CN112310116B - 可拉伸显示装置 - Google Patents
可拉伸显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112310116B CN112310116B CN202010678903.0A CN202010678903A CN112310116B CN 112310116 B CN112310116 B CN 112310116B CN 202010678903 A CN202010678903 A CN 202010678903A CN 112310116 B CN112310116 B CN 112310116B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrates
- display device
- substrate
- regions
- stretchable display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 435
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 claims description 5
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- -1 Polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 6
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
根据本公开的示例性实施方式的一种可拉伸显示装置包括:多个第一基板,多个像素被限定在所述多个第一基板中,所述多个第一基板彼此间隔开;多个第二基板,所述多个第二基板布置在所述多个第一基板中的彼此相邻的第一基板之间以连接相邻的第一基板;下基板,在所述下基板上限定多个第一区域、多个第二区域和除所述多个第一区域和所述多个第二区域之外的多个第三区域,所述多个第一基板布置在所述多个第一区域中,并且所述多个第二基板布置在所述多个第二区域中;以及多个对准键,所述多个对准键布置在所述多个第三区域的一部分中并且由弹性材料形成。
Description
技术领域
本公开涉及可拉伸显示装置,更具体地,涉及通过用可拉伸材料配置对准键而具有提高的可靠性的可拉伸显示装置。
背景技术
用于计算机监视器、TV和移动电话等的显示装置包括自身发光的有机发光显示器(OLED)和需要单独光源的液晶显示器(LCD)等。
这样的显示装置正被应用于越来越多的不仅包括计算机监视器和TV而且还包括个人移动设备的各种领域,因此,正在研究具有宽显示区域和减小的体积和重量的显示装置。
近来,被制造为通过在作为柔性材料的诸如塑料的柔性基板上形成显示单元和线路等而能够在特定方向上拉伸并且改变为各种形状的可拉伸显示装置已经作为下一代显示装置而受到关注。
发明内容
本公开要实现的目的是提供一种可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置能够通过用具有弹性的材料配置布置在下基板上的对准键来最小化当拉伸可拉伸显示装置时产生的应力。
本公开要实现的另一目的是提供一种可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置能够通过用可拉伸材料配置布置在下基板上的对准键来防止在拉伸可拉伸显示装置时出现裂纹或破裂。
本公开的目的不限于上述目的,并且本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上文未提及的其他目的。
根据本公开的一个方面,一种可拉伸显示装置包括:多个第一基板,多个像素被限定在所述多个第一基板中,所述多个第一基板彼此间隔开;多个第二基板,所述多个第二基板布置在所述多个第一基板中的彼此相邻的第一基板之间,以连接相邻的所述第一基板;下基板,在所述下基板上限定多个第一区域、多个第二区域和除所述多个第一区域和所述多个第二区域之外的多个第三区域,所述多个第一基板布置在所述多个第一区域中,并且所述多个第二基板布置在所述多个第二区域中;以及多个对准键,所述多个对准键布置在所述多个第三区域的一部分中并且由弹性材料形成。
根据本公开的另一方面,一种可拉伸显示装置包括:对准键区域,其中布置有多个对准键;多个线路区域,其中布置有连接线,所述多个线路区域围绕所述对准键区域;以及柔性基板,其中布置有多个刚性基板,所述柔性基板布置在所述多个线路区域之间,其中,所述多个对准键包括弹性树脂和分散在所述弹性树脂中的反射颗粒。
示例性实施方式的其它详细内容被包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开,提供了设置可拉伸对准键的效果。
根据本公开,当拉伸可拉伸显示装置时产生的应力可以被最小化,并且可以防止裂纹或破裂的发生。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容,并且在本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
通过结合附图的以下详细描述,将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和其它优点,其中:
图1是根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性平面图;
图2是图1的区域X的示意性放大平面图;
图3A是沿着图2的线IIIa-IIIa'截取的根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性截面图;
图3B是沿着图2的线IIIb-IIIb'截取的根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性截面图;
图4是根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性平面图;
图5是图4的区域Y的示意性放大平面图;
图6是根据本公开的又一示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性平面图;以及
图7是根据本公开的又一示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式,本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而,本公开不限于本文公开的示例性实施方式,而是将以各种形式实现。仅以示例的方式提供示例性实施方式,以使得本领域的技术人员可以完全理解本公开的揭示内容及本公开的范围。因此,本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
用于描述本公开的示例性实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度和数量等仅仅是示例,并且本公开不限于此。在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开的以下描述中,可以省略对已知相关技术的详细解释,以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的例如“包括”、“具有”和“由……组成”之类的术语通常旨在允许添加其它组元,除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明,否则对单数形式的任何引用可以包括复数形式。
即使没有明确说明,元件也应被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“下一”之类的术语来描述两个部件之间的位置关系时,一个或更多个部件可以位于这两个部件之间,除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当一个元件或层被设置在另一元件或层“上”时,其它层或其它元件可以直接置于该另一元件上或置于两者之间。
尽管使用术语“第一”和“第二”等来描述各种组件,但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。因此,下面要提到的第一组件可以是本公开的技术构思中的第二组件。
在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。
附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的,并且本公开不限于所示出的组件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此结合或组合,并且可以以技术上的各种方式互锁和操作,并且这些实施方式可以独立地实施或者彼此相关联地实施。
下文中,将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。
可拉伸显示装置可以指即使被弯曲或拉伸也可以显示图像的显示装置。可拉伸显示装置可以比一般的显示装置具有更高的柔性。因此,可拉伸显示装置可以通过用户的操纵(诸如对可拉伸显示装置的弯曲或拉伸)而自由地变形。例如,当用户抓住可拉伸显示装置的一端并拉动可拉伸显示装置时,可拉伸显示装置可以由用户的力拉伸。如果用户将可拉伸显示装置放置在不平坦的墙壁表面上,则可拉伸显示装置可以根据墙壁表面的形状而弯曲。当移除由用户施加的力时,可拉伸显示装置可以返回到其原始形状。
图1是根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性平面图。参考图1,可拉伸显示装置100包括下基板110、多个第一基板111、多个第二基板120、多个附加基板121、COF(膜上芯片)130和印刷电路板140。
下基板110用于保护和支撑可拉伸显示装置100的各种组件。下基板110是柔性基板,并且可以由可弯曲或可拉伸的绝缘材料形成。例如,下基板110可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的硅橡胶、诸如聚氨酯(PU)的弹性体(elastomer)以及聚四氟乙烯(PTFE)等形成。因此,下基板110可以具有柔性。然而,下基板110的材料不限于此。
下基板110是柔性基板,并且可以可逆地扩展和收缩。此外,下基板110可以具有几MPa至几百MPa(例如,0.7MPa至1MPa)的弹性模量。另外,下基板110可以具有100%或更大的断裂伸长率。这里,断裂伸长率是指当正被拉伸的物体断裂或破裂时的拉伸率。下基板110的厚度可以是10μm至1mm,但不限于此。
下基板110可以包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域NA。
显示区域AA是指在可拉伸显示装置100中显示图像的区域。在显示区域AA中,布置显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。显示区域AA包括多个像素,该多个像素包括多个子像素。多个像素设置在显示区域AA中,并且包括多个显示元件。多个子像素中的每一个可以连接到各种线路。例如,多个子像素中的每一个可以连接到诸如选通线、数据线、高电位电源线、低电位电源线和参考电压线等的各种线路。
非显示区域NA是指与显示区域AA相邻的区域。非显示区域NA与显示区域AA相邻并且围绕显示区域AA。在非显示区域NA中,不显示图像,并且可以布置线路和电路。例如,多个焊盘可以布置在非显示区域NA中,并且焊盘可以分别连接到布置在显示区域AA中的多个子像素。
在下基板110上,布置有多个第一基板111和多个附加基板121。多个第一基板111可以布置在下基板110的显示区域AA中,并且多个附加基板121可以布置在下基板110的非显示区域NA中。图1示出了非显示区域NA中的多个附加基板121布置在显示区域AA的上侧和下侧以及左侧。然而,本公开不限于此。多个附加基板121可以布置在非显示区域NA的任意区域中。
多个第一基板111和多个附加基板121是刚性基板,并且在下基板110上彼此独立地间隔开。多个第一基板111和多个附加基板121可以比下基板110更具有刚性。也即,下基板110可以比多个第一基板111和多个附加基板121更具有延展性(ductile),并且多个第一基板111和多个附加基板121可以比下基板110更具有刚性。
作为多个刚性基板的多个第一基板111和多个附加基板121可以由具有柔性的塑料材料形成。多个第一基板111和多个附加基板121可以由例如聚酰亚胺(PI)、聚丙烯酸酯或聚乙酸酯等形成。在这种情况下,多个第一基板111可以与多个附加基板121由相同的材料形成,但是不限于此。第一基板111也可以与多个附加基板121由不同的材料形成。
多个第一基板111和多个附加基板121可以具有比下基板110的模量更高的模量。这里,模量是显示基板的变形与施加到基板的应力的比率的弹性模量,并且当模量相对较高时,硬度可以相对较高。因此,多个第一基板111和多个附加基板121可以是刚性高于下基板110的多个刚性基板。多个第一基板111和多个附加基板121的模量可以是下基板110的模量的1000倍或更大,但不限于此。
在一些示例性实施方式中,下基板110可以被限定为包括多个第一下部图案和第二下部图案。多个第一下部图案可以布置在下基板110的与多个第一基板111和多个附加基板121交叠的区域中。此外,第二下部图案可以布置在除了布置有多个第一基板111和多个附加基板121的区域之外的区域中。另外,第二下部图案可以设置在可拉伸显示装置100的整个区域中。
在这种情况下,多个第一下部图案可以具有比第二下部图案的模量更高的模量。例如,多个第一下部图案可以与多个第一基板111由相同的材料形成。此外,第二下部图案可以由具有比多个第一基板111的模量更低的模量的材料形成。
COF 130是指通过将各种组件放置在延展性基膜131上而形成的膜,并且被配置为向显示区域AA中的多个子像素提供信号。COF 130可以接合到布置在非显示区域NA中的多个附加基板121的多个焊盘。COF 130可以通过焊盘向布置在显示区域AA中的多个相应子像素提供电源电压、数据电压或选通电压等。COF 130可以包括基膜131和驱动IC 132,并且还可以在其上包括各种组件。
基膜131用于支撑COF 130的驱动IC 132。基膜131可以由绝缘材料形成。例如,基膜131可以由具有柔性的绝缘材料形成。
驱动IC 132被配置为处理用于显示图像的数据和用于处理数据的驱动信号。图1示出了通过COF 130的方法安装驱动IC 132,但不限于此。驱动IC 132还可以通过玻璃上芯片(COG)方法或载带封装(TCP)方法等安装。
图1示出了一个附加基板121布置在显示区域AA左侧的非显示区域NA中,以对应于布置在显示区域AA中的一行中的第一基板111,并且为一个附加基板121设置一个COF 130。然而,本公开不限于此。也即,一个附加基板121和一个COF 130可以被布置为对应于多个行中的第一基板111。
在印刷电路板140中,可以布置诸如IC芯片或电路等的控制单元。此外,在印刷电路板140中,还可以布置存储器或处理器等。印刷电路板140被配置为将用于驱动显示元件的信号从控制单元传送到显示元件。尽管图1示出了使用三个印刷电路板140,但是印刷电路板140的数量不限于此。
此后,将参照图2和图3A和图3B更详细地描述根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100。
<平面和截面结构>
图2是图1的区域X的示意性放大平面图。图3A是沿着图2的线IIIa-IIIa'截取的根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性截面图。图3B是沿着图2的线IIIb-IIIb'截取的根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性截面图。
参考图3A和图3B,多个第一基板111在显示区域AA中布置在下基板110上。多个第一基板111以彼此间隔开的方式布置在下基板110上。例如,如图1和图2所示,多个第一基板111可以以矩阵形式布置在下基板110上,但不限于此。
参考图1和图2,构成多个像素PX的多个子像素SPX可以布置在多个第一基板111中。此外,选通驱动器GD可以安装在多个附加基板121中的位于显示区域AA的上侧和下侧的附加基板121上。当在第一基板111上制造各种组件时,可以通过面板内栅极(GIP)方法在附加基板121上形成选通驱动器GD。因此,可以在多个附加基板121上布置构成选通驱动器GD的各种电路组件,例如各种晶体管、电容器和线路。然而,本公开不限于此。选通驱动器GD可以通过COF方法安装。另外,多个附加基板121可以布置在显示区域AA的上侧和下侧中的任一侧的非显示区域NA中。
参考图1,多个附加基板121的尺寸可以大于多个第一基板111的尺寸。具体地,多个附加基板121中的每一个的尺寸可以大于多个第一基板111中的每一个的尺寸。如上所述,选通驱动器GD分别布置在多个附加基板121上。例如,选通驱动器GD的单个级可以布置在多个附加基板121中的每一个上。因此,构成选通驱动器GD的单个级的各种电路组件的面积相对大于布置有像素PX的第一基板111的面积。因而,多个附加基板121中的每一个的尺寸可以大于多个第一基板111中的每一个的尺寸。
参考图1和图2,多个第二基板120可以布置在多个第一基板111之间,或者多个附加基板121之间。另外,多个第二基板120可以布置在多个第一基板111和多个附加基板121之间。多个第二基板120用于将彼此相邻的第一基板111、彼此相邻的附加基板121或者彼此相邻的第一基板111和附加基板121彼此连接。因此,多个第二基板120可以被称为连接基板。多个第二基板120可以与第一基板111或附加基板121由相同的材料形成,并且可以与第一基板111或附加基板121同时一体地形成。
参考图1和图2,多个第二基板120被形成为弯曲的(curved)。例如,如图1和图2所示,多个第二基板120可以具有正弦波形状。然而,多个第二基板120的形状不限于此。例如,多个第二基板120可以具有各种形状。多个第二基板120可以以之字形方式延伸,或者多个菱形形状的第二基板120可以通过在它们的顶点处彼此连接而延伸。图2所示的多个第二基板120的数量和形是以示例的方式提供的。多个第二基板120的数量和形状可以根据其设计而变化。
参考图3A和图3B,缓冲层112布置在多个第一基板111上。缓冲层112形成在多个第一基板111上,以保护可拉伸显示装置100的各种组件免受湿气(H2O)和氧气(O2)等从下基板110和多个第一基板111的外部的渗透的影响。缓冲层112可以由绝缘材料形成。例如,缓冲层112可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiON)等的单个无机层或多个无机层形成。然而,根据可拉伸显示装置100的结构或特性,可以省略缓冲层112。
在这种情况下,缓冲层112可以仅形成在与多个第一基板111和多个附加基板121交叠的区域中。如上所述,缓冲层112可以由无机材料形成。因此,当可拉伸显示装置100被拉伸时,缓冲层112可能容易损坏,例如破裂。因此,缓冲层112可以不形成在多个第一基板111和多个附加基板121之间。缓冲层112可以被图案化为多个第一基板111和多个附加基板121的形状,并且仅形成在多个第一基板111和多个附加基板121的上部上。因此,在根据本公开示例性实施方式的可拉伸显示装置100中,缓冲层112仅形成在与作为刚性基板的多个第一基板111和多个附加基板121交叠的区域中。因此,即使当可拉伸显示装置100变形(例如弯曲或拉伸)时,也可以防止对缓冲层112的损坏。
参考图3A和图3B,在缓冲层112上形成包括栅极151、有源层152、源极153和漏极154的晶体管150。
首先,将有源层152布置在缓冲层112上。例如,有源层152可以由氧化物半导体形成,或者可以由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体等形成。
栅极绝缘层113布置在有源层152上。栅极绝缘层113用作用于使栅极151和有源层152电绝缘的层,并且可以由绝缘材料形成。例如,栅极绝缘层113可以由作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或多层形成,但不限于此。
栅极151布置在缓冲层112上。栅极151被布置为与有源层152交叠。栅极151可以由各种金属材料中的任意一种形成,例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种,或者由它们中的两种或更多种的合金,或者它们的多层形成,但是不限于此。
层间绝缘层114布置在栅极151上。层间绝缘层114用于使栅极151与源极153和漏极154绝缘,并且可以由类似于缓冲层112的无机材料形成。例如,层间绝缘层114可以由作为无机材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或多层形成,但不限于此。
与有源层152接触的源极153和漏极154布置在层间绝缘层114上。源极153和漏极154布置在同一层上以彼此间隔开。源极153和漏极154可以电连接到有源层152以与有源层152接触。源极153和漏极154可以由各种金属材料中的一种形成,例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种,或者由它们中的两种或更多种的合金或者它们的多层形成。
此外,栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以被图案化并且仅形成在与多个第一基板111交叠的区域中。栅极绝缘层113和层间绝缘层114也可以由类似于缓冲层112的无机材料形成。因此,当可拉伸显示装置100被拉伸时,栅极绝缘层113和层间绝缘层114可能容易损坏,例如破裂。因此,栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以不形成在多个第一基板111之间。栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以被图案化为多个第一基板111的形状,并且可以仅形成在多个第一基板111上。
为了便于解释,图3A和图3B仅示出了可以被包括在可拉伸显示装置100中的各种晶体管中的驱动晶体管。然而,开关晶体管和电容器等也可以被包括在可拉伸显示装置中。此外,在本公开中,晶体管150被描述为具有共面结构,但是也可以使用具有交错结构等的各种类型的晶体管。
参考图3A和图3B,多个焊盘170布置在层间绝缘层114上。具体地,多个焊盘170中的选通焊盘171布置在层间绝缘层114上。选通焊盘171用于将选通信号传送到多个子像素SPX。可以通过形成在第一基板111上的选通线将选通信号从选通焊盘171传送到栅极151。选通焊盘171可以与源极153和漏极154由相同的材料形成,但是不限于此。
参考图3A和图3B,多个焊盘170中的数据焊盘172布置在层间绝缘层114上。数据焊盘172用于将数据信号传送到多个子像素SPX。数据信号可以通过形成在第一基板111上的数据线从数据焊盘172被传送到源极153或漏极154。数据焊盘172可以与源极153和漏极154由相同的材料形成,但是不限于此。
参考图3A和图3B,在晶体管150和层间绝缘层114上形成平坦化层115。平坦化层115用于使晶体管150的上部平坦化。平坦化层115可以由单层或多层形成,并且可以由有机材料形成。例如,平坦化层115可以由丙烯基有机材料形成,但不限于此。
参考图3A和图3B、平坦化层115布置在多个第一基板111上,以覆盖缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114的上表面和侧表面。此外,平坦化层115与多个第一基板111一起围绕缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114。具体地,平坦化层115可以被布置为覆盖层间绝缘层114的上表面和侧表面、栅极绝缘层113的侧表面、缓冲层112的侧表面以及多个第一基板111的上表面的一部分。因此,平坦化层115可以补偿缓冲层112、栅极绝缘层113和层间绝缘层114的侧表面上的台阶。此外,平坦化层115可以增强平坦化层115与布置在平坦化层115的侧表面上的连接线180之间的附接强度。
在一些实施方式中,钝化层可以形成在晶体管150和平坦化层115之间。也即,覆盖晶体管150的钝化层可以被形成为保护晶体管150免受湿气和氧气等的渗透的影响。钝化层可由无机材料形成,并可由单层或多层形成,但不限于此。
参考图3A和图3B,公共线CL布置在栅极绝缘层113上。公共线CL用于向多个子像素SPX施加公共电压。公共线CL可以与晶体管150的栅极151由相同的材料形成,但是不限于此。
参考图2和图3A和图3B,连接线180是指电连接多个第一基板111或多个附加基板121上的焊盘170的线路。连接线180布置在第一基板111和多个第二基板120上。
连接线180包括第一连接线181和第二连接线182。第一连接线181和第二连接线182布置在多个第一基板111之间。具体地,第一连接线181是指连接线180中的在多个第一基板111之间沿X轴方向延伸的线路。第二连接线182是指连接线180中的在多个第一基板111之间沿Y轴方向延伸的线路。
连接线180可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)或钼(Mo)的金属材料形成。另外,连接线180可以具有金属材料的堆叠结构,例如铜/钼-钛(Cu/MoTi)或钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)等,但不限于此。
在一般的有机发光显示装置中,诸如多条选通线和多条数据线的各种线路以直线的形式延伸并且布置在多个子像素之间。而且,多个子像素连接到单个信号线。因此,在一般的有机发光显示装置中,诸如选通线、数据线、高电位电源线和参考电压线的各种线路在基板上从有机发光显示装置的一侧连续延伸到另一侧。
然而,在根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100中,仅在多个第一基板111和多个附加基板121上布置以直线形式形成的在一般有机发光显示装置中被认为要使用的诸如选通线、数据线、高电位电源线和参考电压线的各种线路。也即,在根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100中,形成为直线的各种线路仅布置在多个第一基板111和多个附加基板121上。
在根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100中,两个相邻的第一基板111或附加基板121上的焊盘可以通过连接线180彼此连接,从而连接第一基板111或附加基板121上的不连续的线路。也即,连接线180电连接两个相邻的第一基板111、两个相邻的附加基板121以及彼此相邻的第一基板111和附加基板121上的焊盘。因此,根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100可以包括多条连接线180,以便在多个第一基板111之间、在多个附加基板121之间、以及在多个第一基板111和多个附加基板121之间电连接诸如选通线、数据线、高电位电源线和参考电压线的各种线路。例如,选通线可以布置在沿X轴方向彼此相邻布置的多个第一基板111上,并且选通焊盘171可以布置在选通线的两端。在这种情况下,在沿X轴方向彼此相邻布置的多个第一基板111上的多个选通焊盘171可以通过用作选通线的第一连接线181彼此连接。因此,布置在多个第一基板111上的选通线和布置在第二基板120上的第一连接线181可以用作单条选通线。此外,在能够被包括在可拉伸显示装置100中的所有各种线路中的沿X轴方向延伸的线路(例如,发光信号线、低电位电源线、高电位电源线)也可以如上所述通过第一连接线181电连接。
参考图2、图3A和图3B,第一连接线181可以连接沿X轴方向彼此相邻布置的多个第一基板111上的焊盘中的彼此相邻布置的两个第一基板111上的焊盘。第一连接线181可以用作选通线、发光信号线、高电位电源线或低电位电源线,但不限于此。例如,第一连接线181可以用作选通线,并且电连接沿X轴方向彼此相邻布置的两个第一基板111上的选通焊盘171。因此,如上所述,沿X轴方向彼此相邻布置的多个第一基板111上的选通焊盘171可以通过用作选通线的第一连接线181连接。选通信号可以被传送到选通焊盘171。
参考图2,第二连接线182可以连接沿Y轴方向彼此相邻布置的多个第一基板111上的焊盘中的彼此相邻布置的两个第一基板111上的焊盘。第二连接线182可以用作数据线、高电位电源线、低电位电源线或参考电压线,但不限于此。例如,第二连接线182可以用作数据线,并且电连接沿Y轴方向彼此相邻布置的两个第一基板111上的数据线DL。因此,如上所述,沿Y轴方向彼此相邻布置的多个第一基板111上的数据线DL可以通过用作数据线的多个第二连接线182连接。数据信号可以被传送到数据线DL。
参考图1,连接线180还可以包括连接多个第一基板111和多个附加基板121上的焊盘、或者连接沿Y轴方向彼此相邻布置的多个附加基板121中的彼此相邻布置的两个附加基板121上的焊盘的线路。
第一连接线181与布置在第一基板111上的平坦化层115的上表面和侧表面接触,并且可以延伸到第二基板120的上表面。此外,第二连接线182与布置在第一基板111上的平坦化层115的上表面和侧表面接触,并且可以延伸到第二基板120的上表面。
参考图3A和图3B,在第一连接焊盘191、第二连接焊盘192、连接线180和平坦化层115上形成堤部116。堤部116是用于将相邻子像素SPX彼此区分的组件。
堤部116被布置为覆盖与其相邻的第一连接焊盘191和第二连接线182的一部分、或者第二连接焊盘192和第一连接线181的至少一部分。堤部116可以由绝缘材料形成。此外,堤部116可以包括黑色材料。由于堤部116包括黑色材料,因此堤部116用于隐藏通过显示区域AA可见的线路。堤部116可以由例如透明的碳基混合物(carbon-based mixture)形成。具体地,堤部116可以包括碳黑,但不限于此。堤部116也可以由透明的绝缘材料形成。
参考图3A和图3B,LED 160布置在第一连接焊盘191和第二连接焊盘192上。LED160可以通过转移工艺转移到第一基板111上。LED 160包括n型层161、有源层162、p型层163、n电极164和p电极165。根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100的LED 160具有倒装芯片结构,其中n电极164和p电极165形成在其一个表面上。
可以通过将n型杂质注入到具有优异结晶度的氮化镓(GaN)中来形成n型层161。n型层161可以布置在由发光材料形成的单独的基底基板上。
有源层162布置在n型层161上。有源层162是LED 160中的发光层,并且可以由氮化物半导体(例如,铟镓氮(InGaN))形成。p型层163布置在有源层162上。可以通过将p型杂质注入到氮化镓(GaN)中来形成p型层163。
通过顺序堆叠n型层161、有源层162和p型层163,蚀刻其预定区域并形成n电极164和p电极165来制造根据本公开的示例性实施方式的LED 160。在这种情况下,预定区域是用于将n电极164和p电极165彼此分开的空间,并且该预定区域被蚀刻以暴露n型层161的一部分。换句话说,要布置n电极164和p电极165的LED160的表面可以不是平坦的,并且可以具有不同的高度水平。
n电极164布置在蚀刻区域上,即,布置在通过蚀刻暴露的n型层161上。n电极164可以由导电材料形成。同时,p电极165布置在非蚀刻区域上,即,布置在p型层163上。p电极165可以由导电材料形成。例如,p电极165可以与n电极164由相同的材料形成。
粘合层AD布置在第一连接焊盘191和第二连接焊盘192的上表面上以及第一连接焊盘191和第二连接焊盘192之间。因此,LED 160可以接合到第一连接焊盘191和第二连接焊盘192上。在这种情况下,n电极164可以布置在第二连接焊盘192上,并且p电极165可以布置在第一连接焊盘191上。
粘合层AD可以是通过将导电球分散在绝缘基质构件中而形成的导电粘合层。因此,当向粘合层AD施加热量或压力时,导电球被电连接以在粘合层AD的被施加有热量或压力的部分中具有导电性质。并且,粘合层AD的未被施加压力的区域可以具有绝缘性质。例如,n电极164通过粘合层AD电连接到第二连接线182,并且p电极165通过粘合层AD电连接到第一连接线181。也即,在通过喷墨方法或其他方法将粘合层AD施加到第一连接焊盘191和第二连接焊盘192之后,可以将LED 160转移到粘合层AD上。然后,可以按压并加热LED 160,从而将第一连接焊盘191电连接到p电极165,并将第二连接焊盘192电连接到n电极164。然而,除了粘合层AD的在n电极164和第二连接焊盘192之间的部分以及粘合层AD的在p电极165和第一连接焊盘191之间的部分之外的粘合层AD的其它部分具有绝缘性质。另选地,粘合层AD可以分别布置在第一连接焊盘191和第二连接焊盘192中的每一个上。
如上所述,根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100具有LED 160布置在设置有晶体管150的下基板110上的结构。因此,当可拉伸显示装置100开启时,被施加到第一连接焊盘191和第二连接焊盘192中的每一个的不同电平的电压被传送到n电极164和p电极165,使得LED 160发光。
参考图3A和图3B,上基板US布置在堤部116、LED 160和下基板110上。
上基板US用于支撑布置在上基板US下方的各个组件。具体地,上基板US可以通过在下基板110和多个第一基板111上涂覆并硬化构成上基板US的材料而形成。上基板US可以被布置为与下基板110、多个第一基板111、多个第二基板120和多个第三区域A3接触。
上基板US是柔性基板,并且可以由可弯曲或可拉伸的绝缘材料形成。上基板US是柔性基板并且可以可逆地扩展和收缩。此外,上基板US可以具有几MPa至几百MPa(例如0.7MPa至1MPa)的弹性模量。另外,上基板US可以具有100%或更大的断裂伸长率。上基板US的厚度可以是从10μm到1mm,但不限于此。
上基板US可以与下基板110由相同的材料形成。例如,上基板US可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的硅橡胶、诸如聚氨酯(PU)的弹性体以及聚四氟乙烯(PTFE)等形成。因此,上基板US可以具有柔性。然而,上基板US的材料不限于此。
与此同时,尽管在图3A和图3B中未示出,但是偏振层也可以布置在上基板US上。偏振层使从可拉伸显示装置100的外部入射的光偏振,并减少外部光的反射。此外,代替偏振层,其它光学膜等可以布置在上基板US上。
参考图2,布置有多个第一基板111的多个第一区域A1、布置有连接线180的多个第二区域A2、以及除了第一区域A1和第二区域A2之外的可以布置有多个对准键(align key)AK的第三区域A3被限定在可拉伸显示装置100的下基板110上。
参考图2,多个第一区域A1是布置有多个第一基板111的区域,并且具有刚性。多个第一区域A1彼此间隔开并且被限定在下基板110上。例如,如图2所示,多个第一区域A1可以以矩阵形式布置在下基板110上,但不限于此。
参考图2,多个第二区域A2被限定为与所述多个第一区域A1相邻。具体地,多个第二区域A2被限定在彼此相邻的两个第一区域A1之间。因此,如图2所示,多个第二区域A2被限定在第一区域A1的上侧、下侧、左侧和右侧。多个第二区域A2是布置有连接线180的线路区域,并且具有延展性。当拉伸可拉伸显示装置100时,多个第二区域A2是可拉伸的。多个第二区域A2彼此间隔开并且被限定在下基板110上。例如,如图2所示,多个第二区域A2可以以矩阵形式布置在下基板110上,但不限于此。
参考图2和图3B,多个第三区域A3被限定在由多个第一区域A1和多个第二区域A2围绕的部分中。参考图2,第二区域A2被限定在多个第三区域A3中的每一个的上侧、下侧、右侧和左侧,并且第一区域A1被限定为在四个对角方向(diagonal direction)上与多个第三区域A3中的每一个相邻。多个第三区域A3是布置有多个对准键AK的对准键区域,并且具有延展性。当拉伸可拉伸显示装置100时,多个第三区域A3是可拉伸的。
多个对准键AK用于在将LED 160转移到第一基板111的工艺中精确地定位LED160。多个对准键AK被布置为与下基板110接触。具体地,多个对准键AK中的一个布置在多个第三区域A3中的一个中并且布置在下基板110上。第三区域A3是没有布置第一基板111或连接线180的区域,并且可以是不具有功能的虚设区域。因此,通过在多个第三区域A3中布置多个对准键AK,可以有效地利用可拉伸显示装置100的区域。
多个对准键AK可以被布置为使得多个对准键AK的中心部分与多个第三区域A3的中心对准,但不限于此。另外,多个对准键AK可以不设置在所有的多个第三区域A3中,而是可以仅设置在多个第三区域A3的一部分中。
多个对准键AK可以由弹性材料形成。对准键AK可以包括具有弹性的基体树脂和分散在基体树脂中的反射颗粒。
基体树脂可以由可弯曲或可拉伸的绝缘材料形成。例如,基体树脂可以由诸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)的硅橡胶、诸如聚氨酯(PU)的弹性体或聚四氟乙烯(PTFE)等形成。因此,基体树脂可以具有柔性。另外,基体树脂可以与上基板US和下基板110由相同的材料形成。然而,基体树脂的材料不限于此。
基体树脂可以可逆地扩展和收缩。另外,基体树脂可以由模量等于或小于下基板110的模量的材料形成。例如,基体树脂可以具有0.5MPa至1MPa的弹性模量。因此,多个对准键AK的模量可以小于或等于下基板110的模量。
根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100包括上基板US。此时,上基板US覆盖下基板110以及布置在下基板110上的第一基板111、第二基板120和多个对准键AK。多个对准键AK被布置为与下基板110和上基板US接触。
在这种情况下,上基板US的模量可以与下基板110的模量相同。因此,多个对准键AK的模量可以等于或小于下基板110和上基板US的模量。反射颗粒可包括银(Ag)纳米颗粒、银纳米线和银薄片(flake)中的至少一种。由于对准键AK并不必须是导电的,所以反射颗粒不一定是导电的,但是它们应当在LED 160的转移工艺期间通过被反射而被识别。因此,反射颗粒可以是金属颗粒。
多个对准键AK可以具有圆形形状。如上所述,由于多个第三区域A3是当拉伸可拉伸显示装置100时可拉伸的区域,所以优选的是,多个对准键AK圆形形状,其有利于在所有方向上的拉伸。然而,本公开的实施方式不限于此,并且对准键AK的形状可以是各种形状,诸如椭圆形、多边形和十字形等。当多个对准键AK具有圆形形状时,对准键AK的厚度可以为大约0.5μm至1μm,并且形成圆形的线的宽度可以为大约10μm至20μm。然而,本公开的实施方式不限于此。
对准键AK的尺寸可以小于第三区域A3的尺寸。也即,对准键AK的最大宽度可以小于第三区域A3在X轴方向上的宽度和在Y轴方向上的宽度。
对于使用LED作为发光元件的显示装置而言,使用微型LED单元(即,微型LED(micro-LED))来增加分辨率。在这种情况下,在晶片上制造LED之后,使用首先将LED从晶片转移到供体(donor)并且然后将LED从供体转移到基板从而将LED放置在基板上的工艺。在这种情况下,在将LED从供体转移到基板的工艺中,使用对准键,使得LED在精确位置处对准并且被转移。对准键分别被布置在基板和供体上,并且在对准布置在基板上的对准键和布置在供体上的对准键之后,使用转移LED的工艺。
为了简化制造布置在基板上的对准键的工艺,使用形成对准键、同时形成要形成在基板上的导电组件的工艺。例如,使用当形成要布置在基板上的诸如薄膜晶体管、电容器和线路的组件时同时形成对准键的工艺。然而,这些导电组件主要是金属,其是刚性材料。对一般显示装置而言,显示装置不发生拉伸或变形,但是可拉伸显示装置必须由用户自由拉伸。因此,当由金属形成的对准键被用于布置在可拉伸显示装置中的下基板上时,由于对准键比在可拉伸显示装置的拉伸期间容易被拉伸的下基板更具刚性,所以对准键可能破裂。当对准键如上所述破裂时,对准键周围的各种线路、电路组件和LED可能受到影响,从而导致可拉伸显示装置中的缺陷。因此,可能降低可拉伸显示装置的可靠性。
因此,在根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100中,对准键AK不与第一基板111上的各种导电组件同时形成,而是紧接在LED 160的转移工艺之前形成。也即,在形成第一连接焊盘191、第二连接焊盘192和连接线180之后但是在转移LED160之前,将对准键AK布置在第三区域A3中。另外,对准键AK可以包括具有弹性的基体树脂,使得当可拉伸显示装置被拉伸时对准键可以被拉伸,并且对准键AK可以包括分散在基体树脂中的反射颗粒,使得其可以在转移工艺期间被识别。因此,在根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示装置100中,使用包括由具有弹性的材料形成从而可被拉伸的基底树脂以及允许对准键AK在转移工艺期间被识别的反射颗粒的对准键AK。因此,可以实现LED 160的精确转移工艺,并且防止了当拉伸可拉伸显示装置100时对对准键AK的损坏,从而提高了可拉伸显示装置100的可靠性。
<转移单元区域和对准键>
图4是根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性平面图。图5是图4的区域Y的示意性放大平面图。除了还包括夹具CL、多个第三基板422和多个第四基板423之外,图4和图5中示出的可拉伸显示装置400基本上与图1至图3B所示的可拉伸显示装置100相同。因此,将省略对相同组件的冗余描述。
参考图4,下基板110的显示区域AA包括多个转移单元区域TU。转移单元区域TU是指在实际转移LED 160的工艺中执行转移的单元区域。例如,在图4中,显示区域AA包括12个转移单元区域TU,这意味着LED 160通过总共12个转移工艺而被转移到显示区域AA。然而,转移单元区域TU的尺寸、数量和布置不限于图4所示的实施方式。
参考图4,多个对准键AK布置在多个转移单元区域TU中的每一个的两侧。例如,多个对准键AK中的第一对准键AK1和第二对准键AK2布置在多个转移单元区域TU中的第一转移单元区域TU1的左侧。并且,多个对准键AK中的第三对准键AK3和第四对准键AK4布置在多个转移单元区域TU中的第一转移单元区域TU1的右侧。因此,当LED 160被转移到第一转移单元区域TU1时,可以使用布置在第一转移单元区域TU1的左侧和右侧的对准键AK来执行转移工艺。当如上所述执行LED160的转移工艺时,在用于单个转移单元区域TU的LED 160的转移工艺期间使用的对准键AK可以布置在位于对应的转移单元区域TU的两侧的转移单元区域TU中。此外,多个对准键AK可以布置在显示区域AA中,使得四个对准键AK可以彼此相邻,两行对准键AK可以彼此相邻,或者两列对准键AK可以彼此相邻。然而,布置在一个转移单元区域TU的左侧和右侧的对准键AK的数量和位置不限于此。
与此同时,当将LED 160转移到显示区域AA的最左侧或最右侧的转移单元区域TU时使用的对准键AK中的一些可以布置在非显示区域NA中。也即,在包括显示区域AA和围绕显示区域AA的非显示区域NA的柔性基板上,对准键区域可以位于显示区域AA和在显示区域AA两侧的非显示区域NA中。
参考图5,在可拉伸显示装置400的下基板110上的显示区域AA两侧的非显示区域NA中,限定了布置有多个第三基板422的多个第一区域A1、在多个第一区域A1之间的多个第二区域A2、以及除了第一区域A1和第二区域A2之外并且布置有多个对准键AK的第三区域A3。也即,在非显示区域NA中,第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3可以被限定在COF 130与显示区域AA的一侧之间的区域以及与显示区域AA的相对于该一侧的另一侧相邻的区域中。
参考图5,多个第一区域A1是布置有多个第三基板422的区域,并且具有刚性。多个第一区域A1彼此间隔开并且被限定在下基板110上。例如,如图5所示,多个第一区域A1可以以矩阵形式布置在下基板110上,但不限于此。在这种情况下,第三基板422可以具有与第一基板111的尺寸相同的尺寸。第三基板422可以与第一基板111由相同的材料形成,并且可以布置在同一层上。此外,像素PX没有被限定在第三基板422上,并且仅绝缘层或线路可以被布置在第三基板422上。因此,第三基板422可以布置在非显示区域NA上。
参考图5,多个第二区域A2被限定为与多个第一区域A1相邻。具体地,多个第二区域A2被限定在彼此相邻的两个第一区域A1之间。因此,如图5所示,多个第二区域A2被限定在第一区域A1的上侧、下侧、左侧和右侧。
连接彼此相邻的第三基板422或连接第三基板422和第一基板111的第四基板423布置在多个第二区域A2中的被布置在沿Y轴方向彼此相邻的两个第一区域A1之间的第二区域A2中。与第三基板422类似,第四基板423可以布置在非显示区域NA上。
另外,连接线180可以布置在第四基板423上,并且连接线180可以用于在COF130和位于显示区域AA中的多个子像素SPX之间传输信号。在这种情况下,布置在第四基板423上的连接线180可以通过布置在第三基板422上的线路而彼此电连接。例如,位于第三基板422的一侧的连接线180和位于第三基板422的另一侧的连接线180可以通过布置在第三基板422上的线路彼此连接,从而用作单条布线。
第四基板423可以不布置在多个第二区域A2中的被布置在沿X轴方向彼此相邻的两个第一区域A1之间的第二区域A2中。也即,由于仅需要在Y轴方向上传输多个子像素SPX和COF 130之间的信号,所以连接线180可以不布置在X轴方向上。因此,第四基板423可以不布置在被设置于沿X轴方向彼此相邻的两个第一区域A1之间的第二区域A2中,但不限于此。
参考图5,在由多个第一区域A1和多个第二区域A2围绕的部分中限定多个第三区域A3。参考图5,第二区域A2被限定在多个第三区域A3中的每一个的上侧、下侧、右侧和左侧,并且第一区域A1被限定为在四个对角方向上与多个第三区域A3中的每一个相邻。多个第三区域A3是布置有多个对准键AK的区域。多个第三区域A3具有延展性,并且当拉伸可拉伸显示装置400时是可拉伸的。
参考图4,夹具CL布置在显示区域AA的两侧。当拉伸可拉伸显示装置400时,夹具CL是被设置成在可拉伸显示装置400被用户抓握的状态下拉伸可拉伸显示装置400的设备,并且可以具有类似于把手的功能。
夹具CL可以布置在柔性膜和显示区域AA之间,并且与布置在非显示区域NA中的多个第三基板422和多个第四基板423交叠。因此,布置在非显示区域NA中的对准键AK也可以布置成与夹具CL交叠。
在根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置400中,对准键AK不与第一基板111上的各种导电组件同时形成,而是紧接在LED 160的转移工艺之前形成。此外,对准键AK可以包括具有弹性的基体树脂,使得当拉伸可拉伸显示装置400时对准键AK可以被拉伸,并且对准键AK可以包括分散在基体树脂中的反射颗粒,使得在转移工艺期间可以识别对准键AK。因此,在根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置400中,可以实现LED 160的精确转移工艺,并且可以防止当可拉伸显示装置400被拉伸时对对准键AK的损坏。因此,可以提高可拉伸显示装置400的可靠性。
另外,在根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置400中,对准键AK布置在布置有夹具CL的区域中,夹具CL是用于拉伸可拉伸显示装置400的设备。因此,可以在不导致可拉伸显示装置400的非显示区域NA增大的情况下使用对准键AK。在LED 160的转移工艺中使用的对准键AK必须布置在非显示区域NA的一部分中。然而,当需要额外区域来在非显示区域中形成对准键时,存在非显示区域的尺寸增大的问题。因此,在根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置400中,对准键AK被布置为与夹具CL交叠,因此可以在不使用额外区域的情况下布置对准键AK,夹具CL是在可拉伸显示装置400中使用的设备。
图6是根据本公开的又一示例性实施方式的可拉伸显示装置的示意性平面图。除了转移单元区域TV和对准键AK之外,图6中示出的可拉伸显示装置600基本上与图4和图5所示的可拉伸显示装置400相同。因此,将省略对相同组件的冗余描述。
参考图6,下基板110的显示区域AA包括多个转移单元区域TV。多个对准键AK布置在多个转移单元区域TV中的每一个的两侧。在这种情况下,多个对准键AK可以布置在多个转移单元区域TV中的彼此相邻的两个转移单元区域TV之间。例如,多个对准键AK中的第一对准键AK1和第二对准键AK2布置在多个转移单元区域TV中的第一转移单元区域TV1的左侧。并且,多个对准键AK中的第三对准键AK3和第四对准键AK4布置在多个转移单元区域TV中的第一转移单元区域TV1的右侧。此外,多个对准键AK中的第五对准键AK5和第六对准键AK6布置在多个转移单元区域TV中的第二转移单元区域TV2的右侧。并且,第三对准键AK3和第四对准键AK4布置在第二转移单元区域TV2的左侧。在这种情况下,第三对准键AK3和第四对准键AK4可以布置在第一转移单元区域TV1和第二转移单元区域TV2之间。此外,第三对准键AK3和第四对准键AK4可以在至第一转移单元区域TV1的转移期间使用,并且还可以在至第二转移单元区域TV2的转移期间使用。由于如上所述布置对准键AK,所以对准键AK可以布置在显示区域AA中,使得一行对准键AK布置在X轴方向上,并且两行对准键AK被布置成在Y轴方向上彼此平行和相邻。然而,对准键AK的数量和位置不限于此。
在根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置600中,多个对准键AK布置在多个转移单元区域TV中的彼此相邻的两个转移单元区域TV之间。因此,单个对准键AK可以用于至位于对准键AK的左侧和右侧的转移单元区域TV的两个转移,并且可以最小化布置在下基板110上的对准键AK的数量。
即使当对准键由具有弹性的材料形成时,与不使用对准键的情况相比,也存在对准键破裂并影响其周围的其它组件的可能性。
因此,在根据本公开的另一示例性实施方式的可拉伸显示装置600中,多个对准键AK布置在多个转移单元区域TV中的彼此相邻的两个转移单元区域TV之间,由此可以在多个转移工艺中使用一个对准键AK。因此,对准键AK的数量可以被最小化,从而提高可拉伸显示装置600的可靠性。
<包括有机发光二极管的可拉伸显示装置>
图7是根据本公开的又一示例性实施方式的可拉伸显示装置700的示意性截面图。除了有机发光二极管(OLED)760和堤部716之外,图7中所示的可拉伸显示装置700基本上与图1至图3B所示的可拉伸显示装置100相同。因此,将省略对相同组件的冗余描述。
参考图7,OLED 760被布置为对应于多个子像素SPX中的每一个,并发射特定波长范围内的光。也即,OLED 760可以是发射蓝光的蓝光OLED、发射红光的红光OLED、发射绿光的绿光OLED或发射白光的白光OLED,但不限于此。如果OLED760是白光OLED,则可拉伸显示装置700还可以包括滤色器。
OLED 760包括阳极761、有机发光层762和阴极763。具体地,阳极761布置在平坦化层115上。阳极761是被配置为向有机发光层762提供空穴的电极。阳极761可以由具有高功函数的透明导电材料形成。这里,透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)。此外,如果可拉伸显示装置700是顶部发光型装置,则阳极761还可以包括反射板。
阳极761针对每个子像素SPX单独的布置,并通过形成在平坦化层115中的接触孔电连接到晶体管150。例如,图7示出了阳极761电连接到晶体管150的漏极154,但是阳极761也可以电连接到源极153。
堤部716形成在阳极761和平坦化层115上。堤部716是用于将相邻子像素SPX彼此区分的组件。堤部716被布置为覆盖与之相邻的阳极761的两侧的至少一部分,并且暴露阳极761的上表面的一部分。堤部716可用于防止子像素SPX的不期望的光发射或颜色混合,当由于阳极761的边缘处的电流集中而导致在阳极761的横向方向上发射光时发生这种不期望的光发射或颜色混合。堤部716可由丙烯基树脂、苯并环丁烯(BCB)基树脂、聚酰亚胺形成,但不限于此。
有机发光层762布置在阳极761上。有机发光层762被配置为发射光。有机发光层762可包括发光材料,并且发光材料可包括磷光材料或荧光材料,但不限于此。
有机发光层762可以由单个发光层形成。另外,有机发光层762可以具有堆叠结构,在该堆叠结构中,多个发光层堆叠,并使电荷产生层插置在它们之间。此外,有机发光层762还可以包括空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、空穴注入层和电子注入层中的至少一个有机层。
参考图7,阴极763布置在有机发光层762上。阴极763被配置为向有机发光层762供应电子。阴极763可以由诸如ITO、IZO、ITZO、氧化锌(ZnO)和氧化锡(TO)的透明导电氧化物或镱(Yb)的合金形成。另外,阴极763可以由金属材料形成。
阴极763可以被图案化为与多个第一基板111中的每一个交叠。也即,阴极763可以仅形成在与多个第一基板111交叠的区域中,而可以不形成在多个第一基板111之间的区域中。阴极763由透明导电氧化物和金属材料等形成。因此,当阴极763形成在多个第一基板111之间时,阴极763可能在可拉伸显示装置700被拉伸时损坏。因此,阴极763可以形成为对应于平面上的多个第一基板111中的每一个。参考图7,阴极763可以形成在与多个第一基板111交叠的区域中,从而不与布置有连接线180的区域交叠。
与一般的有机发光显示装置不同,在根据本公开的又一示例性实施方式的可拉伸显示装置700中,阴极763可以被图案化并形成为对应于的多个第一基板111。因此,可以通过连接线180向布置在多个第一基板111上的各个阴极763独立地供应低电位电源。
参考图7,在OLED 760上布置封装层717。封装层717覆盖OLED 760并且与堤部716的上表面的一部分接触,从而密封OLED 760。因此,封装层717保护OLED760免受外部湿气的、空气的渗透或物理冲击的影响。
封装层717覆盖被图案化为分别与多个第一基板111交叠的阴极763,并且可以针对多个第一基板111中的每一个形成封装层717。也即,封装层717可以被布置为覆盖布置在单个第一基板111上的单个阴极763,并且布置在各个第一基板111上的封装层717可以彼此间隔开。
封装层717可以仅形成在与多个第一基板111交叠的区域中。如上所述,封装层717可以被配置为包括无机层。因此,当拉伸可拉伸显示装置700时,封装层717可能容易损坏或破裂。特别地,由于OLED 760易受湿气或氧气的影响,因此如果封装层717损坏,则OLED 760的可靠性可能劣化。
本公开的示例性实施方式还可以描述如下:
根据本公开的一个方面,一种可拉伸显示装置包括:多个第一基板,多个像素被限定在所述多个第一基板中,所述多个第一基板彼此间隔开;多个第二基板,所述多个第二基板布置在所述多个第一基板中的彼此相邻的第一基板之间,以连接相邻的所述第一基板;下基板,在所述下基板上限定多个第一区域、多个第二区域和除所述多个第一区域和所述多个第二区域之外的多个第三区域,所述多个第一基板布置在所述多个第一区域中,并且所述多个第二基板布置在所述多个第二区域中;以及多个对准键,所述多个对准键布置在所述多个第三区域的一部分中并且由弹性材料形成。
多个对准键可以被布置成与下基板接触。
多个对准键的模量可以小于或等于下基板的模量。
所述可拉伸显示装置还可以包括覆盖所述多个第一基板、所述多个第二基板、所述多个对准键和所述下基板的上基板,其中所述多个对准键可以被布置为与所述下基板和所述上基板接触。
多个对准键的模量可以小于或等于下基板和上基板的模量。
多个对准键可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的反射颗粒。
基体树脂可以与下基板由相同的材料形成,并且反射颗粒可以包括银纳米颗粒、银纳米线和银薄片中的至少一种。
所述可拉伸显示装置还可以包括多个第三基板和多个第四基板,所述多个第三基板具有与所述多个第一基板的尺寸相同的尺寸;所述多个第四基板连接所述多个第三基板中彼此相邻的第三基板,并且连接所述多个第三基板和所述多个第一基板,其中,所述下基板可以包括其中布置有所述多个第一基板的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,其中,所述多个第三基板和所述多个第四基板可以布置在所述非显示区域中。
可拉伸显示装置还可以包括布置在非显示区域中的柔性膜,其中,所述多个第三基板和所述多个第四基板可以布置在非显示区域中的在柔性膜和显示区域的一侧之间的区域以及与显示区域的相对于所述一侧的另一侧相邻的区域中。
可拉伸显示装置还可以包括被布置成与所述多个第三基板和所述多个第四基板交叠的夹具。
所述下基板可以包括布置有所述多个第一基板的显示区域,其中,所述显示区域可以包括多个转移单元区域,其中,所述多个对准键可以布置在所述多个转移单元区域中的每一个的两侧。
多个对准键可以布置在多个转移单元区域中的彼此相邻的两个转移单元区域之间。
根据本公开的另一方面,一种可拉伸显示装置包括:对准键区域,其中布置有多个对准键;多个线路区域,其中布置有连接线,所述多个线路区域围绕所述对准键区域;以及柔性基板,其中布置有多个刚性基板,所述刚性基板布置在所述多个线路区域之间,其中,所述多个对准键包括弹性树脂和分散在所述弹性树脂中的反射颗粒。
多个对准键可以布置成与柔性基板接触。
弹性树脂可以由模量等于或小于柔性基板的模量的材料形成,并且反射颗粒可以包括银纳米颗粒、银纳米线和银薄片中的至少一种。
柔性基板可以包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域,并且其中,对准键区域可以位于显示区域以及显示区域两侧的非显示区域中。
所述多个第四基板可以布置在所述非显示区域中,并且所述多个第四基板与布置在所述显示区域中的所述多个像素区域连接,所述多个第三基板可以被所述多个第四基板围绕,所述多个对准键可以布置在所述显示区域和所述非显示区域中,并且布置在所述非显示区域中的多个对准键被多个第四基板和多个第二基板围绕,并且多个第四基板可以被布置为被多个第三基板和多个对准键围绕。
虽然已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施方式,但是本公开不限于此,并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实现。因此,提供本公开的示例性实施方式仅用于说明性目的,而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此,应当理解,上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的,并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释,并且在其等效范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开的范围内。
相关应用的交叉引用
本申请要求于2019年7月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0089218的优先权权益,其公开内容通过引用合并于此。
Claims (20)
1.一种可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置包括:
多个第一基板,在所述多个第一基板中分别限定多个像素,所述多个第一基板彼此间隔开;
多个第二基板,所述多个第二基板布置在所述多个第一基板中的彼此相邻的第一基板之间以连接所述相邻的第一基板;
下基板,在所述下基板上限定多个第一区域、多个第二区域以及除所述多个第一区域和所述多个第二区域之外的多个第三区域,所述多个第一基板分别布置在所述多个第一区域中,并且所述多个第二基板分别布置在所述多个第二区域中;以及
多个对准键,所述多个对准键分别布置在所述多个第三区域中的一部分中,并且由弹性材料形成。
2.根据权利要求1所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键被布置为与所述下基板接触。
3.根据权利要求2所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键的模量小于或等于所述下基板的模量。
4.根据权利要求1所述的可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置还包括:
上基板,所述上基板覆盖所述多个第一基板、所述多个第二基板、所述多个对准键和所述下基板,
其中,所述多个对准键被布置为与所述下基板和所述上基板接触。
5.根据权利要求4所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键的模量小于或等于所述下基板的模量和所述上基板的模量。
6.根据权利要求1所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键包括基体树脂和分散在所述基体树脂中的反射颗粒。
7.根据权利要求6所述的可拉伸显示装置,其中,所述反射颗粒能够在将发光元件转移到所述多个第一基板的工艺期间通过被反射而被识别。
8.根据权利要求6所述的可拉伸显示装置,其中,所述基体树脂与所述下基板由相同的材料形成,并且
所述反射颗粒包括银纳米颗粒、银纳米线和银薄片中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置还包括:
多个第三基板,所述多个第三基板具有与所述多个第一基板的尺寸相同的尺寸;以及
多个第四基板,所述多个第四基板连接所述多个第三基板中的彼此相邻的第三基板,或者连接所述多个第三基板中的一个第三基板和所述多个第一基板中的与所述一个第三基板相邻的一个第一基板,
其中,所述下基板包括布置有所述多个第一基板的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,
其中,所述多个第三基板和所述多个第四基板布置在所述非显示区域中。
10.根据权利要求9所述的可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置还包括:
柔性膜,所述柔性膜布置在所述非显示区域中,
其中,在所述非显示区域中,所述多个第三基板和所述多个第四基板布置在所述柔性膜与所述显示区域的一侧之间的区域以及与所述显示区域的相对于所述一侧的另一侧相邻的区域中。
11.根据权利要求10所述的可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置还包括:
夹具,所述夹具被布置为与所述多个第三基板和所述多个第四基板交叠。
12.根据权利要求9所述的可拉伸显示装置,其中,在所述多个第三基板上未限定像素,并且绝缘层或线路布置在所述多个第三基板上,
布置在所述多个第四基板上的连接线通过布置在所述第三基板上的所述线路而彼此电连接。
13.根据权利要求1所述的可拉伸显示装置,其中,所述下基板包括布置有所述多个第一基板的显示区域,
其中,所述显示区域包括多个转移单元区域,所述转移单元区域是在将发光元件转移到所述显示区域的工艺中执行转移的单元区域,
其中,所述多个对准键布置在所述多个转移单元区域中的每一个的相对两侧。
14.根据权利要求13所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键布置在所述多个转移单元区域中的彼此相邻的两个转移单元区域之间。
15.根据权利要求1所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键具有圆形形状。
16.一种可拉伸显示装置,该可拉伸显示装置包括:
对准键区域,多个对准键布置在所述对准键区域中;
多个线路区域,连接线布置在所述多个线路区域中,所述多个线路区域围绕所述对准键区域;以及
柔性基板,多个刚性基板布置在所述柔性基板中,所述刚性基板布置在所述多个线路区域之间,
其中,所述多个对准键包括弹性树脂和分散在所述弹性树脂中的反射颗粒。
17.根据权利要求16所述的可拉伸显示装置,其中,所述多个对准键被布置为与所述柔性基板接触。
18.根据权利要求16所述的可拉伸显示装置,其中,所述弹性树脂由模量等于或小于所述柔性基板的模量的材料形成,并且
所述反射颗粒包括银纳米颗粒、银纳米线和银薄片中的至少一种。
19.根据权利要求16所述的可拉伸显示装置,其中,所述柔性基板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,并且
其中,所述对准键区域位于所述显示区域以及在所述显示区域的相对两侧的所述非显示区域中。
20.根据权利要求19所述的可拉伸显示装置,其中,多个第四基板布置在所述非显示区域中,并且所述多个第四基板沿第一方向与所述显示区域中的多个像素区域连接,
多个第三基板布置在所述多个第四基板中的沿所述第一方向彼此相邻的第四基板之间,
所述多个对准键布置在所述显示区域和所述非显示区域中,并且布置在所述非显示区域中的所述多个对准键位于所述多个第四基板中的沿垂直于所述第一方向的第二方向彼此相邻的第四基板之间,并且
所述多个第四基板中的每一个被布置为被所述多个第三基板和所述多个对准键围绕。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190089218A KR20210011835A (ko) | 2019-07-23 | 2019-07-23 | 스트레쳐블 표시 장치 |
KR10-2019-0089218 | 2019-07-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112310116A CN112310116A (zh) | 2021-02-02 |
CN112310116B true CN112310116B (zh) | 2023-12-12 |
Family
ID=74189319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010678903.0A Active CN112310116B (zh) | 2019-07-23 | 2020-07-15 | 可拉伸显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11436950B2 (zh) |
KR (1) | KR20210011835A (zh) |
CN (1) | CN112310116B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210036706A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스트레쳐블 표시 장치 |
TWI788740B (zh) * | 2020-12-09 | 2023-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 可拉伸電路和可拉伸電路佈局方法 |
CN113124273B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示屏拉伸装置及显示系统 |
CN114120828B (zh) * | 2021-11-04 | 2023-06-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可拉伸显示面板及制作方法、电子装置 |
CN114203734B (zh) * | 2021-12-11 | 2023-08-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9391286B1 (en) * | 2015-01-15 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Stretchable display device |
CN107731866A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 三星显示有限公司 | 可拉伸显示装置 |
TW201840029A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-11-01 | 大陸商昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司 | 可拉伸顯示裝置及其製作方法、電子設備 |
CN109755412A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180190672A1 (en) | 2017-01-03 | 2018-07-05 | Innolux Corporation | Display device |
-
2019
- 2019-07-23 KR KR1020190089218A patent/KR20210011835A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-07-08 US US16/924,012 patent/US11436950B2/en active Active
- 2020-07-15 CN CN202010678903.0A patent/CN112310116B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9391286B1 (en) * | 2015-01-15 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Stretchable display device |
CN107731866A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 三星显示有限公司 | 可拉伸显示装置 |
TW201840029A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-11-01 | 大陸商昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司 | 可拉伸顯示裝置及其製作方法、電子設備 |
CN109755412A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11436950B2 (en) | 2022-09-06 |
US20210027673A1 (en) | 2021-01-28 |
KR20210011835A (ko) | 2021-02-02 |
CN112310116A (zh) | 2021-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11574899B2 (en) | Stretchable display device | |
CN112310116B (zh) | 可拉伸显示装置 | |
CN112310138B (zh) | 可伸缩显示装置 | |
US11342520B2 (en) | Stretchable display device | |
CN110739333A (zh) | 可伸缩显示装置 | |
CN111009564B (zh) | 可伸缩显示装置 | |
CN112310137B (zh) | 可拉伸显示装置 | |
KR20200017336A (ko) | 스트레쳐블 표시 장치 | |
US11915624B2 (en) | Stretchable display device | |
US11699363B2 (en) | Stretchable display device | |
CN114447015A (zh) | 显示装置 | |
US11393802B2 (en) | Stretchable display device having a plurality of connection lines | |
CN114520247A (zh) | 可拉伸显示装置 | |
CN117460326A (zh) | 显示装置 | |
KR20210001910A (ko) | 스트레쳐블 표시 장치 및 스트레쳐블 표시 장치의 제조 방법 | |
KR20220057124A (ko) | 표시 장치 | |
CN114530472A (zh) | 显示装置 | |
KR20220057103A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |