TW201833573A - 積體電路晶片中的系統缺陷的故障標識資料庫的早期開發 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種方法，提供故障標識資料庫的生產前運行開發，該資料庫儲存針對系統缺陷的故障標識及相應根本原因。隨後可獲取該資料庫中的該故障標識並將其用於各種目的。可評估該些故障標識並基於該評估的結果，可採取措施以防止在生產運行期間發生特定的系統缺陷以及/或者允許在生產運行期間早期檢測特定的系統缺陷。而且，在生產運行之後，接著可開發源於不合格生產晶片的新的故障標識並將其與該故障標識資料庫中的該故障標識比較。標識匹配可表示特定的生產晶片與特定的原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷，且基於這樣的標識匹配，可執行在線先進製程控制(APC)。

Description

積體電路晶片中的系統缺陷的故障標識資料庫的早期開發
本發明關於積體電路(integrated circuit；IC)晶片中的良率限制設計系統，尤其關於針對積體電路中的系統缺陷的故障標識資料庫的早期(例如生產前)開發以及該資料庫的各種用途。
更具體地說，在積體電路(IC)晶片製造中，滿足良率目標對於避免浪費、確保盈利能力等是重要的。出於此揭示的目的，良率是指通過最終測試的具有給定設計的生產晶片的數目與在給定生產批次中製造的生產晶片的總數目之比。此外，出於此揭示的目的，生產晶片是指製造後意圖銷售晶片或納入晶片於產品中的晶片，合格生產晶片是指符合所要求的性能參數從而可銷售或納入產品中的晶片，以及不合格生產晶片是指不能滿足所要求的性能參數的晶片。不過，滿足良率目標可能隨著早期生產運行期間的新設計而變得困難，原因在於無法識別由不完全 符合製程設計套件(process design kit；PDK)規格的以前從未見過的佈局拓撲結構及/或晶圓代工廠導致的系統缺陷。
鑒於上述，本文中揭示一種方法，其提供故障標識資料庫的早期開發，尤其生產前運行開發，該資料庫儲存針對原型晶片上所發現的系統缺陷的故障標識以及這些系統缺陷的相應根本原因。隨後可獲取該故障標識資料庫中的該故障標識並將其用於各種目的。例如，可評估該些故障標識並基於該評估的結果，可採取措施以防止在生產運行期間發生特定的系統缺陷(例如，可作設計及/或製程規格調整)、以及/或者可採取措施以允許在生產運行期間早期檢測特定的系統缺陷(例如，可執行在線特定層級檢查)。而且，在生產運行之後，接著可開發源於不合格生產晶片的新的故障標識並將其與該故障標識資料庫中的該故障標識比較。在此情況下，標識匹配可表示特定的生產晶片與特定的原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷，且基於這樣的標識匹配，可執行在線(in-line)先進製程控制(advanced process control；APC)。
一般來說，本文中所揭示的方法包括：在初始生產運行中製造生產晶片之前，開發故障標識資料庫。此故障標識資料庫可儲存與系統缺陷關聯的故障標識及相應根本原因，該系統缺陷可為先前識別於依據特定設計製造的不合格原型晶片上的系統缺陷，且該些系統缺陷的該相應根本原因可為在考慮用以形成至少一些的原型晶 片的不同製程規格的情況下先前確定的根本原因。這樣的故障標識資料庫可用以預防及/或檢測後續依據該相同的特定設計並使用特定製程規格組(也就是針對所有晶片使用相同的製程規格)製造的生產晶片中的特定系統缺陷。
更具體地說，本文中所揭示的方法包括：在初始生產運行中製造生產晶片之前，開發故障標識資料庫。為開發此故障標識資料庫，可依據特定設計製造原型晶片，並使用不同的製程規格來形成至少一些的原型晶片。接著，可處置該原型晶片(也就是，可電性測試該原型晶片，並基於該測試結果將其分成合格原型晶片與不合格原型晶片的群組)。而且，在該處置過程期間，可識別具有系統缺陷的不合格晶片。接著，針對該系統缺陷可開發故障標識，其中，各故障標識表示與特定不合格原型晶片的特定系統缺陷關聯的測試結果。此外，可假定針對該系統缺陷的相應根本原因。具體地說，各特定不合格原型晶片的各特定系統缺陷的各根本原因可基於該測試結果以及基於包含該特定不合格原型晶片的該特定系統缺陷的一個或多個設計層級的形成期間所使用的該特定製程規格假定。接著，具有其相應根本原因的該故障標識可儲存於該故障標識資料庫中。該方法還包括使用該故障標識資料庫以預防及/或檢測後續依據該特定設計並使用特定製程規格組(也就是，針對所有晶片使用相同的製程規格)製造的生產晶片中的特定系統缺陷。
更具體地說，本文中所揭示的方法包括： 在初始生產運行中製造生產晶片之前開發故障標識資料庫。此故障標識資料庫可通過依據特定設計製造原型晶片來開發。此外，在製造該原型晶片期間，可執行至少一種光刻學習技術(例如，聚焦曝光矩陣(focus exposure matrix；FEM)開發、製程視窗認證(process window qualification；PWQ)以及/或者製程視窗居中(process window centering；PWC))，以針對多個選擇設計層級的每一個使用不同的光刻製程規格來形成至少一些的原型晶片。接著，可處置該原型晶片(也就是，可電性測試該原型晶片，並基於該測試結果將其分成合格原型晶片及不合格原型晶片的群組)。而且，在處置期間，可識別具有系統缺陷的不合格晶片。接著，針對該系統缺陷可開發故障標識，其中，各故障標識表示與特定不合格原型晶片的特定系統缺陷關聯的測試結果。此外，可假定針對該系統缺陷的相應根本原因。具體地說，特定不合格原型晶片的各特定系統缺陷的各根本原因可基於該測試結果並也基於包含該特定不合格原型晶片的該特定系統缺陷的一個或多個特定設計層級的形成期間所使用的該特定光刻製程規格假定。接著，具有其相應根本原因的該故障標識可儲存於該故障標識資料庫中。該方法還包括使用該故障標識資料庫以預防及/或檢測後續依據該特定設計並使用特定製程規格組(也就是，針對所有晶片使用相同的製程規格)製造的生產晶片中的特定系統缺陷。
10‧‧‧中央處理單元(CPU)
11‧‧‧磁碟單元
12‧‧‧匯流排(bus)
13‧‧‧磁帶驅動器
14‧‧‧隨機存取記憶體(RAM)
15‧‧‧鍵盤
16‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
17‧‧‧滑鼠
18‧‧‧輸入/輸出(I/O)適配器
19‧‧‧使用者介面適配器
20‧‧‧通信適配器
21‧‧‧顯示適配器
22‧‧‧麥克風
23‧‧‧顯示裝置
24‧‧‧揚聲器
25‧‧‧網路
102至115‧‧‧製程
200‧‧‧故障標識資料庫
210‧‧‧故障標識
211‧‧‧識別器
212‧‧‧可疑組件
213‧‧‧測試結果
220‧‧‧根本原因
通過參照附圖自下面的詳細說明將更好地理解本發明，該些附圖並非按比例繪製，且其中：第1圖是說明提供故障標識資料庫的生產前運行開發並使用這樣的故障標識資料庫的方法的流程圖；第2圖是說明依據第1圖的方法開發並使用的示例故障標識資料庫的表格；第3圖是說明經製造用於聚焦曝光矩陣(FEM)開發的示例半導體晶圓的圖；第4圖是說明經製造用於製程視窗認證(PWQ)的示例半導體晶圓的圖；第5A及5B圖是說明經製造用於製程視窗居中(PWC)的示例半導體晶圓的圖；以及第6圖是說明用以實施所揭示的方法的態樣的示例電腦系統的示意圖。
如上所述，在積體電路(IC)晶片製造中，滿足良率目標對於避免浪費、確保盈利能力等是重要的。出於此揭示的目的，良率是指通過最終測試的具有給定設計的生產晶片的數目與在給定生產批次中製造的生產晶片的總數目之比。此外，出於此揭示的目的，生產晶片是指製造後意圖銷售晶片或納入晶片於產品中的晶片，合格生產晶片是指符合所要求的性能參數從而可銷售或納入產品中的晶片，以及不合格生產晶片是指不能滿足所要求的性能 參數的晶片。不過，滿足良率目標可能隨著早期生產運行期間的新設計而變得困難，原因在於無法識別由不完全符合製程設計套件(PDK)規格的以前從未見過的佈局拓撲結構及/或晶圓代工廠導致的系統缺陷。
當前使用各種技術以試圖在新設計的初始生產運行期間減輕低良率的風險。例如，在原型生產運行期間可執行光刻學習方法，例如聚焦曝光矩陣(FEM)及/或製程視窗認證(PWQ)。在FEM中，在晶圓上以陣列形成原型晶片，該陣列中的各原型晶片通過使用聚焦與劑量(也被稱為曝光)規格的不同組合形成。在此情況下，對原型晶片上的選擇位點進行在線光學檢查，尤其關鍵尺寸測量及掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)成像以確定關鍵尺寸(critical dimension；CD)及圖案可印刷性。在PWQ中，在半導體晶圓上形成原型晶片，尤其，形成於給定晶圓上的原型晶片伴隨聚焦(focus)、劑量(dose)或疊對(overlay)規格的變化形成。在此情況下，執行在線光學檢查，尤其明視場檢查(bright field inspection；BFI)，以檢測系統缺陷(也就是製程變化誘發的缺陷，尤其可歸因於製程變化的缺陷)。在考慮來自FEM的所檢測的CD及圖案可印刷性以及來自PWQ的所檢測的系統缺陷的情況下，可對將要在初始生產運行期間使用的光刻製程規格設立限制，以避免缺陷。
遺憾的是，在線光學檢查例如明視場檢查(BFI)可能不是足夠敏感以檢測所有缺陷。如此，在該原型 晶片的在線光學檢查期間可能漏掉一些缺陷，尤其一些系統缺陷，從而經設立以用於該初始生產運行期間的該光刻製程規格不是最優的。因此，當在電性晶圓分類(electrical wafer sort；EWS)(也被稱為晶圓級晶片處置)測試並分類晶圓時、或者當在最終測試(final test；FT)(也被稱為模塊級晶片處置)測試並分類單獨晶片封裝時，來自該初始生產運行的大量生產晶片可能仍不合格。因此，該初始生產運行的良率可能較低。
鑒於上述，本文中揭示一種方法，其提供故障標識資料庫的早期開發，尤其生產前運行開發，該資料庫儲存針對原型晶片上所發現的系統缺陷的故障標識以及這些系統缺陷的相應根本原因。隨後可獲取該故障標識資料庫中的該故障標識並將其用於各種目的。例如，可評估該些故障標識並基於該評估的結果，可採取措施以防止在生產運行期間發生特定的系統缺陷(例如，可作設計及/或製程規格調整)、以及/或者可採取措施以允許在生產運行期間早期檢測特定的系統缺陷(例如，可執行在線特定層級檢查)。而且，在生產運行期間，可開發源於不合格生產晶片的新的故障標識並將其與該故障標識資料庫中的該故障標識比較。在此情況下，標識匹配可表示特定的生產晶片與特定的原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷，且基於這樣的標識匹配，可執行在線先進製程控制(APC)。
尤其，第1圖是說明本文中所揭示的方法的 流程圖。該方法可包括針對積體電路(IC)晶片開發特定設計(102)。具體地說，可開發針對積體電路(IC)晶片的初始設計。此初始設計可由高級描述(high-level description)表示，其闡明該IC晶片的要求。此高級描述可以例如為VHDL或Verilog的硬體描述語言(hardware description language；HDL)儲存於記憶體(memory)。在該初始設計的開發之後，接著可執行物理設計製程，以生成該IC晶片的設計佈局。這些物理設計製程可包括但不限於邏輯合成、平面規劃、功率規劃及輸入/輸出引腳佈置、庫(library)元件佈置、時脈樹(clock tree)合成以及線路規劃。這樣的物理設計製程為現有技術所熟知，因此，此說明書省略這些製程的細節，以使讀者關注所揭示方法的顯著態樣。該IC晶片的設計佈局可儲存於記憶體中並隨後用於半導體晶圓(其上將形成該IC晶片的多個實例)的設計佈局的開發。
該方法還可包括開發故障標識資料庫並在執行初始生產運行之前(也就是在製造意圖銷售或納入產品中的任何生產晶片之前)這樣做(104)。如第2圖中所示，該故障標識資料庫200可儲存針對系統缺陷的故障標識210。各故障標識210可包括：特定不合格原型晶片的識別器211；測試結果213，其保證故障處置並由此標示特定不合格原型晶片的特定系統缺陷的發生；以及可能包含特定系統缺陷並由此引起該故障的可疑組件212(例如網、單元、特徵等)的標示。另外，該故障標識資料庫200還可儲存針對系統缺陷的相應根本原因220。
為在第1圖的製程104開發故障標識資料庫200，可執行原型運行(105)。也就是說，原型晶片可依據該特定設計在一個或多個晶圓上製造，但不意圖銷售或納入產品中。在此原型運行期間，可選擇在該特定設計內的將要圖案化的一個或多個設計層級。所選擇的設計層級可包括所有設計層級(例如從該半導體裝置層級至最終金屬層級)或選擇這些設計層級的其中幾個。在任何情況下，在用以圖案化所選設計層級中的特徵的光刻製程規格中可作晶片間(chip-to-chip)修改。例如，在該原型晶片的所選設計層級的製程期間可使用至少一種光刻學習技術，從而對於所選設計層級的其中任何給定之一，光刻製程規格的不同組合將用於至少一些的原型晶片。該光刻學習技術可包括例如聚焦曝光矩陣(FEM)開發、製程視窗認證(PWQ)、製程視窗居中(PWC)、以及/或者針對不同原型晶片上的同一設計層級使用不同的製程規格的任何其它合適的光刻學習技術。
更具體地說，對於FEM開發，依據特定設計，尤其依據針對晶片及晶圓的先前確定的設計佈局(例如，如第3圖中所示)，在半導體晶圓上以由列(column)與行(row)組成的陣列製造原型晶片。不過，在各所選設計層級，針對形成於該半導體晶圓上的原型晶片中的不同晶片，通過使用聚焦與劑量規格的不同組合來圖案化沉積於該半導體晶圓上的光阻層。具體地說，針對給定行中的所有原型晶片使用相同的劑量，針對給定列中的所有原型晶 片使用相同的聚焦，逐行梯級(step)變更劑量且逐列梯級變更聚焦。例如，可具有名義劑量(nominal dose)減3梯級(-3D)、名義劑量減2梯級(-2D)、名義劑量減1梯級(-1D)、名義劑量(ND)、名義劑量+1梯級(1D)、名義劑量加2梯級(2D)、名義劑量加3梯級(3D)等的行，其中，梯級是指給定的劑量單位數。類似地，可具有名義聚焦(nominal focus)減3梯級(-3F)、名義聚焦減2梯級(-2F)、名義聚焦減1梯級(-1F)、名義聚焦(NF)、名義聚焦加1梯級(1F)、名義聚焦加2梯級(2F)、名義聚焦加3梯級(3F)等的列，其中，梯級是指給定的聚焦單位數。在FEM的情況下，通常對該原型晶片上的選擇位點進行在線光學檢查，尤其關鍵尺寸測量及掃描電子顯微鏡(SEM)成像，以確定關鍵尺寸(CD)及圖案可印刷性。
對於PWQ，依據特定設計，尤其依據針對晶片及晶圓的先前確定的設計佈局(例如，如第4圖中所示)，在半導體晶圓上以列與行製造原型晶片。不過，在各所選設計層級，針對形成於該半導體晶圓上的至少一些的原型晶片，通過使用聚焦與劑量規格的不同組合來圖案化沉積於該半導體晶圓上的光阻層。具體地說，針對該半導體晶圓上的各種原型晶片使用名義聚焦與名義劑量(nominal focus and nominal dose；NFND)的組合，以及針對該半導體晶圓上的其它原型晶片使用聚焦與劑量規格的額外組合(例如，-3F-2D、-3F-1D、-3F1D、-3F2D等)。在PWQ的情況下，通常對該半導體晶圓上的所有原型晶片進行在 線光學檢查，尤其明視場(BF)檢查，以檢測缺陷。
對於PWC，依據特定設計，尤其依據針對晶片及晶圓的先前確定的設計佈局(例如，如第5A圖及5B中所示)，在兩個半導體晶圓上以行製造原型晶片。不過，在各所選設計層級，針對形成於該半導體晶圓上的至少一些的原型晶片，通過使用聚焦與劑量規格的不同組合來圖案化沉積於該半導體晶圓上的光阻層。具體地說，在第一半導體晶圓上，針對所有原型晶片可使用名義聚焦規格(NF)，並逐行梯級變更劑量規格(例如，如第5A圖中所示)，且在第二半導體晶圓上，針對所有原型晶片可使用名義劑量規格(ND)，並逐行梯級變更聚焦規格(例如，如第5B圖中所示)。在PWC的情況下，通常對該半導體晶圓上的所有原型晶片進行在線光學檢查，尤其明視場(BF)檢查，以檢測缺陷。
包含通過使用光刻學習技術(例如FEM、PWQ及PWC)形成的原型晶片的半導體晶圓通常在最終設計層級的光學檢查之後廢棄。不過，在本文中所揭示的方法中，沒有廢棄在製程105中所製造的原型晶片，而是執行處置(106)。具體地說，(在最終測試)對該原型晶片進行電性測試，並基於該測試的結果，將該原型晶片分成合格原型晶片及不合格原型晶片的群組。而且，基於該電性測試的結果(包括關於在測試期間所記錄的故障的性質的任何診斷資訊)，可進一步將該不合格原型晶片分成具有隨機缺陷的不合格原型晶片以及具有系統缺陷的不合格原型晶 片(也就是，其中引起故障的缺陷可能是系統性的不合格原型晶片)。用以測試晶片並將晶片分成所述群組的技術為現有技術所熟知，因此，本說明書省略這些技術的細節，以使讀者關注所揭示方法的顯著態樣。
接著，可針對該不合格原型晶片的各系統缺陷開發故障標識(107)。具體地說，可編輯與各特定不合格原型晶片的各特定系統缺陷關聯的測試結果。這些測試結果可包括例如光學檢查的結果(例如，在光學檢查期間所擷取的圖像)，尤其在光學檢查期間記錄的任何物理屬性。該些物理屬性可為例如特徵的形狀及尺寸(例如，金屬溝槽形狀、寬度、深度；過孔形狀、直徑、深度；間距等)。這些測試結果還可包括電性測試的結果(也就是最終測試的結果)，尤其在測試中呈現的並標示故障的任何電性屬性(例如電阻、電流、電壓，以及/或者任何其它電性屬性)。這些測試結果還可包括關於在測試期間所記錄的故障的性質的任何診斷資訊。此外，可基於該測試結果執行診斷分析，以識別疑似包含特定系統缺陷的晶片上(on-chip)組件(例如網、單元、特徵等)。也就是說，可執行該診斷分析以(通常)識別特定系統缺陷的位置並由此識別相關的特定設計層級。如第2圖中所示及如上所述，各故障標識210可包括：特定不合格原型晶片的識別器211；測試結果213(例如，在光學檢查期間所記錄的物理屬性以及/或者在最終測試期間所記錄的電性屬性)；以及可疑組件212的標示(例如，特定系統缺陷的通常位置的標示)。出於說明目 的，識別器211及可疑組件212顯於第2圖的表格中的不同列中；但應當理解，作為替代，可使用單個識別器來識別特定的不合格原型晶片及該晶片上的可疑組件兩者。
此外，可確定(尤其假定)所識別系統缺陷的相應根本原因(108)。出於此揭示的目的，系統缺陷的“根本原因”是指故障標識的解釋。具體地說，該根本原因可標示缺陷的類型(也被稱為缺陷類別)，例如短路、空洞(void)，或任何其它缺陷。該根本原因還可標示在該可疑組件內該缺陷發生的點。例如，給定不合格原型晶片的給定系統缺陷的根本原因可被識別為金屬短路(也就是相鄰金屬線之間的可疑組件內的短路)；過孔-金屬短路(也就是過孔與上方或下方金屬線之間的可疑組件內的短路)；在節點或子網之間的可疑組件內的短路；過孔開口(也就是在可疑組件內的過孔的導電材料中的空洞)；金屬開口(也就是在可疑組件內的金屬線的導電材料中的空洞)等。特定不合格原型晶片的特定系統缺陷的根本原因不僅可基於測試結果(包括在光學檢查期間所記錄的物理屬性及/或在最終測試期間所記錄的電性屬性)以及基於疑似包含特定系統缺陷的組件(也就是在特定系統缺陷的通常位置上)假定，而且可基於在形成相關的特定設計層級期間所使用的設計佈局及特定光刻製程規格(例如特定聚焦、特定劑量等)假定。也就是說，一些缺陷例如短路或空洞可由圖案化特徵相互太靠近、圖案化特徵相隔太遠、圖案化特徵太小、圖案化特徵太大、疊對等引起。此類圖案化問題可歸因於在特定 設計層級所使用的光刻製程規格、或者在一個或多個特定設計層級所使用的特定光刻製程規格的組合。如此，用於可疑組件所處的特定設計層級上的設計佈局及特定光刻製程規格的知識可用以假定所形成的缺陷是否為短路、空洞等，以及缺陷發生的地點(例如，在金屬線之間、在過孔與金屬線之間、在過孔內、在金屬線內等)。接著，故障標識210及其相應根本原因220可儲存於故障標識資料庫200中，如上所述及如第2圖的表格中所示(109)。
在開發故障標識資料庫200以後，依據該特定設計並使用特定光刻製程規格組，可在生產批次中製造生產晶片(也就是意圖銷售或納入產品中的晶片)，以在晶片之間，在同一設計層級使用光刻製程規格的同一特定組合(112)。應當注意，在製程112製造生產晶片之前、期間及/或之後，可獲取故障標識資料庫200中的故障標識210並將其用於各種目的。
例如，在製造該生產晶片之前，可獲取故障標識資料庫200中的故障標識210並使用該故障標識以防止在該生產晶片中發生一個或多個特定系統缺陷。具體地說，在製造該生產晶片之前可獲取並評估故障標識資料庫200中的故障標識210，並基於該評估的結果，採取措施以防止與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷發生於該生產晶片中。這些措施可包括，針對任何特定系統缺陷，調整該特定設計(也就是執行可製造性設計(design for manufacturing；DFM))以 及/或者調整該特定光刻製程規格組，尤其調整在特定設計層級(其中，特定系統缺陷可能發生)所使用的光刻製程規格的特定組合(113)。
另外，在製造生產晶片之前可評估故障標識210，並基於該評估的結果，在製造該生產晶片期間採取措施，以允許早期檢測與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。這些措施可包括在製造該生產晶片期間執行特定層級檢查或弱點檢查，以檢測特定系統缺陷(114)。也就是說，可早期檢查特定系統缺陷的潛在位置(也被稱為弱點)，尤其該特定系統缺陷可能發生的設計層級(例如在形成該設計層級期間以及/或者直接在完成該設計層級之後)，以確保檢測到發生的任何此類缺陷。此類特定層級或弱點檢查可適用於通過調整該特定設計(也就是通過DFM)以及/或者通過調整用於該設計層級的該特定光刻製程規格組來防止該特定系統缺陷是不可行的情況以及早期檢測此類缺陷的發生是可取的情況(例如，考慮該相關特定系統缺陷的嚴重性質)。如果在該特定層級檢查期間檢測到該特定系統缺陷，則可例如對該相關設計層級重工(rework)以及/或者廢棄該半導體晶圓以防止進一步的浪費。
此外，可開發針對出現於不合格生產晶片上的系統缺陷的新的故障標識並將其與該故障標識資料庫中的該故障標識比較(115)。更具體地說，可以與上述處置原型晶片類似的方式處置生產批次中的生產晶片。也就是 說，可電性測試該生產晶片，並基於該測試的結果，將其分成合格生產晶片與不合格生產晶片的群組。而且，基於該電性測試的結果(包括關於在測試期間所記錄的故障的性質的任何診斷資訊)，可進一步將該不合格生產晶片分成具有隨機缺陷的不合格生產晶片以及具有系統缺陷的不合格生產晶片。如所述那樣測試晶片並將晶片分成群組的技術為現有技術所熟知，因此，本說明書省略這些技術的細節，以使讀者關注所揭示方法的顯著態樣。接著，可開發針對出現於該不合格生產晶片上的系統缺陷的新的故障標識。具體地說，對於各不合格生產晶片，可編輯與系統缺陷關聯的測試結果。這些測試結果可包括：光學檢查的結果(例如，在光學檢查期間所擷取的圖像)，尤其在光學檢查期間所記錄的任何物理屬性(例如形狀、尺寸等)；電性測試的結果，尤其在最終測試呈現的任何電性屬性；以及/或者關於在測試期間所記錄的故障的性質的任何診斷資訊。此外，可基於該測試結果執行診斷分析，以識別疑似包含系統缺陷的晶片上組件(例如網、單元、特徵等)。也就是說，可執行該診斷分析以(通常)識別系統缺陷的位置並由此識別相關的設計層級。與該不合格原型晶片的該故障標識類似，各不合格生產晶片的各系統缺陷的各新的故障標識可包括：該不合格生產晶片的識別器；該測試結果；以及該可疑組件的標示(也就是該系統缺陷的通常位置)。
接著，可將出現於該不合格生產晶片上的該系統缺陷的該新的故障標識與該故障標識資料庫中的該 故障標識比較以找到標識匹配。當如上定義的該可疑組件(也就是通常位置)及該測試結果相同時，新的故障標識(與不合格生產晶片關聯)與故障標識(位於該故障標識資料庫中並與不合格原型晶片關聯)被視為匹配。這樣的標識匹配將表示給定不合格生產晶片與給定不合格原型晶片具有相同的系統缺陷以及由此具有相同的根本原因。例如，標識匹配可表示在同一特定位置的短路或同一特定位置的空洞。這樣的標識匹配可表示例如工具上的控制設置是不正確的或已漂移且在線先進製程控制(APC)是必要的。例如，當在特定設計層級使用特定光刻設置時，已知在特定位置會發生短路。這樣，發生於不合格生產晶片上的該特定位置的短路可表示沒有使用最優光刻設置來製造該不合格生產晶片。如此，如果找到標識匹配，則可執行包括例如工具設置調整的在線先進製程控制(APC)或其它合適的APC，以防止在後續製造生產晶片中發生該相關系統缺陷。
如上所述，在製程108中可初始假定第2圖的故障標識資料庫200中所闡述的系統缺陷的根本原因220。與關聯合格原型晶片的光刻製程規格相比，考慮與具有系統缺陷的不合格原型晶片關聯的光刻製程規格中的已知變化，所假定的根本原因將較為準確，因此，可執行在製程112至114所採取的措施，而不必等待完全的根本原因故障分析的結果。不過，可選擇地，仍可在至少一些的原型晶片上執行根本原因故障分析，以確認在製程108假定並儲存於故障標識資料庫中的系統缺陷的相應根本原因 (110)。在此情況下，如必要，可更新故障標識資料庫200以反映更準確的相應根本原因，並可接著以與上述關於製程112至115相同的方式在後續生產運行之前、期間以及/或者之後使用。
通過使用電腦系統及電腦程式(program)產品可實施所揭示方法的態樣。該電腦程式產品可包括電腦可讀儲存媒體，其上具有電腦可讀程式指令以使處理器執行本發明的態樣。
該電腦可讀儲存媒體可為有形裝置，其可保持並儲存指令以供指令執行裝置使用。該電腦可讀儲存媒體可為例如但不限於電子儲存裝置、磁儲存裝置、光儲存裝置、電磁儲存裝置、半導體儲存裝置，或上述任何合適的組合。該電腦可讀儲存媒體的更具體的例子的非詳盡無遺的列表包括以下：可攜式電腦磁碟、硬碟、隨機存取記憶體(random access memory；RAM)、唯讀記憶體(read-only memory；ROM)、可抹除可編程唯讀記憶體(erasable programmable read-only memory；EPROM或快閃記憶體)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)、可攜式壓縮光碟唯讀記憶體(compact disc read-only memory；CD-ROM)、數位多功能光碟(digital versatile disk；DVD)、記憶體棒(memory stick)、軟碟、機械編碼裝置例如打孔卡或凹槽中的突起結構(其上記錄指令)，以及上述任何組合。本文中所使用的電腦可讀儲存媒體在本質上不被解釋為暫時信號，例如無線電波或其它自由傳播的電磁波、經過波導或其它傳輸媒體傳播的 電磁波(例如通過光纖線纜的光脈衝)、或通過導線傳輸的電性信號。
本文中所述的電腦可讀程式指令可自電腦可讀儲存媒體下載至相應計算/處理裝置或通過網路(例如網際網路、區域網路、廣域網路以及/或者無線網路)下載至外部電腦或外部儲存裝置。該網路可包含銅傳輸線纜、傳輸光纖、無線傳輸、路由器、防火牆、開關、閘道器(gateway)電腦以及/或者邊緣伺服器。各計算/處理裝置中的網路適配卡或網路介面(interface)自該網路接收電腦可讀程式指令並轉發該電腦可讀程式指令以儲存於相應電腦/處理裝置內的電腦可讀儲存媒體中。
用以執行本發明的操作的電腦可讀程式指令可為組合語言(assembler)指令、指令集架構(instruction-set-architecture；ISA)指令、機器指令、機器依賴指令、微代碼(microcode)、韌體(firmware)指令、狀態設置資料，或以一種或多種編程語言的任何組合的原始碼(source code)或目的碼(object code)，該編程語言包括面向目的的編程語言例如Smalltalk、C++等，以及傳統的程序性編程語言，例如“C”編程語言或類似編程語言。該電腦可讀程式指令可完全執行於使用者的電腦上，部分執行於使用者的電腦上，作為獨立軟體包，部分執行於使用者的電腦上並部分執行於遠程電腦上或者完全執行於該遠程電腦或伺服器上。在後一種情況下，該遠程電腦可通過任何類型的網路與該使用者的電腦連接，包括區域網路(local area network；LAN)或廣域網路(wide area network；WAN)，或者可與外部電腦建立連接(例如使用網際網路服務提供商(Internet Service Provider)通過網際網路(Internet))。在一些實施例中，包括例如可編程邏輯電路、現場可編程閘陣列(field-programmable gate array；FPGA)或可編程邏輯陣列(programmable logic array；PLA)的電子電路可通過使用該電腦可讀程式指令的狀態資訊執行該電腦可讀程式指令，以個性化該電子電路，從而執行本發明的態樣。
本文中參照流程圖及/或方塊圖來說明所揭示方法的態樣。應當理解，該流程圖及/或方塊圖的至少一些方塊可通過電腦程式指令實施。
可向通用電腦、專用電腦或其它可編程資料處理裝置的處理器提供這些電腦可讀程式指令以產生機器，從而使該些指令(通過該電腦或其它可編程資料處理裝置的處理器執行)創建用以實施該流程圖及/或方塊圖中所指定的功能/動作的方式。這些電腦程式指令也可儲存於電腦可讀媒體中，其可引導電腦、可編程資料處理裝置以及/或者其它裝置以特定方式作用，以使其中儲存有電腦指令的該電腦可讀媒體成為包括實施該流程圖和/或方塊圖中所指定的功能/動作的態樣的指令的製造物品。
該些電腦可讀程式指令也可被加載至電腦、其它可編程資料處理裝置或其它裝置上，以在該電腦、其它可編程資料處理裝置或其它裝置上執行一系列操作步驟，從而產生電腦實施過程，以使執行於該電腦、其它可 編程資料處理裝置或其它裝置上的該些指令實施該流程圖及/或方塊圖中所指定的功能/動作。
附圖中的流程圖及方塊圖顯示依據本發明的各種實施例的系統、方法及電腦程式產品的可能實施的架構、功能及操作。在此方面，該流程圖或方塊圖中的各方塊可表示模塊、片斷或部分指令，其具有一個或多個可執行指令以實施指定的邏輯功能。在一些替代實施中，方塊中所示的功能可在附圖中所示的順序之外發生。例如，連續顯示的兩個方塊實際上可基本同時執行，或者有時可以相反順序執行該些方塊，取決於所涉及的功能。還應當注意，該方塊圖和/或流程圖的各方塊以及該方塊圖和/或流程圖中的方塊的組合可通過基於專用硬體的系統實施，該系統執行指定功能或動作或執行專用硬體與電腦指令的組合。
第6圖中顯示用以實施所揭示方法的態樣的代表性硬體環境(也就是，電腦系統)。此示意圖顯示依據本文中的實施例的資訊處理/電腦系統的硬體配置。該系統包括至少一個處理器或中央處理單元(central processing unit；CPU)10。CPU 10通過系統匯流排(bus)12與各種裝置例如隨機存取記憶體(RAM)14、唯讀記憶體(ROM)16以及輸入/輸出(I/O)適配器18互連。I/O適配器18可連接周邊裝置，例如磁碟單元11及磁帶驅動器13，或者可由該系統讀取的其它程式儲存裝置。該系統可讀取該程序儲存裝置上的發明指令並遵循這些指令來執行本文中的實施例的 方法。該系統還包括使用者介面適配器19，其將鍵盤15、滑鼠17、揚聲器24、麥克風22以及/或者其它使用者介面裝置例如觸控裝置(未顯示)與匯流排12連接，以收集使用者輸入。此外，通信適配器20將匯流排12與資料處理網路25連接，且顯示適配器21將匯流排12與顯示裝置23連接，該顯示裝置可實施為輸出裝置，例如監視器、印表機或發送器。
應當理解，本文中所使用的術語是出於說明所揭示方法的目的，並非意圖限制。例如，除非上下文中另外明確指出，否則這裡所使用的單數形式“一個”以及“該”也意圖包括複數形式。另外，本文中所使用的術語“包括”表明所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除存在或添加一個或多個其它特徵、整體、步驟、操作、元件、組件，和/或其群組。另外，本文中所使用的術語例如“右”、“左”、“垂直”、“水平”、“頂部”、“底部”、“上方”、“下方”、“正上方”、“正下方”、“平行”、“垂直”等意圖說明當它們以附圖中取向並顯示時的相對位置(除非另外指出)，且術語如“接觸”、“在...上”、“直接接觸”、“毗鄰”、“緊鄰”等意圖表示至少一個元件物理接觸另一個元件(沒有其它元件隔開所述元件)。隨附的申請專利範圍中的所有方式或步驟加功能元素的相應結構、材料、動作及等同意圖包括執行該功能的任何結構、材料或動作結合具體請求保護的其它請求保護的元素。
對本發明的各種實施例所作的說明是出於示例目的，而非意圖詳盡無遺或限於所揭示的實施例。許多修改及變更將對於本領域的普通技術人員顯而易見，而不背離所述實施例的範圍及精神。本文中所使用的術語經選擇以最佳解釋所述實施例的原理、實際應用或在市場已知技術上的技術改進，或者使本領域的普通技術人員能夠理解本文中所揭示的實施例。
因此，上面揭示一種方法，其提供故障標識資料庫的早期開發，尤其生產前運行開發，該資料庫儲存原型晶片上所發現的系統缺陷的故障標識以及這些系統缺陷的相應根本原因。隨後可獲取該故障標識資料庫中的該故障標識並將其用於各種目的。例如，可評估該些故障標識並基於該評估的結果，可採取措施以防止在生產運行期間發生特定的系統缺陷(例如，可作設計及/或製程規格調整)以及/或者可採取措施以允許在生產運行期間早期檢測特定的系統缺陷(例如，可執行在線特定層級檢查)。而且，在生產運行之後，可接著開發源於不合格生產晶片的新的故障標識並將其與該故障標識資料庫中的該故障標識比較。在此情況下，標識匹配可表示特定的生產晶片與特定的原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷，且基於這樣的標識匹配，可執行在線先進製程控制(APC)。

Claims (20)

  1. 一種方法，包括：開發故障標識資料庫，該故障標識資料庫儲存與系統缺陷關聯的故障標識及相應根本原因，該系統缺陷被先前識別於依據特定設計製造的不合格原型晶片上且該相應根本原因在考慮用以形成至少一些的原型晶片的不同製程規格的情況下確定；以及使用該故障標識資料庫以任何預防及檢測後續依據該特定設計並使用特定製程規格組製造的生產晶片中的特定系統缺陷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括評估該故障標識資料庫中的該故障標識，以及基於該評估的結果，調整任何該特定設計及該特定製程規格組中的該製程規格，以防止在該生產晶片中發生與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括評估該故障標識，以及基於該評估的結果，在製造該生產晶片期間執行至少一個特定層級檢查，以檢測與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括：在所述開發該故障標識資料庫以後，製造該生產 晶片；識別不合格生產晶片；針對該不合格生產晶片的系統缺陷開發新的故障標識；以及比較該新的故障標識與該故障標識資料庫中的該故障標識以找到標識匹配，各標識匹配表示給定的不合格生產晶片與給定的不合格原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的方法，還包括基於該標識匹配執行在線先進製程控制。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的方法，還包括：執行根本原因分析，以確認至少一些的該系統缺陷的該相應根本原因。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，該特定製程規格組中的該製程規格包括光刻製程規格。
  8. 一種方法，包括：開發故障標識資料庫，所述開發包括：依據特定設計製造原型晶片，並使用不同的製程規格來形成至少一些的該原型晶片；識別具有系統缺陷的不合格原型晶片；針對該系統缺陷開發故障標識，各故障標識表示與特定不合格原型晶片的特定系統缺陷關聯的測試結果；針對該系統缺陷假定相應根本原因，該特定系統 缺陷具有基於該測試結果以及基於用以形成該特定不合格原型晶片的特定製程規格假定的根本原因；在該故障標識資料庫中儲存具有該相應根本原因的該故障標識；以及使用該故障標識資料庫以任何預防及檢測後續依據該特定設計並使用特定製程規格組製造的生產晶片中的特定系統缺陷。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括評估該故障標識資料庫中的該故障標識，以及基於該評估的結果，調整任何該特定設計及該特定製程規格組中的該製程規格，以防止在該生產晶片中發生與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括評估該故障標識，以及基於該評估的結果，在製造該生產晶片期間執行至少一個特定層級檢查，以檢測與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括：在所述開發該故障標識資料庫以後，製造該生產晶片；識別不合格生產晶片；針對該不合格生產晶片的系統缺陷開發新的故障 標識；以及比較該新的故障標識與該故障標識資料庫中的該故障標識以找到標識匹配，各標識匹配表示給定的不合格生產晶片與給定的不合格原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的方法，還包括基於該標識匹配執行在線先進製程控制。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的方法，還包括：執行根本原因分析，以確認該系統缺陷的該相應根本原因。
  14. 如申請專利範圍第8項所述的方法，該特定製程規格組中的該製程規格包括光刻製程規格。
  15. 一種方法，包括：開發故障標識資料庫，所述開發包括：依據特定設計製造原型晶片，並在所述製造該原型晶片期間，執行至少一種光刻學習技術，以針對多個選擇設計層級的每一個使用不同的光刻製程規格來形成至少一些的該原型晶片，該至少一種光刻學習技術包括聚焦曝光矩陣開發、製程視窗認證以及製程視窗居中；識別具有系統缺陷的不合格原型晶片；針對該系統缺陷開發故障標識，各故障標識表示與特定不合格原型晶片的特定系統缺陷關聯的測試結果；針對該系統缺陷假定相應根本原因，該特定系統 缺陷具有基於該測試結果以及基於在位於該特定不合格原型晶片上並包含該特定系統缺陷的特定設計層級的形成期間所使用的特定光刻製程規格假定的根本原因；在該故障標識資料庫中儲存具有該相應根本原因的該故障標識；以及使用該故障標識資料庫以任何預防及檢測後續依據該特定設計並使用特定製程規格組製造的生產晶片中的特定系統缺陷。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括評估該故障標識資料庫中的該故障標識，以及基於該評估的結果，調整任何該特定設計及該特定製程規格組中的該製程規格，以防止在該生產晶片中發生與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括評估該故障標識，以及基於該評估的結果，在製造該生產晶片期間執行至少一個特定層級檢查，以檢測與該故障標識資料庫中的至少一個特定故障標識對應的至少一個特定系統缺陷。
  18. 如申請專利範圍第15項所述的方法，所述使用該故障標識資料庫包括：在所述開發該故障標識資料庫以後，製造該生產晶片； 識別不合格生產晶片；針對該不合格生產晶片的系統缺陷開發新的故障標識；以及比較該新的故障標識與該故障標識資料庫中的該故障標識以找到標識匹配，各標識匹配表示給定的不合格生產晶片與給定的不合格原型晶片具有由相同的根本原因引起的相同的系統缺陷。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的方法，還包括基於該標識匹配執行在線先進製程控制。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的方法，還包括：執行根本原因分析，以確認該系統缺陷的該相應根本原因。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111198924B (zh) * 2018-11-19 2022-11-25 长鑫存储技术有限公司 产品失效知识库建立方法与失效分析方法、装置、介质
CN111710616B (zh) * 2020-06-22 2023-05-23 全芯智造技术有限公司 用于预测芯片的良率的方法和设备以及计算机可读介质
US11861286B2 (en) * 2020-06-30 2024-01-02 Synopsys, Inc. Segregating defects based on computer-aided design (CAD) identifiers associated with the defects

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5515384A (en) 1994-03-01 1996-05-07 International Business Machines Corporation Method and system of fault diagnosis of application specific electronic circuits
JP3111931B2 (ja) 1997-06-11 2000-11-27 日本電気株式会社 検査結果解析装置及び解析方法並びに解析プログラムを記録した記録媒体
US6185707B1 (en) * 1998-11-13 2001-02-06 Knights Technology, Inc. IC test software system for mapping logical functional test data of logic integrated circuits to physical representation
US7796801B2 (en) 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US6880136B2 (en) * 2002-07-09 2005-04-12 International Business Machines Corporation Method to detect systematic defects in VLSI manufacturing
JP4758358B2 (ja) 2004-01-29 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
TW200622275A (en) * 2004-09-06 2006-07-01 Mentor Graphics Corp Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems
US7509551B2 (en) 2005-08-01 2009-03-24 Bernd Koenemann Direct logic diagnostics with signature-based fault dictionaries
WO2007114930A2 (en) * 2006-03-31 2007-10-11 Teseda Corporation Secure test-for-yield chip diagnostics management system and method
US7853848B2 (en) * 2007-10-22 2010-12-14 International Business Machines Corporation System and method for signature-based systematic condition detection and analysis
US20170220706A1 (en) * 2010-09-13 2017-08-03 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. Systems, methods and apparatus that employ statistical analysis of structural test information to identify yield loss mechanisms
US20120259574A1 (en) * 2011-04-05 2012-10-11 Chenmin Hu Designed-based yield management system
US8903668B2 (en) 2011-04-11 2014-12-02 GM Global Technology Operations LLC Alternator speed estimation using spectrum analysis
US8453075B2 (en) * 2011-09-02 2013-05-28 International Business Machines Corporation Automated lithographic hot spot detection employing unsupervised topological image categorization
US9129237B2 (en) * 2011-12-28 2015-09-08 Elitetech Technology Co., Ltd. Integrated interfacing system and method for intelligent defect yield solutions
US9329033B2 (en) 2012-09-05 2016-05-03 Kla-Tencor Corporation Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy
CN103000548B (zh) * 2012-11-30 2015-05-06 北京时代民芯科技有限公司 一种利用fpga芯片进行集成电路制造工艺缺陷检测的方法
CN103674590B (zh) * 2013-11-09 2016-04-20 皖江新兴产业技术发展中心 半导体芯片全自动封装设备自动报警系统实现方法
US9400865B2 (en) * 2014-06-13 2016-07-26 Kla-Tencor Corp. Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods
CN105335599B (zh) * 2014-08-07 2018-03-27 上海通用汽车有限公司 一种汽车故障诊断率的检测方法及系统
CN105740140A (zh) * 2014-12-10 2016-07-06 中兴通讯股份有限公司 软件系统故障诊断方法、服务器及系统
US10101388B2 (en) * 2015-12-15 2018-10-16 International Business Machines Corporation Method for enhanced semiconductor product diagnostic fail signature detection

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