，藉由转置图章100提取微元件300，例如转置图章100可放置于机械手臂210上，再利用机械手臂210移动转置图章100，以接触并提取放置于一基板(未绘示)的微元件300。具体而言，转置图章100以其转置头114接触微元件300，藉由转置头114与微元件300之间的接着力以提取微元件300。在本实施例中，微元件300可以是微型发光二极管(micro LED)为范例，其包含第一电极310与第二电极320。当于第一电极310与第二电极320通以电流时，微型发光二极管便可发光。再者，本实施例的第一电极310与第二电极320是以水平排列于微元件的同一表面上为范例，但不限于此，亦可第一电极310与第二电极320是以垂直排列于微元件的不同平面上，且第一电极310与第二电极320相分隔，以避免微元件300短路。不过，微元件300也可为芯片、感应元件或其他装置。另外，转置图章100可包含多个转置头114，每一转置头114对应一微元件300，因此转置图章100可一次提取多个微元件300。
接着请参照图6。藉由转置图章100将微元件300放置于接收基板400上。接收基板400可为阵列基板，其包含多个主动元件410；或者接收基板400可为具有线路的驱动电路，不过在本实施例以阵列基板为例。主动元件410可为晶体管，例如为薄膜晶体管(Thin FilmTransistor)。举例而言，主动元件410包含栅极411、源极413、漏极415与半导体层417。栅极411置于半导体层417之上，源极413与漏极415分别电连接半导体层417于范例，但不限于此。于其它实施例中，栅极411置于半导体层417之下，源极413与漏极415分别电连接半导体层417。另外，源极413可与信号线402(例如数据线)连接。接收基板400还包含多个导电层420，分别置于主动元件410上，并例如藉由贯穿结构430而电连接主动元件410的漏极415。接收基板400还包含粘合层440，置于导电层420上，而微元件300可藉由粘合层440而固定于导电层420上。在一些实施例中，接收基板400可置于一平台500上。另外，粘合层440的材质可为光阻、硅胶、环氧树脂、导电材料、或其它合适的材料、或其组合，本发明不以此为限。于其它实施例中，亦可选择性不存在粘合层440。接收基板400另包含图案化介电层470，置于导电层420周围，亦即图案化介电层470围绕导电层420。在一些实施例中，图案化层470的材质可为无机介电材料或有机介电材料。
转置图章100将微元件300放置于粘合层440上，且置于导电层420上方。在一些实施例中，每一导电层420上方可放置一或多个微元件300，例如在图6中，每一导电层420上放置两个微元件300，然而本发明不以此为限。
接着请参照图7。在接收基板400下方产生与磁性物质150相斥的磁力，以将转置图章100的转置头114推离微元件300。具体而言，可于接收基板400下方(例如在平台500中)放置一磁性元件，例如：磁铁510，其可例如为电磁铁或永久磁铁，在此以电磁铁作说明。当电磁铁通电时即可产生磁力，此磁力与磁性物质150相斥。更进一步的，磁铁510可沿着第二方向D2移动，因此转置头114的第一部分122会较第二部分124先剥离微元件300，以产生一裂口302。当裂口302产生后，转置头114与微元件300之间的接着力会减弱，因此转置头114可轻易地与微元件300分离。而在磁铁510往第二方向D2移动时，沿第二方向D2排列的转置头114会依序与对应的微元件300分离，因此当磁铁510从转置图章100的一侧移动到另一侧后，所有的转置头114皆可与微元件300分离。在一些实施例中，磁性物质150沿着第二方向D2分布的长度X(如图2所示)大于0.1微米，因此产生的裂口302的深度大于0.1微米，如此一来可有效地减弱转置头114与微元件300之间的接着力。依照图3至图5的步骤，即可将微元件300自一基板转移至另一基板(在本实施例中为接收基板400)。
接着描述完成微元件300于接收基板400上的布线步骤。请一并参照图8与图9，其中图8为微元件300、接收基板400与第一导线450的俯视图，而图9为沿图8的线段9-9的剖面图。形成多个第一导线450于粘合层440上，以电连接微元件300的第一电极310与导电层420。举例而言，可藉由贯穿结构455而电连接第一导线450与导电层420。另外，在图8中，每一第一导线450连接至两个微元件300，亦即这两个微元件300皆由同一主动元件410所控制，但不以此为限。
接着请一并参照图10与图11，其中图10为微元件300、接收基板400、第一导线450与第二导线460的俯视图，而图11为沿图10的线段11-11的剖面图。形成多个第二导线460于粘合层440上，第二导线460电连接微元件300的第二电极320。在一实施例中，第二导线460电连接于一共通电极(未绘示)，以提供微元件300的第二电极320一定电位，且第一导线450与第二导线460相分隔，以避免微元件300短路。在一些实施例中，若第一电极310与第二导线460之间可能会互相接触，则可形成一保护层(未绘示)于第一电极310与第二导线460之间，还可以隔绝第一电极310与第二导线460。如此一来，即可完成微元件300与接收基板400之间的布线制造工艺。再者，本实施例前述的接收基板400皆以平面为范例，来形成平面元件，但不限于此。于其它实施例中，接收基板400可具有弧面、球面等曲面上，来形成曲面元件，同样地，转移图章100的基板200亦可选用柔性基板，以配合接收基板400的曲面来将微元件300转移至接收基板400上。于再一实施例中，接收基板400亦可为不规则的表面。
综合上述，因本发明各实施例的转置图章包含磁性物质，且这些磁性物质邻近第一侧面的密度大于邻近第二侧面的密度，因此在当分离转置头与微元件时，只要于微元件下方施加与磁性物质相斥的磁力，即可在转置头与微元件形成裂口，以减弱转置头与微元件之间的接着力，增加转移微元件的良率。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
Claims (14)
1.一种转置图章，其特征在于，包含：
一本体，具有一基底部与一转置头，其中所述基底部具有一表面，所述转置头沿着一第一方向突出于所述基底部的所述表面，且所述转置头沿着所述第一方向具有相对的一第一侧面与一第二侧面，所述第一侧面与所述第二侧面连接所述基底部的所述表面；以及
多个磁性物质，置于所述转置头中，其中所述磁性物质邻近所述第一侧面的密度大于邻近所述第二侧面的密度。
2.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述磁性物质于所述转置头中的密度沿着一第二方向递减，所述第二方向垂直于所述第一方向。
3.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述转置头沿所述第一方向具有一对称面，所述转置头包含对称于所述对称面的一第一部分与一第二部分，且位于所述第一部分的所述磁性物质的密度大于位于所述第二部分的所述磁性物质的密度。
4.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述转置头包含一上部分与一下部分，所述上部分与所述下部分沿着所述第一方向排列，所述上部分置于所述下部分与所述基底部之间，且所述上部分于所述基底部的一垂直投影面积大于所述下部分于所述基底部的一垂直投影面积。
5.如权利要求4所述的转置图章，其特征在于，所述磁性物质置于所述转置头的所述下部分。
6.如权利要求5所述的转置图章，其特征在于，所述转置头的所述下部分沿着一第二方向具有一宽度，且自所述第一侧面为起点的25％所述宽度的区域内的所述磁性物质的密度大于自所述第二侧面为起点的25％所述宽度的区域内的所述磁性物质的密度。
7.如权利要求1所述的转置图章，其特征在于，所述磁性物质的材质为四氧化三铁、氧化锰铁、氧化钴铁、铝镍钴合金、铁铬钴合金、铁铬锰合金、铁铝碳合金、稀土元素-钴合金、稀土元素-铁合金、铂钴合金、锰铝碳合金、铜镍铁合金、铝锰银合金或其组合。
8.一种转置图章，其特征在于，包含：
一本体，具有一基底部与一转置头，其中所述基底部具有一表面，所述转置头沿着一第一方向突出于所述基底部的所述表面，且所述转置头包含一第一部分与一第二部分，所述第一部分与所述第二部分沿着垂直于第一方向的第二方向排列且相互连接；以及
多个磁性物质，置于所述转置头中，其中所述磁性物质于所述第一部分具有一第一密度，所述磁性物质于所述第二部分具有一第二密度，且所述第一密度不等于所述第二密度。
9.如权利要求8所述的转置图章，其特征在于，所述第一密度大于所述第二密度。
10.如权利要求8所述的转置图章，其特征在于，所述转置头的所述第一部分与所述转置头的所述第二部分分别设置于所述基底部的所述表面上。
11.如权利要求8所述的转置图章，其特征在于，所述第一部分的尺寸与所述第二部分的尺寸实质上相同。
12.一种微元件的转移方法，其特征在于，包含：
藉由一转置图章提取至少一微元件，所述转置图章包含：
一本体，具有一基底部与一转置头，其中所述基底部具有一表面，所述转置头沿着一第一方向突出于所述基底部的所述表面，且所述转置头包含一第一部分与一第二部分，所述第一部分与所述第二部分沿着垂直于第一方向的第二方向排列且相互连接，其中所述转置图章以所述转置头接触所述至少一微元件，且多个磁性物质设置于所述转置头中，所述磁性物质于所述第一部分的密度大于所述磁性物质于所述第二部分的密度；
藉由所述转置图章将所述至少一微元件放置于一接收基板上；以及
自所述接收基板下方提供与所述磁性物质排斥的一磁力至所述转置图章的所述磁性物质，以分离所述转置头与所述至少一微元件。
13.如权利要求12所述的转移方法，其特征在于，所述转移方法还包含沿着所述第二方向移动所述磁力。
14.如权利要求12所述的转移方法，其特征在于，提供所述磁力的步骤包含通电一电磁铁以产生所述磁力。
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